記錄頭線圈結(jié)構(gòu)

背景技術(shù)：
具有位于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)（即一個(gè)或多個(gè)盤）上的一個(gè)或多個(gè)滑塊的盤驅(qū)動(dòng)器是使用磁場來寫入和讀取數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的示例。滑塊可攜帶換能器，該換能器將信息寫入盤的數(shù)據(jù)表面并從盤的數(shù)據(jù)表面讀取信息。在一個(gè)示例中，換能器包括記錄頭或?qū)懭腩^，用于生成排列磁介質(zhì)的磁矩以表示期望的數(shù)據(jù)位的磁場。磁記錄頭包括縱向和垂直的記錄技術(shù)。垂直記錄是一種形式的磁記錄，其中表示數(shù)據(jù)位的磁矩垂直于記錄層的表面定向。垂直磁寫入頭通常包括主磁極和返回磁極，該主磁極和返回磁極被分離以形成寫入間隙并從位于空氣承載表面（ABS）處的極尖延伸到后間隙區(qū)。包括線圈以響應(yīng)于穿過線圈傳導(dǎo)的電流生成穿過主磁極和返回磁極的磁信號(hào)。主磁極尖聚焦磁通密度，使得磁場與磁介質(zhì)相互作用以在向上或向下的方向上使其磁矩定向。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本文中描述和要求保護(hù)的實(shí)現(xiàn)方式提供了一種記錄頭，包括寫入磁極和線圈結(jié)構(gòu)，該線圈結(jié)構(gòu)相對于寫入磁極不對稱且被配置成在主磁極的后側(cè)生成的磁通量比在主磁極的前側(cè)生成的磁通量更多。提供本概述以便以簡化形式介紹在以下具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述的對概念的選擇。本發(fā)明內(nèi)容并不旨在標(biāo)識(shí)所要求保護(hù)主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護(hù)主題的范圍。通過閱讀以下詳細(xì)描述，這些以及各個(gè)其他特征和優(yōu)點(diǎn)將是顯而易見的。附圖簡述圖1示出在執(zhí)行器組件的端部實(shí)現(xiàn)的示例寫入磁極結(jié)構(gòu)示意框圖。圖2示出記錄頭的兩個(gè)部分橫截面配置的框圖。圖3示出包括不對稱線圈結(jié)構(gòu)的記錄頭的實(shí)現(xiàn)。圖4示出包括不對稱線圈結(jié)構(gòu)的記錄頭的可選實(shí)現(xiàn)。圖5示出包括不對稱線圈結(jié)構(gòu)的記錄頭的另一個(gè)可選實(shí)現(xiàn)。圖6示出包括不對稱線圈結(jié)構(gòu)的記錄頭的另一個(gè)可選實(shí)現(xiàn)。圖7示出記錄頭中的磁通密度。圖8示出用于記錄頭的線圈結(jié)構(gòu)的各種可選的自頂向下的橫截面圖。具體實(shí)施方式隨著增加面密度的進(jìn)一步推動(dòng)，需要垂直記錄寫入器來在磁介質(zhì)的記錄層中生成大的寫入磁場和磁場梯度。然而，來自記錄寫入器的主磁極的寫入磁場通常受到頭材料的最大磁矩和磁極幾何形狀的限制。為了進(jìn)一步增加垂直磁記錄的磁道密度，主磁極的后沿的寬度需要變得更小以便能夠?qū)懭胝诺?。利用垂直磁記錄?shí)現(xiàn)增加的面密度生長需要對于給定的磁道寬度生成具有大磁場梯度的大寫入磁場的快速寫入器?？赏ㄟ^調(diào)諧空氣承載表面（ABS）附近的主磁極的幾何形狀，諸如ABS的張角以及周圍屏蔽、后屏蔽、側(cè)屏蔽等，來控制介質(zhì)平面中的寫入磁場和有效磁場梯度。通過小心地控制主磁極和后屏蔽之間的交互來實(shí)現(xiàn)最大梯度。具體地，后屏蔽磁化方向在控制主磁極切換期間的動(dòng)態(tài)寫入磁場梯度和靜態(tài)寫入磁場梯度方面是有用的。