本發(fā)明涉及一種帶電路的懸掛基板，詳細地說，涉及一種用于硬盤驅動器中的帶電路的懸掛基板。

背景技術：
近年來，提出有如下的帶電路的懸掛基板：該帶電路的懸掛基板搭載有各種電子元件，具體地說，例如用于利用光輔助法謀求提高存儲密度的發(fā)光元件、例如用于檢查磁頭的位置精度的檢查用元件等電子元件。例如，提出有如下的帶電路的懸掛基板（例如，參照日本特開2010－108576號公報）：該帶電路的懸掛基板為形成有沿厚度方向貫通的貫通開口部的帶電路的懸掛基板，設有以覆蓋貫通開口部的方式搭載的滑撬和以供貫穿在貫通開口部內的方式搭載于滑撬的下表面的發(fā)光元件。另一方面，根據目的和用途也提出有一種以使發(fā)光元件局部從滑撬突出的方式將發(fā)光元件搭載于滑撬的帶電路的懸掛基板（例如，參照日本特開2009－266365號公報。）。然而，如圖31所示，在發(fā)光元件102的前端部104從滑撬103突出的情況下，當將滑撬103搭載于帶電路的懸掛基板108時，有時面對貫通開口部101的絕緣層109的后端部107與發(fā)光元件102的前端部104相干涉。因此，存在帶電路的懸掛基板108中的絕緣層109的后端部107受到損傷這樣的問題。

技術實現要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種防止面對第1開口部的端部的損傷且連接可靠性優(yōu)異的帶電路的懸掛基板。本發(fā)明的帶電路的懸掛基板用于搭載具有電子元件的滑撬單元，該電子元件以如下的方式被搭載：當在厚度方向上進行投影時，該電子元件形成有與用于搭載磁頭的滑撬重疊的重疊部分和從上述滑撬突出的突出部分，其特征在于，在上述帶電路的懸掛基板上形成有第1開口部和第2開口部，該第1開口部沿上述厚度方向貫通上述帶電路的懸掛基板并用于收納上述重疊部分，該第2開口部與上述第1開口部相連通并用于收納上述突出部分。另外，優(yōu)選本發(fā)明的帶電路的懸掛基板具有金屬支承基板和介于上述金屬支承基板與上述滑撬之間的基座。另外，優(yōu)選本發(fā)明的帶電路的懸掛基板還具有：絕緣層，其形成在上述金屬支承基板之上；導體圖案，其用于在上述絕緣層之上與上述磁頭及上述電子元件電連接，上述基座的厚度形成得比上述絕緣層的與上述導體圖案相對應的部分的厚度薄。另外，在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中，優(yōu)選通過對上述絕緣層的與上述第1開口部相面對的端部的下側部分進行局部切除而形成上述第2開口部。另外，在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中，優(yōu)選在上述滑撬上形成有用于收納上述絕緣層的上述端部的第3開口部。在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中，第1開口部用于收納重疊部分，并且第2開口部用于收納突出部分。因此，能夠防止因突出部分的干涉導致?lián)p傷。其結果，帶電路的懸掛基板的可靠性優(yōu)異。附圖說明圖1是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的一實施方式的俯視圖。圖2是表示圖1所示的帶電路的懸掛基板的安裝部的放大俯視圖。圖3是表示圖1所示的帶電路的懸掛基板的安裝部的放大仰視圖。圖4表示從上側觀察圖2所示的安裝部的立體圖。圖5表示從下側觀察圖3所示的安裝部的立體圖。圖6表示帶電路的懸掛基板的圖2的A－A剖視圖。圖7表示帶電路的懸掛基板的圖2的B－B剖視圖。圖8表示帶電路的懸掛基板的圖2的C－C剖視圖。圖9表示帶電路的懸掛基板的圖2的D－D剖視圖。圖10是說明圖8所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，圖10的（a）表示準備金屬支承基板的工序，圖10的（b）表示形成基底絕緣層和基座的工序，圖10的（c）表示形成導體圖案的工序，圖10的（d）表示形成覆蓋絕緣層的工序，圖10的（e）表示形成支承開口部的工序，圖10的（f）表示形成下缺口部的工序。圖11表示從上側觀察搭載有滑撬單元的安裝部的立體圖。圖12表示從下側觀察搭載有滑撬單元的安裝部的立體圖。圖13是本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式，是基底絕緣層的上側部分的后端部位于比滑撬的前側部分的前端面靠后側處的方式，該圖13表示與圖8相對應的剖視圖。圖14表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式的安裝部的俯視圖。圖15表示圖14所示的安裝部的仰視圖。圖16表示圖14所示的安裝部的側剖視圖。