用于制造磁記錄介質(zhì)及其保護(hù)膜的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供用于產(chǎn)生保護(hù)膜的方法，該方法可用于制造磁記錄介質(zhì)，該方法包括步驟：(a)提供形成在所述襯底上的磁性層；以及(b)通過使用特定低飽和烴氣和特定低不飽和烴氣的混合氣作為源氣體的等離子體CVD方法在該磁性層上形成保護(hù)膜，其中步驟(b)包括在該磁性層上形成第一保護(hù)膜的步驟(b-1)以及在該第一保護(hù)膜上形成第二保護(hù)膜的步驟(b-2)，步驟(b-1)是通過使用源氣體的等離子體CVD方法執(zhí)行的，在該源氣體中，氣體混合比被調(diào)節(jié)以使在源氣體中相對(duì)每個(gè)碳原子氫原子的平均數(shù)變得大于2.5但小于3.0，并且步驟(b-2)是通過使用源氣體的等離子體CVD方法執(zhí)行的，在該源氣體中，氣體混合比被調(diào)節(jié)以使在源氣體中相對(duì)每個(gè)碳原子氫原子的平均數(shù)變得大于2.0但小于2.5。
【專利說明】用于制造磁記錄介質(zhì)及其保護(hù)膜的方法
[0001] 發(fā)明背景
[0002] 1.【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本公開涉及一種用于制造磁記錄介質(zhì)和適于制造磁記錄介質(zhì)的保護(hù)膜的方法。
[0004] 2.現(xiàn)有技術(shù)描述
[0005] 為了改進(jìn)硬盤驅(qū)動(dòng)器（HDD)的記錄密度，不僅需要改善其磁記錄層，而且還需要 減少磁記錄層和用于讀/寫信息的磁頭之間的距離（磁間距）。因此，已使用技術(shù)以減少形 成在磁記錄層上的保護(hù)膜的厚度、減少形成在保護(hù)膜上的潤滑薄膜的厚度、減少磁頭的飛 行高度，還有稱為按要求飛行（flying on demand) (FOD)技術(shù)，它使得磁頭的讀/寫元件部 分突出以減少有效飛行厚度。
[0006] 在所有這些技術(shù)中，減少磁記錄介質(zhì)中的保護(hù)膜的厚度是相當(dāng)重要的。日本專利 申請(qǐng)公開No. 2010-205323提出一種用于減小保護(hù)膜的厚度的技術(shù)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 然而，最近的保護(hù)膜要求厚度減少并能夠通過與潤滑層的結(jié)合而進(jìn)一步適用于 FOD和其它技術(shù)。
[0008] 因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供磁記錄介質(zhì)，該磁記錄介質(zhì)能進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)減少保 護(hù)膜的厚度并進(jìn)一步適用于FOD和其它技術(shù)而不損害磁記錄介質(zhì)的可靠性，諸如抗蝕性和 耐久性。
[0009] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)的發(fā)明提供一種制造保護(hù)膜的方法，該方法可用于制 造一磁記錄介質(zhì)，該磁記錄介質(zhì)具有：襯底，形成在該襯底上的磁性層，形成在該磁性層上 的保護(hù)膜，以及形成在該保護(hù)膜上的潤滑層，該方法包括下列步驟：
[0010] (a)提供形成在該襯底上的磁性層；以及
[0011] (b)通過使用低飽和烴氣和低不飽和烴氣的混合氣作為源氣體的等離子體CVD方 法在該磁性層上形成保護(hù)膜，
