用于存儲器設備的芯片上冗余修復的制作方法
【專利摘要】用于存儲器設備的芯片上冗余修復。存儲器設備的實施例包括動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）；以及與DRAM耦合的系統(tǒng)元件。系統(tǒng)元件包括用于控制DRAM的存儲器控制器，以及與存儲器控制器耦合的修復邏輯，修復邏輯持有被標識為對于DRAM的缺陷區(qū)域的失效地址的地址。修復邏輯被配置成接收存儲器操作請求并且實現(xiàn)用于針對請求的操作地址的冗余修復。
【專利說明】用于存儲器設備的芯片上冗余修復

【技術領域】
[0001]本發(fā)明的實施例一般涉及電子設備領域，并且更具體地涉及用于存儲器設備的芯片上冗余修復。

【背景技術】
[0002]為了提供用于計算操作的更密集的存儲器，已經(jīng)發(fā)展了牽涉具有多個緊密耦合的存儲器元件的存儲器設備(其可以被稱為3D堆疊的存儲器或堆疊的存儲器)的概念。3D堆疊的存儲器可以包括DRAM (動態(tài)隨機存取存儲器)存儲器元件的耦合的層或封裝，其可以被稱為存儲器堆疊。堆疊的存儲器可以用于在單個設備或封裝中提供大量計算機存儲器，其中設備或封裝還可以包括某些系統(tǒng)組件，諸如存儲器控制器和CPU (中央處理單元)。
[0003]然而，相比于更簡單的存儲器元件的成本，在3D堆疊的存儲器的制造中可能存在顯著的成本。在堆疊的存儲器設備的構建中，在制作時沒有瑕疵的存儲器管芯可能在3D堆疊的存儲器封裝的制造中產(chǎn)生瑕疵。因此，有缺陷的存儲器設備的成本對于設備制造商或者對于購買電子設備的消費者而言可能是顯著的。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0004]作為示例而非作為限制地在附圖的各圖中圖示本發(fā)明的實施例，其中同樣的參考標號是指類似的元件。
[0005]圖1圖示包括冗余修復邏輯的存儲器的實施例；
圖2是圖示用于存儲器設備的冗余修復過程的實施例的流程圖；
圖3是利用通過缺陷元件追蹤的存儲器修復的用于存儲器設備的冗余修復邏輯的實施例的圖示；
圖4是利用存儲器大小減小和用于存儲器的組塊的地址轉換的用于存儲器設備的冗余修復邏輯的實施例的圖示；
圖5是利用存儲器大小減小和用于地址條目的地址轉換的用于存儲器設備的冗余修復邏輯的實施例的圖示；
圖6是包括用于對存儲器的部分進行冗余修復的元件的裝置或系統(tǒng)的實施例的圖示；
以及
圖7圖示了包括具有用于對存儲器的部分進行冗余修復的元件的堆疊存儲器的計算系統(tǒng)的實施例。

【具體實施方式】
[0006]本發(fā)明的實施例一般目的在于用于存儲器設備的芯片上冗余修復。
[0007]如本文所使用的:
“3D堆疊的存儲器”(其中3D指示三維)或“堆疊的存儲器”意指包括一個或多個耦合的存儲器管芯層、存儲器封裝或其它存儲器元件的計算機存儲器。存儲器可以豎直堆疊或水平(諸如并排)堆疊，或者以其它方式包含耦合在一起的存儲器元件。特別地，堆疊的存儲器DRAM設備或系統(tǒng)可以包括具有多個DRAM管芯層的存儲器設備。堆疊的存儲器設備還可以在設備中包括系統(tǒng)兀件，其在本文中可以被稱為系統(tǒng)層或兀件，其中系統(tǒng)層可以包括諸如CPU (中央處理單元)、存儲器控制器和其它相關系統(tǒng)元件之類的元件。系統(tǒng)層可以包括芯片上系統(tǒng)(SoC)。在一些實施例中，邏輯芯片可以是應用處理器或圖形處理單元(GPU)。
[0008]隨著堆疊DRAM標準(諸如Wide1標準)的出現(xiàn)，DRAM晶片可以在具有存儲器堆疊的相同封裝中堆疊有諸如芯片上系統(tǒng)(SoC)晶片之類的系統(tǒng)元件。堆疊的存儲器可以利用硅通孔(TSV)制造技術，其中穿過硅管芯而產(chǎn)生通孔以提供穿過存儲器堆疊的信號路徑。
[0009]然而，堆疊的存儲器設備可以包括系統(tǒng)芯片和一個或多個DRAM芯片，其中組件和設備構建相比于較舊的單層存儲器而言相對昂貴。在制造之后，可能存在有缺陷的存儲器單元，因此冒有如果丟棄缺陷設備則有顯著成本的風險。如果具有缺陷部分的每個堆疊的存儲器設備被丟棄，則相比于常規(guī)單管芯存儲器中的缺陷，結果造成的損失顯著更大，因為在堆疊的存儲器中堆疊的DRAM封裝和SoC 二者將都丟失。在一些實施例中，修復邏輯慮及對存儲器設備的存儲器控制器透明的修復，其可以操作成通過使用包括缺陷存儲器部分的地址在內(nèi)的地址而將數(shù)據(jù)讀取到DRAM和從其寫數(shù)據(jù)。
[0010]在常規(guī)設備中，某些冗余特征可以在遭遇故障時存在。然而，一般需要存儲器設備的修復發(fā)生在存儲器設備上。在堆疊的存儲器設備中，取決于DRAM的制造商，存儲器層可以從設備到設備而不同。
[0011]在一些實施例中，用于存儲器設備的芯片上冗余修復技術，其中該技術可以包括:
(1)在一些實施例中，在存儲器設備的SoC中實現(xiàn)修復技術，并且因此在設備的DRAM側上無需改變，其中結果是冗余為供應商無關的。為此原因，可以在存儲器設備的生產(chǎn)中利用多個供應商，這可以被制造商用于滿足對于高容量產(chǎn)品的供應和需求。
(2)在一些實施例中，冗余修復可以在不修改冗余技術或過程的情況下應用于未來的DRAM設備。
(3)在一些實施例中，冗余修復技術支持靜態(tài)和動態(tài)冗余修復二者。
(4)在一些實施例中，冗余修復還可以應用在常規(guī)存儲器子系統(tǒng)中以允許有回避存儲器單元故障的能力。
[0012]在一些實施例中，存儲器設備提供用于存儲器的通用冗余修復，其中冗余修復在存儲器設備的系統(tǒng)芯片上進行處置。在一些實施例中，堆疊的存儲器的系統(tǒng)元件包括允許對可以用在存儲器設備中的不同類型的DRAM存儲器進行修復的組件。
[0013]在一些實施例中，系統(tǒng)元件可以使用用于存儲器組件的冗余修復的多個工具之一。在一些實施例中，BIST被用于標識有缺陷的DRAM單元。在一些實施例中，通過使用包括以下各項的冗余修復技術來修復有缺陷的DRAM單元:
(I)通過缺陷元件追蹤的芯片上存儲器修復——在一些實施例中，失效地址被熔合(fuse)到CAM (內(nèi)容可尋址存儲器)或存儲器設備的系統(tǒng)元件的其它修復邏輯存儲器中以供用于旨在對于存儲器設備的存儲器堆疊中的DRAM存儲器的缺陷部分的存儲數(shù)據(jù)。在以地址寫到DRAM的情況下，在向DRAM發(fā)送地址之前，將該地址與CAM中所提供的缺陷DRAM部分的地址相比較。當存在CAM命中時，數(shù)據(jù)被存儲在CAM中并且對DRAM的訪問被忽略。在一些實施例中，當接收到用于存儲器操作的地址時，系統(tǒng)首先訪問CAM以確定是否存在匹配，并且如果是這樣，則系統(tǒng)不向DRAM提供地址，而是代替地從CAM獲取數(shù)據(jù)。在一些實施例中，系統(tǒng)元件包括當在CAM處存在與地址的匹配(也稱為命中)時防止將地址遞送到DRAM的鎖存器(觸發(fā)器(flip-flop))設備，以及基于在CAM處是否存在匹配而在來自CAM的數(shù)據(jù)與來自DRAM的數(shù)據(jù)之間進行選擇的多路復用器。
(2)通過存儲器大小減小和地址轉換的芯片上修復——在一些實施例中，存儲器的冗余修復包括減小存儲器大小和地址轉換。在一些實施例中，存儲器設備提供按存儲器的缺陷部分的大小來減小所報告的總存儲器大小，使得存儲器指示對可用的存儲器設備的良好存儲器的量進行表示的大小。在一些實施例中，存儲器設備提供轉換存儲器的缺陷部分的地址，使得地址指向存儲器的良好部分。在特定實現(xiàn)中，地址的轉換包括偏移存儲器的地址以移過存儲器的缺陷部分，諸如添加單個地址偏移以移過存儲器的第一缺陷部分，添加兩個地址偏移以移過存儲器的第二缺陷部分，等等。
[0014]在一些實施例中，對存儲器的修復在存儲器設備的系統(tǒng)元件中和存儲器元件的外部進行處置。關于此事，修復是通用的并且可以應用于存儲器的制造商所征用的任何存儲器格式。在一些實施例中，存儲器設備通過要么提供在諸如用于第一修復工具的CAM之類的分離存儲器中的存儲要么通過將存儲器的缺陷部分的地址轉換到存儲器的良好部分來提供用于缺陷元件的冗余。
[0015]在一些實施例中，標識存儲器的缺陷部分的測試和對存儲器的冗余修復以避免這樣的缺陷部分可以發(fā)生在不同時間，并且可以在存儲器設備的壽命中多次發(fā)生。測試和冗余修復可以要么是初始測試中靜態(tài)的，要么是操作中動態(tài)的。例如，DRAM的測試和冗余修復可以發(fā)生在堆疊的存儲器設備的制造中，并且可以發(fā)生在包括堆疊的存儲器的裝置或系統(tǒng)的制造中。另外，測試和自修復可以發(fā)生在這樣的裝置或系統(tǒng)的操作中。在示例中，測試和冗余修復可以發(fā)生在用于裝置或系統(tǒng)的每個加電循環(huán)處。在一些實施例中，系統(tǒng)存儲器包括BIST (內(nèi)建自測試)，其中BIST的操作可以包括標識存儲器的缺陷部分。
[0016]存儲器的冗余行、列或塊可以實現(xiàn)在某些常規(guī)DRAM中。然而，這樣的元件的故障需要常規(guī)存儲器中的操作。在一些實施例中，冗余實現(xiàn)被提供在存儲器設備的SoC中，并且因此不取決于DRAM行或列冗余可用性。
[0017]在一些實施例中，具有冗余修復的存儲器設備可以包括堆疊的存儲器設備，諸如Wide1兼容存儲器設備。然而，實施例并不局限于堆疊的存儲器設備或任何特定存儲器結構，并且可以包括例如具有外部DRAM而不是堆疊的存儲器技術的存儲器設備。
[0018]圖1圖示了包括自測試邏輯的3D堆疊的存儲器的實施例。在該圖示中，諸如Wide1存儲器設備之類的3D堆疊的存儲器設備100包括襯底105上的與一個或多個DRAM存儲器管芯層120(在本文中也被稱為存儲器堆疊)|禹合的系統(tǒng)兀件110。在一些實施例中，系統(tǒng)元件110可以是芯片上系統(tǒng)(SoC)或其它類似的元件。在該圖示中，DRAM存儲器管芯層包括四個存儲器管芯層，這些層是第一存儲器管芯層122、第二存儲器管芯層124、第三存儲器管芯層126和第四存儲器管芯層128。然而，實施例并不受限于存儲器堆疊120中的任何特定數(shù)目的存儲器管芯層，并且可以包括更大或更小數(shù)目的存儲器管芯層。每個管芯層可以包括一個或多個片段或部分，并且可以具有一個或多個不同的通道。每個管芯層可以包括溫度補償?shù)淖运⑿?TCSR)電路以解決熱學問題，其中TCSR和模式寄存器可以是設備的管理邏輯的一部分。
[0019]除其它元件之外，系統(tǒng)元件110可以包括諸如Wide1存儲器控制器之類的存儲器控制器130，以用于存儲器堆疊120。在一些實施例中，存儲器堆疊120的每個存儲器管芯層(有可能除了頂部(或最外)存儲器管芯層之外，諸如在該圖示中的第四存儲器管芯層128)包括多個硅通孔(TSV) 150以提供穿過存儲器管芯層的路徑。
[0020]在一些實施例中，系統(tǒng)層包括BIST邏輯140。在一些實施例中，BIST邏輯被用于DRAM存儲器層的測試。在一些實施例中，系統(tǒng)層還包括DRAM冗余修復邏輯145。在一些實施例中，DRAM修復邏輯145包括通過使失效地址指向良好存儲器的地址來修復存儲器堆疊的缺陷元件的元件，其中這樣的元件可以包括圖3-5中圖示的元件。
[0021]圖2是圖示用于存儲器設備的冗余修復過程的實施例的流程圖。在一些實施例中，可以進行存儲器設備的測試202，其中這樣的測試可以發(fā)生在不同時間，包括在制造中和在操作中，諸如在通電自測試中。在一些實施例中，測試可以包括通過存儲器設備的系統(tǒng)元件的BIST邏輯來進行測試，諸如在存儲器設備的通電自測試中。在一些實施例中，關于存儲器的缺陷部分的數(shù)據(jù)可以存儲到存儲器的系統(tǒng)元件的冗余修復邏輯中204，其中修復邏輯可以用于慮及存儲器操作而同時避免存儲器的缺陷部分。
[0022]在操作中，對于存儲器的讀或?qū)懖僮骺梢栽诖鎯ζ髟O備的存儲器控制器處被接收206。在一些實施例中，DRAM存儲器操作的冗余修復從系統(tǒng)元件實現(xiàn)210。
[0023]在一些實施例中，冗余修復可以利用通過缺陷追蹤的冗余修復230。在一些實施例中，操作地址指向CAM或存儲器設備的系統(tǒng)元件的其它修復邏輯存儲器232，諸如例如圖3中所圖示的CAM 315。在一些實施例中，將操作地址與存儲在CAM中的失效地址相比較234。如果存在與失效地址的匹配236，則在存儲器操作中避免DRAM，并且訪問CAM以要么從操作地址讀數(shù)據(jù)要么向操作地址寫數(shù)據(jù)240。如果不存在匹配，其指示操作地址尚未被標識為失效地址，則訪問DRAM以用于讀或?qū)懖僮?42。
