專利名稱：具有寫入數(shù)據(jù)驗證的疊瓦式磁記錄盤驅動器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明總的來說涉及“疊瓦式(Shingled)”磁記錄(SMR)盤驅動器，并且更具體地涉及用于驗證已經寫入的數(shù)據(jù)以確保在SMR盤驅動器提供的更高記錄密度實現(xiàn)足夠的數(shù)據(jù)可靠性的方法。
背景技術：
已經提出了使用“疊瓦寫入”，也稱為“疊瓦式記錄”或“疊瓦式磁記錄”(SMR)的磁記錄盤驅動器。在SMR中，比讀取磁頭在跨軌道方向更寬的寫入磁頭通過產生多個部分重疊的連續(xù)環(huán)形路徑來寫入磁性轉變。相鄰路徑的非重疊部分形成疊瓦式數(shù)據(jù)軌道，其因此比寫入磁頭的寬度更窄。該數(shù)據(jù)由較窄的讀取磁頭讀回。較窄的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道因此允許增加的數(shù)據(jù)密度。疊瓦式數(shù)據(jù)軌道作為由環(huán)形帶間間隙分隔的環(huán)形區(qū)域或帶布置在盤上。當重新寫入或更新數(shù)據(jù)時，在寫入更新的軌道之后寫入的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道也被重新寫入。SMR在現(xiàn)有技術中熟知，例如在US6, 185，063B1和US6, 967，810B2中描述的。但是，嘗試將軌道壓緊(pack)非常靠近地在一起使新寫入的軌道造成對相鄰的之前寫入的軌道損害的危險。因為該危險，驗證之前在SMR盤驅動器中的(多個)相鄰軌道上寫入的數(shù)據(jù)的方法是有價值的。

發(fā)明內容
本發(fā)明總的來說涉及已經寫入SMR盤驅動器的環(huán)形帶的數(shù)據(jù)的驗證的方法。寫入磁頭使得連續(xù)路徑或軌道在帶中形成疊瓦式數(shù)據(jù)軌道(SDT)。沿著軌道的數(shù)據(jù)的寫入重寫之前寫入的軌道的部分，并因而“擠壓”之前寫入的軌道的數(shù)據(jù)以由此形成SDT。本發(fā)明的方法稱為“寫入擠壓驗證”(WSV)，因為在形成SDT之后驗證每個SDT中的數(shù)據(jù)。在每個SDT中寫入的數(shù)據(jù)在被寫入后讀回。通過使用與寫入SDT的數(shù)據(jù)關聯(lián)的糾錯位進行糾錯校驗，或通過比較讀回數(shù)據(jù)和存儲在存儲器中的數(shù)據(jù)，來驗證來自SDT的讀回數(shù)據(jù)。如果未驗證數(shù)據(jù)讀回，則這指示已經存在寫入錯誤并且寫入錯誤計數(shù)器(WEC)遞增并計算寫入錯誤頻率(WEF)。如果從SDT讀回的數(shù)據(jù)不能被驗證，則可以進行第二次(或更多次)嘗試以寫入數(shù)據(jù)。如果SDT中的數(shù)據(jù)不能在所嘗試的(多次)重新寫入之后驗證，則報告“重試失敗”。但是，如果在第二次寫入嘗試之后驗證了數(shù)據(jù)，則這指示錯誤是可由ECC校正的并且可校正錯誤計數(shù)器(CEC)遞增。CEC使能盤驅動器監(jiān)控接近失敗的數(shù)量，這可以指示在盤的特定區(qū)域中記錄介質的退化?？梢詫θ繋е械娜繉懭脲e誤計算WEF，或者可以對于每個帶或帶的組作為單獨的WEF計算。因此，可以對只寫入特定帶或帶的組關閉WSV，這改進了寫入帶的效率，因為消除了讀取SDT要求的盤旋轉的時間。同樣的，如果WEF對于盤的具體區(qū)域(S卩，具體帶或帶的組)超出某個預定閾值，則如果SMR盤驅動器包括以不同軌道密度格式化的能力，那個區(qū)域可以以較低軌道密度重新格式化。為了更全面的理解本發(fā)明的實質和優(yōu)勢，參考下列結合附圖的詳細描述。