圖17是說明圖16所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，圖17的（a）表示準備金屬支承基板的工序，圖17的（b）表示形成基底絕緣層的工序，圖17的（c）表示形成包括第1導通部的導體圖案的工序，圖17的（d）表示形成覆蓋絕緣層的工序，圖17的（e）表示形成支承開口部和支承端子的工序，圖17的（f）表示形成下缺口部的工序。圖18表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式的安裝部的俯視圖。圖19表示圖18所示的安裝部的仰視圖。圖20表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式的安裝部的俯視圖。圖21表示圖20所示的安裝部的仰視圖。圖22表示從上側觀察本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式（未形成有上缺口部的形態(tài)）的安裝部的立體圖，是與圖4相對應的圖。圖23表示在圖22所示的帶電路的懸掛基板上搭載有滑撬單元的狀態(tài)的剖視圖，是與圖9相對應的圖。圖24表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式的安裝部的俯視圖。圖25表示帶電路的懸掛基板的圖24的E－E剖視圖。圖26表示帶電路的懸掛基板的圖24的F－F剖視圖。圖27表示帶電路的懸掛基板的圖24的G－G剖視圖。圖28表示帶電路的懸掛基板的圖24的H－H剖視圖。圖29表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式的安裝部的俯視圖。圖30表示帶電路的懸掛基板的圖29的I－I剖視圖。圖31表示以往的帶電路的懸掛基板的側剖視圖。具體實施方式圖1表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的一實施方式的俯視圖，圖2表示圖1所示的帶電路的懸掛基板的安裝部的放大俯視圖，圖3表示圖1所示的帶電路的懸掛基板的安裝部的放大仰視圖，圖4表示從上側觀察圖2所示的安裝部的立體圖，圖5表示從下側觀察圖3所示的安裝部的立體圖，圖6表示帶電路的懸掛基板的圖2的A－A剖視圖，圖7表示帶電路的懸掛基板的圖2的B－B剖視圖，圖8表示帶電路的懸掛基板的圖2的C－C剖視圖，圖9表示帶電路的懸掛基板的圖2的D－D剖視圖，圖10表示說明圖8所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，圖11表示從上側觀察搭載有滑撬單元的安裝部的立體圖，圖12表示從下側觀察搭載有滑撬單元的安裝部的立體圖。另外，在圖1和圖2中，為了明確地表示后述的金屬支承基板6、基底絕緣層7以及導體圖案8的相對配置關系，省略了后述的覆蓋絕緣層9。在圖1和圖9中，該帶電路的懸掛基板1搭載有滑撬單元5，且該帶電路的懸掛基板1用于采用光輔助法的硬盤驅動器，該滑撬單元5搭載有滑撬3和作為電子元件的發(fā)光元件4，該滑撬3搭載有磁頭2。如圖1所示，在該帶電路的懸掛基板1中，在金屬支承基板6上支承有導體圖案8。金屬支承基板6形成為在長度方向上延伸的平帶狀，且金屬支承基板6具有成為一體的、配置在長度方向另一側（以下稱為后側）的布線部11和配置在布線部11的長度方向一側（以下稱為前側）的安裝部12。布線部11形成為在前后方向上延伸的俯視大致矩形狀。該布線部11形成為下表面搭載于承載梁（未圖示）而被承載梁支承的區(qū)域。安裝部12形成為當布線部11安裝于承載梁時未搭載于承載梁、而下表面從承載梁露出的區(qū)域。具體地說，安裝部12形成為帶電路的懸掛基板1中的、用于安裝滑撬單元5（參照圖2的虛擬線）的區(qū)域。具體地說，安裝部12從布線部11的前端與布線部11的前端相連地形成，且形成為相對于布線部11向寬度方向（與前后方向正交的方向）兩外側突出的俯視大致矩形狀。安裝部12被劃分為：懸臂部13，當在前后方向上進行投影時，懸臂部13從布線部11向寬度方向兩外側突出；搭載區(qū)域14，其形成在懸臂部13的內側；以及布線折回部25，其形成在懸臂部13和搭載區(qū)域14的前側。懸臂部13是安裝部12中的設有導體圖案8的信號布線15和電源布線26（后述）并在前后方向上延伸的俯視大致矩形狀的區(qū)域。搭載區(qū)域14配置在安裝部12的寬度方向中央和前后方向中央，形成為俯視大致矩形狀。另外，在搭載區(qū)域14的前后方向中央形成有支承開口部16。支承開口部16以沿金屬支承基板6的厚度方向貫通金屬支承基板6的方式形成為俯視大致矩形狀。另外，在搭載區(qū)域14中，在支承開口部16的前端部劃分有端子形成區(qū)域17。端子形成區(qū)域17是沿著寬度方向延伸的俯視大致矩形狀，且被設為用于形成磁頭側端子18和元件側端子24（后述）的區(qū)域。