在可編程元件不被信任的情況下的存儲(chǔ)器管芯的自禁用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了用于在存儲(chǔ)器管芯上的用于指示存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的可編程元件不可信任的情況下將儲(chǔ)器管芯自動(dòng)地自禁用的技術(shù)。給存儲(chǔ)器管芯提供了能夠禁用特定的存儲(chǔ)器管芯的芯片啟用電路系統(tǒng)。如果可編程元件可信任，那么將可編程元件的狀態(tài)提供給芯片啟用電路系統(tǒng)以基于該狀態(tài)啟用/禁用存儲(chǔ)器管芯。然而，如果可編程元件不可信任，那么芯片啟用電路系統(tǒng)可以自動(dòng)地禁用存儲(chǔ)器管芯。因?yàn)榫哂胁豢尚湃蔚目删幊淘拇鎯?chǔ)器管芯的封裝仍然可以使用，所以這針對(duì)多芯片存儲(chǔ)器封裝提供了更高的產(chǎn)量。
【專利說明】在可編程元件不被信任的情況下的存儲(chǔ)器管芯的自禁用
【背景技術(shù)】
[0001]基于半導(dǎo)體的存儲(chǔ)器(包括易失性存儲(chǔ)器(例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或者靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)以及非易失性存儲(chǔ)器(例如閃存存儲(chǔ)器))由于在各種電子設(shè)備中的使用而變得更受歡迎。例如，非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器被用于蜂窩電話、數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、移動(dòng)計(jì)算設(shè)備、非移動(dòng)計(jì)算設(shè)備以及其他設(shè)備中。電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)(包括閃存EEPROM以及電可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM))是最受歡迎的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器之
一。[0002]如大多數(shù)存儲(chǔ)設(shè)備一樣，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備可能存在有缺陷的組成部分或者存儲(chǔ)區(qū)域。例如，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器陣列的單個(gè)存儲(chǔ)元件或者存儲(chǔ)單元可能有缺陷。另外，用于存儲(chǔ)器陣列的電路系統(tǒng)(包括字線、位線、解碼器等)可能有缺陷，同樣，與呈現(xiàn)(rendering)相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)元件也可能有缺陷。
[0003]有些缺陷管理方案依賴于用冗余存儲(chǔ)單元來替換被確定為有缺陷的主存儲(chǔ)單元。在例如圖1中描繪的通常的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造工藝過程中，在形成存儲(chǔ)器設(shè)備的封裝存儲(chǔ)器芯片之前進(jìn)行晶片級(jí)測(cè)試12。晶片可以包括成百上千個(gè)存儲(chǔ)器芯片，其中每一個(gè)可以包括存儲(chǔ)器陣列和外圍組件，例如用于訪問陣列的存儲(chǔ)單元的控制電路和邏輯電路。在晶片級(jí)測(cè)試12的過程中，對(duì)存儲(chǔ)器芯片的功能性進(jìn)行測(cè)試，以使得無需將有缺陷的組件集成到封裝的設(shè)備中。晶片級(jí)測(cè)試經(jīng)常在升高和/或降低的溫度(例如85°C和/或_30°C)下進(jìn)行，以確保極端條件下的功能性并且確保在電路受到應(yīng)力之后的功能性。可以用來自芯片的冗余存儲(chǔ)單元來替換未能通過功能性測(cè)試的存儲(chǔ)單元?？梢愿鶕?jù)要制造的存儲(chǔ)器的類型采用不同的冗余方案。例如，可以替換單個(gè)存儲(chǔ)單元，可以替換存儲(chǔ)單元的整個(gè)列或者整個(gè)位線，或者可以替換存儲(chǔ)單元的整個(gè)塊。
[0004]晶片級(jí)測(cè)試12之后，晶片被分成單個(gè)存儲(chǔ)器芯片并且一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器芯片被封裝14以形成存儲(chǔ)器設(shè)備。接著，封裝的存儲(chǔ)器設(shè)備經(jīng)過預(yù)燒(burn-1n)工藝16以對(duì)芯片的存儲(chǔ)器陣列和外圍電路系統(tǒng)施加應(yīng)力。預(yù)燒通常在比晶片級(jí)測(cè)試還要高的溫度(例如125°C)下進(jìn)行。對(duì)每個(gè)芯片的各種部分施加高電壓以對(duì)較弱的元件施加應(yīng)力并且進(jìn)行識(shí)別。預(yù)燒工藝的應(yīng)力條件被設(shè)計(jì)成使較弱的設(shè)備故障，該故障可以之后在封裝級(jí)測(cè)試18的過程中檢測(cè)到。在某些制造工藝中，沒有進(jìn)行預(yù)燒。
[0005]封裝級(jí)測(cè)試通常包括各種功能性測(cè)試以確定在預(yù)燒之后哪個(gè)單元有缺陷。近年來，將例如反熔絲的技術(shù)結(jié)合到制造工藝中，以使得可以用來自存儲(chǔ)器芯片的冗余存儲(chǔ)器來替換在預(yù)燒后被發(fā)現(xiàn)有缺陷的存儲(chǔ)單元。
[0006]在有些情況下，封裝級(jí)測(cè)試18導(dǎo)致將整個(gè)存儲(chǔ)器芯片識(shí)別為有缺陷。例如，陣列的有缺陷的存儲(chǔ)單元的數(shù)目可能超過針對(duì)管芯的冗余容量或者某個(gè)外圍電路系統(tǒng)可能失效，從而使管芯不可用。
[0007]可以拒絕20有缺陷的存儲(chǔ)器管芯。然而，需要克服當(dāng)具有多個(gè)存儲(chǔ)器管芯的存儲(chǔ)器封裝中的一個(gè)存儲(chǔ)器管芯被拒絕時(shí)存在的問題?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0008]圖1是描述制造存儲(chǔ)器的常規(guī)方法的流程圖。
[0009]圖2是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的存儲(chǔ)器封裝的框圖。
[0010]圖3是描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的方法的流程圖。
[0011]圖4是描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式將存儲(chǔ)器管芯自禁用的方法的流程圖。
[0012]圖5是一個(gè)實(shí)施方式的可編程芯片啟用電路系統(tǒng)的一部分的電路圖。
[0013]圖6是用于存儲(chǔ)器管芯的選擇電路系統(tǒng)的框圖。
[0014]圖7是可編程芯片地址電路系統(tǒng)的一部分的電路圖。
[0015]圖8是描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式生成用于將有缺陷的存儲(chǔ)器管芯自禁用的控制信號(hào)的方法的流程圖。
[0016]圖9是非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]如本文中提到的，測(cè)試(例如封裝級(jí)測(cè)試)可以識(shí)別多管芯封裝中有缺陷的存儲(chǔ)器管芯。例如，管芯上的存儲(chǔ)器陣列的有缺陷的存儲(chǔ)單元的數(shù)目可能超過冗余容量或者某個(gè)外圍電路系統(tǒng)可能失效，從而使管芯不可用。在一個(gè)實(shí)施方式中，多管芯封裝中的存儲(chǔ)器管芯上的可編程元件存儲(chǔ)了對(duì)存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的指示。然而，在某些情況下可編程元件不可信任。例如，缺陷的本質(zhì)可以使包含該可編程元件的存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域不可信任。然而，本文公開的技術(shù)使具有這種有缺陷的管芯的多管芯封裝無論如何可以使用。在一個(gè)實(shí)施方式中，如果可編程元件在使用過程中不可信任，那么在通電復(fù)位(POR)時(shí)將存儲(chǔ)器管芯自禁用。因?yàn)楸緛砜赡苄枰粊G棄的多管芯封裝也可以被使用，所以這允許更大的產(chǎn)量。
