專利名稱：基板的制造方法、磁盤用玻璃基板的制造方法及磁盤的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板的制造方法。特別是涉及基板的鏡面拋光，作為對(duì)象的基板除搭載于硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)等磁盤裝置上的磁盤用基板以外，還包括光掩?；?、半導(dǎo)體基板、顯示器用基板等。
背景技術(shù)：
近年來，半導(dǎo)體、顯示器、磁記錄介質(zhì)等的高精度化顯著，其中，例如，對(duì)作為支撐高信息化社會(huì)的信息記錄裝置之一的磁盤裝置(HDD)中所用的磁記錄介質(zhì)(磁盤)，要求記錄密度的進(jìn)一步提高和低噪音。為了滿足這一要求，在磁記錄介質(zhì)的制造工序中，需要極高的清潔性和平滑性。作為電腦等信息處理裝置的外部存儲(chǔ)裝置，多使用磁盤裝置(硬盤驅(qū)動(dòng)器)。該磁盤裝置中所使用的磁記錄介質(zhì)一般是在非磁性基板上依次設(shè)有非磁性金屬基底層，由強(qiáng)磁性合金構(gòu)成的薄膜磁性層、保護(hù)層、潤(rùn)滑層而構(gòu)成的。非磁性基板通常可使用:通過無電解鍍敷法在由鋁合金或者玻璃材料構(gòu)成的盤狀基材上形成NiP層且對(duì)其表面實(shí)施鏡面加工而形成的具有平滑性極高的表面的基板或玻璃基板、其它的陶瓷等。以往一直使用鋁基板作為磁盤用基板。但是，最近，響應(yīng)高記錄密度化的追求，與鋁基板相比可進(jìn)一步縮小磁頭和磁盤間間隔的玻璃基板的使用比率逐漸增高。另外，為了能夠極大地降低磁頭的浮起高度，采取對(duì)玻璃基板表面進(jìn)行高精度拋光以實(shí)現(xiàn)高記錄密度化。近年來，不僅對(duì)HDD的更高記錄容量化、低價(jià)格化的要求增加，而且，為了實(shí)現(xiàn)這些要求,對(duì)磁盤用玻璃基板也逐 漸需要更高質(zhì)量化及低成本化。如上所述，為了實(shí)現(xiàn)高記錄密度化所必須的低浮起高度(浮起量)，磁盤表面的高平滑性是必要而不可或缺的。為了得到磁盤表面的高平滑性，結(jié)果要求高平滑性的基板表面，因此，需要對(duì)玻璃基板表面進(jìn)行高精度的拋光。對(duì)于基板表面的拋光，采用以氨基甲酸酯等為材料的拋光墊夾持基板并在它們之間供給含有拋光磨粒的漿料來進(jìn)行。拋光磨粒介于拋光墊和基板之間，微弱地把持在拋光墊上并與基板接觸，除去(拋光)基板表面層，拋光磨粒從拋光墊中脫離并排出?；宓谋砻娲植诙?精加工表面粗糙度)可通過拋光磨粒的大小來控制。然后，為了除去附著于基板表面的磨粒，進(jìn)行刷洗等清洗工序。但是，近年來，磨粒微小化至粒徑數(shù)+nm，除去磨粒而使表面清潔成為大的課題。因此，為了解決該課題，也提出了在拋光后進(jìn)行氟硅酸處理的方法(專利文獻(xiàn)I)或降低加工壓力且施加不含磨粒的清洗工序的方法(專利文獻(xiàn)2)等。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開2003-36522號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開2006-95676號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題但是，在進(jìn)行上述專利文獻(xiàn)I中公開的利用氟硅酸等處理基板表面時(shí)，存在表面變粗糙的弊端，也導(dǎo)致制造成本上升。另外，在進(jìn)行上述專利文獻(xiàn)2中公開的拋光后供給純水等不含磨粒的清洗液時(shí)，在直至成為穩(wěn)定狀態(tài)之前的期間，漿料中的磨粒濃度急劇變化而成為不穩(wěn)定的狀態(tài)。例如在拋光后更換成不含磨粒的清洗液時(shí)，一般認(rèn)為存在如下不良情況:在拋光平板上混合存在高磨粒濃度的部分和不含磨粒的部分這兩者，導(dǎo)致磨粒濃度不均勻、拋光品質(zhì)及品質(zhì)偏差惡化等，拋光穩(wěn)定性降低。予以說明，在拋光液和清洗液中所含的物質(zhì)不同的情況下也會(huì)產(chǎn)生同樣的問題。另外，作用于基板的磨粒濃度急劇發(fā)生變化時(shí)，伴隨表面粗糙度發(fā)生變化，拋光墊中所含的拋光碎渣及凝集的漿料直接與基板接觸，由此引起劃痕。另外，為了達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，需要長(zhǎng)時(shí)間的沖洗。本發(fā)明正是為了解決這樣的以往的課題而完成的，其目的在于提供一種基板的制造方法、磁盤用玻璃基板的制造方法以及利用由該基板制造方法得到的基板的磁盤的制造方法，所述基板的制造方法可以通過簡(jiǎn)便的方法、以低成本制造高品質(zhì)的基板，所述高品質(zhì)基板的清潔度高、缺陷少、且優(yōu)選用作對(duì)基板表面品質(zhì)的要求比以往更嚴(yán)格的新一代的磁盤用基板。用于解決課題的手段本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，作為解決上述課題的手段，優(yōu)選在拋光工序(處理)后進(jìn)行分別使加工壓力、漿料中的磨粒濃度及漿料供給量最佳化的清洗工序(處理)。拋光加工時(shí)使用的磨粒濃度的漿料在拋光加工后仍然處于與基板表面接觸的狀態(tài)時(shí)，隨著時(shí)間經(jīng)過，磨粒變 得難以除去。特別是在用含有膠體二氧化硅磨粒的漿料對(duì)玻璃基板進(jìn)行拋光的情況下，由于含有相同成分(SiO2),附著力容易增強(qiáng)，磨粒更難以除去。因此，必須迅速降低基板表面的磨粒濃度。但是，由于磨粒也具有因滾動(dòng)作用而產(chǎn)生的潤(rùn)滑作用，因此，急劇的磨粒濃度減少容易使拋光墊與基板之間的摩擦增加而導(dǎo)致劃痕這樣的缺陷。在此發(fā)現(xiàn)，通過在拋光加工后控制介于拋光墊與基板之間的磨粒濃度，使其具有潤(rùn)滑作用的同時(shí)減少磨粒濃度，可以兼具清潔性和低缺陷。即，可以在不增加劃痕等缺陷的情況下迅速地除去在拋光工序時(shí)附著于基板表面的殘留的磨粒。得到如下見解:適量的磨粒的存在可以通過供給漿料中的磨粒濃度、加工壓力和漿料供給量來控制。另外，在本發(fā)明中，供給到拋光平板上配備的上述拋光墊和基板之間的漿料的供給量通過向平板的漿料供給量來設(shè)定，具體地，按供給到每單位面積拋光平板的漿料流量(用向拋光平板的漿料供給總量除以拋光平板的面積得到的值)計(jì)算。以下，將供給到每單位面積拋光平板的漿料流量簡(jiǎn)稱為“向平板的漿料供給量”。即，通過分別最佳地調(diào)節(jié)在拋光工序(處理)后實(shí)施的清洗工序(處理)中的漿料中的磨粒濃度、加工壓力及向平板的漿料供給量，可以兼具基板表面的清潔性和低缺陷。本發(fā)明是基于以上闡明的事實(shí)并進(jìn)一步深入研究而完成的，具有以下的方案。(方案I)
