專(zhuān)利名稱(chēng)：存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法及冗余替代方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法及冗余替代方法。
背景技術(shù)：
隨著存儲(chǔ)器，例如閃存(Flash)的集成度不斷提高，存儲(chǔ)容量不斷加大，在半導(dǎo)體工藝中，不可避免出現(xiàn)某一存儲(chǔ)單元，例如某一晶體管存在缺陷。針對(duì)上述問(wèn)題，為提高芯片成品率，目前行業(yè)內(nèi)普遍采用冗余技術(shù)加以解決。所謂冗余技術(shù)，是指在半導(dǎo)體上另開(kāi)辟一些區(qū)域，該區(qū)域具有一些備用的存儲(chǔ)單元，利用該備用存儲(chǔ)單元替換有缺陷的存儲(chǔ)單元，上述備用存儲(chǔ)單元也稱(chēng)冗余單元。在冗余技術(shù)中，必不可少的一個(gè)環(huán)節(jié)是記錄缺陷單元。現(xiàn)有技術(shù)中，該過(guò)程為首先對(duì)存儲(chǔ)器的每一存儲(chǔ)單元進(jìn)行性能測(cè)試，并保存每一存儲(chǔ)單元的測(cè)試結(jié)果。更多關(guān)于冗余技術(shù)的信息請(qǐng)參照公開(kāi)號(hào)為“CN 102157206 A”的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)文件。然而，上述方法存在一些問(wèn)題，其中一個(gè)問(wèn)題為造成記錄上述測(cè)試結(jié)果的錯(cuò)誤信息記錄單元(Error Capture Record)的存儲(chǔ)容量需要較大,對(duì)于存儲(chǔ)容量不足的情況會(huì)出現(xiàn)溢出現(xiàn)象，即有些存儲(chǔ)單元的測(cè)試結(jié)果未得到保存。這不利于存儲(chǔ)器的可靠性。針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明提出一種新的存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法及冗余替代方法加以解決。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提出一種新的存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法及冗余替代方法，以解決現(xiàn)有的記錄存儲(chǔ)器測(cè)試結(jié)果的單元出現(xiàn)溢出問(wèn)題，提高存儲(chǔ)器的可靠性。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法，包括對(duì)存儲(chǔ)器劃分區(qū)域，每個(gè)所述區(qū)域的子單元數(shù)目與冗余單元的子單元數(shù)目相等；對(duì)每個(gè)區(qū)域的所有子單元進(jìn)行性能測(cè)試，若該區(qū)域所有子單元性能全部合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入合格，若該區(qū)域有子單元性能不合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入不合格。 可選地，所述冗余單元為扇區(qū)，所述子單元為字節(jié)或位。可選地，所述冗余單元為一個(gè)扇區(qū)或幾個(gè)扇區(qū)?？蛇x地，所述冗余單元為行或列，所述子單元為字節(jié)或位?？蛇x地，所述冗余單元為一行或幾行?？蛇x地，所述冗余單元為一列或幾列?？蛇x地，所述出錯(cuò)信息記錄單元為出錯(cuò)信息寄存器。可選地，所述性能測(cè)試包括可靠性測(cè)試?？蛇x地,所述合格采用I記錄，所述不合格采用O記錄。
此外，本發(fā)明還提供了一種存儲(chǔ)器的冗余替代方法，包括對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行測(cè)試，采用上述任一方法進(jìn)行出錯(cuò)信息記錄；采用冗余單元代替不合格的區(qū)域。