數(shù)據(jù)讀取方法、控制電路、存儲器模塊與存儲器存儲裝置制造方法【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于可復寫式非易失性存儲器模塊的數(shù)據(jù)讀取方法、控制電路、存儲器模塊與存儲器存儲裝置。此方法包括：根據(jù)一條字線上的存儲元的臨界電壓分布決定對應(yīng)的讀取電壓。本方法也包括：倘若此多個存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布時，施加對應(yīng)此讀取電壓的右調(diào)整讀取電壓組至此字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)的軟值；以及譯碼對應(yīng)的軟值以獲取存儲于此多個存儲元中的頁數(shù)據(jù)。在此，右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，并且正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目?；?，本方法可正確識別存儲元的存儲狀態(tài)?！緦＠f明】數(shù)據(jù)讀取方法、控制電路、存儲器模塊與存儲器存儲裝置【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種數(shù)據(jù)讀取方法、控制電路、存儲器模塊與存儲器存儲裝置?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]數(shù)碼相機、手機與MP3在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對儲存媒體的需求也急速增加。由于可復寫式非易失性存儲器(rewritablenon-volatilememory)具有數(shù)據(jù)非易失性、省電、體積小、無機械結(jié)構(gòu)、讀寫速度快等特性，最適于可攜式電子產(chǎn)品，例如筆記本電腦。固態(tài)硬盤就是一種以快閃存儲器作為存儲介質(zhì)的存儲裝置。因此，近年快閃存儲器產(chǎn)業(yè)成為電子產(chǎn)業(yè)中相當熱門的一環(huán)。[0003]圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所示出的快閃存儲器元件的示意圖。[0004]請參照圖1,快閃存儲器元件I包含用于存儲電子的電荷捕捉層(chargetrapinglayer)2、用于施加電壓的控制柵極(ControlGate)3、隧道氧化層(Tunnel0xide)4與多晶娃間介電層(InterpolyDielectric)5。當欲寫入數(shù)據(jù)至快閃存儲器元件I時,可通過將電子注入電荷捕捉層2以改變快閃存儲器元件I的臨界電壓，由此定義快閃存儲器元件I的數(shù)字高低態(tài)，而實現(xiàn)存儲數(shù)據(jù)的功能。在此，注入電子至電荷捕捉層2的過程稱為程序化。反之，當欲將所存儲的數(shù)據(jù)移除時，通過將所注入的電子從電荷捕捉層2中移除，則可使快閃存儲器元件I恢復為未被程序化前的狀態(tài)。[0005]在寫入與抹除過程中，快閃存儲器元件I會隨著電子的多次的注入與移除而造成磨損，導致電子寫入速度增加并造成臨界電壓分布變寬。因此，在多次寫入與抹除后，快閃存儲器元件I可能無法被正確地識別其存儲狀態(tài)，而產(chǎn)生錯誤比特?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0006]本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)讀取方法、控制電路、存儲器模塊與存儲器存儲裝置，其能夠在存儲元的臨界電壓分布偏移時，正確地識別其存儲狀態(tài)。[0007]本發(fā)明實施例提出一種用于可復寫式非易失性存儲器模塊的數(shù)據(jù)讀取方法，其中可復寫式非易失性存儲器模塊具有多個存儲元、多條字線與多條位線。本數(shù)據(jù)讀取方法包括:根據(jù)此多條字線之中的第一字線的多個存儲元的臨界電壓分布決定對應(yīng)第一字線的存儲元的第一讀取電壓；并且判斷第一字線的存儲元的臨界電壓分布是否為正常分布、右偏移分布或左偏移分布。本數(shù)據(jù)讀取方法也包括:倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布時，施加對應(yīng)第一讀取電壓的第一右調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值；以及譯碼對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值以獲取存儲于第一字線的存儲元中的第一頁數(shù)據(jù)。在此，第一右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，第一右調(diào)整讀取電壓組的每一正調(diào)整讀取電壓大于上述第一讀取電壓，第一右調(diào)整讀取電壓組的每一負調(diào)整讀取電壓小于上述第一讀取電壓，并且第一右調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于第一右調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。[0008]在本發(fā)明的一實施例中，上述數(shù)據(jù)讀取方法還包括:倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為左偏移分布時，施加對應(yīng)第一讀取電壓的第一左調(diào)整讀取電壓組至第一字線以獲取對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值。在此，第一左調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，第一左調(diào)整讀取電壓組的每一正調(diào)整讀取電壓大于第一讀取電壓，第一左調(diào)整讀取電壓組的每一負調(diào)整讀取電壓小于第一讀取電壓，并且第一左調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于第一左調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。[0009]在本發(fā)明的一實施例中，上述數(shù)據(jù)讀取方法還包括:倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為正常分布時，施加對應(yīng)第一讀取電壓的第一正常調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值。在此，第一正常調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，第一正常調(diào)整讀取電壓組的每一正調(diào)整電壓大于第一讀取電壓，第一正常調(diào)整讀取電壓組的每一負調(diào)整讀取電壓小于第一讀取電壓，并且第一正常調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目等于第一正常調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。[0010]在本發(fā)明的一實施例中，上述數(shù)據(jù)讀取方法還包括:根據(jù)第一字線的存儲元的臨界電壓分布決定對應(yīng)第一字線的存儲元的第二讀取電壓與第三讀取電壓。[0011]在本發(fā)明的一實施例中，上述數(shù)據(jù)讀取方法還包括:倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布時，施加對應(yīng)第二讀取電壓的第二右調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)第三讀取電壓的第三右調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第二軟值；以及；譯碼對應(yīng)第一字線的存儲元的第二軟值以獲取存儲于第一字線的存儲元中的第二頁數(shù)據(jù)。在此，第二右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，第二右調(diào)整讀取電壓組的每一正調(diào)整讀取電壓大于第二讀取電壓，第二右調(diào)整讀取電壓組的每一負調(diào)整讀取電壓小于第二讀取電壓，并且第二右調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于第二右調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。此外，第三右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，第三右調(diào)整讀取電壓組的每一正調(diào)整讀取電壓大于第三讀取電壓，第三右調(diào)整讀取電壓組的每一負調(diào)整讀取電壓小于第三讀取電壓，并且第三右調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于第三右調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。[0012]在本發(fā)明的一實施例中，上述數(shù)據(jù)讀取方法還包括:根據(jù)第一字線的存儲元的臨界電壓分布決定對應(yīng)連接至第一字線的存儲元的第四讀取電壓、第五讀取電壓、第六讀取電壓與第七讀取電壓。[0013]在本發(fā)明的一實施例中，上述數(shù)據(jù)讀取方法還包括:倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布時，施加對應(yīng)第四讀取電壓的第四右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第五讀取電壓的第五右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第六讀取電壓的第六右調(diào)整讀取電壓組和對應(yīng)第七讀取電壓的第七右調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第三軟值；以及譯碼對應(yīng)第一字線的存儲元的第三軟值以獲取存儲于第一字線的存儲元中的第三頁數(shù)據(jù)。在此，對應(yīng)第四右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，第四右調(diào)整讀取電壓組的每一正調(diào)整讀取電壓大于第四讀取電壓，第四右調(diào)整讀取電壓組的每一負調(diào)整讀取電壓小于第四讀取電壓，并且第四右調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于第四右調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。對應(yīng)第五右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，第五右調(diào)整讀取電壓組的每一正調(diào)整讀取電壓大于第五讀取電壓，第五右調(diào)整讀取電壓組的每一負調(diào)整讀取電壓小于第五讀取電壓，并且第五右調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于第五右調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。