[0018]在POR時(shí)，可以使用有缺陷的存儲(chǔ)器管芯上的電路系統(tǒng)來防止在現(xiàn)場(chǎng)使用有缺陷的存儲(chǔ)器管芯。例如，如果八個(gè)存儲(chǔ)器管芯中有七個(gè)存儲(chǔ)器管芯仍然可起作用，那么該存儲(chǔ)器封裝可以被裝運(yùn)。然而，有缺陷的存儲(chǔ)器管芯可能包含通過將存儲(chǔ)器管芯自禁用而防止有缺陷的存儲(chǔ)器管芯被使用的電路系統(tǒng)。例如，有缺陷的存儲(chǔ)器管芯具有電路系統(tǒng)，該電路系統(tǒng)在POR時(shí)撤消其芯片啟用信號(hào)。電路系統(tǒng)可以對(duì)存儲(chǔ)了對(duì)存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的指示的可編程元件進(jìn)行讀取。這種可編程元件的一個(gè)示例是有缺陷的存儲(chǔ)器管芯上的閃存存儲(chǔ)器中的一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)單元?？善鹱饔玫拇鎯?chǔ)器管芯也可以具有該電路系統(tǒng)和可編程元件。然而，在那種情況下可編程元件被設(shè)定成指示存儲(chǔ)器管芯可起作用。
[0019]如上所述，在有些情況下，指示存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的可編程元件不可信任。例如，正好包含了可編程元件的非易失性存儲(chǔ)的那一部分可能有缺陷。在有些實(shí)施方式中，在這種情況下，不是丟棄整個(gè)存儲(chǔ)器封裝，而是可以在POR時(shí)采取步驟以檢測(cè)可編程元件自身有缺陷并且在POR時(shí)將該存儲(chǔ)器管芯自動(dòng)地禁用。這可以允許產(chǎn)量的實(shí)質(zhì)增長(zhǎng)。例如，相當(dāng)大數(shù)目的存儲(chǔ)器封裝可能具有至少一個(gè)存儲(chǔ)器管芯，對(duì)該存儲(chǔ)器管芯正好是用于存儲(chǔ)對(duì)存儲(chǔ)器管芯有缺陷的指示的可編程元件不能被信任。然而，本文公開的實(shí)施方式卻能夠裝運(yùn)這種存儲(chǔ)器封裝。
[0020]一個(gè)實(shí)施方式包括以下內(nèi)容。在POR時(shí)(在現(xiàn)場(chǎng))，確定用于指示存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的可編程元件是否可信任。作為一個(gè)示例，對(duì)包含可編程元件的非易失性存儲(chǔ)的區(qū)域進(jìn)行校驗(yàn)和。然而，可以使用很多其他技術(shù)來確定可編程元件是否可信任。如果可編程元件不可信任，那么將提供給該存儲(chǔ)器管芯的“外部”芯片啟用信號(hào)撤消。因此，防止了該存儲(chǔ)器管芯在現(xiàn)場(chǎng)被使用。請(qǐng)注意，在有些實(shí)施方式中，外部芯片啟用信號(hào)對(duì)于封裝中的所有存儲(chǔ)器管芯是通用的。
[0021]另一方面，如果給定存儲(chǔ)器管芯上的可編程元件可信任，那么可以讀取可編程元件來確定是否使用該存儲(chǔ)器管芯。例如，如果可編程元件指示該存儲(chǔ)器管芯有缺陷，那么可以在POR時(shí)將存儲(chǔ)器管芯自禁用。在一個(gè)實(shí)施方式中，生成了將外部芯片啟用(在某種意義上，外部指可以給有缺陷的存儲(chǔ)器管芯提供)信號(hào)撤消的“內(nèi)部”芯片啟用信號(hào)(在某種意義上，內(nèi)部指可以在有缺陷的存儲(chǔ)器管芯內(nèi)部生成)。如果可編程元件指示該存儲(chǔ)器管芯沒有缺陷，那么在POR時(shí)不禁用該存儲(chǔ)器管芯。請(qǐng)注意，“不禁用該存儲(chǔ)器管芯”將被理解為意味著允許外部芯片啟用信號(hào)啟用存儲(chǔ)器管芯。
[0022]圖2示意性地示出了具有若干個(gè)單個(gè)存儲(chǔ)器管芯202和控制器210的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)200的一個(gè)實(shí)施方式。每個(gè)存儲(chǔ)器管芯是安裝在襯底或者印刷電路板204上的集成電路存儲(chǔ)器芯片或者管芯?？刂破?10也是安裝在其自己的印刷電路板224上的集成電路芯片或者管芯。這兩個(gè)印刷電路板可以安裝到第三印刷電路板(未示出)。在其他實(shí)施方式中，控制器和存儲(chǔ)器管芯可以安裝在同一個(gè)印刷電路板上。
[0023]每個(gè)存儲(chǔ)器管芯202包括由單個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元形成的非易失性存儲(chǔ)器陣列206。存儲(chǔ)器陣列可以包括但是不限于使用例如NAND和NOR架構(gòu)等架構(gòu)來布置的閃存存儲(chǔ)單元。存儲(chǔ)器管芯202分別包括用于尋址和控制其各自的存儲(chǔ)器陣列的外圍電路系統(tǒng)。存儲(chǔ)器系統(tǒng)中包括控制主機(jī)設(shè)備與單個(gè)存儲(chǔ)器管芯202之間的存儲(chǔ)器操作的控制器210?？刂破?10能夠地對(duì)系統(tǒng)的每個(gè)存儲(chǔ)器管芯獨(dú)立地尋址。存儲(chǔ)器系統(tǒng)中不必需要包括控制器。例如，有些實(shí)現(xiàn)可以使控制器功能性由主機(jī)設(shè)備(例如由基于標(biāo)準(zhǔn)處理器的計(jì)算系統(tǒng)的處理器)進(jìn)行處理。此外，多個(gè)存儲(chǔ)器管芯202可以在沒有控制器的情況下被封裝在單個(gè)封裝中并且隨后可以與其他封裝和控制器合并以形成存儲(chǔ)器系統(tǒng)。
[0024]每個(gè)存儲(chǔ)器管芯202包括兩組外部引出線或者引腳。每個(gè)管芯的第一組引出線216是一組設(shè)備選擇引腳。設(shè)備選擇引腳為存儲(chǔ)器設(shè)備提供針對(duì)封裝的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的唯一的芯片地址。每個(gè)管芯的設(shè)備選擇引腳連接到針對(duì)該管芯的一組接合焊盤214。在這個(gè)特定的配置中，每個(gè)存儲(chǔ)器管芯202具有連接到五個(gè)對(duì)應(yīng)的焊盤214的五個(gè)設(shè)備選擇引出線216。通過選擇性地將針對(duì)存儲(chǔ)器管芯的特定的焊盤接地，通過地址對(duì)存儲(chǔ)器管芯進(jìn)行配置成或者鍵合。可以為單個(gè)存儲(chǔ)器管芯提供針對(duì)焊盤的預(yù)定接地配置以向該單個(gè)存儲(chǔ)器管芯分配封裝內(nèi)的唯一的芯片地址。襯底204可以包括具有預(yù)定焊盤配置的支座。當(dāng)管芯被安裝到襯底時(shí)，從而將相應(yīng)的芯片地址分配給管芯。每個(gè)存儲(chǔ)器管芯將從應(yīng)用到焊盤的配置來確定其地址。設(shè)備選擇引腳將焊盤的接地配置提供給設(shè)備內(nèi)的選擇電路系統(tǒng)。當(dāng)設(shè)備被啟用時(shí)，選擇電路系統(tǒng)將控制器210提供的地址與接地配置進(jìn)行比較來確定其是否應(yīng)該選擇和處理請(qǐng)求。