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)1)不同于現(xiàn)有技術(shù)的對(duì)存儲(chǔ)器每一存儲(chǔ)單元都進(jìn)行測(cè)試結(jié)果記錄的方案，本發(fā)明采用對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行區(qū)域劃分，且每個(gè)區(qū)域的子單元數(shù)目與冗余單元的子單元數(shù)目相等，對(duì)每個(gè)區(qū)域的所有子單元進(jìn)行性能測(cè)試，若該區(qū)域所有子單元性能全部合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入合格，若該區(qū)域只要有一個(gè)子單元性能不合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入不合格，換言之，采用冗余單元為單位對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行記錄，利用了冗余技術(shù)中采用冗余單元對(duì)存儲(chǔ)器的包含該缺陷單元的多個(gè)單元整體進(jìn)行替換的特點(diǎn)，降低了測(cè)試結(jié)果的數(shù)據(jù)量，避免了存儲(chǔ)容量不足出現(xiàn)的溢出問(wèn)題，提高了存儲(chǔ)器的可靠性，同時(shí)本發(fā)明的技術(shù)方案可以測(cè)試大容量的存儲(chǔ)器。2)可選方案中，該冗余單元為扇區(qū)，其子單元為字節(jié)或位，該位對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)單元(例如晶體管);該字節(jié)對(duì)應(yīng)8個(gè)存儲(chǔ)單元，一般為存儲(chǔ)器某行的8列晶體管。冗余技術(shù)對(duì)扇區(qū)的替換為成熟技術(shù)，如此，提高了本方案與現(xiàn)有方案的兼容性。3)可選方案中，在2)可選方案基礎(chǔ)上，該冗余單元為一個(gè)或幾個(gè)扇區(qū)，針對(duì)一個(gè)扇區(qū)的冗余單元，若該一個(gè)扇區(qū)內(nèi)所有子單元性能全部合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入合格，若一個(gè)扇區(qū)內(nèi)只要有一個(gè)子單元性能不合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入不合格。針對(duì)幾個(gè)扇區(qū)的冗余單元，若該幾個(gè)扇區(qū)所有子單元性能全部合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入合格，若該幾個(gè)扇區(qū)只要有一個(gè)子單元性能不合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入不合格。相對(duì)于以一個(gè)扇區(qū)為單位記錄的方案，對(duì)幾個(gè)扇區(qū)為單位記錄測(cè)試結(jié)果能更進(jìn)一步降低測(cè)試結(jié)果的數(shù)據(jù)量，同時(shí)也使得固定容量的記錄單元能測(cè)試更大容量的存儲(chǔ)器。4)可選方案中，該冗余單元為一行存儲(chǔ)單元(例如晶體管)或幾行存儲(chǔ)單元(例如晶體管)，其子單元為位或字節(jié)，該位對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)單元(例如晶體管)，該字節(jié)對(duì)應(yīng)8個(gè)存儲(chǔ)單元，一般為存儲(chǔ)器某行的8列晶體管。或該冗余單元為一列存儲(chǔ)單元(例如晶體管)或幾列存儲(chǔ)單元(例如晶體管)，其子單元為位，該位對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)單元(例如晶體管)。冗余技術(shù)對(duì)行、列的替換也為成熟技術(shù)，如此，也可以提高本方案與現(xiàn)有方案的兼容性。


圖1所示為本實(shí)施例提供的存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法的流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的存儲(chǔ)器的區(qū)域劃分示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的冗余單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的出錯(cuò)信息寄存器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例二提供的存儲(chǔ)器的區(qū)域劃分示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例三提供的存儲(chǔ)器的區(qū)域劃分示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例四提供的存儲(chǔ)器的區(qū)域劃分示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例五提供的存儲(chǔ)器的區(qū)域劃分示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例六提供的存儲(chǔ)器的區(qū)域劃分示意圖。
