存儲器修復方法、存儲器控制器與存儲器儲存裝置制造方法【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于可復寫式非易失性存儲器模組的存儲器修復方法、存儲器控制器與存儲器儲存裝置。此存儲器修復方法包括監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中一部分的磨損程度；以及當可復寫式非易失性存儲器模組的此其中一部分的磨損程度大于門檻值時，加熱此可復寫式非易失性存儲器模組的此至少其中一部分，其中此可復寫式非易失性存儲器模組的此至少其中一部分的溫度會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間。基此，劣化的可復寫式非易失性存儲器模組可被適時的修復以避免數(shù)據(jù)遺失?！緦＠f明】存儲器修復方法、存儲器控制器與存儲器儲存裝置【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲器修復方法、存儲器控制器與存儲器儲存裝置?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]數(shù)碼相機、手機與MP3在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對儲存媒介的需求也急速增加。由于可復寫式非易失性存儲器(rewritablenon-volatilememory)具有數(shù)據(jù)非易失性、省電、體積小、無機械結(jié)構(gòu)、讀寫速度快等特性，最適于便攜式電子產(chǎn)品，例如筆記本電腦。固態(tài)硬盤就是一種以快閃存儲器作為儲存媒介的儲存裝置。因此，近年快閃存儲器產(chǎn)業(yè)成為電子產(chǎn)業(yè)中相當熱門的一環(huán)。[0003]圖1是現(xiàn)有技術(shù)示出的快閃存儲器元件的示意圖。[0004]請參照圖1,快閃存儲器元件I包含用于儲存電子的電荷捕捉層(chargetrapinglayer)2、用于施加偏壓的控制柵極(ControlGate)3、穿遂氧化層(Tunnel0xide)4與多晶娃間介電層(InterpolyDielectric)5。當欲寫入數(shù)據(jù)至快閃存儲器元件I時,可通過將電子注入電荷捕捉層2以改變快閃存儲器元件I的臨界電壓，由此定義快閃存儲器元件I的數(shù)位高低態(tài)，而實現(xiàn)儲存數(shù)據(jù)的功能。在此，注入電子至電荷捕捉層2的過程稱為程序化。反之，當欲將所儲存的數(shù)據(jù)移除時，通過將所注入的電子從電荷捕捉層2中移除，則可使快閃存儲器元件I恢復為未被程序化前的狀態(tài)。[0005]在寫入與擦除過程中，快閃存儲器元件I會隨著電子的多次的注入與移除而造成磨損，導致電子寫入速度增加并造成臨界電壓分布變寬。因此，在快閃存儲器元件I被程序化后無法被正確地識別其儲存狀態(tài)，而產(chǎn)生錯誤比特。【
發(fā)明內(nèi)容】[0006]本發(fā)明提供一種存儲器修復方法、存儲器控制器與存儲器儲存裝置，能夠?qū)⒘踊拇鎯Π迯?，以恢復存儲器的儲存能力。[0007]本發(fā)明范例實施例的存儲器修復方法用于一可復寫式非易失性存儲器模組。此快閃存儲器修復方法包括監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中一部分的磨損程度；以及當可復寫式非易失性存儲器模組的此其中一部分的磨損程度大于門檻值時，加熱此可復寫式非易失性存儲器模組的此至少其中一部分。[0008]在本發(fā)明的一實施例中，可復寫式非易失性存儲器模組的此至少其中一部分的溫度會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間。[0009]在本發(fā)明的一實施例中，上述的可復寫式非易失性存儲器模組包括第一可復寫式非易失性存儲器子模組與第二可復寫式非易失性存儲器子模組，第一可復寫式非易失性存儲器子模組是由第一可復寫式非易失性存儲器芯片與第一加熱器封裝而成，并且第二可復寫式非易失性存儲器子模組是由第二可復寫式非易失性存儲器芯片與第二加熱器封裝而成。其中監(jiān)控可復寫式非易失性存儲器模組的磨損程度的步驟包括記錄第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值。其中當可復寫式非易失性存儲器模組的該磨損程度大于門檻值時，加熱可復寫式非易失性存儲器模組的步驟包括:判斷第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值是否大于門檻值；倘若第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值大于門檻值時，將儲存在第一可復寫式非易失性存儲器芯片上的數(shù)據(jù)復制到第二可復寫式非易失性存儲器芯片中并且通過第一加熱器加熱第一可復寫式非易失性存儲器芯片，其中第一可復寫式非易失性存儲器芯片會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間；以及將復制到第二可復寫式非易失性存儲器芯片的數(shù)據(jù)回存至第一可復寫式非易失性存儲器芯片中。[0010]在本發(fā)明的一實施例中，上述的可復寫式非易失性存儲器模組包括第一可復寫式非易失性存儲器子模組，并且第一可復寫式非易失性存儲器子模組是由第一可復寫式非易失性存儲器芯片與第一加熱器封裝而成。其中監(jiān)控可復寫式非易失性存儲器模組的磨損程度的步驟包括記錄第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值。其中當可復寫式非易失性存儲器模組的磨損程度大于門檻值時，加熱可復寫式非易失性存儲器模組的步驟包括:判斷第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值是否大于門檻值；倘若第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值大于門檻值時，將儲存在第一可復寫式非易失性存儲器芯片上的數(shù)據(jù)復制到緩沖存儲器中并且通過第一加熱器加熱第一可復寫式非易失性存儲器芯片，其中第一可復寫式非易失性存儲器芯片會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間；以及將復制到緩沖存儲器的該數(shù)據(jù)回存至第一可復寫式非易失性存儲器芯片中。[0011]在本發(fā)明的一實施例中，上述的可復寫式非易失性存儲器模組包括多個實體擦除單元并且每一實體擦除單元配置有一加熱電路。其中監(jiān)控可復寫式非易失性存儲器模組的磨損程度的步驟包括記錄每一實體擦除單元的磨損程度值。其中當可復寫式非易失性存儲器模組的磨損程度值大于門檻值時，加熱可復寫式非易失性存儲器模組的步驟包括:判斷此些實體擦除單元之中的一第一實體擦除單元的磨損程度值是否大于門檻值；倘若第一實體擦除單元的磨損程度值大于門檻值時，將儲存在第一實體擦除單元上的數(shù)據(jù)復制到此些實體擦除單元之中的第二實體擦除單元中并且通過對應第一實體擦除單元的加熱電路加熱第一實體擦除單元，其中第一實體擦除單元會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間；以及將復制到第二實體擦除單元的數(shù)據(jù)回存至第一實體擦除單元中。[0012]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值是根據(jù)第一可復寫式非易失性存儲器芯片的擦除次數(shù)、寫入次數(shù)、錯誤比特數(shù)、錯誤比特比例及讀取次數(shù)的至少其中之一來計算。[0013]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一實體擦除單元的磨損程度值是根據(jù)第一實體擦除單元的擦除次數(shù)、寫入次數(shù)、錯誤比特數(shù)、錯誤比特比例及讀取次數(shù)的至少其中之一來計算。[0014]在本發(fā)明的一實施例中，上述可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中一部分為一存儲器晶粒(die)或一存儲器區(qū)塊面(plane)。[0015]本發(fā)明范例實施例的存儲器控制器用于控制可復寫式非易失性存儲器模組并且包括主機接口、存儲器接口、緩沖存儲器與存儲器管理電路。主機接口用以電性連接至主機系統(tǒng)，存儲器接口用以電性連接至可復寫式非易失性存儲器模組，并且存儲器管理電路電性連接至主機接口、存儲器接口與緩沖存儲器。存儲器管理電路用以監(jiān)控可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中一部分的磨損程度。