[0024]在一些實施例中，冗余修復可以包括存儲器減小和地址偏移250。在一些實施例中，存儲器設備的所報告的存儲器量可以按存儲器的所標識的缺陷部分的量而減小252，從而提供反映可用的存儲器量的存儲器大小。在一些實施例中，操作地址被指向存儲器的系統(tǒng)元件的地址轉換器254，其中地址轉換器確定應當向操作地址提供多少偏移以便避免存儲器的缺陷部分256。然后讀或?qū)懖僮鞅恢赶虬此_定的地址偏移量進行偏移的地址258，從而慮及在存儲器的良好部分中對讀和操作進行處置并且避免存儲器的缺陷部分。
[0025]在一些實施例中，在系統(tǒng)元件中處置冗余修復操作，使得操作對于存儲器控制器是透明的，存儲器控制器仿佛在存儲器設備中不存在存儲器的缺陷部分那樣進行操作。
[0026]圖3是利用芯片上存儲器修復的用于存儲器設備的冗余修復邏輯的實施例的圖示。在一些實施例中，芯片上存儲器修復包括替換存儲器設備300的失效存儲器條目或地址，這與替換整行或整列的傳統(tǒng)存儲器操作形成對比。在一些實施例中，CAM或類便箋式存儲器熔合有失效地址。這樣的失效地址可以在制造中或者在操作中(諸如在通電自測試中)被確定，其中固件或OS (操作系統(tǒng))可以用于用被確定為失效地址的地址來加載CAM。還可以使用通電自測試和制造熔合的組合。在一些實施例中，在對DRAM進行寫或讀操作的情況下，在將操作地址發(fā)送到DRAM之前，將地址與CAM中的地址相比較。如果操作地址存在于DRAM中(其指示CAM命中)，則向CAM寫對應的數(shù)據(jù)或者從其讀取，并且不需要訪問DRAM。
[0027]在一些實施例中，諸如堆疊的存儲器設備之類的存儲器設備300包括系統(tǒng)元件305，其中系統(tǒng)元件305可以包括堆疊的存儲器設備的SoC，系統(tǒng)元件305與DRAM 350 (諸如存儲器堆疊的一個或多個存儲器層)耦合。在一些實施例中，系統(tǒng)元件305的存儲器控制器與CAM (或其它修復邏輯存儲器)315耦合，其中CAM 315提供修復地址和對應于這樣的修復地址的數(shù)據(jù)的存儲。在一些實施例中，CAM 315可以在一個或多個情況中被編程，包括在存儲器設備的制造中或者在存儲器設備的操作測試中。
[0028]在一些實施例中，用于諸如讀或?qū)懖僮髦惖拇鎯ζ鞑僮鞯牡紻RAM的地址指向CAM 315并且經(jīng)由反相器325而指向觸發(fā)器330，其中觸發(fā)器330僅在接收到啟用信號時將地址傳遞到與DRAM 350耦合的輸出。在一些實施例中，CAM 315還與多路復用器320耦合。在一些實施例中，多路復用器320接收表示來自DRAM 350的數(shù)據(jù)的第一輸入和表示來自CAM 315的數(shù)據(jù)的第二輸入。
[0029]在一些實施例中，在寫操作中，在CAM 315處接收用于寫操作的到DRAM 350的地址，并且如果存在匹配，因而指示所述地址是DRAM 350的缺陷部分的地址，則“命中”信號使得反相器325向觸發(fā)器330提供禁用信號，因而防止地址指向DRAM 350。在一些實施例中，用于寫操作的寫數(shù)據(jù)被寫到CAM 315，因而以對存儲器控制器310透明的方式提供在所選地址處的存儲。在一些實施例中，如果不存在匹配，因而指示所述地址不是DRAM 350的缺陷部分的地址，則命中的缺乏使得反相器325向觸發(fā)器330提供啟用信號，因而允許寫地址被DRAM 350接收。
[0030]在一些實施例中，在讀操作中，在CAM 315處接收用于讀操作的到DRAM 350的地址，并且如果存在匹配，因而指示所述地址是DRAM 350的缺陷部分的地址，則“命中”信號使得反相器向觸發(fā)器330提供禁用信號，因而防止地址指向DRAM 350。在一些實施例中，對CAM 315的讀導致來自CAM 315的數(shù)據(jù)被應用于多路復用器320的第一輸入。在一些實施例中，“命中”導致到多路復用器320的信號以選擇多路復用器的第一輸入，因而將來自CAM的數(shù)據(jù)提供到存儲器控制器310。在一些實施例中，如果不存在匹配，因而指示所述地址不是DRAM 350的缺陷部分的地址，則命中的缺乏使得反相器325向觸發(fā)器提供啟用信號，因而向DRAM 350提供讀地址。讀導致來自DRAM的數(shù)據(jù)被提供到多路復用器320的第二輸入，其中在CAM處命中的缺乏導致信號以選擇多路復用器320的第二輸入，并且因而來自DRAM的數(shù)據(jù)被提供到存儲器控制器。
[0031 ] 在一些實施例中，存儲器設備可以包括任何大小的CAM。在一些實施例中，CAM的大小確定可以替換多少缺陷元件，諸如可修復的條目的數(shù)目等于CAM大小。在一些實施例中，較大CAM的使用提供較大保護，但是需要附加的成本和開銷。
[0032]圖4是利用存儲器大小減小和地址偏移的用于存儲器設備的冗余修復邏輯的實施例的圖示。在一些實施例中，減小存儲器的可用大小以忽略或隱藏存儲器的缺陷條目或組塊。在一些實施例中，實現(xiàn)地址偏移或轉換邏輯以避免有缺陷的條目或條目的組塊。
[0033]在一些實施例中，過程包括減小DRAM的總大小以便隱藏存儲器的失效條目或組塊的存在。在一些實施例中，DRAM被分解成小邏輯地址組塊(其在大小方面可以是例如IK字節(jié))。在一些實施例中，在任何給定組塊中的缺陷條目使得整個組塊不可訪問。在一些實施例中，所報告的總DRAM大小按存儲器的缺陷組塊的數(shù)目而減小。在一些實施例中，到DRAM的地址經(jīng)過地址轉換器，其基于存儲器的缺陷組塊、條目或其它劃分的數(shù)目來有效地偏移地址。例如，直到定位第一缺陷組塊為止，存儲器的地址沒有偏移，并且對于被定位的每個缺陷組塊，地址按IK字節(jié)偏移。