[0012] 其中該低飽和烴氣選自包括如下項(xiàng)的組：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、以及它們中的兩 項(xiàng)或更多項(xiàng)的混合物，
[0013] 該低不飽和烴氣選自包括如下項(xiàng)的組：乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、以及它們中的兩 項(xiàng)或更多項(xiàng)，并且
[0014] 步驟（b)包括在該磁性層上形成第一保護(hù)膜的步驟（b_l)以及在該第一保護(hù)膜上 形成第二保護(hù)膜的步驟（b_2)，
[0015] 步驟（b-1)是通過使用源氣體的等離子體CVD方法執(zhí)行，在源氣體中，調(diào)節(jié)低飽和 烴氣和低不飽和烴氣之間的混合比以使在源氣體中相對(duì)每個(gè)碳原子氫原子的平均數(shù)變得 大于2. 5但小于3. 0,以及
[0016] 步驟（b-2)通過使用源氣體的等離子體CVD方法執(zhí)行，在源氣體中，調(diào)節(jié)低飽和烴 氣和低不飽和烴氣之間的混合比以使在源氣體中相對(duì)每個(gè)碳原子氫原子的平均數(shù)變得大 于2. 0但小于2. 5。

【具體實(shí)施方式】
[0017] A.用于制造保護(hù)膜的方法，該方法可用于制造磁記錄介質(zhì)。
[0018] 根據(jù)本申請(qǐng)的發(fā)明的用于制造保護(hù)膜的方法，它可用來制造磁記錄介質(zhì)，該方法 具有下列步驟：
[0019] (a)提供被形成在襯底上的磁性層；以及
[0020] (b)通過使用低飽和烴氣和低不飽和烴氣作為源氣體的等離子體CVD在該磁性層 上形成保護(hù)膜。
[0021] (1)步驟（a)通過步驟（a)提供在其上形成保護(hù)膜的磁性層。
[0022] (1-1)
[0023] 磁性層被形成在襯底上。襯底優(yōu)選地是非磁性的并可由傳統(tǒng)地用于制造磁記錄層 的任何材料制成。襯底可由例如鍍Ni-P的鋁合金、玻璃、陶瓷、塑料、或硅制成。
[0024] (1-2)
[0025] 通過在襯底上層疊金屬薄膜層而形成磁性層，且該磁性層并包括至少磁記錄層。
[0026] 磁記錄層可使用諸如包含至少Co和Pt的合金的鐵磁材料形成。期望鐵磁材料的 易磁化軸被取向在執(zhí)行磁記錄的方向上。例如，當(dāng)執(zhí)行垂直磁記錄時(shí)，磁記錄層的材料的易 磁化軸[具有六邊形最密堆積（hep)結(jié)構(gòu)的c軸]需要被取向在與記錄介質(zhì)的表面垂直的 方向上（即，垂直于襯底的主平面）。
[0027] 進(jìn)一步優(yōu)選的是，磁記錄層是由單層或多層構(gòu)成的垂直磁記錄層，它使用具有顆 粒結(jié)構(gòu)的材料形成的，該顆粒結(jié)構(gòu)具有散布在非磁性氧化物基質(zhì)或非磁性氮化物基質(zhì)中的 磁性晶粒。此處可使用的晶粒結(jié)構(gòu)的材料的示例包括CoPt-Si0 2、CoCrPtO、CoCrPt-Si02、 CoCrPt-Ti02、CoCrPt-Al 203、CoPt-AIN、和 CoCrPt-Si3N4，但不限于此。在本申請(qǐng)的發(fā)明中， 就增進(jìn)垂直磁記錄層中彼此相鄰的磁性晶粒之間的磁間隔、降低噪聲、和改進(jìn)介質(zhì)的特性 (例如其SNR和記錄分辨率）這些方面而言，使用具有顆粒結(jié)構(gòu)的材料是優(yōu)選的。
[0028] 注意，磁記錄層可使用技術(shù)中已知的任何方法來實(shí)現(xiàn)，諸如濺射方法（DC磁控管 濺射方法、RF磁控管濺射方法等）或真空蒸鍍方法。
