光學信息記錄媒質(zhì)及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供不需要初始化且在高密度記錄下的信號品質(zhì)良好的光學信息記錄媒質(zhì)。光學信息記錄媒質(zhì)具備通過光束的照射而記錄信息的記錄膜(4)。該記錄膜(4)含有Ge、Bi及50at％以上的Te且具有第一記錄膜部(411)及第二記錄膜部(412)和中間記錄膜部(413)，其中，第一記錄膜部(411)沿面方向形成且Bi的含量在15at％以上；第二記錄膜部(412)在光束照射的一側(cè)沿面方向形成且Bi的含量比第一記錄膜部(411)少10at％以上；中間記錄膜部(413)用于使第一記錄膜部(411)與第二記錄膜部(412)之間在膜厚方向上的Bi的含量的變化得以緩和，且設(shè)置在第一記錄膜部(411)與第二記錄膜部(412)之間，并且Bi的含量比第二記錄膜部(412)的Bi的含量多、且比第一記錄膜部(411)的Bi的含量少。
【專利說明】光學信息記錄媒質(zhì)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及通過光束的照射能夠?qū)π畔⑿盘栠M行記錄/再生的光學信息記錄媒質(zhì)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對于在基板上形成的氧屬元素材料等的薄膜照射激光而進行局部性的加熱，根據(jù)照射條件的差異，可以使之在光學常數(shù)(折射率η、消光系數(shù)k)不同的非晶質(zhì)相和結(jié)晶相之間發(fā)生相位變化。這一點已是眾所周知的，作為應用這一現(xiàn)象的所謂相變式光學信息記錄媒質(zhì)，可重寫型的數(shù)字多用途光盤(DVD)、藍光光碟(BD)等廣泛普及。
[0003]在具有相變式記錄層的光學信息記錄媒質(zhì)中，通過在至少2個功率級間對應信息信號而調(diào)制激光器輸出功率、且照射到記錄層上，可以一邊消除現(xiàn)存的信號、一邊同時記錄新的信號。通常，就相變式記錄層而言，在通過濺射等的手段而被形成的時刻是非晶質(zhì)狀態(tài)，通過進行激光退火等的初始化而使之結(jié)晶化，以此作為初始狀態(tài)。對于該記錄層，通過照射高功率的激光而加熱/急冷至熔點以上，成為作為記錄狀態(tài)的非晶質(zhì)相，通過照射低功率的激光而加熱/徐冷至結(jié)晶化溫度以上，成為作為消去狀態(tài)的結(jié)晶相。
[0004]上述的初始化，需要專用的光拾波器和聚焦伺服機構(gòu)等的專用高價的裝置，從量產(chǎn)性的觀點出發(fā)優(yōu)選能夠省略。另外，由于初始化后記錄層結(jié)晶化而收縮，所以尤其在基材薄的情況下就容易妨礙穩(wěn)定生產(chǎn)。對此，在專利文獻I中公開了:通過作為記錄層的襯底設(shè)置結(jié)晶化促進層，而使成膜后的記錄層為結(jié)晶相的狀態(tài)，就不需要初始化。
[0005]先行技術(shù)文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:特開2001-209970號公報
[0008]但是，在專利文獻I中，結(jié)晶化促進層與記錄層鄰接，可以說是兩層記錄層成為一體的狀態(tài)，在激光照射時作為一體而被記錄消去。因此，以期望的線速度進行了記錄消去后的特性、和在成膜時以結(jié)晶狀態(tài)形成記錄層之并立困難的情況存在。例如，通過追加結(jié)晶化促進層而使與記錄層為一體的結(jié)晶化速度過剩，雖然記錄的消去容易進行，但進行記錄變難。即，在期望的線速度下的記錄/消去中無法獲得充分的特性。若為了對此加以彌補而使記錄層成為結(jié)晶化速度慢的組成，則相反地在成膜時無法以結(jié)晶狀態(tài)形成，就需要初始化。如此，在以期望的線速度進行記錄/消去時的特性、和在成膜時以結(jié)晶狀態(tài)形成記錄層之間，會發(fā)生權(quán)衡。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本公開解決上述課題，提供一種不需要初始化且信號品質(zhì)良好的光學信息記錄媒質(zhì)及其制造方法。
