Sram存儲卡以及電壓監(jiān)視電路的制作方法
【專利摘要】SRAM存儲卡具備：監(jiān)視部，其經(jīng)由接點(diǎn)而對電池所產(chǎn)生的電源電壓進(jìn)行監(jiān)視，在所述接點(diǎn)的電位比閾值低的情況下，將警報(bào)信號設(shè)定為ON值，在所述接點(diǎn)的電位大于或等于所述閾值的情況下，將所述警報(bào)信號設(shè)定為OFF值，并經(jīng)由接口部而將所述警報(bào)信號輸出至裝置；檢測部，其經(jīng)由所述接口部而對所述裝置的所述電源的接通/斷開狀態(tài)進(jìn)行檢測；以及放電電路，其根據(jù)由所述檢測部所檢測的所述裝置的所述電源的接通/斷開狀態(tài)而對電容元件的第1電極所積蓄的電荷進(jìn)行放電。
【專利說明】SRAM存儲卡以及電壓監(jiān)視電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及SRAM存儲卡以及電壓監(jiān)視電路。

【背景技術(shù)】
[0002]由電池后備支持(backup)的SRAM (Static Random Access Memory)存儲卡可拆卸地安裝于PLC(Programmable Logic Controller)等裝置。如果SRAM存儲卡在安裝于裝置時(shí)從裝置接收數(shù)據(jù)，則將接收的數(shù)據(jù)作為備份用而保持。在該SRAM存儲卡中，如果電池的電壓比某電平低，則SRAM等的電路就無法保持?jǐn)?shù)據(jù)，存在數(shù)據(jù)消失的可能性。為了防止上述情況發(fā)生，由電池后備支持的SRAM存儲卡形成為，如果由電池電壓檢測電路檢測出電池電壓的下降，則將ON值的警報(bào)信號輸出至裝置，從裝置側(cè)進(jìn)行提示用戶更換電池的告知。如果該SRAM存儲卡振動(dòng)，則有時(shí)會瞬間地產(chǎn)生電池接觸不良，電池電壓檢測電路錯(cuò)誤地檢測出電池電壓的下降，誤輸出ON值的警報(bào)信號。為了防止該瞬間性的警報(bào)信號的誤輸出，在由電池后備支持的SRAM存儲卡中，與電池并聯(lián)地設(shè)置防振電路，在發(fā)生振顫(chattering)時(shí)，防振電路代替電池而將電壓供給至SRAM等的電路。
[0003]另一方面，在專利文獻(xiàn)I中記載有如下技術(shù)，即，在防振電路中，如果在外部開關(guān)接通時(shí)，對電容器的電壓和電阻所分壓的電壓進(jìn)行比較的比較器的輸出反轉(zhuǎn)，則基極與比較器的輸出連接的NPN晶體管接通，通過電流反射鏡將其發(fā)射極電流供給至與電容器的兩端連接的NPN晶體管的基極。由此，根據(jù)專利文獻(xiàn)1，由于快速地將電容器放電，因此能夠防止在電容器的閾值附近發(fā)生振顫。
[0004]在專利文獻(xiàn)2中記載有如下技術(shù)，即，在除振電路中，如果在對開關(guān)進(jìn)行接通操作后，具有遲滯特性的逆變器的輸入節(jié)點(diǎn)的電位從高電位下降至作為中間電位的第2電平，則逆變器的輸出從低電位反轉(zhuǎn)為高電位，晶體管進(jìn)行接通動(dòng)作，將與逆變器的輸入節(jié)點(diǎn)連接的電容器快速放電，其中，該晶體管的基極與逆變器的輸出側(cè)連接，集電極與逆變器的輸入節(jié)點(diǎn)連接，發(fā)射極與接地電位連接。另外，如果在對開關(guān)進(jìn)行斷開操作后，逆變器的輸入節(jié)點(diǎn)的電位從低電位上升至作為中間電位的第I電平，則逆變器的輸出從高電位反轉(zhuǎn)為低電位，晶體管進(jìn)行接通動(dòng)作，將與逆變器的輸入節(jié)點(diǎn)連接的電容器快速充電，其中，該晶體管的基極與逆變器的輸出側(cè)連接，集電極與逆變器的輸入節(jié)點(diǎn)連接，發(fā)射極與電源電位連接。由此，根據(jù)專利文獻(xiàn)2，由于將電容器快速充電/放電，因此，即使在振顫現(xiàn)象長時(shí)間持續(xù)的情況下，也不會使電容器成為滿充電，能夠可靠地去除振顫信號。
[0005]在專利文獻(xiàn)3中記載有如下技術(shù)，即，在小型電子設(shè)備的電源電路中，將電池脫落信號、接通/斷開信號以及電壓檢測器的輸出信號的邏輯積輸入至晶體管的基極，其中，該電池脫落信號是如果電池從電源安裝部脫落則變?yōu)椤癏”電平的信號，該接通/斷開信號是與電源開關(guān)的接通狀態(tài)對應(yīng)而變?yōu)椤癏”電平的信號，該電壓檢測器的輸出信號是在Vcc端子的電壓供給電平達(dá)到CPU的可動(dòng)作電壓的狀態(tài)下變?yōu)椤癏”電平的信號，該晶體管的集電極與Vcc端子連接，發(fā)射極與GND端子連接。由此，根據(jù)專利文獻(xiàn)3，在電池從電源安裝部脫落的情況下，由于設(shè)備電路內(nèi)的電容器中的積蓄電荷從Vcc端子向GND端子進(jìn)行放電，因此，不會由于電容器的積蓄電荷而使得CPU誤動(dòng)作，能夠事先預(yù)防存儲器損壞等問題的發(fā)生。