在記錄頭的一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，主磁極磁場驅(qū)動(dòng)后屏蔽磁化的動(dòng)態(tài)性。在這種被動(dòng)實(shí)現(xiàn)中，在部分切換期間，很難通過圍繞主磁極的線圈的安培磁場驅(qū)動(dòng)主磁極。在磁通量到達(dá)后屏蔽并且開始后屏蔽中磁化反轉(zhuǎn)之前有有限的時(shí)間延遲。然而，僅在后屏蔽的磁化反轉(zhuǎn)幾乎完成之后實(shí)現(xiàn)最大寫入磁場梯度。本文中公開的記錄頭的實(shí)現(xiàn)包括包括附加的線圈匝數(shù)，以驅(qū)動(dòng)后返回磁極和后屏蔽，從而減少由于磁通量傳播到后屏蔽的時(shí)間延遲以及由于后屏蔽的磁化反轉(zhuǎn)引起的相偏移。提供這種附加的線圈匝數(shù)還導(dǎo)致更好的動(dòng)態(tài)寫入磁場梯度。具體地，記錄頭包括不對稱線圈結(jié)構(gòu)，這種不對稱線圈結(jié)構(gòu)增加了后屏蔽中的磁通密度。圖1示出在執(zhí)行器組件的端部實(shí)現(xiàn)的示例記錄頭結(jié)構(gòu)的示意框圖100。具體地，圖1示出盤102的實(shí)現(xiàn)的平面圖，其中換能器頭104位于執(zhí)行器組件106的一端上。盤102在操作期間圍繞盤的旋轉(zhuǎn)軸108旋轉(zhuǎn)。此外，盤102包括外直徑110和內(nèi)直徑112，在兩者之間是許多個(gè)數(shù)據(jù)磁道114，在附圖中以圓形虛線表示。數(shù)據(jù)磁道114基本上是圓形的，并且由規(guī)則間隔的圖案化位形成?？赏ㄟ^利用執(zhí)行器組件106向數(shù)據(jù)磁道114上的圖案化位寫入信息或從其讀取信息，該執(zhí)行器組件106在數(shù)據(jù)磁道114試圖圍繞毗鄰盤102定位的執(zhí)行器旋轉(zhuǎn)軸116操作期間旋轉(zhuǎn)。安裝在執(zhí)行器組件106上遠(yuǎn)離執(zhí)行器旋轉(zhuǎn)軸116的一端上的換能器頭104在盤操作期間緊鄰盤102的表面之上飛行。換能器頭104包括記錄頭，該記錄頭包括用于從磁道114讀取數(shù)據(jù)的讀取磁極和用于將數(shù)據(jù)寫入磁道114的寫入磁極。在換能器頭的一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，位于換能器頭114上的記錄頭包括配置成將數(shù)據(jù)寫入磁介質(zhì)的主磁極。主磁極具有在磁介質(zhì)附近形成空氣軸承表面（ABS）的前沿。此外，記錄頭還包括具有與ABS平行的表面的后屏蔽。換能器頭包括線圈結(jié)構(gòu)，該線圈結(jié)構(gòu)在主磁極的邊緣處和接近ABS的后屏蔽中生成磁荷密度。主磁極中和接近ABS的后屏蔽中的磁荷密度在記錄介質(zhì)中產(chǎn)生磁場，該磁場的角度不同于與ABS垂直的角度。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，記錄頭的線圈結(jié)構(gòu)被配置成在主磁極的邊緣和接近ABS的后屏蔽處生成荷密度，使得介質(zhì)中的磁場以比垂直于ABS更小的角度取向。具體地，介質(zhì)中的磁場梯度的角度向后屏蔽偏轉(zhuǎn)并且離開與ABS垂直的方向。圖1還示出記錄頭120的部分橫截面配置的展開圖。相對于記錄介質(zhì)的ABS130示出記錄頭120。具體地，記錄頭120包括主磁極132（也稱為寫入磁極）和后屏蔽結(jié)構(gòu)134。利用不對稱線圈結(jié)構(gòu)激勵(lì)記錄頭，以致使在主磁極132和后屏蔽結(jié)構(gòu)134中生成磁通密度。記錄頭120還示出主磁極132中的磁通方向136垂直于ABS130并且沿ABS130的方向。穿過后屏蔽134的磁通密度的方向134平行于ABS130，并且它遠(yuǎn)離主磁極132地流動(dòng)。磁化136導(dǎo)致主磁極132的邊緣上的正磁荷密度140。