[0010]為了解決同上述課題，本公開的光學信息記錄媒質(zhì)，具備通過光束的照射而記錄信息的記錄膜。該記錄膜含有Ge、Bi及50at%以上的Te,且具有第一記錄膜部及第二記錄膜部和一個或多個中間記錄膜部，所述第一記錄膜部沿面方向形成且Bi的含量為15at%以上；所述第二記錄膜部在光束被照射側(cè)沿面方向形成，且比第一記錄膜部的Bi含量少10at%以上；所述一個或多個中間記錄膜部，用于使第一記錄膜部與第二記錄膜部之間的在膜厚方向上的Bi含量的變化得以緩和，且設(shè)置在第一記錄膜部與第二記錄膜部之間，并且Bi的含量比第二記錄膜部的Bi的含量多、且比第一記錄膜部的Bi的含量少。
[0011]據(jù)此，能夠提供不需要初始化且信號品質(zhì)良好的光學信息記錄媒質(zhì)。
[0012]在上述光學信息記錄媒質(zhì)中，優(yōu)選記錄膜的Bi的含量在膜厚方向階段性性地變化。
[0013]由此，能夠提供不需要初始化且信號品質(zhì)良好的光學信息記錄媒質(zhì)。
[0014]在上述光學信息記錄媒質(zhì)中，優(yōu)選中間記錄膜部從第一記錄膜部側(cè)朝向第二記錄膜部側(cè)而Bi的含量連續(xù)地變少。
[0015]由此，能夠提供不需要初始化且信號品質(zhì)良好的光學信息記錄媒質(zhì)。
[0016]在上述光學信息記錄媒質(zhì)中，優(yōu)選還具備:基材；在基材與記錄膜之間所述配置的反射膜；在反射膜與記錄膜之間所述配置的緩沖膜；在緩沖膜的配置有基材的一側(cè)的相反側(cè)所形成的保護膜，記錄膜的被光束照射的一側(cè)是緩沖膜側(cè)。
[0017]由此，能夠提供不需要初始化且信號品質(zhì)良好的光學信息記錄媒質(zhì)。
[0018]在上述光學信息記錄媒質(zhì)中，優(yōu)選基材在其表面上具有:用于為了進行信息的記錄再生所照射的光束的跟蹤引導而設(shè)置的、間距為0.5μπι以下的凹槽。
[0019]由此，能夠提高記錄密度。
[0020]為了解決上述課題，本公開的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法，是制造上述光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法，其中，具備:Bi的含量最大和最小的相差10at%以上的至少三種以上的組成不同的記錄膜靶，分別由一個或多個陰極進行濺射，來制成記錄膜的記錄膜制作工序，在記錄膜制作工序中，使在表面要制作記錄膜的對象物，在各個記錄膜靶之上靜止對置而進行順次層疊。
[0021]由此，能夠提供不需要初始化且信號品質(zhì)良好的光學信息記錄媒質(zhì)。
[0022]為了解決上述課題，本公開的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法，是制造上述光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法，其中，具備:Bi的含量相差10at%以上的至少兩種以上的組成不同的記錄膜靶，分別由一個或多個陰極進行濺射，來制作所述記錄膜的記錄膜制作工序，在記錄膜制作工序中，使在表面要制作記錄膜的對象物，在兩種以上的組成不同的靶之上順次通過，在膜厚方向使組成變化。
[0023]由此，能夠提供不需要初始化且信號品質(zhì)良好的光學信息記錄媒質(zhì)。