圖1是與根據(jù)本發(fā)明的方法一起使用的SMR盤驅動器的頂視圖。圖2是從盤的記錄層以下向磁頭載體的空氣軸承表面(ABS)的視圖并圖示SMR的方法。圖3是示出SMR盤上的典型帶的示意圖并且圖示定義疊瓦式數(shù)據(jù)軌道的多個重疊軌道。圖4是圖示本發(fā)明的方法的流程圖。
具體實施例方式圖1是具有根據(jù)本發(fā)明的疊瓦式記錄的盤驅動器100的頂視圖。盤驅動器具有外殼或基底101，外殼或基底101支撐用于將磁記錄盤10繞其中心13以箭頭15指示的方向旋轉的致動器130和主軸電機(未示出)。致動器130可以是音圈電機(VCM)轉動致動器，其具有剛性臂134并且繞樞軸132旋轉。頭懸掛組件包括懸掛器121，其具有附連于致動器臂134的端部的一端、附連于懸掛器121的另一端的曲部(flexure) 123和附連于該曲部123的諸如空氣軸承滑塊122之類的磁頭載體。懸掛器121準許滑塊122維持非常靠近盤10的表面并且曲部123使滑塊122能在通過旋轉盤10生成的空氣軸承上“俯仰”和“滾動”?；瑝K122支撐位于滑塊122的端面112上的讀/寫或記錄磁頭109。記錄磁頭109通常是感應寫入磁頭與磁阻讀取磁頭的組合(也稱為讀/寫磁頭)。在圖1中僅示出具有相關聯(lián)的滑塊和記錄磁頭的一個盤表面，但是通常存在重疊在由主軸電機旋轉的輪軸(hub)上的多個盤，其中單獨的滑塊和記錄頭關聯(lián)于每個盤的每個表面。在本發(fā)明中，盤驅動器使用疊瓦式磁記錄(SMR)，也稱為疊瓦式寫入。因此，圖1也圖示在磁盤10的記錄層上分組為環(huán)形區(qū)域和帶的圓形疊瓦式軌道的部分。僅描繪五個帶180、182、184、186和188的部分，但是，典型地存在大量帶。用區(qū)域間或帶間環(huán)形間隙(諸如典型間隙181、183、185和187之類)分隔相鄰帶。例如，對于具有疊瓦式記錄的2.5英寸盤驅動器，疊瓦式數(shù)據(jù)軌道可以具有大約50nm的跨軌道寬度(TW)，而每個帶包含幾百個軌道且?guī)еg的每個間隙分隔是大約IOOnm (或大約2個TW)。在疊瓦式記錄中，比跨軌道方向上的讀取磁頭更寬的寫入磁頭通過產生部分重疊的多個連續(xù)環(huán)形路徑或軌道來寫入磁性轉變。相鄰路徑或軌道的非重疊部分形成疊瓦式數(shù)據(jù)軌道，該疊瓦式數(shù)據(jù)軌道因而比寫入磁頭的寬度窄。由較窄的讀取磁頭讀回數(shù)據(jù)。當數(shù)據(jù)將要重新寫入疊瓦式數(shù)據(jù)軌道時，也將在重新寫入軌道之后已經寫入的全部疊瓦式數(shù)據(jù)軌道重新寫入。如本領域內所熟知的，在每一個帶中的每個疊瓦式數(shù)據(jù)軌道中的數(shù)據(jù)也劃分為多個毗鄰的物理數(shù)據(jù)扇區(qū)(sector)(未示出)。先于每個數(shù)據(jù)扇區(qū)之前出現(xiàn)同步(sync)字段，該同步字段可由讀取磁頭檢測，用于使能數(shù)據(jù)扇區(qū)中讀取和寫入數(shù)據(jù)位的同步。同樣的，每一個帶中的每個疊瓦式數(shù)據(jù)軌道包括多個環(huán)形劃分或角形分隔的伺服扇區(qū)(未示出)，其包含可由讀取磁頭檢測的定位信息，用于移動讀/寫磁頭109到疊瓦式數(shù)據(jù)軌道并維持讀/寫磁頭109在軌道上。