[0034]在一些實施例中，用于存儲器400的冗余修復過程包括減小DRAM的總大小以便隱藏存儲器的失效部分的存在。在一些實施例中，DRAM可以劃分成小邏輯地址組塊，其在一個示例中在大小方面可以是I千字節(jié)。在一些實施例中，任何給定組塊中的缺陷條目使得整個組塊不可訪問或不可用。在一些實施例中，然后按存儲器的所標識的缺陷組塊中所包含的存儲器量來減少總體DRAM大小。在一些實施例中，到DRAM的地址經(jīng)過地址轉換器，其基于缺陷組塊的數(shù)目來有效地偏移地址。例如，直到定位第一缺陷組塊為止，存儲器的地址沒有偏移，并且對于被定位的每個缺陷組塊，地址按IK字節(jié)偏移。然而，實施例不受限于其中存儲器組塊被消除的地址轉換，并且可以利用存儲器的不同水平的粒度。在一些實施例中，粒度水平可以細化到失效存儲器條目，諸如圖5中所圖示。
[0035]在一些實施例中，存儲器設備400包括系統(tǒng)元件405和DRAM 450。系統(tǒng)元件405包括存儲器控制器410和地址偏移轉換器420，其中地址偏移轉換器420向DRAM 450的地址提供偏移，使得要寫至或讀自DRAM的缺陷組塊的數(shù)據(jù)被寫至或讀自DRAM 450的偏移部分，以避免缺陷組塊。在示例中，DRAM 450被圖示有存儲器的良好部分(452、454、456、458、460、462和464)以及存儲器的缺陷部分(453、455、457、459、461和463)。
[0036]在一些實施例中，地址偏移轉換器420提供轉換以便以對于存儲器控制器410透明的方式來避免讀自或?qū)懼链鎯ζ鞯娜毕莶糠?。在一些實施例中，存儲器設備還減小DRAM450的所報告的存儲器大小，使得減小的存儲器大小反映DRAM的大小減去DRAM的缺陷部分的大小。
[0037]圖5是利用存儲器大小減小和地址偏移的用于存儲器設備的冗余修復邏輯的實施例的圖示。在一些實施例中，用于地址偏移的粒度水平可以細化到較小元件，諸如失效地址條目。在一些實施例中，地址轉換器以偏移一而遞增，其中地址轉換器基于失效地址條目。在一些實施例中，存儲器設備500包括系統(tǒng)元件505和DRAM 550。系統(tǒng)元件包括存儲器控制器510和地址偏移轉換器520，其中地址偏移轉換器520向DRAM 550的地址提供偏移，使得要寫至或讀自DRAM的缺陷組塊的數(shù)據(jù)被寫至或讀自DRAM 550的偏移部分，以避免缺陷組塊。
[0038]在一些實施例中，地址偏移轉換器520特別地提供一定數(shù)量的地址偏移以避免通過DRAM存儲器的缺陷組塊。在示例中，DRAM 550圖示有存儲器的第一良好部分552，其中對于這樣的部分的地址并不按地址偏移進行偏移。在該圖示中，DRAM 550還包括第一缺陷條目553，其可以出現(xiàn)在DRAM中的任何點處，其中開始于第一缺陷條目處的地址按I地址偏移進行偏移，使得地址指向存儲器的第二良好部分554。類似地，DRAM 550可以包括第二缺陷條目555，其中開始于第二缺陷條目555處的地址按2地址偏移進行偏移，使得地址指向存儲器的第三良好部分556 ;第三缺陷條目557，其中開始于第三缺陷條目557處的地址按3地址偏移進行偏移，使得地址指向存儲器的第四良好部分558 ;以及第四缺陷條目559，其中開始于第四缺陷條目559處的地址按4地址偏移進行偏移，使得地址指向存儲器的第五良好部分560。實施例可以應用于在DRAM中任何位置處包含任何數(shù)目的缺陷條目的DRAM。另外，實施例可以包括其中當需要時(諸如當多個缺陷條目靠近彼此地出現(xiàn)時)實現(xiàn)附加偏移的存儲器以慮及避免多個缺陷條目。
[0039]在一些實施例中，地址偏移520提供地址偏移以便以對于存儲器控制器510透明的方式來避免讀自或?qū)懼链鎯ζ鞯娜毕莶糠帧Ｔ谝恍嵤├?，存儲器設備還減小DRAM550的所報告的存儲器大小，使得減小的存儲器大小反映DRAM的大小減去DRAM的缺陷部分的大小。
[0040]另一變型將會是禁用具有存檔條目的存儲體，并且該實現(xiàn)降低地址轉換邏輯的復雜度?？梢詾槊總€堆疊選擇不同的偏移方法。例如更易受SoC所生成的熱引起的熱變化影響的較低最多的DRAM堆疊可以潛在地實現(xiàn)基于條目或基于組塊的地址轉換，并且較高水平堆疊實現(xiàn)基于塊的地址轉換。在一些實施例中，修復邏輯可以可操作成實現(xiàn)在存儲器元件的粒度上變化的SoC中的多個不同水平的地址轉換，其中至少部分地基于所標識的缺陷的數(shù)目來選擇水平之一，其中其它水平被去活，其中去活可以包括熔離其它水平。在一些實施例中，可以在制造中選擇所述水平。
[0041]圖6是包括用于對存儲器的部分進行修復的元件的裝置或系統(tǒng)的實施例的圖示。計算設備600表示包括移動計算設備的計算設備，諸如膝上型計算機、平板計算機(包括具有觸摸屏而沒有分離的鍵盤的設備；具有觸摸屏和鍵盤二者的設備；具有快速啟動(其被稱為“即時接通”操作)的設備；以及一般在操作中連接到網(wǎng)絡的(其被稱為“總是連接的”)設備)、移動電話或智能電話、無線啟用的電子閱讀器(e-reader)或其它無線移動設備。將理解到，一般地示出某些組件，并且并非這樣的設備的所有組件都在設備600中示出。組件可以通過一個或多個總線或其它連接605進行連接。
[0042]設備600包括處理器610，其執(zhí)行設備600的主要處理操作。處理器610可以包括一個或多個物理設備，諸如微處理器、應用處理器、微控制器、可編程邏輯設備或其它處理機構。處理器610所執(zhí)行的處理操作包括其上運行應用、設備功能或這二者的操作平臺或操作系統(tǒng)的運行。處理操作包括有關與人類用戶或與其它設備的I/O (輸入/輸出)的操作、有關功率管理的操作、操作、或有關將設備600連接到另一設備的這二者。處理操作還可以包括有關音頻I/O、顯示I/O或這二者的操作。
[0043]在一個實施例中，設備600包括音頻子系統(tǒng)620，其表示與向計算設備提供音頻功能相關聯(lián)的硬件(諸如音頻硬件和音頻電路)和軟件(諸如驅(qū)動器和編解碼器)組件。音頻功能可以包括揚聲器、耳機或這樣的音頻輸出以及麥克風輸入二者。用于這樣的功能的設備可以集成到設備600中，或者連接到設備600。在一個實施例中，用戶通過提供由處理器610接收和處理的音頻命令來與設備600交互。
[0044]顯示子系統(tǒng)630表示提供具有視覺、觸覺或這二者元素以用于用戶與計算設備交互的顯示器的硬件(諸如顯示設備)和軟件(諸如驅(qū)動器)組件。顯示子系統(tǒng)630包括顯示接口 632，其包括用于向用戶提供顯示的特定屏幕或硬件設備。在一個實施例中，顯示接口632包括與處理器610分離的邏輯用以執(zhí)行有關顯示的至少一些處理。在一個實施例中，顯示子系統(tǒng)630包括向用戶提供輸出和輸入二者的觸摸屏設備。