當該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中一部分的磨損程度大于門檻值時，存儲器管理電路指示加熱可復寫式非易失性存儲器模組的此至少其中一部分。[0016]在本發(fā)明的一實施例中，上述的可復寫式非易失性存儲器模組包括第一可復寫式非易失性存儲器子模組與第二可復寫式非易失性存儲器子模組，第一可復寫式非易失性存儲器子模組是由第一可復寫式非易失性存儲器芯片與第一加熱器封裝而成，并且第二可復寫式非易失性存儲器子模組是由第二可復寫式非易失性存儲器芯片與第二加熱器封裝而成。在上述監(jiān)控此可復寫式非易失性存儲器模組的至少一部分的磨損程度的運作中，存儲器管理電路記錄第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值。在上述當可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中之一的磨損程度大于門檻值時，加熱可復寫式非易失性存儲器模組的此至少其中之一的運作中，存儲器管理電路會判斷第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值是否大于該門檻值。倘若第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值大于門檻值時，存儲器管理電路會將儲存在第一可復寫式非易失性存儲器芯片上的數(shù)據(jù)復制到第二可復寫式非易失性存儲器芯片中，通過第一加熱器加熱第一可復寫式非易失性存儲器芯片，并且將復制到第二可復寫式非易失性存儲器芯片的數(shù)據(jù)回存至第一可復寫式非易失性存儲器芯片中，第一可復寫式非易失性存儲器芯片會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間。[0017]在本發(fā)明的一實施例中，上述的可復寫式非易失性存儲器模組包括第一可復寫式非易失性存儲器子模組，并且第一可復寫式非易失性存儲器子模組是由第一可復寫式非易失性存儲器芯片與第一加熱器封裝而成。在上述監(jiān)控可復寫式非易失性存儲器模組的至少一部分的磨損程度的運作中，存儲器管理電路記錄第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值。在上述當可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中之一的磨損程度大于門檻值時，加熱可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中之一的運作中，存儲器管理電路會判斷第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值是否大于門檻值，其中倘若第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值大于該門檻值時，存儲器管理電路會將儲存在第一可復寫式非易失性存儲器芯片上的數(shù)據(jù)復制到緩沖存儲器中，通過第一加熱器加熱第一可復寫式非易失性存儲器芯片，并且將復制到緩沖存儲器的該數(shù)據(jù)回存至第一可復寫式非易失性存儲器芯片中，其中第一可復寫式非易失性存儲器芯片會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間。[0018]在本發(fā)明的一實施例中，上述的可復寫式非易失性存儲器模組包括多個實體擦除單元并且每一實體擦除單元配置有一加熱電路。在監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的磨損程度的運作中，存儲器管理電路會記錄每一實體擦除單元的磨損程度值。在上述當可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中之一的磨損程度大于門檻值時，加熱可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中之一的運作中，存儲器管理電路會判斷此些實體擦除單元之中的第一實體擦除單元的磨損程度值是否大于門檻值，其中倘若第一實體擦除單元的磨損程度值大于此門檻值時，存儲器管理電路會將儲存在第一實體擦除單元上的數(shù)據(jù)復制到此些實體擦除單元之中的第二實體擦除單元中，通過對應此第一實體擦除單元的加熱電路加熱第一實體擦除單元，并且將復制到第二實體擦除單元的數(shù)據(jù)回存至第一實體擦除單元中，其中第一實體擦除單元會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間。[0019]本發(fā)明范例實施例的存儲器儲存裝置包括連接器、可復寫式非易失性存儲器模組與存儲器控制器。連接器用以電性連接至主機系統(tǒng)。存儲器控制器具有緩沖存儲器且電性連接至連接器與可復寫式非易失性存儲器模組。此外，存儲器控制器用以監(jiān)控可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中一部分的磨損程度。當可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中一部分的磨損程度大于門檻值時，存儲器控制器指示加熱此可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中一部分。[0020]在本發(fā)明的一實施例中，上述的可復寫式非易失性存儲器模組包括第一可復寫式非易失性存儲器子模組與第二可復寫式非易失性存儲器子模組，第一可復寫式非易失性存儲器子模組是由第一可復寫式非易失性存儲器芯片與第一加熱器封裝而成，并且第二可復寫式非易失性存儲器子模組是由第二可復寫式非易失性存儲器芯片與第二加熱器封裝而成。在上述監(jiān)控此可復寫式非易失性存儲器模組的至少一部分的磨損程度的運作中，存儲器管理電路記錄第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值。在上述當可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中之一的磨損程度大于門檻值時，加熱可復寫式非易失性存儲器模組的此至少其中之一的運作中，存儲器控制器會判斷第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值是否大于該門檻值。倘若第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值大于門檻值時，存儲器控制器會將儲存在第一可復寫式非易失性存儲器芯片上的數(shù)據(jù)復制到第二可復寫式非易失性存儲器芯片中，通過第一加熱器加熱第一可復寫式非易失性存儲器芯片，并且將復制到第二可復寫式非易失性存儲器芯片的數(shù)據(jù)回存至第一可復寫式非易失性存儲器芯片中，第一可復寫式非易失性存儲器芯片會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間。[0021]在本發(fā)明的一實施例中，上述的可復寫式非易失性存儲器模組包括第一可復寫式非易失性存儲器子模組，并且第一可復寫式非易失性存儲器子模組是由第一可復寫式非易失性存儲器芯片與第一加熱器封裝而成。在上述監(jiān)控可復寫式非易失性存儲器模組的至少一部分的磨損程度的運作中，存儲器控制器記錄第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值。在上述當可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中之一的磨損程度大于門檻值時，加熱可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中之一的運作中，存儲器控制器會判斷第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值是否大于門檻值，其中倘若第一可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度值大于該門檻值時，存儲器控制器會將儲存在第一可復寫式非易失性存儲器芯片上的數(shù)據(jù)復制到緩沖存儲器中，通過第一加熱器加熱第一可復寫式非易失性存儲器芯片，并且將復制到緩沖存儲器的該數(shù)據(jù)回存至第一可復寫式非易失性存儲器芯片中，其中第一可復寫式非易失性存儲器芯片會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間。[0022]在本發(fā)明的一實施例中，上述的可復寫式非易失性存儲器模組包括多個實體擦除單元并且每一實體擦除單元配置有一加熱電路。在監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的磨損程度的運作中，存儲器控制器會記錄每一實體擦除單元的磨損程度值。