每個疊瓦式數(shù)據(jù)軌道中的伺服扇區(qū)通常與其他疊瓦式數(shù)據(jù)軌道中的伺服扇區(qū)環(huán)形對準，從而它們一般以徑向延伸跨越疊瓦式數(shù)據(jù)軌道。盤驅動器100也包括硬盤控制器(HDC) 212，其可以包括微控制器或微處理器和/或由微控制器或微處理器實現(xiàn)?？刂破?12運行計算機程序，其存儲在存儲器214中并且具體體現(xiàn)以下進一步描述的邏輯和算法。存儲器214可以與控制器212分開或者作為控制器芯片上的嵌入式存儲器。計算機程序也可以以微代碼或控制器212可訪問的其他類型存儲器實現(xiàn)?？刂破?12連接到與主計算機218通信的主機接口 216。主機接口 216可以是任何傳統(tǒng)計算機HDD接口，諸如串行ATA (高級技術附件)或SCSI (小型計算機系統(tǒng)接口)。關聯(lián)于盤驅動器100的電子器件也包括伺服電子器件240。在盤驅動器100的操作中，讀/寫通道220從讀取磁頭接收信號并將伺服信息從伺服扇區(qū)傳遞到伺服電子器件240且將數(shù)據(jù)信號從數(shù)據(jù)扇區(qū)傳遞到控制器212。伺服電子器件240通常包括伺服控制處理器，其使用來自伺服扇區(qū)的伺服信息運行產生控制信號的控制算法。將該控制信號轉換為驅動致動器130以定位讀/寫磁頭109的電流。在盤驅動器100的操作中，接口 216從主計算機218接收用于從數(shù)據(jù)扇區(qū)讀取或向數(shù)據(jù)扇區(qū)寫入數(shù)據(jù)的請求?？刂破?12從接口215接收所請求的數(shù)據(jù)扇區(qū)的列表并且將他們轉換為唯一地標識盤表面、軌道和數(shù)據(jù)扇區(qū)的一組數(shù)字。將該數(shù)字傳遞到伺服電子器件240以使能將讀/寫磁頭109定位到恰當?shù)臄?shù)據(jù)扇區(qū)?？刂破?12用作數(shù)據(jù)控制器以通過讀/寫通道220傳輸來自主計算機218的寫數(shù)據(jù)塊，以由寫入磁頭寫入盤10，并且將來自盤10的讀數(shù)據(jù)塊傳輸回主計算機218。除了旋轉磁盤存儲之外，盤驅動器通常包括固態(tài)存儲器(稱為“緩存”)，其在數(shù)據(jù)在主計算機和磁盤存儲之間傳輸之前臨時保留數(shù)據(jù)。傳統(tǒng)的緩存是動態(tài)隨機訪問存儲器(DRAM)、易失形式的存儲器，其可以承受大量寫入/擦除循環(huán)且具有高數(shù)據(jù)傳輸速率。盤驅動器也可以包括非易失性存儲器。一類非易失性存儲器是“閃速”存儲器，其將信息存儲在稱為“單元(cell)”的浮動柵極晶體管陣列中，其是可以以塊來電擦除和重編程的。因而在盤驅動器100中，控制器212也經由數(shù)據(jù)總線254與易失性存儲器250 (示作DRAM)和可選的非易失性存儲器252 (示作閃存)通信。圖2是盤的記錄層的部分的視圖并且意在是使用SMR在盤上記錄磁化區(qū)域的方法的圖示。連同對準寫入磁頭的尖端52的磁性轉變的路徑或軌道(其將產生第三疊瓦式數(shù)據(jù)軌道186c)，示出典型環(huán)形區(qū)域或帶(類似圖1中的環(huán)形帶186)的兩個同心疊瓦式數(shù)據(jù)軌道186a和186b。寫入磁頭尖端52具有比讀取磁頭感應邊緣60跨軌道寬度(RTW)更寬的跨軌道寬度(WTW)。當寫入數(shù)據(jù)時，隨著記錄層在箭頭15的方向上移動，寫入磁頭尖端52生成磁性轉變(示作白色和陰影磁化區(qū)域31之間的轉換)的路徑。