用于處理從非易失性存儲(chǔ)器陣列檢索的狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種設(shè)備可包括將從非易失性存儲(chǔ)器檢索數(shù)據(jù)的控制器以及可在控制器上操作以在包括許多感測(cè)條件的第一組感測(cè)條件下讀取非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的糾錯(cuò)模塊。該糾錯(cuò)模塊進(jìn)一步可操作用于設(shè)定已編碼輸出中的第一組位，該第一組位包括將指示存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)的邏輯狀態(tài)位和將基于第一組感測(cè)條件下的讀取結(jié)果而指示邏輯狀態(tài)位的準(zhǔn)確度的已編碼輸出中的一個(gè)或多個(gè)附加位，該第一組感測(cè)條件包括比第一組位更大的數(shù)目。公開(kāi)了其他實(shí)施例并要求保護(hù)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】用于處理從非易失性存儲(chǔ)器陣列檢索的狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備

【背景技術(shù)】
[0001]隨著存儲(chǔ)器件中的存儲(chǔ)單元尺寸縮小至較小的尺寸，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的完整性受到挑戰(zhàn)。特別地，諸如NAND閃速存儲(chǔ)器之類(lèi)的非易失性存儲(chǔ)器件中的原始位出錯(cuò)率已被觀察到隨著減小的存儲(chǔ)單元尺寸而增加。NAND閃速架構(gòu)被結(jié)構(gòu)化成使得存儲(chǔ)器更多地像塊器件被訪問(wèn)，該塊器件包括硬盤(pán)或存儲(chǔ)卡，其中，塊可包含多個(gè)頁(yè)面。NAND技術(shù)依賴(lài)于糾錯(cuò)碼(ECC)過(guò)程來(lái)補(bǔ)償在正常器件操作期間可自發(fā)地出故障的位。
[0002]為了實(shí)現(xiàn)可容忍位出錯(cuò)率，通常在系統(tǒng)層級(jí)采用糾錯(cuò)引擎。在新生代的NAND產(chǎn)品中已采用的最常見(jiàn)ECC使用所謂的BCH代碼(縮寫(xiě)是從發(fā)明人的姓名Bose、Ray-Chaudhuri和Hocquenghem導(dǎo)出的)。然而,BCH代碼可能不能輸送隨著存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元尺寸繼續(xù)調(diào)整至更小尺寸而在未來(lái)幾代NAND產(chǎn)品中可能要求的糾錯(cuò)能力。
[0003]另一方面，諸如低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)之類(lèi)的錯(cuò)誤代碼提供更大的能力，但是要求NAND存儲(chǔ)器以與常規(guī)用戶(hù)數(shù)據(jù)不同的方式提供數(shù)據(jù)。不同于BCH方法，其使用“硬解碼”，包括LDPC的某些代碼啟用“軟解碼”，其中，除每個(gè)位值之外，解碼器還能夠使用其他數(shù)據(jù)來(lái)估計(jì)位的可靠性。軟解碼相比于硬解碼而言能夠提供顯著的修正能力增益，因?yàn)榻獯a器知道哪些位更有可能翻轉(zhuǎn)且可以在其修正算法中使用此信息。特別地，LPDC程序要求提供狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)。狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)指的是反映數(shù)據(jù)的可靠性以指示存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的狀態(tài)的數(shù)據(jù)。在采用LDPC方案的糾錯(cuò)方法中，ECC引擎可將狀態(tài)置信度信息轉(zhuǎn)換成常規(guī)用戶(hù)數(shù)據(jù)。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)用于諸如NAND存儲(chǔ)器件之類(lèi)的非易失性存儲(chǔ)器件的狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的高效生成，目前方案可能要求修改。相應(yīng)地，可能需要改善的技術(shù)和設(shè)備以解決這些及其他問(wèn)題。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0005]圖1描述了系統(tǒng)實(shí)施例的框圖。
[0006]圖2描述了另一系統(tǒng)實(shí)施例的框圖。
[0007]圖3描述了另一系統(tǒng)實(shí)施例的框圖。
[0008]圖4描述了另一系統(tǒng)實(shí)施例的框圖。
[0009]圖5描述了根據(jù)本實(shí)施例的情形。
[0010]圖6a — 6c描述了替換示例性布置。
[0011]圖7描述了采用圖6a的布置的另一情形。
[0012]圖8a — Sc描述了根據(jù)本實(shí)施例的另一情形。
[0013]圖9描述了示例性實(shí)施例的操作。
[0014]圖10呈現(xiàn)示例性第一邏輯流程。
[0015]圖11描述了示例性第二邏輯流程。
[0016]圖12描述了示例性第三邏輯流程。
[0017]圖13描述了示例性第四邏輯流程。
[0018]圖14描述了示例性第五邏輯流程。
[0019]圖15是示例性系統(tǒng)實(shí)施例的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]各種實(shí)施例涉及到用以讀取并修正存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的新型系統(tǒng)、設(shè)備以及方法。特別地，本實(shí)施例的方法和設(shè)備可處理存儲(chǔ)數(shù)據(jù)以確定數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的可能性。各種實(shí)施例針對(duì)狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的生成和該數(shù)據(jù)的處理，使得可應(yīng)用更準(zhǔn)確且高效的糾錯(cuò)。
[0021]在各種實(shí)施例中，可將要修正的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器陣列中，諸如NAND閃速存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器(PCM)、自旋存儲(chǔ)器；堆疊相變存儲(chǔ)器(PCMS)、磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、自旋存儲(chǔ)器、納米線存儲(chǔ)器、鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeTRAM)或可能期望從其提取關(guān)于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的信息的狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的其他存儲(chǔ)器。
[0022]在諸如NAND閃速存儲(chǔ)器技術(shù)之類(lèi)的非易失性存儲(chǔ)器中，使用浮柵晶體管來(lái)存儲(chǔ)電荷，其控制開(kāi)啟控制給定存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的浮柵晶體管所需的閾值電壓(VT)。用于給定存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的Vt水平又用來(lái)確定該存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)。在NAND閃速架構(gòu)中，存儲(chǔ)器陣列被連接到字線和位線，多個(gè)晶體管被串聯(lián)地連接在其中。只有當(dāng)所有字線都被拉高(在晶體管的Vt以上)時(shí)，位線才被拉低。為了執(zhí)行讀操作，通常大部分字線被上拉至已編程位的Vt以上，而一個(gè)被上拉至剛好超過(guò)被擦掉位的Vt之上。如果所選位未被編程，則該串聯(lián)組將進(jìn)行傳導(dǎo)(并將位線拉低)。
[0023]隨著NAND閃存的存儲(chǔ)器尺寸增加，相鄰存儲(chǔ)單元之間的間隔減小且錯(cuò)誤生成的可能性增加，如前所述。為了解決此問(wèn)題，各種實(shí)施例提供了讀取NAND器件的改善方法，使得能夠更準(zhǔn)確地且高效地確定存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)。特別地，如下面詳述的，本實(shí)施例提供了用于對(duì)從對(duì)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元執(zhí)行多次感測(cè)操作導(dǎo)出的狀態(tài)置信度信息進(jìn)行編碼和管理的新型程序。
[0024]圖1描述了存儲(chǔ)器系統(tǒng)102的實(shí)施例。存儲(chǔ)器系統(tǒng)102可包括控制器104、狀態(tài)置信度(SC)糾錯(cuò)模塊106以及存儲(chǔ)器106，其可包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元106-a至106-n，其中，整數(shù)a、b、C、d、e、f和η表示任何正整數(shù)。存儲(chǔ)器系統(tǒng)102可管理信息在存儲(chǔ)器單元106_a至106-n中的存儲(chǔ)，包括向存儲(chǔ)器寫(xiě)入和讀取數(shù)據(jù)。如下面詳述的，SC糾錯(cuò)模塊108可確定并管理用于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器106中的信息的狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)。
[0025]圖2描述了 SC糾錯(cuò)模塊108的實(shí)施例的框圖。除非另外具體地說(shuō)明，可用軟件、硬件或兩者的組合來(lái)體現(xiàn)SC糾錯(cuò)模塊108及其組成部件。特別地，并不是SC糾錯(cuò)模塊108的所有部件都需要位于單個(gè)設(shè)備中。因此，某些部件可位于NAND芯片中，而其他的位于NAND芯片外部。SC糾錯(cuò)模塊108可包括數(shù)據(jù)命令模塊204，下面詳述其操作。簡(jiǎn)而言之，數(shù)據(jù)命令模塊可向存儲(chǔ)器106提供命令，其例如在讀操作期間識(shí)別是否要提供狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)或是否將以常規(guī)方式讀取數(shù)據(jù)。感測(cè)模塊206可管理將應(yīng)用于存儲(chǔ)器106的感測(cè)操作的細(xì)節(jié)，包括建立用于從存儲(chǔ)器106中的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元讀取數(shù)據(jù)的感測(cè)條件。下面詳述其操作的編碼模塊208可對(duì)從存儲(chǔ)器106讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼，諸如對(duì)狀態(tài)置信度信息進(jìn)行編碼以便由糾錯(cuò)技術(shù)來(lái)處理。糾錯(cuò)代碼(ECC)引擎210可使用處理狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的方法、諸如LDPC方法來(lái)提供對(duì)從存儲(chǔ)器106提取的數(shù)據(jù)的糾錯(cuò)。在各種實(shí)施例中，數(shù)據(jù)命令模塊204和ECC引擎210可位于NAND設(shè)備212外部，而感測(cè)模塊206和編碼模塊208可與存儲(chǔ)器106 —起位于NAND器件212內(nèi)部，如所示。
[0026]圖3描述了數(shù)據(jù)命令模塊204的細(xì)節(jié)。如所示，數(shù)據(jù)命令模塊204可包括常規(guī)數(shù)據(jù)請(qǐng)求發(fā)生器，其進(jìn)行操作以用信號(hào)通知存儲(chǔ)器將以常規(guī)方式從存儲(chǔ)器讀出數(shù)據(jù)。該常規(guī)格式可將在存儲(chǔ)器讀取中被詢(xún)問(wèn)的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)提供為用“I”或“O”表示的單位。還參考圖1，針對(duì)給定應(yīng)用或響應(yīng)于給定器件，數(shù)據(jù)命令模塊204可確定例如來(lái)自存儲(chǔ)器106的數(shù)據(jù)不需要包括狀態(tài)置信度信息。因此，數(shù)據(jù)命令模塊204可采用常規(guī)數(shù)據(jù)請(qǐng)求發(fā)生器來(lái)轉(zhuǎn)送信號(hào)以在存儲(chǔ)器106中發(fā)起常規(guī)讀操作。該常規(guī)讀操作可導(dǎo)致常規(guī)ECC程序的使用，諸如BCH代碼的應(yīng)用。在其他情況下，數(shù)據(jù)命令模塊204可確定讀操作將包括狀態(tài)置信度信息。例如，在致密存儲(chǔ)器中，應(yīng)用用于讀取給定數(shù)據(jù)集的LDPC ECC程序以改善可靠性可能是適當(dāng)?shù)?。如上所述，NAND存儲(chǔ)器通常依賴(lài)于ECC作為一個(gè)手段來(lái)補(bǔ)償可能是壞的或者可能在正常器件操作中自發(fā)地出故障的位。在常規(guī)方法中，如果ECC程序不能在讀取期間糾正錯(cuò)誤，則其將把該錯(cuò)誤傳遞給客戶(hù)。然而，使用BCH方法來(lái)糾正錯(cuò)誤的能力可能小于所需的，尤其是對(duì)于其中故障率可能高的更致密存儲(chǔ)器而言。如果將對(duì)數(shù)據(jù)操作應(yīng)用LDPC糾錯(cuò)，則因此數(shù)據(jù)命令模塊204可采用SC數(shù)據(jù)請(qǐng)求發(fā)生器304以轉(zhuǎn)送信號(hào)并發(fā)起且管理產(chǎn)生用于處理的狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的讀操作。