對應(yīng)第六右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，第六右調(diào)整讀取電壓組的每一正調(diào)整讀取電壓大于第六讀取電壓，第六右調(diào)整讀取電壓組的每一負調(diào)整讀取電壓小于第六讀取電壓，并且第六右調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于第六右調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。對應(yīng)第七右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，第七右調(diào)整讀取電壓組的每一正調(diào)整讀取電壓大于第七讀取電壓，第七右調(diào)整讀取電壓組的每一負調(diào)整讀取電壓小于第七讀取電壓，并且第七右調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于第七右調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。[0014]本發(fā)明實施例提出一種控制電路，用于從可復寫式非易失性存儲器模塊的多個存儲元中讀取數(shù)據(jù)。本控制電路包括:接口、錯誤檢查與校正電路與存儲器管理電路。接口用以電性連接上述存儲元、多條字線與多條位線，并且每一存儲元與此多條字線的其中一條字線以及此多條位線的其中一條位線電性連接。存儲器管理電路電性連接至此接口，并且用以此多條字線之中的第一字線的多個存儲元的臨界電壓分布決定對應(yīng)此第一字線的存儲元的第一讀取電壓。此外，存儲器管理電路還用以判斷第一字線的存儲元的臨界電壓分布是否為正常分布、右偏移分布或左偏移分布。倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布時，存儲器管理電路還用以施加對應(yīng)第一讀取電壓的第一右調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值。再者，存儲器管理電路還用以傳送對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值給錯誤檢查與校正電路并且錯誤檢查與校正電路譯碼對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值以獲取存儲于第一字線的存儲元中的第一頁數(shù)據(jù)。[0015]在本發(fā)明的一實施例中，倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為左偏移分布時，上述存儲器管理電路還用以施加對應(yīng)第一讀取電壓的第一左調(diào)整讀取電壓組至第一字線以獲取對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值。[0016]在本發(fā)明的一實施例中，倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為正常分布時，上述存儲器管理電路還用以施加對應(yīng)第一讀取電壓的第一正常調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值。[0017]在本發(fā)明的一實施例中，存儲器管理電路還用以根據(jù)第一字線的存儲元的臨界電壓分布決定對應(yīng)第一字線的存儲元的第二讀取電壓與第三讀取電壓。倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布時，存儲器管理電路還用以施加對應(yīng)第二讀取電壓的第二右調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)第三讀取電壓的第三右調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第二軟值。此外，存儲器管理電路還用以傳送對應(yīng)第一字線的存儲元的第二軟值給錯誤檢查與校正電路并且錯誤檢查與校正電路譯碼對應(yīng)第一字線的存儲元的第二軟值以獲取存儲于第一字線的存儲元中的第二頁數(shù)據(jù)。[0018]在本發(fā)明的一范例實施例中，上述存儲器管理電路還用以根據(jù)第一字線的存儲元的臨界電壓分布決定對應(yīng)第一字線的存儲元的第四讀取電壓、第五讀取電壓、第六讀取電壓與第七讀取電壓。[0019]在本發(fā)明的一范例實施例中,倘若第一字線的存儲兀的臨界電壓分布為右偏移分布時，存儲器管理電路還用以施加對應(yīng)第四讀取電壓的第四右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第五讀取電壓的第五右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第六讀取電壓的第六右調(diào)整讀取電壓組和對應(yīng)第七讀取電壓的第七右調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第三軟值。此外，存儲器管理電路還用以傳送對應(yīng)第一字線的存儲元的第三軟值給錯誤檢查與校正電路并且錯誤檢查與校正電路譯碼對應(yīng)第一字線的存儲元的第三軟值以獲取存儲于第一字線的存儲元中的第三頁數(shù)據(jù)。[0020]本發(fā)明實施例提出一種存儲器存儲裝置，其包括連接器、可復寫式非易失性存儲器模塊與存儲器控制器。連接器用以電性連接至主機系統(tǒng)?？蓮蛯懯椒且资源鎯ζ髂K具有多個存儲元、多條字線與多條位線，并且每一存儲元與此多條字線的其中一條字線以及此多條位線的其中一條位線電性連接。存儲器控制器電性連接至連接器與可復寫式非易失性存儲器模塊，且用以根據(jù)此多條字線之中的第一字線的多個存儲元的臨界電壓分布決定對應(yīng)此第一字線的存儲元的第一讀取電壓。此外，存儲器控制器還用以判斷第一字線的存儲元的臨界電壓分布是否為正常分布、右偏移分布或左偏移分布。倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布時，存儲器控制器還用以施加對應(yīng)第一讀取電壓的第一右調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值。再者，存儲器控制器還用以譯碼對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值以獲取存儲于第一字線的存儲元中的第一頁數(shù)據(jù)。[0021]在本發(fā)明的一實施例中，倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為左偏移分布時，上述存儲器控制器還用以施加對應(yīng)第一讀取電壓的第一左調(diào)整讀取電壓組至第一字線以獲取對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值。[0022]在本發(fā)明的一實施例中，倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為正常分布時，上述存儲器控制器還用以施加對應(yīng)第一讀取電壓的第一正常調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值。[0023]在本發(fā)明的一實施例中，存儲器控制器還用以根據(jù)第一字線的存儲元的臨界電壓分布決定對應(yīng)第一字線的存儲元的第二讀取電壓與第三讀取電壓。倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布時，存儲器控制器還用以施加對應(yīng)第二讀取電壓的第二右調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)第三讀取電壓的第三右調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第二軟值。此外，存儲器控制器還用以譯碼對應(yīng)第一字線的存儲元的第二軟值以獲取存儲于第一字線的存儲元中的第二頁數(shù)據(jù)。[0024]在本發(fā)明的一范例實施例中，上述存儲器控制器還用以根據(jù)第一字線的存儲元的臨界電壓分布決定對應(yīng)第一字線的存儲元的第四讀取電壓、第五讀取電壓、第六讀取電壓與第七讀取電壓。[0025]在本發(fā)明的一實施例中，倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布時，存儲器控制器還用以施加對應(yīng)第四讀取電壓的第四右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第五讀取電壓的第五右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第六讀取電壓的第六右調(diào)整讀取電壓組和對應(yīng)第七讀取電壓的第七右調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第三軟值。此外，存儲器控制器還用以譯碼對應(yīng)第一字線的存儲元的第三軟值以獲取存儲于第一字線的存儲元中的第三頁數(shù)據(jù)。[0026]本發(fā)明實施例提出一種存儲器模塊，其包括多條字線、多條位線、多個存儲元以及控制電路，其中每一存儲元與此多條字線的其中一條字線以及此多條位線的其中一條位線電性連接?？刂齐娐冯娦赃B接至此多條字線、此多條位線與此多個存儲元，且用以根據(jù)此多條字線之中的第一字線的多個存儲元的臨界電壓分布決定對應(yīng)此第一字線的存儲元的第一讀取電壓。此外，控制電路還用以判斷第一字線的存儲元的臨界電壓分布是否為正常分布、右偏移分布或左偏移分布。倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布時，控制電路還用以施加對應(yīng)第一讀取電壓的第一右調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值。再者，控制電路還用以譯碼對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值以獲取存儲于第一字線的存儲元中的第一頁數(shù)據(jù)。[0027]在本發(fā)明的一實施例中，倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為左偏移分布時，上述控制電路還用以施加對應(yīng)第一讀取電壓的第一左調(diào)整讀取電壓組至第一字線以獲取對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值。[0028]在本發(fā)明的一實施例中，倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為正常分布時，上述控制電路還用以施加對應(yīng)第一讀取電壓的第一正常調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第一軟值。[0029]在本發(fā)明的一實施例中，控制電路還用以根據(jù)第一字線的存儲元的臨界電壓分布決定對應(yīng)第一字線的存儲元的第二讀取電壓與第三讀取電壓。倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布時，控制電路還用以施加對應(yīng)第二讀取電壓的第二右調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)第三讀取電壓的第三右調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第二軟值。此外，控制電路還用以譯碼對應(yīng)第一字線的存儲元的第二軟值以獲取存儲于第一字線的存儲元中的第二頁數(shù)據(jù)。[0030]在本發(fā)明的一實施例中，上述控制電路還用以根據(jù)第一字線的存儲元的臨界電壓分布決定對應(yīng)第一字線的存儲元的第四讀取電壓、第五讀取電壓、第六讀取電壓與第七讀取電壓。