專(zhuān)利名稱：磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于硬盤(pán)裝置(HDD)等中的磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置。本申請(qǐng)基于在2012年I月20日提出的日本國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)2012-010399號(hào)要求優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援引于本申請(qǐng)中。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，磁盤(pán)裝置、軟盤(pán)裝置、磁帶裝置等的磁記錄裝置所應(yīng)用的范圍顯著地?cái)U(kuò)大，在其重要性增加的同時(shí)，對(duì)于在這些裝置中所使用的磁記錄介質(zhì)，正在謀求其記錄密度的顯著提高。特別是引入MR磁頭和PRML技術(shù)以來(lái)，面記錄密度的上升變得進(jìn)一步顯著，近年來(lái)還引入了 GMR磁頭和TMR磁頭等，面記錄密度正在以一年約1.5倍的速度持續(xù)增加，對(duì)于這些磁記錄介質(zhì)，要求今后實(shí)現(xiàn)更高記錄密度化。因此，要求實(shí)現(xiàn)磁性層的高矯頑力化、高信噪比(SNR)和高分辨率。另外，近年來(lái)，在線記錄密度提高的同時(shí)通過(guò)磁道密度的增加來(lái)使面記錄密度上升的嘗試也在繼續(xù)。在最新的磁記錄裝置中，其磁道密度已達(dá)到了 400kTPI。但是，如果將磁記錄裝置中的磁道密度提高下去，則相鄰的磁道間的磁記錄信息會(huì)相互干擾，其邊界區(qū)域的磁化遷移區(qū)域成為噪聲源，從而容易產(chǎn)生損害SNR的問(wèn)題，這會(huì)直接導(dǎo)致比特誤碼率(BER)的惡化，因此對(duì)于記錄密度的提高成為阻礙。為了使面記錄密度上升，需要使磁記錄介質(zhì)上的各記錄位的尺寸更微細(xì)，在各記錄位確保盡可能大的飽和磁化和磁性膜厚。另一方面，如果將記錄位微細(xì)化下去，則每一比特的磁化最小體積變小，產(chǎn)生因熱擺所造成的磁化翻轉(zhuǎn)從而記錄數(shù)據(jù)消失的問(wèn)題。例如，如果磁記錄介質(zhì)的記錄密度變?yōu)?Tbpsi，則I比特占有的面積最大為322nm2 (以當(dāng)量圓直徑計(jì)約為18nm)，考慮了相鄰的位間的相互作用時(shí)的有效區(qū)域變窄到約193nm2 (以當(dāng)量圓直徑計(jì)約為14nm)。想要在該面積下確?？蔁岱€(wěn)定地保持?jǐn)?shù)據(jù)的粒徑時(shí)，變得不能夠確保用于維持磁記錄裝置中所需要的SNR的磁性粒子數(shù)。另一方面，如果為了維持磁記錄裝置的SNR而將磁性粒子微細(xì)化，則由于每個(gè)磁性粒子的體積減少所帶來(lái)的熱不穩(wěn)定，變得不能夠維持記錄了的磁數(shù)據(jù)。另外，在磁記錄裝置中，如果將磁道密度提高下去，則磁道間距離接近，因此變得需要極高精度的磁道伺服技術(shù)。因此，在磁記錄再生裝置中，一般采用下述方法:記錄時(shí)寬幅地寫(xiě)入數(shù)據(jù)，另一方面，再生時(shí)為了盡量排除來(lái)自相鄰磁道的影響，與記錄時(shí)相比窄幅地進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取。但是，在該方法中，雖然可以將磁道間的影響抑制在最小限度，但獲得充分的再生輸出較困難，其結(jié)果，存在難以確保充分的SNR的問(wèn)題。作為解決這樣的熱擺問(wèn)題和確保SNR、確保充分的輸出的方法之一，曾進(jìn)行了下述嘗試:在磁記錄介質(zhì)的表面形成沿著磁道的凹凸，將記錄磁道彼此物理性地分離，由此提高磁道密度(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I (日本特開(kāi)2004-164692號(hào)公報(bào)))。這樣的技術(shù)一般被稱為分離磁道法(discrete track method)。另外,具有這樣的磁分離了的磁道圖案的磁記錄介質(zhì)被稱為分離磁道介質(zhì)。另外，為了謀求磁記錄介質(zhì)的進(jìn)一步的高記錄密度化，曾提出了通過(guò)對(duì)于磁道的縱向(圓周方向)也每一比特形成凹凸，將磁性粒子彼此物理性地分離，將一個(gè)磁性粒子作為一比特進(jìn)行記錄的磁記錄介質(zhì)。將這樣的具有將磁道間和位間的兩方磁分離了的圖案的磁記錄介質(zhì)稱為比特圖案化介質(zhì)(bit patterned media)。在該比特圖案化介質(zhì)中，通過(guò)將磁道間和位間的兩方磁分離，可以抑制在它們之間產(chǎn)生的磁相互作用。由此，可以提高磁記錄介質(zhì)中的記錄數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性。另外，由于I比特由單一的磁性粒子構(gòu)成，因此通過(guò)抑制來(lái)自邊界的擾亂的遷移噪聲，使SNR提高，由此能夠?qū)崿F(xiàn)更致密的磁記錄。在制造上述的分離磁道介質(zhì)和比特圖案化介質(zhì)等的所謂的圖案化介質(zhì)時(shí)，進(jìn)行了下述操作:通過(guò)在磁性層上形成了與磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的形狀的掩模層后，利用該掩模層對(duì)磁性層進(jìn)行蝕刻加工，由此將磁性層圖案化成為與磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的形狀。此外，為了將磁記錄介質(zhì)的表面平坦化，在被除去了磁性層的部分埋入非磁性層后，進(jìn)行除去多余的非磁性層和掩模層的處理。但是，在這樣的以往的圖案化介質(zhì)的制造方法中，作為使用掩模層對(duì)于磁性層實(shí)施了物理性的凹凸加工后，除去變?yōu)椴恍枰难谀拥姆椒?，只有采用干蝕刻或濕蝕刻從磁性層上除去掩模層的方法，此時(shí)，存在由于發(fā)生磁性層的氧化和溶解等而損害磁特性的問(wèn)題。因此，要求能夠抑制對(duì)磁性層的磁損傷的掩模層除去方法。本發(fā)明是鑒于上述的以往情況提出的，其目的是提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置，該磁記錄介質(zhì)的制造方法通過(guò)不對(duì)磁性層造成磁損傷而除去在該磁性層上形成的掩模層，能夠以高的生產(chǎn)率制造磁記錄圖案的磁分離性能優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)，另外，該磁記錄再生裝置使用采用這樣的制造方法制造的磁記錄介質(zhì)，能夠進(jìn)一步提高電磁轉(zhuǎn)換特性。