在SMR中，無論何時要重新寫入或更新環(huán)形帶中的數(shù)據(jù)的任何部分，也將在更新疊瓦式數(shù)據(jù)軌道之后寫入的該環(huán)形帶中的全部疊瓦式數(shù)據(jù)軌道重新寫入。為了寫入產生三個疊瓦式數(shù)據(jù)軌道的磁性轉變，寫入磁頭首先寫入沿著線150a為中心的軌道，之后，致動器以遞增距離徑向地移動寫入磁頭以寫入沿著線150b為中心的磁性轉變的軌道，之后，致動器以遞增距離徑向地移動寫入磁頭以沿著線150c寫入磁性轉變的軌道。軌道150b重疊軌道150a的部分且軌道150c重疊軌道150b的部分。例如，軌道150b具有重疊部分152和非重疊部分154。兩個連續(xù)軌道(t匕如軌道150a和150b)的寫入導致疊瓦式數(shù)據(jù)軌道(即，疊瓦式數(shù)據(jù)軌道186a)的形成。在環(huán)形帶中的全部軌道已經以SMR方法寫入之后，數(shù)據(jù)駐留在非重疊部分中，如疊瓦式數(shù)據(jù)軌道186a、186b示出的。因此，寫入的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道具有徑向軌道寬度(TW)，其典型地略小于讀取磁頭感應邊緣60a的WTW并略大于RTW。例如，RTW典型地是TW的0.6到0.7倍。在圖2的示例中，圖的底部意為帶186的徑向內部，所以在此示例中，在從盤內徑(ID)到外經(OD)的方向上寫入疊瓦式數(shù)據(jù)軌道。但是，可以將盤驅動器格式化從而在一個或多個帶中的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道的寫入可以從OD到ID，其中，在不同的方向上寫入不同的帶。在本發(fā)明中，無論何時寫入帶，驗證在寫入的每個疊瓦式數(shù)據(jù)軌道中的數(shù)據(jù)。將數(shù)據(jù)寫入整個帶可以在將來自主機的新數(shù)據(jù)存儲在存儲器中且隨后數(shù)據(jù)第一次寫入帶時發(fā)生。也可以在帶中的數(shù)據(jù)的部分被修改時(即，“讀取-修改-寫入”操作)時發(fā)生，在該“讀取-修改-寫入”操作中，將帶中的全部數(shù)據(jù)讀取并存儲在存儲器中，隨后，以主機提供的新寫入數(shù)據(jù)修改一部分，其最終將全部數(shù)據(jù)寫回帶。也可以在一條或多條帶被“清除”或“去碎片化”以回收可用空間時，即，將在一條或多條帶中的數(shù)據(jù)讀取并存儲在存儲器且隨后重新寫入到相同的帶或新的帶中發(fā)生將數(shù)據(jù)寫入整個一條或多條帶。圖3是用于描述本發(fā)明的方法的疊瓦式區(qū)域或帶300的示意圖。帶將具有N條疊瓦式數(shù)據(jù)軌道(SDT)，且N典型地是數(shù)以百計；但是，為了方便說明，圖3的帶300中N=7。帶300具有防護帶(GB)，其將帶300與徑向相鄰的帶分離。寫入磁頭使連續(xù)路徑或軌道(TR)形成SDT，該SDT在圖3的示例中在從盤OD到盤ID的方向上寫入。例如，致動器定位寫入磁頭以沿著軌道I (TRl)寫入數(shù)據(jù)，然后移動寫入磁頭以沿著軌道2 (TR2)寫入數(shù)據(jù)。沿著TR2的數(shù)據(jù)寫入重寫之前已寫入的TRl的部分并且因而“擠壓”TRl的數(shù)據(jù)從而形成第一疊瓦式數(shù)據(jù)軌道(SDT1)。本發(fā)明的方法稱為“寫入-擠壓-驗證”(WSV)，因為在形成SDT之后驗證每個SDT中的數(shù)據(jù)。例如，在TR2已經“擠壓”TRl之后驗證SDTl中的數(shù)據(jù)。