混合存儲器的制造方法
【專利摘要】雙開關(guān)混合存儲單元器件包括：連接于第一開關(guān)的一個端子和第二開關(guān)的柵極之間的存儲節(jié)點。該器件還包括：連接至存儲節(jié)點的電阻切換器件。當(dāng)存儲單元處于動態(tài)模式時，電阻切換器件通過被設(shè)置為高阻態(tài)用作電容。本發(fā)明還提供了混合存儲器。
【專利說明】混合存儲器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地來說，涉及存儲單元器件。
【背景技術(shù)】
[0002]計算機存儲器可以是易失性或非易失性的。易失性存儲器可以以相對高速運行，但是為了保持其數(shù)據(jù)，必須被連接至電源。一種類型的易失性存儲器是動態(tài)存儲器。動態(tài)存儲器通常使用電容來存儲數(shù)據(jù)。因為存儲在電容中的值將隨著時間逐漸減小，所以必須周期性地對其進行更新。與易失性存儲器相比，非易失性存儲器能夠在沒有電源并且不進行更新的情況下保持其數(shù)據(jù)。然而，非易失性存儲器以相對低速運行。
[0003]存儲系統(tǒng)通常被嵌入多種系統(tǒng)中。例如，移動設(shè)備通常利用在與處理器和其他移動設(shè)備電路相同的集成電路中制造的嵌入式存儲器。移動設(shè)備正變得更強大，然而尺寸變得更小。因此，在移動設(shè)備內(nèi)，期望在每個集成電路上充分利用可用空間。而且，期望確保移動設(shè)備關(guān)于功耗有效地運行。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種雙開關(guān)混合存儲單元器件，包括:存儲節(jié)點，連接于第一開關(guān)的一個端子和第二開關(guān)的柵極之間；以及電阻切換器件，與所述存儲節(jié)點連接；其中，當(dāng)所述存儲單元處于動態(tài)模式時，所述電阻切換器件通過被設(shè)置為高阻態(tài)而用作電容。
[0005]在該器件中，在所述存儲單元處于動態(tài)模式的同時，所述電阻切換器件的所述電
容用于存儲數(shù)字值。
[0006]在該器件中，利用所述存儲單元的存儲系統(tǒng)周期性地對所述電阻切換器件的所述電容進行更新。
[0007]在該器件中，在所述存儲單元處于非易失模式的同時，所述電阻切換器件以非易失方式存儲數(shù)據(jù)。
[0008]在該器件中，所述電阻切換器件為金屬-絕緣體-金屬轉(zhuǎn)換器件。
[0009]在該器件中，所述存儲單元是嵌入式存儲系統(tǒng)的一部分。
[0010]在該器件中，響應(yīng)于功率和存儲需求的結(jié)合，利用所述存儲單元的存儲系統(tǒng)在所述動態(tài)模式和非易失模式之間切換。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于操作雙開關(guān)混合存儲單元的方法，所述方法包括:將信號施加給與第一開關(guān)的一個端子連接的位線，所述第一開關(guān)的第二端子連接至電阻切換器件的第一端子和第二開關(guān)的柵極端子；以及在動態(tài)模式下，在所述電阻切換器件處于高阻態(tài)的同時，將數(shù)據(jù)存儲在所述電阻切換器件的電容中。
[0012]該方法進一步包括:將讀信號施加給與所述第二開關(guān)的第一端子連接的字線；以及將讀出放大器連接至與所述第二開關(guān)的第二端子連接的位線，以讀取用于存儲數(shù)據(jù)的所述電容的狀態(tài)。[0013]該方法進一步包括周期性地對存儲在所述電阻切換器件的所述電容中的信號進行更新。
[0014]該方法進一步包括:將所述存儲單元改變?yōu)榉且资Ｊ?，其中，所述電阻切換器件用于以非易失方式存儲數(shù)據(jù)。
[0015]在該方法中，響應(yīng)于來自利用所述存儲單元的系統(tǒng)的要求，所述存儲單元在所述非易失模式和所述動態(tài)模式之間改變，所述要求基于存儲和功率需求的結(jié)合。
[0016]在該方法中，所述電阻切換器件通過所述電阻切換器件的阻態(tài)來存儲數(shù)據(jù)。
[0017]該方法進一步包括:通過在與所述第一開關(guān)的所述第一端子連接的所述位線和與所述電阻切換器件的第二端子連接的選擇線之間施加信號，來改變所述電阻切換器件的所述阻態(tài)。