在上述當可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中之一的磨損程度大于門檻值時，加熱可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中之一的運作中，存儲器控制器會判斷此些實體擦除單元之中的第一實體擦除單元的磨損程度值是否大于門檻值，其中倘若第一實體擦除單元的磨損程度值大于此門檻值時，存儲器控制器會將儲存在第一實體擦除單元上的數(shù)據(jù)復制到此些實體擦除單元之中的第二實體擦除單元中，通過對應此第一實體擦除單元的加熱電路加熱第一實體擦除單元，并且將復制到第二實體擦除單元的數(shù)據(jù)回存至第一實體擦除單元中，其中第一實體擦除單元會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間。[0023]基于上述，本范例實施的存儲器修復方法、存儲器控制器與存儲器儲存裝置能夠適時的將劣化的可復寫式非易失性存儲器模組修復，以恢復存儲胞的數(shù)據(jù)保存能力，由此可靠地儲存數(shù)據(jù)。[0024]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下?！緦＠綀D】【附圖說明】[0025]圖1是現(xiàn)有技術(shù)示出的快閃存儲器元件的示意圖；[0026]圖2是本發(fā)明范例實施例示出的存儲器修復方法的流程圖；[0027]圖3是第一范例實施例示出的主機系統(tǒng)與存儲器儲存裝置；[0028]圖4是一范例實施例示出的電腦、輸入/輸出裝置與存儲器儲存裝置的示意圖；[0029]圖5是一范例實施例示出的主機系統(tǒng)與存儲器儲存裝置的示意圖；[0030]圖6是第一范例實施例示出的存儲器儲存裝置的概要方塊圖；[0031]圖7A?7B是本發(fā)明第一范例實施例示出的封裝可復寫式非易失性存儲器芯片與加熱器的不意圖；[0032]圖7C?7D是本發(fā)明另一范例實施例示出的封裝可復寫式非易失性存儲器芯片與加熱器的不意圖；[0033]圖8是第一范例實施例示出的存儲器控制器的概要方塊圖；[0034]圖9是本發(fā)明第一范例實施例示出的存儲器修復方法的流程圖；[0035]圖10是本發(fā)明第二范例實施例示出的存儲器儲存裝置的概要方塊圖；[0036]圖11是本發(fā)明第二范例實施例示出的實體擦除單元的結(jié)構(gòu)示意圖；[0037]圖12是本發(fā)明第一范例實施例示出的存儲器修復方法的流程圖；[0038]圖13是另一范例實施例示出的實體擦除單元的結(jié)構(gòu)示意圖。[0039]附圖標記說明:[0040]1:快閃存儲器元件；[0041]2:電荷捕捉層；[0042]3:控制柵極；[0043]4:穿遂氧化層；[0044]5:多晶娃間介電層；[0045]S1001、S1003、S1005:存儲器修復方法的步驟；[0046]1000:主機系統(tǒng)；[0047]1100:電腦；[0048]1102:微處理器；[0049]1104:隨機存取存儲器；[0050]1106:輸入/輸出裝置；[0051]1108:系統(tǒng)總線；[0052]1110:數(shù)據(jù)傳輸接口；[0053]1202:鼠標；[0054]1204:鍵盤；[0055]1206:顯示器；[0056]1208:打印機；[0057]1212:隨身盤；[0058]1214:存儲卡；[0059]1216:固態(tài)硬盤；[0060]1310:數(shù)碼相機；[0061]1312:SD卡;[0062]1314:MMC卡；[0063]1316:存儲棒；[0064]1318:CF卡；[0065]1320:嵌入式儲存裝置；[0066]100:存儲器儲存裝置；[0067]102:連接器；[0068]104:存儲器控制器；[0069]106:可復寫式非易失性存儲器模組；[0070]202:存儲器管理電路；[0071]206:存儲器接口；[0072]252:緩沖存儲器；[0073]254:電源管理電路；[0074]256:錯誤檢查與校正電路；[0075]900:存儲器儲存裝置；[0076]906:可復寫式非易失性存儲器模組；[0077]S901、S903、S905、S907、S909:存儲器修復方法的步驟；[0078]S1201、S1203、S1205、S1207、S1209:存儲器修復方法的步驟。【具體實施方式】[0079]在寫入與擦除運作過程中，可復寫式非易失性存儲器模組的部分結(jié)構(gòu)(例如，穿遂氧化層)可能會因為隨著電子的多次的注入與移除而造成磨損，導致電子寫入速度增加并造成臨界電壓分布變寬。為了恢復可復寫式非易失性存儲器模組的儲存可靠度，如圖2是本發(fā)明范例實施例示出的存儲器修復方法的流程圖，在一范例實施例中，可復寫式非易失性存儲器模組的至少一部分的磨損程度會被監(jiān)控(步驟S1001)，并且被判斷是否超過一門檻值(步驟S1003)。倘若可復寫式非易失性存儲器模組的此至少一部分的磨損程度被判斷超過此門檻值時，加熱可復寫式非易失性存儲器模組的此至少一部分(S1005)，以使得可復寫式非易失性存儲器模組的此至少一部分的溫度提升至介于攝氏100度至攝氏600度之間。以下將以數(shù)個范例實施例并配合附圖來詳細描述本發(fā)明。[0080]第一范例實施例[0081]一般而言,存儲器儲存裝置(也稱,存儲器儲存系統(tǒng))包括可復寫式非易失性存儲器模組與控制器(也稱，控制電路)。通常存儲器儲存裝置是與主機系統(tǒng)一起使用，以使主機系統(tǒng)可將數(shù)據(jù)寫入至存儲器儲存裝置或從存儲器儲存裝置中讀取數(shù)據(jù)。[0082]圖3是第一范例實施例示出的主機系統(tǒng)與存儲器儲存裝置。[0083]請參照圖3，主機系統(tǒng)1000—般包括電腦1100與輸入/輸出(input/output、I/O)裝置1106。電腦1100包括微處理器1102、隨機存取存儲器(randomaccessmemory,RAM)1104、系統(tǒng)總線1108與數(shù)據(jù)傳輸接口1110。輸入/輸出裝置1106包括如圖4的鼠標1202、鍵盤1204、顯示器1206與打印機1208。必須了解的是，圖4所示的裝置非限制輸入/輸出裝置1106，輸入/輸出裝置1106可更包括其他裝置。[0084]在本發(fā)明實施例中，存儲器儲存裝置100是通過數(shù)據(jù)傳輸接口1110與主機系統(tǒng)1000的其他元件電性連接。通過微處理器1102、隨機存取存儲器1104與輸入/輸出裝置1106的運作可將數(shù)據(jù)寫入至存儲器儲存裝置100或從存儲器儲存裝置100中讀取數(shù)據(jù)。例如，存儲器儲存裝置100可以是如圖4所示的隨身盤1212、存儲卡1214或固態(tài)硬盤(SolidStateDrive,SSD)1216等的可復寫式非易失性存儲器儲存裝置。[0085]一般而言，主機系統(tǒng)1000為可實質(zhì)地與存儲器儲存裝置100配合以儲存數(shù)據(jù)的任意系統(tǒng)。雖然在本范例實施例中，主機系統(tǒng)1000是以電腦系統(tǒng)來說明，然而，在本發(fā)明另一范例實施例中主機系統(tǒng)1000可以是數(shù)碼相機、攝影機、通信裝置、音樂播放器或視頻播放器等系統(tǒng)。例如，在主機系統(tǒng)為數(shù)碼相機(攝影機)1310時，可復寫式非易失性存儲器儲存裝置則為其所使用的SD卡1312、MMC卡1314、存儲棒(memorystick)1316,CF卡1318或嵌入式儲存裝置1320(如圖5所示)。嵌入式儲存裝置1320包括嵌入式多媒體卡(EmbeddedMMC,eMMC)。值得一提的是，嵌入式多媒體卡是直接電性連接于主機系統(tǒng)的主板上。[0086]圖6是第一范例實施例示出的存儲器儲存裝置的概要方塊圖。[0087]請參照圖6，存儲器儲存裝置100包括連接器102、存儲器控制器104與可復寫式非易失性存儲器模組106。[0088]在本范例實施例中，連接器102是適用于通用串行總線(UniversalSerialBus,USB)標準。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此，連接器102也可以是符合并列先進附件(ParallelAdvancedTechnologyAttachment,PATA)標準、電氣和電子工程師協(xié)會(InstituteofElectricalandElectronicEngineers,IEEE)1394標準、高速周邊零件連接接口(PeripheralComponentInterconnectExpress,PCIExpress)標準、安全數(shù)位(SecureDigital,SD)接口標準、序列先進附件(SerialAdvancedTechnologyAttachment,SATA)標準、超高速一代(UltraHighSpeed-1,UHS_I)接口標準、超高速二代(UltraHighSpeed-1I,UHS-1I)接口標準、存儲棒(MemoryStick,MS)接口標準、多媒體儲存卡(MultiMediaCard,MMC)接口標準、嵌入式多媒體儲存卡(EmbeddedMultimediaCard,eMMC)接口標準、通用快閃存儲器(UniversalFlashStorage,UFS)接口標準、小型快閃(CompactFlash,CF)接口標準、整合式驅(qū)動電子接口(IntegratedDeviceElectronics,IDE)標準或其他適合的標準。