專利名稱：一種存儲(chǔ)器及其存儲(chǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片測(cè)試領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)器及其存儲(chǔ)方法。
背景技術(shù)：
相變存儲(chǔ)器測(cè)試是非易失性閃存存儲(chǔ)器測(cè)試的一項(xiàng)主要內(nèi)容。圖1是一獨(dú)立式相變存儲(chǔ)器8的結(jié)構(gòu)示意圖；其中片上程序區(qū)80是用只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read Only Memory)實(shí)現(xiàn)的，片上數(shù)據(jù)區(qū)82是用靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM, StaticRandom Access Memory)實(shí)現(xiàn)的；而存儲(chǔ)器陣列84則由相變存儲(chǔ)器(PCM, Phase-Change Memory)實(shí)現(xiàn)。微控制器內(nèi)核86訪問(wèn)片上程序區(qū)80、片上數(shù)據(jù)區(qū)82和片上寄存器區(qū)88，并通過(guò)片上寄存器區(qū)88的輸出來(lái)訪問(wèn)片上存儲(chǔ)器陣列84。事實(shí)上，片上程序區(qū)80通常選用ROM的原因是因?yàn)樵诜庋b和板級(jí)貼片的時(shí)候會(huì)在芯片上產(chǎn)生高溫，而相變材料不耐高溫，如果采用PCM的話，會(huì)使片上程序區(qū)80里的客戶應(yīng)用程序丟失。由于是只讀存儲(chǔ)器，一旦程序固化到用ROM做的片上程序區(qū)80中，片上程序區(qū)80里面的內(nèi)容在封裝后就固定了。這樣導(dǎo)致的直接結(jié)果是片上程序區(qū)80不靈活，固定的程序只能測(cè)試固定的功能。如果以后在客戶使用過(guò)程中發(fā)現(xiàn)了生產(chǎn)時(shí)沒(méi)有測(cè)試到的問(wèn)題，工廠就不能通過(guò)更改片上程序區(qū)80中的程序來(lái)測(cè)試新的問(wèn)題，必須重新設(shè)計(jì)和制造芯片，寫入新的測(cè)試程序來(lái)測(cè)試問(wèn)題。這必然會(huì)花費(fèi)額外的人力、物力、財(cái)力，極大的降低效率。另一方面，片上程序區(qū)80中有一部分寫了工廠的測(cè)試代碼，只有剩下的一部分是客戶可用的。這意味著客戶實(shí)際能用的片上程序區(qū)80的大小將小于實(shí)際的片上程序區(qū)80大小，客戶代碼密度降低。其它類型的存儲(chǔ)器也存在類似問(wèn)題。綜上所述，在集成電路應(yīng)用愈來(lái)愈廣泛的前景下，如何克服存儲(chǔ)器測(cè)試中存在的諸多問(wèn)題，以提高測(cè)試靈活性和客戶代碼密度等亟需解決。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)中缺乏測(cè)試靈活性以及客戶代碼密度低等缺陷，提出了一種存儲(chǔ)器及其存儲(chǔ)方法。本發(fā)明提出了一種存儲(chǔ)器，包含微控制器內(nèi)核，及為正常工作模式設(shè)置的片上程序區(qū)與片上數(shù)據(jù)區(qū)，所述微控制器內(nèi)核可訪問(wèn)所述片上程序區(qū)與片上數(shù)據(jù)區(qū)；所述存儲(chǔ)器進(jìn)一步包含片上程序區(qū)與片上數(shù)據(jù)區(qū)互換使能管腳，其提供所述片上程序區(qū)與片上數(shù)據(jù)區(qū)互換的使能信號(hào)；片上地址編碼器或地址仲裁器模塊，其接收所述使能信號(hào)并輸出訪問(wèn)所述片上程序區(qū)的程序區(qū)總線和訪問(wèn)所述片上數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)總線；第一選擇器，其具有一接收使能信號(hào)的選擇端、接收所述程序區(qū)總線的輸入端、接收所述數(shù)據(jù)區(qū)總線的輸入端，及連接至所述片上程序區(qū)的輸出端；及第二選擇器，其具有一接收使能信號(hào)的選擇端、接收所述程序區(qū)總線的輸入端、接收所述數(shù)據(jù)區(qū)總線的輸入端，及連接至所述片上數(shù)據(jù)區(qū)的輸出端。其中，當(dāng)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行測(cè)試時(shí)，所述使能管腳輸出所述使能信號(hào)，測(cè)試程序?qū)⒈幌螺d到互換后的片上程序區(qū)；否則所述使能管腳懸空。