[0025]在圖2中，假設(shè)接地表示邏輯‘0’并且圖中的‘X’描繪了接地焊盤，則給存儲(chǔ)器設(shè)備2分配了地址‘11’。給存儲(chǔ)器設(shè)備2分配了地址“10”，給存儲(chǔ)器設(shè)備3分配了地址“01”并且給存儲(chǔ)器設(shè)備4分配了地址“00”。如圖2所描繪的那樣，雖然示出了針對(duì)每個(gè)管芯的總共五個(gè)設(shè)備選擇引腳和接地焊盤，但是只需要由兩個(gè)焊盤對(duì)四個(gè)單個(gè)存儲(chǔ)器管芯進(jìn)行尋址。[0026]第二組引出線218是用于將每個(gè)存儲(chǔ)器管芯連接到通用設(shè)備總線220的設(shè)備總線引出線。設(shè)備總線220的第一端連接到控制器210并且其他端連接到單個(gè)存儲(chǔ)器管芯202中的每一個(gè)。設(shè)備總線引出線218的數(shù)目根據(jù)實(shí)現(xiàn)特別是根據(jù)系統(tǒng)中的相應(yīng)的總線的需求而變化。每個(gè)存儲(chǔ)器管芯連接到通用總線以接收并且響應(yīng)由控制器210發(fā)出的各種控制和地址命令。這樣，每個(gè)芯片具有從存儲(chǔ)器管芯之外接收外部芯片啟用信號(hào)的芯片啟用輸入。雖然在各種實(shí)施方式中，可以將控制線222看作設(shè)備總線220的一部分，但是控制線222被描繪成與設(shè)備總線220分離?？刂凭€222是主芯片啟用線?？梢皂憫?yīng)于由控制器210提供的主芯片啟用信號(hào)來啟用每個(gè)存儲(chǔ)器設(shè)備。響應(yīng)于該芯片啟用信號(hào)，每個(gè)設(shè)備將設(shè)備內(nèi)的一組輸入寄存器啟用。然而，請(qǐng)注意，在有些實(shí)施方式中，可以將該主(或者外部，在某種意義上，外部是指它是存儲(chǔ)器管芯的外部提供的)芯片啟用線撤消來將有缺陷的存儲(chǔ)器管芯禁用。例如，在有缺陷的存儲(chǔ)器管芯上可以生成內(nèi)部芯片啟用信號(hào)。
[0027]在設(shè)備啟用時(shí)，將芯片或者陣列地址從設(shè)備總線220上的控制器傳遞并且移位到每個(gè)設(shè)備處的寄存器中。每個(gè)設(shè)備中的選擇電路系統(tǒng)230將接收的陣列地址與由針對(duì)焊盤組214的接地的預(yù)定配置提供的唯一的地址進(jìn)行比較以確定是否要選擇存儲(chǔ)器設(shè)備。如果選擇存儲(chǔ)器設(shè)備，那么針對(duì)存儲(chǔ)器管芯的控制電路系統(tǒng)將通過從陣列讀取數(shù)據(jù)或者將數(shù)據(jù)寫入陣列來處理請(qǐng)求。
[0028]每個(gè)存儲(chǔ)器管芯的設(shè)備總線引出線218在封裝內(nèi)被內(nèi)部地捆綁在一起。例如，弓丨出線可以分別連接到通用接合焊盤。當(dāng)管芯被封裝在一起時(shí)，物理地改變內(nèi)部線路來斷開壞的管芯可能就不可能或者不現(xiàn)實(shí)。另外，針對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)器管芯的接合焊盤214可以在封裝時(shí)被固定。作為封裝工藝的一部分，應(yīng)用焊盤的預(yù)定配置并且將存儲(chǔ)器管芯經(jīng)由設(shè)備選擇引腳進(jìn)行連接。一旦管芯被封裝，就不能改變用于固定的焊盤接合的配置。在有些情況下，在檢測(cè)管芯故障之前固定芯片啟用和設(shè)備選擇引腳。
[0029]在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)存儲(chǔ)器管芯202具有用于存儲(chǔ)對(duì)存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的指示的可編程元件I。雖然可編程元件I可以位于存儲(chǔ)器陣列206的外部，但是在圖2的實(shí)施方式中，可編程元件I處在存儲(chǔ)器陣列206中。在一個(gè)實(shí)施方式中，可編程元件I處在用于存儲(chǔ)配置參數(shù)的存儲(chǔ)器陣列206的一部分中。例如，該區(qū)域可以存儲(chǔ)例如用于對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程和讀取的電壓等參數(shù)。
[0030]而且，即使可編程元件I不可信任，也仍然可以裝運(yùn)多管芯存儲(chǔ)器封裝。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，如果在POR時(shí)確定可編程元件I不可信任，那么將存儲(chǔ)器管芯禁用。在一個(gè)實(shí)施方式中，如果可編程元件I不可信任，那么針對(duì)單個(gè)存儲(chǔ)器管芯的內(nèi)部芯片啟用信號(hào)能夠?qū)⒋鎯?chǔ)器管芯自禁用。
[0031]圖2的實(shí)施方式中的每個(gè)存儲(chǔ)器管芯的控制電路系統(tǒng)包括將存儲(chǔ)器管芯與控制線222上提供的主(例如外部)芯片啟用信號(hào)進(jìn)行隔離的電路242。圖2的實(shí)施方式中的每個(gè)存儲(chǔ)器管芯的控制電路系統(tǒng)也包括替換由接地焊盤組提供的唯一的地址或者對(duì)該唯一的地址重新編程的電路240。雖然電路240和電路242描繪成與每個(gè)存儲(chǔ)器管芯的相應(yīng)的選擇電路系統(tǒng)230分離，但是可以將這些電路包括作為選擇電路系統(tǒng)的一部分。
[0032]可以使用多種類型的可編程元件來存儲(chǔ)對(duì)針對(duì)特定的存儲(chǔ)器管芯的芯片啟用信號(hào)重新編程所需要的數(shù)據(jù)。如以上所述的示例，可編程元件I可以是存儲(chǔ)器陣列206的一些區(qū)域?？删幊淘蘒可以是一些類型的熔絲電路系統(tǒng)。因?yàn)槿劢z電路系統(tǒng)是在設(shè)備封裝之后被編程，所以熔絲電路系統(tǒng)在其封裝的狀態(tài)下應(yīng)該是可寫的。
[0033]ROM熔絲可以特別適于后封裝編程，因?yàn)樗鼈冊(cè)诔尚凸に嚭头庋b工藝之后能夠被寫入。例如，一些電可編程熔絲利用傳統(tǒng)的可編程非易失性存儲(chǔ)器元件來存儲(chǔ)邏輯狀態(tài)下的數(shù)據(jù)。通常，在設(shè)備封裝之前和之后都可以對(duì)電可編程熔絲進(jìn)行訪問和編程。在使用可編程熔絲的一個(gè)實(shí)施方式中，可以使用用于存儲(chǔ)器管芯的存儲(chǔ)單元的主陣列的一部分。這樣，指示存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的可編程元件可以存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器陣列206中的某處。
[0034]然而，請(qǐng)注意，可以將其他類型的設(shè)備用于可編程元件I。例如，可以使用包括包括未編程的、高電阻狀態(tài)或者編程的、低電阻狀態(tài)的兩個(gè)邏輯狀態(tài)之一的反熔絲元件的ROM熔絲。ROM陣列或者寄存器中的未編程的反熔絲鏈路可以具有數(shù)量級(jí)為千兆歐姆的電阻，并且編程的反熔絲鏈路可以具有數(shù)量級(jí)為幾百歐姆的電阻。為了對(duì)常規(guī)的反熔絲進(jìn)行編程，施加高電壓信號(hào)以將鏈路從其初始的高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換成其編程的、低電阻狀態(tài)。這用來存儲(chǔ)邏輯數(shù)據(jù)的單個(gè)位。
[0035]同樣，可以提供可編程芯片地址。當(dāng)多芯片配置中的故障管芯在封裝之后被檢測(cè)到故障時(shí)可以將失效管芯隔離。在故障管芯將針對(duì)存儲(chǔ)器系統(tǒng)的連續(xù)的地址范圍中斷處，可以經(jīng)由可編程芯片地址對(duì)封裝內(nèi)的其他管芯重新尋址以提供除了失效管芯之外的連續(xù)的地址范圍。
[0036]針對(duì)可編程芯片地址電路系統(tǒng)240的一個(gè)或更多個(gè)熔絲可以針對(duì)其相應(yīng)的存儲(chǔ)器管芯進(jìn)行存儲(chǔ)和提供替換的唯一地址。在圖2中，每個(gè)唯一的芯片地址由單獨(dú)地對(duì)四個(gè)存儲(chǔ)器管芯尋址的兩個(gè)位組成，以使得可以使用兩個(gè)熔絲來分配替換地址?？梢允褂玫谌劢z來存儲(chǔ)指示是否應(yīng)該使用由熔絲提供的地址來代替來自焊盤接合的標(biāo)準(zhǔn)地址的值。例如，可以通過對(duì)第三熔絲進(jìn)行編程以激活用于代替芯片地址的芯片地址電路系統(tǒng)來對(duì)存儲(chǔ)器管芯芯片地址重新編程。響應(yīng)于第三熔絲被設(shè)定成其編程狀態(tài)，可以將由前兩個(gè)熔絲存儲(chǔ)的邏輯值提供給選擇電路系統(tǒng)以代替來自焊盤接合的設(shè)備選擇引腳上提供的唯一的地址。例如，處于初始的狀態(tài)的熔絲可以對(duì)應(yīng)于邏輯‘0’并且處于其編程狀態(tài)的熔絲可以對(duì)應(yīng)于邏輯‘I’。如果設(shè)定第三熔絲，那么提供來自前兩個(gè)熔絲的值作為對(duì)選擇電路系統(tǒng)的輸入以代替焊盤接合地址。