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開平4 - 145715號公報(bào)
[0007]專利文獻(xiàn)2:日本實(shí)開平5 - 46122號公報(bào)
[0008]專利文獻(xiàn)3:日本實(shí)開平4 - 86052號公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]專利文獻(xiàn)I及專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)，不存在與電池相關(guān)的任何記載，不存在與電池的安裝狀態(tài)的誤檢測相關(guān)的任何記載，也不存在與如何降低電池的消耗電力相關(guān)的任何記載。即使假設(shè)專利文獻(xiàn)I所記載的恒電流源及專利文獻(xiàn)2所記載的直流電源是電池，但在專利文獻(xiàn)I及專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)中，以始終進(jìn)行電容器的充電/放電為前提，難于抑制來自電容器的每單位時(shí)間的放電量，難于降低電池的消耗電力。
[0010]另外，對于專利文獻(xiàn)3所記載的技術(shù)，由于以能夠正確地檢測出電池是否安裝在電源安裝部為前提，因此不存在與電池的安裝狀態(tài)的誤檢測相關(guān)的任何記載。另外，對于專利文獻(xiàn)3所記載的技術(shù)，由于是與減少當(dāng)電池從電源安裝部脫落時(shí)的CPU的誤動(dòng)作相關(guān)的技術(shù)，因此幾乎不存在關(guān)于電池被安裝后的狀態(tài)的記載，由此，也不存在與如何降低電池的消耗電力相關(guān)的任何記載。
[0011]本發(fā)明就是鑒于上述情況而提出的，其目的在于獲得一種SRAM存儲卡以及電壓監(jiān)視電路，能夠減少對電池未安裝時(shí)的電池的安裝狀態(tài)的誤檢測，能夠降低電池安裝時(shí)的電池的消耗電力。
[0012]為了解決上述課題、實(shí)現(xiàn)目的，本發(fā)明的I個(gè)側(cè)面涉及的SRAM存儲卡，其可拆卸地安裝于包括電源的裝置上，其特征在于，具有:接口部，其在所述SRAM存儲卡安裝于所述裝置的狀態(tài)下，所述裝置的所述電源接通的情況下，從所述裝置接收至少電源電壓；保持關(guān)聯(lián)電路，其接收電源電壓的供給，并進(jìn)行用于保持?jǐn)?shù)據(jù)的動(dòng)作；接點(diǎn)，其用于將產(chǎn)生電源電壓的電池電氣連接在所述保持關(guān)聯(lián)電路上；切換部，其以如下方式進(jìn)行切換，即，在所述裝置的所述電源為接通狀態(tài)的情況下，將所述接口部從所述裝置接收到的電源電壓供給至所述保持關(guān)聯(lián)電路，在所述裝置的所述電源為斷開狀態(tài)的情況下，經(jīng)由所述接點(diǎn)將所述電池所產(chǎn)生的電源電壓供給至所述保持關(guān)聯(lián)電路；防振電路，其包括電容元件，該電容元件具有與所述接點(diǎn)電氣連接的第I電極以及與基準(zhǔn)電位電氣連接的第2電極；監(jiān)視部，其經(jīng)由所述接點(diǎn)對所述電池所產(chǎn)生的電源電壓進(jìn)行監(jiān)視，在所述接點(diǎn)的電位比閾值低的情況下將警報(bào)信號設(shè)定為ON值，在所述接點(diǎn)的電位大于或等于所述閾值的情況下將所述警報(bào)信號設(shè)定為OFF值，經(jīng)由所述接口部而向所述裝置輸出所述警報(bào)信號；檢測部，其經(jīng)由所述接口部而對所述裝置的所述電源的接通/斷開狀態(tài)進(jìn)行檢測；以及放電電路，其根據(jù)由所述檢測部所檢測的所述裝置的所述電源的接通/斷開狀態(tài)，對所述電容元件的所述第I電極所積蓄的電荷進(jìn)行放電。
[0013]發(fā)明的效果
[0014]根據(jù)本發(fā)明，能夠在電池未安裝時(shí)的可能發(fā)生電池安裝狀態(tài)的誤檢測的情況下，進(jìn)行基于放電電路的放電，在電池未安裝時(shí)的不會發(fā)生電池安裝狀態(tài)的誤檢測的情況下，不進(jìn)行基于放電電路的放電。其結(jié)果，能夠減少電池未安裝時(shí)的電池的安裝狀態(tài)的誤檢測，能夠降低電池安裝時(shí)的電池的消耗電力。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是表示實(shí)施方式所涉及的SRAM存儲卡的結(jié)構(gòu)的圖。
[0016]圖2是表示實(shí)施方式的變形例所涉及的SRAM存儲卡的結(jié)構(gòu)的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0017]下面，基于附圖對本發(fā)明所涉及的SRAM存儲卡的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。此外，本發(fā)明并不限定于該實(shí)施方式。
[0018]實(shí)施方式.