一種基板的制造方法，其特征在于，包括:使用含有拋光磨粒的漿料和配備有一對(duì)拋光墊的平板，將所述漿料供給于所述拋光墊和基板之間，同時(shí)用所述一對(duì)拋光墊夾持所述基板的主表面來進(jìn)行拋光的拋光處理；和在該拋光處理后實(shí)施、且在下述條件下對(duì)基板的主表面進(jìn)行處理的清洗處理:力口工壓力為2kPa 6kPa、且漿料中的磨粒濃度超過O (零)且在5重量％以下、且供給到每單位面積平板的漿料流量為0.25ml/分鐘/cm2 5ml/分鐘/cm2。(方案2)根據(jù)方案I所述的基板的制造方法，其特征在于，所述清洗處理時(shí)的加工壓力為所述拋光處理時(shí)的加工壓力的60%以下。(方案3)根據(jù)方案I或2所述的基板的制造方法，其特征在于，使用膠體二氧化硅作為所述拋光磨粒，進(jìn)行所述拋光處理和所述清洗處理，使所述清洗處理后的基板主表面粗糙度按Ra計(jì)為0.2nm以下。(方案4)根據(jù)方案I 3任一項(xiàng)所述的基板的制造方法，其特征在于，所述基板的制造方法還包括基板的化學(xué)強(qiáng)化處理，在該化學(xué)強(qiáng)化處理后進(jìn)行所述拋光處理和所述清洗處理。(方案5)根據(jù)方案I 4任一項(xiàng)所述的基板的制造方法，其特征在于，所述拋光處理中的漿料中的磨粒濃度至少比所述清洗處理時(shí)高，為40重量％以下。(方案6)根據(jù)方案I 5任一項(xiàng)所述的基板的制造方法，其特征在于，所述基板為磁盤用玻
璃基板。(方案7)根據(jù)方案6所述的基板的制造方法，其特征在于，所述磁盤用玻璃基板由可化學(xué)強(qiáng)化的無定形的鋁硅酸鹽玻璃構(gòu)成。(方案8)根據(jù)方案I 5任一項(xiàng)所述的基板的制造方法，其特征在于，所述基板為鍍NiP基板。(方案9)一種磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括:使用具有配備有一對(duì)拋光墊的平板的拋光裝置，將含有拋光磨粒的漿料供給于所述拋光墊和玻璃基板之間，同時(shí)用所述一對(duì)拋光墊夾持所述玻璃基板的主表面來進(jìn)行拋光的拋光處理，和在該拋光處理后，使用所述拋光裝置，將含有濃度比所述拋光處理時(shí)的漿料低的拋光磨粒的漿料供給于所述拋光墊和所述玻璃基板之間，同時(shí)用所述一對(duì)拋光墊夾持所述玻璃基板的主表面進(jìn)行滑動(dòng)，由此除去附著于所述玻璃基板主表面的所述拋光磨粒的清洗處理；所述清洗處理中的加工壓力為所述拋光處理中的加工壓力的60%以下，
所述清洗處理時(shí)的漿料中的拋光磨粒的濃度為所述拋光處理時(shí)的漿料中的拋光磨粒的濃度的一半以下。(方案10)根據(jù)方案9所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述清洗處理時(shí)的每單位面積平板的漿料供給量為所述拋光處理時(shí)的每單位面積平板的漿料供給量的5倍以上。(方案11)一種磁盤的制造方法，其特征在于，在通過方案I 8任一項(xiàng)所述的制造方法得到的基板上或通過方案9或10所述的制造方法得到的磁盤用玻璃基板上至少形成磁性層。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可以通過簡(jiǎn)單的方法，以低成本制造清潔度高、缺陷少的高品質(zhì)的基板。通過本發(fā)明得到的基板特別是可優(yōu)選用作對(duì)基板表面品質(zhì)的要求比以往更加嚴(yán)格的新一代的磁盤用基板。另外，利用通過本發(fā)明得到的玻璃基板，即使在與裝載了 Dra功能的設(shè)計(jì)為極低浮起量的磁頭相組合的情況下，也能獲得可長(zhǎng)期穩(wěn)定操作的可靠性高的磁盤。


圖1是表示雙面拋光裝置的概略構(gòu)成的縱向剖面圖；圖2是表示在本發(fā)明的清洗工序中改變向平板的漿料供給量和加工壓力時(shí)磨粒濃度比和顆粒數(shù)之間的關(guān)系的圖；圖3是表示在本發(fā)明的清洗工序中改變向平板的漿料供給量和加工壓力時(shí)磨粒濃度比和劃痕產(chǎn)生率之間的關(guān)系的圖。
具體實(shí)施例方式下面，詳述本發(fā)明的實(shí)施方式。對(duì)于本發(fā)明所采用的基板，可舉出對(duì)鋁實(shí)施了鍍NiP的鋁基板、及無定形或者結(jié)晶化的玻璃基板、氧化鋁等陶瓷基板、硅基板等，沒有特殊限制。在此，作為代表例，對(duì)玻璃基板進(jìn)行說明。磁盤用玻璃基板通常經(jīng)由粗磨工序(粗磨削工序)、形狀加工工序、精磨工序(精磨削工序)、端面拋光工序、主表面拋光工序(第一拋光工序、第二拋光工序)、化學(xué)強(qiáng)化工序等來制造。在該磁盤用玻璃基板的制造中，首先，通過直接壓制，由熔融玻璃成型為圓盤狀的玻璃基板(玻璃盤)。予以說明，除了這樣的直接壓制法以外，也可以將通過下拉法或浮法制造的板狀玻璃切割成規(guī)定大小來獲得玻璃基板(玻璃盤)。接著，對(duì)該成型的玻璃基板(玻璃盤)進(jìn)行用于提高尺寸精度及形狀精度的磨削(lapping)。該磨削工序通常使用雙面磨削裝置，使用金剛石等硬質(zhì)磨粒，進(jìn)行玻璃基板主表面的磨削。通過這樣磨削玻璃基板主表面，可加工成規(guī)定的板厚、平坦度，并獲得規(guī)定的表面粗糙度。予以說明，該工序也可以通過以碳化硅、氧化 鋁等游離磨粒為漿料的磨削來進(jìn)行。此時(shí)的精加工表面粗糙度由用于加工的磨粒大小來確定。若考慮加工速度及后續(xù)工序中的拋光的負(fù)擔(dān)，則使用平均磨粒粒徑為I 10 μ m左右的磨粒，一般Ra為0.1ym 0.5 μπι左右。