[0037]圖3中示出了制造非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備的工藝，由此將存儲(chǔ)器管芯配置成在某個(gè)條件下在通電復(fù)位時(shí)自動(dòng)地將自身禁用?？梢赃M(jìn)行將對(duì)存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的指示存儲(chǔ)在可編程元件中的嘗試。然而，存儲(chǔ)器管芯可以被配置成如果可編程元件不可信任，那么在POR時(shí)將自身禁用。而且，存儲(chǔ)器管芯也可以被配置成假如可編程元件可信任，那么響應(yīng)于可編程元件的狀態(tài)，在POR時(shí)將自身禁用。
[0038]在步驟302針對(duì)半導(dǎo)體晶片組進(jìn)行晶片級(jí)測(cè)試，每個(gè)半導(dǎo)體晶片組通常具有若干個(gè)不可分割的存儲(chǔ)器陣列管芯，該若干個(gè)不可分割的存儲(chǔ)器陣列管芯包括存儲(chǔ)器陣列和用于控制存儲(chǔ)器陣列的外圍電路系統(tǒng)。在晶片級(jí)測(cè)試之后，在步驟304，晶片的單個(gè)存儲(chǔ)器管芯被分割并且被封裝。在步驟304，可以封裝單個(gè)芯片封裝、多芯片封裝(在二者具有控制器芯片的情況下以及在二者不具有控制器芯片的情況下)?？梢允褂酶鞣N各樣的封裝配置。管芯通常安裝在具有單面或者雙面蝕刻的導(dǎo)電層的襯底上。在管芯和一個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電層之間形成電連接，一個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電層提供用于將管芯集成到電子系統(tǒng)中的電引線結(jié)構(gòu)。
[0039]在步驟306，作為在管芯和一個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電層之間形成電連接的一部分，將每個(gè)存儲(chǔ)器陣列的芯片啟用引腳連接到主芯片啟用線或者通用總線，以從控制器或者主機(jī)設(shè)備接收外部芯片啟用信號(hào)。在步驟308，對(duì)針對(duì)每個(gè)芯片的設(shè)備選擇引腳的連結(jié)焊盤組應(yīng)用預(yù)定配置，由此向每個(gè)芯片分配其自己的唯一的芯片地址。如圖3的示例所示，所選擇的引腳可以被配置成接地焊盤以定義地址。給一些管芯提供了例如可以連接到引線框的電引線的管芯上的連結(jié)焊盤以定義唯一的芯片地址。一旦管芯和襯底之間的電連接形成，則該組件通常被包裹在模制化合物中以提供保護(hù)性封裝。
[0040]在步驟310可以進(jìn)行先前針對(duì)圖1所描述的可選的預(yù)燒工藝以對(duì)封裝(包括一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器陣列、外圍電路系統(tǒng)、控制器等)施加應(yīng)力。在步驟312，預(yù)燒之后，對(duì)封裝進(jìn)行測(cè)試?？梢詰?yīng)用多種類型的封裝級(jí)測(cè)試，包括通過例如檢測(cè)失效、短路等的位線和字線測(cè)試，針對(duì)讀、寫和數(shù)據(jù)保留的存儲(chǔ)單元測(cè)試，外圍電路系統(tǒng)測(cè)試等。在有些實(shí)施方式中，在步驟312，在封裝之后，單獨(dú)地或者按單個(gè)存儲(chǔ)器管芯的塊或者列等，使用冗余存儲(chǔ)單元來替換有缺陷的存儲(chǔ)單元。
[0041]如果沒有存儲(chǔ)器管芯被確定為有缺陷，那么在步驟316，處理結(jié)束并且封裝的設(shè)備以全容量輸送。如果一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器管芯有缺陷，那么在步驟318，進(jìn)行將對(duì)可編程元件I中有缺陷的指示進(jìn)行存儲(chǔ)的嘗試。如上所述，雖然可編程元件I也可以在存儲(chǔ)器陣列206的外部，但是可編程元件I可以是存儲(chǔ)器陣列206的一些區(qū)域。
[0042]在一個(gè)實(shí)施方式中，作為將設(shè)備參數(shù)寫入非易失性存儲(chǔ)器(例如閃存存儲(chǔ)器陣列)的某些部分的一部分進(jìn)行步驟318。例如，存儲(chǔ)器陣列206的區(qū)域可以專用于存儲(chǔ)各種設(shè)備參數(shù)(例如存儲(chǔ)單元應(yīng)該被寫入、被編程的電壓等)。因此存儲(chǔ)器陣列的這個(gè)區(qū)域不能由用戶寫入。這樣，可編程元件I可以是該區(qū)域中可編程元件I沒有被用戶重寫的機(jī)會(huì)的部分。
[0043]在一個(gè)實(shí)施方式中，在步驟318中，校驗(yàn)和或者散列和被寫入存儲(chǔ)器區(qū)域。可以使用任何校驗(yàn)和函數(shù)或者算法來生成校驗(yàn)和。在一個(gè)實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)被再讀取以確定是否成功地將存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域編程。在一個(gè)實(shí)施方式中，對(duì)于所寫入的實(shí)際數(shù)據(jù)的每個(gè)字節(jié)，寫入了實(shí)際數(shù)據(jù)的補(bǔ)充。每個(gè)字節(jié)及其補(bǔ)充可以被再次讀取并且被比較以確定存儲(chǔ)器是否被正確編程。
[0044]如果步驟318成功地將指示存儲(chǔ)到可編程元件中，那么在步驟322中，基于可編程元件的狀態(tài)對(duì)自禁用的電路系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試。請(qǐng)注意，可以使用步驟322來確定電路242是否正確地工作。在一個(gè)實(shí)施方式中，針對(duì)將可編程元件I成功地寫入的每個(gè)存儲(chǔ)器管芯進(jìn)行POR復(fù)位。在一個(gè)實(shí)施方式中，被標(biāo)記為有缺陷的存儲(chǔ)器管芯應(yīng)該在POR時(shí)自動(dòng)地自禁用。例如，這些存儲(chǔ)器管芯應(yīng)該撤消外部芯片啟用信號(hào)。另一方面，沒有被標(biāo)記為有缺陷的存儲(chǔ)器管芯不應(yīng)該在POR時(shí)自禁用。
[0045]請(qǐng)注意，在圖3的工藝之前，電路系統(tǒng)242可能已經(jīng)被添加到了每個(gè)存儲(chǔ)器管芯。例如，在用于制造每個(gè)存儲(chǔ)器管芯上的存儲(chǔ)器陣列和外圍電路的同一半導(dǎo)體制造工藝的過程中可能已經(jīng)添加了這種電路系統(tǒng)242。從而，在半導(dǎo)體制造工藝過程中，至少可以部分進(jìn)行對(duì)存儲(chǔ)器管芯上的電路系統(tǒng)242的配置以使得如果可編程元件不可信任則在POR時(shí)禁用存儲(chǔ)器管芯的步驟。
[0046]即使步驟318不能成功地對(duì)可編程元件I進(jìn)行寫入，工藝也仍將嘗試使用存儲(chǔ)器封裝。在步驟324中，可以進(jìn)行測(cè)試來驗(yàn)證在POR時(shí)存儲(chǔ)器管芯自禁用。在一個(gè)實(shí)施方式中，期望存儲(chǔ)器管芯檢查存儲(chǔ)各種參數(shù)的存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域以及可編程元件的有效性。如果該檢查指示該區(qū)域不可信任，那么期望存儲(chǔ)器管芯自禁用。因此，步驟324可以驗(yàn)證存儲(chǔ)器管芯正確地將自身進(jìn)行自禁用。請(qǐng)注意，可以使用步驟324來確定電路242是否正確地工作。