[0089]存儲器控制器104用以執(zhí)行以硬體型式或韌體型式實作的多個邏輯閘或控制指令，并且根據(jù)主機系統(tǒng)1000的指令在可復寫式非易失性存儲器模組106中進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與擦除等運作。[0090]可復寫式非易失性存儲器模組106包括第一可復寫式非易失性存儲器子模組106a與第二可復寫式非易失性存儲器子模組106b。第一可復寫式非易失性存儲器子模組106a是由第一可復寫式非易失性存儲器芯片106-1與第一加熱器108-1封裝而成，并且第二可復寫式非易失性存儲器子模組106b是由第二可復寫式非易失性存儲器芯片106-2與第二加熱器108-2封裝而成。[0091]第一可復寫式非易失性存儲器芯片106-1與第二可復寫式非易失性存儲器芯片106-2是電性連接至存儲器控制器104，并且用以儲存主機系統(tǒng)1000所寫入的數(shù)據(jù)。例如，第一可復寫式非易失性存儲器芯片106-1與第二可復寫式非易失性存儲器芯片106-2可為單階存儲胞(SingleLevelCell，SLC)NAND型快閃、存儲器芯片(S卩，一個存儲胞中可儲存I個比特數(shù)據(jù)的快閃存儲器芯片)、多階存儲胞(MultiLevelCell,MLC)NAND型快閃、存儲器芯片(即，一個存儲胞中可儲存2個比特數(shù)據(jù)的快閃存儲器芯片模組)、復數(shù)階存儲胞(TrinaryLevelCell，TLC)NAND型快閃存儲器芯片(即，一個存儲胞中可儲存3個比特數(shù)據(jù)的快閃存儲器芯片)或者其他具有相同特性的存儲器芯片。[0092]第一加熱器108-1與第二加熱器108-2是電性連接至存儲器控制器104并且分別地用以加熱第一可復寫式非易失性存儲器芯片106-1與第二可復寫式非易失性存儲器芯片106-2。具體來說，第一加熱器108-1是被封裝在第一可復寫式非易失性存儲器芯片106-1的下方(如圖7A所示)并且第二加熱器108-2是被封裝在第二可復寫式非易失性存儲器芯片106-2的下方(如圖7B所示)。并且，第一加熱器108-1可將第一可復寫式非易失性存儲器芯片106-1的溫度加熱至介于攝氏100度與攝氏600度之間并且第二加熱器108-2可將第二可復寫式非易失性存儲器芯片106-2的溫度加熱至介于攝氏100度與攝氏600度之間。例如,第一加熱器108-1可將第一可復寫式非易失性存儲器芯片106-1的溫度加熱至攝氏300度并且第二加熱器108-2可將第二可復寫式非易失性存儲器芯片106-2的溫度加熱至攝氏300度。值得一提的是，盡管在本范例實施例中，加熱器是被封裝在可復寫式非易失性存儲器芯片的下方，但本發(fā)明不限于此。例如，在本發(fā)明另一范例實施例中，力口熱器是被封裝在可復寫式非易失性存儲器芯片的上方。此外，在本發(fā)明又一實施例中，可復寫式非易失性存儲器芯片的上方與下方也可同時配置有加熱器。再者，在本發(fā)明再一實施例中，可復寫式非易失性存儲器芯片的每一側(cè)皆可配置加熱器。[0093]此外，必須了解的是，盡管在本范例實施例中，加熱器會被配置以對整個可復寫式非易失性存儲器芯片為單位來進行加熱，但本發(fā)明不限于此。例如，在本發(fā)明另一范例實施例中，可復寫式非易失性存儲器芯片是多個存儲器晶粒或存儲器區(qū)塊面所組成，并且多個加熱器會對應于此些存儲器晶?；虼鎯ζ鲄^(qū)塊面來分別地被配置，以加熱對應的存儲器晶?；虼鎯ζ鲄^(qū)塊面。[0094]圖8是根據(jù)第一范例實施例所示出的存儲器控制器的概要方塊圖。必須了解的是，圖8所示的存儲器控制器的結(jié)構(gòu)僅為一范例，本發(fā)明不以此為限。[0095]請參照圖12，存儲器控制器104包括存儲器管理電路202、主機接口204與存儲器接口206。[0096]存儲器管理電路202用以控制存儲器控制器104的整體運作。具體來說，存儲器管理電路202具有多個控制指令，并且在存儲器儲存裝置100運作時，此些控制指令會被執(zhí)行以進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與擦除等運作。[0097]在本范例實施例中，存儲器管理電路202的控制指令是以韌體型式來實作。例如，存儲器管理電路202具有微處理器單元(未示出)與只讀存儲器(未示出)，并且此些控制指令是被燒錄至此只讀存儲器中。當存儲器儲存裝置100運作時，此些控制指令會由微處理器單元來執(zhí)行以進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與擦除等運作。[0098]在本發(fā)明另一范例實施例中，存儲器管理電路202的控制指令也可以程序式儲存于可復寫式非易失性存儲器模組106的特定區(qū)域(例如，存儲器模組中專用于存放系統(tǒng)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)區(qū))中。此外，存儲器管理電路202具有微處理器單元(未示出)、只讀存儲器(未示出)及隨機存取存儲器(未示出)。特別是，此只讀存儲器具有驅(qū)動碼，并且當存儲器控制器104被智能時，微處理器單元會先執(zhí)行此驅(qū)動碼段來將儲存于可復寫式非易失性存儲器模組106中的控制指令載入至存儲器管理電路202的隨機存取存儲器中。之后，微處理器單元會運轉(zhuǎn)此些控制指令以進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與擦除等運作。[0099]此外，在本發(fā)明另一范例實施例中，存儲器管理電路202的控制指令也可以一硬體型式來實作。例如，存儲器管理電路202包括微控制器、存儲胞管理電路、存儲器寫入電路、存儲器讀取電路、存儲器擦除電路與數(shù)據(jù)處理電路。存儲胞管理電路、存儲器寫入電路、存儲器讀取電路、存儲器擦除電路與數(shù)據(jù)處理電路是電性連接至微控制器。其中，存儲胞管理電路用以管理可復寫式非易失性存儲器模組106的實體擦除單元；存儲器寫入電路用以對可復寫式非易失性存儲器模組106下達寫入指令以將數(shù)據(jù)寫入至可復寫式非易失性存儲器模組106中；存儲器讀取電路用以對可復寫式非易失性存儲器模組106下達讀取指令以從可復寫式非易失性存儲器模組106中讀取數(shù)據(jù)；存儲器擦除電路用以對可復寫式非易失性存儲器模組106下達擦除指令以將數(shù)據(jù)從可復寫式非易失性存儲器模組106中擦除；而數(shù)據(jù)處理電路用以處理欲寫入至可復寫式非易失性存儲器模組106的數(shù)據(jù)以及從可復寫式非易失性存儲器模組106中讀取的數(shù)據(jù)。[0100]主機接口204是電性連接至存儲器管理電路202并且用以接收與識別主機系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)。也就是說，主機系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)會通過主機接口204來傳送至存儲器管理電路202。在本范例實施例中，主機接口204適用于USB標準。然而，必須了解的是本發(fā)明不限于此，主機接口204也可以適用于PATA標準、IEEE1394標準、PCIExpress標準、SD標準、SATA標準、UHS-1接口標準、UHS-1I接口標準、MS標準、MMC標準、eMMC接口標準、UFS接口標準、CF標準、IDE標準或其他適合的數(shù)據(jù)傳輸標準。[0101]存儲器接口206是電性連接至存儲器管理電路202并且用以存取可復寫式非易失性存儲器模組106。也就是說，欲寫入至可復寫式非易失性存儲器模組106的數(shù)據(jù)會通過存儲器接口206轉(zhuǎn)換為可復寫式非易失性存儲器模組106所能接受的格式。[0102]在本發(fā)明一范例實施例中，存儲器控制器104還包括緩沖存儲器252、電源管理電路254以及錯誤檢查與校正電路256。[0103]緩沖存儲器252是電性連接至存儲器管理電路202并且用以暫存來自于主機系統(tǒng)1000的數(shù)據(jù)與指令或來自于可復寫式非易失性存儲器模組106的數(shù)據(jù)。[0104]電源管理電路254是電性連接至存儲器管理電路202并且用以控制存儲器儲存裝置100的電源。