[0027]圖4描述了編碼模塊208的實(shí)施例，其可用來(lái)對(duì)從存儲(chǔ)器檢索的狀態(tài)置信度信息進(jìn)行編碼，如下面詳細(xì)地討論的。根據(jù)本實(shí)施例，狀態(tài)置信度信息的編碼可減少否則將由從存儲(chǔ)器、諸如存儲(chǔ)器106檢索數(shù)據(jù)的設(shè)備處理的位的量。特別地，編碼模塊208可促進(jìn)以簡(jiǎn)明的方式從可應(yīng)用于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元以更準(zhǔn)確地確定該存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)的多個(gè)感測(cè)測(cè)量結(jié)果而創(chuàng)建狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)。編碼模塊208可包括輸出基于多個(gè)感測(cè)測(cè)量結(jié)果的多位已編碼輸出的編碼器402，如下面詳述。另外，編碼模塊可包括在其中將發(fā)生多位存儲(chǔ)器的編碼的情況下保持適當(dāng)編碼序列的編碼定序器。
[0028]圖5描述了根據(jù)各種實(shí)施例的用于讀取數(shù)據(jù)的情形。在圖5中，示出了兩個(gè)分布，其表示將在NAND存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)用于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的兩個(gè)不同邏輯狀態(tài)的閾值電壓的示例性分布。這些分布可表示預(yù)先設(shè)計(jì)、根據(jù)經(jīng)驗(yàn)確定或通過(guò)模擬確定的分布。Vt分布502表示邏輯狀態(tài)“I”且Vt分布504表示邏輯狀態(tài)“O”。在閃速NAND技術(shù)中，可將用于NAND存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元中的晶體管的閾值電壓設(shè)置成特定值以指示該存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)。相應(yīng)地，可通過(guò)將感測(cè)電壓設(shè)置成高于或低于用于給定邏輯狀態(tài)的標(biāo)稱(chēng)閾值電壓而詢(xún)問(wèn)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)。如果施加的感測(cè)電壓促使用于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的晶體管開(kāi)啟或關(guān)閉，則可確定已經(jīng)超過(guò)晶體管的閾值電壓，并且因此該存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元所處的邏輯狀態(tài)對(duì)應(yīng)于該給定閾值電壓。在典型感測(cè)安培電路中，晶體管已被開(kāi)啟的確定是基于位線電壓的逐漸產(chǎn)生，其可在向正在被讀取的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的晶體管柵極施加電壓之后的預(yù)定時(shí)間感測(cè)。
[0029]在單位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元中，可將用于邏輯“ I ”和邏輯“O ”的閾值電壓設(shè)置成充分不同的電壓范圍，使得原則上不同的邏輯狀態(tài)可被正確地且準(zhǔn)確地讀取。因此，參考圖5，為了在邏輯“I”和邏輯“O”之間進(jìn)行區(qū)別，讀操作可采用其中將感測(cè)電壓設(shè)置在基準(zhǔn)電壓Vr的讀取感測(cè)，該基準(zhǔn)電壓\落在表征邏輯狀態(tài)“ I ”下的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的晶體管的標(biāo)稱(chēng)電壓Vn與表征邏輯狀態(tài)“O”下的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的晶體管的Vtci之間。如果在基準(zhǔn)電壓\下針對(duì)給定存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元施加的讀取感測(cè)促使晶體管開(kāi)啟，則可推斷邏輯“ 1”，因?yàn)镮不應(yīng)足以使邏輯狀態(tài)“O”下的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元開(kāi)啟，其標(biāo)稱(chēng)(或預(yù)期)閾值電壓是VTO。標(biāo)稱(chēng)閾值電壓可表示針對(duì)給定邏輯狀態(tài)的用于晶體管的設(shè)計(jì)閾值電壓，其可但不需要在用于陣列中的不同存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的實(shí)際閾值電壓的分布內(nèi)居于中心。
[0030]然而，進(jìn)一步如圖5中所示，Vt分布502和Vt分布504沿著表示閾值電壓的軸相互重疊。換言之，在給定存儲(chǔ)器單元中，諸如存儲(chǔ)器陣列或存儲(chǔ)器陣列組，用于被設(shè)置成特定邏輯狀態(tài)的任何給定存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的閾值電壓的精確值可對(duì)應(yīng)于用各閾值電壓分布曲線表示的任何值。例如，處于邏輯狀態(tài)“I”的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元可具有跨越從Pl至P2的范圍的閾值電壓，如所示。因此，在用Vt分布502和Vt分布504表征的存儲(chǔ)器陣列中，針對(duì)邏輯狀態(tài)“ I”設(shè)置的某些存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元實(shí)際上可具有比針對(duì)邏輯狀態(tài)“O”設(shè)置的其他存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元更大的閾值電壓。這種情況由于增加的比例而可在當(dāng)前存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元技術(shù)中或未來(lái)幾代的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元技術(shù)中出現(xiàn)，其可減小可以編程到存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元中的閾值電壓的總范圍以及降低控制用于給定存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的期望邏輯狀態(tài)到諸如Vn或Vtci之類(lèi)的標(biāo)稱(chēng)閾值電壓的編程的能力。特別地，鄰近分布的重疊可在多個(gè)位被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元中時(shí)加劇，這可導(dǎo)致設(shè)置四個(gè)或更多電壓分布以表示不同的數(shù)據(jù)位，其中，可將電壓分布放置在與單位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元類(lèi)似的電壓范圍內(nèi)。以這種方式，電壓分布重疊的可能性可由于表示第一邏輯狀態(tài)的每個(gè)標(biāo)稱(chēng)閾值電壓到表示不同邏輯狀態(tài)的其鄰點(diǎn)的更緊密接近而增加。
[0031]根據(jù)本實(shí)施例，為了更準(zhǔn)確地確定用Vt分布502和Vt分布504表征的存儲(chǔ)器陣列中的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器狀態(tài)(邏輯狀態(tài))，可對(duì)不同條件下的存儲(chǔ)器讀取執(zhí)行多次測(cè)量。不同感測(cè)操作之間的變化的常規(guī)變量是感測(cè)基準(zhǔn)電壓(或“感測(cè)電壓”)，因?yàn)榭深A(yù)期在感測(cè)數(shù)據(jù)時(shí)所使用的基準(zhǔn)電壓的變化將改變已超過(guò)該存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的實(shí)際閾值電壓的概率。在圖5的示例中示出了五個(gè)不同感測(cè)條件S1、S2、S3、S4和S5下的五個(gè)五次測(cè)量，其可表示五個(gè)不同感測(cè)基準(zhǔn)電壓下的測(cè)量。如所示，多次測(cè)量可跨越Vn和Vtci值之間的一定范圍的閾值電壓，包括關(guān)于基準(zhǔn)電壓I的范圍。借助于在反映跨越Vn至Vtci的閾值電壓范圍的多個(gè)感測(cè)條件下提供用于給定存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的測(cè)量結(jié)果，可提供關(guān)于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的多個(gè)類(lèi)型的信息。如下面詳述的，可提供基于多次測(cè)量的結(jié)果而表示存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元處于特定邏輯狀態(tài)的可能性的狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)。另外，可提供沒(méi)有狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的情況下的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)的值。
[0032]如圖5中所示，可經(jīng)由感測(cè)模塊206將五次測(cè)量的結(jié)果發(fā)送到編碼模塊208以便對(duì)包括存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)的值的信息以及狀態(tài)置信度信息進(jìn)行編碼。在各種實(shí)施例中，編碼模塊208可以一組位的形式產(chǎn)生已編碼輸出，其中的一個(gè)反映存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)的值，并且其中的其他提供狀態(tài)置信度信息。可用感測(cè)條件SI — S5下的五次測(cè)量的結(jié)果來(lái)確定邏輯狀態(tài)的值。例如，對(duì)于用Vt分布502和Vt分布504表征的存儲(chǔ)器而言，如果對(duì)應(yīng)于感測(cè)條件SI的電壓的施加導(dǎo)致將存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元開(kāi)啟，則可推斷存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元非常有可能處于邏輯狀態(tài)“I”。這是從這樣的事實(shí)得出的，即Vt分布504具有擴(kuò)展至低到感測(cè)條件SI的電壓的非常低的概率。因此，其中晶體管在感測(cè)條件SI下開(kāi)啟的任何存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元都最有可能對(duì)應(yīng)于屬于邏輯狀態(tài)“I”的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元，因?yàn)閷?duì)應(yīng)于感測(cè)條件SI的電壓是不足的，除非是在即使要寫(xiě)入的單個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元處于邏輯狀態(tài)“O”也將開(kāi)啟的罕見(jiàn)情況下。