[0024]為了解決上述課題，本公開的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法，是制造上述光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法，其中，具備:將Bi的含量相差10at%以上的至少兩種以上的組成不同的記錄膜靶加以接合后的一個接合靶，由一個陰極進行濺射，來制作記錄膜的記錄膜制作工序，在記錄膜制作工序中，使在表面要制作記錄膜的對象物，在所述兩種以上的組成不同的靶之上順次通過，在膜厚方向使組成變化。
[0025]由此，能夠提供不需要初始化且信號品質(zhì)良好的光學信息記錄媒質(zhì)。
[0026]根據(jù)本公開，能夠提供不需要初始化且在高密度記錄下的信號品質(zhì)良好的光學信息記錄媒質(zhì)及其制造方法?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0027]圖1是實施方式I的光學信息記錄媒質(zhì)的一個構(gòu)成例的剖面圖
[0028]圖2 (a)是實施方式I的光學信息記錄媒質(zhì)的記錄膜的一個構(gòu)成例的剖面圖
[0029]圖2 (b)是實施方式I的光學信息記錄媒質(zhì)的記錄膜的一個構(gòu)成例的剖面圖
[0030]圖2 (C)是實施方式I的光學信息記錄媒質(zhì)的記錄膜的一個構(gòu)成例的剖面圖
[0031]圖3(a)是實施方式I的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法的方式X的概略圖，(b)是實施方式I的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法的方式Y(jié)的概略圖，(C)是實施方式I的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法的方式Z的概略圖
[0032]圖4(a)是使用實施方式I的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法的方式X時的流程圖
[0033]圖4(b)是使用實施方式I的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法的方式Y(jié)時的流程圖
[0034]圖4(c)是使用實施方式I的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法的方式Z時的流程圖
[0035]圖5是實施方式I的變形例的光學信息記錄媒質(zhì)的構(gòu)成例的剖面圖
[0036]圖6是現(xiàn)有的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法的概略圖
【具體實施方式】
[0037]以下，一邊適宜參照附圖，一邊詳細地說明實施方式。但是，有省略過于詳細的說明的情況。例如，有省略已經(jīng)眾所周知的事項的詳細說明和對于實質(zhì)上相同構(gòu)成進行重復說明的情況。這是為了避免以下的說明不會過于冗長，使本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解。
[0038]還有，
【發(fā)明者】們?yōu)榱俗尡绢I(lǐng)域技術(shù)人員充分地理解本公開而提供附圖和以下的說明，但并非想要由此來限定權(quán)利要求的范圍所述的主題。
[0039](實施方式I)
[0040]以下，使用圖1?圖4，說明實施方式I。
[0041][1-1.構(gòu)成]
[0042]圖1是本公開的光學信息記錄媒質(zhì)的一個構(gòu)成例的局部剖面圖。
[0043]如圖1所示，本實施方式的光學信息記錄媒質(zhì)，在基材I上至少順次具備反射膜2、緩沖膜3、記錄膜4和保護膜5而被構(gòu)成。此外在其上，還能夠根據(jù)需要而設(shè)置由無機材料薄膜或樹脂等構(gòu)成的保護層。對于該光學信息記錄媒質(zhì)，從保護膜5的一側(cè)將激光6由物鏡7會聚、且進行照射而進行記錄再生。另外，在基材I的表面形成有跟蹤引導用的凹槽8。圖1是模式化表示的圖，為了明白易懂而變更膜厚等的比例尺。另外，就凹槽8而言，為了示出其形成位置而僅部分性地加以圖示。