[0029] (1-3)
[0030] 上述（1-2)中提到的磁性層可任選地包括非磁性下層、軟磁層、籽晶層、中間層、 以及位于磁記錄層和襯底之間的其它層。這些層可以是磁性或非磁性層。
[0031] 非磁性下層
[0032] 非磁性下層可使用包括Cr的非磁性材料形成，諸如Ti或CrTi合金。
[0033] 軟磁層
[0034] 可使用諸如FeTaC或山達(dá)斯特（Sendust) (FeSiAl)合金之類的結(jié)晶材料；諸如 FeTaC、CoFeNi、或CoNiP之類的微晶材料；或包括諸如CoZrNdXoZrNb、或CoTaZr之類的Co 合金的非晶材料形成軟磁層。軟磁層用于以將由磁頭生產(chǎn)的垂直磁場(chǎng)集中到垂直磁記錄介 質(zhì)的磁記錄層中。盡管軟磁層的薄膜厚度的最佳值取決于用于記錄的磁頭的結(jié)構(gòu)或特性， 然而優(yōu)選地軟磁層的薄膜厚度約為IOnm至500nm以與生產(chǎn)能力平衡。
[0035] 籽晶層
[0036]可使用諸如 NiFeAl、NiFeSi、NiFeNb、NiFeB、NiFeNbB、NiFeMo、或 NiFeCr 之類的 坡莫合金材料；通過將Co添加至坡莫合金獲得的材料，諸如C〇NiFe、C 〇NiFeSi、C〇NiFeB、* CoNiFeNb ;Co ;或諸如CoBXoSi、CoNi、或CoFe之類的基于Co的合金，形成籽晶層。優(yōu)選的 是，籽晶層足夠厚以控制磁記錄層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)并一般具有至少3nm但不大于50nm的薄膜厚 度。
[0037] 中間層
[0038] 中間層可使用Ru或主要含Ru的合金形成。優(yōu)選的是，中間層一般具有至少0. Inm 但不大于20nm的薄膜厚度。在該范圍內(nèi)的薄膜厚度可提供具有達(dá)到高密度記錄所需的特 性但不劣化磁記錄層的磁性質(zhì)或磁記錄性質(zhì)的磁記錄層。
[0039] 注意，可使用技術(shù)中已知的任何方法來形成對(duì)于磁記錄層、非磁性下層、軟磁層、 籽晶層、和中間層，諸如濺射方法（DC磁控管濺射方法、RF磁控管濺射方法等）或真空蒸鍍 方法。
[0040] (2)步驟（b)
[0041] 在步驟（b)中，在通過步驟（a)提供的磁性層上形成保護(hù)膜。
[0042] (2-1)
[0043] 使用將烴氣用作源氣體的等離子體化學(xué)氣相沉積（CVD)方法來形成保護(hù)膜。在這 種方法中，源氣體被設(shè)置在等離子體狀態(tài)并使其生成活性根或離子，藉此形成非晶碳薄膜 作為保護(hù)膜。優(yōu)選的是，就提供表面光滑度和硬度方面而言，非晶碳是鉆石型碳（DLC)。
[0044] 可使用電容耦合方法或電感耦合方法來提供用于生成等離子體的功率。所要提供 的功率可以是DC功率、HF功率（頻率：幾十kHz至幾百kHz)、RF功率（頻率：13. 56MHz、 27. 12MHz、40. 68MHz 等）、微波（頻率：2. 45GHz)等等。
[0045] 平行板式裝置、細(xì)絲式裝置、ECR等離子體發(fā)生器、螺旋波等離子體發(fā)生器、或類似 裝置可用作生成等離子體的裝置。在本申請(qǐng)的發(fā)明中，優(yōu)選使用細(xì)絲式等離子體CVD裝置。
[0046] (2-2)
[0047] 低飽和烴氣和低不飽和烴氣的混合氣體被用作源氣體。一般來說，低飽和烴氣的 成膜速度相對(duì)低，而低不飽和烴氣的成膜速度相對(duì)高?？赏ㄟ^使用混合氣體并調(diào)節(jié)低飽和 烴氣和低不飽和烴氣之間的混合比來控制成膜速度。