導體圖案8包括第1導體圖案20和第2導體圖案21。第1導體圖案20具有成一體的、磁頭側端子18、外部側端子19、用于連接上述磁頭側端子18和外部側端子19的信號布線15。信號布線15在布線部11中沿著前后方向設有多個（6根），且在寬度方向上彼此隔開間隔并列配置。在安裝部12中，各信號布線15以如下方式配置：從懸臂部13的前端到達布線折回部25的寬度方向兩外側部之后，在布線折回部25處朝向寬度方向內側延伸，之后，再向后側折回，從布線折回部25的寬度方向中央部朝向后側延伸，到達端子形成區(qū)域17的磁頭側端子18的前端部。外部側端子19配置在布線部11的后端部，并以分別與各信號布線15的后端部相連接的方式設有多個（6個）。另外，該外部側端子19在寬度方向上彼此隔開間隔地配置。外部側端子19與未圖示的讀寫基板等外部電路基板（未圖示）相連接。磁頭側端子18配置于安裝部12的端子形成區(qū)域17內。磁頭側端子18以分別與各信號布線15的前端部相連接的方式設有多個（6個）。更加具體地說，各磁頭側端子18在寬度方向上彼此隔開間隔地配置。如參照圖9那樣，磁頭側端子18的上表面經由焊錫球22與磁頭2電連接。如圖1和圖9所示，在第1導體圖案20中，將從外部電路基板（未圖示）傳遞的寫入信號經由外部側端子19、信號布線15以及磁頭側端子18輸入到磁頭2，并且將利用磁頭2讀取的讀取信號經由磁頭側端子18、信號布線15以及外部側端子19輸入到外部電路基板（未圖示）。第2導體圖案21具有供給側端子23、元件側端子24、用于連接上述供給側端子23和元件側端子24的電源布線26。在布線部11中，電源布線26在寬度方向上與信號布線15隔開間隔地配置，且以在前后方向上延伸的方式形成。具體地說，電源布線26與最靠近寬度方向另一側的信號布線15隔開間隔地配置在該最靠近寬度方向另一側的信號布線15的寬度方向另一側。在安裝部12中，電源布線26與最靠近寬度方向另一側的信號布線15隔開間隔地配置在最靠近寬度方向另一側的信號布線15的寬度方向另一側。另外，在懸臂部13中，電源布線26與最靠近寬度方向另一側的信號布線15隔開間隔地配置在最靠近寬度方向另一側的信號布線15的寬度方向另一側。另外，在布線折回部25中，電源布線26以如下方式配置：朝向寬度方向內側（一側）延伸，之后，再向后側折回，從布線折回部25的寬度方向中央部朝向后側延伸，到達端子形成區(qū)域17的元件側端子24的前端部。供給側端子23與外部側端子19隔開間隔地配置。具體地說，供給側端子23與最靠近寬度方向另一側的外部側端子19隔開間隔地配置在該最靠近寬度方向另一側的外部側端子19的寬度方向另一側。元件側端子24配置在端子形成區(qū)域17的寬度方向中央，并在寬度方向上與磁頭側端子18隔開間隔地配置。更加具體地說，元件側端子24與寬度方向內側的兩個磁頭側端子18隔開間隔地配置在寬度方向內側的兩個磁頭側端子18的內側。如圖2所示，元件側端子24形成為當在寬度方向上進行投影時其后端部與磁頭側端子18相重疊。具體地說，元件側端子24的后端緣配置在比磁頭側端子18的后端緣靠前側的位置，并且元件側端子24的前端緣配置在比磁頭側端子18的前端緣靠前側的位置。如圖8所示，發(fā)光元件4經由焊錫球22與元件側端子24的下表面電連接。如參照圖1那樣，通過在第2導體圖案21中將從電源（未圖示）供給的電能經由供給側端子23、電源布線26以及元件側端子24向發(fā)光元件4（參照圖8）供給而使發(fā)光元件4發(fā)出高能量的光。另外，如圖6和圖7所示，該帶電路的懸掛基板1具有金屬支承基板6、形成在金屬支承基板6之上的作為絕緣層的基底絕緣層7、形成在基底絕緣層7之上的導體圖案8以及以覆蓋導體圖案8的方式形成在基底絕緣層7之上的覆蓋絕緣層9。金屬支承基板6由例如不銹鋼、#42合金、鋁、銅－鈹、磷青銅等金屬材料（導體材料）形成。優(yōu)選由不銹鋼形成。金屬支承基板6的厚度為例如10μm～50μm，優(yōu)選為15μm～25μm。如圖1所示，基底絕緣層7配置于整個布線部11和安裝部12，且形成為與形成有導體圖案8的部分相對應。具體地說，如圖1和圖2所示，基底絕緣層7形成為使金屬支承基板6的周端緣、安裝部12中的支承開口部16的后端緣以及寬度方向兩端緣（除前端緣之外）露出的圖案。另外，基底絕緣層7形成為使在搭載區(qū)域14中的金屬支承基板6呈俯視大致矩形狀露出的圖案?；捉^緣層7由例如聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等合成樹脂等絕緣材料形成。優(yōu)選由聚酰亞胺樹脂形成。基底絕緣層7的厚度為例如6μm～17μm，優(yōu)選為8μm～12μm。導體圖案8由例如銅、鎳、金、焊錫、或上述金屬的合金等導體材料等形成。優(yōu)選由銅形成。導體圖案8的厚度為例如3μm～50μm，優(yōu)選為5μm～20μm。