[0031]在本發(fā)明的一實施例中，倘若第一字線的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布時，控制電路還用以施加對應(yīng)第四讀取電壓的第四右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第五讀取電壓的第五右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第六讀取電壓的第六右調(diào)整讀取電壓組和對應(yīng)第七讀取電壓的第七右調(diào)整讀取電壓組至第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)第一字線的存儲元的第三軟值。此外，控制電路還用以譯碼對應(yīng)第一字線的存儲元的第三軟值以獲取存儲于第一字線的存儲元中的第三頁數(shù)據(jù)。[0032]基于上述，本發(fā)明實施例的數(shù)據(jù)讀取方法、控制電路、可復寫式非易失性存儲器模塊與存儲器存儲裝置可以根據(jù)存儲元的臨界電壓分布使用適當?shù)恼{(diào)整讀取電壓來獲取軟值，由此提升錯誤校正的能力，以避免數(shù)據(jù)遺失。[0033]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下?！緦＠綀D】【附圖說明】[0034]圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所示出的快閃存儲器元件的示意圖；[0035]圖2是根據(jù)一實施例所示出的主機系統(tǒng)與存儲器存儲裝置的示意圖；[0036]圖3是根據(jù)一實施例所示出的電腦、輸入/輸出裝置與存儲器存儲裝置的示意圖；[0037]圖4是根據(jù)一實施例所示出的主機系統(tǒng)與存儲器存儲裝置的示意圖；[0038]圖5是根據(jù)第一實施例所示出的存儲器存儲裝置的概要方塊圖；[0039]圖6是根據(jù)一實施例所示出的可復寫式非易失性存儲器模塊的概要方塊圖；[0040]圖7是根據(jù)一實施例所示出的存儲元陣列的示意圖；[0041]圖8是根據(jù)一實施例所示出存儲于存儲元陣列中的寫入數(shù)據(jù)所對應(yīng)的柵極電壓的統(tǒng)計分配圖；[0042]圖9是根據(jù)一實施例所示出的程序化存儲元的示意圖；[0043]圖10是根據(jù)一實施例所示出的從存儲元中讀取數(shù)據(jù)的示意圖；[0044]圖11是根據(jù)另一實施例所示出的從存儲元中讀取數(shù)據(jù)的示意圖；[0045]圖12是根據(jù)本發(fā)明實施例所示出的管理可復寫式非易失性存儲器模塊的示意圖；[0046]圖13是根據(jù)一實施例所示出的存儲器控制器的概要方塊圖；[0047]圖14是根據(jù)一實施例所示出當存儲元多次程序化與抹除后存儲于存儲元陣列中的寫入數(shù)據(jù)所對應(yīng)的柵極電壓的統(tǒng)計分配圖；[0048]圖15是根據(jù)本實施例所示出的以正常調(diào)整讀取電壓組來從欲讀取的存儲元中獲取軟值的示意圖；[0049]圖16是根據(jù)本實施例所示出的以右調(diào)整讀取電壓組來從欲讀取的存儲元中獲取軟值的示意圖；[0050]圖17是根據(jù)本實施例所示出的以左調(diào)整讀取電壓組來從欲讀取的存儲元中獲取軟值的示意圖；[0051]圖18是根據(jù)本實施例所示出的讀取下實體頁面的數(shù)據(jù)讀取方法的流程圖。[0052]附圖標記說明:[0053]1:快閃存儲器元件；[0054]2:電荷捕捉層；[0055]3:控制柵極；[0056]4:隧道氧化層；[0057]5:多晶硅間介電層；[0058]1000:主機系統(tǒng)；[0059]1100:電腦；[0060]1102:微處理器；[0061]1104:隨機存取存儲器；[0062]1106:輸入/輸出裝置；[0063]1108:系統(tǒng)總線；[0064]1110:數(shù)據(jù)傳輸接口；[0065]1202:鼠標；[0066]1204:鍵盤；[0067]1206:顯示器；[0068]1208:打印機；[0069]1212:隨身盤；[0070]1214:存儲卡；[0071]1216:固態(tài)硬盤；[0072]1310:數(shù)碼相機；[0073]1312:SD卡；[0074]1314:MMC卡；[0075]1316:記憶棒；[0076]1318:CF卡；[0077]1320:嵌入式存儲裝置；[0078]100:存儲器存儲裝置；[0079]102:連接器；[0080]104:存儲器控制器；[0081]106:可復寫式非易失性存儲器模塊；[0082]2202:存儲元陣列；[0083]2204:字線控制電路；[0084]2206:位線控制電路；[0085]2208:列譯碼器；[0086]2210:數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器；[0087]2212:控制電路；[0088]702:存儲元；[0089]704:位線；[0090]706:字線；[0091]708:源極線；[0092]712:選擇柵漏極晶體管；[0093]714:選擇柵源極晶體管；[0094]VA:第一讀取電壓；[0095]VB:第二讀取電壓；[0096]VC:第三讀取電壓；[0097]VD:第四讀取電壓；[0098]VE:第五讀取電壓；[0099]VF:第六讀取電壓；[0100]VG:第七讀取電壓；[0101]400(O)?400(N):實體區(qū)塊；[0102]202:存儲器管理電路；[0103]204:主機接口；[0104]206:存儲器接口；[0105]208:錯誤檢查與校正電路；[0106]210:緩沖存儲器；[0107]212:電源管理電路；[0108]282:存儲單元[0109]284:軟值獲取電路；[0110]1501:區(qū)塊;[0111]1503:區(qū)塊;[0112]VANP1、VANP2、VANP3:第一正常調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓；[0113]VANMUVANM2.VANM3:第一正常調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓；[0114]VARP1、VARP2、VARP3、VARP4:第一右調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓；[0115]VARMUVARM2:第一右調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓；[0116]VALPUVALP2:第一左調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓；[0117]VALM1、VALM2、VALM3、VALM4:第一左調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓；[0118]S1801、S1803、S1805、S1807、S1809、S1811、S1813、S1815、S1817、S1819、S1821:步驟。【具體實施方式】[0119]一般而言,存儲器存儲裝置(也稱,存儲器存儲系統(tǒng))包括可復寫式非易失性存儲器模塊與控制器(也稱，控制電路)。通常存儲器存儲裝置是與主機系統(tǒng)一起使用，以使主機系統(tǒng)可將數(shù)據(jù)寫入至存儲器存儲裝置或從存儲器存儲裝置中讀取數(shù)據(jù)。[0120]圖2是根據(jù)一實施例所示出的主機系統(tǒng)與存儲器存儲裝置的示意圖，圖3是根據(jù)一實施例所示出的電腦、輸入/輸出裝置與存儲器存儲裝置的示意圖，圖4是根據(jù)一實施例所示出的主機系統(tǒng)與存儲器存儲裝置的示意圖。[0121]請參照圖2,主機系統(tǒng)1000—般包括電腦1100與輸入/輸出(input/output,I/O)裝置1106。電腦1100包括微處理器1102、隨機存取存儲器(randomaccessmemory,RAM)1104、系統(tǒng)總線1108與數(shù)據(jù)傳輸接口1110。輸入/輸出裝置1106包括如圖3的鼠標1202、鍵盤1204、顯示器1206與打印機1208。必須了解的是，圖3所示的裝置非限制輸入/輸出裝置1106，輸入/輸出裝置1106可還包括其他裝置。[0122]在本發(fā)明實施例中，存儲器存儲裝置100是通過數(shù)據(jù)傳輸接口1110與主機系統(tǒng)1000的其他元件電性連接。通過微處理器1102、隨機存取存儲器1104與輸入/輸出裝置1106的運作可將數(shù)據(jù)寫入至存儲器存儲裝置100或從存儲器存儲裝置100中讀取數(shù)據(jù)。例如，存儲器存儲裝置100可以是如圖3所示的隨身盤1212、存儲卡1214或固態(tài)硬盤(SolidStateDrive,SSD)1216等的可復寫式非易失性存儲器存儲裝置。[0123]一般而言，主機系統(tǒng)1000為可實質(zhì)地與存儲器存儲裝置100配合以存儲數(shù)據(jù)的任意系統(tǒng)。雖然在本實施例中，主機系統(tǒng)1000是以電腦系統(tǒng)來作說明，然而，在本發(fā)明另一實施例中主機系統(tǒng)1000可以是數(shù)碼相機、攝影機、通信裝置、音頻播放器或視頻播放器等系統(tǒng)。例如，在主機系統(tǒng)為數(shù)碼相機(攝影機)1310時，可復寫式非易失性存儲器存儲裝置則為其所使用的SD卡1312、MMC卡1314、記憶棒(memorystick)1316、CF卡1318或嵌入式存儲裝置1320(如圖4所示)。嵌入式存儲裝置1320包括嵌入式多媒體卡(EmbeddedMMC,eMMC)。值得一提的是，嵌入式多媒體卡是直接電性連接于主機系統(tǒng)的基板上。[0124]圖5是根據(jù)第一實施例所示出的存儲器存儲裝置的概要方塊圖。[0125]請參照圖5，存儲器存儲裝置100包括連接器102、存儲器控制器104與可復寫式非易失性存儲器模塊106。[0126]在本實施例中，連接器102是相容于通用序列總線(UniversalSerialBus,USB)標準。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此，連接器102也可以是符合硬盤并口接口(ParallelAdvancedTechnologyAttachment,PATA)標準、電氣和電子工程師協(xié)會(InstituteofElectricalandElectronicEngineers,IEEE)1394標準、高速夕卜設(shè)部件互連(PeripheralComponentInterconnectExpress,PCIExpress)標準、安全數(shù)字(SecureDigital,SD)接口標準、串行高級技術(shù)附件(SerialAdvancedTechnologyAttachment,SATA)標準、超高速一代(UltraHighSpeed-1,UHS-1)接口標準、超高速二代(UltraHighSpeed-1I,UHS-1I)接P標準、記憶棒(MemoryStick,MS)接口標準、多媒體存儲卡(MultiMediaCard,MMC)接口標準、嵌入式多媒體存儲卡(EmbeddedMultimediaCard,eMMC)接口標準、通用快閃存儲器(UniversalFlashStorage,UFS)接口標準、緊湊式閃存(CompactFlash,CF)接口標準、電子集成驅(qū)動器(IntegratedDeviceElectronics,IDE)接口標準或其他適合的標準。[0127]存儲器控制器104用以執(zhí)行以硬件形式或固件形式實作的多個邏輯門或控制指令，并且根據(jù)主機系統(tǒng)1000的指令在可復寫式非易失性存儲器模塊106中進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運作。[0128]可復寫式非易失性存儲器模塊106是電性連接至存儲器控制器104，并且用以存儲主機系統(tǒng)1000所寫入的數(shù)據(jù)。可復寫式非易失性存儲器模塊106可以是多階存儲元(MultiLevelCell，MLC)NAND型快閃存儲器模塊(即，一個存儲元中可存儲2個比特數(shù)據(jù)的快閃存儲器模塊)、復數(shù)階存儲元(TrinaryLevelCell,TLC)NAND型快閃存儲器模塊(即，一個存儲元中可存儲3個比特數(shù)據(jù)的快閃存儲器模塊)、其他快閃存儲器模塊或其他具有相同特性的存儲器模塊。