表面為毛玻璃狀態(tài)且較厚地存在裂紋等加工變質(zhì)層。因此，隨后進(jìn)行用于除去該加工變質(zhì)層以鏡面化的拋光加工。利用游離磨粒的拋光加工通過磨粒的大小來決定精加工表面粗糙度，加工速度也受到影響。即，若使用較大的磨粒進(jìn)行加工，則加工速度大，但精加工表面粗糙度也大，若使用較小的磨粒進(jìn)行拋光，則加工速度小，但精加工表面粗糙度也會(huì)減小。另外，也根據(jù)磨粒材質(zhì)的不同而不同，氧化鈰的加工速度大，但精加工表面粗糙度也大，在使用膠體二氧化硅的情況下，其加工速度比氧化鈰小，但精加工表面粗糙度也變小。但除這些以外也可以使用金剛石等，磨粒材質(zhì)不受限定。在磨削后的拋光中，為了鏡面化及除去加工變質(zhì)層，必須除去數(shù)微米，因此可以采用如下方法:利用氧化鈰漿料等加工速度大的漿料進(jìn)行第一拋光，隨后使用用于減小精加工表面粗糙度的膠體二氧化硅等的漿料進(jìn)行第二拋光。拋光通過使用雙面拋光機(jī)，將拋光墊粘貼于上下平板之間并在它們之間流過規(guī)定的漿料來進(jìn)行。在第一拋光的情況下，漿料可使用具有0.5μπι的粒徑的氧化鈰磨粒等。拋光墊可使用硬質(zhì)的氨基甲酸酯等。加工壓力為50gf/cm2 150gf/cm2，優(yōu)選為80 120gf/cm2左右。這樣拋光的基板表面的粗糙度Ra為0.4 Inm左右。作為用于第一拋光的市售的磨粒，例如有三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社的MIREK系列等,可用純水稀釋后使用。

在第二拋光工序中可使用以膠體二氧化硅為主體的漿料，可使用平均粒徑為0.005 0.5 μ m左右的膠體二氧化硅。但是，并不限定于膠體二氧化硅，也可以使用金剛石
或氧化鋯等。進(jìn)而，有時(shí)在之后還具有用于調(diào)整至規(guī)定的基板表面粗糙度的第三拋光工序。用于拋光加工的漿料(拋光液)基本上為拋光材料和作為溶劑的水的組合物，可以進(jìn)一步根據(jù)需要含有用于調(diào)整漿料PH的pH調(diào)節(jié)劑和/或其它添加劑。為了配制含有二氧化硅磨粒等的漿料，可以使用純水例如RO水制成漿料。在此所謂的RO水是指經(jīng)過RO (反滲透膜)處理的純水。特別優(yōu)選使用經(jīng)RO處理及DI處理(去離子處理)的RO-DI水。這是因?yàn)镽O水或RO-DI水的雜質(zhì)(例如堿金屬)的含量極少且離子含量也少的緣故。在本發(fā)明中，不需要特別限制上述拋光工序中的漿料中的磨粒濃度，但優(yōu)選為3
重量％ 40重量％，更優(yōu)選為2重量％ 20重量％。規(guī)定的精加工表面粗糙度根據(jù)介質(zhì)的規(guī)格而不同，但需要Ra=0.01 Inm左右。通常在第二拋光工序時(shí)根據(jù)規(guī)定的精加工表面粗糙度選擇漿料。即，若采用Ra為0.2nm的規(guī)格，則使用平均粒子半徑為30nm左右的膠體二氧化硅，在更粗糙的情況下，使用含有更大粒徑的磨粒的漿料。從分散性及防止再附著的觀點(diǎn)考慮，也可以將漿料調(diào)整為酸性或堿性。予以說明，使用平均粒徑為30nm以下的膠體二氧化硅作為拋光磨粒、將主表面的粗糙度(Ra)設(shè)為0.2nm以下時(shí)，即使在與裝載了 DHl功能的設(shè)計(jì)為極低浮起量的磁頭相組合的情況下，也能獲得可長(zhǎng)期穩(wěn)定操作的可靠性高的磁盤，因而特別優(yōu)選。予以說明，在本發(fā)明中，上述平均粒徑是指以通過光散射法測(cè)定的粒度分布中顆粒團(tuán)的總體積為100%來求出累積曲線時(shí)，其累積曲線為50%的點(diǎn)的粒徑(以下稱為“累積平均粒徑(50%粒徑)”)。在本發(fā)明中，具體來說，累積平均粒徑(50%粒徑)是采用粒徑/粒度分布測(cè)定裝置(日機(jī)裝株式會(huì)社制、Nanotrac UPA-EX150)測(cè)得的值。作為用于上述拋光工序的拋光裝置，例如可舉出圖1所示的雙面拋光裝置。圖1為表示可用于玻璃基板的鏡面拋光工序的行星齒輪式雙面拋光裝置的概略構(gòu)成的縱向剖面圖。圖1所示的雙面拋光裝置具有:太陽(yáng)輪4、以同心圓狀配置在其外部的內(nèi)齒輪5、與太陽(yáng)輪4和內(nèi)齒輪5咬合且根據(jù)太陽(yáng)輪4或內(nèi)齒輪5的旋轉(zhuǎn)來進(jìn)行公轉(zhuǎn)和自轉(zhuǎn)的托架6、分別粘合有可挾持保持在該托架6上的被拋光加工物(玻璃基板)7的拋光墊2的上平板3和下平板1、以及向上平板3和下平板I之間供給漿料的漿料池8。通過開閉漿料供給閥11和純水供給閥12，混合含有拋光劑的漿料9和純水10并儲(chǔ)存在上述漿料池8中。在采用這種雙面拋光裝置進(jìn)行拋光加工時(shí)，將保持在托架6上的被拋光加工物(即玻璃基板7)用上平板3和下平板I夾持，同時(shí)，一邊從漿料池8向上下平板3、1的拋光墊2和玻璃基板7之間供給漿料，一邊根據(jù)太陽(yáng)輪4和內(nèi)齒輪5的旋轉(zhuǎn)使托架6進(jìn)行公轉(zhuǎn)和自轉(zhuǎn)，由此拋光加工玻璃基板7的上下兩面。作為精加工鏡面拋光用的拋光墊，特別優(yōu)選為軟質(zhì)拋光劑的拋光墊(絨面革墊)。拋光墊的硬度以Asker C硬度計(jì)，優(yōu)選為60 80。拋光墊和玻璃基板的接觸面優(yōu)選使用具有開口發(fā)泡孔的發(fā)泡樹脂、特別是發(fā)泡聚氨酯。由此進(jìn)行拋光時(shí)，可以將玻璃基板的表面拋光成平滑的鏡面狀。另外，將發(fā)泡孔的平均開口徑設(shè)為15μπι以下時(shí)，可以在維持主表面的平均粗糙度(Ra)使其較低(例如為0.2nm以下)的同時(shí)減少微小波紋(0.15nm以下)，因而特別優(yōu)選。但是，隨著發(fā)泡孔徑變小，存在拋光墊和基板之間的摩擦增大的傾向，因此，容易在基板上產(chǎn)生劃痕。因此，在如本發(fā)明那樣在拋光處理后減少砥粒濃度來進(jìn)行清洗處理的情況下，精密控制拋光磨粒濃度特別重要。在此，發(fā)泡孔的平均開口徑為使用顯微鏡拍攝拋光墊表面并隨機(jī)選取100個(gè)發(fā)泡孔測(cè)定孔徑而進(jìn)行平均的平均值。另外，微小波紋為形狀波長(zhǎng)為60 160 μ m的平均粗糙度(Ra),可以通過使用Polytec公司制的ThoT (M4224型號(hào))測(cè)定距基板中心的半徑15mm 30mm之間的主表面來進(jìn)行評(píng)價(jià)。如上所述，本發(fā)明的特征在于，在上述拋光處理之后，在加工壓力2kPa 6kPa、且漿料中的磨粒濃度超過O (零)且在5重量％以下、且供給到每單位面積平板的漿料流量