[0019]如圖1所不，由電池20后備支持的SRAM(Static Random Access Memory)存儲卡I可拆卸地安裝于裝置AP。裝置AP是包括電源PS的裝置,例如是PLC (Programmable LogicController)等。
[0020]SRAM存儲卡I在安裝于裝置AP時(shí)，由接口部10對從裝置AP輸入的控制信號、數(shù)據(jù)的地址、數(shù)據(jù)進(jìn)行接收。讀寫控制部90在控制信號中包括寫入命令的情況下，將由接口部10接收的數(shù)據(jù)向保持關(guān)聯(lián)電路40傳送并寫入至保持關(guān)聯(lián)電路40。保持關(guān)聯(lián)電路40接收電源電壓的供給并進(jìn)行用于保持?jǐn)?shù)據(jù)的動(dòng)作。保持關(guān)聯(lián)電路40包括SRAM存儲器陣列及其外圍電路(IC等)等。例如，讀寫控制部90按照寫入命令，將數(shù)據(jù)寫入與數(shù)據(jù)的地址對應(yīng)的SRAM存儲器陣列內(nèi)的地址中?；蛘撸x寫控制部90在控制信號包括讀取命令的情況下，從保持關(guān)聯(lián)電路40讀取數(shù)據(jù)并經(jīng)過接口部10而將數(shù)據(jù)發(fā)送至裝置AP。
[0021]在SRAM存儲卡I中，在裝置AP的電源PS接通的情況下，以從裝置AP供給的電源電壓進(jìn)行動(dòng)作，進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入/讀取。即，對于接口部10，在將SRAM存儲卡I安裝于裝置AP的狀態(tài)下，在裝置AP的電源PS接通的情況下，接收來自裝置AP的電源電壓，在裝置AP的電源PS斷開的情況下，不接收來自裝置AP的電源電壓。
[0022]在SRAM存儲卡I中，在裝置AP的電源PS為斷開狀態(tài)的情況下，為待機(jī)狀態(tài)，保持關(guān)聯(lián)電路40以來自電池20的電源電壓進(jìn)行數(shù)據(jù)的保持。即，切換部30根據(jù)裝置AP的電源PS的接通/斷開狀態(tài)，而將針對保持關(guān)聯(lián)電路40的供給電壓源切換為來自裝置AP的電源/內(nèi)部的電池20。具體而言，切換部30以如下方式進(jìn)行切換，即，在裝置AP的電源PS為接通狀態(tài)的情況下，將接口部10從裝置AP接收的電源電壓經(jīng)過線路L1、連接節(jié)點(diǎn)N1、以及線路L3而供給至保持關(guān)聯(lián)電路40，在裝置AP的電源PS為斷開狀態(tài)的情況下，將電池20所產(chǎn)生的電源電壓經(jīng)由接點(diǎn)21而經(jīng)過電阻22、連接節(jié)點(diǎn)N2、線路L2、連接節(jié)點(diǎn)N1、以及線路L3而供給至保持關(guān)聯(lián)電路40。
[0023]更具體而言，切換部30具有二極管31，該二極管31電氣連接在線路LI及線路L3的連接節(jié)點(diǎn)NI與線路L2之間，使得來自裝置AP的電源電壓和來自內(nèi)部的電池20的電源電壓不會相互干涉。二極管31以從線路L2朝向連接節(jié)點(diǎn)NI的方向?yàn)檎虻姆绞蕉M(jìn)行連接。由此，切換部30能夠以簡單的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)如上所述的切換動(dòng)作。
[0024]利用切換部30的切換動(dòng)作，在裝置AP的電源PS為斷開狀態(tài)的情況下，將電池20所產(chǎn)生的電源電壓供給至保持關(guān)聯(lián)電路40，但如果電池20所產(chǎn)生的電源電壓比某電平低，則保持關(guān)聯(lián)電路40變得無法保持?jǐn)?shù)據(jù)，存在數(shù)據(jù)消失的可能性。為了防止上述情況，由電池20后備支持的SRAM存儲卡I具備對電池20的電壓進(jìn)行監(jiān)視且檢測出錯(cuò)誤的電壓監(jiān)視電路100。S卩，電壓監(jiān)視電路100的監(jiān)視部80經(jīng)由連接節(jié)點(diǎn)N2及電阻22而與接點(diǎn)21電氣連接。由此，監(jiān)視部80經(jīng)由接點(diǎn)21而對電池20所產(chǎn)生的電源電壓進(jìn)行監(jiān)視。監(jiān)視部80如果檢測出電池20所產(chǎn)生的電源電壓的下降，則經(jīng)過接口部10將ON值的警報(bào)信號輸出至裝置AP。