圖1所示的各信號布線15和電源布線26的寬度為例如8μm～300μm，優(yōu)選為10μm～200μm。另外，各信號布線15之間的間隔為例如8μm～2000μm，優(yōu)選為10μm～1000μm。另外，電源布線26與最靠近寬度方向另一側的信號布線15之間的間隔為例如8μm～2000μm，優(yōu)選為10μm～1000μm。另外，各磁頭側端子18、各外部側端子19、供給側端子23以及元件側端子24的寬度為例如20μm～1000μm，優(yōu)選為30μm～800μm。另外，各磁頭側端子18之間的間隔、各外部側端子19之間的間隔、供給側端子23與最靠近寬度方向另一側的外部側端子19之間的間隔、元件側端子24與寬度方向內側的兩個磁頭側端子18之間的間隔為例如20μm～1000μm，優(yōu)選為30μm～800μm。覆蓋絕緣層9配置于整個布線部11和安裝部12，且如圖6和圖7所示，配置為與形成有導體圖案8的部分相對應。具體地說，覆蓋絕緣層9形成為覆蓋信號布線15和電源布線26、并使磁頭側端子18、外部側端子19（參照圖1）、供給側端子23（參照圖1）以及元件側端子24露出的圖案。覆蓋絕緣層9由與上述的基底絕緣層7的絕緣材料相同的絕緣材料形成。覆蓋絕緣層9的厚度為例如1μm～40μm，優(yōu)選為1μm～10μm。接著，詳細敘述端子形成區(qū)域17及其周邊部。如圖3～圖5所示，端子形成區(qū)域17是設有基底絕緣層7的從金屬支承基板6的支承開口部16露出的部分的區(qū)域。如圖2和圖4所示，在端子形成區(qū)域17中的基底絕緣層7上形成有磁頭側端子18和元件側端子24。另外，如圖4和圖9所示，在基底絕緣層7的在端子形成區(qū)域17及端子形成區(qū)域17的寬度方向兩外側的部分上形成有上缺口部31，該上缺口部31是通過對基底絕緣層7的該部分的后端部的上側部分在整個寬度方向進行切除而成的。上缺口部31形成為側剖視大致矩形狀，且與磁頭側端子18及元件側端子24隔開間隔地配置在磁頭側端子18及元件側端子24的后側。另外，上缺口部31的寬度形成得比支承開口部16的寬度大，具體地說，如圖4所示，當在厚度方向上進行投影時，上缺口部31形成為橫穿支承開口部16的寬度方向兩端面。當在前后方向上對基底絕緣層7進行投影時，將與上缺口部31重疊的部分設為上側部分33，將未與上缺口部31重疊且形成在上側部分33的下側的部分設為下側部分34。另外，如圖5和圖8所示，在基底絕緣層7的在端子形成區(qū)域17中的部分的寬度方向中央部分形成有下缺口部27，該下缺口部27是通過對下側部分34在前后方向上進行局部切除而成的。即，下缺口部27以對基底絕緣層7的與支承開口部16面對的后端部的下側部分34呈仰視大致矩形狀進行局部切除的方式形成。另外，下缺口部27形成為與支承開口部16相連通。另外，下缺口部27以使基底絕緣層7的面對支承開口部16的前側端緣略有殘余的方式局部切除下側部分34。另外，如圖7所示，下缺口部27形成為主剖視大致矩形狀。另外，如圖4所示，在基底絕緣層7的下缺口部27中，將被上側部分33覆蓋的部分設為前側部分55（虛線），將從上側部分33露出的部分設為后側部分56。后側部分56與前側部分55的后側相鄰并且相連通，且后側部分56形成為沿厚度方向貫通的俯視大致矩形狀。并且，如圖3所示，下缺口部27、即前側部分55和后側部分56形成用于收納在后詳述的發(fā)光元件4的第2開口部46。另外，如圖5和圖7所示，在上側部分33上，在端子形成區(qū)域17中的前后方向中央的、在厚度方向上與前側部分55重疊的部分處形成有基底貫通孔28?；棕炌?8沿厚度方向貫通上側部分33，且形成為俯視大致圓形狀。另外，在基底貫通孔28中填充有元件側端子24的一部分。即，如圖4和圖8所示，元件側端子24具有成一體的、填充在基底貫通孔28內的填充部29和從填充部29的周端部向上側和外側突出的突出部30。填充部29的下表面從基底貫通孔28露出到下側，且在面方向（前后方向與寬度方向）上與填充部29的周圍的上側部分33的下表面形成得平齊。如圖3所示，在支承開口部16內，從下側部分34的后端面向后側的區(qū)域形成第1開口部43，該第1開口部43用于收納后述的發(fā)光元件4的主體部39?；捉^緣層7的在端子形成區(qū)域17及端子形成區(qū)域17的周邊部的部分的尺寸能適當地選擇，如圖4所示，例如，上側部分33的厚度（即，上缺口部31的厚度）T1為例如1μm～14μm，優(yōu)選為2μm～10μm，下側部分34的厚度（即，下缺口部27的厚度）T2為從基底絕緣層7的厚度中減去上側部分33的厚度T1后的值，具體地說，為1μm～16μm，優(yōu)選為2μm～10μm。另外，如圖5所示，下缺口部27的前后方向長度L1為例如30μm～300μm，優(yōu)選為40μm～200μm，寬度L3為例如50μm～500μm，優(yōu)選為100μm～300μm。