[0047]在使用過程中，每當(dāng)將存儲(chǔ)器封裝被通電，都可以經(jīng)過POR測(cè)試。POR測(cè)試的一部分可以確定應(yīng)該禁用哪個(gè)存儲(chǔ)器管芯。圖4是在POR時(shí)將有缺陷的存儲(chǔ)器管芯自禁用的工藝的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖。請(qǐng)注意，具有用于存儲(chǔ)對(duì)管芯是否有缺陷的指示的不可信任的可編程元件I的存儲(chǔ)器管芯可以在POR時(shí)自禁用。因此，包含具有這種不可信任的可編程元件I的一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器管芯的存儲(chǔ)器封裝仍然可以使用。因?yàn)榉駝t可能需要被丟棄的存儲(chǔ)器封裝仍然可以使用，所以這增加產(chǎn)量。
[0048]在步驟702中，將存儲(chǔ)器封裝的POR初始化。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)存儲(chǔ)器管芯經(jīng)過單獨(dú)的POR測(cè)試。將針對(duì)一個(gè)存儲(chǔ)器管芯對(duì)工藝進(jìn)行描述。
[0049]在步驟704中，確定用于存儲(chǔ)存對(duì)儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的指示的可編程元件I是否可信任。在一個(gè)實(shí)施方式中，可編程元件I是非易失性存儲(chǔ)中的一些區(qū)域。例如，可編程元件I可以是存儲(chǔ)器陣列206中的一個(gè)或更多個(gè)閃存存儲(chǔ)單元。閃存存儲(chǔ)器可以是NAND、NOR等。然而，不要求可編程元件I是閃存存儲(chǔ)器。
[0050]在一個(gè)實(shí)施方式中，步驟704包括確定存儲(chǔ)器管芯上的存儲(chǔ)器的非易失性存儲(chǔ)器區(qū)域是否通過功能性測(cè)試。在一個(gè)實(shí)施方式中，步驟704包括對(duì)存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域進(jìn)行校驗(yàn)和測(cè)試。作為一個(gè)示例，對(duì)存儲(chǔ)操作參數(shù)(例如讀取電壓、編程電壓等)以及包含用于指示存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的可編程元件的區(qū)域進(jìn)行校驗(yàn)和測(cè)試。
[0051]如果可編程元件不可信任，那么在步驟706中，將存儲(chǔ)器管芯禁用。在一個(gè)實(shí)施方式中，通過撤消芯片啟用信號(hào)來禁用存儲(chǔ)器管芯。步驟706可以包括生成在存儲(chǔ)器管芯的內(nèi)部并且將提供給如本文提到的存儲(chǔ)器管芯的“外部芯片啟用信號(hào)”撤消的“內(nèi)部芯片啟用信號(hào)”，外部芯片啟用信號(hào)對(duì)于存儲(chǔ)器管芯中的每一個(gè)存儲(chǔ)器管芯可以通用。圖5中描繪了用于生成將芯片啟用信號(hào)撤消的信號(hào)的示例電路。
[0052]如果可編程元件I可以信任，那么在步驟708中，讀取可編程元件以確定存儲(chǔ)器管芯是否被標(biāo)記為有缺陷。如果存儲(chǔ)器管芯被標(biāo)記為有缺陷，那么在步驟710中，將存儲(chǔ)器管芯禁用。例如，將外部芯片啟用信號(hào)撤消。
[0053]另一方面，如果可編程元件I指示存儲(chǔ)器管芯沒有缺陷，那么在步驟712中，不將存儲(chǔ)器管芯禁用。例如，允許外部芯片啟用信號(hào)通過從而可以啟用存儲(chǔ)器管芯。
[0054]圖5是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的可編程芯片啟用電路242的示意圖。通常，CE是主芯片啟用信號(hào)或者外部芯片啟用信號(hào)。主芯片啟用信號(hào)對(duì)于所有的存儲(chǔ)器管芯可以是通用的。在可編程元件I指示存儲(chǔ)器管芯有缺陷的情況下，生成信號(hào)CE_f0rce以撤消CE。然而，如本文中提到的，存儲(chǔ)標(biāo)記的可編程元件I有時(shí)不可信任。例如，存儲(chǔ)器陣列中的存儲(chǔ)芯片參數(shù)(并且包含可編程元件)的區(qū)域不可信任。在這種情況下，信號(hào)CE_f0rce不可信任。因此，在可編程元件I不可信任的情況下，可以生成信號(hào)CE_failsafe以撤消CE。元件408的輸出是內(nèi)部生成的芯片啟用信號(hào)CE_internal。
[0055]ROMRD定時(shí)信號(hào)被提供作為對(duì)門402的第一輸入。來自可編程元件I的數(shù)據(jù)信號(hào)(CE_R0M)被提供作為第二輸入。如果可編程元件I處于第一狀態(tài)，那么響應(yīng)于定時(shí)信號(hào)R0MRD，不啟用門402。也就是說，第一狀態(tài)指示存儲(chǔ)器管芯沒有缺陷。在各種實(shí)施方式中，可以在通電或者斷電時(shí)維護(hù)定時(shí)信號(hào)，例如，以使來自可編程元件I的數(shù)據(jù)被讀取。如果門402沒有被可編程元件I啟用，那么門輸出保持低電平(LOW)并且輸出CE_force保持低電平。例如，主(或者外部)芯片啟用信號(hào)被傳遞給如在下文中將要描述的圖6中的選擇電路系統(tǒng)。
[0056]如果可編程元件I處于第二狀態(tài)，那么當(dāng)發(fā)出ROMRD定時(shí)信號(hào)并且門402的輸出是高電平(HIGH)時(shí)，CE_R0M將是高電平。也就是說，第二狀態(tài)指示存儲(chǔ)器管芯有缺陷。當(dāng)門402的輸出成為高電平時(shí)，或(OR)門404的輸出成為高電平。響應(yīng)于定時(shí)信號(hào)i_RRD和o_RRD,觸發(fā)器406對(duì)來自或門的輸出的高電平值進(jìn)行采樣。接著，將采樣的高電平值提供作為輸出CE_force。
[0057]將輸出CE_force提供給具有來自芯片啟用引腳的外部芯片啟用信號(hào)CE的采樣值的或非(NOR)門408?？梢詫⑤斎刖彺鎱^(qū)(buffer)(未示出)用于采樣值。如果作為可編程元件I的狀態(tài)的結(jié)果CE_force成為高電平，那么或非門408的輸出是低電平。輸出被反相器410反相并且被提供作為內(nèi)部芯片啟用信號(hào)CE_internal。將高電平CE_internal輸出提供給反相器368,反相器368將低電平輸出提供給門362 (圖6)。這樣,將移位寄存器352禁用，從而導(dǎo)致將存儲(chǔ)器管芯禁用。
[0058]如上所述，在有些情況下，可編程元件I不可信任。在這種情況下，這意味著信號(hào)CE_force不可信任。因此，可以將信號(hào)CE_failsafe提供給或非門408以撤消外部芯片啟用信號(hào)CE。這樣，只要可編程元件I可信任，信號(hào)CE_failsafe就具有不影響或非門408的輸出的狀態(tài)。然而，如果可編程元件I不可信任，那么CE_failsafe的狀態(tài)就可以將外部芯片啟用信號(hào)CE撤消。作為一個(gè)示例，如果作為可編程元件I不可信任的結(jié)果，CE_failsafe成為高電平，那么或非門408的輸出是低電平。輸出被反相器410反相并且被提供作為內(nèi)部芯片啟用信號(hào)CE_internal。高電平的CE_interanl的輸出將被提供給反相器368,反相器368向門362提供低電平的輸出(圖6)。這樣，將移位寄存器352禁用，從而導(dǎo)致將存儲(chǔ)器管芯禁用。
[0059]請(qǐng)注意，在有些實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器管芯可以接收新的地址。圖6示意性地示出了 Iv實(shí)施方式中的選擇電路系統(tǒng)230。在圖6中，將可編程電路系統(tǒng)描繪成了選擇電路系
統(tǒng)230的一部分，但是不需要在所有的實(shí)現(xiàn)中都這樣。選擇電路系統(tǒng)通常包括移位寄存器352、比較器354、地址匹配鎖存器356以及S-R寄存器358。選擇電路系統(tǒng)具有來自設(shè)備選擇引腳216和包括芯片啟用線222的設(shè)備總線220的輸入。選擇電路系統(tǒng)具有對(duì)將它控制的設(shè)備(存儲(chǔ)器管芯)進(jìn)行選擇或者取消選擇的輸出DS。