具體實(shí)施方式
如前所述，現(xiàn)有技術(shù)中，存儲(chǔ)器每一存儲(chǔ)單元的測(cè)試結(jié)果都進(jìn)行記錄，上述方案造成對(duì)記載該測(cè)試結(jié)果的錯(cuò)誤信息記錄單元的容量要求較高，對(duì)于存儲(chǔ)容量不足的情況會(huì)出現(xiàn)溢出現(xiàn)象，不利于存儲(chǔ)器的可靠性。針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明采用對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行區(qū)域劃分，且每個(gè)區(qū)域的子單元數(shù)目與冗余單元的子單元數(shù)目相等，對(duì)每個(gè)區(qū)域的所有子單元進(jìn)行性能測(cè)試，若該區(qū)域所有子單元性能全部合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入合格，若該區(qū)域有一個(gè)或多個(gè)(包含兩個(gè)及以上)子單元性能不合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入不合格，換言之，采用冗余單元為單位對(duì)測(cè)試結(jié)果(出錯(cuò)信息)進(jìn)行記錄，利用了冗余技術(shù)中采用冗余單元對(duì)存儲(chǔ)器的包含該缺陷單元的多個(gè)單元整體進(jìn)行替換的特點(diǎn)，降低了測(cè)試結(jié)果的數(shù)據(jù)量，避免了存儲(chǔ)容量不足出現(xiàn)的溢出問(wèn)題，提高了存儲(chǔ)器的可靠性。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施方式
的限制。 如前所述，以冗余單元為單位進(jìn)行測(cè)試結(jié)果存儲(chǔ)的方案中，冗余單元可以為a) —個(gè)或幾個(gè)扇區(qū)、b) —行或幾行、或c) 一列或幾列。以下分別采用六個(gè)實(shí)施例對(duì)六種情況進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施例一圖1所示為本實(shí)施例提供的存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法的流程圖。圖2、圖3及圖4分別為本實(shí)施例提供的存儲(chǔ)器、冗余單元、出錯(cuò)信息寄存器的結(jié)構(gòu)示意圖。結(jié)合圖1至圖3所示，執(zhí)行步驟Sll :對(duì)存儲(chǔ)器I劃分區(qū)域，每個(gè)區(qū)域A的子單元數(shù)目與冗余單元2的子單元數(shù)目相等。具體地，如圖3所示，該冗余單元2的容量大小為1M，共128行，8列。換言之，該冗余單元2具有128byte子單元,或1024bit子單元。如圖2所示，該存儲(chǔ)器I，例如但不限于為閃存，具有η個(gè)扇區(qū)(sector)，從扇區(qū)O到扇區(qū)n-1，每個(gè)扇區(qū)為1024bit，共128行，8列。每個(gè)bit對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)單元，例如但不限于為一個(gè)晶體管?；谌哂鄦卧?的子單元數(shù)目(128byte或1024bit)，存儲(chǔ)器I的子單元數(shù)目配置為128byte或1024bit，即存儲(chǔ)器I中的每個(gè)扇區(qū)被劃分為一個(gè)區(qū)域A，每個(gè)區(qū)域A具有128byte子單元,或1024bit子單元。執(zhí)行步驟S12 :對(duì)每個(gè)區(qū)域A的所有子單元進(jìn)行性能測(cè)試，若該區(qū)域A所有子單元性能全部合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入合格，若該區(qū)域A有子單元(只要有一個(gè))性能不合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入不合格。上述的每個(gè)區(qū)域A對(duì)應(yīng)一個(gè)扇區(qū)。存儲(chǔ)器I制作完畢后，需對(duì)其所有的存儲(chǔ)單元進(jìn)行性能測(cè)試，該性能測(cè)試包括多種，例如經(jīng)時(shí)擊穿(Time Dependent Dielectric Breakdown, TDDB)測(cè)試、熱載流子注入(Hot Carrier Injection, HCT)測(cè)試、閾值電壓穩(wěn)定性(Threshold Voltage Stability,VT Stability)測(cè)試、直流測(cè)試條件下的負(fù)偏壓不穩(wěn)定性(Direct Current Negative BiasTemperature Instability,DC NBTI)測(cè)試等可靠性測(cè)試,也可以為閾值電壓測(cè)試等。