軌道TR3到TR(N+1)的連續(xù)寫入因而導致帶中全部N個SDT的寫入。圖4是描述本發(fā)明的方法的流程圖。在400，要寫入的數(shù)據(jù)的N個塊在例如非易失性存儲器250或易失性存儲器252的存儲器中(圖1)。在此示例中，數(shù)據(jù)的塊是數(shù)據(jù)的一個軌道。WSV在410打開。WSV可以由用戶打開或關閉，或者可以在諸如在盤驅動器上電時或在要清除數(shù)據(jù)時的空閑時間之類的各種時間自動地打開。在本發(fā)明中，也可以在405基于所計算的寫入-錯誤頻率(WEV)的值打開或關閉WSV，如以下將說明的。在415，軌道(TR)計數(shù)器初始化為i=l。在420，致動器定位寫入磁頭到TR (i=l)，并且要寫入的數(shù)據(jù)從存儲器調回并寫入到TR(i=l)。數(shù)據(jù)的寫入也包括奇偶校驗位或糾錯位的寫入。在盤驅動器中的糾錯碼(ECC)的使用是熟知的并且涉及在數(shù)據(jù)扇區(qū)或數(shù)據(jù)軌道的末端寫入奇偶校驗位或糾錯位，其中，奇偶校驗位或糾錯位使用一種算法(類似于熟知的ECC算法的一種)從要寫入的數(shù)據(jù)中計算。在425，致動器定位寫入磁頭以寫連續(xù)徑向相鄰的TR (i+Ι)，并且要寫入的數(shù)據(jù)從存儲器調回并連同糾錯位一同寫入TR (i+Ι)。這擠壓TRl并因而導致SDT (i)的寫入。在428，寫計數(shù)器(WC)遞增，該寫計數(shù)器對軌道寫入的數(shù)量計數(shù)。在430，致動器定位讀取磁頭以讀取SDT (i)并且從SDT (i)讀回數(shù)據(jù)。在435，隨后驗證從SDT (i)讀回的數(shù)據(jù)。驗證可以是兩種方法中的一種。在第一方法中，也將關聯(lián)于數(shù)據(jù)的ECC位讀回并且用來關于數(shù)據(jù)進行ECC校驗。如果ECC校驗沒有返回錯誤，則這意味著所讀回的數(shù)據(jù)位和ECC位是可讀且精確的。ECC校驗因而是關于被“擠壓”的數(shù)據(jù)和關聯(lián)ECC位的雙重校驗或奇偶校驗。該驗證方法具有ECC校驗是借助于已經存在于盤驅動器的專用硬件/固件的實時即時(on-the-fly)操作。在435的驗證的第二方法中，可以通過比較SDT (i)數(shù)據(jù)的讀回與仍駐留在存儲器中的相同數(shù)據(jù)的副本來完成該驗證。此方法是在理論上更加精確的驗證，因為驗證每個位而不是只有ECC奇偶校驗。
如果在435驗證SDT (i)的數(shù)據(jù)，則方法隨后在440重復直到i=N，其中，N是帶中的SDT的數(shù)量。TR計數(shù)器在445以I遞增，并且隨后在425寫入下一 TR。如果在435從SDT (i)讀回的數(shù)據(jù)未被驗證，則這指示已經存在寫錯誤并且在450寫錯誤計數(shù)器(WEC)遞增。如果在435的驗證的方法是通過ECC校驗，則這指示在所讀回的數(shù)據(jù)中存在錯誤。錯誤可能是可由ECC校正的或者可能存在過多錯誤而不能校正。在455，寫錯誤頻率(WEF)計算為WEF=WEC/WC。WC和WEC的計數(shù)以及WEF的計算可以是對每個寫入操作進行的，如圖4中所示，或者計數(shù)和計算可以基于采樣，例如每十次或一百次寫入操作進行。在460，嘗試通過第二次寫入軌道TR (i)和TR (i+Ι)來校正已經確定為有錯誤的從SDT (i)讀回的數(shù)據(jù)。