[0044][1-1-1.基材的構(gòu)成]
[0045]就基材I的材料而言，能夠?qū)⒕厶妓狨渲⒓谆┧峒柞渲?、聚烯烴樹脂、降冰片烯系樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯樹脂、聚酰胺樹月旨、聚酰亞胺樹脂、紫外線固化性樹脂、玻璃、或使這些適宜組合的，作為基礎(chǔ)材料而加以使用。另外，基材I的厚度沒有特別限定，但能夠使用0.003?3.0mm左右的，能夠為圓板、長方形或帶狀等各種各樣的形狀。
[0046]在基材I的表面上所形成的激光6的跟蹤引導用的凹槽8的間距，為了提高記錄密度而優(yōu)選為0.5 μ m以下。[0047]另外，該凹槽8也可以在上述基礎(chǔ)材料上直接壓印由金屬材料或樹脂材料等構(gòu)成的凹槽圖案的主模而形成，也可以從涂布了紫外線固化性樹脂之后壓緊主模而照射紫外線光使之固化來形成。
[0048][1-1-2.反射膜的構(gòu)成]
[0049]作為反射膜2的材料，能夠使用Ag、Au、Al、Cu等的金屬或以其為基礎(chǔ)的合金，而其中特別是在藍色光波長域反射率高的Ag、Al或以其為基礎(chǔ)的合金被優(yōu)選。由此，在作為激光6使用藍紫激光的高密度記錄中，能夠得到更良好的信號品質(zhì)。作為對Ag或Al添加的元素，沒有特別限定，例如，以少量而防止凝集和粒徑微細化的效果高的Pd、Pt、N1、Ru、Au、Cu、Zn、Ga、In、S1、Ge、Sn、Sb、B1、Ca、Mg、Y、Nd、Sm、Tl、Cr、O、N、F、C、S、B 等是適宜的，其中，Pd、Cu、B1、Nd、Y、Ga、Cr、Ni效果更高，能夠使用其中的一個或多個元素。為了一邊發(fā)揮這樣的效果、同時也不會損害Ag或Al的高熱傳導率反射率，優(yōu)選添加元素相對于反射膜2全體為0.01at%以上、10at%以下的比例，更優(yōu)選為0.05at%以上、5at%以下的比例。
[0050][1-1-3.緩沖膜和保護膜的構(gòu)成]
[0051]作為緩沖膜3和保護膜5的材料，其優(yōu)選完全滿足以下條件的:(I)耐熱性高，且將記錄膜4加以保護而免受熱損傷；(2)與記錄膜4或反射膜2等鄰接的材料的密接性良好，且在高溫/高濕條件下也不會發(fā)生剝離、腐蝕和擴散等；(3)透明性高，且具有適度的折射率，并使記錄膜4的光學變化增強；(4)其自身熱穩(wěn)定，即使在高溫高濕下，粒徑和組成分布也不會發(fā)生變動，例如，其能夠使用S1-N、S1-0、S1-C, Ge-N, T1-N, Ti_0、Zr-0, Hf-O,Nb-O, Ta-O, Cr-N, Cr-0, Mo-N, Mo-0, Ga-N, Ga-O, Y-O, Al-0、C 或其混合物。其中，特別是在以 Ge-N、S1-N、S1-Ge-N 或 Zr-O 為基礎(chǔ)下添加有 Ti_N、Al-0、Cr-N, Cr-O 或 Y-0 等的，在耐濕性方面優(yōu)異。緩沖膜3和保護膜5的膜厚，例如優(yōu)選為2nm以上、50nm以下，更優(yōu)選為5nm以上、30nm以下。緩沖膜3和保護膜5的材料，也可以根據(jù)需要使用上述不同的材料/組成，也可以使用相同的材料/組成。
[0052][1-1-4.記錄膜的構(gòu)成]
[0053]就記錄膜4的材料而言，作為優(yōu)選，含有Ge、Bi和50at%以上的Te，且Bi的含量在緩沖膜3側(cè)為15at%以上、在保護膜5側(cè)比緩沖膜3側(cè)少5at%以上，并且在膜厚方向上至少按3階段以上使組成變化、或至少在其一部分連續(xù)地使組成變化。還有，Ge-B1-Te這樣的相變記錄材料，因為使GeTe和Sb2Te3這樣兩個化合物組成混合后的組成結(jié)晶化速度最快，而從該組成越偏離，結(jié)晶化速度越慢，越不適于實用上的記錄再生，所以Te的組成比例設(shè)定在50%以上、60%以下。