上述測(cè)試結(jié)果如性能符合要求(合格)，則采用“ I ”記錄，若性能不符合要求(不合格)，則采用“O”記錄，也可以按照行業(yè)內(nèi)常規(guī)記錄方法進(jìn)行記錄。如圖4所示，上述記錄結(jié)果優(yōu)選存入出錯(cuò)信息寄存器 3 (Error Capture Register)中。上述性能測(cè)試是對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行，測(cè)試順序按照現(xiàn)有的測(cè)試順序，但測(cè)試結(jié)果的保存是以扇區(qū)為單位，換言之，該扇區(qū)的所有存儲(chǔ)單元的被測(cè)試的性能符合要求，該扇區(qū)以合格保存，若有一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元被測(cè)試性能不符合要求，則該扇區(qū)以不合格保存。上述做法的好處在于由于冗余單元2以扇區(qū)為單元進(jìn)行替換，因而，不論該扇區(qū)中是否有性能合格的儲(chǔ)存單元，在替換過(guò)程中一起被替換，本發(fā)明人利用了該特點(diǎn)，將出錯(cuò)信息也采用扇區(qū)為單位進(jìn)行保存，如此將nM (η*1024)的出錯(cuò)信息的保存數(shù)據(jù)量降為η個(gè)，降低對(duì)出錯(cuò)信息寄存器3的容量要求，也不易出現(xiàn)溢出，提高了存儲(chǔ)器I的可靠性?；谏鲜鏊悸罚緦?shí)施例還提供了一種存儲(chǔ)器的冗余替代方法，包括 對(duì)存儲(chǔ)器I進(jìn)行測(cè)試，采用上述方法進(jìn)行出錯(cuò)信息記錄；對(duì)于不合格的區(qū)域，采用IM大小的冗余單元2代替。實(shí)施例二本實(shí)施例二提供的存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法及冗余替代方法大致與實(shí)施例一相同。區(qū)別在于不同于實(shí)施例一以一個(gè)扇區(qū)的測(cè)試結(jié)果為單位進(jìn)行存儲(chǔ)，本實(shí)施例以幾個(gè)扇區(qū)為單位。存儲(chǔ)器仍采用實(shí)施例一的具有η個(gè)扇區(qū)(sector),每個(gè)扇區(qū)為1024bit,共128行，8列的存儲(chǔ)器1，冗余單元采用容量大小為2M的冗余單元，以下以2個(gè)扇區(qū)的測(cè)試結(jié)果(出錯(cuò)信息)為單位進(jìn)行存儲(chǔ)為例進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施例中，執(zhí)行步驟Sll :對(duì)存儲(chǔ)器I劃分區(qū)域，每個(gè)區(qū)域A的子單元數(shù)目與冗余單元2的子單元數(shù)目相等。具體地，如圖5所示，將每?jī)蓚€(gè)相鄰(其它實(shí)施例中不限于相鄰)的扇區(qū)劃分為一個(gè)區(qū)域A。執(zhí)行步驟S12 :對(duì)每個(gè)區(qū)域A的所有子單元進(jìn)行性能測(cè)試，若該區(qū)域A所有子單元性能全部合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入合格，若該區(qū)域A有一個(gè)或多個(gè)子單元性能不合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入不合格。上述的每個(gè)區(qū)域A對(duì)應(yīng)兩個(gè)相鄰扇區(qū)。與實(shí)施例一相比，可以理解的是，上述采用對(duì)2個(gè)扇區(qū)的所有子單元的測(cè)試結(jié)果為一位進(jìn)行保存的方案，可以降低一半存儲(chǔ)器I的測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)量，降低對(duì)出錯(cuò)信息寄存器3的容量要求，同時(shí)也使得固定容量的出錯(cuò)信息寄存器3能測(cè)試更大容量的存儲(chǔ)器?；谏鲜鏊悸罚緦?shí)施例提供的存儲(chǔ)器的冗余替代方法，包括對(duì)存儲(chǔ)器I進(jìn)行測(cè)試，采用上述方法進(jìn)行出錯(cuò)信息記錄；對(duì)于不合格的區(qū)域，采用2M大小的冗余單元代替。實(shí)施例三本實(shí)施例三提供的存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法及冗余替代方法大致與實(shí)施例一相同。