[0025]具體而言，監(jiān)視部80對接點(diǎn)21的電位和閾值進(jìn)行比較。閾值是相對于上述的保持關(guān)聯(lián)電路40將要無法保持?jǐn)?shù)據(jù)的“某電平”，將保持關(guān)聯(lián)電路40的動(dòng)作余量考慮在內(nèi)而預(yù)先通過實(shí)驗(yàn)確定的電位水平。監(jiān)視部80在接點(diǎn)21的電位比閾值低的情況下，當(dāng)作是檢測出電池20所產(chǎn)生的電源電壓的下降而將警報(bào)信號設(shè)定為ON值。監(jiān)視部80在接點(diǎn)21的電位大于或等于閾值的情況下，當(dāng)作未檢測出電池20所產(chǎn)生的電源電壓的下降而將警報(bào)信號設(shè)定為OFF值。監(jiān)視部80經(jīng)由接口部10而向裝置AP輸出警報(bào)信號。由此，在裝置AP中，確認(rèn)警報(bào)信號的值，只要警報(bào)信號的值為ON值，則能夠經(jīng)由告知部AL而進(jìn)行提示用戶將SRAM存儲卡I內(nèi)的電池20更換的告知?；诟嬷緼L進(jìn)行告知的方法能夠使用LED燈的點(diǎn)燈、報(bào)警音的輸出、向顯不器的消息的輸出、廣播語音的輸出等。
[0026]此時(shí)，如果SRAM存儲卡I振動(dòng)，則瞬間地產(chǎn)生電池20相對于接點(diǎn)21的接觸不良，監(jiān)視部80錯(cuò)誤地當(dāng)作檢測出電池20所產(chǎn)生的電源電壓的下降，將警報(bào)信號設(shè)定為ON值并向裝置AP輸出。為了防止該瞬間性的警報(bào)信號的誤輸出，SRAM存儲卡I具備與電池20并聯(lián)的防振電路60。
[0027]具體而言，防振電路60包括電容元件61。電容元件61具有第I電極61a以及第2電極61b。第I電極61a經(jīng)由連接節(jié)點(diǎn)N2以及電阻22而與接點(diǎn)21電氣連接。第2電極61b與基準(zhǔn)電位(例如，GND電位)電氣連接。電容元件61將與電池20所產(chǎn)生的電源電壓對應(yīng)的電荷積蓄于該第I電極61a,并保持與電池20所產(chǎn)生的電源電壓對應(yīng)的電壓。并且，電容元件61當(dāng)發(fā)生使電池20相對于接點(diǎn)21瞬間接觸不良的振顫時(shí)，代替電池20而向保持關(guān)聯(lián)電路40供給電源電壓。即，當(dāng)由于SRAM存儲卡I的振動(dòng)而產(chǎn)生電池20相對于接點(diǎn)21的瞬間接觸不良時(shí)，由防振電路60進(jìn)行電池20的后備支持，以不會通過監(jiān)視部80而錯(cuò)誤地將警報(bào)信號設(shè)定為ON值。
[0028]此時(shí)，考慮電池20未安裝、且裝置AP的電源PS為接通狀態(tài)的情況。在該情況下，在二極管31中流過從連接節(jié)點(diǎn)NI朝向連接節(jié)點(diǎn)N2的逆電流(漏電流)而將電荷充電(charge)至防振電路60的電容元件61的第I電極61a。如果在防振電路60的電容元件61積蓄有電荷，則即使在電池20未安裝的情況下，電容元件61也代替電池20而供給電源電壓。如果電池20未安裝，則由于電池20所產(chǎn)生的電源電壓為零，因此監(jiān)視部80應(yīng)該將警報(bào)信號設(shè)定為ON值并輸出至裝置AP，但是監(jiān)視部80由于接點(diǎn)21的電位大于或等于閾值，因而錯(cuò)誤地檢測為安裝有電池20，將警報(bào)信號設(shè)定為OFF值并輸出至裝置AP。為了防止該誤輸出，SRAM存儲卡I具有放電電路70，該放電電路70對在防振電路60的電容元件61的第I電極61a積蓄的電荷進(jìn)行放電。即，放電電路70對防振電路60的電容元件61的第I電極61a的電荷進(jìn)行放電，并使接點(diǎn)21的電位小于或等于閾值。