[0045]I/O控制器640表示有關與用戶的交互的硬件設備和軟件組件。I/O控制器640可以操作以對作為音頻子系統(tǒng)620、顯示子系統(tǒng)630或這兩種子系統(tǒng)的部分的硬件進行管理。另外，I/O控制器640說明了用于連接到設備600的附加設備的連接點，通過所述附加設備用戶可以與系統(tǒng)交互。例如，可以附接到設備600的設備可以包括麥克風設備、揚聲器或立體聲系統(tǒng)、視頻系統(tǒng)或其它顯示設備、鍵盤或小鍵盤設備或用于與特定應用一起使用的其它I/O設備，諸如讀卡器或其它設備。
[0046]如上所提及的，I/O控制器640可以與音頻子系統(tǒng)620、顯示子系統(tǒng)630或這兩種子系統(tǒng)交互。例如，通過麥克風或其它音頻設備的輸入可以提供用于設備600的一個或多個應用或功能的輸入或命令。另外，可以提供音頻輸出來取代于或附加于顯示輸出。在另一示例中，如果顯示子系統(tǒng)包括觸摸屏，則顯示設備還充當輸入設備，其可以至少部分地由I/O控制器640管理。在設備600上還可以存在附加的按鈕或開關以提供由I/O控制器640管理的I/O功能。
[0047]在一個實施例中，I/O控制器640管理諸如加速計、攝像機、光傳感器或其它環(huán)境傳感器之類的設備，或者可以被包括在設備600中的其它硬件。輸入可以是直接用戶交互的部分，以及向系統(tǒng)提供環(huán)境輸入以影響其操作(諸如對于噪聲而進行過濾，對于亮度檢測而調(diào)整顯示，為攝像機應用閃光燈，或者其它特征)。
[0048]在一個實施例中，設備600包括對電池功率使用、電池的充電以及有關功率節(jié)省操作的特征進行管理的功率管理650。
[0049]在一些實施例中，存儲器子系統(tǒng)660包括用于將信息存儲在設備600中的存儲器設備。處理器610可以將數(shù)據(jù)讀和寫到存儲器子系統(tǒng)660的元件中。存儲器可以包括非易失性(其具有如果到存儲器設備的功率中斷而不改變的狀態(tài))、易失性(具有如果到存儲器設備的功率中斷則不確定的狀態(tài))存儲器設備或這兩種存儲器。存儲器660可以存儲應用數(shù)據(jù)、用戶數(shù)據(jù)、音樂、照片、文檔或其它數(shù)據(jù)，以及與系統(tǒng)600的應用和功能的運行有關的系統(tǒng)數(shù)據(jù)(不論是長期的還是臨時的)。
[0050]在一些實施例中，存儲器子系統(tǒng)660可以包括堆疊的存儲器設備662,其中堆疊的存儲器設備包括一個或多個存儲器管芯層和系統(tǒng)元件。在一些實施例中，堆疊的存儲器設備662包括存儲器修復邏輯664，其中這樣的邏輯可以包括圖3-5中所圖示的元件。
[0051]連接性670包括使得設備600能夠與外部設備通信的硬件設備(例如，用于無線通信、有線通信或這二者的連接器和通信硬件)和軟件組件(例如驅(qū)動器、協(xié)議棧)。設備可以是分離的設備，諸如其它計算設備、無線接入點或基站，以及諸如耳機、打印機之類的外圍設備或其它設備。
[0052]連接性670可以包括多個不同類型的連接性。為了一般化，設備600圖示有蜂窩連接性672和無線連接性674。蜂窩連接性672 —般是指由無線運營商提供的蜂窩網(wǎng)絡連接性，諸如經(jīng)由4G/LTE (長期演進)、GSM (全球移動通信系統(tǒng))或者變型或派生物、CDMA (碼分多址)或者變型或派生物、TDM (時分復用)或者變型或派生物或者其它蜂窩服務標準所提供的。無線連接性674是指非蜂窩式的無線連接性，并且可以包括個域網(wǎng)(諸如藍牙)、局域網(wǎng)(諸如W1-Fi)、廣域網(wǎng)(諸如WiMax)以及其它無線通信。連接性可以包括一個或多個全向或定向天線676。
[0053]外圍連接680包括進行外圍連接的硬件接口和連接器以及軟件組件(例如驅(qū)動器、協(xié)議棧)。將理解到，設備600可以既是到其它計算設備的外圍設備(“去往”682)，也具有被連接到它的外圍設備(“來自” 684)。設備600通常具有“對接”連接器以出于諸如管理(諸如下載、上載、改變或同步)設備600上的內(nèi)容之類的目的而連接到其它計算設備。另夕卜，對接連接器可以允許設備600連接到允許設備600控制去往例如視聽或其它系統(tǒng)的內(nèi)容輸出的某些外圍設備。
[0054]除了專有對接連接器或其它專有連接硬件之外，設備600可以經(jīng)由公共或基于標準的連接器來進行外圍連接680。公共類型可以包括通用串行總線(USB)連接器(其可以包括許多不同硬件接口中的任一個)、包括微型顯示端口(MDP)的顯示端口、高清晰度多媒體接口(HDMI)、火線或其它類型。
[0055]圖7圖示了包括具有用于對存儲器的部分進行修復的元件的堆疊存儲器的計算系統(tǒng)的實施例。計算系統(tǒng)可以包括計算機、服務器、游戲操縱臺或其它計算裝置。在該圖示中，未示出并不密切關系到本描述的某個標準和眾所周知的組件。在一些實施例之下，計算系統(tǒng)700包括互連或交叉開關(CrOSSbar)705或用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠渌ㄐ艡C構。計算系統(tǒng)700可以包括諸如與互連705耦合的一個或多個處理器710之類的處理機構以用于處理信息。處理器710可以包括一個或多個物理處理器和一個或多個邏輯處理器。為了簡單起見，互連705被圖示為單個互連，但是可以表示多個不同的互連或總線并且到這樣的互連的組件連接可以變化。圖7中所示的互連705是表示任何一個或多個分離的物理總線、點到點連接或通過適當?shù)臉?、適配器或控制器連接的二者的抽象。