發(fā)明內(nèi)容
S卩，本發(fā)明提供以下的磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置。(I)本發(fā)明的第I方式是一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括:在非磁性基板上形成磁性層的工序；在上述磁性層上形成掩模層的工序；在上述掩模層上形成被圖案化為規(guī)定的形狀的抗蝕劑層的工序；利用上述抗蝕劑層，將上述掩模層圖案化為與上述抗蝕劑層對(duì)應(yīng)的形狀的工序；利用上述圖案化了的掩模層，將上述磁性層圖案化為與上述掩模層對(duì)應(yīng)的形狀的工序；和通過(guò)反應(yīng)性等離子體蝕刻除去殘存于上述磁性層上的掩模層的工序，在含有有機(jī)化合物的氣氛中進(jìn)行上述反應(yīng)性等離子體蝕刻，所述有機(jī)化合物具有選自羥基、羰基、羥基羰基、烷氧基、醚基之中的至少一種或多種官能團(tuán)。(2)在上述(I)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，上述掩模層可以是碳膜。(3 )在上述(I)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，上述掩模層可以由選自N1、Fe、Co、Cr之中的至少一種的金屬膜、或者含有選自所述N1、Fe、Co、Cr之中的多種金屬的合金膜構(gòu)成。(4)在上述(I)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，上述掩模層可以由樹(shù)脂膜構(gòu)成。 ( 5 )在上述(I)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，上述掩模層可以由疊層膜構(gòu)成，該疊層膜是依次層疊了由碳膜、金屬膜或合金膜、和樹(shù)脂膜之中的任一種膜構(gòu)成的第I層、和由蝕刻速率比上述第I層低的材料構(gòu)成的第2層的疊層膜。(6)在上述(5)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，上述第2層可以由選自S1、Al、Cr、Cu、Mo、W、Pt、Au、Ta、N1、Fe、Co之中的至少一種的金屬膜、或者含有所述S1、Al、Cr、Cu、Mo、W、Pt、Au、Ta、N1、Fe、Co之中的多種的合金膜構(gòu)成。(7)本發(fā)明的第2方式是一種磁記錄再生裝置，其特征在于，具備:采用上述(I)
(6)的任一項(xiàng)所述的方法制造的磁記錄介質(zhì)；將上述磁記錄介質(zhì)沿記錄方向驅(qū)動(dòng)的介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部；針對(duì)上述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄動(dòng)作和再生動(dòng)作的磁頭；使上述磁頭相對(duì)于上述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)的磁頭移動(dòng)單元；和用于進(jìn)行向上述磁頭輸入信號(hào)和從上述磁頭再生輸出信號(hào)的記錄再生信號(hào)處理單元。根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法，可以不對(duì)磁性層造成磁損傷而除去在該磁性層上殘存的掩模層。因此，根據(jù)本發(fā)明，能夠以高的生產(chǎn)率制造磁記錄圖案的磁分離性能優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。此外，在使用了由這樣的本發(fā)明的制造方法得到的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置中，能夠進(jìn)一步地提高電磁轉(zhuǎn)換特性。


圖1A是用于說(shuō)明應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法的截面圖。圖1B是用于說(shuō)明應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法的截面圖。圖1C是用于說(shuō)明應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法的截面圖。圖1D是用于說(shuō)明應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法的截面圖。圖1E是用于說(shuō)明應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法的截面圖。圖1F是用于說(shuō)明應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法的截面圖。圖2是表示應(yīng)用本發(fā)明制造的磁記錄介質(zhì)的一例的截面圖。圖3是表示磁記錄再生裝置的一構(gòu)成例的立體圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1...非磁性基板2...磁性層3...掩模層4...抗蝕劑層5...非磁性層6...保護(hù)層7...潤(rùn)滑膜MP...磁記錄圖案30...磁記錄介質(zhì)31...非磁性基板32...軟磁性層33...中間層34...記錄磁性層34a...磁記錄圖案
35...保護(hù)層36...潤(rùn)滑膜37...非磁性層51...旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部52...磁頭53...磁頭驅(qū)動(dòng)部54...記錄再生信號(hào)處理系統(tǒng)