0.25ml/分鐘/cm2 5ml/分鐘/cm2下,進(jìn)行對(duì)基板的主表面進(jìn)行處理的清洗工序。本發(fā)明提供了一種基板的制造方法及利用由該方法得到的基板的磁盤的制造方法，該基板的制造方法可以通過簡(jiǎn)單的方法以低成本制造高品質(zhì)基板，所述高品質(zhì)基板的清潔度高、缺陷少、且可優(yōu)選用作對(duì)基板表面品質(zhì)的要求比以往更加嚴(yán)格的新一代的磁盤用基板。如上述所說明的那樣，拋光加工時(shí)使用的磨粒濃度的漿料在拋光加工后仍處于與基板表面接觸的狀態(tài)時(shí)，難以除去磨粒，因此，需要在拋光加工后迅速降低磨粒濃度，但由于磨粒也具有因滾動(dòng)作用帶來的潤(rùn)滑作用，因此，磨粒濃度的急劇減少容易使拋光墊和基板之間的摩擦增加而導(dǎo)致劃痕這樣的缺陷。在本發(fā)明中，拋光加工后，分別最適地調(diào)節(jié)供給漿料中的磨粒濃度、加工壓力及向平板的漿料供給量，由此實(shí)施控制介于拋光墊和基板之間的磨粒的濃度使其具有潤(rùn)滑作用的同時(shí)減少磨粒濃度的清洗工序(處理)，由此可以兼具基板表面的清潔性 和低缺陷。本發(fā)明中的清洗工序優(yōu)選在上述拋光加工工序后接著進(jìn)行。在階段性進(jìn)行拋光加工工序的情況下，優(yōu)選在最終拋光工序(例如上述第二拋光工序)后進(jìn)行。此時(shí)，使用相同的拋光機(jī)連續(xù)地進(jìn)行拋光工序和清洗工序時(shí)，因?yàn)榭梢愿杆俚爻ツチ６鴥?yōu)選。在使用以行星齒輪方式同時(shí)拋光基板兩面的拋光機(jī)一次(I批)拋光100張以上的基板的情況下，由于放熱量增加，因此磨粒與基板之間的附著力更容易增大。在這樣的情況下，本發(fā)明特別有效。另外，從生產(chǎn)率及成本的觀點(diǎn)考慮，清洗工序優(yōu)選使用與之前的拋光工序相同的拋光機(jī)連續(xù)地實(shí)施。在使用不同的拋光機(jī)實(shí)施的情況下，為了開始清洗工序而取下平板時(shí)，有可能對(duì)基板表面造成損傷而使品質(zhì)降低。另外，從拋光工序向清洗工序的過渡優(yōu)選使基板進(jìn)行行星齒輪運(yùn)動(dòng)的同時(shí)，一邊維持拋光墊對(duì)基板表面的加壓滑動(dòng)狀態(tài)一邊進(jìn)行。這是因?yàn)閽伖饽チＴ诨灞砻娴母街鴷r(shí)間越長(zhǎng)附著力越增加，在之后變得難以除去的緣故。在該過渡期停止裝置或降低加工壓力至未實(shí)施拋光的程度時(shí)(幾乎未施加加工壓力)，導(dǎo)致附著在基板表面的磨粒停止運(yùn)動(dòng)而開始固著在基板表面。因此，更優(yōu)選在使磨粒一直運(yùn)動(dòng)的同時(shí)降低基板表面的磨粒濃度。另外，優(yōu)選在該過渡期內(nèi)降低加工壓力(平板壓力)。這是因?yàn)?，例如在清洗工序中，直接在拋光加工時(shí)的加工壓力高的狀態(tài)下降低磨粒濃度時(shí)，容易產(chǎn)生劃痕。因此，沖洗液的供給優(yōu)選調(diào)整降低上述加工·壓力等清洗工序的條件后開始。下面，舉出具體的實(shí)驗(yàn)例進(jìn)行說明。作為本發(fā)明的拋光工序，例如在以下的條件下進(jìn)行拋光。但是，其僅僅是一個(gè)例子，本發(fā)明并不限定于以下的拋光條件。予以說明，作為基板，使用招娃酸鹽玻璃基板(外徑65mm、內(nèi)徑20mm、板厚0.8mm的圓盤狀玻璃基板)。<拋光條件>.拋光裝置:SpeedFam公司制,雙面9B拋光機(jī).拋光墊:愛媛Fujibo公司制,發(fā)泡氨基甲酸酯拋光用墊.漿料:日產(chǎn)化學(xué)公司制，膠體二氧化硅，平均粒徑80nm，濃度10重量％.向平板的漿料供給量:0.05ml/分鐘/cm2.加工壓力:9.8kPa 拋光時(shí)間:4分鐘上述拋光之后，使用相同的拋光裝置一邊維持加工壓力以外的拋光條件一邊緩慢降低加工壓力，變更為清洗工序時(shí)的加工壓力。接著，在以下說明的條件下進(jìn)行I分鐘本發(fā)明的清洗工序，然后，從拋光裝置中取出基板，進(jìn)一步進(jìn)行刷洗、試劑清洗、水洗、馬蘭戈尼干燥。如上得到的基板表面的清潔度通過利用表面檢查裝置測(cè)定顆粒的個(gè)數(shù)來評(píng)價(jià)，劃痕也同樣通過表面檢查裝置來評(píng)價(jià)。劃痕以檢測(cè)深5nm、寬IOOnm以上的缺陷為條件。表面檢查裝置使用OSA (KLA-Tencor公司)，分別測(cè)定1000張。予以說明，在此，作為清洗工序的漿料中的磨粒濃度與上述拋光工序的漿料的磨粒濃度的比值(濃度比)，以(清洗工序的漿料中的磨粒濃度)/ (拋光工序的漿料中的磨粒濃度(10重量％))表示，可以在O (零) I之間變化，清洗工序中的向平板的漿料供給量相對(duì)于拋光加工工序中的向平板的漿料供給量可以在I 20倍之間變化，加工壓力可以在5kPa和9.SkPa這兩個(gè)階段變化。將規(guī)定的加工壓力及規(guī)定的向平板的漿料供給量下的清洗工序的磨粒濃度(上述濃度比)與顆粒及劃痕產(chǎn)生率之間的關(guān)系示于圖2和圖3。予以說明，在圖2中，在橫軸的標(biāo)繪中，濃度比為0、0.01,0.05,0.1,0.25,0.5,0.75,1.0，在圖3中，在橫軸的標(biāo)繪中，濃度比為0、0.01,0.05,0.1,0.5。由圖2的結(jié)果可知，上述濃度比優(yōu)選設(shè)為0.5以下(即，清洗工序中的漿料中的磨粒濃度為5重量％以下)，更優(yōu)選設(shè)為0.25以下。即，清洗工序中的漿料中的磨粒的濃度優(yōu)選為拋光工序中的漿料中的拋光磨粒的濃度的一半以下。另外，關(guān)于加工壓力，優(yōu)選設(shè)為5kPa以下。予以說明，改變清洗工序的加工壓力進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，結(jié)果，在拋光工序的加工壓力的60%以下的情況下得到與上述5kPa同樣的結(jié)果，但在比60%大時(shí)，顆粒數(shù)增加。