[0054]圖2(a)是表示在膜厚方向上3階段組成變化的記錄膜的局部剖面圖。圖2 (a)所示的記錄膜4，具有在面方向以層狀形成的第一記錄膜部401、中間記錄膜部403和第二記錄膜部402。此第一記錄膜部401、中間記錄膜部403和第二記錄膜部402，按此順序在膜厚方向上從緩沖膜3側(cè)形成，且在各個膜部使組成大致均勻地形成。而且，緩沖膜3側(cè)的第一記錄膜部401的Bi的含量為15at%以上，保護膜5側(cè)的第二記錄膜部402的Bi的含量比第一記錄膜部401少5at%以上。另外，在第一記錄膜部401和第二記錄膜部402之間所配置的中間記錄膜部403的Bi含量，比第二記錄膜部402的Bi含量多、且比第一記錄膜部401的Bi含量少。
[0055]如此，圖2(a)所示的記錄膜4，在膜厚方向上其組成以3階段變化。[0056]圖2(b)是表示在膜厚方向連續(xù)地組成變化的記錄膜的局部剖面圖。圖2(b)所示的記錄膜4，其組成從緩沖膜3側(cè)至保護膜5側(cè)在膜厚方向上連續(xù)地變化。例如，Bi的含量從緩沖膜3側(cè)至保護膜5側(cè)，沿膜厚方向連續(xù)地減少。于是，作為與緩沖膜3鄰接的部分的第一記錄膜部421的Bi的含量為15at %以上，作為與保護膜5鄰接的部分的第二記錄膜部422的Bi的含量，比與緩沖膜3鄰接的第一記錄膜部421少5at%以上。除去記錄膜4的第一記錄膜部421和第二記錄膜部422的部分，作為中間記錄膜部42表不。
[0057]另外，圖2(c)是表示在膜厚方向上其一部分連續(xù)地使組成變化的記錄膜的局部剖面圖。圖2(c)所示的記錄膜4，具有在面方向以層狀形成的第一記錄膜部411、中間記錄膜部413和第二記錄膜部412。這些第一記錄膜部411、中間記錄膜部413和第二記錄膜部412，按此順序在膜厚方向上從緩沖膜3側(cè)形成。而且，緩沖膜3側(cè)的第一記錄膜部411的Bi的含量為15at%以上，保護膜5側(cè)的第二記錄膜部412的Bi的含量比第一記錄膜部411少5at%以上。中間記錄膜部413的組成，從第一記錄膜部411的組成至第三記錄膜部412的組成為止在膜厚方向上連續(xù)地變化。另外，中間記錄膜部413的Bi的含量，比第二記錄膜部412的Bi的含量多、且比第一記錄膜部411的Bi的含量少。如此，在記錄膜4的膜厚方向，有組成是均勻的部分也可。另外，在圖2(c)的構(gòu)成中，使第一記錄膜部411和第二記錄膜部412的厚度變薄了的構(gòu)成，與圖2(b)的構(gòu)成對應。
[0058]通過這樣將膜厚方向的劇烈的組成變化加以緩和，能夠在記錄膜4整體上使成膜后的狀態(tài)為結(jié)晶相，還有且作為平均的組成可以成為具有適于期望的記錄線速度的結(jié)晶化速度之組成。就Ge、B1、Te以外的成分而言，出于結(jié)晶化速度、熱傳導率或光學常數(shù)等的調(diào)整，或者重復耐久性或環(huán)境可靠性提高等的目的，也可以使Sb、Sn、In、Ga、Zn、Cu、Ag、Au、Cr等的金屬，半金屬或半導體元素，或者從O、N、F、C、S、B等的非金屬元素中選擇的I個或多個元素，根據(jù)需要以10at%以下的比例適宜含有，更優(yōu)選以5at%以下的比例適宜含有。
[0059]記錄膜4的膜厚,優(yōu)選為4nm以上、20nm以下,更優(yōu)選為6nm以上、16nm以下。若記錄膜4比上述的膜厚要薄，則無法取得充分的反射率和反射率變化的情況、和難以結(jié)晶化的情況等發(fā)生，因此，C/N比和消去率的一方或雙方變低。另外，若比上述的膜厚要厚，則記錄膜4的薄膜面內(nèi)的熱擴散相對性地變大，因此記錄標記的輪廓不鮮明，C/N比變低。