[0033]比較起來(lái)，如果在一個(gè)示例中可與I相同的對(duì)應(yīng)于感測(cè)條件S3的電壓的施加導(dǎo)致將存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元開(kāi)啟，則也可確定存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元處于邏輯狀態(tài)“ I ”。這是從這樣的事實(shí)得出的，即大多數(shù)Vt分布504并未擴(kuò)展至\以下，并且因此\到被設(shè)定在邏輯狀態(tài)“O”的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的施加將引發(fā)該存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的晶體管開(kāi)啟是不太可能的。然而，由于Vt分布504的一部分確實(shí)擴(kuò)展至\以下，所以存在感測(cè)條件S3的施加可將處于邏輯狀態(tài)“O”的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元開(kāi)啟的可能性。相應(yīng)地，存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元晶體管響應(yīng)于感測(cè)條件S3而開(kāi)啟的觀察結(jié)果可傳達(dá)與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元晶體管響應(yīng)于感測(cè)條件SI的觀察結(jié)果不同的信息。特別地，可以以高肯定度將后一觀察結(jié)果說(shuō)成是表示邏輯狀態(tài)“ I ”，而在前一種情況下，則不那么確定響應(yīng)于感測(cè)條件S3而開(kāi)啟晶體管指示邏輯狀態(tài)“I”。因此可認(rèn)識(shí)到在涉及到對(duì)應(yīng)于\下的感測(cè)條件S3的單次感測(cè)的施加的典型常規(guī)讀操作中，邏輯狀態(tài)“ I ”的確定準(zhǔn)確度可小于對(duì)于由Vt分布504和502所表征的存儲(chǔ)器而言所期望的。至少由于此原因，可能期望從多個(gè)感測(cè)條件SI — S5的施加結(jié)果提供狀態(tài)置信度信息并進(jìn)行編碼，其可包括所確定邏輯狀態(tài)以及從存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元讀取的給定邏輯狀態(tài)正確的可能性。
[0034]根據(jù)各種實(shí)施例，可基于在多個(gè)感測(cè)條件SI — S5下執(zhí)行的感測(cè)操作而生成多位已編碼輸出，其中，多位已編碼輸出的第一位、“邏輯狀態(tài)位”可表示通過(guò)執(zhí)行多次感測(cè)操作而確定的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)?？稍诙辔灰丫幋a輸出中設(shè)定一個(gè)或多個(gè)附加位以提供狀態(tài)置信度信息。在一個(gè)示例中，可使用單位旋轉(zhuǎn)(twiddle)代碼序列以二進(jìn)制方式對(duì)多次感測(cè)操作的結(jié)果進(jìn)行編碼。如圖5中所示，編碼模塊202可產(chǎn)生狀態(tài)置信度已編碼輸出508，其在所示的示例中包括三個(gè)位。在圖5的特定實(shí)施例中，根據(jù)感測(cè)操作SI—S5的結(jié)果，置信度數(shù)據(jù)已編碼輸出508可導(dǎo)致六個(gè)三位已編碼輸出中的一個(gè):“ 1，O, O”、“ I, O, I ”、“1，I, 1”、“0，I, 1”、“0，0，I”和“0，0，0”。每個(gè)已編碼輸出的第一位在存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)是；邏輯“I”時(shí)被設(shè)置成“I”且在存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)是邏輯“O”時(shí)被設(shè)置成“O”。隨后的兩個(gè)位被設(shè)置成傳送狀態(tài)置信度信息。在所示的示例中，“0，O”可指示第一位中的值中的最高置信度，亦即被讀取存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的實(shí)際邏輯狀態(tài)是用第一位表示的最高置信度。序列“1，I”可指示第一位的值中的最低置信度，并且“0，I”可指示中間置信度水平。
[0035]因此，返回參考上述示例，如果存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元晶體管在感測(cè)條件SI下開(kāi)啟(對(duì)應(yīng)于圖5中所示的電壓VS1)，則由編碼模塊202產(chǎn)生的三位已編碼輸出是“1，0，0”，表示具有最高置信度水平的邏輯狀態(tài)“I”。如果存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元晶體管在感測(cè)條件S3下開(kāi)啟(對(duì)應(yīng)于電壓VS3)，則由編碼模塊202產(chǎn)生的三位已編碼輸出是“1，I, 1”，表示具有最低置信度水平的邏輯狀態(tài)“I”。
[0036]如圖5中進(jìn)一步所示，編碼模塊202在晶體管響應(yīng)于在感測(cè)操作中施加的給定范圍內(nèi)的任何電壓而開(kāi)啟時(shí)輸出狀態(tài)置信度已編碼輸出508的特定值。圖5表示六個(gè)此類(lèi)范圍510— 520，每個(gè)對(duì)應(yīng)于不同的三位已編碼輸出。例如，范圍510表示感測(cè)操作電壓范圍，在其范圍內(nèi)，如果存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元晶體管響應(yīng)于感測(cè)操作而開(kāi)啟，則編碼模塊202輸出“ I, O, O”;范圍512表示電壓范圍，在其范圍內(nèi)，如果存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元晶體管響應(yīng)于感測(cè)操作而開(kāi)啟，則編碼模塊202輸出“ 1，O, I”等等。
[0037]圖6a — 6c呈現(xiàn)根據(jù)各種實(shí)施例的不同示例性布置，其圖示出狀態(tài)置信度編碼。圖6a圖示出已編碼儲(chǔ)存器602，其可以是編碼器402的一部分且包括用于存儲(chǔ)三位已編碼狀態(tài)置信度輸出609的鎖存器I 604、鎖存器2 606和鎖存器3 608。一般地遵循圖5的示例，可在對(duì)應(yīng)于不同閾值電壓水平的五個(gè)不同感測(cè)條件下執(zhí)行一組感測(cè)操作610。如上文相對(duì)于圖5所詳述的，根據(jù)晶體管在該處開(kāi)啟的感測(cè)操作的閾值電壓，存儲(chǔ)的已編碼輸出可在以最高確定度表示存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)“1，O, O”到以最高肯定度表示第二邏輯狀態(tài)“1，O, O”的極端之間變化，或者可具有中間值，其以較低的肯定度斷言一個(gè)或其他邏輯狀態(tài)。
[0038]圖5和6a所不的布置的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可用僅三位的輸出簡(jiǎn)明地對(duì)五個(gè)不同感測(cè)操作的結(jié)果進(jìn)行編碼，同時(shí)仍提供狀態(tài)置信度信息，其將可根據(jù)需要而用來(lái)確定存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)和從而其表示的數(shù)據(jù)至期望準(zhǔn)確度。例如，在其中已編碼輸出是“1，0，I”的情況下，請(qǐng)求設(shè)備可接收第一位作為“ I”且可滿(mǎn)足正在討論中的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)是“I”。因此，可不檢索已編碼輸出的更多位。另一方面，使用LDPC糾錯(cuò)碼的ECC引擎可要求接收包括狀態(tài)置信度位的已編碼輸出的全部三個(gè)位，以便適當(dāng)?shù)貓?zhí)行糾錯(cuò)。在后一種情況下，ECC引擎可確定正在討論中的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的實(shí)際邏輯狀態(tài)不那么確定且可相應(yīng)地處理數(shù)據(jù)。所示編碼方案從而在需要時(shí)促進(jìn)更穩(wěn)健的糾錯(cuò)，而不必將五次感測(cè)操作中的每一個(gè)的結(jié)果發(fā)射到請(qǐng)求設(shè)備。
[0039]圖6b圖示出包括用于兩位已編碼狀態(tài)置信度輸出620的編碼的鎖存器I 614、鎖存器2 616的另一已編碼儲(chǔ)存器612。在本實(shí)施例中，一組感測(cè)操作618可包括在三個(gè)不同閾值電壓下執(zhí)行的三個(gè)感測(cè)操作，如所示?？稍谟蓛蓚€(gè)位提供的四個(gè)不同輸出中對(duì)三次感測(cè)操作的結(jié)果進(jìn)行編碼。在本實(shí)施例中，第一位可表示正在討論中的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)且第二位可提供狀態(tài)置信度信息。因此，從存儲(chǔ)第二位的鎖存器2 616讀取的輸出“O”可指示較高置信度，而從鎖存器2 616讀取的輸出“I”指示較低置信度。如圖6a的示例一樣，用于給定的一組感測(cè)操作的狀態(tài)置信度已編碼輸出中的數(shù)據(jù)的位數(shù)小于感測(cè)操作的數(shù)目。
[0040]更一般地且根據(jù)本實(shí)施例，用來(lái)對(duì)多次感測(cè)操作的狀態(tài)置信度輸出(包括輸出的第一位)進(jìn)行編碼的已編碼位的數(shù)目可足以對(duì)用于在不通過(guò)閾值電壓下執(zhí)行的每次感測(cè)操作的不同輸出進(jìn)行編碼。在圖5a的示例中，采用能夠?qū)Π藗€(gè)不同值進(jìn)行編碼的三個(gè)位來(lái)對(duì)五個(gè)不同感測(cè)操作的結(jié)果進(jìn)行編碼，其可產(chǎn)生總共六個(gè)不同的結(jié)果，如所示。請(qǐng)注意，如果在對(duì)晶體管柵極的單獨(dú)操作中施加m個(gè)不同的感測(cè)電壓，則可得到m+1個(gè)不同結(jié)果，因?yàn)榫w管可在m個(gè)不同感測(cè)電壓中的任何一個(gè)下開(kāi)啟，或者還可甚至在最高感測(cè)電壓(+1)下開(kāi)啟。因此，可使用三位狀態(tài)置信度輸出來(lái)對(duì)用于多達(dá)七個(gè)感測(cè)操作的結(jié)果進(jìn)行編碼。
[0041]圖6c圖示出其中已編碼儲(chǔ)存器622包括用于三位已編碼狀態(tài)置信度輸出632的編碼的鎖存器I 624、鎖存器2 626以及鎖存器3 628的一個(gè)此類(lèi)示例。在這種情況下，一組感測(cè)操作630包括每個(gè)在與其他感測(cè)操作不同的閾值電壓下執(zhí)行的七個(gè)不同的感測(cè)操作。因此，由于m = 7，可以有總共八個(gè)不同的結(jié)果，并且如所示地在已編碼儲(chǔ)存器622中進(jìn)行編碼。在所示的實(shí)施例中，兩位已編碼狀態(tài)置信度輸出620和三位已編碼狀態(tài)置信度輸出609形成三位已編碼狀態(tài)置信度輸出632的子集。因此，除三位已編碼狀態(tài)置信度輸出609的六個(gè)不同輸出之外，三位已編碼狀態(tài)置信度輸出632包括“1，1，0”條目和“0，1，0”條目。如所示，當(dāng)在最低閾值電壓下執(zhí)行感測(cè)操作634導(dǎo)致將存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的晶體管開(kāi)啟時(shí)，可產(chǎn)生“ 1，1，O”已編碼輸出。因此，第一位“ I ”指示用于測(cè)量存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)“ I ”，并且位序列“ 1，O”指示最高置信度水平。同樣地，當(dāng)在最高閾值電壓下執(zhí)行感測(cè)操作636導(dǎo)致將存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的晶體管開(kāi)啟時(shí)，可產(chǎn)生“O，I, O”已編碼輸出。因此，第一位“O”指示用于測(cè)量存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)“O”，并且位序列“1，O”指示最高置信度水平。
[0042]產(chǎn)生已編碼狀態(tài)置信度輸出609、620和632的實(shí)施例中所不的編碼方案的一個(gè)顯著特征是僅單個(gè)位可能需要使?fàn)顟B(tài)在每個(gè)連續(xù)感測(cè)操作之間切換，以將已編碼輸出從表示第一感測(cè)操作的變成表示下一感測(cè)操作的。這產(chǎn)生使編碼操作所需的能量和時(shí)間最小化的雙重優(yōu)點(diǎn)。
[0043]另外，在其他實(shí)施例中，可針對(duì)不同類(lèi)型的感測(cè)程序采用公共編碼方案，其中感測(cè)操作的數(shù)目在不同感測(cè)程序之間是不同的。例如，可在諸如圖5、6a和6c中所描述的三位編碼方案中對(duì)涉及到三個(gè)感測(cè)操作的感測(cè)程序、涉及到五個(gè)感測(cè)操作的感測(cè)程序以及涉及到七個(gè)感測(cè)操作的感測(cè)程序的結(jié)果進(jìn)行編碼。在某些實(shí)施例中，ECC引擎可請(qǐng)求用來(lái)生成已編碼狀態(tài)置信度信息的感測(cè)操作的數(shù)目的改變而不改變已編碼狀態(tài)置信度信息中的位數(shù)。因此，可能采用七次感覺(jué)操作讀取來(lái)生成包括狀態(tài)置信度信息的三位已編碼輸出。隨后，可接收導(dǎo)致到五次感覺(jué)操作讀取的切換的命令，盡管如此，其被以相同的三位輸出格式編碼。以這種方式，針對(duì)糾錯(cuò)而接收的已編碼輸出中的每個(gè)已編碼位可在涉及到不同數(shù)目的感測(cè)操作的不同感測(cè)程序之間保持相同的意義。
[0044]圖7描述了舉例說(shuō)明連續(xù)編碼操作之間的單位改變的示例性布置。已編碼狀態(tài)置信度輸出609表示與如圖6a中所示相同的編碼方案以對(duì)五個(gè)不同感測(cè)操作的結(jié)果進(jìn)行編碼。如所示，由于各感測(cè)操作702和704的結(jié)果而開(kāi)啟晶體管提供各已編碼輸出序列“1，0，1”和“1，1，1”。因此，為了從第一已編碼輸出序列變成下一個(gè)，僅改變鎖存器2 606中的位。
[0045]根據(jù)各種實(shí)施例，“邏輯狀態(tài)”位可位于多位已編碼輸出的任何位置上，諸如已編碼輸出的第一、第二或第三位置。