[0029]具體而言，放電電路70具有一端70a、另一端70b以及開關(guān)72。一端70a與電容元件61的第I電極61a電氣連接。另一端70b與基準(zhǔn)電位(例如，GND電位)電氣連接。開關(guān)72通過將一端70a及另一端70b電氣連接而使電容元件61的第I電極61a所積蓄的電荷向基準(zhǔn)電位進(jìn)行放電。
[0030]開關(guān)72例如具有場效應(yīng)型晶體管72a。對于場效應(yīng)型晶體管72a，其源極及漏極的一方與一端70a連接，另一方與另一端70b連接。場效應(yīng)型晶體管72a通過在激活電平(active level)的控制信號被供給至柵極時(shí)而接通,從而將一端70a及另一端70b電氣連接，使電容元件61的第I電極61a所積蓄的電荷向基準(zhǔn)電位進(jìn)行放電。
[0031]由此，在電池20未安裝的狀態(tài)(非接觸時(shí)間不是瞬間的情況)下，能夠抑制防振電路60進(jìn)行電池20的后備支持，能夠減少監(jiān)視部80對電池20的安裝狀態(tài)的誤檢測。
[0032]在此，本發(fā)明人進(jìn)行了研討，在SRAM存儲卡I中，電容元件61的第I電極61a所積蓄的電荷的放電無需始終進(jìn)行，如上所述，在電池20未安裝、且裝置AP的電源PS為接通狀態(tài)的情況下進(jìn)行即可。相反地，在裝置AP的電源PS為斷開狀態(tài)的情況下，由于既不流過如上所述的二極管31的逆電流，也不會發(fā)生對第I電極61a的充電，因此也無需從第I電極61a進(jìn)行電荷的放電?？梢哉J(rèn)為難于不經(jīng)由接點(diǎn)21的電位而檢測出電池20的安裝狀態(tài)，但能夠?qū)ρb置AP的電源PS的接通/斷開狀態(tài)進(jìn)行檢測。
[0033]根據(jù)如上所述的研討，本發(fā)明人想到在SRAM存儲卡I中應(yīng)該對裝置AP的電源PS的接通/斷開狀態(tài)進(jìn)行檢測。如前所述，對于接口部10，在將SRAM存儲卡I安裝于裝置AP的狀態(tài)下，當(dāng)裝置AP的電源PS接通時(shí)，接收來自裝置AP的電源電壓，當(dāng)裝置AP的電源PS斷開時(shí)，不接收來自裝置AP的電源電壓。即，通過對接口部10是否接收電源電壓進(jìn)行檢測，而能夠?qū)ρb置AP的電源PS的接通/斷開狀態(tài)進(jìn)行檢測。因此，接通/斷開檢測部50詢問接口部10，并根據(jù)該詢問結(jié)果，對裝置AP的電源PS的接通/斷開狀態(tài)進(jìn)行檢測。即，接通/斷開檢測部50經(jīng)由接口部10而對裝置AP的電源PS的接通/斷開狀態(tài)進(jìn)行檢測。
[0034]接通/斷開檢測部50在檢測出裝置AP的電源PS的接通狀態(tài)的情況下，生成非激活電平的控制信號并將其供給至開關(guān)72的控制端子，在檢測出裝置AP的電源PS的斷開狀態(tài)的情況下，生成激活電平的控制信號并將其供給至開關(guān)72的控制端子。
[0035]例如，接通/斷開檢測部50在檢測出裝置AP的電源PS的接通狀態(tài)的情況下，生成激活電平的控制信號并將其供給至場效應(yīng)型晶體管72a的柵極，在檢測出裝置AP的電源PS的斷開狀態(tài)的情況下，生成非激活電平的控制信號并將其供給至場效應(yīng)型晶體管72a的柵極。
[0036]接著，放電電路70根據(jù)由接通/斷開檢測部50所檢測的裝置AP的電源PS的接通/斷開狀態(tài)，對電容元件61的第I電極61a所積蓄的電荷進(jìn)行放電。
[0037]S卩，放電電路70的開關(guān)72在裝置AP的電源PS為接通狀態(tài)的情況下，接收來自接通/斷開檢測部50的激活電平的控制信號，并將一端70a及另一端70b電氣連接。由此，放電電路70對電容元件61的第I電極61a所積蓄的電荷向基準(zhǔn)電位進(jìn)行放電?；蛘?，放電電路70的開關(guān)72在裝置AP的電源PS為斷開狀態(tài)的情況下，接收來自接通/斷開檢測部50的非激活電平的控制信號，而將一端70a及另一端70b電氣斷開。由此，放電電路70不對電容元件61的第I電極61a所積蓄的電荷向基準(zhǔn)電位進(jìn)行放電。