如果驗證方法是通過比較SDT (i)數(shù)據(jù)的讀回和仍駐留在存儲器中的相同數(shù)據(jù)的副本，則使用從存儲器調回的數(shù)據(jù)再次寫入數(shù)據(jù)，如以上對塊420、425描述的。但是，如果驗證方法是通過ECC校驗，則嘗試用ECC校驗數(shù)據(jù)并隨后重新寫入。在465，致動器定位讀取磁頭以讀取SDT (i)并且從SDT (i)讀回重新寫入的數(shù)據(jù)。在470，使用對于塊435的上述兩種方法的一種，再次驗證從SDT (i)讀回的數(shù)據(jù)。如果在470驗證SDT (i)的數(shù)據(jù)，則方法返回到440。如果在ECC校正之后在460重新寫入數(shù)據(jù)且現(xiàn)在在475驗證所重新寫入的數(shù)據(jù)，則這指示存在一些錯誤但是它們通過ECC是可校正的。在那種情況下，在472可校正錯誤計數(shù)器(CEC)可以遞增，之后方法返回到440。CEC監(jiān)控未完全失敗但是接近失敗，其中，在塊中的錯誤的數(shù)量仍然可校正。CEC值可以用來指示在磁盤的特定區(qū)域中的記錄介質的退化。如果在第二次寫入嘗試之后寫錯誤不能校正，則在475報告“重試失敗”，之后方法返回到440。雖然以僅僅兩次嘗試寫數(shù)據(jù)來描述方法，但是在475報告重試失敗之前，方法可以包括任何數(shù)量的嘗試寫入數(shù)據(jù)。如果WEF落在預定閾值之下，則可以在405關閉WSV。例如，每IO6次寫入的一個寫錯誤的WEF可以認為是可接受的。WSV的關閉改進了寫入到帶的效率，因為消除了讀取SDT所要求的磁盤旋轉的時間。可以對全部帶中的全部寫錯誤計算WEF，或者可以對于每個帶或帶的組作為單獨WEF值計算。因此，可以僅對于寫入到特定帶或帶的組關閉WSV。同樣，如果對于盤的特定區(qū)域(即，具體帶或帶的組)，WEF超出某個預定閾值，則如果SMR盤驅動器包括以不同軌道密度格式化的能力，該區(qū)域可以以較低的軌道密度重新格式化。如上所述的SMR盤驅動器的操作可以實現(xiàn)為存儲在存儲器中并且由盤驅動器中的諸如HDC212 (圖1)的處理器或者獨立控制器或微處理器可執(zhí)行的一組計算機程序指令。控制器基于存儲在存儲器中的程序指令進行邏輯和算法操作，且因而能夠進行上述功能，包括計數(shù)寫入次數(shù)(WC)和寫入錯誤(WEC)，計算WEF并且當WEF落到預定閾值之下時關閉WSV。雖然已經具體示出并參考優(yōu)選實施例描述本發(fā)明，但是本領域技術人員將明白的是，形式和細節(jié)上的各種改變可以不偏離本發(fā)明的精神和范圍地做出。因此，所公開的發(fā)明僅認為是圖示性的且限于如所附權利要求中規(guī)定的范圍內。
權利要求
1.一種磁記錄盤驅動器，包括: 可旋轉磁記錄盤，包括基底和在所述基底上的磁記錄層； 磁頭載體，具有朝向記錄層的表面； 寫入磁頭，在所述磁頭載體上，所述寫入磁頭在所述盤旋轉時在所述記錄層中生成磁性轉變的大致圓形的路徑； 致動器，連接到所述磁頭載體，用于移動所述磁頭載體大致徑向地跨越所述盤，所述致動器能夠以小于路徑的徑向寬度的增量移動所述磁頭，從而所述寫磁頭生成部分重疊的磁性轉變的大致圓形的路徑，所述圓形路徑的非重疊部分代表數(shù)據(jù)軌道； 讀取磁頭，在所述磁頭載體上，用于從所述數(shù)據(jù)軌道讀取已寫入的數(shù)據(jù)； 控制器，用于選擇其中由所述寫入磁頭寫入數(shù)據(jù)的所述數(shù)據(jù)軌道； 耦接于所述控制器的存儲器；且 其中，所述控制器包括用于執(zhí)行包括以下的方法步驟的邏輯: (a)在圓形路徑中寫入數(shù)據(jù)； (b)在直接徑向相鄰的圓形路徑中寫入數(shù)據(jù)以從而形成數(shù)據(jù)軌道； (c)從所述數(shù)據(jù)軌道讀取數(shù)據(jù)； Cd)驗證寫入所述數(shù)據(jù)軌道中的數(shù)據(jù)的精確度；且 (e)如果寫入所述數(shù)據(jù)軌道中的數(shù)據(jù)包含錯誤，則將寫入錯誤的事件記錄在存儲器中。