類似地，磁化138導(dǎo)致后屏蔽134表面處的負(fù)磁荷密度142。磁化136和138及磁荷密度140和142導(dǎo)致在磁介質(zhì)中生成具有磁場角度144的磁場。在本實(shí)現(xiàn)中，記錄頭120的線圈結(jié)構(gòu)被配置成生成磁化136和138及磁荷密度140和142，使得磁介質(zhì)中的磁場144的角度傾斜成遠(yuǎn)離與ABS130垂直并且朝向后屏蔽134的方向。換言之，磁場角度144基本上不垂直于ABS130。圖1中的公開的記錄頭120包括不對稱線圈結(jié)構(gòu)，該不對稱線圈結(jié)構(gòu)具有后線圈結(jié)構(gòu)150和前線圈結(jié)構(gòu)152。線圈結(jié)構(gòu)150和152在一種或多種特性方面是彼此不同的。具體地，后線圈結(jié)構(gòu)150和前線圈結(jié)構(gòu)152的特性彼此不同，使得所得到的磁化136和138及所得到的磁荷密度140和142導(dǎo)致與垂直于記錄介質(zhì)的ABS130的磁場角度相比，磁場角度144傾斜。例如，在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，后線圈結(jié)構(gòu)150所包括的線圈匝數(shù)多于前線圈結(jié)構(gòu)152中的線圈匝數(shù)。在可選實(shí)現(xiàn)中，后線圈結(jié)構(gòu)150的線圈攜帶的電流大于前線圈結(jié)構(gòu)152中的線圈所攜帶的電流。圖2示出記錄頭的兩個(gè)部分橫截面配置的框圖。具體地，圖2示出記錄頭202的第一配置，其中主磁極的后側(cè)和前側(cè)上的線圈結(jié)構(gòu)是基本對稱的。與之相比，在記錄頭204的第二配置中，主磁極的前側(cè)和后側(cè)上的其線圈結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)特性的不對稱性在于主磁極的后側(cè)上的線圈結(jié)構(gòu)具有至少一個(gè)與主磁極的前側(cè)上的線圈結(jié)構(gòu)的相應(yīng)特性相比不同的特性。例如，在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，后線圈結(jié)構(gòu)中的線圈匝數(shù)不同于前線圈結(jié)構(gòu)中的線圈匝數(shù)?；蛘?，后線圈結(jié)構(gòu)中流動(dòng)的電流與前線圈結(jié)構(gòu)中流動(dòng)的電流相比不同。具體地，記錄頭202的第一配置包括主磁極212和接近ABS216的后屏蔽結(jié)構(gòu)214。記錄頭202還包括后線圈結(jié)構(gòu)220和前線圈結(jié)構(gòu)222。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，后線圈結(jié)構(gòu)220的各種特性和前線圈結(jié)構(gòu)222的相應(yīng)特性基本相同。因此，例如，后線圈結(jié)構(gòu)220的線圈匝數(shù)與前線圈結(jié)構(gòu)222的線圈匝數(shù)基本相同。類似地，后線圈結(jié)構(gòu)220中攜帶的電流與前線圈結(jié)構(gòu)222中攜帶的電流基本相同。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，線圈結(jié)構(gòu)220和222彼此互連。例如，線圈結(jié)構(gòu)220和222是單個(gè)螺旋線圈結(jié)構(gòu)的一部分，使得它們二者均攜帶來自單個(gè)電流源的電流。在這一實(shí)現(xiàn)中，這種螺旋線圈結(jié)構(gòu)的匝數(shù)繞主磁極212纏繞。作為流過線圈結(jié)構(gòu)220和222的電流的結(jié)果，在主磁極212中生成磁通密度224，并且在后屏蔽結(jié)構(gòu)214中生成磁通密度226。