專利名稱：內(nèi)嵌式光盤(pán)超高頻防偽電子標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種防偽識(shí)別裝置，尤其是光盤(pán)的防偽識(shí)別裝置。
背景技術(shù)：
光盤(pán)作為一種大容量低成本的數(shù)據(jù)載體，在批量級(jí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用中仍具有廣闊的市場(chǎng)，但由于光盤(pán)復(fù)制門(mén)檻低和國(guó)內(nèi)相關(guān)法律法規(guī)保護(hù)措施的滯后，使得盜版光盤(pán)泛濫。從技術(shù)層面上看，光盤(pán)防偽等級(jí)低是導(dǎo)致盜版泛濫的重要原因。目前，市面上出現(xiàn)的適用于光盤(pán)管理的電子標(biāo)簽，多數(shù)為高頻(HF)光盤(pán)標(biāo)簽，也有少量超高頻(UHF)光盤(pán)標(biāo)簽，但這類標(biāo)簽都是通過(guò)粘貼在光盤(pán)表面的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)的，不僅實(shí)施起來(lái)不方便，另外影響美觀，而且還存在被替換的風(fēng)險(xiǎn)
實(shí)用新型內(nèi)容
RFID是Tfet/io Frequency Identification的縮寫(xiě)，即無(wú)線射頻識(shí)別，俗稱電子標(biāo)簽。RFID超高頻標(biāo)簽技術(shù)經(jīng)過(guò)最近幾年的快速發(fā)展，已被廣泛應(yīng)用到諸多領(lǐng)域，它具有花費(fèi)較低成本就可以獲得最高級(jí)別的防偽功能，以及能在一定距離內(nèi)實(shí)現(xiàn)無(wú)線快速識(shí)別的特征，使該技術(shù)在與傳統(tǒng)技術(shù)和現(xiàn)代信息技術(shù)的結(jié)合中體現(xiàn)出巨大的應(yīng)用價(jià)值。本實(shí)用新型的目的是提供一種內(nèi)嵌式光盤(pán)超高頻電子標(biāo)簽，電子標(biāo)簽被牢固封裝在光盤(pán)內(nèi)，可以在IOcm范圍內(nèi)輕松讀取其中的信息和數(shù)據(jù)，具有良好的無(wú)線識(shí)別性能，而且，不影響美觀，不存在被替換的風(fēng)險(xiǎn)。為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為一種內(nèi)嵌式光盤(pán)超高頻電子標(biāo)簽，它包括光盤(pán)及其中心孔，其特征在于在所述光盤(pán)中心孔外側(cè)的非數(shù)據(jù)區(qū)域中，鑲嵌有環(huán)狀的超高頻電子標(biāo)簽。內(nèi)嵌式光盤(pán)超高頻電子標(biāo)簽的制作方法包括以下步驟( I)根據(jù)要求將超高頻電子標(biāo)簽制成環(huán)狀；(2)在一張子光盤(pán)中心孔外側(cè)的非數(shù)據(jù)區(qū)域中，制作出深度和寬度與環(huán)狀超高頻電子標(biāo)簽相應(yīng)的環(huán)形標(biāo)簽槽；(3)環(huán)狀超高頻電子標(biāo)簽粘貼到環(huán)形標(biāo)簽槽中；(4)在粘貼有環(huán)形標(biāo)簽的子光盤(pán)面上，粘貼上另一張子光盤(pán)。所述的光盤(pán)包括兩張粘合的子光盤(pán)。所述的兩張子光盤(pán)的厚度均為O. 6mm。所述環(huán)形標(biāo)簽槽的深度為O. 1mm。以上結(jié)構(gòu)和制作方法做出的內(nèi)嵌式光盤(pán)超高頻電子標(biāo)簽，被牢固封裝在兩片光盤(pán)中，用超高頻桌面式讀寫(xiě)器，可以在IOcm范圍內(nèi)輕松讀取電子標(biāo)簽中的相關(guān)數(shù)據(jù)，具有良好的無(wú)線識(shí)別性能和防偽功能。而且，使光盤(pán)擁有光亮的外表，若要替換該電子標(biāo)簽，則必需撬開(kāi)兩張子光盤(pán)，而撬開(kāi)這兩張子光盤(pán)，這光盤(pán)也就爛了，所以不存在被替換的風(fēng)險(xiǎn)。從而大大提高了識(shí)別和防偽性，為維護(hù)正版光盤(pán)的權(quán)利，打擊盜版行為作出了應(yīng)有的貢獻(xiàn)。