[0129]圖6是根據(jù)一實施例所示出的可復寫式非易失性存儲器模塊的概要方塊圖，圖7是根據(jù)一實施例所示出的存儲元陣列的示意圖。[0130]請參照圖6，可復寫式非易失性存儲器模塊106包括存儲元陣列2202、字線控制電路2204、位線控制電路2206、列譯碼器(columndecoder)2208、數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器2210與控制電路2212。[0131]存儲元陣列2202包括用以存儲數(shù)據(jù)的多個存儲元702、多個選擇柵漏極(selectgatedrain,S⑶)晶體管712與多個選擇柵源極(selectgatesource,SGS)晶體管714、以及連接此多個存儲元的多條位線704、多條字線706、與共用源極線708(如圖7所示)。存儲元702是以陣列方式配置在位線704與字線706的交叉點上。當從存儲器控制器104接收到寫入指令或讀取數(shù)據(jù)時，控制電路2212會控制字線控制電路2204、位線控制電路2206、列譯碼器2208、數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器2210來寫入數(shù)據(jù)至存儲元陣列2202或從存儲元陣列2202中讀取數(shù)據(jù)，其中字線控制電路2204用以控制施加至字線706的電壓，位線控制電路2206用以控制施加至位線704的電壓，列譯碼器2208依據(jù)指令中的譯碼列地址以選擇對應(yīng)的位線，并且數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器2210用以暫存數(shù)據(jù)。[0132]可復寫式非易失性存儲器模塊106中的存儲元是以多種柵極電壓來代表多比特(bits)的數(shù)據(jù)。具體來說，存儲元陣列2202的每一存儲元具有多個狀態(tài)，并且此多個狀態(tài)是以多個讀取電壓來區(qū)分。[0133]圖8是根據(jù)一實施例所示出存儲于存儲元陣列中的寫入數(shù)據(jù)所對應(yīng)的柵極電壓的統(tǒng)計分配圖。[0134]請參照圖8，以MLCNAND型快閃存儲器為例，每一存儲元中的柵極電壓可依據(jù)第一讀取電壓VA、第二讀取電壓VB與第三讀取電壓VC而區(qū)分為4種存儲狀態(tài)，并且此多個存儲狀態(tài)分別地代表"11"、"10"、"00"與"01"。換言之，每一個存儲狀態(tài)包括最低有效比特(LeastSignificantBit,LSB)以及最高有效比特(MostSignificantBit,MSB)。在本實施例中，存儲狀態(tài)(即，"11"、"10"、"00"與"01")中從左側(cè)算起的第I個比特的值為LSB，而從左側(cè)算起的第2個比特的值為MSB。因此，在第一實施例中，每一存儲元可存儲2個比特數(shù)據(jù)。必須了解的是，圖8所示出的柵極電壓及其存儲狀態(tài)的對應(yīng)僅為一個范例。在本發(fā)明另一實施例中，柵極電壓與存儲狀態(tài)的對應(yīng)也可是隨著柵極電壓越大而以"11"、"10"、"01"與"00"排列?；蛘撸瑬艠O電壓所對應(yīng)的存儲狀態(tài)也可為對實際存儲值進行映射或反相后的值，此外，在另一實施例中，也可定義從左側(cè)算起的第I個比特的值為MSB，而從左側(cè)算起的第2個比特的值為LSB。[0135]在每一存儲元可存儲2個比特數(shù)據(jù)的例子中，同一條字線上的存儲元會構(gòu)成2個實體頁面(即，下實體頁面與上實體頁面)的存儲空間。也就是說，每一存儲元的LSB是對應(yīng)下實體頁面，并且每一存儲元的MSB是對應(yīng)上實體頁面。此外，在存儲元陣列2202中數(shù)個實體頁面會構(gòu)成一個實體區(qū)塊，并且實體區(qū)塊為執(zhí)行抹除運作的最小單位。也即，每一實體區(qū)塊含有最小數(shù)目之一并被抹除的存儲元。[0136]存儲元陣列2202的存儲元的數(shù)據(jù)寫入(或稱為程序化)是利用施加一特定端點的電壓，例如是控制柵極電壓來改變柵極中的一電荷捕捉層的電子量，因而改變了存儲元的通道的導通狀態(tài)，以呈現(xiàn)不同的存儲狀態(tài)。例如，當下頁面數(shù)據(jù)為I且上頁面數(shù)據(jù)為I時，控制電路2212會控制字線控制電路2204不改變存儲元中的柵極電壓，而將存儲元的存儲狀態(tài)保持為"11"。當下頁面數(shù)據(jù)為I且上頁面數(shù)據(jù)為O時，字線控制電路2204會在控制電路2212的控制下改變存儲元中的柵極電壓，而將存儲元的存儲狀態(tài)改變?yōu)?10"。當下頁面數(shù)據(jù)為O且上頁面數(shù)據(jù)為O時，字線控制電路2204會在控制電路2212的控制下改變存儲元中的柵極電壓，而將存儲元的存儲狀態(tài)改變?yōu)?00"。并且，當下頁面數(shù)據(jù)為O且上頁面數(shù)據(jù)為I時，字線控制電路2204會在控制電路2212的控制下改變存儲元中的柵極電壓，而將存儲元的存儲狀態(tài)改變?yōu)?01"。[0137]圖9是根據(jù)一實施例所示出的程序化存儲元的示意圖。[0138]請參照圖9，在本實施例中，存儲元的程序化是通過脈沖寫入/驗證臨界電壓方法來完成。具體來說，欲將數(shù)據(jù)寫入至存儲元時，存儲器控制器104會設(shè)定初始寫入電壓以及寫入電壓脈沖時間，并且指示可復寫式非易失性存儲器模塊106的控制電路2212使用所設(shè)定的初始寫入電壓以及寫入電壓脈沖時間來程序化存儲元，以進行數(shù)據(jù)的寫入。之后，存儲器控制器104會使用驗證電壓來對存儲元進行驗證，以判斷存儲元是否已處于正確的存儲狀態(tài)。倘若存儲元未被程序化至正確的存儲狀態(tài)時，存儲器控制器104指示控制電路2212以目前施加的寫入電壓加上一增量階躍脈沖程序(Incremental-step-pulseprogramming,ISPP)調(diào)整值作為新的寫入電壓(也稱為重復寫入電壓)并且依據(jù)新的寫入電壓與寫入電壓脈沖時間再次來程序化存儲元。反之，倘若存儲元已被程序化至正確的存儲狀態(tài)時，則表示數(shù)據(jù)已被正確地寫入至存儲元。例如，初始寫入電壓會被設(shè)定為16伏特(Voltage,V),寫入電壓脈沖時間會被設(shè)定為18微秒(microseconds,μs)并且增量階躍脈沖程序調(diào)整值被設(shè)定為0.6V，但本發(fā)明不限于此。[0139]圖10是根據(jù)一實施例所示出的從存儲元中讀取數(shù)據(jù)的示意圖，其是以MLCNAND型快閃存儲器為例。[0140]請參照圖10，存儲元陣列2202的存儲元的讀取運作是通過施加讀取電壓于控制柵極(controlgate),通過存儲元的通道(存儲元用以電連接位線與源極線的路徑,例如是存儲元源極至漏極間的路徑)的導通狀態(tài)，來識別存儲元存儲的數(shù)據(jù)。在讀取下頁數(shù)據(jù)的運作中，字線控制電路2204會使用第一讀取電壓VA作為讀取電壓來施加至存儲元并且依據(jù)存儲元的通道是否導通和對應(yīng)的運算式(I)來判斷下頁數(shù)據(jù)的值:[0141]LSB=(VA)Lower_prel(I)[0142]其中(VA)Lower_prel表示通過施加第一讀取電壓VA而獲得的第I下頁驗證值。[0143]例如，當?shù)谝蛔x取電壓VA小于存儲元的柵極電壓時，存儲元的通道不會導通并輸出值，O'的第I下頁驗證值，由此LSB會被識別處于第一狀態(tài)為O。例如，當?shù)谝蛔x取電壓VA大于存儲元的柵極電壓時，存儲元的通道會導通并輸出值'I'的第I下頁驗證值，由此，此LSB會被識別處于第二狀態(tài)。在此，第一狀態(tài)被識別為‘0’并且第二狀態(tài)被識別為‘I’。也就是說，用以呈現(xiàn)LSB為I的柵極電壓與用以呈現(xiàn)LSB為O的柵極電壓可通過第一讀取電壓VA而被區(qū)分。[0144]在讀取上頁數(shù)據(jù)的運作中，字線控制電路2204會分別地使用第二讀取電壓VB與第三讀取電壓VC作為讀取電壓來施加至存儲元并且依據(jù)存儲元的通道是否導通和對應(yīng)的運算式(2)來判斷上頁數(shù)據(jù)的值:[0145]MSB=((VB)Upper_pre2)xor(?(VC)Upper_prel)(2)[0146]其中(VC)Upper_prel表示通過施加第三讀取電壓VC而獲得的第I上頁驗證值，并且(VB)Upper_pre2表示通過施加第二讀取電壓VB而獲得的第2上頁驗證值，其中符號”?”代表反相。此外，在本實施例中，當?shù)谌x取電壓VC小于存儲元的柵極電壓時，存儲元的通道不會導通并輸出值'O'的第I上頁驗證值((VC)Upper_prel),當?shù)诙x取電壓VB小于存儲元的柵極電壓時，存儲元的通道不會導通并輸出值'O'的第2上頁驗證值((VB)Upper_pre2)。[0147]因此，依照運算式⑵，當?shù)谌x取電壓VC與第二讀取電壓VB皆小于存儲元的柵極電壓時，在施加第三讀取電壓VC下存儲元的通道不會導通并輸出值'O'的第I上頁驗證值并且在施加第二讀取電壓VB下存儲元的通道不會導通并輸出值'O'的第2上頁驗證值。此時，MSB會被識別為處于第二狀態(tài)，S卩，‘I’。[0148]例如，當?shù)谌x取電壓VC大于存儲元的柵極電壓且第二讀取電壓VB小于存儲元的柵極電壓時，在施加第三讀取電壓VC下存儲元的通道會導通并輸出值'I'的第I上頁驗證值，并且在施加第二讀取電壓VB下存儲元的通道不會導通并輸出值'O'的第2上頁驗證值。此時，MSB會被識別為處于第一狀態(tài)，S卩，‘O’。[0149]例如，當?shù)谌x取電壓VC與第二讀取電壓VB皆大于存儲元的柵極電壓時，在施加第三讀取電壓VC下，存儲元的通道會導通并輸出值'I'的第I上頁驗證值，并且在施加第二讀取電壓VB下存儲元的通道會導通并輸出值'I'的第2上頁驗證值。此時，MSB會被識別為處于第二狀態(tài)，即，‘I’。[0150]必須了解的是，盡管本發(fā)明是以MLCNAND型快閃存儲器來作說明。然而，本發(fā)明不限于此，其他多層存儲元NAND型快閃存儲器也可依據(jù)上述原理進行數(shù)據(jù)的讀取。[0151]圖11是根據(jù)另一實施例所示出的從存儲元中讀取數(shù)據(jù)的示意圖。[0152]例如，以TLCNAND型快閃存儲器為例(如圖11所示)，每一個存儲狀態(tài)包括左側(cè)算起的第I個比特的最低有效比特LSB、從左側(cè)算起的第2個比特的中間有效比特(CenterSignificantBit,CSB)以及從左側(cè)算起的第3個比特的最高有效比特MSB，其中LSB對應(yīng)下頁面，CSB對應(yīng)中頁面，MSB對應(yīng)上頁面。在此實施例中，每一存儲元中的柵極電壓可依據(jù)第一讀取電壓VA、第二讀取電壓VB、第三讀取電壓VC、第四讀取電壓VD、第五讀取電壓VE、第六讀取電壓VF與第七讀取電壓VG而區(qū)分為8種存儲狀態(tài)(S卩，"111"、"110"、"100"、"101"、"001"、"000"、"010"與"011")。[0153]圖12是根據(jù)本發(fā)明實施例所示出的管理可復寫式非易失性存儲器模塊的示意圖。[0154]請參照圖12，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會以實體頁面為單位來對可復寫式非易失性存儲器模塊106的存儲元702進行寫入運作并且以實體區(qū)塊為單位來對可復寫式非易失性存儲器模塊106的存儲元702進行抹除運作。具體來說，可復寫式非易失性存儲器模塊106的存儲元702會構(gòu)成多個實體頁面，并且此多個實體頁面會構(gòu)成多個實體區(qū)塊400(O)?400(N)。實體區(qū)塊為抹除的最小單位。也即，每一實體區(qū)塊含有最小數(shù)目之一并被抹除的存儲元。實體頁面為程序化的最小單元。即，一個實體頁面為寫入數(shù)據(jù)的最小單元。每一實體頁面通常包括數(shù)據(jù)比特區(qū)與冗余比特區(qū)。