另外，如圖2所示，該帶電路的懸掛基板1還具有基座35?；?5設于搭載區(qū)域14的后側部分，更加具體地說，基座35與支承開口部16隔開間隔地配置在支承開口部16的后側，且基座35在寬度方向上彼此隔開間隔地設有多個（兩個）。各基座35形成為在寬度方向上延伸的俯視大致矩形狀?；?5由與基底絕緣層7相同的絕緣材料形成。如圖9所示，基座35的厚度T4形成得比基底絕緣層7的厚度（T1+T2）薄，具體地說，與下側部分34的厚度T2相同。接著，參照圖10說明帶電路的懸掛基板1的制造方法。在該方法中，如圖10的（a）所示，首先，準備平板狀的金屬支承基板6。接著，在該方法中，如圖10的（b）所示，以形成有上缺口部31（參照圖4和圖9）的上述圖案在金屬支承基板6的上表面上形成基底絕緣層7。具體地說，在金屬支承基板6的整個上表面上涂敷感光性的絕緣材料的清漆并使其干燥之后，進行曝光（具體地說，灰度曝光（日文：階調露光））和顯影，并進行加熱固化，從而以上述圖案形成基底絕緣層7。另外，在基底絕緣層7的與填充部29（參照后述的圖10的（c））相對應的部分形成有厚度比周的厚度薄的凹部50。另外，在基底絕緣層7上尚未形成有下缺口部27（參照后述的圖10的（f））。另外，在形成基底絕緣層7的同時，以上述圖案在金屬支承基板6的上表面上形成基座35。接著，在該方法中，如圖10的（c）所示，利用添加法或減去法（日文：サブトラクティブ）等在包括凹部50的基底絕緣層7之上形成導體圖案8。接著，如圖10的（d）所示，以上述圖案在基底絕緣層7之上形成覆蓋絕緣層9。具體地說，在基底絕緣層7的包括導體圖案8的整個上表面上涂敷感光性的絕緣材料的清漆并使其干燥之后，進行曝光和顯影，并進行加熱固化，從而以上述圖案形成覆蓋絕緣層9。接著，如圖10的（e）所示，在金屬支承基板6上形成支承開口部16。支承開口部16通過例如干蝕刻、濕蝕刻等蝕刻法、例如鉆頭穿孔、激光加工等形成。優(yōu)選通過濕蝕刻形成。由此，使端子形成區(qū)域17上的基底絕緣層7的下表面露出。接著，如圖10的（f）所示，在基底絕緣層7上形成下缺口部27。具體地說，通過干蝕刻、濕蝕刻等蝕刻法、例如鉆頭穿孔、激光加工等去除基底絕緣層7在端子形成區(qū)域17中的部分的中央部的下側部分34。由此，通過去除凹部50的周圍的下側部分34，形成將填充部29填充在內的基底貫通孔28，由此，填充部29的下表面從基底貫通孔28露出。由此，形成元件側端子24。由此，獲得帶電路的懸掛基板1。然后，如圖2、圖3以及圖8的虛擬線所示，在該帶電路的懸掛基板1上搭載滑撬單元5。滑撬單元5具有滑撬3和發(fā)光元件4。另外，如圖8的虛擬線所示，滑撬3以一邊相對于硬盤驅動器中的磁盤38運動一邊與該磁盤38隔開微小間隔懸浮的方式設于金屬支承基板6在搭載區(qū)域14中的部分?；?形成為側剖視大致矩形狀，且如圖2和圖9所示，當在厚度方向上進行投影時，滑撬3形成為將支承開口部16、支承開口部16的后側的搭載區(qū)域14以及下側部分34的后端部覆蓋的俯視大致矩形狀。另外，如圖9和圖11所示，滑撬3的前端部以嵌合于上缺口部31的方式與下側部分34的上表面相抵接（接觸）。另外，滑撬3的后端部支承于基座35的上表面。即，滑撬3的后端部以在滑撬3的后端部與金屬支承基板6之間夾設有基座35的方式設在金屬支承基板6之上。另外，如圖8和圖9所示，滑撬3搭載有磁頭2、光導波路36以及近場光產生構件（日文：近接場光発生部材）37。磁頭2形成在滑撬3的前端部的上側部分處，且設為與圖9的虛擬線所示的磁盤38相對而能夠相對于磁盤38進行讀取和寫入。如圖8所示，光導波路36設在接下來說明的發(fā)光元件4的上側，且以沿著厚度方向延伸的方式形成。另外，在光導波路36的上端設有近場光產生構件37。光導波路36使從發(fā)光元件4射出的光入射至近場光產生構件37。近場光產生構件37設在光導波路36的上側。另外，近場光產生構件37由金屬散射體、開口等構成，例如，采用日本特開2007－280572號公報、日本特開2007－052918號公報、日本特開2007－207349號公報、日本特開2008－130106號公報等所述的、公知的近場光產生裝置。近場光產生構件37利用從光導波路36入射的光生成近場光，并將該近場光照射到磁盤38，從而加熱磁盤38的微小的區(qū)域。發(fā)光元件4是用于使光入射至光導波路36的光源，例如，是將電能轉換為光能而將高能的光從射出口射出的光源。發(fā)光元件4設于滑撬3的下表面。詳細地說，如圖2和圖3的虛線所示，發(fā)光元件4形成為仰視大致T字狀，且具有成一體的、在寬度方向上延伸的仰視大致矩形狀的主體部39和從主體部39的寬度方向中央朝向前側突出的突出部40。主體部39配置為當在厚度方向上進行投影時包含在滑撬3內，具體地說，如圖8和圖9所示，主體部39設于滑撬3的前側部分的下表面。