具體實(shí)施例方式以下，對(duì)于本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置的實(shí)施方式，參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明。再者，為易于明白本發(fā)明的特征，在以下的說(shuō)明中使用的附圖有時(shí)為方便起見(jiàn)將成為特征的部分放大地表示，各構(gòu)成要素的尺寸比率等未必與實(shí)際的磁記錄介質(zhì)和磁記錄再生裝置相同。(磁記錄介質(zhì)的制造方法)首先，對(duì)于應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明是具有磁分離了的磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)的制造方法，制造該磁記錄介質(zhì)時(shí)，首先，如圖1A所示，在非磁性基板I上，依次層疊形成磁性層2、掩模層3、抗蝕劑層4。另外，對(duì)于抗蝕劑層4，采用例如光刻法、納米壓印法等，圖案化成為與上述的磁性層2的磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的形狀。具體地講，將該抗蝕劑層4圖案化時(shí)，優(yōu)選采用納米壓印法。作為納米壓印法，可以采用熱壓印、紫外光(UV)壓印、加壓壓印等的方法。其中，對(duì)使用了通過(guò)照射紫外光(UV)來(lái)固化的材料的抗蝕劑層4使用印模(stamp )(未圖示)轉(zhuǎn)印圖案的UV壓印法較簡(jiǎn)便。作為在對(duì)抗蝕劑層4按壓了印模的狀態(tài)下，對(duì)該抗蝕劑層4照射放射線的方法，例如可以采用:從印模的相反側(cè)、即非磁性基板I側(cè)照射放射線的方法；作為印模的材料選擇可以透過(guò)放射線的物質(zhì)，從印模側(cè)照射放射線的方法；從印模的側(cè)面照射放射線的方法；
坐坐寸寸ο再者，所謂本發(fā)明中的紫外光，是指波長(zhǎng)低于400nm的近紫外、紫外、真空紫外等的光。另外，作為通過(guò)照射紫外光來(lái)固化的材料，例如可以列舉紫外線固化樹(shù)脂。另外，在這樣的材料之中特別優(yōu)選:作為抗蝕劑層4，使用酚醛清漆系樹(shù)脂、丙烯酸酯類(lèi)、脂環(huán)式環(huán)氧類(lèi)等的紫外線固化樹(shù)脂，作為印模材料，使用對(duì)于紫外光透射性高的玻璃或樹(shù)脂。另外，在采用熱壓印法的情況下，可以使用熱塑性樹(shù)脂或熱固性樹(shù)脂。其中，在將熱塑性樹(shù)脂作為抗蝕劑層4使用的情況下，將該抗蝕劑層4預(yù)加熱，在抗蝕劑層4帶有流動(dòng)性的時(shí)候按壓印模，在冷卻后剝離印模即可。另一方面，在使用熱固性樹(shù)脂作為抗蝕劑層4的情況下，一邊對(duì)該抗蝕劑層4按壓印模一邊加熱，在樹(shù)脂固化了的時(shí)候剝離印模即可。另外，在采用加壓壓印法的情況下，作為在室溫下對(duì)于壓力發(fā)生塑性變形的材料，可以使用例如玻璃、金屬玻璃、硅氧烷樹(shù)脂等。并且，將這些材料作為抗蝕劑層4使用，在室溫下按壓印模后，進(jìn)行剝離即可。
另外，在本發(fā)明中，也可以在轉(zhuǎn)印這樣的圖案的工序之后，對(duì)抗蝕劑層4照射更強(qiáng)的紫外光或放射線。由此，可以提高抗蝕劑層4的固化度，使經(jīng)過(guò)其以后的工序后的磁性層的圖案形狀(矩形性)提高。在轉(zhuǎn)印上述的圖案的工序中，作為印模，可以使用例如對(duì)金屬板采用電子束描繪等的方法形成了微細(xì)的磁道圖案的印模。另外，由于印模要求能夠耐受上述工藝的硬度和耐久性，因此可使用例如Ni等。但只要符合上述要求，則其材質(zhì)沒(méi)有特別的限定。此外，在印模上，除了通常的記錄數(shù)據(jù)的磁道以外，還可以形成脈沖串圖案(burst pattern)、格雷碼圖案(Gray code pattern)、前同步碼圖案(preamble pattern)等的伺服信號(hào)的圖案。接著，如圖1B所示，利用抗蝕劑層4，將掩模層3圖案化成為與磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的形狀。具體地講，將該掩模層3圖案化時(shí)，采用各向異性的干蝕刻、例如離子銑削、增加了指向性的反應(yīng)性蝕刻等。由此，按照在抗蝕劑層4上形成的圖案，部分性地除去掩模層3上的、槽(凹)部分等的沒(méi)有被抗蝕劑層4比較厚地覆蓋的地方，直到磁性層2的表面露出。由此，可以將掩模層3圖案化成為與抗蝕劑層4對(duì)應(yīng)的形狀、即與磁性層2的磁記錄部的圖案對(duì)應(yīng)的形狀。再者，抗蝕劑層4，伴隨著蝕刻的進(jìn)行會(huì)從掩模層3上除去，但抗蝕劑層4的形狀被原樣地轉(zhuǎn)印到掩模層3上，因此能夠?qū)⒀谀?圖案化成為與抗蝕劑層4對(duì)應(yīng)的形狀。因此，抗蝕劑層4在掩模層3的圖案化結(jié)束的時(shí)刻,可以殘存于掩模層3上,也可以從掩模層3上被完全除去。接著，如圖1C所示，使用上述圖案化了的掩模層3，將磁性層2圖案化成為與該掩模層3對(duì)應(yīng)的形狀。具體地講，對(duì)形成有上述圖案化了的掩模層3的磁性層2的表面照射離子束，通過(guò)蝕刻除去磁性層2的沒(méi)有被該掩模層3覆蓋的地方。接著，如圖1D所示，通過(guò)反應(yīng)性等離子體蝕刻除去殘存于磁性層2上的掩模層3。具體地講，在本發(fā)明中，反應(yīng)性等離子體蝕刻在含有有機(jī)化合物的氣氛中進(jìn)行，該有機(jī)化合物具有選自羥基、羰基、羥基羰基、烷氧基、醚基之中的至少一種或多種官能團(tuán)。在本發(fā)明中，為了實(shí)現(xiàn)這樣工藝，掩模層3優(yōu)選使用可通過(guò)反應(yīng)性等離子體蝕刻作用來(lái)除去的掩模層，例如可以使用碳膜(C)或樹(shù)脂膜、或者選自鎳(Ni)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鉻(Cr)之中的至少一種的金屬膜或含有這些金屬之中的多種金屬的合金膜等。其中，C膜可以使用濺射碳等的低密度的碳、采用CVD法形成的類(lèi)金剛石碳(DLC)之類(lèi)的高密度的碳。此外，不僅可以將它們以單層來(lái)使用，還可以層疊多層來(lái)使用。另一方面，樹(shù)脂膜優(yōu)選使用不含有金屬系元素的樹(shù)脂材料，例如除了環(huán)氧系樹(shù)脂、丙烯酸系樹(shù)脂、酚醛清漆系樹(shù)脂等的一般的樹(shù)脂材料以外，還可以使用紫外光固化性樹(shù)脂等的抗蝕劑材料。另一方面，合金膜，例如除了坡莫合金所代表的NiFe合金(81Ni_19Fe、80N1-18Fe-2Co 等)以外還可以使用 CoFe、CoN1、NiFeCo、FeC、CoCr、CrNi 等。另外，掩模層3也可以使用疊層膜，該疊層膜是層疊了由上述的C膜、上述的樹(shù)脂膜、和上述的金屬膜或合金膜之中的任一種膜構(gòu)成的第I層、和由蝕刻速率比該第I層低的材料構(gòu)成的第2層。