其中，輸出所述使能信號(hào)時(shí)，如果所述使能管腳內(nèi)部帶下拉，則所述使能管腳置高；如果所述使能管腳內(nèi)部帶上拉，則所述使能管腳置低。其中，如果所述存儲(chǔ)器是獨(dú)立式相變存儲(chǔ)器，則為所述正常工作模式設(shè)置的所述片上程序區(qū)為只讀存儲(chǔ)器，所述片上數(shù)據(jù)區(qū)為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器；如果所述存儲(chǔ)器是嵌入式相變存儲(chǔ)器，則為所述正常工作模式設(shè)置的所述片上程序區(qū)為相變存儲(chǔ)器，所述片上數(shù)據(jù)區(qū)為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器。其中，當(dāng)接收到所述使能信號(hào)后，所述片上地址編碼器或者地址仲裁器模塊將輸出的所述程序區(qū)總線中的地址與控制總線和數(shù)據(jù)區(qū)總線中的地址與控制總線互換。本發(fā)明還提出了一種存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)方法，包含驅(qū)動(dòng)所述使能管腳以產(chǎn)生所述使能信號(hào)；及將測(cè)試程序?qū)⒈幌螺d到互換后的片上程序區(qū)。其中，非測(cè)試時(shí)所述使能管腳懸空。其中，為產(chǎn)生所述使能信號(hào)，如果所述使能管腳內(nèi)部帶下拉，將所述使能管腳置高；如果所述使能管腳內(nèi)部帶上拉，將所述使能管腳置低。其中，如果所述存儲(chǔ)器是獨(dú)立式相變存儲(chǔ)器，則為所述正常工作模式設(shè)置的所述片上程序區(qū)為只讀存儲(chǔ)器，所述片上數(shù)據(jù)區(qū)為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器；如果所述存儲(chǔ)器是嵌入式相變存儲(chǔ)器，則為所述正常工作模式設(shè)置的所述片上程序區(qū)為相變存儲(chǔ)器，所述片上數(shù)據(jù)區(qū)為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器。其中，當(dāng)接收到所述使能信號(hào)后，所述片上地址編碼器或者地址仲裁器模塊將輸出的所述程序區(qū)總線中的地址與控制總線和數(shù)據(jù)區(qū)總線中的地址與控制總線互換。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)方法在需要時(shí)，如測(cè)試時(shí)可將片上程序區(qū)與數(shù)據(jù)區(qū)互換，從而可將測(cè)試程序下載至SRAM。避免了片上程序區(qū)使用ROM或PCM的缺點(diǎn)。從而具有測(cè)試靈活、客戶代碼密度高，不懼高溫等諸多優(yōu)點(diǎn)，提供了存儲(chǔ)器的質(zhì)量和穩(wěn)定性。


圖1是一獨(dú)立式相變存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施的存儲(chǔ)器的總線分配結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的存儲(chǔ)器的測(cè)試和應(yīng)用流程圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的嵌入式相變存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式結(jié)合以下具體實(shí)施例和附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施本發(fā)明的過(guò)程、條件、實(shí)驗(yàn)方法等，除以下專門提及的內(nèi)容之外，均為本領(lǐng)域的普遍知識(shí)和公知常識(shí)，本發(fā)明沒(méi)有特別限制內(nèi)容。