如圖2和圖3所示，突出部40的后側部分41以當在厚度方向上進行投影時包含在滑撬3內的方式設于滑撬3的下表面。另一方面，突出部40的前側部分42以從滑撬3露出的方式形成為從滑撬3的前端面向前側突出。即，前側部分42被設為從滑撬3突出的突出部分47。主體部39和突出部40的后側部分41被設為當在厚度方向進行投影時與滑撬相重疊的重疊部分45。另一方面，如圖3和圖12所示，突出部40的前側部分42配置為被收納在基底絕緣層7的下缺口部27內。如圖3所示，前側部分42與下側部分34隔開間隔地配置在基底絕緣層7中的在寬度方向上夾著下缺口部27的下側部分34之間。另外，如圖8所示，前側部分42的上端面與上側部分33的下表面相抵接（面接觸）。如圖12所示，突出部40的寬度L4形成得比下缺口部27的寬度L3（參照圖5）小，例如為下缺口部27的寬度L3的90％以下，優(yōu)選為下缺口部27的寬度L3的80％以下，且為下缺口部27的寬度L3的50％以上，具體地說，為50μm～400μm，優(yōu)選為100μm～300μm。并且，如參照圖8那樣，在該帶電路的懸掛基板1中，在第1開口部43收納重疊部分45的同時第2開口部46收納突出部分47。因此，能夠防止因突出部分47的干涉而導致?lián)p傷。其結果，帶電路的懸掛基板1的可靠性優(yōu)異。另外，在圖1的實施方式中，以信號布線15、磁頭側端子18以及外部側端子19的數量分別為6個進行了說明，但是該數量沒有特別限定，例如，也能夠設定為12～14個。另外，在圖2的實施方式中，在端子形成區(qū)域17的寬度方向中央形成有元件側端子24，但是該元件側端子24的配置沒有特別限定，例如，元件側端子24也能夠形成在端子形成區(qū)域17的寬度方向端部處。另外，在圖7的實施方式中，將覆蓋絕緣層9形成為使元件側端子24露出的圖案，但是，例如，雖未圖示，也能夠將覆蓋絕緣層9形成為覆蓋元件側端子24的圖案。另外，在圖5的實施方式中，將基底貫通孔28形成為俯視大致圓形狀，但是基底貫通孔28的俯視形狀沒有特別限定，例如，雖未圖示，也能夠將基底貫通孔28形成為俯視大致圓形狀、俯視大致多邊形狀（具體地說，俯視大致矩形狀）。而且，在圖2的實施方式中，在寬度方向上彼此隔開間隔地設有兩個基座35，且該基座35分別形成為俯視大致矩形狀，但是基座35的數量、配置以及形狀沒有特別限定。圖13是本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式，是基底絕緣層的上側部分的后端部位于比滑撬的前側部分的前端面靠后側的位置的形態(tài)，表示與圖8相對應的剖視圖。對于與上述各部分相對應的構件，在以下的各附圖中標注相同的附圖標記，省略其詳細的說明。在圖8的虛擬線所示的實施方式中，將滑撬3形成為側剖視大致矩形狀，但是，例如，也能夠如圖13所示那樣在滑撬3的前端部的下端部處形成作為第3開口部的滑撬缺口部48。在圖13中，將滑撬缺口部48從滑撬3的前端面的下端部朝向后方切除為側剖視大致矩形狀，并將滑撬缺口部48形成在滑撬3的整個寬度方向上。將滑撬缺口部48設定為能夠收納基底絕緣層7的上側部分33的后端部的尺寸。具體地說，滑撬缺口部48的厚度為例如5μm～50μm，優(yōu)選為10μm～35μm，前后方向長度為例如5μm～50μm，優(yōu)選為10μm～35μm。在圖13的實施方式中，能夠發(fā)揮與圖8的實施方式相同的作用效果，而且，即使是在當在厚度方向上進行投影時基底絕緣層7的上側部分33的后端部位于比滑撬3的前端面靠后側的位置的情況下，也能夠防止基底絕緣層7的上側部分33的后端部與滑撬3的前端面接觸，從而能夠防止因該接觸而導致?lián)p傷。圖14表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式的安裝部的俯視圖，圖15表示圖14所示的安裝部的仰視圖，圖16表示圖14所示的安裝部的側剖視圖，圖17表示說明圖16所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖。在圖8的實施方式中，在導體圖案8上形成有元件側端子24，但是，例如，也能夠如圖16所示那樣將支承端子52形成為與金屬支承基板6在同一層。在圖14中，第2導體圖案21具有與電源布線26電連接的第1導通部53。第1導通部53形成為與圖8的元件側端子24相同的形狀。如圖16所示，第1導通部53的上表面被覆蓋絕緣層9覆蓋。在第1導通部53的下端設有支承端子52。支承端子52形成于第1導通部53的從基底貫通孔28露出的下表面以及基底絕緣層7的在第1導通部53的周圍的部分的下表面。如圖15所示，支承端子52形成為在前后方向上較長的仰視大致矩形狀，并與周圍的金屬支承基板6隔開間隔地配置。支承端子52由與形成金屬支承基板6的金屬材料相同的金屬材料（導體材料）形成，如圖16所示，該支承端子52的厚度與金屬支承基板6的厚度相同。