在構(gòu)成掩模層3的疊層膜之中，例如在第I層使用上述的C膜或樹(shù)脂膜的情況下，作為第2層，優(yōu)選使用針對(duì)氧等離子體蝕刻的蝕刻速率低、可利用除了氧以外的反應(yīng)性蝕刻、氬銑削進(jìn)行蝕刻的金屬材料。例如，該情況下的第2層可以很合適地使用選自S1、Al、Cr、Cu、Mo、W、Pt、Au、Ta、N1、Fe、Co 之中的至少一種的金屬膜或含有 S1、Al、Cr、Cu、Mo、W、Pt、Au、Ta、N1、Fe、Co 之中的多種的合金膜。另外，合金膜可以很合適地使用例如AlS1、CrCu、Crff, A1W、NiW等。特別是作為掩模層3使用了依次層疊了第I層和第2層的疊層膜，所述第I層使用了層疊了碳膜和DLC膜的疊層膜，所述第2層使用了 Si膜的情況下，能夠提高針對(duì)磁性層2的形狀加工性。另一方面，在第I層使用了上述的金屬膜或合金膜的情況下，作為第2層，優(yōu)選使用對(duì)于一氧化碳的反應(yīng)性蝕刻，蝕刻速率低、可利用除了一氧化碳以外的反應(yīng)性蝕刻、氬銑削進(jìn)行蝕刻的金屬材料。例如，該情況下的第2層可以很合適地使用選自S1、Al、Cu、Mo、W、Ta、Pt、Au之中的至少一種的金屬膜或含有這些元素中的多種的合金膜。另外，上述的合金膜可以很合適地使用例如八15138(:11、1'1、11￥31胃等。優(yōu)選第2層在將磁性層2進(jìn)行蝕刻后，厚度變?yōu)?nm以下，更優(yōu)選該第2層在蝕刻磁性層2時(shí)被除去。另外，優(yōu)選第2層的厚度比磁性層2的厚度薄。例如，在磁性層2的蝕刻深度為IOnm的情況下，優(yōu)選第2層的厚度為IOnm以下。該情況下，在對(duì)磁性層2進(jìn)行圖案形成時(shí)第2層被除去，因此可以容易地剝離第I層。另一方面，作為第2層，使用選自N1、Fe、Co之中的合金膜的情況下，本發(fā)明的剝離較容易，因此沒(méi)有厚度的限制。另外，在 上述的掩模層3中，將層疊了 C膜或樹(shù)脂膜、與金屬膜的疊層膜作為一個(gè)組(段)，通過(guò)層疊多個(gè)組(段)的該疊層膜，可以更加提高磁性層2的加工精度和矩形性等的形狀加工性。特別是在采用按順序?qū)盈B了碳膜、DLC膜、Ni膜、碳膜、硅膜的構(gòu)成、和按順序?qū)盈B了 DLC膜、碳膜、DLC膜、Si膜、Ni膜、碳膜、硅膜的構(gòu)成的情況下，可以得到針對(duì)磁性層2的良好的形狀加工性。對(duì)于本發(fā)明的反應(yīng)性等離子體蝕刻，需要不對(duì)磁性層2造成磁損傷而除去掩模層
3。因此，在本發(fā)明中，在含有上述有機(jī)化合物的氣氛中，進(jìn)行反應(yīng)性等離子體蝕刻，上述有機(jī)化合物具有選自羥基、羰基、羥基羰基、烷氧基、醚基之中的至少一種或多種官能團(tuán)。S卩，在本發(fā)明中，在含有可形成為自由基的烴離子(hydrocarbon ion)、和羰基離子、氫離子、羥基離子以及它們的自由基等的反應(yīng)等離子體氣氛中進(jìn)行蝕刻。例如，在上述的掩模層3使用C膜或樹(shù)脂膜的情況下，烴離子、和羰基離子、氫離子、羥基離子以及它們的自由基等作為反應(yīng)種變得有效。另外，在上述的掩模層3使用C膜或樹(shù)脂膜、或者選自N1、Fe、Co、Cr之中的至少一種的金屬膜或含有這些金屬之中的多種金屬的合金膜的情況下，羰基離子及其自由基作為反應(yīng)種變得有效。該情況下，烴、羰基、羥基、氫、烷氧基等的離子和自由基，通過(guò)反應(yīng)性蝕刻除去掩模層3，但其中，羰基、羥基、烷氧基的離子和自由基，在磁性層2的表面作用，通過(guò)氧化和/或蝕刻造成磁損傷。與此相對(duì)，烴和氫的離子和自由基，抑制磁性層2的氧化，還具有將被氧化了的磁性層還原的效果。因此，在本發(fā)明中，通過(guò)這兩者的效果，能夠不對(duì)磁性層2造成磁損傷而除去掩模層3。另外，作為在反應(yīng)等離子體氣氛中使烴離子、與氫離子、羰基離子、羥基離子、烷氧基離子以及它們的自由基共存的方法，有使用將醇、酮、醚、羧酸等的有機(jī)化合物氣化了的原料的方法。另外，作為這樣的原料，可列舉例如甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、丙三醇、苯酚、丙酮、2-丁酮、環(huán)己酮、乙酰丙酮、甲醛、乙醛、甲酸、乙酸、丙酸、草酸、乙酸乙酯、乙酸丁酯、二乙醚、四氫呋喃、甲氧基苯、苯甲醚(anisole)、丙二醇單甲醚等等。另外，這些原料為了氣化，優(yōu)選在常溫下為液體。另外，也可以采用將氣體容器和氣體供給系統(tǒng)加熱的方法。此外，在上述的原料中，為了使等離子體穩(wěn)定化，也可以混合少量的氬(Ar)、氪(Kr)等的惰性氣體來(lái)使用。另外，為了使原料氣體的供給穩(wěn)定化，作為載氣，也可以使用氦(He)、氬(Ar)、氫(H2)、甲烷(CH4)和乙烯(C2H4)等的烴氣體。另外，上述的羰基離子、羥基離子、烷氧基離子、氫離子和它們的自由基，有除去(氣化)在掩模層3的表面殘留的抗蝕劑層4的效果。S卩，由于抗蝕劑層4 一般含有較多的有機(jī)物，與作為掩模使用的碳膜相比密度低，因此容易被這些離子和自由基除去。接著，如圖1E所示，在磁性層2圖案化后，向在該磁性層2的表面形成的凹凸之間埋入非磁性層5。具體地講，非磁性層5可以使用例如Cr、Ru、T1、W、Ta、Mo、CoCr, TiAl合金等的金屬、Si氧化物、Cr氧化物、Ti氧化物、W氧化物、Co氧化物、Ta氧化物、Ru氧化物等的氧化物等。另外，形成非磁性層5時(shí)，可以很合適地采用例如濺射法。然后，以足以向上述的磁性層2的凹凸之間埋入的厚度形成了非磁性層5后，進(jìn)行平坦化直到該磁性層2的表面露出。由此，可以使磁記錄圖案MP (磁性層2)從非磁性層5之間表露出。再者，作為平坦化處理方法，干式法有離子銑削，濕式法有CMP (化學(xué)機(jī)械拋光；Chemical Mechanical Polishing)的研磨加工,在本發(fā)明中任一種方法都可以很合適地使用。另一方面，在本發(fā)明中，未必需要進(jìn)行如上述的圖1E所示那樣的使用了非磁性層5的平坦化處理，也可以省略這樣的工序。例如，在磁性層2的表面形成的凹凸較淺的情況下，不進(jìn)行上述的平坦化處理而在其上形成保護(hù)層，形成為殘留有凹凸的磁記錄介質(zhì)。該情況下，雖然在磁記錄再生裝置內(nèi)磁頭的浮起高度降低，但作為磁記錄再生裝置可以毫無(wú)問(wèn)題地實(shí)現(xiàn)。另外，該情況下，形成于磁性層2上的凹凸的深度優(yōu)選為IOnm以下，更優(yōu)選為6nm以下。再者，在凹凸的深度超過(guò)IOnm的情況下，磁頭的浮起高度的降低顯著，在磁記錄再生中容易發(fā)生磁頭和磁記錄介質(zhì)的接觸，還有最終導(dǎo)致破損之虞。接著，如圖1F所示，在磁性層2和非磁性層5上形成了保護(hù)層6后，通過(guò)在該保護(hù)層6上涂布潤(rùn)滑劑來(lái)形成潤(rùn)滑膜7。