區(qū)別在于不同于實(shí)施例一的以一個(gè)扇區(qū)的測(cè)試結(jié)果為單位進(jìn)行存儲(chǔ)，本實(shí)施例采用存儲(chǔ)器I的一行存儲(chǔ)單元(例如晶體管)為單位。存儲(chǔ)器仍采用實(shí)施例一的具有η個(gè)扇區(qū)(sector),每個(gè)扇區(qū)為1024bit,共128行，8列的存儲(chǔ)器1，冗余單元采用容量大小為8bit (Ibyte)的冗余單元，以I行存儲(chǔ)單元的測(cè)試結(jié)果(出錯(cuò)信息)為單位進(jìn)行存儲(chǔ)為例進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施例中，執(zhí)行步驟Sll :對(duì)存儲(chǔ)器I劃分區(qū)域，每個(gè)區(qū)域A的子單元數(shù)目與冗余單元2的子單元數(shù)目相等。具體地，如圖6所示，每行存儲(chǔ)單元?jiǎng)澐譃橐粋€(gè)區(qū)域A。執(zhí)行步驟S12 :對(duì)每個(gè)區(qū)域A的所有子單元進(jìn)行性能測(cè)試，若該區(qū)域A所有子單元性能全部合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入合格，若該區(qū)域A有一個(gè)或多個(gè)子單元性能不合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入不合格。上述的每個(gè)區(qū)域A對(duì)應(yīng)一行存儲(chǔ)單元?？梢岳斫獾氖牵鲜霾捎脤?duì)每行的所有子單元的測(cè)試結(jié)果為一位進(jìn)行保存的方案，相對(duì)于每行的所有子單元的測(cè)試結(jié)果均進(jìn)行保存的方案，可以降低測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)量，同時(shí)也使得固定容量的記錄單元能測(cè)試大容量的存儲(chǔ)器。
基于上述思路，本實(shí)施例提供的存儲(chǔ)器的冗余替代方法，包括對(duì)存儲(chǔ)器I進(jìn)行測(cè)試，采用上述方法進(jìn)行出錯(cuò)信息記錄；對(duì)于不合格的區(qū)域,采用8bit (lbyte)大小的冗余單元代替。實(shí)施例四本實(shí)施例四提供的存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法及冗余替代方法大致與實(shí)施例三相同。區(qū)別在于不同于實(shí)施例三以一行存儲(chǔ)單元的測(cè)試結(jié)果為單位進(jìn)行存儲(chǔ)，本實(shí)施例以幾行存儲(chǔ)單元為單位。存儲(chǔ)器仍采用實(shí)施例一的具有η個(gè)扇區(qū)(sector),每個(gè)扇區(qū)為1024bit,共128行，8列的存儲(chǔ)器1，冗余單元采用容量大小為16bit的冗余單元，以2行存儲(chǔ)單元的測(cè)試結(jié)果(出錯(cuò)信息)為單位進(jìn)行存儲(chǔ)為例進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施例中，執(zhí)行步驟Sll :對(duì)存儲(chǔ)器I劃分區(qū)域，每個(gè)區(qū)域A的子單元數(shù)目與冗余單元2的子單元數(shù)目相等。具體地，如圖7所示，將每相鄰兩行(其它實(shí)施例中不限于相鄰)的子單元?jiǎng)澐譃橐粋€(gè)區(qū)域A。執(zhí)行步驟S12 :對(duì)每個(gè)區(qū)域A的所有子單元進(jìn)行性能測(cè)試，若該區(qū)域A所有子單元性能全部合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入合格，若該區(qū)域A有一個(gè)或多個(gè)子單元性能不合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入不合格。上述的每個(gè)區(qū)域A對(duì)應(yīng)相鄰兩行子存儲(chǔ)單元。與實(shí)施例三相比，可以理解的是，上述采用對(duì)2行的所有子單元的測(cè)試結(jié)果為一位進(jìn)行保存的方案，可以降低一半存儲(chǔ)器I的測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)量，降低對(duì)出錯(cuò)信息寄存器3的容量要求，同時(shí)也使得固定容量的出錯(cuò)信息寄存器3能測(cè)試更大容量的存儲(chǔ)器?；谏鲜鏊悸?，本實(shí)施例提供的存儲(chǔ)器的冗余替代方法，包括對(duì)存儲(chǔ)器I進(jìn)行測(cè)試，采用上述方法進(jìn)行出錯(cuò)信息記錄；采用16bit大小的冗余單元代替不合格的區(qū)域。