數(shù)據(jù)比特區(qū)包含多個實體存取地址用以存儲使用者的數(shù)據(jù)，而冗余比特區(qū)用以存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)(例如，控制信息與錯誤更正碼)。例如，以TLCNAND快閃存儲器為例，位于同一條字線上的存儲元的LSB會構(gòu)成一個下實體頁面；位于同一條字線上的存儲元的CSB會構(gòu)成一個中實體頁面；并且位于同一條字線上的存儲元的MSB會構(gòu)成一個上實體頁面。[0155]圖13是根據(jù)一實施例所示出的存儲器控制器的概要方塊圖。必須了解的是，圖13所示的存儲器控制器的結(jié)構(gòu)僅為一范例，本發(fā)明不以此為限。[0156]請參照圖13，存儲器控制器104包括存儲器管理電路202、主機接口204、存儲器接口206與錯誤檢查與校正電路208。[0157]存儲器管理電路202用以控制存儲器控制器104的整體運作。具體來說，存儲器管理電路202具有多個控制指令，并且在存儲器存儲裝置100運作時，此多個控制指令會被執(zhí)行以進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運作。[0158]在本實施例中，存儲器管理電路202的控制指令是以固件形式來實作。例如，存儲器管理電路202具有微處理器單元(未示出)與只讀存儲器(未示出)，并且此多個控制指令是被燒錄至此只讀存儲器中。當存儲器存儲裝置100運作時，此些控制指令會由微處理器單元來執(zhí)行以進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運作。[0159]在本發(fā)明另一實施例中，存儲器管理電路202的控制指令也可以程序代碼式存儲于可復寫式非易失性存儲器模塊106的特定區(qū)域(例如，存儲器模塊中專用于存放系統(tǒng)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)區(qū))中。此外，存儲器管理電路202具有微處理器單元(未示出)、只讀存儲器(未示出)及隨機存取存儲器(未示出)。特別是，此只讀存儲器具有驅(qū)動碼，并且當存儲器控制器104被致能時，微處理器單元會先執(zhí)行此驅(qū)動碼段來將存儲于可復寫式非易失性存儲器模塊106中的控制指令載入至存儲器管理電路202的隨機存取存儲器中。之后，微處理器單元會運轉(zhuǎn)此些控制指令以進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運作。[0160]此外，在本發(fā)明另一實施例中，存儲器管理電路202的控制指令也可以一硬件形式來實作。例如，存儲器管理電路202包括微控制器、存儲元管理電路、存儲器寫入電路、存儲器讀取電路、存儲器抹除電路與數(shù)據(jù)處理電路。存儲元管理電路、存儲器寫入電路、存儲器讀取電路、存儲器抹除電路與數(shù)據(jù)處理電路是電性連接至微控制器。其中，存儲元管理電路用以管理可復寫式非易失性存儲器模塊106的實體區(qū)塊；存儲器寫入電路用以對可復寫式非易失性存儲器模塊106下達寫入指令以將數(shù)據(jù)寫入至可復寫式非易失性存儲器模塊106中；存儲器讀取電路用以對可復寫式非易失性存儲器模塊106下達讀取指令以從可復寫式非易失性存儲器模塊106中讀取數(shù)據(jù)；存儲器抹除電路用以對可復寫式非易失性存儲器模塊106下達抹除指令以將數(shù)據(jù)從可復寫式非易失性存儲器模塊106中抹除；而數(shù)據(jù)處理電路用以處理欲寫入至可復寫式非易失性存儲器模塊106的數(shù)據(jù)以及從可復寫式非易失性存儲器模塊106中讀取的數(shù)據(jù)。[0161]主機接口204是電性連接至存儲器管理電路202并且用以接收與識別主機系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)。也就是說，主機系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)會通過主機接口204來傳送至存儲器管理電路202。在本實施例中，主機接口204是相容于USB標準。然而，必須了解的是本發(fā)明不限于此，主機接口204也可以是相容于PATA標準、IEEE1394標準、PCIExpress標準、SD標準、SATA標準、UHS-1接口標準、UHS-1I接口標準、MS標準、MMC標準、eMMC接口標準、UFS接口標準、CF標準、IDE標準或其他適合的數(shù)據(jù)傳輸標準。[0162]存儲器接口206是電性連接至存儲器管理電路202并且用以存取可復寫式非易失性存儲器模塊106。也就是說，欲寫入至可復寫式非易失性存儲器模塊106的數(shù)據(jù)會經(jīng)由存儲器接口206轉(zhuǎn)換為可復寫式非易失性存儲器模塊106所能接受的格式。[0163]錯誤檢查與校正電路208是電性連接至存儲器管理電路202并且用以執(zhí)行一錯誤校正程序以確保數(shù)據(jù)的正確性。具體來說，當存儲器管理電路202從可復寫式非易失性存儲器模塊106中讀取數(shù)據(jù)時，錯誤檢查與校正電路208會對所讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯誤校正程序。例如，在本實施例中，錯誤檢查與校正電路208為低密度奇偶校正(LowDensityParityCheck,LDPC)電路，并且會存儲記錄對數(shù)可能性比(LogLikelihoodRat1，LLR)值查詢表。當存儲器管理電路202從可復寫式非易失性存儲器模塊106讀取數(shù)據(jù)時，錯誤檢查與校正電路208會依據(jù)所讀取的數(shù)據(jù)以及查詢表中對應(yīng)的LLR值來執(zhí)行錯誤校正程序。其中，值得說明的是在另一實施例中，錯誤檢查與校正電路208也可為Turbo碼(TurboCode)電路。[0164]在本發(fā)明一實施例中，存儲器控制器104還包括緩沖存儲器210與電源管理電路212。[0165]緩沖存儲器210是電性連接至存儲器管理電路202并且用以暫存來自于主機系統(tǒng)1000的數(shù)據(jù)與指令或來自于可復寫式非易失性存儲器模塊106的數(shù)據(jù)。[0166]電源管理電路212是電性連接至存儲器管理電路202并且用以控制存儲器存儲裝置100的電源。[0167]圖14是根據(jù)一實施例所示出當存儲元多次程序化與抹除后存儲于存儲元陣列中的寫入數(shù)據(jù)所對應(yīng)的柵極電壓的統(tǒng)計分配圖。[0168]當欲從存儲元中讀取數(shù)據(jù)時，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會指示可復寫式非易失性存儲器模塊106的控制電路2212對連接至欲讀取的存儲元的字線施加所設(shè)定的讀取電壓組，以驗證存儲元的通道存儲狀態(tài)。特別是，在寫入與抹除過程中，可復寫式非易失性存儲器模塊106的存儲元702會隨著電子多次的注入與移除而造成部分結(jié)構(gòu)磨損，例如隧道氧化層，導致電子寫入速度增加并造成臨界電壓分布變寬(如圖14的虛線所示)。[0169]在本實施例中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會根據(jù)字線上的存儲元的臨界電壓分布來決定讀取電壓。例如，以TLCNAND快閃存儲器為例，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會根據(jù)連接至一個字線的存儲元的臨界電壓分布來搜尋或追蹤此臨界電壓分布中的相對最低點(MinimumPoint)來設(shè)定上述第一讀取電壓VA、第二讀取電壓VB、第三讀取電壓VC、第四讀取電壓VD、第五讀取電壓VE與第六讀取電壓VF與第七讀取電壓VG(如圖14所示)。[0170]在本實施例中，存儲器管理電路202包括存儲單元282與軟值獲取電路284。[0171]存儲單元282用以記錄根據(jù)目前存儲元的臨界電壓分布所設(shè)定的讀取電壓，例如，第一讀取電壓VA、第二讀取電壓VB、第三讀取電壓VC、第四讀取電壓VD、第五讀取電壓VE與第六讀取電壓VF與第七讀取電壓VG。例如，存儲器管理電路202可以每一字線為單位設(shè)定對應(yīng)的讀取電壓，并且將此些讀取電壓的設(shè)定記錄在存儲單元282，并且之后進行讀取運作時，根據(jù)不同字線施加不同的讀取電壓。[0172]軟值獲取電路284是電性連接至存儲單元282，用以施加調(diào)整讀取電壓至存儲元來讀取比特數(shù)據(jù)以作為此些存儲元的軟值(SoftValue)。[0173]具體來說，如上所述，在讀取運作時，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會施加讀取電壓至字線來獲取比特數(shù)據(jù)，在此，通過施加讀取電壓至存儲元所獲取的比特數(shù)據(jù)稱為硬值(HardValue)。如上所述，當可復寫式非易失性存儲器模塊106處于長期閑置、漏電、或是被頻繁使用等情形下，可復寫式非易失性存儲器模塊106的存儲元的浮動電壓可能會改變而造成錯誤比特。因此，錯誤檢查與校正電路208會根據(jù)所獲取的硬值來進行錯誤校正程序以輸出已校正的數(shù)據(jù)，由此確保數(shù)據(jù)的正確性。特別是，由于存儲元劣化情況嚴重使得通過施加讀取電壓至存儲元所獲取的比特數(shù)據(jù)中的錯誤比特過多，因而，造成錯誤檢查與校正電路208無法順利地譯碼通過施加讀取電壓至存儲元所獲取的比特數(shù)據(jù)而產(chǎn)生已校正數(shù)據(jù)。為了解決此問題，在本實施例中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會指示軟值獲取電路284施加調(diào)整讀取電壓至存儲元來讀取比特數(shù)據(jù)以作為此多個存儲元的軟值，并且將所獲取的軟值提供給錯誤檢查與校正電路208，由此使提供更多的信息使錯誤檢查與校正電路208能夠順利進行錯誤校正程序。[0174]在本實施例中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會識別欲讀取的存儲元的臨界電壓分布的偏移狀況，選擇不同的調(diào)整讀取電壓組來從欲讀取的存儲元中獲取軟值。[0175]圖15是根據(jù)本實施例所示出的以正常調(diào)整讀取電壓組來從欲讀取的存儲元中獲取軟值的示意圖。為了方便說明，圖15的例子是以讀取某個下實體頁面而施加第一讀取電壓VA至連接構(gòu)成此實體頁面的存儲元的字線為例來進行說明。[0176]請參照圖15，當存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)指示施加第一讀取電壓VA至字線(以下稱為第一字線)，以識別連接至第一字線上的存儲元的存儲狀態(tài)時，由于連接至第一字線上的存儲元的臨界電壓分布已變寬，因此，區(qū)塊1501中的存儲元的存儲狀態(tài)應(yīng)為“001”，卻被誤判為“101”，而區(qū)塊1503中的存儲元的存儲狀態(tài)應(yīng)為“101”，卻被誤判為“001”。因此，造成使用第一讀取電壓VA從此下實體頁面所讀取的比特數(shù)據(jù)無法被錯誤檢查與校正電路208順利校正而產(chǎn)生正確的頁數(shù)據(jù)。[0177]此時，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會識別連接至第一字線上的存儲元的臨界電壓分布為正常分布，并且指示施加對應(yīng)第一讀取電壓VA的正常調(diào)整讀取電壓組至連接至第一字線上的存儲元來獲取軟值。[0178]例如，如上所述，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會根據(jù)連接至一個字線的存儲元的臨界電壓分布來搜尋或追蹤此臨界電壓分布中的相對最低點來設(shè)定第一讀取電壓VA，因此，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)可根據(jù)此臨界電壓分布中的相對最低點來判斷臨界電壓分布是否有偏移，并且倘若臨界電壓分布無偏移時，則識別臨界電壓分布為正常分布。