[0060]上述的各薄膜，例如能夠通過真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、CVD (化學氣相沉積:Chemical Vapor Deposition)法、MBE(分子束外延:Molecular Beam Epitaxy)法等的氣相薄膜堆積法形成。還有，上述的各薄膜，可以通過俄歇電子能譜法、X射線光電子能譜法或二次離子質(zhì)量分析法等的方法(例如應用物理學會/薄膜.表面物理分科學會編“薄膜制作手冊”共立出版株式會社，1991年等)來調(diào)查各膜的材料和組成。
[0061][1-2.現(xiàn)有的制造方法]
[0062]首先，運用圖6對于現(xiàn)有的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法進行說明。圖6是表示現(xiàn)有的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法的概略的圖。如圖6所示，在形成記錄膜時，歷來采用的是方式W，使用組成A和B的各靶而在基材上層疊組成不同的兩層。
[0063]若詳細闡述，則在方式W中，將2個濺射靶、即組成A的靶100和組成B的靶101設(shè)有間隔地配置。然后，將基材102移動至與組成A的靶100對置的位置(S200)，在此位置靜止(S201)，由此進行組成A的記錄膜的成膜。接著，將基材I移動至與組成B的靶101對置的位置(S202)，在此位置靜止(S203)，由此進行組成B的記錄膜的成膜，為了下面的成膜，從該位置移動(S204)。如此進行濺射，從而形成由組成不同的兩層構(gòu)成的記錄膜。
[0064][1-3.本公開的制造方法]
[0065]接下來，對于本公開的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法進行說明。
[0066]圖3是表示本實施方式的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法的概略的圖。
[0067]相對于上述現(xiàn)有的方式W，在本公開中，使用圖3 (a)所示的方式X、圖3(b)所示的方式Y(jié)、圖3 (C)所示的方式Z來形成記錄膜。另外，圖4是本實施方式的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法的流程圖。圖4 (a)表示方式X的流程，圖4(b)表示方式X的流程，圖4 (c)表示方式X的流程。
[0068]還有，此方式X、方式Y(jié)、方式A與記錄膜制作工序的一例對應。
[0069]首先，如圖4(a)?(C)所示，在基材I上通過濺射等的已知的薄膜形成方法形成反射膜2(S1)。接著，在反射膜2上通過濺射等的已知的薄膜形成方法形成緩沖膜3(S2)。接著，使用以下順次說明的方式X、方式Y(jié)、方式Z的任意一種來形成記錄膜4。然后，在記錄膜4上通過濺射等的已知的薄膜形成方法來形成保護膜5(S5)。如此，本實施方式的光學信息記錄媒質(zhì)被制作完成。
[0070]以下，關(guān)于方式X、方式Y(jié)、方式Z在使用圖3和圖4下順次進行詳細說明。
[0071][1-3-1.方式 X]
[0072]如圖3(a)和圖4(a)所示，在方式X中，通過在方式W進一步追加組成C的靶，來使組成不同的3層得以層疊。
[0073]更詳細地說，在方式X中，將3個不同組成的濺射靶、即組成A的靶10和組成B的靶11和組成C的靶12設(shè)有間隔地配置。然后，使由濺射等形成有反射膜2和緩沖膜3的基材1，移動至與組成A的靶10對置的位置(SlO)，且使之在此位置靜止(S11)，進行濺射。由此，在緩沖膜3上形成有組成A的膜(與第一緩沖膜部401對應)。其次，停止濺射，從與組成A的靶10對置的位置至與組成B的靶11對置的位置為止進行基材I的移動(S12)。在此位置使之靜止(S13)，進行濺射，由此在緩沖膜3上形成組成B的膜(與第二緩沖膜部402對應)。接著，停止濺射，從與組成B的靶11對置的位置至與組成C的靶12對置的位置為止進行基材I的移動(S14)。在此位置使之靜止(S15)，進行濺射，由此在緩沖膜3上形成組成C的膜(與第三緩沖膜部403對應)，基材I從與組成C的靶12對置的位置被移動(S16)。