[0046]在各種附加實(shí)施例中，可從包括多位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器陣列對(duì)狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼。例如，NAND存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)多個(gè)位?？蓪⒛軌虼鎯?chǔ)多個(gè)位的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元稱(chēng)為多級(jí)存儲(chǔ)單元(MLC)。在已知MLC技術(shù)中，可針對(duì)每個(gè)不同的邏輯狀態(tài)設(shè)置不同的閾值電壓。相應(yīng)地，可用四(=22)個(gè)不同閾值電壓來(lái)表征兩位MLC，并且可用八(=23)個(gè)不同閾值電壓來(lái)表征三位MLC。如上所述，在具有多個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器陣列中，可用電壓的分布來(lái)表征與給定邏輯狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的閾值電壓，因?yàn)閱为?dú)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的閾值電壓可偏離標(biāo)稱(chēng)閾值電壓。這同樣適用于基于MLC的陣列,其中,用電壓的分布來(lái)表征四個(gè)、八個(gè)或更大閾值電壓中的每一個(gè)。在基于MLC的陣列中，由于必須設(shè)置至少四個(gè)不同的閾值電壓(在兩位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的情況下)，所以也可發(fā)生閾值電壓分布中的重疊，導(dǎo)致給定MLC位的讀出位值是否正確的不確定性。
[0047]附加實(shí)施例以與上文詳述的單位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的情況類(lèi)似的方式來(lái)解決此問(wèn)題。圖8a描述了根據(jù)各種實(shí)施例的來(lái)自MLC型存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)讀出中的狀態(tài)置信度信息的編碼細(xì)節(jié)。在圖8a中，示出了三位MLC中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的示例，其中圖示出八個(gè)三位組合的一個(gè)可能布置的數(shù)據(jù)集800。然而，可以有其他布置。數(shù)據(jù)集800包括可存儲(chǔ)在3位MLC存儲(chǔ)器中的3位邏輯狀態(tài)的八個(gè)不同序列。特別地，按照從最低閾值電壓至最高的順序，不同序列是(1，1，I) ;(0，1，I) ;(0，0，I) ;(1，0，I) ;(1，0，0) ;(0，0，0) ;(0，1,0)；(I, 1，0)。
[0048]現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖8b，示出了一組802的閾值電壓分布，其可用來(lái)表示可存儲(chǔ)在3位MLC中的八個(gè)不同的3位邏輯狀態(tài)序列。特別地，可將序列(1，I, 1);(0，I, 1);(0，0，1);(1，0，I)；(1，0，O) ; (0，0，O) ; (0，1，O) ; (1，1，O)存儲(chǔ)在各閾值電壓分布 804、806、808、810、812、814、816、818，其如所示地對(duì)應(yīng)于水平L0、L1、L2、L3、L4、L5、L6和L7。一般地，為了確定用圖8b的分布804— 818表示的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元中的一位數(shù)據(jù)的邏輯狀態(tài)，可在如所示地用Vm至Vt6表示的感測(cè)電壓下施加感測(cè)。為了舉例說(shuō)明這一點(diǎn)，圖Sb中的每個(gè)閾值電壓分布還描述了對(duì)應(yīng)于該電壓分布的三位邏輯狀態(tài)序列的第一位的邏輯狀態(tài)。按照增加閾值電壓的順序，第一位讀作“ I ”、“O”、“O”、“ I ”、“ I ”、“O”、“O”、“ I ”。此示例性序列對(duì)使確定正在讀取的位的邏輯狀態(tài)所需的數(shù)據(jù)感測(cè)操作的量最小化是有用的。例如，如果期望在沒(méi)有狀態(tài)置信度信息的情況下僅讀出第一位的邏輯狀態(tài)，則可在閾值電壓VTO、VT2、VT4和Vt6下施加一系列的四個(gè)感測(cè)操作。這些閾值電壓標(biāo)記第一位中的邏輯“O”和邏輯“I”或邏輯“I”和邏輯“O”之間的過(guò)渡，如圖Sb中所示。相應(yīng)地，當(dāng)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的晶體管響應(yīng)于閾值電壓VTQ、VT2、V14和Vt6中的一個(gè)而開(kāi)啟時(shí)，該存儲(chǔ)單元的位狀態(tài)是已知的。
[0049]以類(lèi)似方式，能夠探測(cè)第二和第三位的位狀態(tài)。例如，按照增加閾值電壓的順序，第二位讀作“1”、“1”、“0”、“0”、“0”、“0”、“1”、“1”。在這種情況下，如果還期望在沒(méi)有狀態(tài)置信度信息的情況下僅讀出第二位的邏輯狀態(tài)，需要在閾值電壓Vn和Vt5下施加一系列的僅兩個(gè)感測(cè)操作，因?yàn)檫@些閾值電壓標(biāo)記用于第二位序列的邏輯“O”和邏輯“I”或邏輯“I”和邏輯“O”之間的唯一過(guò)渡。對(duì)于第三位而言，其圖案讀作“ I ”、“ I ”、“ I ”、“ I ”、“O”、“O”、“0”、“0”，需要在閾值電壓Vt3下施加僅一個(gè)感測(cè)操作，因?yàn)榇碎撝惦妷簶?biāo)記用于第三位序列的邏輯“ O ”和邏輯“ I ”或邏輯“ I ”和邏輯“ O ”之間的唯一過(guò)渡。
[0050]根據(jù)本實(shí)施例，圖Sb還圖示出如何可通過(guò)執(zhí)行關(guān)于一組目標(biāo)閾值電壓的一系列感測(cè)操作而從三位MLC導(dǎo)出狀態(tài)置信度信息的示例，該組目標(biāo)閾值電壓是針對(duì)要讀取的三位MLC的適當(dāng)位而選擇的。在圖Sb中所示的特定示例中，通過(guò)執(zhí)行關(guān)于閾值電壓VTO、\2、Vt4和Vt6中的每一個(gè)的一組五次感測(cè)操作來(lái)探測(cè)來(lái)自第一位的狀態(tài)置信度信息。以這種方式，通過(guò)執(zhí)行四組感測(cè)操作822、824、826和828，可確定三位MLC的第一位的邏輯狀態(tài)以及指示該確定的可靠性的狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)。進(jìn)一步如圖8b中所示，例如，如果三位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的晶體管響應(yīng)于感測(cè)操作826-2而開(kāi)啟，則可確定第一位的邏輯狀態(tài)是“1”，因?yàn)楦鶕?jù)閾值電壓分布812，表示3位邏輯狀態(tài)“1，0，O”的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元中的大多數(shù)晶體管將響應(yīng)于對(duì)應(yīng)于感測(cè)操作826-2的閾值電壓的施加而開(kāi)啟，同時(shí)，根據(jù)閾值電壓分布814,表不3位邏輯狀態(tài)“0，O, O”的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元中的大多數(shù)晶體管將不會(huì)響應(yīng)于對(duì)應(yīng)于感測(cè)操作826-2的閾值電壓的施加而開(kāi)啟。
[0051]圖8c描述了對(duì)應(yīng)于各組感測(cè)操作822、824、826和828的示例性的各組狀態(tài)置信度已編碼輸出832、834、836、834。每組狀態(tài)置信度已編碼輸出包含六個(gè)不同的3位序列以對(duì)五個(gè)不同的感測(cè)操作的輸出進(jìn)行編碼，如上文相對(duì)于圖5、6a和7所述。在其中三位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的晶體管響應(yīng)于感測(cè)操作826— 2而開(kāi)啟的示例中，結(jié)果得到的狀態(tài)置信度已編碼輸出是“ 1，O，I ”，其表示第一位邏輯狀態(tài)是“ I ”且此值正確的置信度水平是中間的。
[0052]可獨(dú)立地應(yīng)用與圖8a — Sc中所示類(lèi)似的一組程序以根據(jù)期望而讀取三位MLC中的其他位。然而，如上所述，由于圖8a中所示的示例性位序列，要讀取第二位，將只有兩組感測(cè)操作是必需的，并且要讀取第三位，將僅要求一組的感測(cè)操作。
[0053]同樣如圖Sc中所示，并且根據(jù)各種實(shí)施例，為了保持每個(gè)3位代碼的意義，可使在從被分配邏輯‘0’狀態(tài)的分布過(guò)渡至其邏輯值為‘I’的一個(gè)時(shí)的編碼序列與在從‘I’過(guò)渡至‘0’分布時(shí)的序列相反。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“編碼序列”指的是根據(jù)不同感測(cè)條件的連續(xù)多位已編碼輸出序列。通過(guò)使編碼序列反向，最高順序(第一)位保持其與輸出數(shù)據(jù)值相同的意義，該輸出數(shù)據(jù)值等效于介于兩個(gè)相鄰閾值電壓分布中間的單次感測(cè)的結(jié)果。關(guān)于每個(gè)三位已編碼輸出中的已編碼位，該意義與反向無(wú)關(guān)，因?yàn)榈诙偷谌坏男蛄嘘P(guān)于中心狀態(tài)是對(duì)稱(chēng)的，如圖8c中所示。因此，例如，描述I > O過(guò)渡的狀態(tài)置信度已編碼輸出832的編碼序列是“1，0，0”、“1，0，1，，、“1，I, 1，，、“0，0，I”和“0，0，0”，而描述O > I過(guò)渡的狀態(tài)置信度已編碼輸出 834 的序列是“0，0，0”、“0，0，1”、“0，I, 1”、“1，I, 1”、“1，0，I”和 “1，0，0”。
[0054]在附加實(shí)施例中，可通過(guò)執(zhí)行其中改變除閾值電壓之外的參數(shù)的一組感測(cè)操作來(lái)創(chuàng)建已編碼狀態(tài)置信度信息。例如，再次參考圖5，作為在圍繞基準(zhǔn)電壓I的不同閾值電壓下執(zhí)行一組五次感測(cè)操作的替代，可在閾值電壓\下執(zhí)行一組五次感測(cè)操作中的每一個(gè)，同時(shí)在每個(gè)感測(cè)操作之間改變感測(cè)時(shí)間。這種方法可具有與在感測(cè)操作的時(shí)間保持恒定的同時(shí)改變?cè)诟袦y(cè)操作中施加的閾值電壓類(lèi)似的效果。換言之，由于可使用位線電壓的測(cè)量結(jié)果來(lái)確定存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的晶體管是否已開(kāi)啟，所以被測(cè)量以確定位的邏輯狀態(tài)的線電壓是時(shí)間相關(guān)的，并且還取決于感測(cè)電壓。在其他實(shí)施例中，可以有其他多次感測(cè)操作，其涉及到改變其他感測(cè)參數(shù)或參數(shù)的組合。
[0055]在附加實(shí)施例中，呈現(xiàn)了用于管理從存儲(chǔ)器進(jìn)行的狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)讀取的新型技術(shù)。由于采用LDPC ECC引擎的糾錯(cuò)方法要求多位的置信度數(shù)據(jù)，所以用來(lái)獲得數(shù)據(jù)并將數(shù)據(jù)解析到外部控制器的技術(shù)不同于被用于常規(guī)讀操作的那些，如上文詳述的。結(jié)果，為了使系統(tǒng)能夠適當(dāng)?shù)卮_定兩個(gè)狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)并以常規(guī)方式讀取數(shù)據(jù)，各種附加實(shí)施例提出了用于外部控制器向諸如閃速NAND器件之類(lèi)的存儲(chǔ)器指示將讀取狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)或常規(guī)用戶(hù)數(shù)據(jù)的技術(shù)。另外，在某些實(shí)施例中，在其中將狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)編碼成被輸出的情況下，提供了用于外部控制器用信號(hào)將所請(qǐng)求的每個(gè)后續(xù)位的性質(zhì)通知給NAND器件的技術(shù)。因此，例如，當(dāng)請(qǐng)求一系列已編碼位時(shí)，在讀取第一已編碼位之后，可向NAND器件提供信令以請(qǐng)求來(lái)自先前度操作的下一位的已編碼數(shù)據(jù)，與請(qǐng)求來(lái)自存儲(chǔ)器中的完全不同位置的新數(shù)據(jù)相反。