[0179]在本實施例中，對應(yīng)第一讀取電壓VA的正常調(diào)整讀取電壓組是由大于第一讀取電壓VA的多個正調(diào)整讀取電壓與小于第一讀取電壓VA的多個負調(diào)整讀取電壓所組成，并且正調(diào)整讀取電壓與負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目是相同的。例如，對應(yīng)第一讀取電壓VA的第一正常調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓VANPl、VANP2、VANP3與第一正常調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓VANM1、VANM2、VANM3。具體來說，由于第一字線上的存儲元的臨界電壓分布為正常分布，因此，施加以第一讀取電壓VA為基準具有對稱數(shù)目的調(diào)整讀取電壓組可以均勻地獲取存儲元的信息(即，軟值)。值得一提的是，在本實施例中，相鄰的調(diào)整讀取電壓之間的電壓差是固定，但本發(fā)明不限于此，在另一實施例中，相鄰的調(diào)整讀取電壓之間的電壓差也可以是非固定。[0180]必須了解的是，上述設(shè)定第一讀取電壓VA的正常調(diào)整讀取電壓組的方式也可適用于其他讀取電壓的正常調(diào)整讀取電壓組。例如，在一實施例中，在讀取中實體頁面時，對應(yīng)第二讀取電壓的正常調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)第三讀取電壓的正常調(diào)整讀取電壓組也是類似對應(yīng)第一讀取電壓的正常調(diào)整讀取電壓組，以第二讀取電壓VB為基準具有對稱數(shù)目的調(diào)整讀取電壓組和第三讀取電壓VC為基準具有對稱數(shù)目的調(diào)整讀取電壓組來讀取軟值。再例如，在一實施例中，在讀取上實體頁面時，對應(yīng)第四讀取電壓VD的正常調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第五讀取電壓VE的正常調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第六讀取電壓VF的正常調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)第七讀取電壓VG的正常調(diào)整讀取電壓組也是類似對應(yīng)第一讀取電壓的正常調(diào)整讀取電壓組，以第四讀取電壓VD為基準具有對稱數(shù)目的調(diào)整讀取電壓組、第五讀取電壓VE為基準具有對稱數(shù)目的調(diào)整讀取電壓組、第六讀取電壓VF為基準具有對稱數(shù)目的調(diào)整讀取電壓組和第七讀取電壓VG為基準具有對稱數(shù)目的調(diào)整讀取電壓組來讀取軟值。[0181]圖16是根據(jù)本實施例所示出的以右調(diào)整讀取電壓組來從欲讀取的存儲元中獲取軟值的示意圖。為了方便說明，圖16的例子是以讀取某個下實體頁面而施加第一讀取電壓VA至連接構(gòu)成此實體頁面的存儲元的字線為例來進行說明。[0182]請參照圖16，當使用第一讀取電壓VA從此下實體頁面所讀取的比特數(shù)據(jù)無法被錯誤檢查與校正電路208順利校正而產(chǎn)生正確的頁數(shù)據(jù)時，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會識別連接至第一字線上的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布，并且指示施加右調(diào)整讀取電壓組至連接至第一字線上的存儲元來獲取軟值。[0183]例如，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會根據(jù)連接至一個字線的存儲元的臨界電壓分布來搜尋或追蹤此臨界電壓分布中的相對最低點來設(shè)定第一讀取電壓VA，由此識別出臨界電壓分布為右偏移分布。[0184]在本實施例中，對應(yīng)第一讀取電壓VA的右調(diào)整讀取電壓組是由大于第一讀取電壓VA的多個正調(diào)整讀取電壓與小于第一讀取電壓VA的多個負調(diào)整讀取電壓所組成，并且正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目是大于負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。例如，對應(yīng)第一讀取電壓VA的第一右調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓VARPl、VARP2、VARP3、VARP4與第一右調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓VARM1、VARM2。具體來說，由于第一字線上的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布，因此，在柵極電壓大于第一讀取電壓VA的存儲元中會被誤判的存儲元較多。因此，以較多大于第一讀取電壓VA的正調(diào)整讀取電壓來獲取軟值，可以提供更多的信息以利錯誤檢查與校正電路208進行錯誤校正程序。[0185]必須了解的是，上述設(shè)定第一讀取電壓VA的右調(diào)整讀取電壓組的方式也可適用于其他讀取電壓的右調(diào)整讀取電壓組。例如，在一實施例中，在讀取中實體頁面時，對應(yīng)第二讀取電壓的右調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)第三讀取電壓的右調(diào)整讀取電壓組也是類似對應(yīng)第一讀取電壓的右調(diào)整讀取電壓組來被設(shè)定以讀取軟值。再例如，在一實施例中，在讀取上實體頁面時，對應(yīng)第四讀取電壓VD的右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第五讀取電壓VE的右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第六讀取電壓VF的右調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)第七讀取電壓VG的右調(diào)整讀取電壓組也是類似對應(yīng)第一讀取電壓的右調(diào)整讀取電壓組來設(shè)定以讀取軟值。圖17是根據(jù)本實施例所示出的以左調(diào)整讀取電壓組來從欲讀取的存儲元中獲取軟值的示意圖。為了方便說明，圖17的例子是以讀取某個下實體頁面而施加第一讀取電壓VA至連接構(gòu)成此實體頁面的存儲元的字線為例來進行說明。[0186]請參照圖17，當使用第一讀取電壓VA從此下實體頁面所讀取的比特數(shù)據(jù)無法被錯誤檢查與校正電路208順利校正而產(chǎn)生正確的頁數(shù)據(jù)時，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會識別連接至第一字線上的存儲元的臨界電壓分布為左偏移分布，并且指示施加左調(diào)整讀取電壓組至連接至第一字線上的存儲元來獲取軟值。[0187]例如，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會根據(jù)連接至一個字線的存儲元的臨界電壓分布來搜尋或追蹤此臨界電壓分布中的相對最低點來設(shè)定第一讀取電壓VA，由此識別出臨界電壓分布為左偏移分布。[0188]在本實施例中，對應(yīng)第一讀取電壓VA的左調(diào)整讀取電壓組是由大于第一讀取電壓VA的多個正調(diào)整讀取電壓與小于第一讀取電壓VA的多個負調(diào)整讀取電壓所組成，并且負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目是大于正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。例如，對應(yīng)第一讀取電壓VA的第一左調(diào)整讀取電壓組的正調(diào)整讀取電壓VALPl、VALP2與第一左調(diào)整讀取電壓組的負調(diào)整讀取電壓VALM1、VALM2、VALM3、VALM4。具體來說，由于第一字線上的存儲元的臨界電壓分布為左偏移分布，因此，在柵極電壓小于第一讀取電壓VA的存儲元中會被誤判的存儲元較多。因此，以較多小于第一讀取電壓VA的負調(diào)整讀取電壓來獲取軟值，可以提供更多的信息以利于錯誤檢查與校正電路208進行錯誤校正程序。[0189]必須了解的是，上述設(shè)定第一讀取電壓VA的左調(diào)整讀取電壓組的方式也可適用于其他讀取電壓的左調(diào)整讀取電壓組。例如，在一實施例中，在讀取中實體頁面時，對應(yīng)第二讀取電壓的左調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)第三讀取電壓的左調(diào)整讀取電壓組也是類似對應(yīng)第一讀取電壓的左調(diào)整讀取電壓組來被設(shè)定以讀取軟值。再例如，在一實施例中，在讀取上實體頁面時，對應(yīng)第四讀取電壓VD的左調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第五讀取電壓VE的左調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)第六讀取電壓VF的左調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)第七讀取電壓VG的左調(diào)整讀取電壓組也是類似對應(yīng)第一讀取電壓的左調(diào)整讀取電壓組來設(shè)定以讀取軟值。[0190]圖18是根據(jù)本實施例所示出的讀取下實體頁面的數(shù)據(jù)讀取方法的流程圖。[0191]請參照圖18，在步驟S1801中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會從主機系統(tǒng)接收讀取指令。[0192]之后，在步驟S1803中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會根據(jù)此讀取指令識別對應(yīng)的字線(以下稱為第一字線)上并且根據(jù)連接至第一字線的存儲元的臨界電壓分布決定第一讀取電壓I[0193]在步驟S1805中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會施加第一讀取電壓VA至第一字線以獲取多個比特數(shù)據(jù)。[0194]在步驟S1807中，存儲器控制器104(或錯誤檢查與校正電路208)會判斷是否可以正確地譯碼所獲取的比特數(shù)據(jù)以獲取已完成校正的頁數(shù)據(jù)(以下稱為第一頁數(shù)據(jù))。[0195]倘若可以獲取已完成校正的第一頁數(shù)據(jù)時，在步驟S1809中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會輸出已完成校正的第一頁數(shù)據(jù)給主機系統(tǒng)1000。[0196]倘若無法獲取已完成校正的第一頁數(shù)據(jù)時，在步驟S1811中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會判斷連接至第一字線的存儲元的臨界電壓分布為正常分布、右偏移分布或左偏移分布。[0197]倘若連接至第一字線的存儲元的臨界電壓分布為正常分布時，在步驟S1813中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會施加對應(yīng)第一讀取電壓VA的正常調(diào)整讀取電壓組(以下稱為第一正常調(diào)整讀取電壓組)至第一字線以獲取多個比特數(shù)據(jù)以作為對應(yīng)的軟值(以下稱為第一軟值)。