[0074]如此在方式X中，可制作圖2(a)所示這樣構(gòu)成的記錄膜4。
[0075][1-3-2.方式 Y]
[0076]如圖3(b)和圖4(b)所示，在方式Y(jié)中，使用組成A和B的各靶、且在其上使基材通過，由此在基材上層疊在膜厚方向上至少其一部分連續(xù)地組成變化的記錄膜。
[0077]更詳細地說，在方式Y(jié)中，將3個不同組成的濺射靶、即組成A的靶10和組成B的靶11設(shè)有間隔地配置。然后，在S20中，使由濺射等形成有反射膜2和緩沖膜3的基材1，在與組成A的靶10對置的位置通過、且持續(xù)地在與組成B的靶11對置的位置通過，由此在膜厚方向上至少其一部連續(xù)地組成變化的記錄膜被形成。
[0078][1-3-3.方式 Z]
[0079]如圖3(c)和圖4(c)所示，在方式Z中，使用將組成A和B加以接合了的一個靶，且在其上使基材通過，從而在基材上使在膜厚方向上至少其一部連續(xù)地組成變化的記錄膜被層疊。
[0080]更詳細地說，在方式Z中，配置有將組成A的靶10和組成B的靶11加以接合了的靶12。然后，在S30中，使基材I沿著組成A的靶10和組成B的靶11的配置方向，在靶12上移動，由此，在膜厚方向上至少其一部連續(xù)地組成變化的記錄膜被形成。
[0081]還有，就由方式Y(jié)、Z形成的記錄膜而言，根據(jù)組成A的靶10以及組成B的靶11的配置、大小和基材I的移動速度等，例如，成為圖2(b)所示的構(gòu)成和圖2(c)所示的構(gòu)成。
[0082]根據(jù)這些方式Χ、Υ或Ζ，與現(xiàn)有的方式W相比，膜厚方向的劇烈的組成變化得以緩和，能夠在記錄膜整體上使成膜后的狀態(tài)成為結(jié)晶相，而且作為平均的組成，可以成為具有適于期望的記錄線速度的結(jié)晶化速度之組成。
[0083]【實施例】
[0084]以下，通過實施例更具體地說明本公開，但以下的實施例不限定本公開。
[0085](實施例1)
[0086]作為基材,使用由聚碳酸酯樹脂構(gòu)成、直徑約12cm、厚度約1.1mm、且預先形成有凹槽間距0.32 μ m而凹槽深度約30nm的螺旋狀的凹槽的圓盤狀基材。在該基材的形成有凹槽的表面上，通過濺射法，順次層疊如下各層:使用Al靶形成膜厚約60nm的反射膜，使用Si3N4靶形成膜厚約1 5nm的緩沖膜，使用多個Ge-B1-Te靶形成膜厚約12nm的記錄膜，使用Si3N4靶形成膜厚約20nm的保護膜。
[0087]還有，就各薄膜而言，均使用在基材的搬送方向的長度為100mm、且在與之垂直的方向的寬度為200mm、并且厚度為IOmm左右的靶進行成膜。反射膜、緩沖膜和保護膜在I~4kff的范圍內(nèi)，記錄膜在100~600W的范圍內(nèi)，以能夠取得期望的膜厚和記錄膜的組成比率的方式調(diào)整濺射功率，均使用DC電源成膜。作為濺射氣體，無論哪層膜都流通Ar氣，且使其分壓適度地保持在0.2Pa，并且對于緩沖膜和保護膜進一步流通N2而進行適度氮化、且使其分壓以0.1Pa左右進行調(diào)整而進行成膜?；宓陌崴退俣龋?~6m/分的范圍，以能夠取得上述的期望的膜厚的方式進行調(diào)整。另外，使用方式X時所制作的第一記錄膜部401、中間記錄膜部403、第二記錄膜部402的各自的膜厚均等(約4nm)，由此，設(shè)定在靶間的移動速度和在靶上的靜止時間等。
[0088]進行記錄膜以(表1)所示的各種方式和組成進行成膜，且制成了本公開的實施例和比較例的各盤。
[0089][表 I]
【權(quán)利要求】