[0018]在該方法中，所述電阻切換器件為金屬-絕緣體-金屬轉(zhuǎn)換器件。
[0019]在該方法中，所述存儲單元為嵌入式存儲系統(tǒng)的一部分。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種包括多個雙開關(guān)單元的混合存儲系統(tǒng)，每個單元都包括:寫開關(guān)，包括:第一端子，與寫位線連接；第二端子，與存儲節(jié)點連接；和柵極，與寫字線連接；讀開關(guān)，包括:柵極，與所述存儲節(jié)點連接；第一端子，與讀字線連接；和第二端子，與讀位線連接；以及電阻切換器件，包括:第一端子，與所述存儲節(jié)點連接；和第二端子，與選擇線連接；其中，在所述存儲單元處于動態(tài)模式的同時，處于高阻態(tài)的所述電阻切換器件的電容用于存儲數(shù)據(jù)，并且在所述存儲單元處于非易失模式的同時，所述電阻切換器件的阻態(tài)用于存儲數(shù)據(jù)。
[0021]在該系統(tǒng)中，所述電阻切換器件為金屬-絕緣體-金屬轉(zhuǎn)換器件。
[0022]在該系統(tǒng)中，所述存儲系統(tǒng)包括嵌入式存儲系統(tǒng)。
[0023]在該系統(tǒng)中，響應(yīng)于功率和存儲需求的結(jié)合，所述存儲系統(tǒng)在所述動態(tài)模式和所述非易失模式之間切換。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]當(dāng)結(jié)合附圖進行讀取時，通過以下詳細(xì)說明最好地理解本發(fā)明的多個方面。應(yīng)該強調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐，多種部件沒有按比例繪制。事實上，為了論述清楚起見，多個部件的尺寸可以任意地增加或減小。
[0025]圖1是示出根據(jù)本文中所述的原理的一個實例的示意性混合存儲單元的示圖。
[0026]圖2是示出根據(jù)本文中所述的原理的一個實例的用于動態(tài)模式下的混合存儲單元的示意性寫操作的示圖。
[0027]圖3是根據(jù)本文中所述的原理的一個實例的用于動態(tài)模式下的混合存儲單元的示意性讀操作的示圖。
[0028]圖4是示出根據(jù)本文中所述的原理的一個實例的用于非易失模式下的混合存儲單元的示意性讀/寫操作的示圖。
[0029]圖5是示出根據(jù)本文中所述的原理的一個實例的混合存儲單元的示意性存儲器陣列的示圖。
[0030]圖6是示出根據(jù)本文中所述的原理的一個實例的用于操作混合存儲系統(tǒng)的示意性方法的流程圖?！揪唧w實施方式】
[0031]應(yīng)該理解，以下
【發(fā)明內(nèi)容】
提供了用于實現(xiàn)本發(fā)明的不同特征的多個不同實施例或?qū)嵗榱撕喕景l(fā)明，以下描述組件和布置的特定實例。當(dāng)然，它們僅為實例并且不旨在進行限定。而且，以下說明中的第一工藝在第二工藝之前執(zhí)行可以包括在第一工藝之后立即執(zhí)行第二工藝的實施例，并且還可以包括在第一工藝和第二工藝之間還可以執(zhí)行附加工藝的實施例。為了簡單和清楚起見，可以按不同比例任意繪制多種部件。而且，在以下說明中，在第一部件在第二部件之上或上形成可以包括以直接接觸的方式形成的第一部件和第二部件的實施例，并且還可以包括可以在第一部件和第二部件之間形成附加部件，使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。
[0032]而且，為了便于說明，本文中可以使用諸如“之下”、“下面”、“下部”、“之上”、“上部”等的空間相對位置的術(shù)語，以描述圖中所示的一個元件或部件與另一個元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的定向，空間相對位置的術(shù)語旨在包含使用中或操作中的器件的不同定向。例如，如果翻轉(zhuǎn)附圖中的器件，則被描述為在其他元件或部件“下面”或“之下”的元件則被定向在其他元件或部件“之上”。因此，示例性術(shù)語“下面”可以包含之上和下面的定向。裝置可以以其他方式進行定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他定向上)，因此，可以同樣地解釋本文中所使用的空間關(guān)系描述符。