[0105]錯誤檢查與校正電路256是電性連接至存儲器管理電路202并且用以執(zhí)行錯誤檢查與校正程序以確保數(shù)據(jù)的正確性。在本范例實施例中，當存儲器管理電路202從主機系統(tǒng)1000中接收到寫入指令時，錯誤檢查與校正電路256會為對應此寫入指令的數(shù)據(jù)產(chǎn)生對應的錯誤檢查與校正碼(ErrorCheckingandCorrectingCode,ECCCode),并且存儲器管理電路202會將對應此寫入指令的數(shù)據(jù)與對應的錯誤檢查與校正碼寫入至可復寫式非易失性存儲器模組106中。之后，當存儲器管理電路202從可復寫式非易失性存儲器模組106中讀取數(shù)據(jù)時會同時讀取此數(shù)據(jù)對應的錯誤檢查與校正碼，并且錯誤檢查與校正電路256會依據(jù)此錯誤檢查與校正碼對所讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯誤檢查與校正程序。具體來說，錯誤檢查與校正電路256會被設計能夠校正一數(shù)目的錯誤比特(以下稱為最大可校正錯誤比特數(shù))。例如，最大可校正錯誤比特數(shù)為24。倘若發(fā)生在所讀取的數(shù)據(jù)的錯誤比特的數(shù)目不大于24時，錯誤檢查與校正電路256就能夠依據(jù)錯誤校正碼將錯誤比特校正回正確的值。反之，錯誤檢查與校正電路256就會回報錯誤校正失敗且存儲器管理電路202會將指示數(shù)據(jù)已遺失的信息傳送給主機系統(tǒng)1000。[0106]在本發(fā)明范例實施例中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會監(jiān)控可復寫式非易失性存儲器模組106的磨損程度，并且修復可復寫式非易失性存儲器模組106。具體來說，在本發(fā)明范例實施例中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會記錄可復寫式非易失性存儲器芯片的擦除次數(shù)以識別可復寫式非易失性存儲器模組106的磨損程度。此外，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會判斷可復寫式非易失性存儲器芯片的擦除次數(shù)是否大于一門檻值(以下稱為擦除次數(shù)門檻值)。倘若可復寫式非易失性存儲器芯片的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門檻值時，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會通過對應的加熱器來加熱可復寫式非易失性存儲器芯片以修復可復寫式非易失性存儲器芯片的存儲胞。在本范例實施例中，每當執(zhí)行擦除指令時，可復寫式非易失性存儲器芯片的擦除次數(shù)會被加1，并且擦除次數(shù)門檻值會根據(jù)可復寫式非易失性存儲器芯片的類型來設定，以反映可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度是否已達到會影響數(shù)據(jù)儲存的臨界點。[0107]例如，倘若第一可復寫式非易失性存儲器芯片106-1的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門檻值時，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會將儲存在第一可復寫式非易失性存儲器芯片106-1中的數(shù)據(jù)復制到第二可復寫式非易失性存儲器芯片106-2，控制加熱器108-1來加熱第一可復寫式非易失性存儲器芯片106-1以修復第一可復寫式非易失性存儲器芯片106-1的存儲胞并且之后將所復制的數(shù)據(jù)恢復至第一可復寫式非易失性存儲器芯片106-1。[0108]必須了解的是，盡管在本范例實施例中，可復寫式非易失性存儲器芯片的擦除次數(shù)會用來衡量可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度，但本發(fā)明不限于此。例如，可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度也可根據(jù)可復寫式非易失性存儲器芯片的寫入次數(shù)、錯誤比特數(shù)、錯誤比特比例或讀取次數(shù)來衡量。又或者，可復寫式非易失性存儲器芯片的磨損程度也可以擦除次數(shù)、寫入次數(shù)、錯誤比特數(shù)、錯誤比特比例與讀取次數(shù)等參數(shù)之中的至少其中兩個參數(shù)的組合來計算。[0109]圖9是本發(fā)明第一范例實施例示出的存儲器修復方法的流程圖。[0110]請參照圖9，在步驟S901中，可復寫式非易失性存儲器模組(芯片)的擦除次數(shù)會被記錄與監(jiān)控。[0111]在步驟S903中，可復寫式非易失性存儲器模組(芯片)的擦除次數(shù)是否大于擦除次數(shù)門檻值會被判斷。[0112]倘若可復寫式非易失性存儲器模組(芯片)的擦除次數(shù)不大于擦除次數(shù)門檻值時，流程會返回步驟S901以繼續(xù)監(jiān)控。倘若可復寫式非易失性存儲器模組(芯片)的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門檻值時，在步驟S905中，儲存在此可復寫式非易失性存儲器模組(芯片)中的數(shù)據(jù)會被復制到一暫存區(qū)。例如，在步驟S905中，可復寫式非易失性存儲器模組(芯片)中的數(shù)據(jù)會被復制到另一個可復寫式非易失性存儲器模組(芯片)，但本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明另一范例實施例中，可復寫式非易失性存儲器模組(芯片)中的數(shù)據(jù)也可被暫時地復制到緩沖存儲器252或其他儲存裝置中。[0113]之后，在步驟S907中，可復寫式非易失性存儲器芯片會被加熱，以使得可復寫式非易失性存儲器芯片的溫度提升到攝氏100度至攝氏600度之間。例如，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會通過與此可復寫式非易失性存儲器芯片一起封裝的加熱器(例如，第一加熱器180-1)加熱此可復寫式非易失性存儲器芯片，以致于此可復寫式非易失性存儲器芯片的溫度達到攝氏300度并持續(xù)一段預先定義時間(例如，20分鐘)。[0114]之后，在步驟S909中，儲存在暫存區(qū)的數(shù)據(jù)會被復制回此可復寫式非易失性存儲器模組(芯片)中，然后，圖9的流程會被終止。[0115]第二范例實施例[0116]第二范例實施例的存儲器儲存裝置的結(jié)構(gòu)與第一范例實施例的存儲器儲存裝置是類似，其不同之處在于在第二范例實施例中可復寫式非易失性存儲器模組的每一實體擦除單元皆配置有加熱電路并且存儲器控制器(或存儲器管理電路)會通過此些加熱電路來加熱實體擦除單元。以下將使用第一范例實施例的元件標號來說明第二范例實施例與第一范例實施例的差異之處。[0117]圖10是本發(fā)明第二范例實施例示出的存儲器儲存裝置的概要方塊圖。[0118]請參照圖10，存儲器儲存裝置900包括連接器102、存儲器控制器104與可復寫式非易失性存儲器模組906。[0119]可復寫式非易失性存儲器模組906電性連接至存儲器控制器104且用以儲存主機系統(tǒng)1000所寫入的數(shù)據(jù)?？蓮蛯懯椒且资源鎯ζ髂＝M906具有實體擦除單元304(O)?304(R)。例如，實體擦除單兀304(0)?304(R)可屬于同一個存儲器晶?；蛘邔儆诓煌拇鎯ζ骶Я！Ｃ恳粚嶓w擦除單元分別具有復數(shù)個實體程序化單元，并且屬于同一個實體擦除單元的實體程序化單元可被獨立地寫入且被同時地擦除。例如，每一實體擦除單元是由128個實體程序化單元所組成。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此，每一實體擦除單元也可由64個實體程序化單元、256個實體程序化單元或其他任意個實體程序化單元所組成。[0120]更詳細來說，實體擦除單元為擦除的最小單位。亦即，每一實體擦除單元含有最小數(shù)目之一并被擦除的存儲胞。實體程序化單元為程序化的最小單元。即，實體程序化單元為寫入數(shù)據(jù)的最小單元。每一實體程序化單元通常包括數(shù)據(jù)比特區(qū)與冗余比特區(qū)。數(shù)據(jù)比特區(qū)包含多個實體存取地址用以儲存使用者的數(shù)據(jù)，而冗余比特區(qū)用以儲存系統(tǒng)的數(shù)據(jù)(例如，控制信息與錯誤更正碼)。在本范例實施例中，每一個實體程序化單元的數(shù)據(jù)比特區(qū)中會包含4個實體存取地址,且一個實體存取地址的大小為512比特組(byte)。