另一方面，將清洗工序的加工壓力設(shè)為拋光工序的加工壓力的5%時(shí)，與上述5kPa相比，發(fā)現(xiàn)改善，但比5%小時(shí)，反而變差。S卩，清洗處理時(shí)的加工壓力優(yōu)選設(shè)為拋光處理時(shí)的加工壓力的60%以下。清洗處理時(shí)的加工壓力比拋光處理時(shí)的加工壓力的60%大時(shí)，對(duì)拋光磨粒各自施加的壓力變大(由于拋光磨粒的數(shù)量少)，容易產(chǎn)生劃痕。予以說明，清洗處理時(shí)的加工壓力低于拋光處理時(shí)的加工壓力的5%時(shí)，有可能按壓不足而導(dǎo)致拋光墊在基板表面滑動(dòng)，無法滑動(dòng)除去磨粒，因此，設(shè)為5%以上即可。另外，關(guān)于清洗工序中的向平板的漿料供給量，可知優(yōu)選設(shè)為拋光工序的5倍以上，更優(yōu)選設(shè)為20倍以上。進(jìn)而可知，將濃度比設(shè)為0.5以下(即，清洗工序中的漿料的磨粒濃度為5重量％以下)、且將加工壓力設(shè)為5kPa以上、將向平板的漿料供給量提高至5倍(0.25ml/分鐘/cm2)或20倍(Iml/分鐘/cm2)時(shí),顆粒顯著減少。另外，由圖3的結(jié)果可知，濃度比為0.01以上時(shí)發(fā)現(xiàn)效果(一部分的條件下)，濃度比為0.05以上時(shí)，不論漿料供給量和加工壓力，均具有效果。但是可知，當(dāng)過度降低濃度比而使清洗工序中的漿料中的磨粒濃度`
因此，清洗工序中的漿料中的磨粒濃度的范圍為超過O (零)且在5重量％以下，優(yōu)選為0.1 5重量％，更優(yōu)選為0.5 2.5重量％。另外，上述濃度比優(yōu)選為0.01 0.5，更優(yōu)選為0.05 0.25。由如上所述的清洗工序的加工條件與產(chǎn)生的顆粒數(shù)及劃痕產(chǎn)生率之間的關(guān)系可知，通過使清洗工序中的漿料中的磨粒濃度處于適當(dāng)范圍、且將加工壓力減少到2 6kPa、且將清洗工序中的向平板的漿料供給量相對(duì)于拋光加工工序中的向平板的漿料供給量增加至I 100倍(0.25ml/分鐘/cm2 5ml/分鐘/cm2)，可以得到表面清潔且缺陷少的基板。予以說明，當(dāng)清洗工序中的向平板的漿料供給量相對(duì)于拋光加工工序中的向平板的漿料供給量超過100倍(5ml/分鐘/cm2)時(shí)，特別是在加工壓力低的情況下，有可能導(dǎo)致平板的負(fù)載不穩(wěn)定且加工不穩(wěn)定。予以說明，雖然本實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)是在漿料的平均磨粒粒徑為SOnm的情況下的數(shù)據(jù)，但在其它粒徑下也顯示出同樣的傾向。另外，在拋光加工工序后，在使用相同的拋光裝置進(jìn)行清洗工序的情況下，由于使所供給的漿料中的磨粒濃度降低至本發(fā)明的范圍且直至平穩(wěn)至穩(wěn)定狀態(tài)為止需要若干時(shí)間，因此，在該若干時(shí)間內(nèi)供給比本發(fā)明范圍高的磨粒濃度的漿料，不會(huì)對(duì)本發(fā)明的作用效果產(chǎn)生影響。如上所述，在拋光加工工序后，通過進(jìn)行本發(fā)明的清洗工序，可以制作表面清潔且缺陷少的基板。予以說明，在清洗工序后，可以進(jìn)一步實(shí)施作為通常進(jìn)行的清洗工序的試劑浸潰和/或擦洗等洗漆。在本發(fā)明中，構(gòu)成玻璃基板的玻璃(玻璃種類)優(yōu)選為無定形的鋁硅酸鹽玻璃。這種玻璃基板通過對(duì)表面進(jìn)行鏡面拋光可以加工成平滑的鏡面，而且加工后的強(qiáng)度良好。作為這樣的鋁硅酸鹽玻璃，可以使用含有58重量％ 75重量％的Si02、5重量％ 23重量％的Al203、3重量％ 10重量％的Li20、4重量％ 13重量％的Na2O作為主成分的鋁硅酸鹽玻璃(但是是不含磷氧化物的鋁硅酸鹽玻璃)。進(jìn)而，可以采用如下的不含磷氧化物的無定形的鋁硅酸鹽玻璃，例如，含有62重量％ 75重量％的Si02、5重量％ 15重量％的A1203、4重量％ 10重量％的Li20、4重量％ 12重量％的Na20、5.5重量％ 15重量％的ZrO2作為主成分，并且Na20/Zr02的重量比為0.5 2.0、A1203/Zr02的重量比為0.4 2.5。予以說明，期望為不含CaO或MgO等堿土金屬氧化物的玻璃。作為這種玻璃，例如可舉出HOYA株式會(huì)社制的N5玻璃(商品名)。另外，有時(shí)還追求作為新一代基板特性的耐熱性。作為這種情況下的耐熱性玻璃，可以優(yōu)選使用如下玻璃，例如，以摩爾％表示，包含50 75%的Si02、0 6%的A1203、0 2%的Ba0、0 3%的Li20、0 5%的ZnO、合計(jì)為3 15%的Na2O和K20、合計(jì)為14 35%的 MgO, CaO, SrO 和 BaO、合計(jì)為 2 9% 的 ZrO2、TiO2、La2O3、Y2O3、Yb2O3、Ta2O5、Nb2O5 和 HfO2,[(MgO + CaO) / (MgO + CaO + SrO + BaO)]的摩爾比為 0.85 I 的范圍，且[Al2O3/(MgO + CaO)]的摩爾比為O 0.30的范圍。另外，也可以為如下的玻璃:含有56 75摩爾％的Si02、l 11摩爾％的A1203、合計(jì)為6 15摩爾％的選自Li20、Na20和K2O的堿金屬氧化物、合計(jì)為10 30摩爾％的選自MgO、CaO和SrO的堿土 金屬氧化物、合計(jì)超過0%且在10摩爾％以下的選自Zr02、TiO2,Y2O3> La2O3' Gd2O3' Nb2O5 和 Ta2O5 的氧化物。在本發(fā)明中，上述鏡面拋光加工及清洗后的玻璃基板的表面優(yōu)選制成算術(shù)平均表面粗糙度Ra為0.20nm以下，特別為0.15nm以下的鏡面。更優(yōu)選制成最大粗糙度Rmax為