在芯片，如存儲(chǔ)器大規(guī)模測(cè)試驗(yàn)證階段，測(cè)試工廠會(huì)把某些大量測(cè)試代碼下載到芯片的片上程序區(qū)里，由芯片內(nèi)核執(zhí)行測(cè)試代碼，經(jīng)寄存器輸出而直接訪問(wèn)存儲(chǔ)器陣列，而實(shí)現(xiàn)測(cè)試的目的。主要的測(cè)試內(nèi)容包括讀操作窗口冗余檢測(cè)(Read Window Budget),相變存儲(chǔ)器區(qū)老化測(cè)試，及數(shù)據(jù)保持性測(cè)試(data retention)等。現(xiàn)有的片上程序區(qū)在材料選擇上多為ROM或PCM，然這兩種配置皆不盡人意。就采用ROM的片上程序區(qū)而言，其只讀存儲(chǔ)的特點(diǎn)導(dǎo)致片上程序區(qū)不靈活且客戶代碼密度低；而就采用PCM的片上程序區(qū)而言，由于相變材料不耐高溫，在封裝和板級(jí)貼片時(shí)候產(chǎn)生的高溫可能造成片上程序區(qū)里的客戶應(yīng)用程序丟失。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的存儲(chǔ)器及其存儲(chǔ)方法通過(guò)在需要時(shí)，如測(cè)試時(shí)對(duì)片上程序區(qū)和片上數(shù)據(jù)區(qū)的配置區(qū)域進(jìn)行互換，可解決上述問(wèn)題。 圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的存儲(chǔ)器200的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，該存儲(chǔ)器200包含微控制器內(nèi)核20、片上程序區(qū)22、片上數(shù)據(jù)區(qū)24、片上寄存器區(qū)26，及片上存儲(chǔ)器陣列28。正常工作模式時(shí)，該片上程序區(qū)22由ROM實(shí)現(xiàn)，片上數(shù)據(jù)區(qū)24由SRAM實(shí)現(xiàn)；而存儲(chǔ)器陣列28則由PCM實(shí)現(xiàn)。微控制器內(nèi)核20可訪問(wèn)片上程序區(qū)22、片上數(shù)據(jù)區(qū)24和片上寄存器區(qū)26，并通過(guò)片上寄存器區(qū)26的輸出來(lái)訪問(wèn)片上存儲(chǔ)器陣列28。該存儲(chǔ)器200進(jìn)一步包含一個(gè)帶上拉或者下拉的使能管腳29，用來(lái)提供片上程序區(qū)22和片上數(shù)據(jù)區(qū)24互換的使能信號(hào)。在非測(cè)試的使用期間，該管腳29懸空，不加載任何驅(qū)動(dòng)，SRAM作為片上數(shù)據(jù)區(qū)24，ROM做片上程序區(qū)22正常使用。而在工廠測(cè)試的時(shí)候?qū)⒃摴苣_置高(管腳內(nèi)部帶下拉)或?qū)⒃摴苣_置低(管腳內(nèi)部帶上拉)，使原來(lái)的片上程序區(qū)22由ROM轉(zhuǎn)成片上數(shù)據(jù)區(qū)24的SRAM，原來(lái)的片上數(shù)據(jù)區(qū)24由SRAM轉(zhuǎn)成片上程序區(qū)22的ROM。S卩，正常的ROM片上程序區(qū)22轉(zhuǎn)為測(cè)試時(shí)的SRAM片上程序區(qū)23，正常的SRAM片上數(shù)據(jù)區(qū)24轉(zhuǎn)為測(cè)試時(shí)的ROM片上數(shù)據(jù)區(qū)25。如此，工廠測(cè)試時(shí)即可在SRAM的程序區(qū)寫測(cè)試程序供測(cè)試相變存儲(chǔ)陣列28使用。圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施的存儲(chǔ)器的總線分配結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，為互換片上R0M30和片上SRAM 32的用途，微控制器內(nèi)核20通過(guò)地址編碼器或者地址仲裁器34輸出不同的數(shù)據(jù)、地址和控制總線來(lái)分別訪問(wèn)片上程序區(qū)22、片上數(shù)據(jù)區(qū)24與片上寄存器區(qū)26。兩個(gè)選擇器(MUX) 36、38，如兩路選擇器分別連到ROM 30和SRAM 32上。每一選擇器36、38具有一第一輸入S0、第二輸入SI,及一選擇端sel。用于訪問(wèn)片上程序區(qū)22的程序區(qū)總線(包含數(shù)據(jù)、地址和控制總線)和用于訪問(wèn)片上數(shù)據(jù)區(qū)24的數(shù)據(jù)區(qū)總線(包含數(shù)據(jù)、地址和控制總線)均提供至該兩選擇器36、38，分別連接至第一輸入SO及第二輸入SI。而片上程序區(qū)22與片上數(shù)據(jù)區(qū)24互換使能管腳29的輸出則提供至各選擇器36、38的選擇端sel，以選擇用程序區(qū)總線還是數(shù)據(jù)區(qū)總線來(lái)訪問(wèn)ROM 30及SRAM 32。