專利名稱：一種保護flash數(shù)據(jù)的復位控制電路的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及復位控制電路技術領域，特別涉及一種保護對微控制単元內(nèi)的FLASH存儲數(shù)據(jù)的復位控制電路。
背景技術：
FLASH作為存儲介質(zhì)已經(jīng)廣泛應用，將FLASH作為存儲介質(zhì)時通常會設置相應的保護電路，避免出現(xiàn)突然掉電時出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失情況?，F(xiàn)有的FLASH保護技術，大多是在軟件層面上，即通過軟件的方式針對FLASH數(shù)據(jù)完整性的保護，或外掛FLASH的保護。對于需要用FLASH內(nèi)的數(shù)據(jù)進行修改的系統(tǒng)中，在FLASH擦除過程中復位，可能導致FLASH誤擦或誤寫，引起MCU(Micro Control Unit，微控制単元)無法啟動或異常工作，而這種原因造成的破壞通常是不可逆的，也就是說不可恢 復的。同時MCU在運行過程中可能會出現(xiàn)由于各種原因引起外部復位，如手動復位，復位信號受強干擾復位等，也可能對FLASH數(shù)據(jù)產(chǎn)生破壞。

實用新型內(nèi)容本實用新型主要解決的技術問題是提供一種保護FLASH數(shù)據(jù)的復位控制電路，該復位控制電路可以避免在需要用FLASH內(nèi)的數(shù)據(jù)進行修改的系統(tǒng)中，擦除FLASH過程中復位導致FLASH誤擦或誤寫而引起MCU(無法啟動或異常工作。為了解決上述問題，本實用新型提供一種保護FLASH數(shù)據(jù)的復位控制電路，該保護FLASH數(shù)據(jù)的復位控制電路包括與FLASH連接的微控制單元MCU和復位電路，所述復位電路通過邏輯電路與該微控制單元MCU電連接，在所述微控制單元MCU接ロ 102與邏輯電路之間設有上電延時開關，其中，所述微控制單元MCU接ロ IOl判斷FLASH擦除操作，并由邏輯電路生成有效的外部復位信號，當邏輯電路對外部復位電路輸出的信號判為無效吋，由邏輯電路輸出保持信號給微控制単元MCU讀取。進ー步地說，所述微控制単元通過接ロ IO的高低電平反映內(nèi)部FLASH是否處于擦寫狀態(tài)；當接ロ IO為高電平時，所述FLASH處于擦寫狀態(tài)。進ー步地說，所述微控制単元MCU為低電平復位時邏輯電路的輸入輸出之間的關系當BUSY = H, RESET = H ；H0LD = L, RST = H ；當BUSY = H, RESET = L ；H0LD = H, RST = H ；當BUSY = L, RESET = H ；H0LD = L, RST = H ；當BUSY = L, RESET = L ；H0LD = L, RST = L ；所述微控制単元MCU為高電平復位時，邏輯電路的輸入輸出之間的關系當BUSY = H, RESET = H ；H0LD = H, RST = L ；當BUSY = H, RESET = L ；H0LD = L, RST = L ；[0016]當BUSY = L, RESET = H ；H0LD = L, RST = H ；當BUSY = L, RESET = L ；H0LD = L, RST = L ；其中，H表不聞電平，L表不低電平，RESET為復位電路廣生的復位イ目號。進ー步地說，所述上電延時開關包括至少ー個電容和三極管，其中電容的一端與三極管的基極連接。本實用新型保護FLASH數(shù)據(jù)的復位控制電路，包括與FLASH連接的微控制單元MCU和復位電路，所述復位電路通過邏輯電路與該微控制単元MCU電連接，在所述微控制単元MCU接ロ 102與邏輯電路之間設有上電延時開關，其中，所述微控制單元MCU接ロ IOl判斷FLASH擦除操作，并由邏輯電路生成有效的外部復位信號，當邏輯電路對外部復位電路輸出的信號判為無效吋，由邏輯電路輸出保持信號給微控制単元MCU讀取。由于該復位控制電 路通過禁止微控制單元MCU擦除FLASH數(shù)據(jù)時產(chǎn)生外部復位，從而達到防止擦除FLASH數(shù)據(jù)時強行中斷復位導致由FLASH誤擦或誤寫而引起微控制単元MCU錯誤的目的，可以適用于微控制單元MCU內(nèi)部的FLASH存儲單元或外部FLASH存儲。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單介紹，顯而易見地，而描述中的附圖是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來說，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他附圖。圖I是本實用新型保護FLASH數(shù)據(jù)的復位控制電路實施例原理框圖。
具體實施方式
為了使要實用新型的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。如圖I所示，本實用新型提供一種保護FLASH數(shù)據(jù)的復位控制電路實施例。該保護FLASH數(shù)據(jù)的復位控制電路包括與FLASH連接的微控制單元MCUl和復位電路3，所述復位電路3通過邏輯電路2與該微控制単元MCUl電連接，在所述微控制単元MCUl接ロ 102與邏輯電路2之間設有上電延時開關4，其中，所述微控制單元MCUl接ロ IOl判斷FLASH擦除操作，并由邏輯電路2生成有效的外部復位信號，當邏輯電路2對外部復位電路3輸出的信號判為無效吋，由邏輯電路2輸出保持信號給微控制単元MCUl讀取。具體地說，所述微控制單元MCU通過接ロ IOl的高低電平反映內(nèi)部FLASH是否處于擦寫狀態(tài)；當接ロ IOl為高電平時，所述微控制単元MCU內(nèi)部的FLASH處于擦寫狀態(tài)。當微控制単元MCU內(nèi)部的FLASH處于擦寫狀態(tài)時，邏輯電路2對外部復位電路3輸出的信號判為無效，由邏輯電路2輸出保持信號給微控制単元MCUl讀取，直到微控制単元MCU內(nèi)部的FLASH處于擦寫完成后，所述邏輯電路2對外部復位電路3輸出的信號判為有效，邏輯電路2輸出信號給微控制單元MCU1，由微控制單元MCU控制其內(nèi)的FLASH進行復位。