[0048] 低飽和烴氣選自包括如下項(xiàng)的組：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、以及它們中的兩項(xiàng)或更 多項(xiàng)的混合物。低不飽和烴氣選自包括如下項(xiàng)的組：乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、以及它們中 的兩項(xiàng)或更多項(xiàng)的混合物。
[0049] 最重要，優(yōu)選地將乙烷用作低飽和烴氣而將乙烯用作低不飽和烴氣，這是由于它 們良好的抗腐蝕性。
[0050] 注意，可以小于10摩爾％的量包括諸如乙炔或苯之類的其它烴氣，而不損害本發(fā) 明的效果。
[0051] (2-3)
[0052] 步驟（b)包括在該磁性層上形成第一保護(hù)膜的步驟（b_l)以及在該第一保護(hù)膜上 形成第二保護(hù)膜的步驟（b_2)。在這些步驟（b_l)和（b_2)中，作為所使用的源氣體的混合 氣體的混合比（低飽和烴氣和低不飽和烴氣之間的混合比）被改變。
[0053] 特定地，步驟（b_l)通過使用源氣體的等離子體CVD方法執(zhí)行，在該源氣體中，調(diào) 節(jié)低飽和烴氣和低不飽和烴氣之間的混合比以使在源氣體中相對(duì)于每個(gè)碳原子氫原子的 平均數(shù)變得大于2. 5但小于3. 0。
[0054] 步驟（b-2)通過使用源氣體的等離子體CVD方法執(zhí)行，在該源氣體中，調(diào)節(jié)低飽和 烴氣和低不飽和烴氣之間的混合比以使在源氣體中相對(duì)于每個(gè)碳原子氫原子的平均數(shù)變 得大于2. 0但小于2. 5。
[0055] 可通過使用如下公式來計(jì)算在源氣體中相對(duì)于每個(gè)碳原子氫原子N的平均數(shù)，其 中N1/代表在每種烴氣i的分子中相對(duì)于每個(gè)碳原子氫原子的數(shù)量，且F i代表烴氣的流速 (seem)：
[0056] N = (SN11iXFiV(SFi)。
[0057] 在該公式中，2表示每種烴氣i之和。
[0058] 在步驟（b_l)中，使用具有其中相對(duì)于每個(gè)碳原子氫原子的平均數(shù)相對(duì)高的混合 比的源氣體，以使源自C-H鍵的更多四面體結(jié)構(gòu)被引入到所獲得的第一保護(hù)膜中，改進(jìn)磁 記錄介質(zhì)的耐蝕性/持久性。
[0059] 另一方面，在步驟（b_2)中，使用具有其中相對(duì)于每個(gè)碳原子氫原子的平均數(shù)相 對(duì)低的混合比的源氣體，可降低所獲得的第二保護(hù)膜中的氫（H)組分的量，該氫（H)組分干 擾潤滑層和保護(hù)膜之間的結(jié)合，改進(jìn)FOD性能。
[0060] 在步驟（b-1)中，基于引入源自C-H鍵的更多四面體結(jié)構(gòu)的技術(shù)方面，在源氣體中 相對(duì)于每個(gè)碳原子氫原子的平均數(shù)被設(shè)定為大于2. 5。此外，基于防止源自過量氫的聚合的 技術(shù)方面，在源氣體中相對(duì)于每個(gè)碳原子氫原子的平均數(shù)被設(shè)定為小于3. 0。
[0061] 另一方面，在步驟（b-2)中，基于維持源自C-H鍵的四面體結(jié)構(gòu)的技術(shù)方面，在源 氣體中相對(duì)于每個(gè)碳原子氫原子的平均數(shù)被設(shè)定為高于2.0。此外，基于減少干擾保護(hù)膜和 潤滑層之間的結(jié)合的氫的量的技術(shù)方面，在源氣體中相對(duì)于每個(gè)碳原子氫原子的平均數(shù)被 設(shè)定為小于2. 5。
[0062] (2-4)