實(shí)施例五本實(shí)施例五提供的存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法及冗余替代方法大致與實(shí)施例一、三相同。區(qū)別在于不同于實(shí)施例一的以一個(gè)扇區(qū)的測(cè)試結(jié)果為單位進(jìn)行存儲(chǔ)、實(shí)施例三的以一行存儲(chǔ)單元的測(cè)試結(jié)果為單位進(jìn)行存儲(chǔ)，本實(shí)施例采用存儲(chǔ)器I的一列存儲(chǔ)單元為單位。存儲(chǔ)器仍采用實(shí)施例一的具有η個(gè)扇區(qū)(sector),每個(gè)扇區(qū)為1024bit,共128行，8列的存儲(chǔ)器1，冗余單元采用容量大小為128bit的冗余單元，以I列存儲(chǔ)單元的測(cè)試結(jié)果(出錯(cuò)信息)為單位進(jìn)行存儲(chǔ)為例進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施例中，執(zhí)行步驟Sll :對(duì)存儲(chǔ)器I劃分區(qū)域，每個(gè)區(qū)域A的子單元數(shù)目與冗余單元2的子單元數(shù)目相等。具體地，如圖8所示，每列存儲(chǔ)單元?jiǎng)澐譃橐粋€(gè)區(qū)域A。執(zhí)行步驟S12 :對(duì)每個(gè)區(qū)域A的所有子單元進(jìn)行性能測(cè)試，若該區(qū)域A所有子單元性能全部合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入合格，若該區(qū)域A有一個(gè)或多個(gè)子單元性能不合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入不合格。上述的每個(gè)區(qū)域A對(duì)應(yīng)一列存儲(chǔ)單元的子單元。可以理解的是，上述采用對(duì)每列的所有子單元的測(cè)試結(jié)果為一位進(jìn)行保存的方 案，相對(duì)于每列的所有子單元的測(cè)試結(jié)果均進(jìn)行保存的方案，可以降低測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)量，同時(shí)也使得固定容量的記錄單元能測(cè)試大容量的存儲(chǔ)器。基于上述思路，本實(shí)施例提供的存儲(chǔ)器的冗余替代方法，包括對(duì)存儲(chǔ)器I進(jìn)行測(cè)試，采用上述方法對(duì)出錯(cuò)信息進(jìn)行記錄；采用128bit大小的冗余單元代替不合格的區(qū)域。實(shí)施例六本實(shí)施例六提供的存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法及冗余替代方法大致與實(shí)施例五相同。區(qū)別在于不同于實(shí)施例五以一列存儲(chǔ)單元的測(cè)試結(jié)果為單位進(jìn)行存儲(chǔ)，本實(shí)施例以幾列存儲(chǔ)單元為單位。存儲(chǔ)器仍采用實(shí)施例一的具有η個(gè)扇區(qū)(sector),每個(gè)扇區(qū)為1024bit,共128行，8列的存儲(chǔ)器1，冗余單元采用容量大小為256bit的冗余單元，以2列存儲(chǔ)單元的測(cè)試結(jié)果(出錯(cuò)信息)為單位進(jìn)行存儲(chǔ)為例進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施例中，執(zhí)行步驟Sll :對(duì)存儲(chǔ)器I劃分區(qū)域，每個(gè)區(qū)域A的子單元數(shù)目與冗余單元2的子單元數(shù)目相等。具體地，如圖9所示，將兩相鄰列(其它實(shí)施例中不限于相鄰)的存儲(chǔ)單元?jiǎng)澐譃橐粋€(gè)區(qū)域A。執(zhí)行步驟S12 :對(duì)每個(gè)區(qū)域A的所有子單元進(jìn)行性能測(cè)試，若該區(qū)域A所有子單元性能全部合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入合格，若該區(qū)域A有一個(gè)或多個(gè)子單元性能不合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入不合格。上述的每個(gè)區(qū)域A對(duì)應(yīng)兩相鄰列存儲(chǔ)單元。與實(shí)施例五相比，可以理解的是，上述采用對(duì)2列的所有子單元的測(cè)試結(jié)果為一位進(jìn)行保存的方案，可以降低一半存儲(chǔ)器I的測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)量，降低對(duì)出錯(cuò)信息寄存器3的容量要求，同時(shí)也使得固定容量的出錯(cuò)信息寄存器3能測(cè)試更大容量的存儲(chǔ)器。