[0060]比較器354和地址匹配鎖存器356實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器管芯的地址匹配。在圖6的示例中，將兩位地址從設(shè)備總線220的串行線路SO和SI移位到移位寄存器352中。在控制線P/D上攜帶了時(shí)鐘信號(hào)，控制線P/D通過由反相器368反相的主芯片啟用線222上的低電平信號(hào)被門啟用。在圖6中，主芯片啟用線222被示出為設(shè)備總線220的一部分。接著，將兩位唯一的芯片地址從移位寄存器352傳遞給比較器354。
[0061]在可編程芯片地址電路系統(tǒng)處于其初始狀態(tài)的情況下，比較器將從設(shè)備選擇引出線216獲得的唯一的芯片地址接收作為第二輸入。如前所述，由接地配置或者接合焊盤214的“鍵合”定義了針對(duì)陣列內(nèi)的每個(gè)位置的地址。例如，由于連接到板上的特定支座的存儲(chǔ)器管芯，由支座的焊盤定義的地址經(jīng)由設(shè)備選擇引出線被傳遞到存儲(chǔ)器設(shè)備上。[0062]比較器將串行線路SO和SI上接收的地址與設(shè)備選擇引腳上獲得的地址進(jìn)行比較。如果地址匹配，那么比較器輸出360成為高電平。該輸出通過芯片啟用線CE222上的芯片啟用信號(hào)的下降沿(未示出連接)被記時(shí)在地址匹配寄存器356中。這導(dǎo)致S-R寄存器358被設(shè)定成高電平，以使得輸出DS也是高電平并且設(shè)備被選擇。當(dāng)?shù)刂凡黄ヅ鋾r(shí)，DS將會(huì)是低電平并且設(shè)備沒有被選擇。
[0063]可以利用芯片啟用電路系統(tǒng)242將特定的存儲(chǔ)器管芯與封裝隔離。這可以通過將管芯與主芯片啟用線隔離以禁用存儲(chǔ)器管芯來完成，從而其保持未被選擇。在不禁用存儲(chǔ)器管芯的情況下，芯片啟用電路系統(tǒng)242簡(jiǎn)單地將經(jīng)由主芯片啟用線222接收的外部芯片啟用信號(hào)直接傳遞給反相器368以控制門362。選擇電路系統(tǒng)在其正常模式下工作，以使得芯片啟用信號(hào)啟用時(shí)鐘信號(hào)P/D來將串行線路SO和SI上的地址移位到移位寄存器352中。
[0064]如果可編程元件I不可信任或者可編程元件I指示存儲(chǔ)器管芯有缺陷，那么將相應(yīng)的存儲(chǔ)器管芯與芯片啟用線222隔離。門362被成為低電平的主芯片啟用信號(hào)啟用。相應(yīng)地，電路系統(tǒng)242可以在線370上驅(qū)動(dòng)高電平信號(hào)來代替通常將在其上被傳遞的芯片啟用信號(hào)。如上所述，如果存儲(chǔ)器管芯確定可編程元件I不可信任，那么電路系統(tǒng)242也可以在線370上驅(qū)動(dòng)高電平信號(hào)來代替通常在其上被傳遞的芯片啟用信號(hào)。以這種方式，不管由芯片啟用線上的主機(jī)還是控制器提供的外部芯片啟用信號(hào)如何，門都將保持關(guān)閉并且時(shí)鐘信號(hào)都將不能啟用移位寄存器352來接收串行線路SO和SI上的唯一的芯片地址。通過禁用輸入移位寄存器352，將相應(yīng)的存儲(chǔ)器管芯禁用，并且將獨(dú)立于芯片啟用信號(hào)而維持該狀況。
[0065]可以利用可編程設(shè)備選擇電路系統(tǒng)240來對(duì)針對(duì)封裝中的特定的存儲(chǔ)器管芯的唯一的芯片地址重新編程。當(dāng)可編程電路系統(tǒng)處于其初始的工作狀態(tài)時(shí)，將設(shè)備選擇輸入引腳連接到在其上直接將信號(hào)傳遞給比較器240的可編程設(shè)備選擇電路系統(tǒng)。第一熔絲可以存儲(chǔ)單個(gè)位以指示在設(shè)備選擇引腳上接收的芯片地址將要被撤消。當(dāng)維護(hù)該位時(shí)，可編程設(shè)備選擇電路系統(tǒng)向比較器354提供不同的唯一的地址，由此撤消由物理接合提供的芯片地址。使用與唯一的芯片地址中的位的數(shù)目對(duì)應(yīng)的若干個(gè)熔絲來提供不同的地址。例如，熔絲的初始電阻狀態(tài)可以對(duì)應(yīng)于邏輯‘0’并且編程的低電阻狀態(tài)可以對(duì)應(yīng)于邏輯‘1’，或者熔絲的初始電阻狀態(tài)可以對(duì)應(yīng)于邏輯‘I’并且編程的低電阻狀態(tài)可以對(duì)應(yīng)于邏輯‘O’?？梢赃x擇性地調(diào)節(jié)地址熔絲以存儲(chǔ)新的芯片地址。接著可編程電路系統(tǒng)會(huì)將總線364上的該地址提供給比較器。同樣，在封裝之后將用新的唯一的芯片地址給存儲(chǔ)器管芯重新編程。
[0066]圖7是一個(gè)實(shí)施方式中的可編程設(shè)備選擇電路系統(tǒng)240的示意圖。ROMRD定時(shí)信號(hào)和第一 ROM熔絲(被稱為選擇熔絲)的輸出被提供給門420。當(dāng)定時(shí)信號(hào)ROMRD成為高電平時(shí)，將來自可編程元件I的數(shù)據(jù)提供給門。在圖7中，如果可編程元件I不可信任或者如果指示存儲(chǔ)器管芯有缺陷，那么信號(hào)CADD_R0M可以是高電平。如果CADD_R0M是低電平，那么門420的輸出保持低電平并且觸發(fā)器424的輸出是低電平。如果CADD_R0M是高電平，那么門420的輸出成為高電平并且或門輸出422成為高電平。接著，響應(yīng)于定時(shí)信號(hào)i_RRD和o_RRD，觸發(fā)器424的輸出CADD_SEL成為高電平。
[0067]使用圖7中的電路系統(tǒng)的下面部分來選擇由焊盤接合提供的原始的芯片地址或者由可編程電路系統(tǒng)提供的編程的地址。第一復(fù)用器MUX1426接收針對(duì)芯片地址的第一位的兩個(gè)輸入CADDO_ori和CADDO_ROM。CADDO_ori是來自接合焊盤的針對(duì)芯片地址的第一位的信號(hào)。CADDO_ROM是來自第一 ROM熔絲的針對(duì)第一地址位的信號(hào)。第二復(fù)用器MUX2428接收針對(duì)芯片地址的第二位的兩個(gè)輸入CADDl_ori和CADD1_R0M。CADDl_ori是來自接合焊盤的針對(duì)芯片地址的第二位的信號(hào)。CADD1_R0M是來自第二 ROM熔絲的針對(duì)第二地址位的信號(hào)。如果對(duì)應(yīng)于用于可編程設(shè)備選擇電路系統(tǒng)的未編程的選擇ROM熔絲，CADD_SEL是低電平，那么從復(fù)用器提供原始的芯片地址。MUXl根據(jù)焊盤接合(CADD0_ori)提供對(duì)于芯片地址的第一位的輸出CADDO，MUX2根據(jù)焊盤接合(CADD2_ori)提供對(duì)于芯片地址的第二位的輸出CADD1。如果CADD_SEL是高電平，從而對(duì)應(yīng)于編程的元件I不可信任或者指示存儲(chǔ)器管芯有缺陷，那么提供來自ROM熔絲中的每一個(gè)ROM熔絲的編程的芯片地址。MUXl在輸出CADDO上提供來自第一地址ROM熔絲的CADD0_R0M值，MUX2在輸出CADDl上提供來自第二地址ROM熔絲的CADD1_R0M值。
[0068]圖5至圖7的示例性的實(shí)施方式利用兩位地址。相應(yīng)地，復(fù)用器接收兩個(gè)輸入,并且使用兩個(gè)ROM熔絲來替換芯片地址。如果針對(duì)芯片地址使用更多的位，那么可以使用附加的ROM熔絲用于附加的地址位。
[0069]圖8是生成啟用/禁用存儲(chǔ)器管芯的控制信號(hào)的工藝的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖。工藝可以在POR時(shí)由每個(gè)存儲(chǔ)器管芯進(jìn)行。在步驟802中，進(jìn)行校驗(yàn)和測(cè)試。這是圖4的步驟704的一個(gè)實(shí)施方式。校驗(yàn)和測(cè)試可以在存儲(chǔ)器管芯的存儲(chǔ)器陣列206的一些區(qū)域進(jìn)行。這可以是閃存存儲(chǔ)器陣列，例如NAND、N0R等。存儲(chǔ)器區(qū)域可以用于存儲(chǔ)操作參數(shù)。請(qǐng)注意，存儲(chǔ)器陣列的這個(gè)區(qū)域包含可編程元件I。因此，可編程元件I可以是一個(gè)或更多個(gè)閃存存儲(chǔ)單元。