[0056]在一些實施例中，計算系統(tǒng)700還包括隨機存取存儲器(RAM)或其它動態(tài)存儲設備或元件以作為用于存儲信息和要由處理器710運行的指令的主存儲器712。RAM存儲器包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)，其需要刷新存儲器內(nèi)容，以及靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)，其不需要刷新內(nèi)容，但是以增加的成本。在一些實施例中，主存儲器可以包括對包括用于使用在計算系統(tǒng)的用戶所進行的網(wǎng)絡瀏覽活動中的瀏覽器應用在內(nèi)的應用的活動性存儲。DRAM存儲器可以包括同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)，其包括用以控制信號的時鐘信號，以及擴展的數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機存取存儲器(EDO DRAM)。在一些實施例中，系統(tǒng)的存儲器可以包括某些寄存器或其它專用存儲器。
[0057]在一些實施例中，主存儲器712包括堆疊的存儲器714，其中堆疊的存儲器包括用于對堆疊的存儲器714的缺陷元件進行處置的存儲器修復邏輯715。在一些實施例中，存儲器修復邏輯715可以包括圖示在圖3-5中的元件。
[0058]計算系統(tǒng)700還可以包括只讀存儲器(ROM) 716或用于存儲靜態(tài)信息和用于處理器710的指令的其它靜態(tài)存儲設備。計算系統(tǒng)700可以包括用于某些元件的存儲的一個或多個非易失性存儲器元件718。
[0059]在一些實施例中，計算系統(tǒng)700包括一個或多個輸入設備730，其中輸入設備包括鍵盤、鼠標、觸摸板、語音命令識別、手勢識別或用于向計算系統(tǒng)提供輸入的其它設備中的一個或多個。
[0060]計算系統(tǒng)700還可以經(jīng)由互連705耦合到輸出顯示器740。在一些實施例中，顯示器740可以包括液晶顯示器(LCD)或任何其它顯示技術，以用于向用戶顯示信息或內(nèi)容。在一些環(huán)境中，顯示器740可以包括還用作輸入設備的至少一部分的觸摸屏。在一些環(huán)境中，顯示器740可以是或者可以包括音頻設備，諸如用于提供音頻信息的揚聲器。
[0061 ] 一個或多個發(fā)射器或接收器745也可以耦合到互連705。在一些實施例中，計算系統(tǒng)700可以包括用于接收或發(fā)射數(shù)據(jù)的一個或多個端口 750。計算系統(tǒng)700還可以包括用于經(jīng)由無線電信號來接收數(shù)據(jù)的一個或多個全向或定向天線755。
[0062]計算系統(tǒng)700還可以包括功率設備或系統(tǒng)760，其可以包括電源、電池、太陽能電池、燃料電池或用于提供或生成功率的其它系統(tǒng)或設備。功率設備或系統(tǒng)760所提供的功率可以按需分布到計算系統(tǒng)700的元件。
[0063]在以上描述中，出于解釋的目的，闡述了眾多特定細節(jié)以便提供對本發(fā)明的透徹理解。然而，對本領域技術人員將顯而易見的是，可以在沒有這些特定細節(jié)中一些的情況下實踐本發(fā)明。在其它情況下，以框圖形式示出眾所周知的結構和設備。在所圖示的組件之間可以存在中間結構。本文所描述或圖示的組件可以具有未被圖示或描述的附加輸入或輸出。
[0064]各種實施例可以包括各種過程。這些過程可以由硬件組件執(zhí)行或者可以具體化在計算機程序或機器可執(zhí)行指令中，其可以被用于使編程有指令的通用或?qū)Ｓ锰幚砥骰蜻壿嬰娐穲?zhí)行該過程。可替換地，過程可以由硬件和軟件的組合執(zhí)行。
[0065]各種實施例的部分可以被提供為計算機程序產(chǎn)品，其可以包括其上已經(jīng)存儲計算機程序指令的非暫時性計算機可讀存儲介質(zhì)，其可以被用于對計算機(或其它電子設備)編程以供一個或多個處理器運行來執(zhí)行根據(jù)某些實施例的過程。計算機可讀介質(zhì)可以包括但不限于軟盤、光學盤、光盤只讀存儲器(CD-ROM)和磁光盤、只讀存儲器(ROM)、隨機存取存儲器(RAM)、可擦除可編程只讀存儲器(EPR0M)、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPR0M)、磁體或光學卡、閃速存儲器或適于存儲電子指令的其它類型的計算機可讀介質(zhì)。此外，實施例還可以作為計算機程序產(chǎn)品被下載，其中程序可以從遠程計算機傳遞到請求計算機。
[0066]許多方法以其最基本的形式被描述，但是可以向方法中任一個添加過程或者從中刪除過程，并且可以自所描述的消息中任一個添加或者減去信息，而不脫離于本發(fā)明的基本范圍。對本領域技術人員將顯而易見的是可以做出許多另外的修改和適配。提供具體實施例不是為了限制本發(fā)明，而是為了說明它。本發(fā)明的實施例的范圍并不是由以上提供的特定示例而是僅由以下權利要求所確定。
[0067]如果據(jù)稱，元件“A”耦合到元件“B”或與元件“B”耦合，則元件A可以直接耦合到元件B或者通過例如元件C而間接耦合。當說明書或權利要求陳述了組件、特征、結構、過程或特性A “致使”組件、特征、結構、過程或特性B時，這意味著“A”至少是“B”的部分起因，但是還可以存在有助于致使“B”的至少一個其它組件、特征、結構、過程或特性。如果說明書指示組件、特征、結構、過程或特性“可以”、“可能”或“可”被包括，則該特定組件、特征、結構、過程或特性不要求被包括。如果說明書或權利要求提到“一”或“一個”元件，這并不意味著僅存在一個所描述的元件。
[0068]實施例是本發(fā)明的實現(xiàn)或示例。在說明書中對“實施例”、“一個實施例”、“一些實施例”或其它“實施例”的提及意味著結合實施例所描述的特定特征、結構或特性被包括在至少一些實施例中，但是不一定在所有實施例中。“實施例”、“一個實施例”或“一些實施例”的各種出現(xiàn)不一定都是指相同的實施例。應當領會到，在本發(fā)明的示例性實施例的前述描述中，為了使本公開整體化并且?guī)椭斫飧鞣N發(fā)明方面中一個或多個的目的，各種特征有時一起成組在單個實施例、附圖或其描述中。然而，并不將公開的這種方法解釋為反映所要求保護的發(fā)明需要比在每個權利要求中所明確詳述的更多的特征的意圖。相反地，如以下權利要求所反映的，發(fā)明方面在于比單個前述公開實施例的所有特征更少。因此，權利要求以此明確并入到本描述中，其中每個權利要求獨立作為本發(fā)明的分離的實施例。