通過(guò)經(jīng)過(guò)如以上那樣的工序，可以制造具有磁分離了的磁記錄圖案MP的磁記錄介質(zhì)。如上述那樣，根據(jù)本發(fā)明，可以不對(duì)磁性層2造成磁損傷而除去在該磁性層2上殘存的掩模層3。因此，根據(jù)本發(fā)明，能夠以高的生產(chǎn)率制造磁記錄圖案MP的磁分離性能優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。另外，使用了這樣的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置，能夠進(jìn)一步地提高電磁轉(zhuǎn)換特性。再者，本發(fā)明中的磁記錄圖案，是磁記錄數(shù)據(jù)在每一位具有一定的規(guī)則性地配置了的圖案，其中也可以含有作為伺服信號(hào)發(fā)揮功能的數(shù)據(jù)。例如，所謂比特圖案型，是在被磁分離了的各個(gè)區(qū)域按各一比特記錄磁記錄數(shù)據(jù)的類(lèi)型。另外，所謂分離磁道型，是在形成為圓周狀，并且在徑向上與相鄰的區(qū)域磁分離了的弧狀區(qū)域連續(xù)地記錄好幾個(gè)比特列的類(lèi)型。另外，所謂圖案化介質(zhì)，是上述的比特圖案型和分離磁道型等的、具有在磁分離了的區(qū)域形成的磁性層的磁記錄介質(zhì)。另外，本發(fā)明中的磁記錄圖案，不限于上述的磁性層的一部分被非磁性層完全地分離了的狀態(tài)。只要磁性層從表面?zhèn)葋?lái)看被分離，則即使在磁性層的底部沒(méi)有被分離，也能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目的，其包含在本發(fā)明的磁分離了的磁記錄圖案的概念中。另外，在本發(fā)明中，使用上述的掩模層3，將磁性層2圖案化成為與該掩模層3對(duì)應(yīng)的形狀時(shí)，也可以對(duì)磁性層2的沒(méi)有被掩模層3覆蓋的表面進(jìn)行離子注入，將該地方的磁性消磁。例如，從進(jìn)行了圖案加工的掩模層3之上注入P+、N2\ N+、C+、He+、Ne+、Ar+、Kr+、Xe+、As+、F+、Si+、B+等的離子。該情況下，磁性層2的進(jìn)行了離子注入的地方的晶體結(jié)構(gòu)紊亂，或者與磁性層2中所含有的Co、Fe、Ni等反應(yīng)變?yōu)榉谴判越M織，由此可以使沒(méi)有被掩模層3覆蓋的部分的磁性層2的磁化消磁。在利用離子注入將磁性層2圖案化了的情況下，優(yōu)選:調(diào)整離子注入的條件，使得磁性層2不因離子注入而發(fā)生蝕刻、或者即使是發(fā)生蝕刻的情況也變?yōu)?nm以下的深度。由此，剝離掩模層3后的平坦化處理變得不需要。另外，在本發(fā)明中，也可以在將磁性層2蝕刻加工后，向在磁性層2的表面形成的凹凸之間埋入非磁性層5，其后，將與形成于磁性層2的凸表面的高度相比處于其上的多余的非磁性層5，與掩模層3 —起采用上述本發(fā)明的方法除去。該情況下，作為非磁性層5，優(yōu)選使用由C膜或樹(shù)脂膜、或者選自N1、Fe、Co、Cr之中的至少一種的金屬膜或含有這些金屬之中的多種金屬的合金膜構(gòu)成的非磁性材料。另夕卜，上述的合金膜可以很合適地使用例如CrN1、CoCr、CrFe、CN1、CCo、CFe、CCr等。另外，該情況下的非磁性層5，不需要比掩模層3的厚度厚地成膜，為在表面殘留有凹凸的狀態(tài)也無(wú)妨。(磁記錄介質(zhì))接著，對(duì)于應(yīng)用本發(fā)明制造的磁記錄介質(zhì)的具體的構(gòu)成，列舉例如圖2所述的磁記錄介質(zhì)30為例詳細(xì)地說(shuō)明。該磁記錄介質(zhì)30,是具有記錄磁性層34的所謂的圖案化介質(zhì),該記錄磁性層34由后述的磁記錄圖案34a被非磁性層37磁分離了的區(qū)域構(gòu)成。再者，在以下的說(shuō)明中例示的磁記錄介質(zhì)30，畢竟只是一例，應(yīng)用本發(fā)明制造的磁記錄介質(zhì)未必限于這樣的構(gòu)成，在不變更本發(fā)明的要旨的范圍可以適當(dāng)變更來(lái)實(shí)施。該磁記錄介質(zhì)30，如圖2所示，具有在非磁性基板31的兩面順序?qū)盈B了軟磁性層32、中間層33、具有磁記錄圖案34a的記錄磁性層34、和保護(hù)層35的結(jié)構(gòu)，進(jìn)而具有在最表面形成有潤(rùn)滑膜36的結(jié)構(gòu)。再者，在圖3中，是僅圖示非磁性基板31的單面的圖。作為非磁性基板31，可以列舉例如Al-Mg合金等的以Al為主成分的Al合金基板、鈉玻璃、鋁硅酸鹽系玻璃、結(jié)晶化玻璃(微晶玻璃)等的玻璃基板、硅基板、鈦基板、陶瓷基板、樹(shù)脂基板等的各種基板，其中，優(yōu)選使用Al合金基板、玻璃基板、硅基板。另外，非磁性基板31的平均表面粗糙度(Ra)優(yōu)選為Inm以下，更優(yōu)選為0.5nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1nm以下。軟磁性層32,具有增大從磁頭產(chǎn)生的磁通量的相對(duì)于基板面的垂直方向分量的功能，和將被記錄信息的記錄磁性層34的磁化方向更牢固地固定在與非磁性基板31垂直的方向的功能。這些功能特別是在使用以單磁極結(jié)構(gòu)為基本的磁頭作為記錄再生用的磁頭的情況下更加顯著。作為軟磁性層32，可以使用例如含有Fe、N1、Co等的非晶或微晶結(jié)構(gòu)的軟磁性材料。作為具體的軟磁性材料，可以列舉例如CoFe系合金(CoFeTaZr、CoFeZrNb等)、FeCo系合金(FeCo、FeCoB, FeCoV 等)、FeNi 系合金(FeN1、FeNiMo、FeNiCr、FeNiSi 等)、FeAl 系合金(FeAl、FeAlS1、FeAlSiCr, FeAlO 等)、FeTa 系合金(FeTa、FeTaC, FeTaN 等)、FeMg 系合金(FeMgO等)、FeZr系合金(FeZrNb、FeZrN等)、FeC系合金、FeN系合金、FeSi系合金、FeP系合金、FeNb系合金、FeHf系合金、FeB系合金等。此外，作為軟磁性層32，還可以使用以Co為主成分，含有Zr、Nb、Ta、Cr、Mo等中的至少一種，且具有非晶或微晶結(jié)構(gòu)的Co合金。作為其具體的材料，可以列舉例如CoZr、CoZrNb, CoZrTa, CoZrCr, CoZrMo 等作為優(yōu)選材料。優(yōu)選軟磁性層32由兩層以上的軟磁性膜構(gòu)成，在層疊了的軟磁性膜之間設(shè)置Ru膜。通過(guò)將Ru膜的厚度在0.4 1.0nm或1.6nm 2.6nm的范圍調(diào)整，在夾持了 Ru膜的上下的軟磁性膜間產(chǎn)生反鐵磁耦合(AFC)，可以抑制所謂的尖峰噪聲(spike noise)。