[0033]圖1是示出說明性的雙開關(guān)混合存儲單元100的示圖。根據(jù)某些說明性實例，存儲單元100包括第一開關(guān)102和第二開關(guān)110。為了以下進一步進行解釋的原因，第一開關(guān)可以被稱為寫開關(guān)102，而第二開關(guān)可以被稱為讀開關(guān)110。存儲單元100還包括電阻切換器件120。根據(jù)某些說明性實例，混合存儲單元100可以在兩種模式下操作。在一種模式下，存儲單元100處于動態(tài)模式下，并且使用處于高阻態(tài)的電阻切換器件120的電容，以存儲數(shù)據(jù)和用作動態(tài)存儲單元。在被稱為非易失性模式的另一種模式下，電阻切換器件120用于以非易失方式存儲數(shù)據(jù)。
[0034]雖然寫開關(guān)102和讀開關(guān)104被示出為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件，但是應(yīng)該理解，可以使用其他類型的開關(guān)。特別地，可以根據(jù)本文中所述的原理使用不同類型的晶體管。
[0035]根據(jù)某些說明性實例，寫開關(guān)102的第一端子104連接至寫位線126。寫開關(guān)的柵極106連接至寫字線132。寫開關(guān)102的第二端子108連接至存儲節(jié)點118。下文中將通過伴隨圖2的文本進一步描述讀開關(guān)110的操作。
[0036]根據(jù)某些說明性實例，讀開關(guān)110的柵極116也連接至存儲節(jié)點118。讀開關(guān)110的第一端子114被連接至讀字線134。讀開關(guān)110的第二端子112被連接至讀位線128。下文中將通過伴隨圖3的文本進一步描述讀開關(guān)110的操作。
[0037]通常通過字線和位線構(gòu)成存儲器陣列。字線連接至在單個字節(jié)內(nèi)存儲位的幾個存儲單元。字節(jié)為特定指令集合體系結(jié)構(gòu)操作的固定數(shù)量的位。例如，64位體系結(jié)構(gòu)處理長度為64位的字節(jié)。位線用于選擇一個字節(jié)內(nèi)的特定位。本文中描述的位線和字線的配置僅為本文中描述的原理的一個實施例?？梢允褂酶鶕?jù)本文中描述的原理的用于針對混合單元寫入和讀取數(shù)據(jù)的其他方法。
[0038]電阻切換器件120的第一端子122連接至存儲節(jié)點118。電阻切換器件120的第二端子124連接至選擇線130。電阻切換器件120可以為金屬-絕緣體-金屬器件。這樣的器件呈現(xiàn)基于當(dāng)前和過去電狀態(tài)的阻態(tài)。例如，所施加的特定電壓可以將電阻切換器件120設(shè)置為高阻態(tài)。此外，相反極性的足夠電壓可以將電阻切換器件設(shè)置為相對的低阻態(tài)。
[0039]根據(jù)某些說明性實例，金屬-絕緣體-金屬電阻切換器件可以包括介于頂部電極和底部電極之間的介電層。電極可以由諸如金屬或金屬氮化物的多種導(dǎo)電材料制成。介電層可以由諸如二氧化鈦(TiO2)的多種金屬氧化物之一制成。
[0040]圖2是示出用于動態(tài)模式下的混合存儲單元100的說明性寫操作的示圖。根據(jù)某些說明性實例，在處于動態(tài)模式下時，電阻切換器件120處于高阻態(tài)。在該狀態(tài)下，在由電阻切換器件120的介電層隔離開的兩個電極之間存在電容。
[0041]為了寫入存儲單元，將信號202施加給寫字線132。在一個實例中，該信號可以為足夠強度的電壓脈沖，以將寫開關(guān)102的狀態(tài)設(shè)置為ON(導(dǎo)通)狀態(tài)。在ON狀態(tài)下，寫開關(guān)102允許電流206在第一端子104和第二端子108之間流動。通過將信號202施加給字線，用于沿著該字線的每個存儲單元的寫開關(guān)102都被設(shè)置為ON狀態(tài)，從而允許對在該字節(jié)中的每位進行設(shè)置。
[0042]沿著所選字線設(shè)置特定存儲單元的狀態(tài)，將信號204施加給連接至存儲單元的寫位線126。因為寫開關(guān)102處于ON狀態(tài)，所以將該信號施加給存儲節(jié)點118。在一個實例中，高電平信號用于存儲邏輯‘I’而低電平信號用于表示數(shù)字‘O’。為了將器件設(shè)置為存儲‘I’，寫信號204可以為高電平信號。將該信號作為電壓存儲在來自電阻切換器件120的電容中。如上所述，存儲在電容中的電壓隨著時間逐漸減小。因此，周期性地對電容值進行更新。該更新處理會消耗相對較大數(shù)量的功率。