然而,在其他范例實施例中，數(shù)據(jù)比特區(qū)中也可包含數(shù)目更多或更少的實體存取地址，本發(fā)明并不限制實體存取地址的大小以及個數(shù)。例如，在一范例實施例中，實體擦除單元為實體區(qū)塊，并且實體程序化單元為實體頁面或?qū)嶓w扇區(qū)，但本發(fā)明不以此為限。[0121]在本范例實施例中，可復寫式非易失性存儲器模組906為TLCNAND型快閃存儲器模組，即一個存儲胞中可儲存至少3個比特數(shù)據(jù)。然而，本發(fā)明不限于此，可復寫式非易失性存儲器模組906也可是SLCNAND型快閃存儲器模組、MLCNAND型快閃存儲器模組、其他快閃存儲器模組或其他具有相同特性的存儲器模組。[0122]特別是，每一實體擦除單元304(O)?304(R)具有加熱電路。例如，如圖11所示，一個加熱電路是配置在構(gòu)成一個實體擦除單元的多個存儲胞之上。[0123]在本范例實施例中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會記錄與監(jiān)控每個實體擦除單元的擦除次數(shù)，并且倘若其中一個實體擦除單元的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門檻值時，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會通過對應的加熱電路來加熱此實體擦除單元，由此提升此實體擦除單元的溫度至攝氏100度至攝氏600度之間以修復此實體擦除單元中劣化的存儲胞。[0124]例如，倘若實體擦除單元304(0)的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門檻值時，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會將儲存在實體擦除單元304(O)中的數(shù)據(jù)復制到一個空的實體擦除單元(例如，實體擦除單元304(R))中，控制配置在實體擦除單元304(0)中的加熱電路來加熱實體擦除單元304(O)并且之后將復制到實體擦除單元304(R)回存至實體擦除單元304(0)中。[0125]圖12是本發(fā)明第二范例實施例示出的存儲器修復方法的流程圖。[0126]請參照圖12，在步驟S1201中，記錄與監(jiān)控每一實體擦除單元的擦除次數(shù)。[0127]在步驟S1203中，判斷是否有任一個實體擦除單元的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門檻值。[0128]倘若每個實體擦除單元的擦除次數(shù)都不大于擦除次數(shù)門檻值時，則流程返回步驟S1201。倘若其中一個實體擦除單元(以下稱為第一實體擦除單元)的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門檻值時，在步驟S1205中儲存在第一實體擦除單元中的數(shù)據(jù)會被復制到未儲存數(shù)據(jù)的另一個實體擦除單元(以下稱為第二實體擦除單元)中。然而，本發(fā)明不限于此。例如，儲存在第一實體擦除單元中的數(shù)據(jù)也可被復制到緩沖存儲器252。[0129]之后，在步驟S1207中，第一實體擦除單元會被加熱，以使得第一實體擦除單元的溫度上升至攝氏100度至攝氏600度之間。例如，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會致能第一實體擦除單元的加熱電路，以致于第一實體擦除單元的溫度上升至攝氏450度并且維持一預定時間(例如，10分鐘)。[0130]之后，在步驟S1209中，復制到第二實體擦除單的數(shù)據(jù)會被回存至第一實體擦除單元并且流程會返回至步驟S1201。[0131]必須了解的是，盡管在本范例實施例中，加熱電路是配置在每一實體擦除單元的下方，但本發(fā)明不限于此。在另一范例實施例中，加熱電路是可配置在每一實體擦除單元的控制閘的上方(如圖13所示)。再者，在另一范例實施例中，實體擦除單元的下方與上方皆可配置加熱電路。[0132]必須了解的是，盡管在本范例實施例中，實體擦除單元的擦除次數(shù)會被用來衡量實體擦除單元的磨損程度，但本發(fā)明不限于此。例如，實體擦除單元的磨損程度也可根據(jù)實體擦除單元的寫入次數(shù)、錯誤比特數(shù)、錯誤比特比例或讀取次數(shù)來衡量。又或者，實體擦除單元的磨損程度也可以擦除次數(shù)、寫入次數(shù)、錯誤比特數(shù)、錯誤比特比例與讀取次數(shù)等參數(shù)之中的至少其中兩個參數(shù)的組合來計算。[0133]綜上所述，本發(fā)明的存儲器修復方法及控制器與儲存裝置會在可復寫式非易失性存儲器模組的磨損到一定程度時，加熱可復寫式非易失性存儲器模組?；耍踊拇鎯Π杀恍迯鸵曰謴推鋽?shù)據(jù)保存能力，由此延長可復寫式非易失性存儲器模組的壽命。[0134]最后應說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。【權(quán)利要求】1.一種存儲器修復方法，用于一可復寫式非易失性存儲器模組，其特征在于，包括:監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中一部分的一磨損程度；以及當該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中一部分的該磨損程度大于一門檻值時，加熱該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中一部分。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器修復方法，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中一部分的一溫度會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器修復方法，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組包括一第一可復寫式非易失性存儲器子模組與一第二可復寫式非易失性存儲器子模組，該第一可復寫式非易失性存儲器子模組是由一第一可復寫式非易失性存儲器芯片與一第一加熱器封裝而成，并且該第二可復寫式非易失性存儲器子模組是由一第二可復寫式非易失性存儲器芯片與一第二加熱器封裝而成，其中監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的磨損程度的步驟包括記錄該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的一磨損程度值，其中當該可復寫式非易失性存儲器模組的該磨損程度大于該門檻值時，加熱該可復寫式非易失性存儲器模組的步驟包括:判斷該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值是否大于該門檻值；倘若該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值大于該門檻值時，將儲存在該第一可復寫式非易失性存儲器芯片上的一數(shù)據(jù)復制到該第二可復寫式非易失性存儲器芯片中并且通過該第一加熱器加熱該第一可復寫式非易失性存儲器芯片，其中該第一可復寫式非易失性存儲器芯片會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間；以及將復制到該第二可復寫式非`易失性存儲器芯片的該數(shù)據(jù)回存至該第一可復寫式非易失性存儲器芯片中。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器修復方法，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組包括一第一可復寫式非易失性存儲器子模組，并且該第一可復寫式非易失性存儲器子模組是由一第一可復寫式非易失性存儲器芯片與一第一加熱器封裝而成，其中監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的磨損程度的步驟包括記錄該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的一磨損程度值，其中當該可復寫式非易失性存儲器模組的該磨損程度大于該門檻值時，加熱該可復寫式非易失性存儲器模組的步驟包括:判斷該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值是否大于該門檻值；倘若該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值大于該門檻值時，將儲存在該第一可復寫式非易失性存儲器芯片上的一數(shù)據(jù)復制到一緩沖存儲器中并且通過該第一加熱器加熱該第一可復寫式非易失性存儲器芯片，其中該第一可復寫式非易失性存儲器芯片會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間；以及將復制到該緩沖存儲器的該數(shù)據(jù)回存至該第一可復寫式非易失性存儲器芯片中。