線圈結(jié)構(gòu)220和222中流動(dòng)的電流的方向被選擇為，使得磁通密度指向ABS216，并且磁通密度226沿ABS216的方向取向并且遠(yuǎn)離主磁極212的尖端。這種磁通密度穿過ABS進(jìn)入磁介質(zhì)并且可用于導(dǎo)致在介質(zhì)中進(jìn)行垂直記錄。平衡線圈結(jié)構(gòu)220和222導(dǎo)致磁介質(zhì)中的磁場處于與磁介質(zhì)的表面基本垂直的角度，磁場的角度僅朝向后屏蔽結(jié)構(gòu)214略微傾斜。這種磁場角度由磁場向量228示出。記錄頭操作的有限元分析（FEM）示出磁化角度從垂直于最接近主磁極212的表面的角度增加導(dǎo)致更有效的記錄頭操作。為了實(shí)現(xiàn)這種增加的磁化角度，記錄頭204的第二配置包括在記錄頭204的主磁極周圍產(chǎn)生磁通密度不平衡性的線圈結(jié)構(gòu)。具體地，記錄頭204的第二配置包括主磁極232和接近ABS236的后屏蔽結(jié)構(gòu)234。記錄頭204還包括后線圈結(jié)構(gòu)240和前線圈結(jié)構(gòu)242。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，后線圈結(jié)構(gòu)240的各種特性和前線圈結(jié)構(gòu)242的相應(yīng)特性不平衡。因此，例如，后線圈結(jié)構(gòu)240的線圈匝數(shù)與前線圈結(jié)構(gòu)242的線圈匝數(shù)不同。類似地，后線圈結(jié)構(gòu)240中攜帶的電流與前線圈結(jié)構(gòu)242中攜帶的電流基本不同?；蛘撸缶€圈結(jié)構(gòu)240包括至少一個(gè)圍繞后通孔纏繞的扁平線圈，該后通孔將主磁極232連接至返回磁極，該返回磁極連接至后屏蔽結(jié)構(gòu)234。或者，后線圈結(jié)構(gòu)240包括至少一個(gè)螺旋線圈，該螺旋線圈圍繞與后屏蔽結(jié)構(gòu)234連接的返回磁極纏繞。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，線圈結(jié)構(gòu)240和242彼此互連。例如，線圈結(jié)構(gòu)240和242是單個(gè)螺旋線圈結(jié)構(gòu)的一部分，使得它們二者均攜帶來自單個(gè)電流源的電流。在這一實(shí)現(xiàn)中，這種螺旋線圈結(jié)構(gòu)的匝數(shù)繞主磁極232纏繞。作為流過線圈結(jié)構(gòu)240和242的電流的結(jié)果，在主磁極232中生成磁通密度244，并且在后屏蔽結(jié)構(gòu)234中生成磁通密度246。線圈結(jié)構(gòu)240和242中流動(dòng)的電流的方向被選擇為，使得磁通密度指向ABS236，并且磁通密度246沿ABS236的方向流動(dòng)并且遠(yuǎn)離主磁極232的尖端。介質(zhì)中的磁通密度用于導(dǎo)致在介質(zhì)中進(jìn)行垂直記錄。線圈結(jié)構(gòu)240和242的至少一個(gè)特性是不對稱的，以便導(dǎo)致主磁極232后側(cè)中的磁通密度高于主磁極232前側(cè)上的磁通密度。這種不對稱磁通導(dǎo)致主磁極212尖端處的正磁荷累積和后屏蔽結(jié)構(gòu)234的接近主磁極232的尖端處的負(fù)磁荷累積。磁通密度244和246及主磁極232和后屏蔽結(jié)構(gòu)234中磁荷的累積導(dǎo)致后屏蔽結(jié)構(gòu)234中最接近主磁極232的表面處的磁化角度與垂直于ABS236的角度基本不同。具體地，如磁場向量248所示，磁介質(zhì)中的磁場的角度基本上朝向后屏蔽結(jié)構(gòu)234傾斜并且遠(yuǎn)離垂直于ABS的方向。換言之，磁場朝向后屏蔽結(jié)構(gòu)234的傾斜增加。圖3示出包括不對稱線圈結(jié)構(gòu)的記錄頭300的實(shí)現(xiàn)。