1.一種光學信息記錄媒質(zhì)，其特征在于，具備通過光束的照射而記錄信息的記錄膜， 所述記錄膜含有Ge、Bi和50at%以上的Te，且具有第一記錄膜部及第二記錄膜部和一個或多個中間記錄膜部， 所述第一記錄膜部沿面方向形成且Bi的含量為15at%以上； 所述第二記錄膜部在所述光束照射的一側(cè)沿面方向形成，且Bi的含量比所述第一記錄膜部少10at%以上； 所述一個或多個中間記錄膜部，用于使所述第一記錄膜部與所述第二記錄膜部之間的在膜厚方向上的Bi的含量的變化得以緩和，且設(shè)置在所述第一記錄膜部與所述第二記錄膜部之間，并且Bi的含量比所述第二記錄膜部的Bi的含量多、且比所述第一記錄膜部的Bi的含量少。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學信息記錄媒質(zhì)，其中， 所述記錄膜的Bi的含量在膜厚方向階段性地變化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學信息記錄媒質(zhì)，其中， 所述中間記錄膜部從所述 第一記錄膜部側(cè)朝向所述第二記錄膜部側(cè)而Bi的含量連續(xù)地變少。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學信息記錄媒質(zhì)，其中，還具備: 基材； 反射膜，其配置在所述基材與所述記錄膜之間； 緩沖膜，其配置在所述反射膜與所述記錄膜之間； 保護膜，其在所述緩沖膜的配置有所述基材的一側(cè)的相反側(cè)形成， 所述記錄膜的被所述光束照射的一側(cè)，是所述緩沖膜側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學信息記錄媒質(zhì)，其中， 所述基材在其表面上具有:用于為了進行信息的記錄再生所照射的光束的跟蹤引導而設(shè)置的、間距0.5μπι以下的凹槽。
6.一種光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法，是制造權(quán)利要求2所述的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法，其中，具備: Bi的含量最大和最小的相差10at%以上的至少三種以上的組成不同的記錄膜靶，分別由一個或多個陰極進行濺射，來制成所述記錄膜的記錄膜制作工序， 在所述記錄膜制作工序中，使在表面要制作所述記錄膜的對象物，在各個記錄膜靶之上靜止對置而進行順次層疊。
7.一種光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法，是制造權(quán)利要求3所述的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法，其中，具備: Bi的含量相差10at%以上的至少兩種以上的組成不同的記錄膜靶，分別由一個或多個陰極進行濺射，來制作所述記錄膜的記錄膜制作工序， 在所述記錄膜制作工序中，使在表面要制作所述記錄膜的對象物，在所述兩種以上的組成不同的靶之上順次通過，在膜厚方向使組成變化。
8.一種光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法，是制造權(quán)利要求3所述的光學信息記錄媒質(zhì)的制造方法，其中，具備: 將Bi的含量相差10at%以上的至少兩種以上的組成不同的記錄膜靶加以接合后的一個接合靶，由一個陰極進行濺射，來制作所述記錄膜的記錄膜制作工序， 在所述記錄膜制作工序中，使在表面要制作所述記錄膜的對象物，在所述兩種以上的組成不同的靶之上順次通過，在膜厚方向使組成變化。
【文檔編號】G11B7/2433GK103650043SQ201280034328
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月30日
【發(fā)明者】北浦英樹 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社