[0198]倘若連接至第一字線的存儲元的臨界電壓分布為右偏移分布時，在步驟S1815中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會施加對應(yīng)第一讀取電壓VA的右調(diào)整讀取電壓組(以下稱為第一右調(diào)整讀取電壓組)至第一字線以獲取多個比特數(shù)據(jù)作為第一軟值。[0199]倘若連接至第一字線的存儲元的臨界電壓分布為左偏移分布時，在步驟S1817中，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會施加對應(yīng)第一讀取電壓VA的左調(diào)整讀取電壓組(以下稱為第一左調(diào)整讀取電壓組)至第一字線以獲取多個比特數(shù)據(jù)作為第一軟值。[0200]之后，在步驟S1819中，存儲器控制器104(或錯誤檢查與校正電路208)會判斷是否可以正確地譯碼第一軟值以獲取已完成校正的第一頁數(shù)據(jù)。[0201]倘若可以正確地譯碼所獲取的軟值以獲取已完成校正的第一頁數(shù)據(jù)時，步驟S1809會被執(zhí)行。并且，倘若無法正確地譯碼所獲取的軟值以獲取已完成校正的第一頁數(shù)據(jù)時，在步驟S1821中，存儲器控制器104(或錯誤檢查與校正電路208)會輸出錯誤信息給主機系統(tǒng)1000。[0202]盡管圖18的流程圖僅示出根據(jù)存儲元的臨界電壓分布使用對應(yīng)第一讀取電壓的第一正常調(diào)整讀取電壓組、第一右調(diào)整讀取電壓組或第一左調(diào)整讀取電壓組來獲取第一軟值，由此獲取存儲于下實體頁面中的已校正第一頁數(shù)據(jù)的方法，然而此方法也可應(yīng)用讀取中實體頁面與上實體頁面。例如，在讀取中實體頁面的例子中，倘若通過施加第二讀取電壓VB與第三讀取電壓VC所獲取的比特數(shù)據(jù)無法被譯碼而獲取對應(yīng)的頁數(shù)據(jù)(以下稱為第二頁數(shù)據(jù))時，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會根據(jù)存儲元的臨界電壓分布使用對應(yīng)第二讀取電壓VB與第三讀取電壓VC的正常調(diào)整讀取電壓組、右調(diào)整讀取電壓組或左調(diào)整讀取電壓組來獲取軟值(以下稱為第二軟值)并譯碼第二軟值來獲取已完成校正的第二頁數(shù)據(jù)。再例如，在讀取中實體頁面的例子中，倘若通過施加第四讀取電壓VD、第五讀取電壓VE、第六讀取電壓VF與第七讀取電壓VG所獲取的比特數(shù)據(jù)無法被譯碼而獲取對應(yīng)的頁數(shù)據(jù)(以下稱為第三頁數(shù)據(jù))時，存儲器控制器104(或存儲器管理電路202)會根據(jù)存儲元的臨界電壓分布使用對應(yīng)第四讀取電壓VD、第五讀取電壓VE、第六讀取電壓VF與第七讀取電壓VG的正常調(diào)整讀取電壓組、右調(diào)整讀取電壓組或左調(diào)整讀取電壓組來獲取軟值(以下稱為第三軟值)并譯碼第三軟值來獲取已完成校正的第三頁數(shù)據(jù)。[0203]值得一提的是，盡管在本實施例中存儲器管理電路202是實作在存儲器控制器104中，但本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明另一實施例中，存儲器管理電路202也可實作在可復寫式非易失性存儲器模塊106的控制電路中并通過一接口電性連接至可復寫式非易失性存儲器模塊106的存儲元陣列2202。[0204]綜上所述，本發(fā)明的數(shù)據(jù)讀取方法、存儲器控制器、存儲器存儲裝置與可復寫式非易失性存儲器模塊可以根據(jù)存儲元的臨界電壓分布使用適當?shù)恼{(diào)整讀取電壓來獲取軟值，由此提升錯誤校正的能力，以避免數(shù)據(jù)遺失。[0205]最后應(yīng)說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍?！緳?quán)利要求】1.一種數(shù)據(jù)讀取方法，用于一可復寫式非易失性存儲器模塊，其特征在于，該可復寫式非易失性存儲器模塊具有多個存儲元、多條字線與多條位線，該數(shù)據(jù)讀取方法包括:根據(jù)該多條字線之中的一第一字線的多個存儲兀的一臨界電壓分布決定對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的一第一讀取電壓；判斷該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布是否為一正常分布、一右偏移分布或一左偏移分布；倘若該第一字線的該多個存儲兀的該臨界電壓分布為該右偏移分布時，施加對應(yīng)該第一讀取電壓的一第一右調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的多個第一軟值；以及譯碼對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第一軟值以獲取存儲于該第一字線的該多個存儲元中的一第一頁數(shù)據(jù)，其中該第一右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第一右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第一讀取電壓，該第一右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第一讀取電壓，并且該第一右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第一右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，還包括:倘若該第一字線的該多個存儲兀的該臨界電壓分布為該左偏移分布時，施加對應(yīng)該第一讀取電壓的一第一左調(diào)整讀取電壓組至該第一字線以獲取對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第一軟值，其中該第一左調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第一左調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第一讀取電壓，該第一左調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第一讀取電壓，并且該第一左調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第一左調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，還包括:倘若該第一字線的該多個存儲兀的該臨界電壓分布為該正常分布時，施加對應(yīng)該第一讀取電壓的一第一正常調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第一軟值，其中該第一正常調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第一正常調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整電壓大于該第一讀取電壓，該第一正常調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第一讀取電壓，并且該第一正常調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目等于該第一正常調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，還包括:根據(jù)該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布決定對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的一第二讀取電壓與一第三讀取電壓；倘若該第一字線的該多個存儲兀的該臨界電壓分布為該右偏移分布時，施加對應(yīng)該第二讀取電壓的一第二右調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)該第三讀取電壓的一第三右調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的多個第二軟值；以及譯碼對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第二軟值以獲取存儲于該第一字線的該多個存儲元中的一第二頁數(shù)據(jù)，其中該第二右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第二右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第二讀取電壓，該第二右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第二讀取電壓，并且該第二右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第二右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第三右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第三右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第三讀取電壓，該第三右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第三讀取電壓，并且該第三右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第三右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，還包括:根據(jù)該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布決定對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的一第四讀取電壓、一第五讀取電壓、一第六讀取電壓與一第七讀取電壓；倘若該第一字線的該多個存儲兀的該臨界電壓分布為該右偏移分布時，施加對應(yīng)該第四讀取電壓的一第四右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)該第五讀取電壓的一第五右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)該第六讀取電壓的一第六右調(diào)整讀取電壓組和對應(yīng)該第七讀取電壓的一第七右調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的多個第三軟值；以及譯碼對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第三軟值以獲取存儲于該第一字線的該多個存儲元中的一第三頁數(shù)據(jù)，其中該第四右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第四右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第四讀取電壓，該第四右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第四讀取電壓，并且該第四右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第四右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第五右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第五右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第五讀取電壓，該第五右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第五讀取電壓，并且該第五右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第五右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第六右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第六右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第六讀取電壓，該第六右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第六讀取電壓，并且該第六右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第六右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第七右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第七右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第七讀取電壓，該第七右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第七讀取電壓，并且該第七右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第七右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。