也被稱為讀/寫換能器的記錄頭300被配置成用于對介質(zhì)302的垂直記錄。具體地，記錄頭300包括配置成向介質(zhì)302寫入數(shù)據(jù)的主磁極304。因此，主磁極304也被稱為寫入磁極。主磁極304包括限定記錄頭300的空氣承載表面（ABS）306的一部分并且定位在記錄介質(zhì)304的一部分上以便在其上記錄數(shù)據(jù)的表面。主磁極304由鐵磁材料制成，諸如但不限于鐵（Fe）、鈷（Co）、鎳（Ni）及其組合。例如，主磁極106可包括合金，諸如但不限于鐵鈷（FeCo）、鐵鎳（FeNi）、鈷鐵鎳（CoFeNi）等。記錄頭300的一種實(shí)現(xiàn)還包括多個(gè)返回磁極。相對于由數(shù)字308表示的記錄介質(zhì)302的移動(dòng)，第一返回磁極包括引導(dǎo)磁極310并且定位在主磁極304的引導(dǎo)側(cè)。此外，第二返回磁極包括后磁極312并且定位在主磁極304的后側(cè)。如圖3所示，引導(dǎo)磁極310與主磁極304分離并且通過引導(dǎo)后通孔314與主磁極304相連接。類似地，后磁極312還通過后緣后通孔316與主磁極304連接。主磁極304包括主磁極尖端320，其形成記錄頭300的ABS306的一部分。在記錄頭300的一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，后磁極312連接至后屏蔽322。后屏蔽322包括也形成ABS306的一部分的表面324。此外，后屏蔽322還形成后屏蔽尖端326，它是ABS306的一部分并且接近主磁極尖端320。在可選實(shí)現(xiàn)中，記錄頭300還包括位于引導(dǎo)返回磁極310附近且在與主磁極304相反一側(cè)上的讀取器（未示出）。記錄頭300還包括與主磁極304相鄰定位的磁軛330。記錄頭300的實(shí)現(xiàn)包括繞主磁極304纏繞的螺旋線圈332。具體地，螺旋線圈332在主磁極304和引導(dǎo)返回磁極310之間并且在主磁極304和后返回磁極312之間延伸。例如，螺旋線圈332形成為繞主磁極304纏繞的螺旋線圈。在一個(gè)實(shí)施例中，絕緣材料（未示出）使螺旋線圈332與主磁極304和引導(dǎo)返回磁極310電絕緣，并且與主磁極304和后返回磁極312電絕緣。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，螺旋線圈332的每匝與螺旋線圈332的其它匝串聯(lián)。然而，可利用螺旋線圈332的任何適當(dāng)配置。例如，螺旋線圈132可包括均形成單獨(dú)電路的多個(gè)線圈（例如，兩個(gè)線圈）。此外，記錄頭300還包括繞后緣后通孔316纏繞的扁平線圈334。在一個(gè)實(shí)施例中，絕緣材料（未示出）使扁平線圈334與主磁極304電絕緣并且與后緣后通孔316電絕緣。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，與用于對螺旋線圈332供電的電路分離的電路對扁平線圈334供電。然而，在可選實(shí)現(xiàn)中，同一電路用于對螺旋線圈332和扁平線圈334兩者供電。作為激勵(lì)線圈332和334的結(jié)果，在主磁極304、引導(dǎo)返回磁極310、后返回磁極312、連接通孔314和316及記錄介質(zhì)302的軟磁層中形成磁路。流過線圈332和334的電流感應(yīng)出流過形成在記錄頭300中的該磁路的磁通量。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，在扁平線圈334未被激勵(lì)且僅螺旋線圈332被激勵(lì)的情況下，穿過記錄介質(zhì)302的磁通量的方向基本上垂直于ABS306?；蛘?，當(dāng)扁平線圈334也被激勵(lì)時(shí)，后屏蔽322中的磁通量增加。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，扁平線圈被激勵(lì)使得主磁極尖端320上的表面電荷為正，而后屏蔽尖端326上的表面電荷為負(fù)。