支承端子52經由第1導通部53與電源布線26電連接。另一方面，支承端子52與周圍的金屬支承基板6絕緣。另外，雖在圖16中未圖示，但是也能夠在支承端子52的表面（下表面和側面）上以適當的厚度形成由例如金、鎳等金屬構成的金屬薄層。如圖15所示，支承開口部16形成為仰視大致凸字形狀，該仰視大致凸字形狀形成有由支承開口部16前端面的寬度方向中央向前側呈仰視大致矩形狀突出而成的突出部54。在突出部54的寬度方向內側形成有支承端子52。另外，如圖15和圖16所示，支承端子52的后端面在厚度方向上與下缺口部27的前端面形成得平齊。接著，參照圖17說明制造圖16所示的帶電路的懸掛基板1的方法。在該方法中，如圖17的（a）所示，首先，準備平板狀的金屬支承基板6。接著，在該方法中，如圖17的（b）所示，以形成有上缺口部31（參照圖9）和基底貫通孔28的上述圖案在金屬支承基板6的上表面上形成基底絕緣層7。接著，在該方法中，如圖17的（c）所示，在基底絕緣層7的上表面和基底貫通孔28的內側面上形成包括第1導通部53的導體圖案8。接著，如圖17的（d）所示，以至少覆蓋第1導通部53的方式形成覆蓋絕緣層9。接著，如圖17的（e）所示，在金屬支承基板6上形成支承開口部16。由此，形成支承端子52。接著，如圖17的（f）所示，在基底絕緣層7上形成下缺口部27。由此，獲得帶電路的懸掛基板1。然后，如圖16的虛擬線所示，以發(fā)光元件4經由焊錫球22與支承端子52電連接的方式將滑撬單元5搭載于帶電路的懸掛基板1。圖14～圖17的實施方式能夠發(fā)揮與圖1～圖12的實施方式相同的作用效果。另外，在圖16的實施方式中，以覆蓋第1導通部53的方式形成覆蓋絕緣層9，但是，例如，雖未圖示，也能夠以使第1導通部53露出的方式形成覆蓋絕緣層9。圖18表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式的安裝部的俯視圖，圖19表示圖18所示的安裝部的仰視圖，圖20表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式的安裝部的俯視圖，圖21表示圖20所示的安裝部的仰視圖。圖22表示從上側觀察本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式（未形成有上缺口部的形態(tài)）的安裝部的立體圖，是與圖4相對應的圖。圖23表示在圖22所示的帶電路的懸掛基板上搭載有滑撬單元的狀態(tài)的剖視圖，是與圖9相對應的圖。在圖14和圖15的實施方式中，第1導通部53和支承端子52分別設有1個，但是對于該導通部53和支承端子52的數量并沒有特別限定，例如，能夠設置多個，具體地說，也能夠如圖18和圖19所示那樣各設置3個。在圖18中，3個第1導通部53設在布線折回部25處，具體地說，3個導通部53在寬度方向和長度方向上隔開間隔地設置。如圖19所示，與3個第1導通部53（參照圖18）相對應地設有3個支承端子52，3個支承端子52在寬度方向上彼此隔開間隔地配置。3個支承端子52各自的前端部分別與3個第1導通部53在厚度方向上相對，并且3個支承端子52的后端面配置為當在寬度方向上進行投影時彼此位于相同的位置。圖18和圖19的實施方式能夠發(fā)揮與圖14～圖16的實施方式相同的作用效果。另外，如圖20和圖21所示，也能夠將支承端子52和元件側端子24一起使用而設置上述支承端子52和元件側端子24。在圖20中，第1導通部53和元件側端子24在前后方向和寬度方向上彼此隔開間隔地排列配置。第1導通部53設有兩個，且配置為當在前后方向上進行投影時在寬度方向上元件側端子24位于兩個第1導通部53之間。另外，當在寬度方向上進行投影時，兩個第1導通部53與支承端子52隔開間隔地配置在支承端子52的前側。如圖21所示，與兩個第1導通部53相對應地設有兩個支承端子52，兩個支承端子52在寬度方向上彼此隔開間隔地配置。另外，支承端子52配置為在寬度方向上第1導通部53位于兩個支承端子52之間。支承端子52設于基底絕緣層7的下側部分34。另外，下缺口部27在整個前后方向上切除下側部分34的寬度方向中央部。圖20和圖21的實施方式能夠發(fā)揮與圖1～圖12、圖18以及圖19的實施方式相同的作用效果。另外，在圖4和圖9的實施方式中，在基底絕緣層7上形成有上缺口部31，但是，例如，也能夠如圖22和圖23所示那樣不在基底絕緣層7上形成上缺口部31而將基底絕緣層7的在端子形成區(qū)域17中的后端部形成為面對支承開口部16的側剖視大致矩形狀。如圖22和圖23所示，基底絕緣層7的在端子形成區(qū)域17中的后端面和上端面分別形成為平坦狀。在圖22和圖23的實施方式中，當在寬度方向上對基底絕緣層7進行投影時，將與下缺口部27（在圖23中未圖示）重疊的部分設為下側部分34，將未與下缺口部27重疊并形成在下缺口部27的上側和下側部分34的上側的部分設為上側部分33。