2.根據(jù)權利要求1所述的盤驅動器，其中，所述數(shù)據(jù)軌道在所述記錄層上以由環(huán)形間隙分隔的環(huán)形帶分組，且其中，所述方法步驟進一步包括對于帶中的全部數(shù)據(jù)軌道重復步驟(b )到(e )。
3.根據(jù)權利要求1所述的盤驅動器，其中，所述方法步驟進一步包括:將寫入的數(shù)據(jù)軌道的數(shù)量記錄在存儲器中，且根據(jù)所記錄的寫入錯誤的數(shù)量和寫入的數(shù)據(jù)軌道的數(shù)量來計算寫入錯誤頻率(WEF)。
4.根據(jù)權利要求3所述的盤驅動器，其中，所述方法步驟進一步包括:如果WEF低于預定閾值，則終止步驟(c)到(e)。
5.根據(jù)權利要求3所述的盤驅動器，其中，所述數(shù)據(jù)軌道在所述記錄層上以由環(huán)形間隙分隔的環(huán)形帶分組，且其中計算WEF包括對于帶計算WEF。
6.根據(jù)權利要求5所述的盤驅動器，進一步包括:如果帶的WEF超出預定閾值，則以較低軌道密度重新格式化帶。
7.根據(jù)權利要求1所述的盤驅動器，其中，寫入數(shù)據(jù)進一步包括寫入與要寫入的所述數(shù)據(jù)關聯(lián)的糾錯位，且其中，Cd)的所述方法步驟進一步包括使用與所述寫入的數(shù)據(jù)關聯(lián)的所述糾錯位進行糾錯校正。
8.根據(jù)權利要求1所述的盤驅動器，其中，所述方法步驟進一步包括:如果寫入所述數(shù)據(jù)軌道中的數(shù)據(jù)包含錯誤，則在將寫入錯誤的發(fā)生記錄在存儲器中之前，對于包含錯誤的所述數(shù)據(jù)重復步驟(a)到(d)。
9.一種疊瓦式磁記錄盤驅動器，包括: 可旋轉磁記錄盤，包括基底和在所述基底上的垂直磁記錄層； 寫入磁頭，用于在所述盤旋轉時將數(shù)據(jù)寫入所述記錄層的同心疊瓦式數(shù)據(jù)軌道； 讀取磁頭，用于讀取在所述疊瓦式數(shù)據(jù)軌道中的數(shù)據(jù)；控制器，用于選擇其中要由所述寫入磁頭寫入數(shù)據(jù)的所述疊瓦式數(shù)據(jù)軌道； 耦接于所述控制器的存儲器；且 其中，所述控制器包括用于執(zhí)行寫入-擠壓-驗證(WSV)方法步驟的邏輯，所述方法步驟用于驗證在所述疊瓦式數(shù)據(jù)軌道中寫入的數(shù)據(jù)的精確度，所述方法步驟包括: (a)將要寫入的所述數(shù)據(jù)記錄在存儲器中； (b)初始化WSV； (C)將數(shù)據(jù)寫入連續(xù)徑向相鄰的重疊圓形路徑中從而寫入連續(xù)徑向相鄰的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道； (d)計數(shù)已經寫入的所述疊瓦式數(shù)據(jù)軌道； (e)在每個疊瓦式數(shù)據(jù)軌道的寫入之后且在連續(xù)徑向相鄰的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道的寫入之前，從所述寫入的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道中讀取數(shù)據(jù)； Cf)驗證從所述寫入的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道中讀取的數(shù)據(jù)的精確度；并 (g)如果在所述寫入的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道中寫入的數(shù)據(jù)包含錯誤，則計數(shù)寫入錯誤的事件。