主磁極尖端320和后屏蔽尖端326的磁化導(dǎo)致后屏蔽324上接近主磁極尖端320的表面處的磁化角度改變。具體地，磁介質(zhì)中的磁場348的角度從基本垂直于ABS306并且朝向后屏蔽322的方向改變。磁化角度的這種遠(yuǎn)離垂直于ABS306的方向并且更多地朝向后屏蔽取向的改變導(dǎo)致在后屏蔽上最接近主磁極的表面處增加的磁荷密度，并且導(dǎo)致增加的磁場角度、更大的磁疇壁角度和更大的寫入磁場梯度。此外，在主磁極的動(dòng)態(tài)切換期間的磁化角度的這種變化也導(dǎo)致在寬范圍條件下增加的動(dòng)態(tài)下磁道（down-track）梯度。圖4示出包括不對稱線圈結(jié)構(gòu)的記錄頭400的可選實(shí)現(xiàn)。記錄頭400用于將信息寫入磁記錄介質(zhì)402。記錄頭400包括繞主磁極404纏繞的螺旋線圈432和繞后緣后通孔416纏繞的扁平線圈434。激勵(lì)螺旋線圈432和扁平線圈434導(dǎo)致在主磁極404、后返回磁極412和后屏蔽422中生成磁通量。具體地，激勵(lì)扁平線圈434導(dǎo)致后屏蔽422中磁通量增加以及后屏蔽尖端426上磁表面電荷的增加。類似地，它導(dǎo)致主磁極404中的磁通密度及主磁極尖端420上的磁表面電荷。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，扁平線圈被激勵(lì)使得主磁極尖端420上的表面電荷為正，而后屏蔽尖端426上的表面電荷為負(fù)。主磁極尖端420和后屏蔽尖端426的磁化導(dǎo)致后屏蔽422上接近主磁極尖端420的表面處的磁化角度改變。具體地，磁介質(zhì)中的磁場448的角度從基本垂直于ABS406并且朝向后屏蔽422的方向改變。換言之，磁場朝向后屏蔽422的傾斜增加。圖5示出包括不對稱線圈結(jié)構(gòu)的記錄頭500的另一個(gè)可選實(shí)現(xiàn)。記錄頭500用于將信息寫入磁記錄介質(zhì)502。記錄頭500包括繞主磁極504纏繞的螺旋線圈532和繞后緣后通孔516纏繞的扁平線圈534。激勵(lì)螺旋線圈532和扁平線圈534導(dǎo)致在主磁極504、后返回磁極512和后屏蔽522中生成磁通量。具體地，激勵(lì)扁平線圈534導(dǎo)致后屏蔽522中磁通量增加以及后屏蔽尖端526上表面電荷的增加。類似地，激勵(lì)扁平線圈534導(dǎo)致主磁極504中的磁通密度及主磁極尖端520上的磁表面電荷。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，扁平線圈534被激勵(lì)使得主磁極尖端520上的磁表面電荷為正，而后屏蔽尖端526上的磁表面電荷為負(fù)。主磁極尖端520和后屏蔽尖端526的磁化導(dǎo)致后屏蔽522上接近主磁極尖端520的表面處的磁化角度改變。具體地，磁介質(zhì)中的磁場548的角度從基本垂直于ABS506并且朝向后屏蔽522的方向改變。換言之，磁場朝向后屏蔽522的傾斜增加。圖6示出包括不對稱線圈結(jié)構(gòu)的記錄頭600的另一個(gè)可選實(shí)現(xiàn)。記錄頭600用于將信息寫入磁記錄介質(zhì)602。記錄頭600包括繞主磁極604纏繞的螺旋線圈632和繞后磁極612纏繞的扁平線圈634，后磁極612通過后通孔616連接至主磁極604。激勵(lì)螺旋線圈632和扁平線圈634導(dǎo)致在主磁極604、后返回磁極612和后屏蔽622中生成磁通量。具體地，激勵(lì)扁平線圈634導(dǎo)致后屏蔽622中磁通量增加以及后屏蔽尖端626上磁表面電荷密度的增加。類似地，它導(dǎo)致主磁極604中的磁密度及主磁極尖端620上的磁表面電荷。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，扁平線圈被激勵(lì)使得主磁極尖端620上的表面電荷為正，而后屏蔽尖端626上的表面電荷為負(fù)。