[0063] 可通過進(jìn)一步調(diào)節(jié)等離子體CVD方法中離子加速的電勢(shì)差，來有利地控制上述 (2-3)中描述的第一和第二保護(hù)膜的性質(zhì)。換言之，通過將離子加速的電勢(shì)差設(shè)定為相對(duì)低 可將源自C-H鍵的更多四面體結(jié)構(gòu)引入到保護(hù)膜中，并且通過將離子加速的電勢(shì)差設(shè)定為 相對(duì)高可減少累積在將形成的保護(hù)膜中的氫（H)組分的量。
[0064] 更特定地，就引入源自C-H鍵的更多四面體結(jié)構(gòu)的方面而言，在步驟（b_l)中通 過等離子體CVD方法調(diào)節(jié)的離子加速度的電勢(shì)差的優(yōu)選上限等于或低于180V，且就維持等 離子體放電方面而言，離子加速的電勢(shì)差的優(yōu)選下限等于或高于60V。另一方面，就減少干 擾與潤滑層的結(jié)合的氫數(shù)量的方面而言，步驟（b-2)中通過等離子體CVD方法調(diào)節(jié)的離子 加速的電位差的優(yōu)選下限等于或大于180V，并且就維持源自C-H鍵的四面體結(jié)構(gòu)的方面而 言，離子加速的電勢(shì)差的優(yōu)選上限等于或低于300V。
[0065] 這里，通過下列公式（1)計(jì)算出離子加速的電勢(shì)差：
[0066] 離子加速的電勢(shì)差=陽極電勢(shì)-偏移電勢(shì)（1)
[0067] 陽極電勢(shì)是被施加在等離子體CVD裝置中的陽極的電勢(shì)。偏移電勢(shì)是施加至形 成在襯底上的磁性層的等離子體CVD裝置中的電勢(shì)，這是通過步驟（a)提供的。例如，當(dāng) 陽極電勢(shì)=+60V且偏移電勢(shì)=-120V時(shí)，離子加速的電勢(shì)差=陽極電勢(shì)-偏移電勢(shì)= (+60V)-(-120V) = 180V。
[0068] (2-5)
[0069] 就實(shí)現(xiàn)極好的抗腐蝕性方面而言，保護(hù)膜的薄膜厚度優(yōu)選地等于或大于I. 2nm，而 就減少相對(duì)于磁頭的磁間距損失并實(shí)現(xiàn)良好的磁記錄性質(zhì)的方面而言，保護(hù)膜的薄膜厚度 優(yōu)選地等于或低于2. 5nm。
[0070]另外，本發(fā)明的保護(hù)膜包括第一保護(hù)膜和第二保護(hù)膜，其中就有效地施加第一保 護(hù)膜的良好抗蝕性/耐久性和第二保護(hù)膜的良好FOD性能而言，第一保護(hù)膜的薄膜厚度與 第二保護(hù)膜的薄膜厚度之間的比值優(yōu)選地為3:7-7:3。
[0071] ⑶步驟（c)
[0072] 步驟（C)可包括進(jìn)一步氮化步驟（b)中獲得的保護(hù)膜的表面的步驟。
[0073] 該步驟可引入氮（N)組分以利于保護(hù)膜表面和潤滑層之間的結(jié)合，由此進(jìn)一步提 高FOD性能。
[0074] 可通過例如將氮?dú)庖氲入x子體源并使碳層表面經(jīng)受氮等離子體處理而實(shí)現(xiàn)引 入氮（N)組分。
[0075] B.用于制造磁記錄介質(zhì)的方法
[0076] 在前述A.用于制造保護(hù)膜的方法之后，可通過在該保護(hù)膜上形成潤滑層來制造 磁記錄介質(zhì)。所得磁記錄介質(zhì)具有至少襯底、形成在該襯底上的磁性層、形成在該磁性層上 的保護(hù)層、以及形成在保護(hù)層上的潤滑層。