[0070]在一個(gè)實(shí)施方式中，校驗(yàn)和測(cè)試按如下進(jìn)行。請(qǐng)注意，在該示例中，針對(duì)所寫入的實(shí)際數(shù)據(jù)的每個(gè)字節(jié)，寫了一個(gè)字節(jié)的補(bǔ)充。這樣，可以讀取用于存儲(chǔ)操作參數(shù)的存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域中的每個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。接著，將實(shí)際數(shù)據(jù)的每個(gè)字節(jié)與存儲(chǔ)其補(bǔ)充的字節(jié)進(jìn)行比較。請(qǐng)注意，可以進(jìn)行很多其他類型的校驗(yàn)和測(cè)試。如果存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域通過了校驗(yàn)和測(cè)試，那么可編程元件I可信任。否則，可編程元件I不可信任。請(qǐng)注意，在其他實(shí)施方式中，進(jìn)行了其他測(cè)試以確定可編程元件I是否可信任。
[0071]如果校驗(yàn)和測(cè)試失敗，那么確定可編程元件I不可信任。因此，在步驟806中生成了控制信號(hào)CE_f ail safe。例如，CE_failsafe被設(shè)定成高電平。參考圖5的電路對(duì)這個(gè)信號(hào)進(jìn)行過討論。請(qǐng)注意，CE_failsafe會(huì)撤消外部芯片啟用信號(hào)(CE)。這將有效地禁用存儲(chǔ)器管芯。在一個(gè)實(shí)施方式中，信號(hào)CADD_R0M也被設(shè)定成高電平(參見圖7)。
[0072]如果通過了校驗(yàn)和測(cè)試，那么在步驟808中，確定可編程元件I是否指示存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷。如上所述，在該實(shí)施方式中，可編程元件I可以處在被執(zhí)行了校驗(yàn)和測(cè)試的存儲(chǔ)器區(qū)域內(nèi)。請(qǐng)注意，在其他實(shí)施方式中，不要求可編程元件I是閃存存儲(chǔ)單元。
[0073]如果可編程元件I指示存儲(chǔ)器管芯有缺陷，那么在步驟810中生成控制信號(hào)CE_force0參考圖5對(duì)該信號(hào)進(jìn)行過討論。如上所述，信號(hào)CE_forCe將有效地撤消外部芯片啟用信號(hào)CE。還需要注意的是,在這種情況下不生成信號(hào)CE_failsafe。在一個(gè)實(shí)施方式中，信號(hào)CADD_R0M也被設(shè)定成高電平(參見圖7 )。
[0074]如果可編程元件I指示存儲(chǔ)器管芯沒有缺陷，那么在步驟812中不生成信號(hào)CE_force ο例如，將CE_force設(shè)定成低電平。還需要注意的是，在步驟812中不生成信號(hào)CE_fail safe ο例如，將CE_failsafe設(shè)定成低電平。因此，沒有撤消外部芯片啟用信號(hào)CE。因此，允許外部芯片啟用信號(hào)CE啟用存儲(chǔ)器管芯。在本文中，這被稱為“不禁用存儲(chǔ)器管芯”。也就是說，應(yīng)該理解的是通過不禁用存儲(chǔ)器管芯，外部芯片啟用信號(hào)CE控制存儲(chǔ)器管芯是否被啟用。在一個(gè)實(shí)施方式中，在步驟812中將信號(hào)CADD_ROM設(shè)定成低電平(參見圖7)。
[0075]圖9是如圖3中描繪的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的另一視圖，圖9示出了一些實(shí)現(xiàn)中可以包括的附加的組成部分。存儲(chǔ)器設(shè)備510包括一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器管芯或者芯片512。存儲(chǔ)器管芯512包括存儲(chǔ)單元206的二維陣列、控制電路系統(tǒng)520以及讀/寫電路530A和讀/寫電路530B。在一個(gè)實(shí)施方式中，各種外圍電路對(duì)存儲(chǔ)器陣列206的訪問以對(duì)稱的方式在陣列的相對(duì)側(cè)上實(shí)現(xiàn)，以使得每個(gè)側(cè)上的訪問線和電路系統(tǒng)的密度減少了一半。讀/寫電路530A和讀/寫電路530B包括允許存儲(chǔ)單元頁被并行地讀取或者編程的多個(gè)感應(yīng)塊550。存儲(chǔ)器陣列206可以通過字線經(jīng)由行解碼器540A和行解碼器540B以及通過位線經(jīng)由列解碼器542A和列解碼器542B進(jìn)行尋址。在通常的實(shí)施方式中，控制器544被包括在與一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器管芯512相同的存儲(chǔ)器設(shè)備510 (例如可移動(dòng)存儲(chǔ)卡或者封裝)中。命令和數(shù)據(jù)經(jīng)由線532在主機(jī)與控制器544之間進(jìn)行傳送以及經(jīng)由可以是設(shè)備總線220的線534在控制器與一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器管芯512之間進(jìn)行傳送。
[0076]控制電路系統(tǒng)520與讀/寫電路530A和讀/寫電路530B協(xié)同工作以在存儲(chǔ)器陣列206上進(jìn)行存儲(chǔ)器操作?？刂齐娐废到y(tǒng)210包括狀態(tài)機(jī)522、片上地址解碼器524以及電源控制模塊526。狀態(tài)機(jī)522提供存儲(chǔ)器操作的芯片級(jí)控制。片上地址解碼器524提供主機(jī)或者存儲(chǔ)器控制器使用的地址與解碼器540A、解碼器540B、解碼器542A和解碼器542B使用的硬件地址之間的地址接口。電源控制模塊526控制存儲(chǔ)器操作過程中對(duì)字線和位線的電源和電壓供應(yīng)。
[0077]在一個(gè)實(shí)施方式中，選擇電路系統(tǒng)230是控制電路系統(tǒng)520的一部分?？刂齐娐废到y(tǒng)可以形成狀態(tài)機(jī)的一部分或者可以是獨(dú)立的電路組成部分。同樣，電路系統(tǒng)240和電路系統(tǒng)242也可以包括在控制電路系統(tǒng)和狀態(tài)機(jī)中。請(qǐng)注意，存儲(chǔ)器陣列206可以包含可編程兀件I。
[0078]—個(gè)實(shí)施方式包括一種方法，該方法包括確定存儲(chǔ)器管芯上的用于指不存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的可編程元件是否可信任，并且如果可編程元件不可信任，那么將提供給該存儲(chǔ)器管芯的芯片啟用信號(hào)撤消。該存儲(chǔ)器管芯是存儲(chǔ)器封裝中的多個(gè)存儲(chǔ)器管芯中的第一存儲(chǔ)器管芯。
[0079]—個(gè)實(shí)施方式包括一種非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，該非易失性存儲(chǔ)設(shè)備包括多個(gè)存儲(chǔ)器管芯。每個(gè)存儲(chǔ)器管芯具有從存儲(chǔ)器管芯之外接收外部芯片啟用信號(hào)的芯片啟用輸入、用于存儲(chǔ)對(duì)存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的指示的可編程元件以及與芯片啟用輸入進(jìn)行通信的電路。如果可編程元件不可信任，那么電路撤消外部芯片啟用信號(hào)。