[0056]圖9呈現(xiàn)圖示出可提供給存儲(chǔ)器以促進(jìn)狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的讀出的一組新型命令的實(shí)施例。在一個(gè)示例中，諸如外部控制器之類(lèi)的控制器可采用數(shù)據(jù)命令模塊204來(lái)生成CMD2，其是向存儲(chǔ)器指示存儲(chǔ)器將獲得和編碼狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)而不是常規(guī)用戶(hù)數(shù)據(jù)的新型命令。隨后，可執(zhí)行多次感測(cè)操作902，諸如上文相對(duì)于圖5 — Sc公開(kāi)的那些，導(dǎo)致以多位序列的形式生成已編碼狀態(tài)置信度信息。當(dāng)準(zhǔn)備好傳送包括狀態(tài)置信度的數(shù)據(jù)時(shí)，數(shù)據(jù)總線(未示出)可首先解析出已編碼置信度數(shù)據(jù)的最高有效位，亦即指示存儲(chǔ)器的邏輯狀態(tài)的位，沒(méi)有其他已編碼位。在諸如NAND陣列之類(lèi)的陣列中，可首先讀出與初始置信度位[O]相關(guān)聯(lián)的頁(yè)面中的所有數(shù)據(jù)，其被示為Dntl...Dn0+ffl,其中，η和m是任何正整數(shù)且可以是相同的整數(shù)。當(dāng)外部控制器已接收到與置信度位[O]相關(guān)聯(lián)的所有期望數(shù)據(jù)時(shí)，可執(zhí)行命令CMD3以告訴NAND存儲(chǔ)器解析下一位的置信度數(shù)據(jù)。然后可讀出與下一置信度位[I]相關(guān)聯(lián)的所有數(shù)據(jù)，其被示為Dnl，...Dnl+m。當(dāng)其已接收到與置信度位[I]相關(guān)聯(lián)的所有期望數(shù)據(jù)時(shí)，外部控制器可再次執(zhí)行CMD3以告訴NAND部件解析下一位等等，直至接收到已編碼輸出的所有置信度位為止。
[0057]當(dāng)要讀出常規(guī)數(shù)據(jù)時(shí)，可生成CMDl命令，如圖9中進(jìn)一步所示。隨后，可執(zhí)行用于從NAND讀取數(shù)據(jù)的常規(guī)感測(cè)操作904，其產(chǎn)生數(shù)據(jù)Dn，...Dn+m。
[0058]在某些實(shí)施例中，雖然在圖9中未明確地描述，CMD3命令可包括類(lèi)似于CMDl和CMD2的附加地址信息，其向外部控制器提供隨機(jī)地選擇在解析后續(xù)置信度位時(shí)從置信度數(shù)據(jù)的哪個(gè)字節(jié)開(kāi)始的能力。
[0059]在其他實(shí)施例中，雖然未明確地示出，但可將圖9中所示的上述方案擴(kuò)展，使得數(shù)據(jù)讀取通過(guò)簡(jiǎn)單地在傳送所有其他請(qǐng)求置信度數(shù)據(jù)之后繞回至位[O]來(lái)解析置信度位
[O]。
[0060]在此包括的是表示用于執(zhí)行公開(kāi)架構(gòu)的新型方面的示例性方法的一組流程圖。雖然為了說(shuō)明的簡(jiǎn)單起見(jiàn)示出了在本文中例如以流程圖的方式示出的一個(gè)或多個(gè)方法并描述為一系列動(dòng)作，但應(yīng)理解并認(rèn)識(shí)到的是該方法不受動(dòng)作順序的限制，因?yàn)槟承﹦?dòng)作可據(jù)此按照與本文所示和所述的不同的順序和/或與其他動(dòng)作同時(shí)地發(fā)生。例如，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解并認(rèn)識(shí)到的是可以替換地將方法表示為一系列互相關(guān)狀態(tài)或事件，諸如在狀態(tài)圖中。此外，對(duì)于新型實(shí)施方式而言，并不是方法中舉例說(shuō)明的所有動(dòng)作都是需要的。
[0061]圖10描述了示例性第一邏輯流程1000。在方框1002處，在一組感測(cè)條件下讀取存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器狀態(tài)，其涉及到設(shè)置多個(gè)不同的閾值電壓，即用于每個(gè)感測(cè)條件的不同閾值電壓。在方框1004處，在多位輸出中對(duì)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器(邏輯)狀態(tài)進(jìn)行編碼。該多位輸出使用數(shù)目少于感測(cè)操作總數(shù)的一組位對(duì)多次感測(cè)操作的結(jié)果進(jìn)行編碼。例如，可在一組的三個(gè)位中對(duì)七次感測(cè)操作的結(jié)果進(jìn)行編碼。在方框1006處，將已編碼輸出傳送至糾錯(cuò)碼引擎以用于處理。該糾錯(cuò)碼可使用LDPC來(lái)處理在多位輸出中編碼的狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)。
[0062]圖11描述了示例性第二邏輯流程1100。在方框1102處，在一組感測(cè)條件下讀取存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)，該組感測(cè)條件涉及到設(shè)置許多不同的閾值電壓，其跨越在用于第一邏輯狀態(tài)的標(biāo)稱(chēng)閾值電壓與用于第二邏輯狀態(tài)的標(biāo)稱(chēng)閾值電壓之間的范圍。不同閾值電壓的范圍可包括落在用于第一和第二邏輯狀態(tài)的標(biāo)稱(chēng)閾值電壓中間的基準(zhǔn)電壓。
[0063]在方框1104處，基于該組不同感測(cè)條件下的存儲(chǔ)器讀取而將已編碼輸出的第一位設(shè)置成表示存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)。在方框1106處，在已編碼輸出中設(shè)置一個(gè)或多個(gè)附加位以對(duì)狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼，該狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)指示由已編碼輸出的第一位記錄的邏輯狀態(tài)的準(zhǔn)確度。
[0064]圖12描述了示例性第三邏輯流程1200。在方框1202處，確定一組基準(zhǔn)電壓，其標(biāo)記用于多位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元(MLC)的第一位的邏輯狀態(tài)之間的過(guò)渡。在方框1204處，通過(guò)執(zhí)行一組或多組感測(cè)測(cè)量而從MLC讀取第一位。每組感測(cè)測(cè)量包括多個(gè)感測(cè)條件，其跨越圍繞該組基準(zhǔn)電壓中的基準(zhǔn)電壓的一定范圍的閾值電壓。該基準(zhǔn)電壓可落在第一邏輯狀態(tài)的閾值電壓與相鄰邏輯狀態(tài)的閾值電壓中間。在方框1206處，將已編碼輸出的主要位設(shè)置成基于所述一組或多組感測(cè)測(cè)量對(duì)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的第一位的邏輯狀態(tài)進(jìn)行編碼。在方框1208處，將一個(gè)或多個(gè)附加位設(shè)置成對(duì)狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼，該狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)指示由主要位記錄的邏輯狀態(tài)的準(zhǔn)確度。
[0065]圖13描述了示例性第四邏輯流程1300。在方框1302處，執(zhí)行一組感測(cè)測(cè)量，該組感測(cè)測(cè)量包括跨越圍繞基準(zhǔn)電壓的一定范圍的閾值電壓的多個(gè)感測(cè)條件，該基準(zhǔn)電壓標(biāo)記多位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元(MLC)中的第一組邏輯狀態(tài)之間的過(guò)渡。該第一組邏輯狀態(tài)包括用一組閾值電壓分布中的相鄰閾值電壓分布表不的邏輯狀態(tài)，該組閾值電壓分布表不可存儲(chǔ)在MLC中的位的所有組合的邏輯狀態(tài)。例如，參考圖8b，閾值電壓分布806和808表示相鄰閾值電壓分布。
[0066]在方框1304處，進(jìn)行關(guān)于是否將執(zhí)行附加的一組感測(cè)測(cè)量的確定。例如，在圖8a — Sc中所示的實(shí)施方式中，為了確定三位MLC中的第一位，可執(zhí)行四組不同的感測(cè)測(cè)量，而為了確定第三位，只須執(zhí)行一組感測(cè)測(cè)量。因此，要執(zhí)行與MLC中的特定存儲(chǔ)器地址相關(guān)聯(lián)的一位數(shù)據(jù)的讀取可要求一組或多組感測(cè)操作，取決于要讀取的位的位置和用于存儲(chǔ)位的存儲(chǔ)方案。如果要執(zhí)行更多測(cè)量，流程移動(dòng)至方框1306。
[0067]在方框1306處，執(zhí)行附加的一組感測(cè)測(cè)量，其包括多個(gè)不同感測(cè)條件，該感測(cè)條件跨越圍繞第二基準(zhǔn)電壓的一定范圍的閾值電壓，該第二基準(zhǔn)電壓標(biāo)記MLC中的第二組邏輯狀態(tài)之間的過(guò)渡。流程然后返回至方框1304。
[0068]如果在方框1304處，將不執(zhí)行附加的一組感測(cè)測(cè)量，則流程移動(dòng)至方框1308。在方框1308處，生成多位已編碼輸出，其基于產(chǎn)生邏輯狀態(tài)之間的過(guò)渡的一組目標(biāo)感測(cè)條件而提供狀態(tài)置信度信息。
[0069]圖14描述了示例性第五邏輯流程1400。在方框1402處，識(shí)別從存儲(chǔ)器請(qǐng)求狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的命令請(qǐng)求。在方框1404處，在包括多個(gè)不同閾值電壓的一組感測(cè)條件下讀取存儲(chǔ)器的邏輯狀態(tài)。在方框1406處，傳送已編碼輸出的第一位，其基于該組感測(cè)條件下的存儲(chǔ)器讀取而表示用于存儲(chǔ)器的狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)。在方框1408處，如果接收到用于狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的附加位的命令請(qǐng)求，則流程移動(dòng)至方框1410。在方框1410處，傳送已編碼輸出的附加位，其基于該組感測(cè)條件下的存儲(chǔ)器讀取而表示用于存儲(chǔ)器的置信度數(shù)據(jù)。此邏輯流程可持續(xù)至未接收到用于置信度數(shù)據(jù)的附加位的請(qǐng)求，在那里，邏輯流程結(jié)束。
[0070]圖15圖示出適合于實(shí)現(xiàn)如先前所述的各種實(shí)施例的示例性計(jì)算架構(gòu)1500的實(shí)施例。如在本申請(qǐng)中使用的術(shù)語(yǔ)“系統(tǒng)”和“部件”意圖指的是計(jì)算機(jī)相關(guān)實(shí)體，為硬件、硬件和軟件的組合、軟件或執(zhí)行中的軟件，其示例由示例性架構(gòu)1500提供。例如，部件可以是但不限于是在處理器上運(yùn)行的進(jìn)程、處理器、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、(光學(xué)和/或磁存儲(chǔ)介質(zhì)的)多個(gè)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器、對(duì)象、可執(zhí)行指令、執(zhí)行線程、程序和/或計(jì)算機(jī)。以舉例說(shuō)明的方式，在服務(wù)器上運(yùn)行的應(yīng)用和服務(wù)器兩者都可以是部件。一個(gè)或多個(gè)部件可以存在于進(jìn)程和/或執(zhí)行線程內(nèi)，并且可以將部件定位于一個(gè)計(jì)算機(jī)上和/或分布在兩個(gè)或更多計(jì)算機(jī)之間。此外，可用各種類(lèi)型的通信介質(zhì)將部件相互通信耦合以協(xié)調(diào)操作。該協(xié)調(diào)可涉及到單向或雙向信息交換。例如，部件可以通過(guò)通信介質(zhì)傳送的信號(hào)的形式來(lái)傳送信息。可以將該信息實(shí)現(xiàn)為分配給各種信號(hào)線的信號(hào)。在此類(lèi)分配中，每個(gè)消息都是信號(hào)。然而，其他實(shí)施例可替換地采用數(shù)據(jù)消息?？煽绺鞣N連接發(fā)送此類(lèi)數(shù)據(jù)消息。示例性連接包括并行接口、串行接口以及總線接口。
[0071]在一個(gè)實(shí)施例中，計(jì)算架構(gòu)1500可包括或被實(shí)現(xiàn)為電子設(shè)備的一部分。電子設(shè)備的示例在沒(méi)有限制的情況下可包括移動(dòng)設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理、移動(dòng)計(jì)算設(shè)備、智能電話(huà)、蜂窩式電話(huà)、手持機(jī)、單向?qū)ず魴C(jī)、雙向?qū)ず魴C(jī)、通訊設(shè)備、計(jì)算機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)、手持式計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、服務(wù)器陣列或服務(wù)器場(chǎng)、網(wǎng)頁(yè)服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器、因特網(wǎng)服務(wù)器、工作站、微型計(jì)算機(jī)、主機(jī)計(jì)算機(jī)、超級(jí)計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、網(wǎng)頁(yè)設(shè)備、分布式計(jì)算系統(tǒng)、多處理器系統(tǒng)、基于處理器的系統(tǒng)、消費(fèi)者電子裝置、可編程消費(fèi)者電子裝置、電視、數(shù)字電視、機(jī)頂盒、無(wú)線接入點(diǎn)、基站、訂戶(hù)站、移動(dòng)訂戶(hù)中心、無(wú)線電網(wǎng)絡(luò)控制器、路由器、集線器、網(wǎng)關(guān)、橋接器、交換機(jī)、機(jī)器或其組合。該組合在此背景下不受限制。