[0038]例如，放電電路70的場效應(yīng)型晶體管72a在裝置AP的電源PS為接通狀態(tài)的情況下，由柵極接收來自接通/斷開檢測部50的激活電平的控制信號，從而將一端70a及另一端70b電氣連接。由此，放電電路70對電容元件61的第I電極61a所積蓄的電荷向基準(zhǔn)電位進(jìn)行放電?；蛘?，例如，放電電路70的場效應(yīng)型晶體管72a在裝置AP的電源PS為斷開狀態(tài)的情況下，由柵極接收來自接通/斷開檢測部50的非激活電平的控制信號，從而將一端70a及另一端70b電氣斷開。由此，放電電路70不對電容元件61的第I電極61a所積蓄的電荷向基準(zhǔn)電位進(jìn)行放電。
[0039]并且，放電電路70還具有電阻元件71，該電阻元件71在一端70a及另一端70b之間與開關(guān)72 (例如，場效應(yīng)型晶體管72a)串聯(lián)連接。該電阻元件71由于被串聯(lián)地插入放電路徑，因此通過預(yù)先適當(dāng)將其電阻值設(shè)定得較大，從而能夠?qū)Ψ烹婋娐?0的每單位時(shí)間的放電量進(jìn)行限制。
[0040]如上所述，在實(shí)施方式中，接通/斷開檢測部50經(jīng)由接口部10而對裝置AP的電源PS的接通/斷開狀態(tài)進(jìn)行檢測。放電電路70根據(jù)由接通/斷開檢測部50所檢測的裝置AP的電源PS的接通/斷開狀態(tài)，對電容元件61的第I電極61a所積蓄的電荷進(jìn)行放電。由此，能夠在電池未安裝時(shí)可能發(fā)生電池安裝狀態(tài)的誤檢測的情況下，進(jìn)行基于放電電路70的放電，在電池未安裝時(shí)不會發(fā)生電池安裝狀態(tài)的誤檢測的情況下，不進(jìn)行基于放電電路70的放電。其結(jié)果，能夠減少電池未安裝時(shí)的電池的安裝狀態(tài)的誤檢測，能夠降低電池安裝時(shí)的電池的消耗電力。
[0041]因此，由于能夠減少電池未安裝時(shí)的電池的安裝狀態(tài)的誤檢測，因此能夠提升SRAM存儲卡I的可靠性。另外，由于能夠降低電池安裝時(shí)的電池的消耗電力，因此能夠抑制電池壽命的變短。由此，能夠減少電池的更換頻率、能夠?qū)崿F(xiàn)保養(yǎng)容易的SRAM存儲卡。
[0042]另外，在實(shí)施方式中，放電電路70形成為，在裝置AP的電源PS為接通狀態(tài)的情況下，對電容元件61的第I電極61a所積蓄的電荷進(jìn)行放電，在裝置AP的電源PS為斷開狀態(tài)的情況下，不對電容元件61的第I電極61a所積蓄的電荷進(jìn)行放電。由此，能夠在電池未安裝時(shí)可能發(fā)生電池安裝狀態(tài)的誤檢測的情況下，進(jìn)行基于放電電路70的放電，在電池未安裝時(shí)不會發(fā)生電池安裝狀態(tài)的誤檢測的情況下，不進(jìn)行基于放電電路70的放電。
[0043]另外，在實(shí)施方式中，放電電路70具有:一端70a，其與電容元件61的第I電極61a電氣連接；另一端70b，其與基準(zhǔn)電位(例如，GND電位)電氣連接；以及開關(guān)72，其將一端70a及另一端70b電氣連接。由此，能夠以簡易的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)如下電路，即，在裝置AP的電源PS為接通狀態(tài)的情況下，對電容元件61的第I電極61a所積蓄的電荷進(jìn)行放電，在裝置AP的電源PS為斷開狀態(tài)的情況下，不對電容元件61的第I電極61a所積蓄的電荷進(jìn)行放電。
[0044]另外，在實(shí)施方式中，開關(guān)72在裝置AP的電源PS為接通狀態(tài)的情況下，將放電電路70的一端70a及另一端70b電氣連接，在裝置AP的電源PS為斷開狀態(tài)的情況下，將放電電路70的一端70a及另一端70b電氣斷開。由此，能夠在電池未安裝時(shí)可能發(fā)生電池安裝狀態(tài)的誤檢測的情況下，進(jìn)行基于放電電路70的放電，在電池未安裝時(shí)不會發(fā)生電池安裝狀態(tài)的誤檢測的情況下，不進(jìn)行基于放電電路70的放電。