軟磁性膜的層數(shù)優(yōu)選為偶數(shù)。由此，通過(guò)AFC，相互反向地朝向的磁化相抵消，作為結(jié)果，軟磁性層32整體的殘留磁化變?yōu)?，可以抑制信號(hào)再生時(shí)的磁影響(噪聲)。另一方面，即使軟磁性膜的層數(shù)為奇數(shù)，通過(guò)使得從基板側(cè)起的奇數(shù)號(hào)的膜與偶數(shù)號(hào)的軟磁性膜的各自的合計(jì)磁化強(qiáng)度相等，也能夠獲得同樣的效果。中間層33，作為控制其緊上面的層的取向性和晶體尺寸的取向控制層發(fā)揮功能。中間層33，優(yōu)選根據(jù)記錄磁性層34的種類(lèi)分別使用合適的材料。例如，在使用Co系材料(CoCrPt> CoPt> CoPd等)作為記錄磁性層34的情況下,優(yōu)選使用Ru單質(zhì)、或以Ru為主成分，并含有Cr、Co、Fe、N1、C等中的至少一種的、具有hep晶體結(jié)構(gòu)的Ru系合金材料,優(yōu)選hep晶體結(jié)構(gòu)的C軸相對(duì)于非磁性基板31垂直朝向地形成。具體地講，在軟磁性層32上形成以Ni為主成分的合金(N1、Niff, NiCr, NiTa等)的膜，再在該膜上形成Ru系合金膜。Ni系合金膜也可以置換為Pt系合金、Ta系合金、C系合金。另外，作為Ru系合金，也可以使用添加了例如Si02、Cr203、Ti02等氧化物的粒狀結(jié)構(gòu)的材料。此外，在作為記錄磁性層34使用Fe系合金材料的情況下，作為中間層33優(yōu)選使用 Mg。、C、Mo 等。記錄磁性層34，可以為面內(nèi)磁記錄介質(zhì)用的水平磁性層，也可以為垂直磁記錄介質(zhì)用的垂直磁性層，但為了實(shí)現(xiàn)更高的記錄密度，優(yōu)選為垂直磁性層。在為形成于記錄磁性層34的圓周狀的磁記錄圖案34a被非磁性層37磁分離而成的所謂的分離磁道型的磁記錄介質(zhì)的情況下，優(yōu)選記錄磁性層34主要由以Co為主成分的合金形成。例如，可以很合適地使用CoCrPt系、CoCrPtB系、CoCrPtTa系的磁性層、向這些物質(zhì)中加入了 Si02、Cr2O3等氧化物的粒狀結(jié)構(gòu)的磁性層。在垂直磁記錄方式的分離磁道型的磁記錄介質(zhì)的情況下，例如可以利用下述的磁性層，所述磁性層中層疊有:由軟磁性的FeCo合金(FeCoB、FeCoSiB, FeCoZr, FeCoZrB,FeCoZrBCu 等)、FeTa 合金(FeTaN、FeTaC 等)、Co 合金(CoTaZr、CoZrNB、CoB 等)等構(gòu)成的軟磁性層32 ;由Ru等構(gòu)成的中間層33 ;和由60Co-15Cr-15Pt合金和/或70Co-5Cr-15Pt_10Si02合金構(gòu)成記錄磁性層34。另外，也可以在軟磁性層32和中間層33之間層疊由Pt、Pd、NiCr、NiFeCr等構(gòu)成的取向控制膜。另一方面，在面內(nèi)磁記錄介質(zhì)的情況下，作為記錄磁性層34，可以利用層疊了非磁性的CrMo基底層和鐵磁性的CoCrPtTa磁性層的記錄磁性層。記錄磁性層34的厚度，設(shè)為3nm 20nm,優(yōu)選設(shè)為5nm 15nm。另外，記錄磁性層34只要相應(yīng)于使用的磁性合金的種類(lèi)和疊層結(jié)構(gòu)來(lái)形成使得可得到充分的磁頭輸入輸出即可。另外，記錄磁性層34，為了在再生時(shí)得到一定以上的輸出，需要某種程度以上的膜厚，另一方面，表示記錄再生特性的各種參數(shù)，隨著輸出的上升而劣化是通例，因此需要設(shè)定為最佳的膜厚。記錄磁性層34通常采用濺射法作為薄膜形成。作為粒狀結(jié)構(gòu)的記錄磁性層34，優(yōu)選為:至少作為磁性粒子含有Co和Cr，并在磁性粒子的晶粒邊界部含有選自Si氧化物、Cr氧化物、Ti氧化物、W氧化物、Co氧化物、Ta氧化物、Ru氧化物之中的至少一種或兩種以上的磁性層。具體地講,可以列舉例如CoCrPt-Si氧化物、CoCrPt-Cr氧化物、CoCrPt-W氧化物、CoCrPt-Co氧化物、CoCrPt-Cr氧化物-W氧化物、CoCrPt-Cr氧化物-Ru氧化物、CoRuPt-Cr氧化物-Si氧化物、CoCrPtRu-Cr氧化物-Si氧化物等。

具有粒狀結(jié)構(gòu)的磁性晶粒的平均粒徑，優(yōu)選為5nm 8nm。另外，在磁性層中存在的氧化物的總量?jī)?yōu)選為3 15摩爾％。在為形成于記錄磁性層34上的圓點(diǎn)(dot)狀的磁記錄圖案34a被非磁性層37磁分離而成的、所謂的比特圖案型的磁記錄介質(zhì)的情況下，在獲得充分的耐熱擺性方面優(yōu)選:作為記錄磁性層34，使用例如CoPt、FePt, CoPd等的高Ku磁性材料。例如，作為CoPt系合金，可以很合適地使用80Co-20Pt、75Co_25Pt、作為FePt系，可以很合適地使用 50Fe-50Pt、45Fe-45Pt-10Cu 和 45Fe-45Pt_10C 等。這些高Ku磁性材料，可以采用濺射法進(jìn)行成膜，也可以采用依次堆積各構(gòu)成元素的疊層法來(lái)形成。例如，在CoPd系的磁性材料的情況下,優(yōu)選將Co和Pd交替地堆積的疊層法。將Ku磁性材料成膜后，進(jìn)行通過(guò)熱處理(退火)提高結(jié)晶性的處理也是有效的，例如，優(yōu)選在真空氣氛下，以300°C以上、15分鐘 4小時(shí)的條件進(jìn)行退火。另外，退火溫度，按各材料設(shè)定適當(dāng)?shù)臏囟燃纯桑?，?yōu)選=CoPt合金設(shè)為400°C、FePt系合金設(shè)為500°C。另外，比特圖案型的磁記錄介質(zhì)30，為了提高其記錄密度，優(yōu)選將記錄磁性層34之中的磁記錄圖案34a的圓點(diǎn)直徑Φ設(shè)定為5nm 15nm。另外,優(yōu)選將圓點(diǎn)間的間距P設(shè)定為3nm 25nm,為了提高記錄密度,優(yōu)選盡可能窄。另一方面，如果間距P過(guò)窄，則磁分離變得不充分，圓點(diǎn)間的作用變大，記錄的磁性數(shù)據(jù)的維持變難。保護(hù)層35，只要使用在磁記錄介質(zhì)中通常所使用的材料即可，作為這樣的材料，可以列舉例如碳(C)、氫化碳(HxC)、氮化碳(CN)、無(wú)定形碳、碳化娃(SiC)等的碳質(zhì)材料、SiO2、Zr203、TiN等。另外，保護(hù)層35也可以是層疊了 2層以上的保護(hù)層。保護(hù)層35的厚度，如果超過(guò)10nm，則磁頭和記錄磁性層34的距離變大，變得得不到充分的輸入輸出特性，因此優(yōu)選設(shè)為低于10nm。