2.0nm以下的鏡面。予以說明，在本發(fā)明中提到Ra、Rmax時(shí)，是指基于日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)B0601計(jì)算的粗糙度。另外，本發(fā)明中的表面粗糙度(例如最大粗糙度Rmax、算術(shù)平均粗糙度Ra)在實(shí)用中優(yōu)選為用原子力顯微鏡(AFM)以512X256像素的分辨率測(cè)定I μ mX I μ m的范圍時(shí)獲得的表面形狀的表面粗糙度。另外，在本發(fā)明中，從材料強(qiáng)度的觀點(diǎn)考慮，也可以附加通過化學(xué)強(qiáng)化或蝕刻來提高強(qiáng)度的工序。對(duì)無定形的玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化的情況，可以在上述第一拋光工序或上述第二拋光工序(最終拋光工序)后實(shí)施。在通過蝕刻進(jìn)行強(qiáng)化的情況，可以在上述第一拋光工序后進(jìn)行。予以說明，在化學(xué)強(qiáng)化工序后進(jìn)行包括清洗工序的第二拋光工序的情況，由于可謀求低粗糙度、低缺陷和強(qiáng)度的兼顧，因而特別優(yōu)選。在此，“缺陷”是指劃痕及顆粒等。予以說明，在化學(xué)強(qiáng)化工序后進(jìn)行主表面的拋光工序的情況下，以殘留壓縮應(yīng)力層(后述)的方式進(jìn)行拋光(例如拋光部分為0.1 3μπι左右)時(shí)，可得到更高強(qiáng)度，因而優(yōu)選，但也可以沒有主表面的壓縮應(yīng)力層。這是因?yàn)橹辽俣瞬康膲嚎s應(yīng)力層帶來的效果是殘留的。為了能夠耐受更嚴(yán)苛環(huán)境下的使用，要求進(jìn)一步提高本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的強(qiáng)度，優(yōu)選進(jìn)行例如化學(xué)強(qiáng)化來提高強(qiáng)度。作為化學(xué)強(qiáng)化處理的方法，優(yōu)選例如在不超過玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度區(qū)域例如300°C 500°C的溫度下進(jìn)行離子交換的低溫離子交換法等。所謂的化學(xué)強(qiáng)化處理是指按如下所述進(jìn)行的處理:通過使熔融的化學(xué)強(qiáng)化鹽與玻璃基板接觸，使化學(xué)強(qiáng)化鹽中的原子半徑相對(duì)較大的堿金屬元素與玻璃基板中的原子半徑相對(duì)較小的堿金屬元素進(jìn)行離子交換，使玻璃基板表層滲透該離子半徑大的堿金屬元素，使玻璃基板表面產(chǎn)生壓縮應(yīng)力(形成壓力應(yīng)力層)。經(jīng)過化學(xué)強(qiáng)化處理的玻璃基板的耐沖擊性優(yōu)異，因此特別優(yōu)選裝載于例如移動(dòng)用途的HDD。作為化學(xué)強(qiáng)化鹽，可優(yōu)選使用硝酸鉀或硝酸鈉等堿金屬硝酸鹽。另外，本發(fā)明還提供一種使用上述的磁盤用玻璃基板制造磁盤的方法。本發(fā)明中的磁盤是在由本發(fā)明獲得的磁盤用玻璃基板上至少形成磁性層而制造的。作為磁性層的材料，可以使用磁場(chǎng)的各向異性大的六方晶系CoCrPt類或CoPt類強(qiáng)磁性合金。作為磁性層的形成方法，優(yōu)選使用通過濺射法(例如DC磁控濺射法)在玻璃基板上形成磁性層的膜的方法。另外，通過在玻璃基板和磁性層之間插入襯底層，可以控制磁性層的磁性顆粒的取向方向和磁性顆粒的大小。例如，通過使用包含Ru和/或Ti的六方晶系襯底層，可以使磁性層的容易磁化方向沿磁盤面的法線定向。這種情況下,可以制造垂直磁記錄方式的磁盤。襯底層可以與磁性層同樣采用濺射法形成。另外，在磁性層上還可以依次形成保護(hù)層、潤(rùn)滑層。作為保護(hù)層，優(yōu)選無定形烴類保護(hù)層?？梢酝ㄟ^例如等離子體CVD法形成保護(hù)層。另外，作為潤(rùn)滑層，可以使用在全氟聚醚化合物的主鏈末端具有官能團(tuán)的潤(rùn)滑劑。特別優(yōu)選以末端具有羥基作為極性官能團(tuán)的全氟聚醚化合物為主成分。潤(rùn)滑層可以通過浸潰法進(jìn)行涂布來形成。通過采用本發(fā)明獲得的磁盤用玻璃基板，可以獲得可靠性高的磁盤。實(shí)施例以下舉出實(shí)施例具體說明本發(fā)明的實(shí)施方式。予以說明，本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施例。(實(shí)施例1)在本實(shí)施例中，對(duì)使用無定形玻璃基板的情況進(jìn)行說明。在由加工成規(guī)定尺寸的圓盤狀的玻璃盤基板進(jìn)行制造的情況下，以2.5英寸(夕卜徑65mm,內(nèi)徑20mm,板厚0.8mm)大小的基板為例進(jìn)行說明。以進(jìn)行了內(nèi)外徑加工的板厚為Imm的玻璃基板作為基礎(chǔ)基板。首先通過磨削來將玻璃基板拋光至板厚0.83 mm。磨削的加工條件如下所述。加工后，進(jìn)行洗滌，干燥。此時(shí)，精加工表面粗糙度Ra為0.3μπι。予以說明，表面粗糙度采用原子力顯微鏡(AFM)以512X256像素的分辨率測(cè)定ΙμπιΧΙμπι的范圍(下同)?！茨ハ鳁l件〉.磨削加工機(jī):SpeedFam公司制,雙面9B拋光機(jī) 平板:鑄鐵制.加工液:磨削砂GC#1500，濃度10重量％ (純水稀釋)
加工壓力:100gf/cm2 (9.8kPa)接著,對(duì)基板的主表面進(jìn)行拋光工序。拋光工序分第一拋光工序和第二拋光工序兩個(gè)階段進(jìn)行。第一拋光工序的拋光條件如下所述，精加工表面粗糙度Ra為0.6nm。〈第一拋光條件〉.拋光裝置:SpeedFam公司制，雙面9B拋光機(jī).拋光墊:愛媛Fujibo公司制，發(fā)泡氨基甲酸酯拋光用墊片 漿料:三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制，MIREK，材質(zhì)Ce，粒徑1.5 μ m，濃度10重量％(純水稀釋) 加工壓力:100gf/cm2 (9.8kPa).拋光時(shí)間:4分鐘予以說明，本實(shí)施例中使用的上述雙面拋光裝置為與上述圖1所示那樣的一般已知的拋光裝置相同的構(gòu)造。清洗后，按以下條件進(jìn)行第二拋光工序?！吹诙伖鈼l件〉.拋光裝置:SpeedFam公司制，雙面9B拋光機(jī)

.拋光墊:愛媛Fujibo公司制,發(fā)泡氨基甲酸酯拋光用墊片.發(fā)泡孔的平均開口徑:15μπι.漿料:日產(chǎn)化學(xué)公司制，膠體二氧化硅ST-ZL2，平均粒徑80nm，磨粒濃度10重