[0045]另外，在實(shí)施方式中，開關(guān)72具有場效應(yīng)型晶體管72a。場效應(yīng)型晶體管72a在裝置AP的電源PS為接通狀態(tài)的情況下，激活電平的控制信號被供給至柵極，在裝置AP的電源PS為斷開狀態(tài)的情況下，非激活電平的控制信號被供給至柵極。由此，能夠在裝置AP的電源PS為接通狀態(tài)的情況下，將放電電路70的一端70a及另一端70b電氣連接，在裝置AP的電源PS為斷開狀態(tài)的情況下，將放電電路70的一端70a及另一端70b電氣斷開。另外，與開關(guān)72為雙極型晶體管的情況相比，由于能夠容易地限制在放電路徑流過的電流，因此從這點(diǎn)出發(fā)，也能夠降低電池安裝時(shí)的電池的消耗電力。
[0046]另外，在實(shí)施方式中，放電電路70具有電阻元件71，該電阻元件71在一端70a及另一端70b之間與開關(guān)72串聯(lián)連接。由于該電阻元件71串聯(lián)地插入放電路徑，因此通過預(yù)先適當(dāng)?shù)貙⑵潆娮柚翟O(shè)定得較大，從而能夠?qū)⒎烹婋娐?0的每單位時(shí)間的放電量限制為必要最小值。
[0047]此外，如圖2所示，在SRAM存儲卡Ii中，接通/斷開檢測部50i也可以通過經(jīng)由接口部10從裝置AP取得表示裝置AP的電源PS的接通/斷開狀態(tài)的接通/斷開狀態(tài)信號(例如，復(fù)位信號)，而對裝置AP的電源PS的接通/斷開狀態(tài)進(jìn)行檢測。
[0048]工業(yè)實(shí)用性
[0049]如上所述，本發(fā)明所涉及的SRAM存儲卡對可編程邏輯控制器的數(shù)據(jù)的備份而言是有益的。
[0050]標(biāo)號的說明
[0051]1、Ii SRAM 存儲卡
[0052]10 接口部
[0053]20 電池
[0054]21 接點(diǎn)
[0055]22 電阻
[0056]30切換部
[0057]31 二極管
[0058]40保持關(guān)聯(lián)電路
[0059]50、50i接通/斷開檢測部
[0060]60防振電路
[0061]61電容元件
[0062]61a 第 I 電極
[0063]61b 第 2 電極
[0064]70放電電路
[0065]70a 一端
[0066]70b 另一端
[0067]71電阻元件
[0068]72 開關(guān)
[0069]72a場效應(yīng)型晶體管
[0070]80監(jiān)視部
[0071]90讀寫控制部
[0072]100電壓監(jiān)視電路
【權(quán)利要求】
1.一種SRAM存儲卡，其可拆卸地安裝于包括電源的裝置上， 其特征在于，具有: 接口部，其在所述SRAM存儲卡安裝于所述裝置的狀態(tài)下，所述裝置的所述電源接通的情況下，從所述裝置接收至少電源電壓； 保持關(guān)聯(lián)電路，其接收電源電壓的供給，并進(jìn)行用于保持?jǐn)?shù)據(jù)的動(dòng)作； 接點(diǎn)，其用于將產(chǎn)生電源電壓的電池電氣連接在所述保持關(guān)聯(lián)電路上； 切換部，其以如下方式進(jìn)行切換，即，在所述裝置的所述電源為接通狀態(tài)的情況下，將所述接口部從所述裝置接收到的電源電壓供給至所述保持關(guān)聯(lián)電路，在所述裝置的所述電源為斷開狀態(tài)的情況下，經(jīng)由所述接點(diǎn)將所述電池所產(chǎn)生的電源電壓供給至所述保持關(guān)聯(lián)電路； 防振電路，其包括電容元件，該電容元件具有與所述接點(diǎn)電氣連接的第I電極以及與基準(zhǔn)電位電氣連接的第2電極； 監(jiān)視部，其經(jīng)由所述接點(diǎn)對所述電池所產(chǎn)生的電源電壓進(jìn)行監(jiān)視，在所述接點(diǎn)的電位比閾值低的情況下將警報(bào)信號設(shè)定為ON值，在所述接點(diǎn)的電位大于或等于所述閾值的情況下將所述警報(bào)信號設(shè)定為OFF值，經(jīng)由所述接口部而向所述裝置輸出所述警報(bào)信號；檢測部，其經(jīng)由所述接口部而對所述裝置的所述電源的接通/斷開狀態(tài)進(jìn)行檢測；以及 放電電路，其根據(jù)由所述檢測部所檢測的所述裝置的所述電源的接通/斷開狀態(tài)，對所述電容元件的所述第I電極所積蓄的電荷進(jìn)行放電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM存儲卡，其特征在于， 所述放電電路在所述裝置的所述電源為接通狀態(tài)的情況下，對所述電容元件的所述第I電極所積蓄的電荷進(jìn)行放電，在所述裝置的所述電源為斷開狀態(tài)的情況下，不對所述電容元件的所述第I電極所積蓄的電荷進(jìn)行放電。