潤(rùn)滑膜36，可以通過(guò)在保護(hù)層35上涂布例如氟系潤(rùn)滑劑、烴系潤(rùn)滑劑、或由它們的混合物等構(gòu)成的潤(rùn)滑劑來(lái)形成。另外，潤(rùn)滑膜36的膜厚通常為I 4nm左右。如以上那樣的具有由磁分離了的區(qū)域構(gòu)成的磁性層的磁記錄介質(zhì)(圖案化介質(zhì))30，通過(guò)采用應(yīng)用了上述的本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法，能夠?qū)⒅圃旃ば蚝?jiǎn)化，并以高的生產(chǎn)率制造。(磁記錄再生裝置)接著，對(duì)于應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄再生裝置(HDD)進(jìn)行說(shuō)明。應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄再生裝置，例如，如圖3所示，具備:上述的磁記錄介質(zhì)30 ；將上述的磁記錄介質(zhì)30旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部51 ;針對(duì)上述的磁記錄介質(zhì)30進(jìn)行記錄動(dòng)作和再生動(dòng)作的磁頭52 ;使磁頭52在上述的磁記錄介質(zhì)30的徑向上移動(dòng)的磁頭驅(qū)動(dòng)部53 ;和用于進(jìn)行向磁頭52輸入信號(hào)和從磁頭52再生輸出信號(hào)的記錄再生信號(hào)處理系統(tǒng)54。在該磁記錄再生裝置中，通過(guò)使用上述的磁記錄介質(zhì)30,可消除對(duì)該磁記錄介質(zhì)30進(jìn)行磁記錄時(shí)的洇寫(xiě)，能夠得到高的面記錄密度。即，通過(guò)使用上述的磁記錄介質(zhì)30，能夠構(gòu)成記錄密度高的磁記錄再生裝置。另外，上述的磁記錄介質(zhì)30，加工了記錄磁道使得在徑向上變得磁不連續(xù)。 由此，對(duì)于以往為了排除磁道邊緣部的磁化遷移區(qū)域的影響而使再生磁頭寬度比記錄磁頭寬度窄地對(duì)應(yīng)的情況，可使這兩者成為大致相同的寬度來(lái)動(dòng)作。因此，能夠得到充分的再生輸出和高的SNR。進(jìn)而，通過(guò)利用GMR磁頭或TMR磁頭構(gòu)成磁頭52的再生部，即使在高記錄密度下也可以得到充分的信號(hào)強(qiáng)度，能夠?qū)崿F(xiàn)具有高記錄密度的磁記錄再生裝置。另外，如果將該磁頭52的浮起量設(shè)定在0.005 μ m 0.020 μ m的范圍內(nèi)，以低于以往的高度浮起，則輸出提高，可獲得高的裝置SNR，并且，能夠提供大容量且可靠性高的磁記錄再生裝置。此外，如果組合采用最大似然譯碼法的信號(hào)處理電路，則能夠進(jìn)一步提高記錄密度，例如，即使在以磁道密度400k道/英寸以上、線記錄密度1500k比特/英寸以上、每一平方英寸600G比特以上的記錄密度進(jìn)行記錄和再生的情況下，也能夠得到充分的SNR。實(shí)施例以下，通過(guò)實(shí)施例更加明確本發(fā)明的效果。再者，本發(fā)明不限定于以下的實(shí)施例，可以在不變更其要旨的范圍適當(dāng)變更來(lái)實(shí)施。(實(shí)施例1)在實(shí)施例1中，首先，將洗滌過(guò)的玻璃基板(- 二力$ ^ >夕公司制，外徑2.5英寸)收納到DC磁控濺射裝置(7木A K公司制C-3040)的成膜室內(nèi)，將成膜室內(nèi)減壓排氣到到達(dá)真空度變?yōu)镮 X 10_5Pa后，使用Cr靶在該玻璃基板上形成層厚為IOnm的密著層。在此使用的玻璃基板，外徑為65mm、內(nèi)徑為20mm、平均表面粗糙度(Ra)為0.2nm。接著，采用DC濺射法，按順序?qū)盈B了作為軟磁性層的層厚為60nm的FeCoB膜、作為中間層的層厚為IOnm的Ru膜、作為記錄磁性層的層厚為IOnm的80Co_20Pt合金膜。
接著，在其上，采用濺射法按順序形成20nm的碳膜和5nm的硅膜來(lái)作為掩模層。接著，在其上，采用旋涂法涂布抗蝕劑材料，形成了層厚為40nm的抗蝕劑層。再者，抗蝕劑材料使用環(huán)氧系紫外線固化樹(shù)脂。然后，使用具有磁記錄圖案的正圖案的玻璃制的印模，在以IMPa(約lOkgf/cm2)的壓力將該印模按壓于抗蝕劑層上的狀態(tài)下，從紫外線的透射率為95%以上的玻璃制的印模的上部照射10秒鐘的波長(zhǎng)為365nm的紫外線，使抗蝕劑層固化。其后，從抗蝕劑層分離印模，在抗蝕劑層上轉(zhuǎn)印了與磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的凹凸圖案。再者，轉(zhuǎn)印到抗蝕劑層上的凹凸圖案，與每平方英寸2太比特(Tbpsi)的磁記錄圖案對(duì)應(yīng)，數(shù)據(jù)區(qū)域的凸部為直徑IOnm的圓筒(圓點(diǎn))狀，在圓周方向上相鄰的凸的間隔為17.96nm，通過(guò)沿著圓周的等間隔配置，形成了磁道。另外，中途以橫穿磁道的方式設(shè)置了256條的伺服區(qū)域?？刮g劑層的層厚，在凸部分為55nm，在凹部分約為10nm。接著，通過(guò)干蝕刻將抗蝕劑層的凹部的地方以及其下的硅膜除去。此時(shí)的干蝕刻的條件是，將CF4氣設(shè)為40SCCm，壓力設(shè)為0.3Pa，高頻等離子體電力設(shè)為300W，RF偏置功率設(shè)為10W，蝕刻時(shí)間設(shè)為15秒。其后，通過(guò)形成于硅膜上的開(kāi)口部，采用干蝕刻除去碳膜。干蝕刻的條件是，將O2氣設(shè)為40SCCm，壓力設(shè)為0.5Pa，高頻等離子體電力設(shè)為200W，RF偏置功率設(shè)為50W，蝕刻時(shí)間設(shè)為40秒。接著，對(duì)記錄磁性層的沒(méi)有被掩模層覆蓋的地方利用離子束進(jìn)行加工。離子束加工條件，將Ar氣設(shè)為5SCCm，壓力設(shè)為0.05Pa，高頻等離子電力設(shè)為200W，加速電壓設(shè)為1000V，引出電壓設(shè)為-500V，加工時(shí)間設(shè)為30秒。 接著，進(jìn)行掩模層的除去。加工條件是，作為剝離氣體使用氣化了的甲醇，將流量設(shè)為40SCCm，壓力設(shè)為0.5Pa，高頻等離子體電力設(shè)為600W、直流偏電壓設(shè)為50V、蝕刻時(shí)間設(shè)為30秒，結(jié)果凸部的磁性層表面表露出，碳膜和硅膜以及抗蝕劑膜被除去。接著,在加工后的表面,形成50nm的50Al_50Ti膜作為非磁性層,其后,通過(guò)采用離子束的平坦化加工，使凸部的記錄磁性層表露出。