量%.向平板的衆(zhòng)料供給量:0.05ml/分鐘/cm2 加工壓力:9.8kPa.拋光時(shí)間:5分鐘接著，使用與上述第二拋光相同的雙面拋光裝置，在以下條件下進(jìn)行清洗工序。予以說明，在從拋光工序向清洗工序轉(zhuǎn)移時(shí)，一邊維持加工壓力以外的拋光條件一邊緩慢降低加工壓力，變更為清洗工序時(shí)的加工壓力，進(jìn)而，變更加工壓力后開始清洗液的供給?！辞逑垂ば驐l件〉.漿料中的磨粒濃度:2重量％ (磨粒的種類與拋光工序相同) 加工壓力:4.9kPa.向平板的衆(zhòng)料供給量:0.25ml/分鐘/cm2 加工時(shí)間:I分鐘上述清洗工序結(jié)束后，使用pH9的氫氧化鈉溶液進(jìn)行刷洗，然后，通過精密洗滌工序(具有組合堿性洗劑和超聲波的洗滌、超純水沖洗、和馬蘭戈尼干燥的洗滌工序)進(jìn)行洗漆和干燥。通過表面檢查裝置對(duì)如上得到的1000張玻璃基板的顆粒和劃痕進(jìn)行測(cè)定，結(jié)果，顆粒為78個(gè)/面，劃痕產(chǎn)生率為0.7%。予以說明，數(shù)值均為所得1000張玻璃基板的平均值(下同)。另外，表面檢查裝置使用OSA (KLA-Tencor公司)。接著，對(duì)上述實(shí)施例中得到的本發(fā)明的磁盤用玻璃基板實(shí)施以下的成膜工序，得到垂直磁記錄用磁盤。S卩，在上述玻璃基板上依次形成由Ti系合金薄膜構(gòu)成的附著層、由CoTaZr合金薄膜構(gòu)成的軟磁性層、由Ru薄膜構(gòu)成的基底層、由CoCrPt合金構(gòu)成的垂直磁記錄層、碳保護(hù)層及潤(rùn)滑層。保護(hù)層用于防止磁記錄層由于與磁頭的接觸而劣化，由氫化碳構(gòu)成，可得到耐磨性。另外，潤(rùn)滑層將醇改性全氟聚醚的液態(tài)潤(rùn)滑劑利用浸潰法來形成。對(duì)所得的磁盤實(shí)施使用DFH磁頭的評(píng)估測(cè)試(certify test)。通過該測(cè)試,在磁盤的數(shù)據(jù)區(qū)中，可以調(diào)查與磁信號(hào)的讀寫有關(guān)的成為錯(cuò)誤的區(qū)域的數(shù)量。一般認(rèn)為，錯(cuò)誤數(shù)目受存在于基板表面的劃痕及顆粒等的影響。(比較例I)除了省略上述清洗工序以外，與實(shí)施例1同樣操作，制作玻璃基板。通過上述表面檢查裝置測(cè)定所得1000張玻璃基板的顆粒和劃痕，結(jié)果，顆粒為1100個(gè)/面，劃痕產(chǎn)生率為4% O另外，使用該玻璃基板與實(shí)施例1同樣地得到垂直磁記錄用磁盤。對(duì)所得磁盤，與實(shí)施例1同樣地實(shí)施采用Dra磁頭的評(píng)估測(cè)試。其結(jié)果，實(shí)施例1的磁盤的錯(cuò)誤數(shù)與比較例I相比，平均減少12%，確認(rèn)了本發(fā)明的效果。(實(shí)施例2)
在上述實(shí)施例1的第一拋光工序和第二拋光工序之間實(shí)施以下的化學(xué)強(qiáng)化工序。[化學(xué)強(qiáng)化工序]對(duì)完成了上述第一拋光后的清洗 干燥的玻璃基板實(shí)施化學(xué)強(qiáng)化。化學(xué)強(qiáng)化是準(zhǔn)備混合硝酸鉀和硝酸鈉而成的化學(xué)強(qiáng)化液，將該化學(xué)強(qiáng)化溶液加熱至380°C，將上述洗滌和干燥好的玻璃基板在該化學(xué)強(qiáng)化液中浸潰約4小時(shí)來進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理。將完成了化學(xué)強(qiáng)化處理的玻璃基板依次浸潰在硫酸、中性洗滌劑、純水、純水、IPA、IPA (蒸汽干燥)的各洗滌槽中，進(jìn)行超聲波洗滌并干燥。除了在第一拋光工序和第二拋光工序之間實(shí)施上述化學(xué)強(qiáng)化工序以外，與實(shí)施例1同樣地制作玻璃基板。予以說明，在第二拋光工序后的主表面中，壓縮應(yīng)力層充分殘留。通過上述表面檢查裝置測(cè)定所得1000張玻璃基板的顆粒和劃痕，結(jié)果，顆粒為35個(gè)/面，劃痕產(chǎn)生率為0.3%。特別是劃痕產(chǎn)生率可比實(shí)施例1進(jìn)一步降低。這樣，通過組合化學(xué)強(qiáng)化和本發(fā)明的清洗工序，可以實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度提高和劃痕降低。另外，使用該玻璃基板，與實(shí)施例1同樣地得到垂直磁記錄用磁盤。對(duì)所得磁盤，與實(shí)施例1同樣地實(shí)施采用DHl磁頭的評(píng)估測(cè)試。其結(jié)果，實(shí)施例2的磁盤的錯(cuò)誤數(shù)與比較例I相比，平均少20%，確認(rèn)了本發(fā)明的效
果O(實(shí)施例3)在本實(shí)施例中，對(duì)鍍NiP基板進(jìn)行說明。在由加工成規(guī)定尺寸的圓盤狀基板進(jìn)行制造的情況下，以2.5英寸型(外徑65mm,內(nèi)徑20mm，板厚0.8 mm)為例進(jìn)行說明。將5086系鋁合金加工成規(guī)定尺寸后，洗滌，形成15 μ m的磷濃度為19at%的NiP無電解鍍層。然后，在以下的拋光條件下進(jìn)行第一拋光工序。進(jìn)行拋光量為3μπι的鏡面拋光加工。〈第一拋光條件〉