[0077] 該潤滑層是提供磁頭和磁記錄介質(zhì)之間的潤滑的層?？赏ㄟ^使用【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi)已知 的液體潤滑劑在襯底上形成潤滑層。特定地，優(yōu)選使用全氟聚醚液體潤滑劑（PFPE)。通過 浸涂方法或旋涂方法，液體潤滑劑可施加至潤滑劑層至約Inm的厚度。液體潤滑劑的特定 不例包括 Fomblin-Z-tetroal (由 Solvay Solexis 制造）和 A20H(由 M0RESC0 制造）。 [0078] 優(yōu)選的是，就實(shí)現(xiàn)良好的耐久性方面而言，潤滑劑層的層厚度等于或大于0. 7nm， 而就減少相對(duì)于磁頭的磁間距損失且實(shí)現(xiàn)良好的磁記錄性質(zhì)而言，潤滑劑層的層厚度等于 或小于I. 8nm〇
[0079] [示例]
[0080] [示例1]
[0081] (1)提供具有磁性層的襯底
[0082] 首先，根據(jù)下列步驟使用圓形鋁盤制備具有磁性層的襯底，該圓形鋁盤具有95mm 的外徑、25mm的內(nèi)徑、以及I. 27mm的厚度。
[0083] 即，首先，將鋁盤的表面涂覆以Ni-P至12 pm的膜厚度以制備非磁性襯底。所獲 得的非磁性襯底被平滑并清洗。
[0084] 接著，使用DC磁控管濺射方法，多個(gè)金屬薄膜（非磁性下層、軟磁層、籽晶層、中間 層、第一磁性層、交換耦合控制層、第二磁性層、和第三磁性層）被順序地形成在清洗后的 非磁性襯底上。特定地：
[0085] ?將Cr5tlTi5tl薄膜層疊在非磁性襯底上以形成具有膜厚6.Onm的非磁性下層；
[0086] ?將CoZrNb薄膜層疊在非磁性下層上以形成具有膜厚20nm的軟磁層；
[0087]?在軟磁層上層疊CoNiFe薄膜以形成膜厚8.Onm的籽晶層；
[0088] ?在籽晶層上層疊Ru以形成膜厚IOnm的中間層；
[0089] ?在中間層上層疊CoCrPt-SiO2薄膜以形成具有膜厚IOnm的第一磁性層；
[0090] ?在第一磁性層上層疊Ru薄膜以形成具有膜厚0. 2nm的交換耦合控制層；
[0091] ?在交換耦合控制層上層疊CoCrPt-SiO2薄膜以形成具有膜厚3. Onm的第二磁性 層；以及
[0092] ?在第二磁性層上層疊CoCrPr-B薄膜以形成具有膜厚6.Onm的第三磁性層。
[0093] 注意，襯底上的磁記錄層具有第一磁性層、交換耦合控制層、第二磁性層、和第三 磁性層的四層結(jié)構(gòu)。
[0094] (2)形成保護(hù)膜
[0095] 接著，通過使用等離子體CVD方法在所得磁性層上形成保護(hù)膜。使用細(xì)絲式等離 子體CVD裝置，將預(yù)定電流提供給陰極細(xì)絲以發(fā)出熱電子，且同時(shí)將用作源氣體的烴氣引 入裝置以生成烴氣等離子體。
[0096] 乙燒（C2H6)氣體和乙烯（C 2H4)氣體的混合氣體被用作源氣體。在第一步驟中，乙 燒（C2H 6)氣體的流速被設(shè)定在45sccm，乙烯（C2H4)氣體的流速被設(shè)定在15sccm，陽極電勢(shì) 被設(shè)定在+40V，偏移電勢(shì)被設(shè)定在-60V (即離子加速的電勢(shì)差為100V)，并且襯底的溫度 被設(shè)定在大約180°C。調(diào)節(jié)成膜時(shí)間，并在磁性層上形成厚度I. Onm的第一保護(hù)膜（DLC薄 膜）。換言之，第一步驟中，在源氣體中相對(duì)于每個(gè)碳原子氫原子的平均數(shù)是2. 75。
[0097] 接著,在第二步驟中，乙烯（C2H4)氣體的流速被設(shè)定在45sccm,乙燒（C 2H6)氣體的 流速被設(shè)定在15sccm,陽極電勢(shì)被設(shè)定在+80V,且偏移電勢(shì)被設(shè)定在-180V (即，離子加速 的電勢(shì)差為260V)。調(diào)節(jié)成膜時(shí)間，并在第一保護(hù)膜上形成厚度I. Onm的第二保護(hù)膜（DLC 薄膜）。換言之，在第二步驟，在源氣體中相對(duì)于每個(gè)碳原子氫原子的平均數(shù)是2. 25。