[0043]圖3是示出用于動態(tài)模式下的混合存儲單元100的說明性讀操作的示圖。為了讀取存儲在存儲單元100中的數(shù)據(jù)，讀位線128連接至讀出放大器304。此外，將讀信號302施加給讀字線134。
[0044]如果存儲在存儲節(jié)點118處的電容中的值為高電平值，則將讀開關(guān)110設(shè)置為ON狀態(tài)。在ON狀態(tài)下，電流306可以在讀開關(guān)110的第一端子114和第二端子112之間流動。因此，施加給讀字線134的讀信號302將通過讀開關(guān)110并且通過讀位線128以到達讀出放大器304。然后，存儲系統(tǒng)可以知道存儲單元100處于表示邏輯‘I’的高電平狀態(tài)。
[0045]如果存儲在存儲節(jié)點118處的電容中的值是表示邏輯‘0’的低電平值，則讀開關(guān)將保持在OFF狀態(tài)。因此，讀信號302不能通過讀開關(guān)110到達讀出放大器304。然后，存儲系統(tǒng)可以知道存儲單元100處于表示邏輯‘0’的低電平狀態(tài)。
[0046]圖4是示出用于非易失模式下的混合存儲單元100的說明性讀/寫操作的示圖。通過上述讀和寫操作，混合存儲單元100可以用作易失性動態(tài)存儲單元。因此，混合存儲單元100具有較快的讀和寫次數(shù)。然而，它將消耗相對較大數(shù)量的功率?；旌洗鎯卧?00有益于切換至低功率、非易失性狀態(tài)。
[0047]根據(jù)某些說明性實例，混合存儲單元100可以被設(shè)置成通過電阻切換器件110的阻態(tài)存儲數(shù)據(jù)。該模式被稱為非易失模式。因為電阻切換器件120的阻態(tài)將在具有電源或不具有電源的情況下保持其狀態(tài)，存儲在電阻切換器件120中的數(shù)據(jù)為非易失性的。另外，在非易失模式下的存儲單元100消耗較少功率。
[0048]為了寫入在非易失模式下的存儲單元100的狀態(tài)，可以將寫信號402施加給寫字線132。此外，在一些實例中，可以將信號404施加給連接至電阻切換器件的第二端子124的選擇線130。這些信號402、404的結(jié)合可以創(chuàng)建切換器件狀態(tài)的電壓條件。例如，可以施加足夠強度的電壓，以將電阻切換器件120設(shè)置為高阻態(tài)。為了將電阻切換器件120切換為低阻態(tài)，可以在器件120的兩端施加足夠強度的相對極性的電壓。
[0049]存在可以用于讀取電阻切換器件120的阻態(tài)的多種方法。例如，為了讀取非易失模式下的混合存儲單元100的狀態(tài)，讀出放大器可以連接至選擇線130。此外，可以在電阻切換器件120的兩端施加讀信號?；陔娮枨袚Q器件的狀態(tài)，由讀出放大器所檢測的電流電平會改變。因此，存儲系統(tǒng)可以知道電阻切換器件正在存儲邏輯‘I’還是邏輯‘O’。
[0050]為了多種原因，上述具有混合存儲系統(tǒng)的器件可以在兩種模式之間切換。具體地，當(dāng)在兩種不同模式之間切換時，可以確定多個存儲和功率需求。特別地，使用混合存儲系統(tǒng)的器件的操作系統(tǒng)可以監(jiān)控功率和存儲條件。響應(yīng)于預(yù)定條件，操作系統(tǒng)可以使混合存儲系統(tǒng)切換模式。
[0051]在一個實例中，在當(dāng)前由用戶正操作設(shè)備時，利用諸如存儲系統(tǒng)的設(shè)備可以在動態(tài)模式下使用存儲器。在該模式下，存儲器會更快地操作，但是其會消耗更多功率。當(dāng)當(dāng)前不使用器件時，存儲器可以切換至非易失模式。在該模式下，存儲系統(tǒng)仍然可以用于存儲重要數(shù)據(jù)?？梢栽诠?jié)能的同時實現(xiàn)這種功能，這是因為非易失性存儲器不需要電源以保持?jǐn)?shù)據(jù)。這樣的存儲系統(tǒng)節(jié)省集成電路芯片上的空間，這是因為兩種類型的存儲系統(tǒng)占用相同空間。
[0052]圖5是具有混合存儲單元的存儲器陣列500的器件的示圖。如上所述，上述存儲單元可以是存儲器陣列的一部分。雖然圖5示出僅具有16個存儲單元512的4X4存儲器陣列500，但是應(yīng)該理解，實際陣列可以具有更大數(shù)量的存儲單元。另外，應(yīng)該理解，器件可以是處理器、邏輯器件、或具有嵌入式存儲器的一些其他器件，或可以是獨立存儲器件。