[0072]計(jì)算架構(gòu)1500包括各種公共計(jì)算元件，諸如一個(gè)或多個(gè)處理器、協(xié)處理器、存儲(chǔ)器單元、芯片組、控制器、外圍設(shè)備、接口、振蕩器、定時(shí)設(shè)備、視頻卡、音頻卡、多媒體輸入/輸出(I/O)部件等。然而，實(shí)施例不限于由計(jì)算架構(gòu)1500實(shí)現(xiàn)。
[0073]如圖15中所示，計(jì)算架構(gòu)1500包括處理單元1504、系統(tǒng)存儲(chǔ)器1506和系統(tǒng)總線1508。處理單元1504可以是各種市售處理器中的任何一個(gè)。還可采用雙微處理器及其他多處理器架構(gòu)作為處理單元1504。系統(tǒng)總線1508為系統(tǒng)部件提供接口，包括但不限于系統(tǒng)存儲(chǔ)器1506至處理單元1504。系統(tǒng)總線1508可以是多個(gè)類(lèi)型的總線結(jié)構(gòu)中的任何一個(gè)，其還可被互連至存儲(chǔ)器總線(有或沒(méi)有存儲(chǔ)器控制器)、外圍總線以及使用多種市售總線架構(gòu)中的任何一個(gè)的本地總線。
[0074]計(jì)算架構(gòu)1500可包括或?qū)崿F(xiàn)各種制品。制品可包括將存儲(chǔ)邏輯的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。實(shí)施例還可被至少部分地實(shí)現(xiàn)為包含在非臨時(shí)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中或上面的指令，其可被一個(gè)或多個(gè)處理器讀取和執(zhí)行以啟用本文所述的操作的執(zhí)行。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的示例可包括能夠存儲(chǔ)電子數(shù)據(jù)的任何有形介質(zhì)，包括易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器、可移動(dòng)或不可移動(dòng)存儲(chǔ)器、可擦或不可擦存儲(chǔ)器、可寫(xiě)或可重寫(xiě)存儲(chǔ)器等。邏輯的示例可包括使用任何適當(dāng)類(lèi)型的代碼實(shí)現(xiàn)的可執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序指令，諸如源代碼、編譯代碼、解釋代碼、可執(zhí)行代碼、靜態(tài)代碼、動(dòng)態(tài)代碼、面向?qū)ο蟠a、視覺(jué)代碼等。
[0075]系統(tǒng)存儲(chǔ)器1506可包括一個(gè)或多個(gè)高速存儲(chǔ)器單元形式的各種類(lèi)型的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，諸如只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、動(dòng)態(tài)RAM (DRAM)、雙倍數(shù)據(jù)速率 DRAM (DDRAM)、同步 DRAM (SDRAM)、靜態(tài) RAM (SRAM)、可編程 ROM (PR0M)、可擦可編程ROM (EPROM)、電可擦可編程ROM (EEPR0M)、閃速存儲(chǔ)器、聚合物存儲(chǔ)器，諸如鐵電聚合物存儲(chǔ)器、雙向開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、相變或鐵電存儲(chǔ)器、硅氧化物氮化物氧化物硅(SONOS)存儲(chǔ)器、磁或光卡或適合于存儲(chǔ)信息的任何其他類(lèi)型的介質(zhì)。在圖15中所示的所示實(shí)施例中，系統(tǒng)存儲(chǔ)器1506可以包括非易失性存儲(chǔ)器1510和/或易失性存儲(chǔ)器1512?？梢詫⒒据斎?輸出系統(tǒng)(B1S)存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器1510中。
[0076]計(jì)算機(jī)1502可以一個(gè)或多個(gè)低速存儲(chǔ)器單元的形式包括各種類(lèi)型的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，包括內(nèi)部硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD) 1514、從可移動(dòng)磁盤(pán)1518進(jìn)行讀取或向其寫(xiě)入的磁性軟盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(FDD)1516、從可移動(dòng)磁盤(pán)1522進(jìn)行讀取或向其寫(xiě)入的光盤(pán)驅(qū)動(dòng)器1520 (例如，CD-ROM或DVD)以及從非易失性存儲(chǔ)器(NVM) 1525讀取數(shù)據(jù)和/或向其寫(xiě)入數(shù)據(jù)的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)1523，包括NAND閃速存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器(PCM)、自旋存儲(chǔ)器；具有開(kāi)關(guān)的相變存儲(chǔ)器(PCMS)、磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、自旋存儲(chǔ)器、納米線存儲(chǔ)器、鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeTRAM)?？梢苑謩e地用HDD接口 1524、FDD接口 1526、光驅(qū)接口 1528以及固態(tài)驅(qū)動(dòng)接口 1529將HDD接口 1514、FDD接口 1516、光盤(pán)驅(qū)動(dòng)器1520以及固態(tài)驅(qū)動(dòng)器1523連接到系統(tǒng)總線1508。用于外部驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)的HDD接口 1524可以包括通用串行總線(USB)和IEEE 1394接口技術(shù)中的至少一者或兩者。固態(tài)驅(qū)動(dòng)接口 1529可包括用于耦合到主機(jī)設(shè)備的任何適當(dāng)接口，諸如，例如但不限于串行高級(jí)技術(shù)附著(SATA)接口、串行附著SCSI(SAS)接口、通用串行總線(USB)接口、外圍控制接口(PCI)或其他適當(dāng)設(shè)備接口。
[0077]該驅(qū)動(dòng)器和關(guān)聯(lián)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)提供數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令等的易失性和/或非易失存儲(chǔ)。例如，可以將許多程序模塊存儲(chǔ)在驅(qū)動(dòng)器和存儲(chǔ)器單元1510、1512中，包括操作系統(tǒng)1530、一個(gè)或多個(gè)應(yīng)用程序1532、其他程序模塊1534以及程序數(shù)據(jù)1536。
[0078]用戶(hù)可以通過(guò)一個(gè)或多個(gè)有線/無(wú)線輸入設(shè)備、例如鍵盤(pán)1538和定點(diǎn)設(shè)備、諸如鼠標(biāo)1540向計(jì)算機(jī)1502中輸入命令和信息。其他輸入設(shè)備可包括擴(kuò)音器、紅外(IR)遙控器、操縱桿、游戲板、觸控筆、觸摸屏等。這些及其他輸入設(shè)備常常通過(guò)被耦合到系統(tǒng)總線1508的輸入設(shè)備接口 1542被連接到處理單元1504，但是可以通過(guò)其他接口連接，諸如并行端口、IEEE 1394串行端口、游戲端口、USB端口、IR接口等。
[0079]監(jiān)視1544或其他類(lèi)型的顯示設(shè)備也經(jīng)由接口連接到系統(tǒng)總線1508，諸如視頻適配器1546。除監(jiān)視器1544之外，計(jì)算機(jī)通常包括其他外圍輸出設(shè)備，諸如揚(yáng)聲器、打印機(jī)坐寸ο
[0080]計(jì)算機(jī)1502可經(jīng)由到諸如遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)1548之類(lèi)的一個(gè)或多個(gè)遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)的有線和/或無(wú)線通信而使用邏輯連接在聯(lián)網(wǎng)環(huán)境中進(jìn)行操作。遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)1548可以是工作站、服務(wù)器計(jì)算機(jī)、路由器、個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、基于微處理器的娛樂(lè)設(shè)備、對(duì)端設(shè)備或其他公共網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)，并且通常包括相對(duì)于計(jì)算機(jī)1502所述的許多或所有元件，雖然出于簡(jiǎn)潔的目的僅圖示出存儲(chǔ)器/存儲(chǔ)設(shè)備1550。所描述的邏輯連接包括到局域網(wǎng)(LAN) 1552和/或大型網(wǎng)絡(luò)、例如廣域網(wǎng)(WAN) 1554的有線/無(wú)線連接。此類(lèi)LAN和WAN聯(lián)網(wǎng)環(huán)境在辦公室和公司中是普遍的，并且促進(jìn)企業(yè)范圍的計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)，諸如內(nèi)部網(wǎng)，其全部可連接到全球通信網(wǎng)，例如因特網(wǎng)。
[0081]當(dāng)在LAN聯(lián)網(wǎng)環(huán)境中使用時(shí)，計(jì)算機(jī)1502通過(guò)有線和/或無(wú)線通信網(wǎng)絡(luò)接口或適配器1556被連接到LAN 1552。適配器1556可以促進(jìn)到LAN 1552的有線和/或無(wú)線通信，其還可包括設(shè)置在其上面以便與適配器856的無(wú)線功能通信的無(wú)線接入點(diǎn)。
[0082]當(dāng)在WAN聯(lián)網(wǎng)環(huán)境中使用時(shí)，計(jì)算機(jī)1502可以包括調(diào)制解調(diào)器1558，并被連接到WAN 1554上的通信服務(wù)器，或者具有用于通過(guò)WAN 1554來(lái)建立通信的其他裝置，諸如經(jīng)由因特網(wǎng)。可以在內(nèi)部或外部且是有線和/或無(wú)線設(shè)備的調(diào)制解調(diào)器1558經(jīng)由輸入設(shè)備接口 1542連接到系統(tǒng)總線1508。在聯(lián)網(wǎng)環(huán)境中，可以將相對(duì)于計(jì)算機(jī)1502所述的程序模塊或其各部分存儲(chǔ)在遠(yuǎn)程存儲(chǔ)器/存儲(chǔ)設(shè)備1550中。將認(rèn)識(shí)到的是所示的網(wǎng)絡(luò)連接是示例性的且可以使用在計(jì)算機(jī)之間建立通信鏈路的其他手段。
[0083]計(jì)算機(jī)1502可操作用于使用IEEE 802標(biāo)準(zhǔn)系列與有線和無(wú)線設(shè)備或?qū)嶓w通信，諸如可操作地設(shè)置成與例如打印機(jī)、掃描儀、臺(tái)式計(jì)算機(jī)和/或便攜式計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、通信衛(wèi)星、與無(wú)線可檢測(cè)標(biāo)簽相關(guān)聯(lián)的任何設(shè)備或位置(例如信息亭、報(bào)攤、休息室)進(jìn)行無(wú)線通信(例如，IEEE 802.11空中調(diào)制技術(shù))的無(wú)線設(shè)備。這至少包括W1-Fi (或無(wú)線保真)、WiMax以及Bluetooth?無(wú)線技術(shù)。因此，該通信可以是如常規(guī)網(wǎng)絡(luò)的情況一樣的預(yù)定義結(jié)構(gòu)，或者簡(jiǎn)單地是至少兩個(gè)設(shè)備之間的自組織通信。W1-Fi網(wǎng)絡(luò)使用稱(chēng)為IEEE802.1lx (a、b、g、n等)無(wú)線電技術(shù)來(lái)提供安全、可靠、快速的無(wú)線連接?？梢允褂肳1-Fi網(wǎng)絡(luò)來(lái)將計(jì)算機(jī)相互連接、連接到因特網(wǎng)和有線網(wǎng)絡(luò)(其使用IEEE 802.3相關(guān)媒體和功能)。
[0084]可使用措辭“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”以及其派生詞來(lái)描述某些實(shí)施例。這些術(shù)語(yǔ)意味著結(jié)合該實(shí)施例所述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在至少一個(gè)實(shí)施例中。短語(yǔ)“在一個(gè)實(shí)施例中”在本說(shuō)明書(shū)中的不同位置上的出現(xiàn)不一定全部參考同一實(shí)施例。此外，可使用措辭“耦合”和“連接”以及其派生詞來(lái)描述某些實(shí)施例。這些術(shù)語(yǔ)不一定意圖作為相互的同義詞。例如，可使用術(shù)語(yǔ)“連接”和/或“耦合”來(lái)描述某些實(shí)施例以指示兩個(gè)或更多元件相互進(jìn)行直接物理或電接觸。然而，術(shù)語(yǔ)“耦合”還可意味著兩個(gè)或更多元件并未相互進(jìn)行直接接觸，但是仍相互協(xié)作或相交互。