主磁極尖端620和后屏蔽尖端626的磁化導(dǎo)致后屏蔽622上接近主磁極尖端620的表面處的磁化角度改變。具體地，磁場648的角度遠(yuǎn)離基本垂直于ABS606的方向的傾斜增加。結(jié)果，磁介質(zhì)中的磁場基本上遠(yuǎn)離垂直于ABS606的方向傾斜。換言之，磁場648的角度增加。圖7示出在本文中實(shí)現(xiàn)的記錄頭中的磁通密度。具體地，記錄頭700的截面公開了當(dāng)繞主磁極704的線圈的激勵(lì)平衡時(shí)主磁極704和后屏蔽706中的磁通密度。因此，例如，記錄頭700示出當(dāng)主磁極704的前側(cè)上的線圈匝數(shù)與主磁極704的后側(cè)（朝向后屏蔽706）上的線圈匝數(shù)相同時(shí)的磁通密度。另一方面，記錄頭702公開了當(dāng)繞主磁極714的線圈的激勵(lì)不平衡時(shí)主磁極714和后屏蔽716中的磁通密度。因此，例如，記錄頭702示出當(dāng)主磁極714的前側(cè)上的線圈匝數(shù)大于主磁極714的后側(cè)上的線圈匝數(shù)時(shí)的磁通密度。如與箭頭718的尺寸相比的箭頭708的尺寸所示，在與主磁極714的前側(cè)上的線圈匝數(shù)相比，主磁極714的后側(cè)（朝向后屏蔽716）上的線圈匝數(shù)更多的情況下，后屏蔽716中的磁通密度在記錄頭702中更大。圖8示出用于記錄頭的線圈結(jié)構(gòu)的各種可選的自頂向下的橫截面圖。具體地，圖8的每個(gè)自頂向下的橫截面圖示出在記錄頭的主磁極和后磁極之間的線圈結(jié)構(gòu)的一個(gè)線圈-線。例如，實(shí)現(xiàn)802示出主磁極804和基本上平行于ABS表面808的線圈-線806。線圈-線806攜帶如箭頭810所示的沿從左向右方向的電流。在線圈線806中由電流810生成的磁場（如右手規(guī)則所給出的）在垂直于ABS808并且朝向ABS808的方向上。這種磁場由箭頭812示出?？蛇x實(shí)現(xiàn)822示出主磁極824和被安排為與ABS表面828相比為曲線的線圈-線826。線圈-線826攜帶如箭頭830所示的沿從左向右方向的電流。在線圈線826中由電流830生成的磁場（如右手規(guī)則所給出的）在朝向ABS828的方向上，并且磁場朝向主磁極β824的尖端聚集。這種磁場由箭頭832示出。線圈線826增加主磁極824的尖端處的磁通密度并且改進(jìn)主磁極824的切換動(dòng)態(tài)性。另一個(gè)可選實(shí)現(xiàn)842示出主磁極844和被安排為與ABS表面848相比為分段線性曲線的線圈-線846。線圈-線846攜帶如箭頭850所示的沿從左向右方向的電流。在線圈線846中由電流850生成的磁場（如右手規(guī)則所給出的）在朝向ABS848的方向上，并且磁場朝向主磁極844的尖端聚集。這種磁場由箭頭852示出。線圈線846增加主磁極844的尖端處的磁通密度并且改進(jìn)主磁極844的切換動(dòng)態(tài)性。前面的說明、示例和數(shù)據(jù)提供了對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)和示例性實(shí)現(xiàn)方式的使用的完整說明。由于可不脫離本發(fā)明的精神和范圍地構(gòu)思出本發(fā)明的許多實(shí)現(xiàn)方式，因此本發(fā)明落在下面所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。此外，不同實(shí)現(xiàn)方式的結(jié)構(gòu)特征可結(jié)合到又一實(shí)現(xiàn)方式中而不脫離所引述的權(quán)利要求的范圍。上述實(shí)現(xiàn)及其他實(shí)現(xiàn)落在以下權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。