基于上述思路，本實(shí)施例提供的存儲(chǔ)器的冗余替代方法，包括對(duì)存儲(chǔ)器I進(jìn)行測(cè)試，采用上述方法進(jìn)行出錯(cuò)信息記錄；對(duì)于不合格的區(qū)域，采用256bit大小的冗余單元代替。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法，其特征在于，包括 對(duì)存儲(chǔ)器劃分區(qū)域，每個(gè)所述區(qū)域的子單元數(shù)目與冗余單元的子單元數(shù)目相等； 對(duì)每個(gè)區(qū)域的所有子單元進(jìn)行性能測(cè)試，若該區(qū)域所有子單元性能全部合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入合格，若該區(qū)域有子單元性能不合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入不合格。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的出錯(cuò)信息記錄方法，其特征在于，所述冗余單元為扇區(qū)，所述子單元為字節(jié)或位。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的出錯(cuò)信息記錄方法，其特征在于，所述冗余單元為一個(gè)扇區(qū)或幾個(gè)扇區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的出錯(cuò)信息記錄方法，其特征在于，所述冗余單元為行或列，所述子單元為字節(jié)或位。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的出錯(cuò)信息記錄方法，其特征在于，所述冗余單元為一行或幾行。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的出錯(cuò)信息記錄方法，其特征在于，所述冗余單元為一列或幾列。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的出錯(cuò)信息記錄方法，其特征在于，所述出錯(cuò)信息記錄單元為出錯(cuò)信息寄存器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的出錯(cuò)信息記錄方法，其特征在于，所述性能測(cè)試包括可靠性測(cè)試。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的出錯(cuò)信息記錄方法，其特征在于，所述合格采用I記錄，所述不合格采用O記錄。
10.一種存儲(chǔ)器的冗余替代方法，其特征在于，包括 對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行測(cè)試，并采用上述權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法進(jìn)行出錯(cuò)信息記錄; 采用冗余單元代替不合格的區(qū)域。
全文摘要
一種存儲(chǔ)器的出錯(cuò)信息記錄方法及冗余替代方法，其中，出錯(cuò)信息記錄方法包括對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行區(qū)域劃分，且每個(gè)區(qū)域的子單元數(shù)目與冗余單元的子單元數(shù)目相等；對(duì)每個(gè)區(qū)域的所有子單元進(jìn)行性能測(cè)試，若該區(qū)域所有子單元性能全部合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入合格，若該區(qū)域有子單元性能不合格，則在出錯(cuò)信息記錄單元中存入不合格。換言之，本發(fā)明采用冗余單元為單位對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行記錄，利用了冗余技術(shù)中采用冗余單元對(duì)存儲(chǔ)器的包含該缺陷單元的多個(gè)單元整體進(jìn)行替換的特點(diǎn)，降低了測(cè)試結(jié)果的數(shù)據(jù)量，避免了存儲(chǔ)容量不足出現(xiàn)的溢出問(wèn)題，提高了存儲(chǔ)器的可靠性，同時(shí)本發(fā)明的技術(shù)方案使得固定容量的記錄單元能測(cè)試更大容量的存儲(chǔ)器。
文檔編號(hào)G11C29/24GK103021468SQ20121056417
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月21日
發(fā)明者吳瑋 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司