離子束加工條件，將氬氣設(shè)為30SCCm，壓力設(shè)為2.0Pa,高頻等離子體電力設(shè)為300W，加速電壓設(shè)為300V，引出電壓設(shè)為-300V。通過(guò)SIMS，監(jiān)測(cè)Co的峰，由此進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)，在凸部記錄磁性層表露出的地方停止。時(shí)間需要120秒。此時(shí)的平均表面粗糙度(Ra)，另行使用原子力顯微鏡(AFM)進(jìn)行了測(cè)定，為0.25nm(I μ m見(jiàn)方的視場(chǎng))。接著,采用CVD法,形成厚度為4nm的DLC膜,涂布2nm的潤(rùn)滑劑,制作了磁記錄介質(zhì)。測(cè)定了采用以上方法制造的磁記錄介質(zhì)的電磁轉(zhuǎn)換特性。電磁轉(zhuǎn)換特性的評(píng)價(jià)，使用旋轉(zhuǎn)臺(tái)(spinstand)實(shí)施。此時(shí)，作為評(píng)價(jià)用的磁頭，記錄用磁頭使用垂直記錄磁頭，讀取用磁頭使用TuMR磁頭。介質(zhì)，預(yù)先使用在基板的上下具有磁鐵的專(zhuān)用的擦除裝置，在與基板垂直的方向上施加磁場(chǎng)，進(jìn)行DC擦除。使該介質(zhì)以每分鐘7200轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)，確認(rèn)了使用上述的磁頭能夠正確地定位。其后，讀取數(shù)據(jù)區(qū)域的信號(hào)，使用示波器進(jìn)行了傅立葉變換，在半徑20mm下在839.2MHz得到了峰?？芍@是相當(dāng)于圓點(diǎn)間隔17.96nm的頻率，圖案正確地形成2Tbpsi的樣式。相應(yīng)于該頻率，測(cè)定了記錄了信號(hào)時(shí)的BER。其結(jié)果，BER為10的-7.9次方。此外，制成的磁記錄介質(zhì)的平均表面粗糙度(Ra)，另行使用原子力顯微鏡(AFM)進(jìn)行了測(cè)定，為0.25nm (1 μ m見(jiàn)方的視場(chǎng))。以下，歸納了評(píng)價(jià)結(jié)果示于表I。另外，在除去掩模層的前后，進(jìn)行靜磁特性(矯頑力)的確認(rèn)。對(duì)于靜磁特性的評(píng)價(jià)，使用了利用Kerr效應(yīng)的裝置。其結(jié)果，如表I所示，在除去掩模層的前后，看不到靜磁特性的變化。再者，對(duì)于除去掩模 層之前的靜磁特性，在通過(guò)計(jì)算除去了由掩模層所致的磁化的影響后算出記錄磁性層的磁特性。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括: 在非磁性基板上形成磁性層的工序； 在所述磁性層上形成掩模層的工序； 在所述掩模層上形成被圖案化為規(guī)定的形狀的抗蝕劑層的工序； 使用所述抗蝕劑層，將所述掩模層圖案化為與所述抗蝕劑層對(duì)應(yīng)的形狀的工序；使用所述圖案化了的掩模層，將所述磁性層圖案化為與所述掩模層對(duì)應(yīng)的形狀的工序；和 通過(guò)反應(yīng)性等離子體蝕刻除去殘存于所述磁性層上的掩模層的工序， 在含有有機(jī)化合物的氣氛中進(jìn)行所述反應(yīng)性等離子體蝕刻，所述有機(jī)化合物具有選自羥基、羰基、羥基羰基、烷氧基、醚基之中的至少一種或多種官能團(tuán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述掩模層由碳膜構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述掩模層由選自N1、Fe、Co、Cr之中的至少一種的金屬膜、或者含有選自所述N1、Fe、Co、Cr之中的多種金屬的合金膜構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述掩模層由樹(shù)脂膜構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述掩模層由疊層膜構(gòu)成，所述疊層膜是依 次層疊了第I層和第2層的疊層膜，所述第I層由碳膜、金屬膜或合金膜、和樹(shù)脂膜之中的任一種膜構(gòu)成，所述第2層由蝕刻速率比所述第I層低的材料構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述第2層由選自S1、八1、0、(:11、]\10、1、？1411、了&、附、？6、(:0之中的至少一種的金屬膜、或者含有所述5丨、41、0、Cu、Mo、W、Pt、Au、Ta、N1、Fe、Co之中的多種的合金膜構(gòu)成。
7.—種磁記錄再生裝置，其特征在于，具備: 采用權(quán)利要求1所述的方法制造的磁記錄介質(zhì)； 將所述磁記錄介質(zhì)沿記錄方向驅(qū)動(dòng)的介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部； 針對(duì)所述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄動(dòng)作和再生動(dòng)作的磁頭； 使所述磁頭相對(duì)于所述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)的磁頭移動(dòng)單元；和 用于進(jìn)行向所述磁頭輸入信號(hào)和從所述磁頭再生輸出信號(hào)的記錄再生信號(hào)處理單元。
全文摘要
一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其包括在非磁性基板(1)上形成磁性層(2)的工序；在磁性層(2)上形成掩模層(3)的工序；在掩模層(3)上形成被圖案化為規(guī)定的形狀的抗蝕劑層(4)的工序；使用抗蝕劑層(4)，將掩模層(3)圖案化為與該抗蝕劑層(4)對(duì)應(yīng)的形狀的工序；使用被圖案化了的掩模層(3)，將磁性層(2)圖案化為與該掩模層(3)對(duì)應(yīng)的形狀的工序；和通過(guò)反應(yīng)性等離子體蝕刻除去殘存于磁性層(2)上的掩模層(3)的工序，反應(yīng)性等離子體蝕刻在含有有機(jī)化合物的氣氛中進(jìn)行，所述有機(jī)化合物具有選自羥基、羰基、羥基羰基、烷氧基、醚基之中的至少一種或多種官能團(tuán)。
文檔編號(hào)G11B5/667GK103219014SQ20131002484
公開(kāi)日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月20日
發(fā)明者樋渡誠(chéng), 山根明, 茂智雄, 坂脅彰 申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社