[0080]一個(gè)實(shí)施方式包括制造非易失性存儲(chǔ)的方法，該方法包括以下步驟。將多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器管芯封裝在存儲(chǔ)器封裝中。每個(gè)存儲(chǔ)器管芯具有用于存儲(chǔ)對(duì)存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的指示的可編程元件。確定存儲(chǔ)器封裝中的每個(gè)存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷。該確定是在將多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器管芯封裝在存儲(chǔ)器封裝中之后進(jìn)行的。確定針對(duì)每個(gè)單個(gè)存儲(chǔ)器管芯的可編程元件是否可信任。將對(duì)存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的指示存儲(chǔ)在可編程元件可信任的每個(gè)存儲(chǔ)器管芯的可編程元件中。存儲(chǔ)器管芯上的電路系統(tǒng)被配置成對(duì)于可編程元件不可信任的任何存儲(chǔ)器管芯，在通電復(fù)位時(shí)將該存儲(chǔ)器管芯禁用。請(qǐng)注意，該電路系統(tǒng)的配置可以在封裝之前進(jìn)行。存儲(chǔ)器管芯上的電路系統(tǒng)被配置成可編程元件可信任并且指示存儲(chǔ)器管芯有缺陷的任何存儲(chǔ)器管芯，在通電復(fù)位時(shí)撤消對(duì)存儲(chǔ)器管芯的芯片啟用信號(hào)。請(qǐng)注意，該電路系統(tǒng)的配置可以在封裝之前進(jìn)行。
[0081]一個(gè)實(shí)施方式包括非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，該非易失性存儲(chǔ)設(shè)備包括多個(gè)存儲(chǔ)器管芯。單個(gè)存儲(chǔ)器管芯具有一個(gè)或更多個(gè)閃存存儲(chǔ)器陣列、從存儲(chǔ)器管芯之外接收外部芯片啟用信號(hào)的芯片啟用輸入以及用于存儲(chǔ)對(duì)存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的指示的閃存存儲(chǔ)器區(qū)域。單個(gè)存儲(chǔ)器管芯也具有與芯片啟用輸入進(jìn)行通信的電路，該電路被配置成如果閃存存儲(chǔ)器區(qū)域未能通過功能性測(cè)試，那么在通電復(fù)位時(shí)撤消外部芯片啟用信號(hào)以禁用存儲(chǔ)器管
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[0082]出于例示和描述目的，已經(jīng)呈現(xiàn)了在前的實(shí)施方式的詳細(xì)描述。不是意在窮舉或?qū)⒈景l(fā)明限制為所公開的實(shí)施方式的精確形式。鑒于上面的教導(dǎo)，許多更改和變化是可能的。選擇所描述的實(shí)施方式，以最好地說明原則和其實(shí)際應(yīng)用，從而使得本領(lǐng)域其他技術(shù)人員最好地利用多種實(shí)施方式并且考慮適用于具體應(yīng)用的各種更改。本發(fā)明的范圍意在由所附權(quán)利要求限定。`
【權(quán)利要求】
1.一種方法，包括: 確定存儲(chǔ)器管芯上的用于指示所述存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的可編程元件是否能夠被信任(704)，所述存儲(chǔ)器管芯是存儲(chǔ)器封裝中的多個(gè)存儲(chǔ)器管芯中的第一存儲(chǔ)器管芯；以及 如果所述可編程元件不能夠被信任，則撤消提供給所述第一存儲(chǔ)器管芯的芯片啟用信號(hào)(706)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 如果所述可編程元件能夠被信任并且如果所述可編程元件指示所述存儲(chǔ)器管芯有缺陷，則撤消對(duì)所述第一存儲(chǔ)器管芯的所述芯片啟用信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述可編程元件是所述第一存儲(chǔ)器管芯上的存儲(chǔ)器區(qū)域，所述確定所述可編程元件是否能夠被信任包括: 確定所述第一存儲(chǔ)器管芯上的所述存儲(chǔ)器區(qū)域是否通過了功能性測(cè)試。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述確定所述第一存儲(chǔ)器管芯上的所述存儲(chǔ)器區(qū)域是否通過了功能性測(cè)試包括: 確定所述第一存儲(chǔ)器管芯上的所述存儲(chǔ)器區(qū)域是否通過了校驗(yàn)和測(cè)試。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其中，所述確定所述第一存儲(chǔ)器管芯上的所述存儲(chǔ)器區(qū)域是否通過了功能性測(cè)試是在通電復(fù)位時(shí)進(jìn)行的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述撤消所述芯片啟用信號(hào)包括生成在所述第一存儲(chǔ)器管芯內(nèi)部的內(nèi)部芯片啟用信號(hào)，所述內(nèi)部芯片啟用信號(hào)將提供給所述第一存儲(chǔ)器管芯的外部芯片啟用信號(hào)撤消。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括給所述多個(gè)存儲(chǔ)器管芯中的每一個(gè)存儲(chǔ)器管芯提供所述外部芯片啟用信號(hào)。
8.一種非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，包括: 多個(gè)存儲(chǔ)器管芯(202)，每個(gè)所述存儲(chǔ)器管芯具有: 從所述存儲(chǔ)器管芯之外接收外部芯片啟用信號(hào)的芯片啟用輸入(222); 用于存儲(chǔ)對(duì)所述存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的指示的可編程元件(I);以及 與所述芯片啟用輸入進(jìn)行通信的電路(242)，如果所述可編程元件不被信任，則所述電路撤消所述外部芯片啟用信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，如果所述可編程元件被信任并且所述可編程元件指示所述存儲(chǔ)器管芯有缺陷，則所述電路撤消所述外部芯片啟用信號(hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述多個(gè)存儲(chǔ)器管芯的芯片啟用輸入被電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述可編程元件是在成型工藝和封裝工藝之后能夠被寫入的ROM熔絲。
12.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述可編程元件是非易失性存儲(chǔ)區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述電路能夠通過確定所述非易失性存儲(chǔ)區(qū)域是否通過了功能性測(cè)試來確定所述可編程元件是否能夠被信任。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述電路能夠通過確定所述非易失性存儲(chǔ)區(qū)域是否通過了校驗(yàn)和測(cè)試來確定所述可編程元件是否能夠被信任。
15.一種非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，包括: 多個(gè)存儲(chǔ)器管芯(202)，每個(gè)所述存儲(chǔ)器管芯具有: 從所述存儲(chǔ)器管芯之外接收外部芯片啟用信號(hào)的芯片啟用輸入(222); 裝置(I )，用于存儲(chǔ)對(duì)所述存儲(chǔ)器管芯是否有缺陷的指示；以及 裝置(242)，用于如果所述可`編程元件不被信任，則撤消所述外部芯片啟用信號(hào)。
【文檔編號(hào)】G11C29/00GK103782345SQ201280038236
【公開日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2012年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月4日
【發(fā)明者】洛克·圖, 查爾斯·莫阿納·胡克, 尼·尼·泰因 申請(qǐng)人:桑迪士克技術(shù)有限公司