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器修復方法，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組包括多個實體擦除單元并且每一該些實體擦除單元配置有一加熱電路，其中監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的磨損程度的步驟包括記錄每一該些實體擦除單元的一磨損程度值，其中當該可復寫式非易失性存儲器模組的該磨損程度值大于該門檻值時，加熱該可復寫式非易失性存儲器模組的步驟包括:判斷該些實體擦除單元之中的一第一實體擦除單元的一磨損程度值是否大于該門檻值；倘若該第一實體擦除單元的該磨損程度值大于該門檻值時，將儲存在該第一實體擦除單元上的一數(shù)據(jù)復制到該些實體擦除單元之中的一第二實體擦除單元中并且通過對應該第一實體擦除單元的加熱電路加熱該第一實體擦除單元，其中該第一實體擦除單元會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間；以及將復制到該第二實體擦除單元的該數(shù)據(jù)回存至該第一實體擦除單元中。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器修復方法，其特征在于，該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值是根據(jù)該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的一擦除次數(shù)、一寫入次數(shù)、一錯誤比特數(shù)、一錯誤比特比例及一讀取次數(shù)的至少其中之一來計算。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器修復方法，其特征在于，該第一實體擦除單元的該磨損程度值是根據(jù)該第一實體擦除單元的一擦除次數(shù)、一寫入次數(shù)、一錯誤比特數(shù)、一錯誤比特比例及一讀取次數(shù)的至少其中之一來計算。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器修復方法，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中一部分為一存儲器晶?；蛞淮鎯ζ鲄^(qū)塊面。9.一種存儲器控制器，用于控制一可復寫式非易失性存儲器模組，其特征在于，包括:一主機接口，用以電性連接至一主機`系統(tǒng)；一存儲器接口，用以電性連接至該可復寫式非易失性存儲器模組；一緩沖存儲器；以及一存儲器管理電路，電性連接至該主機接口、該存儲器接口與該緩沖存儲器，并且用以監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中一部分的一磨損程度，其中當該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中一部分的該磨損程度大于一門檻值時，該存儲器管理電路指示加熱該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中一部分。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器控制器，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中一部分的一溫度會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器控制器，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組包括一第一可復寫式非易失性存儲器子模組與一第二可復寫式非易失性存儲器子模組，該第一可復寫式非易失性存儲器子模組是由一第一可復寫式非易失性存儲器芯片與一第一加熱器封裝而成，并且該第二可復寫式非易失性存儲器子模組是由一第二可復寫式非易失性存儲器芯片與一第二加熱器封裝而成，其中在上述監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少一部分的該磨損程度的運作中，該存儲器管理電路記錄該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的一磨損程度值，其中在上述當該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中之一的該磨損程度大于該門檻值時，加熱該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中之一的運作中，該存儲器管理電路會判斷該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值是否大于該門檻值，其中倘若該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值大于該門檻值時，該存儲器管理電路會將儲存在該第一可復寫式非易失性存儲器芯片上的一數(shù)據(jù)復制到該第二可復寫式非易失性存儲器芯片中，通過該第一加熱器加熱該第一可復寫式非易失性存儲器芯片，并且將復制到該第二可復寫式非易失性存儲器芯片的該數(shù)據(jù)回存至該第一可復寫式非易失性存儲器芯片中，其中該第一可復寫式非易失性存儲器芯片會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器控制器，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組包括一第一可復寫式非易失性存儲器子模組，并且該第一可復寫式非易失性存儲器子模組是由一第一可復寫式非易失性存儲器芯片與一第一加熱器封裝而成，其中在上述監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少一部分的該磨損程度的運作中，該存儲器管理電路記錄該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的一磨損程度值，其中在上述當該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中之一的該磨損程度大于該門檻值時，加熱該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中之一的運作中，該存儲器管理電路會判斷該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值是否大于該門檻值，其中倘若該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值大于該門檻值時，該存儲器管理電路會將儲存在該第一可復寫式非易失性存儲器芯片上的一數(shù)據(jù)復制到該緩沖存儲器中，通過該第一加熱器加熱該第一可復寫式非易失性存儲器芯片，并且將復制到該緩沖存儲器的該數(shù)據(jù)回存至該第一可復寫式非易失性存儲器芯片中，其中該第一可復寫式非易失性存儲器芯片會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器控制器，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組包括多個實體擦除單元并且每一該些實體擦除單元配置有一加熱電路，其中上述在監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的磨損程度的運作中，該存儲器管理電路會記錄每一該些實體擦除單元的一磨損程度值，其中在上述當該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中之一的該磨損程度大于該門檻值時，加熱該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中之一的運作中，該存儲器管理電路會判斷該些實體擦除單元之中的一第一實體擦除單元的一磨損程度值是否大于該門檻值，其中倘若該第一實體擦除單元的該磨損程度值大于該門檻值時，該存儲器管理電路會將儲存在該第一實體擦除單元上的一數(shù)據(jù)復制到該些實體擦除單元之中的一第二實體擦除單元中，通過對應該第一實體擦除單元的加熱電路加熱該第一實體擦除單元，并且將復制到該第二實體擦除單元的該數(shù)據(jù)回存至該第一實體擦除單元中，其中該第一實體擦除單元會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器控制器，其特征在于，該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值是根據(jù)該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的一擦除次數(shù)、一寫入次數(shù)、一錯誤比特數(shù)、一錯誤比特比例及一讀取次數(shù)的至少其中之一來計算。