.拋光裝置:SpeedFam公司制,雙面9B拋光機(jī).拋光墊:愛媛Fujibo公司制，發(fā)泡氨基甲酸酯拋光墊 漿料:在平均粒徑8 μ m的鋁(濃度10重量％)中添加過氧化氫(I重量％)和有機(jī)酸，使pH為2。 加工壓力:9.8kPa接著，清洗，干燥，然后在以下條件下進(jìn)行第二拋光工序。〈第二拋光條件〉.拋光裝置:SpeedFam公司制,雙面9B拋光機(jī).拋光墊:愛媛Fujibo公司制,發(fā)泡氨基甲酸酯拋光用墊 漿料:在日產(chǎn)化學(xué)公司制的膠體二氧化硅ST-ZL2 (平均粒徑80nm，磨粒濃度8重量％)中添加過氧化氫(I重量％)和有機(jī)酸，使pH為2。.向平板的衆(zhòng)料供給量:0.05ml/分鐘/cm2 加工壓力AkPa.拋光時(shí)間:5分鐘接著，使用與上 述第二拋光相同的雙面拋光裝置，在以下條件下進(jìn)行清洗工序?！辞逑垂ば驐l件〉.漿料中的磨粒濃度:2重量％ 加工壓力:4.9kPa.向平板的衆(zhòng)料供給量:0.25ml/分鐘/cm2 加工時(shí)間:I分鐘上述清洗工序結(jié)束后，采用pH3的酸性洗劑進(jìn)行刷洗，然后，通過精密洗滌工序(具有組合堿性洗劑和超聲波的洗滌、超純水沖洗、馬蘭戈尼干燥的洗滌工序)進(jìn)行洗滌，干燥。通過上述表面檢查裝置測(cè)定如上所得的1000張NiP基板的顆粒和劃痕，結(jié)果，顆粒為235個(gè)/面，劃痕產(chǎn)生率為2.7%。另外，使用該NiP基板與實(shí)施例1同樣地得到垂直磁記錄用磁盤。對(duì)所得磁盤，與實(shí)施例1同樣地實(shí)施采用DHl磁頭的評(píng)估測(cè)試。(比較例2)除了省略上述清洗工序以外，與實(shí)施例3同樣地制作NiP基板，通過上述表面檢查裝置測(cè)定所得1000張NiP基板的顆粒和劃痕，結(jié)果，顆粒為2100個(gè)/面，劃痕產(chǎn)生率為
5% ο另外，使用該NiP基板，與實(shí)施例1同樣地得到垂直磁記錄用磁盤。對(duì)所得磁盤，與實(shí)施例1同樣地實(shí)施采用Dra磁頭的評(píng)估測(cè)試。其結(jié)果，實(shí)施例3的磁盤的錯(cuò)誤數(shù)與比較例2相比，平均減少8%，確認(rèn)了本發(fā)明的效果。產(chǎn)業(yè)實(shí)用性通過如上所述的制造條件，可提供清潔、缺陷少、且低成本的基板。符號(hào)說明I 下平板
2拋光墊3上平板4太陽(yáng)輪5內(nèi)齒輪6托架7基板8漿料池9漿料10純水11漿料供給泵 12純水供給泵
權(quán)利要求
1.一種基板的制造方法，其特征在于，包括: 使用含有拋光磨粒的漿料和配備有一對(duì)拋光墊的平板，將所述漿料供給于所述拋光墊和基板之間，同時(shí)用所述一對(duì)拋光墊夾持所述基板的主表面來進(jìn)行拋光的拋光處理；和在該拋光處理后實(shí)施、且在下述條件下對(duì)基板的主表面進(jìn)行處理的清洗處理:加工壓力為2kPa 6kPa、且漿料中的磨粒濃度超過O (零)且在5重量％以下、且供給到每單位面積平板的漿料流量為0.25ml/分鐘/cm2 5ml/分鐘/cm2。
2.權(quán)利要求1所述的基板的制造方法，其特征在于，所述清洗處理時(shí)的加工壓力為所述拋光處理時(shí)的加工壓力的60%以下。
3.權(quán)利要求1或2所述的基板的制造方法，其特征在于，使用膠體二氧化硅作為所述拋光磨粒，進(jìn)行所述拋光處理和所述清洗處理，使所述清洗處理后的基板主表面粗糙度按Ra計(jì)為0.2nm以下。
4.權(quán)利要求1 3任一項(xiàng)所述的基板的制造方法，其特征在于，所述基板的制造方法還包括基板的化學(xué)強(qiáng)化處理，在該化學(xué)強(qiáng)化處理后進(jìn)行所述拋光處理和所述清洗處理。
5.權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的基板的制造方法，其特征在于，所述拋光處理中的漿料中的磨粒濃度至少 比所述清洗處理時(shí)高，且為40重量％以下。
6.權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的基板的制造方法，其特征在于，所述基板為磁盤用玻璃基板。
7.權(quán)利要求6所述的基板的制造方法，其特征在于，所述磁盤用玻璃基板由可化學(xué)強(qiáng)化的無定形的鋁硅酸鹽玻璃形成。
8.權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的基板的制造方法，其特征在于，所述基板為鍍NiP基板。
9.一種磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括: 使用具有配備有一對(duì)拋光墊的平板的拋光裝置，將含有拋光磨粒的漿料供給于所述拋光墊和玻璃基板之間，同時(shí)用所述一對(duì)拋光墊夾持所述玻璃基板的主表面來進(jìn)行拋光的拋光處理，和 在該拋光處理后，使用所述拋光裝置，將含有濃度比所述拋光處理時(shí)的漿料低的拋光磨粒的漿料供給于所述拋光墊和所述玻璃基板之間，同時(shí)用所述一對(duì)拋光墊夾持所述玻璃基板的主表面進(jìn)行滑動(dòng)，由此除去附著于所述玻璃基板主表面的所述拋光磨粒的清洗處理； 所述清洗處理中的加工壓力為所述拋光處理中的加工壓力的60%以下， 所述清洗處理時(shí)的漿料中的拋光磨粒的濃度為所述拋光處理時(shí)的漿料中的拋光磨粒的濃度的一半以下。
10.權(quán)利要求9所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述清洗處理時(shí)的每單位面積平板的漿料供給量為所述拋光處理時(shí)的每單位面積平板的漿料供給量的5倍以上。
11.一種磁盤的制造方法，其特征在于，在通過權(quán)利要求1 8任一項(xiàng)所述的制造方法得到的基板上或通過權(quán)利要求9或10所述的制造方法得到的磁盤用玻璃基板上至少形成磁性層。
全文摘要
本發(fā)明提供基板的制造方法、磁盤用玻璃基板的制造方法及磁盤的制造方法。所述基板的制造方法可通過簡(jiǎn)便的方法以低成本制造高品質(zhì)的基板，所述高品質(zhì)基板的清潔度高、缺陷少且可優(yōu)選用作對(duì)基板表面品質(zhì)的要求比以往更嚴(yán)格的新一代磁盤用基板。所述基板優(yōu)選作為例如磁盤用玻璃基板等，所述基板的制造方法包括使用含有拋光磨粒的漿料和配備有一對(duì)拋光墊的平板，將漿料供給于拋光墊和基板之間，同時(shí)用一對(duì)拋光墊夾持基板的主表面來進(jìn)行拋光的拋光處理；和在該拋光處理后實(shí)施、且在加工壓力為2～6kPa、且漿料中的磨粒濃度超過0(零)且在5重量%以下、且供給到每單位面積平板的漿料流量為0.25～5ml/分鐘/cm2的條件下對(duì)基板主表面進(jìn)行處理的清洗處理。
文檔編號(hào)G11B5/84GK103247304SQ20121058368
公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者島田隆, 倉(cāng)田昇, 石川菜美, 山城祐治 申請(qǐng)人:Hoya株式會(huì)社