上側部分33覆蓋下缺口部27并且與下側部分34相連地形成。下側部分34以在寬度方向上夾著下缺口部27的方式形成在下缺口部27的寬度方向兩側。另外，上側部分33與下側部分34形成為在厚度方向上平齊。另外，當如圖23的虛擬線所示那樣在帶電路的懸掛基板1上搭載有滑撬單元5時，滑撬3的前端部在前后方向上與基底絕緣層7的在端子形成區(qū)域17中的后端面隔開微小的間隔。采用圖22和圖23的實施方式，也能夠發(fā)揮與圖4和圖9的實施方式相同的作用效果。圖24表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式的安裝部的俯視圖，圖25表示帶電路的懸掛基板的圖24的E－E剖視圖，圖26表示帶電路的懸掛基板的圖24的F－F剖視圖，圖27表示帶電路的懸掛基板的圖24的G－G剖視圖，圖28表示帶電路的懸掛基板的圖24的H－H的剖視圖。如圖25所示，也能夠由第1基底絕緣層71和第2基底絕緣層72這兩個層來形成基底絕緣層7。如圖25所示，基底絕緣層7包括形成于金屬支承基板6之上的第1基底絕緣層71和形成于第1基底絕緣層71之上的第2基底絕緣層72。如圖27所示，在第1基底絕緣層71上形成有下缺口部27。如圖26所示，第2基底絕緣層72形成為覆蓋電源布線26的下側部32（后述）的下表面。另外，在第2基底絕緣層72之上形成有覆蓋絕緣層9。如圖28所示，包括磁頭側端子18和信號布線15的第1導體圖案20形成于第2基底絕緣層72的整個上表面。如圖26所示，第2導體圖案21中的電源布線26包括成一體的、形成于第2基底絕緣層72的上表面的上側部49和形成于第1基底絕緣層71的上表面的下側部32。下側部32形成為夾在第1基底絕緣層71和覆蓋絕緣層9之間。上側部49形成為夾在第2基底絕緣層72和覆蓋絕緣層9之間。如圖24和圖26所示，上側部49和下側部32經由配置于布線折回部25的寬度方向另一側端部與中央部之間的、俯視大致圓形狀的第2導通部57在厚度方向上電連接起來。即，下側部32形成為從第2導通部57向左側連續(xù)地延伸，上側部49形成為從第2導通部57向右側連續(xù)地延伸。如圖27所示，元件側端子24的前端部形成于第1基底絕緣層71的上表面，另一方面，元件側端子24的后端部形成為從第1基底絕緣層71露出。具體地說，在剖視圖中，元件側端子24的前后方向中途部分以沿著第1基底絕緣層71的后端面的方式形成，之后，元件側端子24的后端部形成為從第1基底絕緣層71的后端面向后側突出。另外，元件側端子24的后端部的下表面形成得與第1基底絕緣層71上的下缺口部27的上表面齊平。采用圖24～圖28的實施方式也能夠發(fā)揮與圖1～圖12的實施方式相同的作用效果。而且，采用圖24～圖28的實施方式，元件側端子24（參照圖27）和磁頭側端子18（參照圖28）分別形成于不同的基底絕緣層7上，具體地說，如圖27所示，元件側端子24（的前端部）形成于第1基底絕緣層71之上，另一方面，如圖28所示，磁頭側端子18形成于第2基底絕緣層72之上。因此，能夠提高元件側端子24與磁頭側端子18之間的設計上的自由度，進而，能夠提高滑撬3和發(fā)光元件4之間的配置上的自由度，該滑撬3搭載與元件側端子24及磁頭側端子18相連接的磁頭2。圖29表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其他實施方式的安裝部的俯視圖，圖30表示帶電路的懸掛基板的圖29的I－I剖視圖。在圖24～圖28的實施方式中，參照圖24和圖25，以在厚度方向上進行投影時不相互重疊的方式配置元件側端子24和磁頭側端子18，但是，例如，也可以如圖29所示那樣以在厚度方向上進行投影時相互重疊的方式配置元件側端子24和磁頭側端子18。如圖29的虛線所示，元件側端子24配置為當在厚度方向上進行投影時其與寬度方向另一側部分（右側部分）中的、配置于最靠近寬度方向中央側（左側）的位置的磁頭側端子18a局部重疊。具體地說，當在厚度方向上進行投影時，元件側端子24的寬度方向另一端部（右端部）與磁頭側端子18a的寬度方向一端部（左端部）相重疊，另外，如圖29和圖30所示，當在厚度方向上進行投影時，元件側端子24的后端部與磁頭側端子18的前端部相重疊。另外，在第2基底絕緣層72上形成有下缺口部27。采用圖29和圖30的實施方式，由于使元件側端子24與磁頭側端子18在厚度方向上進行投影時相重疊，因此能夠謀求元件側端子24和磁頭側端子18各自的高密度化，進而，能夠謀求第1導體圖案20和第2導體圖案21各自的高密度化。另外，上述說明是作為本發(fā)明的例示的實施方式而提供的，其僅為示例，不能進行限定性解釋。本領域技術人員容易想到的本發(fā)明的變形例包含在本發(fā)明的保護范圍內。