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM存儲卡，其特征在于， 所述放電電路具有: 一端，其與所述電容元件的所述第I電極電氣連接； 另一端，其與所述基準(zhǔn)電位電氣連接；以及 開關(guān)，其將所述一端及所述另一端電氣連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SRAM存儲卡，其特征在于， 所述開關(guān)在所述裝置的所述電源為接通狀態(tài)的情況下，將所述放電電路的所述一端及所述另一端電氣連接，在所述裝置的所述電源為斷開狀態(tài)的情況下，將所述放電電路的所述一端及所述另一端電氣斷開。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SRAM存儲卡，其特征在于， 所述開關(guān)具有場效應(yīng)型晶體管， 該場效應(yīng)型晶體管在所述裝置的所述電源為接通狀態(tài)的情況下，激活電平的控制信號被供給至柵極，在所述裝置的所述電源為斷開狀態(tài)的情況下，非激活電平的控制信號被供給至柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的SRAM存儲卡，其特征在于， 所述放電電路還具有電阻元件，該電阻元件在所述一端及所述另一端之間與所述開關(guān)串聯(lián)連接。
7.一種電壓監(jiān)視電路，其是可拆卸地安裝于包括電源的裝置上的SRAM存儲卡的電壓監(jiān)視電路， 其特征在于，具有: 接點(diǎn)，其用于將產(chǎn)生電源電壓的電池電氣連接至用于保持?jǐn)?shù)據(jù)的保持關(guān)聯(lián)電路；切換部，其以如下方式進(jìn)行切換，即，在所述裝置的所述電源為接通狀態(tài)的情況下，將所述SRAM存儲卡的接口部從所述裝置接收到的電源電壓供給至所述保持關(guān)聯(lián)電路，在所述裝置的所述電源為斷開狀態(tài)的情況下，將所述SRAM存儲卡內(nèi)的電池所產(chǎn)生的電源電壓供給至所述保持關(guān)聯(lián)電路； 防振電路，其包括電容元件，該電容元件具有與所述接點(diǎn)電氣連接的第I電極、以及與基準(zhǔn)電位電氣連接的第2電極； 監(jiān)視部，其經(jīng)由所述接點(diǎn)對所述電池所產(chǎn)生的電源電壓進(jìn)行監(jiān)視，在所述接點(diǎn)的電位比閾值低的情況下，將警報(bào)信號設(shè)定為ON值，在所述接點(diǎn)的電位大于或等于所述閾值的情況下，將所述警報(bào)信號設(shè)定為OFF值，經(jīng)由所述接口部向所述裝置輸出所述警報(bào)信號；檢測部，其經(jīng)由所述接口部而對所述裝置的所述電源的接通/斷開狀態(tài)進(jìn)行檢測；以及 放電電路，其根據(jù)由所述檢測部所檢測的所述裝置的所述電源的接通/斷開狀態(tài)，而對所述電容元件的 所述第I電極所積蓄的電荷進(jìn)行放電。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電壓監(jiān)視電路，其特征在于， 所述放電電路在所述裝置的所述電源為接通狀態(tài)的情況下，對所述電容元件的一端所積蓄的電荷進(jìn)行放電，在所述裝置的所述電源為斷開狀態(tài)的情況下，不對所述電容元件的一端所積蓄的電荷進(jìn)行放電。
【文檔編號】G11C11/413GK104081418SQ201280066697
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2012年1月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月13日
【發(fā)明者】戶本千明, 宇治雅晴 申請人:三菱電機(jī)株式會社