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲器控制器，其特征在于，該第一實體擦除單元的該磨損程度值是根據(jù)該第一實體擦除單元的一擦除次數(shù)、一寫入次數(shù)、一錯誤比特數(shù)、一錯誤比特比例及一讀取次數(shù)的至少其中之一來計算。16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器控制器，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中一部分為一存儲器晶?；蛞淮鎯ζ鲄^(qū)塊面。17.一種存儲器儲存裝置，其特征在于，包括:一連接器，用以電性連接至一主機系統(tǒng)；一可復寫式非易失性存儲器模組；以及一存儲器控制器，具有一緩沖存儲器且電性連接至該連接器與該可復寫式非易失性存儲器模組，其中該存儲器控制器用以監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的至少其中一部分的一磨損程度，其中當該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中一部分的該磨損程度大于一門檻值時，該存儲器控制器指示加熱該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中一部分。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲器儲存裝置，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中一部分的一溫度會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲器儲存裝置，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組包括一第一可復寫式非易失性存儲器子模組與一第二可復寫式非易失性存儲器子模組，該第一可復寫式非易失性存儲器子模組是由一第一可復寫式非易失性存儲器芯片與一第一加熱器封裝而成，并且該第二可復寫式非易失性存儲器子模組是由一第二可復寫式非易失性存儲器芯片與一第二加熱器封裝而成，其中在上述監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少一部分的該磨損程度的運作中，該存儲器控制器記錄該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的一磨損程度值，其中在上述當該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中之一的該磨損程度大于該門檻值時，加熱該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中之一的運作中，該存儲器控制器會判斷該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值是否大于該門檻值，其中倘若該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值大于該門檻值時，該存儲器控制器會將儲存在該第一可復寫式非易失性存儲器芯片上的一數(shù)據(jù)復制到該第二可復寫式非易失性存儲器芯片中，通過該第一加熱器加熱該第一可復寫式非易失性存儲器芯片，并且將復制到該第二可復寫式非易失性存儲器芯片的該數(shù)據(jù)回存至該第一可復寫式非易失性存儲器芯片中，其中該第一可復寫式非易失性存儲器芯片會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲器儲存裝置，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組包括一第一可復寫式非易失性存儲器子模組，并且該第一可復寫式非易失性存儲器子模組是由一第一可復寫式非易失性存儲器芯片與一第一加熱器封裝而成，其中在上述監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少一部分的該磨損程度的運作中，該存儲器控制器記錄該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的一磨損程度值，其中在上述當該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中之一的該磨損程度大于該門檻值時，加熱該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中之一的運作中，該存儲器控制器會判斷該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值是否大于該門檻值，其中倘若該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值大于該門檻值時，該存儲器控制器會將儲存在該第一可復寫式非易失性存儲器芯片上的一數(shù)據(jù)復制到該緩沖存儲器中，通過該第一加熱器加熱該第一可復寫式非易失性存儲器芯片，并且將復制到該緩沖存儲器的該數(shù)據(jù)回存至該第一可復寫式非易失性存儲器芯片中，其中該第一可復寫式非易失性存儲器芯片會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間。21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲器儲存裝置，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組包括多個實體擦除單元并且每一該些實體擦除單元配置有一加熱電路，其中上述在監(jiān)控該可復寫式非易失性存儲器模組的磨損程度的運作中，該存儲器控制器會記錄每一該些實體擦除單元的一磨損程度值，其中在上述當該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中之一的該磨損程度大于該門檻值時，加熱該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中之一的運作中，該存儲器控制器會判斷該些實體擦除單元之中的一第一實體擦除單元的一磨損程度值是否大于該門檻值，其中倘若該第一實體擦除單元的該磨損程度值大于該門檻值時，該存儲器控制器會將儲存在該第一實體擦除單元上的一數(shù)據(jù)復制到該些實體擦除單元之中的一第二實體擦除單元中，通過對應該第一實體擦除單元的加熱電路加熱該第一實體擦除單元，并且將復制到該第二實體擦除單元的該數(shù)據(jù)回存至該第一實體擦除單元中，其中該第一實體擦除單元會被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預設時間。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的存儲器儲存裝置，其特征在于，該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的該磨損程度值是根據(jù)該第一可復寫式非易失性存儲器芯片的一擦除次數(shù)、一寫入次數(shù)、一錯誤比特數(shù)、一錯誤比特比例及一讀取次數(shù)的至少其中之一來計算。23.根據(jù)權(quán)利要求2`1所述的存儲器儲存裝置，其特征在于，該第一實體擦除單元的該磨損程度值是根據(jù)該第一實體擦除單元的一擦除次數(shù)、一寫入次數(shù)、一錯誤比特數(shù)、一錯誤比特比例及一讀取次數(shù)的至少其中之一來計算。24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲器儲存裝置，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模組的該至少其中一部分為一存儲器晶?；蛞淮鎯ζ鲄^(qū)塊面。【文檔編號】G11C29/44GK103871480SQ201310048377【公開日】2014年6月18日申請日期:2013年2月6日優(yōu)先權(quán)日:2012年12月7日【發(fā)明者】林緯,許祐誠,鄭國義,張俊彥申請人:群聯(lián)電子股份有限公司