10.根據(jù)權利要求9所述的盤驅動器，其中，所述方法步驟進一步包括根據(jù)寫入錯誤的計數(shù)和寫入的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道的計數(shù)來計算寫入錯誤頻率(WEF)。
11.根據(jù)權利要求9所述的盤驅動器，其中，所述方法步驟進一步包括:如果WEF低于預定閾值，則終止WSV。
12.根據(jù)權利要求9所述的盤驅動器，其中，所述疊瓦式數(shù)據(jù)軌道在所述記錄層上以由環(huán)形間隙分隔的環(huán)形帶分組，且其中，對于在所述帶的至少一條中的全部所述疊瓦式數(shù)據(jù)軌道進行(c)到(g)的所述方法步驟。
13.根據(jù)權利要求9所述的盤驅動器，其中，寫入所述疊瓦式數(shù)據(jù)軌道進一步包括在每個疊瓦式數(shù)據(jù)軌道中寫入與要寫入每個所述疊瓦式數(shù)據(jù)軌道的所述數(shù)據(jù)關聯(lián)的糾錯位，且其中，Cf)的所述方法步驟包括使用與所述寫入的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道關聯(lián)的所述糾錯位來進行糾錯校驗。
14.根據(jù)權利要求13所述的盤驅動器，進一步包括:如果所述糾錯校驗指示錯誤，則嘗試錯誤校正，且如果所述嘗試成功，則計數(shù)可校正錯誤的事件。
15.根據(jù)權利要求9所述的盤驅動器，其中，Cf)的所述方法步驟包括比較從所述寫入的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道中讀取的數(shù)據(jù)和在存儲器中記錄的數(shù)據(jù)。
全文摘要
提供了磁記錄盤驅動器和疊瓦式磁記錄盤驅動器。“寫入-擠壓-驗證”方法用于數(shù)據(jù)的驗證，該數(shù)據(jù)已經寫入疊瓦式磁記錄盤驅動器的環(huán)形帶中。沿著軌道的數(shù)據(jù)的寫入重寫之前寫入的軌道的部分并因而“擠壓”之前寫入的軌道的數(shù)據(jù)以從而形成“疊瓦式數(shù)據(jù)軌道”(SDT)。讀回每個SDT的數(shù)據(jù)并且由使用與寫入SDT中的數(shù)據(jù)關聯(lián)的糾錯位的糾錯校驗或者通過比較讀回的數(shù)據(jù)和存儲在存儲器中的數(shù)據(jù)來驗證數(shù)據(jù)。如果未驗證讀回的數(shù)據(jù)，則寫入錯誤計數(shù)器遞增且計算寫入錯誤頻率?？梢赃M行一次或多次嘗試寫入數(shù)據(jù)。如果在嘗試的(多次)重新寫入之后不能驗證SDT中的數(shù)據(jù)，則報告“重試失敗”。
文檔編號G11B5/55GK103165142SQ20121053567
公開日2013年6月19日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權日2011年12月12日
發(fā)明者J.D.科克, M.A.哈斯納, K.王, B.A.威爾遜, R.W.伍德 申請人:Hgst荷蘭公司