[0069]在一些實施例中，存儲器設備包括DRAM ；以及與DRAM耦合的系統(tǒng)元件，系統(tǒng)元件包括用于控制DRAM的存儲器控制器，以及與存儲器控制器耦合的修復邏輯，修復邏輯持有被標識為對于DRAM的缺陷區(qū)域的失效地址的地址。修復邏輯被配置成接收存儲器操作請求并且實現(xiàn)用于針對請求的操作地址的冗余修復。
[0070]在一些實施例中，修復邏輯包括用于提供用于所標識的失效地址的存儲的修復邏輯存儲器，如果操作地址匹配所標識的失效地址則修復邏輯響應于對修復邏輯存儲器的操作請求，修復邏輯生成具有基于操作地址是否匹配任何所標識的失效地址的值的啟用信號。在一些實施例中，修復邏輯存儲器是CAM。
[0071]在一些實施例中，修復邏輯包括具有向DRAM提供操作地址的輸出和從存儲器控制器接收操作地址的輸入的觸發(fā)器，鎖存器被配置成僅在操作地址不匹配所標識的失效地址時向DRAM提供操作地址。修復邏輯還包括反相器，反相器包括接收啟用信號的輸入和向觸發(fā)器提供經(jīng)反相的啟用信號的輸出。
[0072]在一些實施例中，存儲器設備還包括多路復用器，多路復用器具有向存儲器控制器提供數(shù)據(jù)的輸出、從DRAM接收數(shù)據(jù)的第一輸入以及從修復邏輯存儲器接收數(shù)據(jù)的第二輸入。在一些實施例中，多路復用器被配置成基于修復邏輯所生成的啟用信號來選擇要么第一輸入要么第二輸入。
[0073]在一些實施例中，修復邏輯包括轉換所接收的操作地址以避免DRAM的缺陷區(qū)域的地址轉換器。地址轉換器可操作成向所接收的操作地址提供偏移，所述偏移使DRAM的一部分不可訪問。在一些實施例中，DRAM的部分是DRAM的組塊或DRAM的地址條目。
[0074]在一些實施例中，修復邏輯可操作成按通過地址轉換器而被使得不可訪問的存儲器量來減少DRAM的所報告的存儲器量。
[0075]在一些實施例中，系統(tǒng)元件還包括BIST，其中BIST標識存儲器的缺陷部分的地址。在一些實施例中，存儲器設備是Wide1兼容設備。
[0076]在一些實施例中，一種方法包括將關于DRAM的缺陷部分的數(shù)據(jù)存儲在存儲器設備的系統(tǒng)元件的修復邏輯中；接收針對DRAM的讀或?qū)懖僮髡埱螅灰约皩崿F(xiàn)用于讀或?qū)懖僮鞯娜哂嘈迯鸵员苊釪RAM的缺陷區(qū)域。
[0077]在一些實施例中，存儲關于DRAM的缺陷部分的數(shù)據(jù)包括將被標識為缺陷區(qū)域的失效地址的地址存儲在修復邏輯存儲器中。在一些實施例中，所述方法還包括將操作地址與所標識的失效地址相比較以確定操作地址是否匹配失效地址。在一些實施例中，所述方法還包括如果操作地址匹配失效地址則使讀或?qū)懻埱笾赶蛐迯瓦壿嫶鎯ζ?，并且如果操作地址不匹配失效地址則使讀或?qū)懻埱笾赶駾RAM。在一些實施例中，對失效地址的寫請求被寫到修復邏輯存儲器并且對失效地址的讀請求讀自修復邏輯存儲器。
[0078]在一些實施例中，所述方法還包括將操作地址轉換成經(jīng)轉換的地址以避免存儲器的缺陷區(qū)域，其中轉換操作地址包括偏移操作地址以使DRAM的一部分不可訪問。在一些實施例中，被使得不可訪問的DRAM的部分是DRAM的組塊或DRAM的地址條目。在一些實施例中，所述方法還包括按通過地址轉換而被使得不可訪問的存儲器量來減少DRAM的所報告的存儲器量以避免存儲器的缺陷區(qū)域。
[0079]在一些實施例中，系統(tǒng)包括用以處理系統(tǒng)的數(shù)據(jù)的處理器；發(fā)射器、接收器或這二者，其與全向天線耦合以發(fā)射數(shù)據(jù)、接收數(shù)據(jù)或二者兼有；以及存儲數(shù)據(jù)的存儲器，存儲器包括堆疊的存儲器設備，堆疊的存儲器設備包括具有一個或多個存儲器管芯元件(包括第一存儲器管芯元件)的q存儲器堆疊，以及與存儲器堆疊相耦合的系統(tǒng)元件。第一存儲器管芯元件包括用于控制存儲器堆疊的存儲器控制器以及與存儲器控制器耦合的修復邏輯，修復邏輯持有被標識為對于存儲器堆疊的缺陷區(qū)域的失效地址的地址。在一些實施例中，修復邏輯被配置成接收存儲器操作請求并且實現(xiàn)用于針對請求的操作地址的冗余修復。
[0080]在一些實施例中，系統(tǒng)的修復邏輯包括以下中的一個或多個:用于提供用于所標識的失效地址的存儲的修復邏輯存儲器，如果操作地址匹配所標識的失效地址則修復邏輯響應于對修復邏輯存儲器的操作請求，修復邏輯生成具有基于操作地址是否匹配任何所標識的失效地址的值的啟用信號；或者轉換所接收的操作地址以避免存儲器堆疊的缺陷區(qū)域的地址轉換器，其中地址轉換器可操作成向所接收的操作地址提供偏移，所述偏移使存儲器堆疊的一部分不可訪問。
[0081]在一些實施例中，系統(tǒng)是移動設備。在一些實施例中，移動設備是平板計算機。
[0082]在一些實施例中，非暫時性計算機可讀存儲介質(zhì)已在其上存儲了表示指令序列的數(shù)據(jù)，所述指令序列當被處理器運行時使處理器執(zhí)行包括以下各項的操作:將關于DRAM的缺陷部分的數(shù)據(jù)存儲在存儲器設備的系統(tǒng)元件的修復邏輯中；接收針對DRAM的讀或?qū)懖僮髡埱螅灰约皩崿F(xiàn)用于讀或?qū)懖僮鞯娜哂嘈迯鸵员苊釪RAM的缺陷區(qū)域。
【權利要求】
1.一種存儲器設備包括: 動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM);以及 與DRAM稱合的系統(tǒng)兀件，系統(tǒng)兀件包括: 用于控制DRAM的存儲器控制器，以及 與存儲器控制器耦合的修復邏輯，修復邏輯持有被標識為對于DRAM的缺陷區(qū)域的失效地址的地址； 其中修復邏輯被配置成接收存儲器操作請求并且實現(xiàn)用于針對請求的操作地址的冗余修復。
2.根據(jù)權利要求1所述的存儲器設備，其中修復邏輯包括用于提供用于所標識的失效地址的存儲的修復邏輯存儲器，如果操作地址匹配所標識的失效地址則修復邏輯響應于對修復邏輯存儲器的操作請求，修復邏輯生成具有基于操作地址是否匹配任何所標識的失效地址的值的啟用信號。
3.根據(jù)權利要求2所述的存儲器設備，其中修復邏輯存儲器是CAM(內(nèi)容可訪問存儲器)。