[0053]根據(jù)某些說明性實例，用于寫字線的控制電路502可以置于陣列500的一側(cè)。該電路502包括選擇陣列500內(nèi)的特定字線并且將信號施加至陣列500內(nèi)的特定字線的多種組件。另外地，用于讀字線的控制電路506可以置于陣列與寫字線控制電路502的相對側(cè)。讀字線控制電路506包括選擇陣列500內(nèi)的特定讀字線并且將信號施加給特定讀字線的多種組件。
[0054]根據(jù)某些說明性實例，用于寫位線的控制電路504可以置于陣列的一側(cè)。寫位線電路504包括選擇陣列內(nèi)的特定寫位線并且將信號施加給陣列內(nèi)的特定寫位線的多種組件。此外，用于讀位線和選擇線的控制電路510可以置于陣列500與寫位線控制電路504的相對側(cè)。讀位線和選擇線控制電路510包括選擇多個讀位線和選擇線并且將信號施加給多個讀位線和選擇線的多種組件。
[0055]根據(jù)某些說明性實例，用于讀出放大器的控制電路508以及讀出放大器本身可以置于陣列500和用于讀位線和選擇線的控制電路510之間。用于讀出放大器的控制電路508可以根據(jù)用于讀位線的控制電路510進行操作，使得某些讀位線在特定時間點處可以連接至特定讀出放大器。讀出放大器可以用于在動態(tài)模式或非易失模式下讀取存儲器陣列內(nèi)的存儲單元512的狀態(tài)。
[0056]圖6是示出用于操作混合存儲系統(tǒng)的說明性方法600的流程圖。根據(jù)某些說明性實例，方法600包括:步驟602，將信號施加給與第一開關(guān)的一個端子連接的位線，第一開關(guān)的第二端子與電阻切換器件的第一端子和第二開關(guān)的柵極端子連接。方法600還包括:步驟604，在動態(tài)模式下，在電阻切換器件處于高阻態(tài)的同時，將數(shù)據(jù)存儲在電阻切換器件的電容中。
[0057]根據(jù)某些說明性實例，雙開關(guān)混合存儲單元器件包括連接于第一開關(guān)的一個端子和第二開關(guān)的柵極之間的存儲節(jié)點。器件還包括連接至存儲節(jié)點的電阻切換器件。當(dāng)存儲單元處于動態(tài)模式時，電阻切換器件通過設(shè)置為高阻態(tài)用作電容。
[0058]根據(jù)某些說明性實例，用于操作雙開關(guān)混合存儲系統(tǒng)的方法包括:將信號施加至與第一開關(guān)的一個端子連接的位線，第一開關(guān)的第二端子與電阻切換器件的第一端子和第二開關(guān)的柵極端子連接。該方法還包括:在處于動態(tài)模式下，在電阻切換器件處于高阻態(tài)的同時，將數(shù)據(jù)存儲在電阻切換器件的電容中。
[0059]根據(jù)某些說明性實例，混合存儲系統(tǒng)包括多個雙開關(guān)單元。每個單元都包括具有連接至寫位線的第一端子、連接至存儲節(jié)點的第二端子、以及連接至寫字線的柵極的寫開關(guān)。每個單元都進一步包括具有連接至存儲節(jié)點的柵極、連接至讀字線的第一端子、以及連接至讀位線的第二端子的讀開關(guān)。每個單元都進一步包括電阻切換器件，電阻切換器件包括連接至存儲節(jié)點的第一端子和連接至選擇線的第二端子。在存儲單元處于動態(tài)模式的同時，處于高阻態(tài)的電阻切換器件的電容存儲數(shù)據(jù)，并且在存儲單元處于非易失模式的同時，電阻切換器件的阻態(tài)用于存儲數(shù)據(jù)。
[0060]應(yīng)該理解，以上列出的實施例和步驟的多種不同結(jié)合可以以多種序列或平行使用，并且不存在關(guān)鍵的或要求的特定步驟。此外，雖然本文中使用術(shù)語“電極”，但是應(yīng)該認(rèn)識到，術(shù)語包括“電極接觸件”的概念。此外，以上關(guān)于一些實施例示出和論述的特征可以與以上關(guān)于其他實施例示出和論述的特征結(jié)合。因此，所有這樣的修改都旨在包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0061]以上概述了多個實施例的特征。