該互換使能管腳29的輸出也連至地址編碼器或者地址仲裁器34，當(dāng)該管腳29懸空無(wú)驅(qū)動(dòng)時(shí)，地址編碼器或者地址仲裁器34正常輸出訪問(wèn)片上程序區(qū)22、片上數(shù)據(jù)區(qū)24和片上寄存器區(qū)26的總線，當(dāng)該管腳29被置低(管腳內(nèi)部上拉)或置高(管腳內(nèi)部下拉)時(shí)，地址編碼器或者地址仲裁器34會(huì)根據(jù)R0M30和SRAM 32容量的大小重新輸出訪問(wèn)片上程序區(qū)22和片上數(shù)據(jù)區(qū)24的總線。例如，對(duì)于32位的微控制器內(nèi)核20，原來(lái)片上數(shù)據(jù)區(qū)(SRAM) 24大小為8KB，片上程序區(qū)(ROM) 22大小為32KB，則訪問(wèn)片上數(shù)據(jù)區(qū)總線上的地址總線為11位，訪問(wèn)片上程序區(qū)總線上的地址總線為13位。當(dāng)互換發(fā)生后，訪問(wèn)片上數(shù)據(jù)區(qū)總線上的地址總線變?yōu)?3位，訪問(wèn)片上程序區(qū)總線上的地址總線變?yōu)?1位。而且由于ROM是只讀的，SRAM可讀可寫，原來(lái)訪問(wèn)片上程序區(qū)和片上數(shù)據(jù)區(qū)總線中的控制總線也要互換。在工廠測(cè)試的時(shí)候，可以通過(guò)將片上程序區(qū)22和片上數(shù)據(jù)區(qū)24互換使能管腳29置高(管腳內(nèi)部帶下拉)或置低(管腳內(nèi)部帶上拉)選擇將訪問(wèn)片上程序區(qū)22的數(shù)據(jù)、地址和控制總線連到SRAM 32上，這樣就可以寫測(cè)試代碼到SRAM 32中對(duì)相變存儲(chǔ)陣列28進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證；而訪問(wèn)片上數(shù)據(jù)區(qū)24的數(shù)據(jù)、地址和控制總線連到ROM 30上。在客戶正常使用的時(shí)候，將該片上程序區(qū)22和片上數(shù)據(jù)區(qū)24互換使能管腳29懸空無(wú)驅(qū)動(dòng)，訪問(wèn)片上數(shù)據(jù)區(qū)24的數(shù)據(jù)、地址和控制總線連到SRAM 32上，訪問(wèn)片上程序區(qū)22的數(shù)據(jù)、地址和控制總線連到ROM 30上；即可恢復(fù)正常的使用模式。圖4是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的存儲(chǔ)器200的測(cè)試和應(yīng)用流程圖。在步驟41，當(dāng)芯片需要測(cè)試時(shí)，那么將片上程序區(qū)22和片上數(shù)據(jù)區(qū)24互換使能管腳29置高(管腳內(nèi)部帶 下拉)或者置低(管腳內(nèi)部帶上拉)。系統(tǒng)觀察到該管腳29輸出置高(管腳內(nèi)部帶下拉)或者置低(管腳內(nèi)部帶上拉)，表明現(xiàn)在處于測(cè)試狀態(tài)，則在步驟42連在SRAM 32上的總線被選擇器(MUX) 38選擇成訪問(wèn)片上程序區(qū)22的數(shù)據(jù)、地址和控制總線，連在ROM 30上的總線被選擇器(MUX) 36選成訪問(wèn)片上數(shù)據(jù)區(qū)24的數(shù)據(jù)、地址和控制總線。S卩，ROM 30用作片上數(shù)據(jù)區(qū)23，而SRAM32用作片上程序區(qū)22。如此，在步驟43中，測(cè)試程序員即可編寫程序并下載到片上程序區(qū)22中，測(cè)試芯片的存儲(chǔ)器陣列28。測(cè)試完成在步驟44將片上程序區(qū)22和片上數(shù)據(jù)區(qū)24互換使能管腳29懸空，使芯片處于正常使用狀態(tài)方可交付客戶。因而，在客戶正常使用階段，在步驟45連在SRAM 32上的總線被選擇器(MUX) 38選擇成默認(rèn)的訪問(wèn)片上數(shù)據(jù)區(qū)24的數(shù)據(jù)、地址控制總線，連在ROM 30上的總線被選擇器(MUX) 36選成默認(rèn)訪問(wèn)片上程序區(qū)22的數(shù)據(jù)、地址和控制總線。如此在步驟46，客戶即可正常使用此芯片。由于交付客戶之前，可能進(jìn)行多次測(cè)試，每次測(cè)試完成未必會(huì)將使能管腳29懸空，故圖中步驟43、44之間未直接連接,這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)。除上述的獨(dú)立相變存儲(chǔ)器，本發(fā)明還適用于其它的存儲(chǔ)器，如嵌入式的相變存儲(chǔ)器。