[0027]所述上電延時開關4包括至少ー個電容和三極管，或與三極管效的其他元器件，其中，所述電容的一端與三極管的基極或與三極管效的其他元器件控制極連接。當上電時，利用電容的充放電特性控制三極管或與三極管等效器件暫時切斷BUSY與邏輯電路的通路，電阻與電容相連用于調(diào)節(jié)電容的充放電時間，即可調(diào)整開關時間。當所述微控制単元MCUl為低電平復位時,邏輯電路2的輸入和輸出之間的關系如下當BUSY = H, RESET = H ；H0LD = L, RST = H ；當BUSY = H, RESET = L ；H0LD = H, RST = H ；當BUSY = L, RESET = H ；H0LD = L, RST = H ；當BUSY = L, RESET = L ；H0LD = L, RST = L ；當所述微控制単元MCUl為高電平復位時，所述邏輯電路2的輸入和輸出之間的關系如下 當BUSY = H, RESET = H ；H0LD = H, RST = L ；當BUSY = H, RESET = L ；H0LD = L, RST = L ；當BUSY = L, RESET = H ；H0LD = L, RST = H ；當BUSY = L, RESET = L ；H0LD = L, RST = L ；其中，H表不聞電平，L表不低電平，RESET為復位電路廣生的復位イ目號。由于該復位控制電路在上電時微控制單元MCU的IOl電平可能處于未知狀態(tài)，導致微控制単元MCU無法上電復位，需要上電延時開關。在上電時暫時切斷BUSY信號與邏輯電路的通路。即復位控制電路通過禁止微控制単元MCU擦除FLASH數(shù)據(jù)時產(chǎn)生外部復位，從而達到防止擦除FLASH數(shù)據(jù)時強行中斷復位導致由FLASH誤擦或誤寫而引起微控制単元MCU錯誤的目的，可以適用于微控制單元MCU內(nèi)部的FLASH存儲單元或外部FLASH存儲。采用本復位控制電路后，任意連續(xù)復位都未出現(xiàn)微控制単元MCU因其內(nèi)部FLASH數(shù)據(jù)破壞而無法啟動或異常工作的情況，證明本控制電路能有效的解決這種情況的出現(xiàn)。以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換，而這些修改或替換，并不使相應技術方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施例技術方案的精神和范圍。
權(quán)利要求1.一種保護FLASH數(shù)據(jù)的復位控制電路，其特征在于 其包括與FLASH連接的微控制単元MCU和復位電路，所述復位電路通過邏輯電路與該微控制單元MCU電連接，在所述微控制單元MCU接ロ 102與邏輯電路之間設有上電延時開關，其中，所述微控制單元MCU接ロ IOl判斷FLASH擦除操作，并由邏輯電路生成有效的外部復位信號，當邏輯電路對外部復位電路輸出的信號判為無效吋，由邏輯電路輸出保持信號給微控制単元MCU讀取。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的保護FLASH數(shù)據(jù)的復位控制電路，其特征在于 所述微控制單元MCU通過接ロ IO的高低電平反映內(nèi)部FLASH是否處于擦寫狀態(tài)；當接ロ IO為高電平時，所述FLASH處于擦寫狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的保護FLASH數(shù)據(jù)的復位控制電路，其特征在于 當所述微控制単元MCU為低電平復位時邏輯電路的輸入輸出之間的關系當 BUSY = H, RESET = H ；H0LD = L, RST = H ；當 BUSY = H, RESET = L ；H0LD = H, RST = H ；當 BUSY = L, RESET = H ；H0LD = L, RST = H ；當 BUSY = L, RESET = L ；H0LD = L, RST = L ； 或當所述微控制単元MCU為高電平復位時，邏輯電路的輸入輸出之間的關系當 BUSY = H, RESET = H ；H0LD = H, RST = L ；當 BUSY = H, RESET = L ；H0LD = L, RST = L ；當 BUSY = L, RESET = H ；H0LD = L, RST = H ；當 BUSY = L, RESET = L ；H0LD = L, RST = L ； 其中，H表不聞電平，L表不低電平，RESET為復位電路廣生的復位イ目號。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的保護FLASH數(shù)據(jù)的復位控制電路，其特征在于 所述上電延時開關包括至少ー個電容和三極管，其中電容的一端與三極管的基極連接。
專利摘要本實用新型一種保護FLASH數(shù)據(jù)的復位控制電路，包括與FLASH連接的微控制單元MCU和復位電路，所述復位電路通過邏輯電路與該微控制單元MCU電連接，其中，所述微控制單元MCU接口IO判斷FLASH擦除操作，并由邏輯電路生成有效的外部復位信號，當邏輯電路對外部復位電路輸出的信號判為無效時，由邏輯電路輸出保持信號給微控制單元MCU讀取。由于該復位控制電路通過禁止微控制單元MCU擦除FLASH數(shù)據(jù)時產(chǎn)生外部復位，從而達到防止擦除FLASH數(shù)據(jù)時強行中斷復位導致由FLASH誤擦或誤寫而引起微控制單元MCU錯誤的目的，可以適用于微控制單元MCU內(nèi)部的FLASH存儲單元或外部FLASH存儲。
文檔編號G11C7/24GK202472631SQ20122005400
公開日2012年10月3日 申請日期2012年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月17日
發(fā)明者張超勇, 陳平 申請人:物聯(lián)微電子(常熟)有限公司