[0085]在一個(gè)實(shí)施例中，一種設(shè)備可包括將從非易失性存儲(chǔ)器檢索數(shù)據(jù)的控制器以及可在控制器上操作以在包括許多感測(cè)條件的第一組感測(cè)條件下讀取非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的糾錯(cuò)模塊。該糾錯(cuò)模塊進(jìn)一步可在控制器上操作以設(shè)定已編碼輸出中的第一組位，該第一組位包括將指示存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)的邏輯狀態(tài)位和將基于第一組感測(cè)條件下的讀取結(jié)果而指示邏輯狀態(tài)位的準(zhǔn)確度的已編碼輸出中的一個(gè)或多個(gè)附加位，該第一組感測(cè)條件包括比第一組位更大的數(shù)目。
[0086]在另一實(shí)施例中，非易失性存儲(chǔ)器可包括NAND存儲(chǔ)器，并且所述糾錯(cuò)模塊可在控制器上操作以應(yīng)用低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)修正來(lái)確定非易失性存儲(chǔ)器的位錯(cuò)誤。
[0087]另外或替換地，在另一實(shí)施例中，第一組位可對(duì)應(yīng)于施加多個(gè)感測(cè)條件的結(jié)果，其包括施加落在表示用于非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的第一邏輯狀態(tài)的標(biāo)稱(chēng)閾值電壓的第一閾值電壓與表示用于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的第二邏輯狀態(tài)的標(biāo)稱(chēng)閾值電壓的第二閾值電壓之間的至少一個(gè)感測(cè)基準(zhǔn)電壓。
[0088]替換地或另外，在另一實(shí)施例中，第一組感測(cè)條件可包括第一組感測(cè)基準(zhǔn)電壓，其跨越在第一和第二閾值電壓之間的一定范圍的閾值電壓。
[0089]替換地或另外，糾錯(cuò)模塊可在控制器上操作以基于施加一組或多組感測(cè)條件的結(jié)果來(lái)設(shè)定η位已編碼狀態(tài)置信度輸出，一組或多組感測(cè)條件包括等于小于cT的一組感測(cè)條件。
[0090]替換地或另外，在另一實(shí)施例中，糾錯(cuò)模塊可在控制器上操作以對(duì)多位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元執(zhí)行存儲(chǔ)器讀取，其中，存儲(chǔ)器讀取包括針對(duì)多位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的第一位確定一組基準(zhǔn)電壓，該組基準(zhǔn)電壓標(biāo)記邏輯狀態(tài)之間的各組過(guò)渡。存儲(chǔ)器讀取還可包括針對(duì)該組基準(zhǔn)電壓的每個(gè)基準(zhǔn)電壓執(zhí)行一組感測(cè)測(cè)量，每組感測(cè)測(cè)量包括在跨越圍繞每個(gè)基準(zhǔn)電壓的一定范圍的閾值電壓的多個(gè)感測(cè)基準(zhǔn)電壓下對(duì)非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行讀取。
[0091]替換地或另外，在另一實(shí)施例中，糾錯(cuò)模塊可在控制器上操作以在閾值電壓的增加對(duì)應(yīng)于邏輯“O”與邏輯“ I”之間的過(guò)渡時(shí)生成已編碼輸出的第一編碼序列，并在閾值電壓的增加對(duì)應(yīng)于邏輯“ I ”與邏輯“O”之間的過(guò)渡時(shí)生成第二編碼序列，其為第一編碼序列的反向。
[0092]替換地或另外，在另一實(shí)施例中，該設(shè)備可包括數(shù)據(jù)命令模塊，其在控制器上可操作以從非易失性存儲(chǔ)器向系統(tǒng)控制器發(fā)射已編碼輸出，生成向非易失性存儲(chǔ)器指示用于常規(guī)用戶(hù)數(shù)據(jù)的請(qǐng)求的第一命令，并生成指示用于狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的請(qǐng)求的第二命令。
[0093]替換地或另外，在另一實(shí)施例中，數(shù)據(jù)命令模塊可在控制器上操作以在請(qǐng)求從先前讀感測(cè)操作導(dǎo)出的下一位已編碼數(shù)據(jù)時(shí)向非易失性存儲(chǔ)器提供第三命令。
[0094]替換地或另外，在另一實(shí)施例中，該設(shè)備可包括將呈現(xiàn)從非易失性存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)的結(jié)果的數(shù)字顯示器。
[0095]在另一實(shí)施例中，一種計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法可包括在包括許多感測(cè)條件的第一組感測(cè)條件下讀取非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元。該計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法還可包括分配其數(shù)目小于感測(cè)條件的第一組位以將讀取存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的結(jié)果編碼為已編碼輸出，并設(shè)定已編碼輸出中的第一組位，該第一組位包括將指示存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)的邏輯狀態(tài)位和將基于第一組感測(cè)條件下的讀取的結(jié)果而指示邏輯狀態(tài)位的準(zhǔn)確度的已編碼輸出中的一個(gè)或多個(gè)附加位，該第一組感測(cè)條件包括大于第一組位的數(shù)目。
[0096]在附加實(shí)施例中，該方法可包括應(yīng)用低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)修正以確定非易失性存儲(chǔ)器中的位錯(cuò)誤。
[0097]替換地或另外，在另一實(shí)施例中，設(shè)定第一組位可包括確定在第一組感測(cè)條件下感測(cè)非易失性存儲(chǔ)器的結(jié)果，該第一組感測(cè)條件跨越表示用于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的第一邏輯狀態(tài)的標(biāo)稱(chēng)閾值電壓的較低閾值電壓與表示用于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的第二邏輯狀態(tài)的標(biāo)稱(chēng)閾值電壓的較高閾值電壓之間的一定范圍的閾值電壓。
[0098]替換地或另外，在另一實(shí)施例中，該方法可包括基于施加不同的各組感測(cè)條件中的每一個(gè)的結(jié)果來(lái)設(shè)定三位已編碼輸出，不同的各組感測(cè)條件包括一組三個(gè)感測(cè)基準(zhǔn)電壓、一組五個(gè)感測(cè)基準(zhǔn)電壓以及一組七個(gè)基準(zhǔn)電壓。
[0099]替換地或另外，在另一實(shí)施例中，該方法可包括確定一組基準(zhǔn)電壓，其標(biāo)記用于多位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的第一位的邏輯狀態(tài)之間的過(guò)渡，并執(zhí)行一組感測(cè)測(cè)量，每組感測(cè)測(cè)量包括在多個(gè)感測(cè)基準(zhǔn)電壓下讀取非易失性存儲(chǔ)器，所述多個(gè)感測(cè)基準(zhǔn)電壓跨越圍繞該組基準(zhǔn)電壓的每個(gè)基準(zhǔn)電壓的一定范圍的閾值電壓。
[0100]替換地或另外，在另一實(shí)施例中，方法可包括在閾值電壓的增加對(duì)應(yīng)于邏輯“O”與邏輯“I”之間的過(guò)渡時(shí)生成已編碼輸出的第一編碼序列，并在閾值電壓的增加對(duì)應(yīng)于邏輯“I”與邏輯“O”之間的過(guò)渡時(shí)生成第二編碼序列，其為第一編碼序列的反向。
[0101]替換地或另外，在另一實(shí)施例中，該方法可包括生成向非易失性存儲(chǔ)器指示用于常規(guī)用戶(hù)數(shù)據(jù)的請(qǐng)求的第一命令，并生成指示用于狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的請(qǐng)求的第二命令。
[0102]替換地或另外，在另一實(shí)施例中，該方法可包括在請(qǐng)求從先前讀感測(cè)操作導(dǎo)出的下一位已編碼數(shù)據(jù)時(shí)向非易失性存儲(chǔ)器提供第三命令。
[0103]在另一實(shí)施例中，一種設(shè)備可包括用于執(zhí)行前述實(shí)施例中的任何一個(gè)的方法的裝置。
[0104]在另一實(shí)施例中，至少一個(gè)機(jī)器可讀介質(zhì)可包括多個(gè)指令，其響應(yīng)于在計(jì)算設(shè)備上執(zhí)行而促使計(jì)算設(shè)備執(zhí)行根據(jù)前述實(shí)施例中的任何一個(gè)的方法。
[0105]應(yīng)強(qiáng)調(diào)的是提供公開(kāi)的摘要是為了允許讀者快速地確定技術(shù)公開(kāi)的本質(zhì)。其是以其將不會(huì)被用來(lái)解釋或限制權(quán)利要求的范圍或意義的條件下提交的。另外，在前述詳細(xì)描述中，可以看到出于組織本公開(kāi)的目的而將各種特征一起集中在單個(gè)實(shí)施例中。不應(yīng)將本公開(kāi)的這種方法解釋為反映要求保護(hù)的實(shí)施例要求比在每個(gè)權(quán)利要求中明確敘述的更多的特征。相反，如以下權(quán)利要求所反映的，發(fā)明主題存在于少于單個(gè)公開(kāi)實(shí)施例的所有特征。這樣，以下權(quán)利要求被因此結(jié)合到詳細(xì)描述中，每個(gè)權(quán)利要求作為單獨(dú)實(shí)施例而本身獨(dú)立。在所附權(quán)利要求中，使用術(shù)語(yǔ)“包括”和“其中”分別地作為相應(yīng)術(shù)語(yǔ)“包含”和“其中”的簡(jiǎn)單英語(yǔ)等價(jià)物。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等僅僅用作標(biāo)記，并不意圖對(duì)其對(duì)象施加數(shù)值要求。
[0106]上文描述的內(nèi)容包括公開(kāi)架構(gòu)的示例。當(dāng)然，不可能描述部件和/或方法的每個(gè)可設(shè)想組合，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可認(rèn)識(shí)到可以有許多其他組合和置換。相應(yīng)地，新型架構(gòu)意圖涵蓋落在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的所有變更、修改和變化。
[0107]可使用硬件元件、軟件元件或兩者的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)各種實(shí)施例。硬件元件的示例可包括處理器、微處理器、電路、電路元件(例如晶體管、電阻器、電容器、電感器等)、集成電路、專(zhuān)用集成電路(ASIC)、可編程邏輯器件(PLD)、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)、邏輯門(mén)、寄存器、半導(dǎo)體器件、芯片、微芯片、芯片組等。軟件的示例可包括軟件部件、程序、應(yīng)用、計(jì)算機(jī)程序、應(yīng)用程序、系統(tǒng)程序、機(jī)器程序、操作系統(tǒng)軟件、中間件、固件、軟件模塊、例程、子例程、函數(shù)、方法、程序、軟件接口、應(yīng)用程序接口(API)、指令集、計(jì)算代碼、計(jì)算機(jī)代碼、代碼段、計(jì)算機(jī)代碼段、字、值、符號(hào)或其任何組合。確定是否使用硬件元件和/或軟件元件來(lái)實(shí)現(xiàn)實(shí)施例可根據(jù)任何數(shù)目的因素而改變，諸如期望計(jì)算速率、功率水平、耐熱性、處理循環(huán)預(yù)算、輸入數(shù)據(jù)速率、輸出數(shù)據(jù)速率、存儲(chǔ)器資源、數(shù)據(jù)總線速度及其他設(shè)計(jì)或性能約束。
[0108]可使用措辭“耦合”和“連接”以及其派生詞來(lái)描述某些實(shí)施例。這些術(shù)語(yǔ)并不意圖作為相互的同義詞。例如，可使用術(shù)語(yǔ)“連接”和/或“耦合”來(lái)描述某些實(shí)施例以指示兩個(gè)或更多元件相互進(jìn)行直接物理或電接觸。然而，術(shù)語(yǔ)“耦合”還可意味著兩個(gè)或更多元件并未相互進(jìn)行直接接觸，但是仍相互協(xié)作或相交互。