與獨(dú)立式相變存儲(chǔ)器200測(cè)試芯片的存儲(chǔ)器陣列28不同，嵌入式相變存儲(chǔ)器測(cè)試的是片上程序區(qū)。圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的嵌入式相變存儲(chǔ)器300的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，該存儲(chǔ)器300包含微控制器內(nèi)核50、片上程序區(qū)52、片上數(shù)據(jù)區(qū)54，及片上寄存器區(qū)56 ;正常工作模式時(shí)，該片上程序區(qū)52由PCM實(shí)現(xiàn)，片上數(shù)據(jù)區(qū)54由SRAM實(shí)現(xiàn)。微控制器內(nèi)核50可訪問(wèn)片上程序區(qū)52、片上數(shù)據(jù)區(qū)54和片上寄存器區(qū)56。同樣，該相變存儲(chǔ)器300進(jìn)一步包含一個(gè)帶內(nèi)部上拉或者下拉的片上程序區(qū)52和片上數(shù)據(jù)區(qū)54互換的使能管腳59。在需要測(cè)試的時(shí)候，將該管腳59置高(管腳內(nèi)部帶下拉)或置低(管腳內(nèi)部帶上拉)，則SRAM作為互換后的片上程序區(qū)53使用，PCM做互換后的片上數(shù)據(jù)區(qū)55使用，這樣就可以在SRAM的片上程序區(qū)53寫測(cè)試程序作為測(cè)試PCM (相變存儲(chǔ)陣列)使用。而且可避免PCM作為片上程序區(qū)52在封裝、貼片等過(guò)程中所受的高溫。在嵌入式相變存儲(chǔ)器300做片上程序區(qū)52和片上數(shù)據(jù)區(qū)54互換的時(shí)候，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和獨(dú)立式相變存儲(chǔ)器200的片上程序區(qū)22和片上數(shù)據(jù)區(qū)24互換的結(jié)構(gòu)示意圖是一樣的，所不同的只是對(duì)應(yīng)片上程序區(qū)的ROM變成PCM。本發(fā)明的保護(hù)內(nèi)容不局限于以上實(shí)施例。在不背離發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍下，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠想到的變化和優(yōu)點(diǎn)都被包括在本發(fā)明中，并且以所附的權(quán)利要求書為保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，包含微控制器內(nèi)核，及為正常工作模式設(shè)置的片上程序區(qū)與片上數(shù)據(jù)區(qū)，所述微控制器內(nèi)核可訪問(wèn)所述片上程序區(qū)與片上數(shù)據(jù)區(qū)；所述存儲(chǔ)器進(jìn)一步包含 片上程序區(qū)與片上數(shù)據(jù)區(qū)互換使能管腳，其提供所述片上程序區(qū)與片上數(shù)據(jù)區(qū)互換的使能信號(hào)； 片上地址編碼器或地址仲裁器模塊，其接收所述使能信號(hào)并輸出訪問(wèn)所述片上程序區(qū)的程序區(qū)總線和訪問(wèn)所述片上數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)總線； 第一選擇器，其具有一接收使能信號(hào)的選擇端、接收所述程序區(qū)總線的輸入端、接收所述數(shù)據(jù)區(qū)總線的輸入端，及連接至所述片上程序區(qū)的輸出端；及 第二選擇器，其具有一接收使能信號(hào)的選擇端、接收所述程序區(qū)總線的輸入端、接收所述數(shù)據(jù)區(qū)總線的輸入端，及連接至所述片上數(shù)據(jù)區(qū)的輸出端。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，當(dāng)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行測(cè)試時(shí)，所述使能管腳輸出所述使能信號(hào)，測(cè)試程序?qū)⒈幌螺d到互換后的片上程序區(qū)；否則所述使能管腳懸空。