4.根據(jù)權利要求2所述的存儲器設備，其中修復邏輯包括具有向DRAM提供操作地址的輸出和從存儲器控制器接收操作地址的輸入的觸發(fā)器，鎖存器被配置成僅在操作地址不匹配所標識的失效地址時向DRAM提供操作地址。
5.根據(jù)權利要求4所述的存儲器設備，其中修復邏輯還包括反相器，反相器包括接收啟用信號的輸入以及向觸發(fā)器提供經(jīng)反相的啟用信號的輸出。
6.根據(jù)權利要求4所述的存儲器設備，還包括多路復用器，多路復用器具有向存儲器控制器提供數(shù)據(jù)的輸出、從DRAM接收數(shù)據(jù)的第一輸入以及從修復邏輯存儲器接收數(shù)據(jù)的第二輸入。
7.根據(jù)權利要求6所述的存儲器設備，其中多路復用器被配置成基于修復邏輯所生成的啟用信號來選擇要么第一輸入要么第二輸入。
8.根據(jù)權利要求1所述的存儲器設備，其中修復邏輯包括轉換所接收的操作地址以避免DRAM的缺陷區(qū)域的地址轉換器。
9.根據(jù)權利要求8所述的存儲器設備，其中地址轉換器可操作成向所接收的操作地址提供偏移，所述偏移使DRAM的一部分不可訪問。
10.根據(jù)權利要求9所述的存儲器設備，其中DRAM的部分是DRAM的組塊。
11.根據(jù)權利要求9所述的存儲器設備，其中DRAM的部分是DRAM的地址條目。
12.根據(jù)權利要求9所述的存儲器設備，其中修復邏輯可操作成按通過地址轉換器而被使得不可訪問的存儲器量來減少DRAM的所報告的存儲器量。
13.根據(jù)權利要求1所述的存儲器設備，其中系統(tǒng)元件還包括內(nèi)建自測試(BIST)，其中BIST標識存儲器的缺陷部分的地址。
14.根據(jù)權利要求1所述的存儲器設備，其中存儲器設備是Wide1兼容設備。
15.—種方法包括: 將關于動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的缺陷部分的數(shù)據(jù)存儲在存儲器設備的系統(tǒng)元件的修復邏輯中； 接收針對DRAM的讀或?qū)懖僮髡埱螅灰约? 實現(xiàn)用于讀或?qū)懖僮鞯娜哂嘈迯鸵员苊釪RAM的缺陷區(qū)域。
16.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中存儲關于DRAM的缺陷部分的數(shù)據(jù)包括將被標識為缺陷區(qū)域的失效地址的地址存儲在修復邏輯存儲器中。
17.根據(jù)權利要求16所述的方法，還包括將操作地址與所標識的失效地址相比較以確定操作地址是否匹配失效地址。
18.根據(jù)權利要求17所述的方法，還包括如果操作地址匹配失效地址則使讀或?qū)懻埱笾赶蛐迯瓦壿嫶鎯ζ鳎⑶胰绻僮鞯刂凡黄ヅ涫У刂穭t使讀或?qū)懻埱笾赶駾RAM。
19.根據(jù)權利要求18所述的方法，其中對失效地址的寫請求被寫到修復邏輯存儲器并且對失效地址的讀請求讀自修復邏輯存儲器。
20.根據(jù)權利要求15所述的方法，將操作地址轉換成經(jīng)轉換的地址以避免存儲器的缺陷區(qū)域。
21.根據(jù)權利要求20所述的方法，其中轉換操作地址包括偏移操作地址以使DRAM的一部分不可訪問。
22.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中被使得不可訪問的DRAM的部分是DRAM的組塊。
23.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中被使得不可訪問的DRAM的部分是DRAM的地址條目。
24.根據(jù)權利要求20所述的方法，還包括按通過地址轉換而被使得不可訪問的存儲器量來減少DRAM的所報告的存儲器量以避免存儲器的缺陷區(qū)域。
25.—種系統(tǒng)包括: 用以處理系統(tǒng)的數(shù)據(jù)的處理器； 發(fā)射器、接收器或這二者，其與全向天線耦合以發(fā)射數(shù)據(jù)、接收數(shù)據(jù)或二者兼有；以及 用以存儲數(shù)據(jù)的存儲器，所述存儲器包括堆疊的存儲器設備，所述堆疊的存儲器設備包括: 具有一個或多個存儲器管芯元件的存儲器堆疊，其包括第一存儲器管芯元件，以及 與存儲器堆疊耦合的系統(tǒng)元件，其中第一存儲器管芯元件包括: 用于控制存儲器堆疊的存儲器控制器；和 與存儲器控制器耦合的修復邏輯，修復邏輯持有被標識為對于存儲器堆疊的缺陷區(qū)域的失效地址的地址； 其中修復邏輯被配置成接收存儲器操作請求并且實現(xiàn)用于針對請求的操作地址的冗余修復。
26.根據(jù)權利要求25所述的系統(tǒng)，其中修復邏輯包括以下中的一個或多個: 用于提供用于所標識的失效地址的存儲的修復邏輯存儲器，如果操作地址匹配所標識的失效地址則修復邏輯響應于對修復邏輯存儲器的操作請求，修復邏輯生成具有基于操作地址是否匹配任何所標識的失效地址的值的啟用信號，或者 用以轉換所接收的操作地址以避免存儲器堆疊的缺陷區(qū)域的地址轉換器，其中地址轉換器可操作成向所接收的操作地址提供偏移，所述偏移使存儲器堆疊的一部分不可訪問。
27.根據(jù)權利要求25所述的系統(tǒng)，其中系統(tǒng)是移動設備。
28.根據(jù)權利要求27所述的系統(tǒng)，其中移動設備是平板計算機。
29.一種非暫時性計算機可讀存儲介質(zhì)，其已在其上存儲了表示指令序列的數(shù)據(jù)，所述指令序列當被處理器運行時使處理器執(zhí)行包括以下各項的操作: 將關于動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的缺陷部分的數(shù)據(jù)存儲在存儲器設備的系統(tǒng)元件的修復邏輯中； 接收針對DRAM的讀或?qū)懖僮髡埱?；以? 實現(xiàn)用于讀或?qū)懖僮鞯娜哂嘈迯鸵员苊釪RAM的缺陷區(qū)域。
【文檔編號】G11C11/4063GK104205232SQ201280072114
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2012年3月30日 優(yōu)先權日:2012年3月30日
【發(fā)明者】D.科布拉, D.J.齊默曼, V.K.納塔拉詹 申請人:英特爾公司