[0098] 第一和第二保護(hù)膜被組合為具有厚度2. Onm的保護(hù)膜（DLC薄膜）。
[0099] 此外，在第三步驟中，氮（N2)氣的流速被設(shè)定在50sccm，襯底的溫度被設(shè)定在大約 180°C，而處理時(shí)間被設(shè)定在I. 0秒，以氮化第二保護(hù)膜的表面。
[0100] 這里使用的單位"seem"表示標(biāo)準(zhǔn)條件（1原子/(TC )下每分鐘的流速（單位： cm3) 〇
[0101] (3)形成潤滑層
[0102] 通過使用浸漬方法，將主要含全氟聚醚（HOCH2CH (OH) CH2-OCH2CF2O- (CF2CF2O) n- (CF2O) m-CF2CH2〇-CH2CH (OH) CH20H、具有分子量為2000-4000)的液體潤滑劑施加至以上述 方式獲得的保護(hù)膜以形成具有厚度I. Onm的潤滑層。
[0103] (4)抗腐蝕性的評(píng)價(jià)
[0104] 0. 5mL量的預(yù)定濃度（3. 0% )的硝酸水性溶液被滴入到磁記錄介質(zhì)樣本中90°間 隔下的四個(gè)扇區(qū)（section)，根據(jù)上述（1)-(3)制備該磁記錄介質(zhì)樣本并被提取從而通過 電感耦合的等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS)的方式來測(cè)量Co洗提。當(dāng)測(cè)量Co洗提時(shí)，使用標(biāo)準(zhǔn) 樣本的校準(zhǔn)曲線。
[0105] Co洗提量低至0? 019ng/cm2,這是一個(gè)好的結(jié)果。
[0106] 等于或低于0. 040ng/cm2的Co洗提量被評(píng)價(jià)為"特別"良好并被設(shè)定為基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。 在該值下，當(dāng)評(píng)價(jià)其在HDD中的可靠性時(shí)，磁記錄介質(zhì)不造成任何問題。
[0107] (5)耐久性評(píng)價(jià)
[0108] 具有2mm直徑的AlTiC球沿根據(jù)上述（1)-(3)制備的磁記錄介質(zhì)樣本滑動(dòng)，其具 有30gf?的負(fù)載并在25cm/s的線性速度下，以測(cè)量在保護(hù)膜斷裂為止AlTiC球需要滑動(dòng)多 少次。要470次來使保護(hù)膜斷裂，這是好的結(jié)果。
[0109] 等于或大于400的AlTiC球滑動(dòng)次數(shù)被評(píng)價(jià)為"特別"良好的并被設(shè)定為基準(zhǔn)標(biāo) 準(zhǔn)。在該值下，當(dāng)評(píng)價(jià)其在HDD中的可靠性時(shí)，磁記錄介質(zhì)不造成任何問題。
[0110] (6) FOD性能的評(píng)價(jià)
[0111] 當(dāng)磁頭在預(yù)定轉(zhuǎn)速下流動(dòng)（flow)時(shí)，嵌入在磁頭的讀/寫元件部分中的加熱器被 切換接通以使磁頭的讀/寫元件部分熱膨脹并逐漸地突出于讀/寫元件部分。然后，測(cè)量 在該功率下飛行的磁頭變得不穩(wěn)的著陸（touch down) (TD)加熱器功率。在7200rpm的轉(zhuǎn) 速下使用聲發(fā)射（AE)傳感器檢測(cè)TD。TD加熱器功率大至50. 7mW，這是一個(gè)好的結(jié)果。
[0112] 等于或大于50. OmW的TD加熱器功率被評(píng)價(jià)為"特別"良好的并被設(shè)定為基準(zhǔn)標(biāo) 準(zhǔn)。該值指示在磁記錄介質(zhì)的磁記錄性質(zhì)中可以看到FOD效果的水平。