3.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，輸出所述使能信號(hào)時(shí)，如果所述使能管腳內(nèi)部帶下拉，則所述使能管腳置高；如果所述使能管腳內(nèi)部帶上拉，則所述使能管腳置低。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，如果所述存儲(chǔ)器是獨(dú)立式相變存儲(chǔ)器，則為所述正常工作模式設(shè)置的所述片上程序區(qū)為只讀存儲(chǔ)器，所述片上數(shù)據(jù)區(qū)為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器；如果所述存儲(chǔ)器是嵌入式相變存儲(chǔ)器，則為所述正常工作模式設(shè)置的所述片上程序區(qū)為相變存儲(chǔ)器，所述片上數(shù)據(jù)區(qū)為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，當(dāng)接收到所述使能信號(hào)后，所述片上地址編碼器或者地址仲裁器模塊將輸出的所述程序區(qū)總線中的地址與控制總線和數(shù)據(jù)區(qū)總線中的地址與控制總線互換。
6.—種存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)方法,其特征在于,包含 驅(qū)動(dòng)所述使能管腳以產(chǎn)生所述使能信號(hào)；及 將測(cè)試程序?qū)⒈幌螺d到互換后的片上程序區(qū)。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)方法，其特征在于，非測(cè)試時(shí)所述使能管腳懸空。
8.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)方法，其特征在于，為產(chǎn)生所述使能信號(hào)，如果所述使能管腳內(nèi)部帶下拉，將所述使能管腳置高；如果所述使能管腳內(nèi)部帶上拉，將所述使能管腳置低。
9.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)方法，其特征在于，如果所述存儲(chǔ)器是獨(dú)立式相變存儲(chǔ)器，則為所述正常工作模式設(shè)置的所述片上程序區(qū)為只讀存儲(chǔ)器，所述片上數(shù)據(jù)區(qū)為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器；如果所述存儲(chǔ)器是嵌入式相變存儲(chǔ)器，則為所述正常工作模式設(shè)置的所述片上程序區(qū)為相變存儲(chǔ)器，所述片上數(shù)據(jù)區(qū)為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器。
10.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)方法，其特征在于，當(dāng)接收到所述使能信號(hào)后，所述片上地址編碼器或者地址仲裁器模塊將輸出的所述程序區(qū)總線中的地址與控制總線和數(shù)據(jù)區(qū)總線中的地址與控制總線互換。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)器，包括為正常工作模式設(shè)置的片上程序區(qū)與片上數(shù)據(jù)區(qū)；片上程序區(qū)與片上數(shù)據(jù)區(qū)互換使能管腳，提供片上程序區(qū)與片上數(shù)據(jù)區(qū)互換的使能信號(hào)；片上地址編碼器或地址仲裁器模塊，接收使能信號(hào)并輸出訪問(wèn)片上程序區(qū)的程序區(qū)總線和訪問(wèn)片上數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)總線；第一選擇器，具有一接收使能信號(hào)的選擇端、接收程序區(qū)總線的輸入端、接收數(shù)據(jù)區(qū)總線的輸入端，及連接至該片上程序區(qū)的輸出端；及第二選擇器，具有一接收使能信號(hào)的選擇端、接收程序區(qū)總線的輸入端、接收數(shù)據(jù)區(qū)總線的輸入端，及連接至該片上數(shù)據(jù)區(qū)的輸出端。本發(fā)明具有測(cè)試靈活、客戶代碼密度高等諸多優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明還公開了一種存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)方法。
文檔編號(hào)G11C29/56GK103021471SQ20121056825
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月24日
發(fā)明者景蔚亮 申請(qǐng)人:上海新儲(chǔ)集成電路有限公司