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計或修改用于實現(xiàn)與本文中介紹的實施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)與其相同的優(yōu)點的其他處理和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員還將認(rèn)識到，這樣的等效結(jié)構(gòu)沒有背離本發(fā)明的精神和范圍，并且他們可以在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在本文中作出多種改變、替換和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種雙開關(guān)混合存儲單元器件，包括: 存儲節(jié)點，連接于第一開關(guān)的一個端子和第二開關(guān)的柵極之間；以及 電阻切換器件，與所述存儲節(jié)點連接； 其中，當(dāng)所述存儲單元處于動態(tài)模式時，所述電阻切換器件通過被設(shè)置為高阻態(tài)而用作電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，在所述存儲單元處于動態(tài)模式的同時，所述電阻切換器件的所述電容用于存儲數(shù)字值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，利用所述存儲單元的存儲系統(tǒng)周期性地對所述電阻切換器件的所述電容進行更新。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，在所述存儲單元處于非易失模式的同時，所述電阻切換器件以非易失方式存儲數(shù)據(jù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述電阻切換器件為金屬-絕緣體-金屬轉(zhuǎn)換器件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述存儲單元是嵌入式存儲系統(tǒng)的一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，響應(yīng)于功率和存儲需求的結(jié)合，利用所述存儲單元的存儲系統(tǒng)在所述動態(tài)模式 和非易失模式之間切換。
8.一種用于操作雙開關(guān)混合存儲單元的方法，所述方法包括: 將信號施加給與第一開關(guān)的一個端子連接的位線，所述第一開關(guān)的第二端子連接至電阻切換器件的第一端子和第二開關(guān)的柵極端子；以及 在動態(tài)模式下，在所述電阻切換器件處于高阻態(tài)的同時，將數(shù)據(jù)存儲在所述電阻切換器件的電容中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進一步包括: 將讀信號施加給與所述第二開關(guān)的第一端子連接的字線；以及將讀出放大器連接至與所述第二開關(guān)的第二端子連接的位線，以讀取用于存儲數(shù)據(jù)的所述電容的狀態(tài)。
10.一種包括多個雙開關(guān)單元的混合存儲系統(tǒng)，每個單元都包括: 與開關(guān)，包括: 第一端子，與寫位線連接； 第二端子，與存儲節(jié)點連接；和 柵極，與寫字線連接； 讀開關(guān)，包括: 柵極，與所述存儲節(jié)點連接； 第一端子，與讀字線連接；和 第二端子，與讀位線連接；以及 電阻切換器件，包括: 第一端子，與所述存儲節(jié)點連接；和 第二端子，與選擇線連接； 其中，在所述存儲單元處于動態(tài)模式的同時，處于高阻態(tài)的所述電阻切換器件的電容用于存儲數(shù)據(jù)，并且在所述存儲單元處于非易失模式的同時，所述電阻切換器件的阻態(tài)用于存 儲數(shù)據(jù)。
【文檔編號】G11C13/00GK103886897SQ201310161151
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年5月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月21日
【發(fā)明者】丁裕偉, 蔡竣揚, 黃國欽 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司