[0113][示例 2-9]
[0114] 在保護(hù)膜的第一成形步驟中使用的乙烷（C2H 6)氣體和乙烯（C2H4)氣體之間的混合 比以各種方式改變的條件下，使用與示例1相同的方法制備磁記錄介質(zhì)。其它條件與示例 1的相同。換言之，襯底、磁性層、第二保護(hù)膜、和潤滑層在示例1-9中是相同的。
[0115] 這些磁記錄介質(zhì)的抗腐蝕性和持久性的評(píng)價(jià)結(jié)果連同示例1中獲得評(píng)價(jià)結(jié)果示 出于表1中。

【權(quán)利要求】
1. 一種用于制造保護(hù)膜的方法，所述方法可用于制造磁記錄介質(zhì)，所述磁記錄介質(zhì)具 有襯底，形成在所述襯底上的磁性層，形成在所述磁性層上的保護(hù)膜，以及形成在所述保護(hù) 膜上的潤滑層，所述方法包括下列步驟： (a) 提供形成在所述襯底上的所述磁性層；以及 (b) 通過使用低飽和烴氣和低不飽和烴氣的混合氣作為源氣體的等 離子體CVD方法，在所述磁性層上形成所述保護(hù)膜； 其中所述低飽和烴氣選自包括如下項(xiàng)的組：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、以及上述中兩項(xiàng)或 更多項(xiàng)的混合物， 所述低不飽和烴氣選自包括如下項(xiàng)的組：乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、以及上述中兩項(xiàng)或 更多項(xiàng)的混合物，并且 所述步驟（b)包括在所述磁性層上形成第一保護(hù)膜的步驟（b-Ι)以及在所述第一保護(hù) 膜上形成第二保護(hù)膜的步驟（b-2)， 所述步驟（b-1)是通過使用源氣體的等離子體CVD方法執(zhí)行的，在所述源氣體中，調(diào)節(jié) 所述低飽和烴氣和所述低不飽和烴氣之間的混合比以使在所述源氣體中相對(duì)于每個(gè)碳原 子氫原子的平均數(shù)變得大于2. 5但小于3. 0,且 所述步驟（b-2)是通過使用源氣體的等離子體CVD方法執(zhí)行的，在所述源氣體中，調(diào)節(jié) 所述低飽和烴氣和所述低不飽和烴氣之間的混合比以使所述源氣體中每碳原子的氫原子 的平均數(shù)變得大于2. 0但小于2. 5。
2. 如權(quán)利要求1所述的用于制造保護(hù)膜的方法，其特征在于，所述低飽和烴氣是乙烷 且所述低不飽和烴氣是乙烯。
3. 如權(quán)利要求1所述的用于制造保護(hù)膜的方法，其特征在于，在所述步驟（b-Ι)中由所 述等離子體CVD方法施加的離子加速的電勢(shì)差等于或低于180V，并且在所述步驟（b-2)中 由所述等離子體CVD方法施加的離子加速的電位差等于或大于180V。
4. 如權(quán)利要求1所述的用于制造保護(hù)膜的方法，其特征在于，在所述步驟（b)后，還包 括氮化所述保護(hù)膜的表面的步驟（c)。
5. -種用于制造磁記錄介質(zhì)的方法，包括如權(quán)利要求1-4中任何一項(xiàng)所述的用于制造 保護(hù)膜的方法。
【文檔編號(hào)】G11B5/84GK104246885SQ201280072385
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2012年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月29日
【發(fā)明者】永田德久 申請(qǐng)人:富士電機(jī)（馬來西亞）有限公司