圖I是本實(shí)用新型的主視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖I中沿A-A結(jié)剖視的放大結(jié)構(gòu)示意圖。在圖中，光盤(pán)1，上子光盤(pán)la，下子光盤(pán)lb，嵌在光盤(pán)中的環(huán)形超高頻電子標(biāo)簽2，光盤(pán)中心孔3，上子光盤(pán)內(nèi)側(cè)的環(huán)形電子標(biāo)簽槽4。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。圖I所不，是本實(shí)用新型的主視結(jié)構(gòu)不意圖。從圖中可知，環(huán)形超聞?lì)l電子標(biāo)簽2鑲嵌在光盤(pán)I中心孔3外側(cè)的非數(shù)據(jù)區(qū)域中，或者說(shuō)，環(huán)形超高頻電子標(biāo)簽2鑲嵌在光盤(pán)I數(shù)據(jù)區(qū)域的內(nèi)側(cè)。光盤(pán)I中心孔3與環(huán)形超高頻電子標(biāo)簽2之間的區(qū)域?yàn)榄h(huán)形透明材料區(qū)域，環(huán)形超高頻電子標(biāo)簽2的兩側(cè)外表也為透明材料所覆蓋。圖2所示，是圖I中沿A-A結(jié)剖視的放大結(jié)構(gòu)示意圖，在圖2中可看到，光盤(pán)I由上子光盤(pán)Ia和下子光盤(pán)Ib兩張子光盤(pán)粘合構(gòu)成；在上子光盤(pán)Ia內(nèi)側(cè)的非數(shù)據(jù)區(qū)域，設(shè)有一個(gè)環(huán)形電子標(biāo)簽槽4，在該環(huán)形電子標(biāo)簽槽4中粘貼有環(huán)形的超高頻電子標(biāo)簽2。以上結(jié)構(gòu)的內(nèi)嵌式光盤(pán)超高頻電子標(biāo)簽的制作方法包括以下步驟( I)根據(jù)要求將超高頻電子標(biāo)簽2制成環(huán)狀；(2)在一張O. 6mm厚的上子光盤(pán)Ia中心孔3外側(cè)的非數(shù)據(jù)區(qū)域中，光盤(pán)Ia數(shù)據(jù)區(qū)域的內(nèi)側(cè)的非數(shù)據(jù)區(qū)域中，制作出深度和寬度與環(huán)狀超高頻電子標(biāo)簽相應(yīng)的環(huán)形標(biāo)簽槽4，該槽的深度一般為O. Imm ；(3)將環(huán)狀超高頻電子標(biāo)簽2通過(guò)粘膠粘貼到環(huán)形標(biāo)簽槽4中；(4)在粘貼有環(huán)形標(biāo)簽2的上子光盤(pán)Ia面和另一下子光盤(pán)Ib的相對(duì)面上，均勻涂上粘膠，并將兩面對(duì)齊相互粘連得光盤(pán)I。上述結(jié)構(gòu)的光盤(pán)，是環(huán)形的超高頻電子標(biāo)簽2被牢固封裝的光盤(pán)內(nèi)部的帶RFID電子防偽功能的光盤(pán)。經(jīng)測(cè)試，該光盤(pán)具有良好的無(wú)線識(shí)別性能，用超高頻桌面式讀寫(xiě)器，可以在IOcm范圍內(nèi)輕松讀取電子標(biāo)簽2內(nèi)的信息和數(shù)據(jù)，起到易識(shí)別，高級(jí)別防偽的作用。
權(quán)利要求1.一種內(nèi)嵌式光盤(pán)超高頻電子標(biāo)簽，它包括光盤(pán)及其中心孔，其特征在于在所述光盤(pán)(I)中心孔(3)外側(cè)的非數(shù)據(jù)區(qū)域中，鑲嵌有環(huán)狀的超高頻電子標(biāo)簽(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)嵌式光盤(pán)超高頻電子標(biāo)簽，其特征在于所述的光盤(pán)(I)包括兩張粘合的子光盤(pán)(Ia和Ib)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的內(nèi)嵌式光盤(pán)超高頻電子標(biāo)簽，其特征在于所述的兩張子光盤(pán)(la、Ib)的厚度均為O. 6mm。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種內(nèi)嵌式光盤(pán)超高頻電子標(biāo)簽，它包括光盤(pán)及其中心孔，其特征在于在所述光盤(pán)中心孔外側(cè)的非數(shù)據(jù)區(qū)域中，鑲嵌有環(huán)狀的超高頻電子標(biāo)簽。該超高頻電子標(biāo)簽被牢固封裝在兩片光盤(pán)中，用超高頻桌面式讀寫(xiě)器，可以在10cm范圍內(nèi)輕松讀取電子標(biāo)簽中的相關(guān)數(shù)據(jù)，具有良好的無(wú)線識(shí)別性能和防偽功能。而且，使光盤(pán)擁有光亮的外表，若要替換該電子標(biāo)簽，則必需撬開(kāi)兩張子光盤(pán)，而撬開(kāi)這兩張子光盤(pán)，這光盤(pán)也就爛了。所以，難以存在被替換的風(fēng)險(xiǎn)。從而大大提高了識(shí)別和防偽性，為維護(hù)正版光盤(pán)的權(quán)利，打擊盜版行為作出了應(yīng)有的貢獻(xiàn)。
文檔編號(hào)G11B23/40GK202523409SQ20122018636
公開(kāi)日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2012年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月27日
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