[0109]某些實(shí)施例可例如使用計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)或物品來(lái)實(shí)現(xiàn)，其可存儲(chǔ)指令或指令集，該指令或指令集在被計(jì)算機(jī)執(zhí)行時(shí)促使計(jì)算機(jī)執(zhí)行根據(jù)實(shí)施例的方法和/或操作。此類(lèi)計(jì)算機(jī)可包括例如任何適當(dāng)處理平臺(tái)、計(jì)算平臺(tái)、計(jì)算設(shè)備、處理設(shè)備、計(jì)算系統(tǒng)、處理系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)、處理器等，并且可使用硬件和/或軟件的任何適當(dāng)組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)或物品可包括例如任何適當(dāng)類(lèi)型的存儲(chǔ)器單元、存儲(chǔ)器件、存儲(chǔ)物品、存儲(chǔ)介質(zhì)、儲(chǔ)存器件、儲(chǔ)存物品、存儲(chǔ)介質(zhì)和/或存儲(chǔ)單元，例如存儲(chǔ)器、可移動(dòng)或不可移動(dòng)介質(zhì)、可擦或不可擦介質(zhì)、可寫(xiě)或可重寫(xiě)介質(zhì)、數(shù)字或模擬介質(zhì)、硬盤(pán)、軟盤(pán)、緊湊盤(pán)只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)、可記錄緊湊式磁盤(pán)(CD-R)、可重寫(xiě)緊湊式磁盤(pán)(CD-RW)、光盤(pán)、磁介質(zhì)、磁光介質(zhì)、可移動(dòng)存儲(chǔ)卡或磁盤(pán)、各種類(lèi)型的數(shù)字多功能磁盤(pán)(DVD )、磁帶、盒式磁帶等。指令可包括任何適當(dāng)類(lèi)型的代碼，諸如源代碼、編譯代碼、解釋代碼、可執(zhí)行代碼、靜態(tài)代碼、動(dòng)態(tài)代碼、加密代碼等，使用任何適當(dāng)高級(jí)、低級(jí)、面向?qū)ο?、視覺(jué)、編譯和/或解釋編程語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)。
[0110]除非另外具體地說(shuō)明，可認(rèn)識(shí)到諸如“處理”、“估計(jì)”、“計(jì)算”、“確定”等參考計(jì)算機(jī)或計(jì)算系統(tǒng)或類(lèi)似電子計(jì)算設(shè)備的動(dòng)作和/或過(guò)程，其對(duì)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的寄存器和/或存儲(chǔ)器內(nèi)表示為物理量(例如，電子)的數(shù)據(jù)進(jìn)行操縱和/或?qū)⒃摂?shù)據(jù)變換成同樣地在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器、寄存器或其他此類(lèi)信息存儲(chǔ)、傳輸或顯示設(shè)備內(nèi)表示為物理量的其他數(shù)據(jù)。該實(shí)施例在此背景下不受限制。
[0111]雖然已經(jīng)用結(jié)構(gòu)特征和/或方法動(dòng)作特定的語(yǔ)言描述了主題，但應(yīng)理解的是在所附權(quán)利要求中定義的主題不一定局限于上述特定特征或動(dòng)作。相反，上述特定特征和動(dòng)作是作為實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求的示例性形式而公開(kāi)的。
【權(quán)利要求】
1.一種設(shè)備，包括: 控制器，從非易失性存儲(chǔ)器檢索數(shù)據(jù)；以及 糾錯(cuò)模塊，可在控制器上操作以: 在包括多個(gè)感測(cè)條件的第一組感測(cè)條件下對(duì)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀??；以及 設(shè)定已編碼輸出中的第一組位，該第一組位包括將指示存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)的邏輯狀態(tài)位和將基于第一組感測(cè)條件下的讀取結(jié)果而指示邏輯狀態(tài)位的準(zhǔn)確度的已編碼輸出中的一個(gè)或多個(gè)附加位，該第一組感測(cè)條件包括比第一組位更大的數(shù)目。
2.權(quán)利要求1的設(shè)備，所述非易失性存儲(chǔ)器包括NAND存儲(chǔ)器，并且所述糾錯(cuò)模塊可在控制器上操作以應(yīng)用低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)修正來(lái)確定非易失性存儲(chǔ)器的位錯(cuò)誤。
3.權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)的設(shè)備，所述第一組位對(duì)應(yīng)于施加多個(gè)感測(cè)條件的結(jié)果，其包括施加落在表不用于所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單兀的第一邏輯狀態(tài)的標(biāo)稱(chēng)閾值電壓的第一閾值電壓與表示用于所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的第二邏輯狀態(tài)的標(biāo)稱(chēng)閾值電壓的第二閾值電壓之間的至少一個(gè)感測(cè)基準(zhǔn)電壓。
4.權(quán)利要求3的設(shè)備，該第一組感測(cè)條件包括第一組感測(cè)基準(zhǔn)電壓，其跨越在第一和第二閾值電壓之間的一定范圍的閾值電壓。
5.權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)的設(shè)備，所述糾錯(cuò)模塊可在控制器上操作以: 基于施加一組或多組感測(cè)條件的結(jié)果來(lái)設(shè)定η位已編碼狀態(tài)置信度輸出，一組或多組感測(cè)條件包括等于小于2η的一組感測(cè)條件。
6.權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)的設(shè)備，該糾錯(cuò)模塊可在控制器上操作以對(duì)多位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元執(zhí)行存儲(chǔ)器讀取，該存儲(chǔ)器讀取包括: 針對(duì)多位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的第一位確定一組基準(zhǔn)電壓，其標(biāo)記邏輯狀態(tài)之間的各組過(guò)渡；以及 針對(duì)該組基準(zhǔn)電壓的每個(gè)基準(zhǔn)電壓執(zhí)行一組感測(cè)測(cè)量，每組感測(cè)測(cè)量包括在跨越圍繞每個(gè)基準(zhǔn)電壓的一定范圍的閾值電壓的多個(gè)感測(cè)基準(zhǔn)電壓下對(duì)非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行讀取。
7.權(quán)利要求6的設(shè)備，所述糾錯(cuò)模塊可在控制器上操作以: 當(dāng)閾值電壓的增加對(duì)應(yīng)于邏輯“O”與邏輯“I”之間的過(guò)渡時(shí)，生成已編碼輸出的第一編碼序列；以及 當(dāng)閾值電壓的增加對(duì)應(yīng)于邏輯“I”與邏輯“O”之間的過(guò)渡時(shí)，生成作為第一編碼序列的反向的第二編碼序列。
8.權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)的設(shè)備，包括數(shù)據(jù)命令模塊，其可在控制器上操作以: 將來(lái)自非易失性存儲(chǔ)器的已編碼輸出發(fā)射到系統(tǒng)控制器； 生成第一命令，其向非易失性存儲(chǔ)器指示用于常規(guī)用戶(hù)數(shù)據(jù)的請(qǐng)求；以及 生成第二命令，其指示用于狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的請(qǐng)求。
9.權(quán)利要求8的設(shè)備，該數(shù)據(jù)命令模塊可在控制器上操作以在請(qǐng)求從先前讀感測(cè)操作導(dǎo)出的下一位已編碼數(shù)據(jù)時(shí)向非易失性存儲(chǔ)器提供第三命令.權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)的設(shè)備，包括用以呈現(xiàn)從非易失性存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)的結(jié)果的數(shù)字顯示器。
10.一種計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法，包括: 在包括許多感測(cè)條件的第一組感測(cè)條件下對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀?。? 分配其數(shù)目小于感測(cè)條件的第一組位將對(duì)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀取的結(jié)果編碼為已編碼輸出； 設(shè)定已編碼輸出中的第一組位，該第一組位包括將指示存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)的邏輯狀態(tài)位和將基于第一組感測(cè)條件下的讀取結(jié)果而指示邏輯狀態(tài)位的準(zhǔn)確度的已編碼輸出中的一個(gè)或多個(gè)附加位，該第一組感測(cè)條件包括比第一組位更大的數(shù)目。
11.權(quán)利要求11的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法，包括應(yīng)用低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)修正以確定非易失性存儲(chǔ)器中的位錯(cuò)誤。
12.權(quán)利要求11至12中的任一項(xiàng)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法，設(shè)置第一組位包括確定在第一組感測(cè)條件下感測(cè)非易失性存儲(chǔ)器的結(jié)果，該第一組感測(cè)條件跨越在表示用于所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的第一邏輯狀態(tài)的標(biāo)稱(chēng)閾值電壓的較低閾值電壓與表示用于所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的第二邏輯狀態(tài)的標(biāo)稱(chēng)閾值電壓的較高閾值電壓之間的一定范圍的閾值電壓。
13.權(quán)利要求11至13中的任一項(xiàng)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法，包括: 基于施加不同的各組感測(cè)條件中的每一個(gè)的結(jié)果來(lái)設(shè)定三位已編碼狀態(tài)置信度輸出，不同的各組感測(cè)條件包括一組三個(gè)感測(cè)基準(zhǔn)電壓、一組五個(gè)感測(cè)基準(zhǔn)電壓以及一組七個(gè)基準(zhǔn)電壓。
14.權(quán)利要求11至14中的任一項(xiàng)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法，包括: 確定一組基準(zhǔn)電壓，其標(biāo)記用于多位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的第一位的邏輯狀態(tài)之間的過(guò)渡；以及 執(zhí)行一組感測(cè)測(cè)量，每組感測(cè)測(cè)量包括在跨越圍繞該組基準(zhǔn)電壓的每個(gè)基準(zhǔn)電壓的一定范圍的閾值電壓的多個(gè)感測(cè)基準(zhǔn)電壓下對(duì)非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行讀取。
15.權(quán)利要求11至15中的任一項(xiàng)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法，包括: 當(dāng)閾值電壓的增加對(duì)應(yīng)于邏輯“O”與邏輯“I”之間的過(guò)渡時(shí)，生成已編碼輸出的第一編碼序列；以及 當(dāng)閾值電壓的增加對(duì)應(yīng)于邏輯“I”與邏輯“O”之間的過(guò)渡時(shí)，生成作為第一編碼序列的反向的第二編碼序列。
16.權(quán)利要求11至16中的任一項(xiàng)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法，包括: 生成第一命令，其向非易失性存儲(chǔ)器指示用于常規(guī)用戶(hù)數(shù)據(jù)的請(qǐng)求；以及 生成第二命令，其指示用于狀態(tài)置信度數(shù)據(jù)的請(qǐng)求。
17.權(quán)利要求11至17中的任一項(xiàng)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法，包括在請(qǐng)求從先前讀感測(cè)操作導(dǎo)出的下一位已編碼數(shù)據(jù)時(shí)向非易失性存儲(chǔ)器提供第三命令。
18.—種包括用于執(zhí)行權(quán)利要求11至18中的任一項(xiàng)的方法的裝置的設(shè)備。
19.至少一個(gè)機(jī)器可讀介質(zhì)，包括多個(gè)指令，該指令響應(yīng)于在計(jì)算設(shè)備上執(zhí)行而促使計(jì)算設(shè)備執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求11至18中的任一項(xiàng)所述的方法。
【文檔編號(hào)】G11C16/26GK104205235SQ201280072014
【公開(kāi)日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2012年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月29日
【發(fā)明者】M.高曼, W.D.特蘭, A.S.馬德拉斯瓦拉, 樸成浩 申請(qǐng)人:英特爾公司