6.一種控制電路，用于從一可復寫式非易失性存儲器模塊的多個存儲元中讀取數(shù)據(jù)，其特征在于，該控制電路包括:一接口，用以電性連接該多個存儲元、多條字線與多條位線；一錯誤檢查與校正電路；以及一存儲器管理電路，電性連接至該接口與該錯誤檢查與校正電路，并且用以根據(jù)該多個字線之中的一第一字線的多個存儲元的一臨界電壓分布決定對應(yīng)該第一字線的該多個存儲兀的一第一讀取電壓，其中該存儲器管理電路還用以判斷該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布是否為一正常分布、一右偏移分布或一左偏移分布，其中倘若該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布為該右偏移分布時，該存儲器管理電路還用以施加對應(yīng)該第一讀取電壓的一第一右調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的多個第一軟值，其中該存儲器管理電路還用以傳送對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第一軟值給該錯誤檢查與校正電路并且該錯誤檢查與校正電路譯碼對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第一軟值以獲取存儲于該第一字線的該多個存儲元中的一第一頁數(shù)據(jù)，其中該第一右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第一右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第一讀取電壓，該第一右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第一讀取電壓，并且該第一右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第一右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制電路，其特征在于，倘若該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布為該左偏移分布時，該存儲器管理電路還用以施加對應(yīng)該第一讀取電壓的一第一左調(diào)整讀取電壓組至該第一字線以獲取對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第一軟值，其中該第一左調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第一左調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第一讀取電壓，該第一左調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第一讀取電壓，并且該第一左調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第一左調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制電路，其特征在于，倘若該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布為該正常分布時，該存儲器管理電路還用以施加對應(yīng)該第一讀取電壓的一第一正常調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第一軟值，其中該第一正常調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第一正常調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整電壓大于該第一讀取電壓，該第一正常調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第一讀取電壓，并且該第一正常調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目等于該第一正常調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制電路，其特征在于，該存儲器管理電路還用以根據(jù)該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布決定對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的一第二讀取電壓與一第三讀取電壓，其中倘若該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布為該右偏移分布時，該存儲器管理電路還用以施加對應(yīng)該第二讀取電壓的一第二右調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)該第三讀取電壓的一第三右調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的多個第二軟值，其中該存儲器管理電路還用以傳送對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第二軟值給該錯誤檢查與校正電路并且該錯誤檢查與校正電路譯碼對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第二軟值以獲取存儲于該第一字線的該多個存儲元中的一第二頁數(shù)據(jù)，其中該第二右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第二右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第二讀取電壓，該第二右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第二讀取電壓，并且該第二右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第二右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第三右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第三右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第三讀取電壓，該第三右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第三讀取電壓，并且該第三右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第三右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的控制電路，其特征在于，該存儲器管理電路還用以根據(jù)該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布決定對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的一第四讀取電壓、一第五讀取電壓、一第六讀取電壓與一第七讀取電壓，其中倘若該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布為該右偏移分布時，該存儲器管理電路還用以施加對應(yīng)該第四讀取電壓的一第四右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)該第五讀取電壓的一第五右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)該第六讀取電壓的一第六右調(diào)整讀取電壓組和對應(yīng)該第七讀取電壓的一第七右調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的多個第三軟值，其中該存儲器管理電路還用以傳送對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第三軟值給該錯誤檢查與校正電路并且該錯誤檢查與校正電路譯碼對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第三軟值以獲取存儲于該第一字線的該多個存儲元中的一第三頁數(shù)據(jù)，其中該第四右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第四右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第四讀取電壓，該第四右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第四讀取電壓，并且該第四右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第四右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第五右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第五右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第五讀取電壓，該第五右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第五讀取電壓，并且該第五右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第五右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第六右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第六右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第六讀取電壓，該第六右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第六讀取電壓，并且該第六右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第六右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第七右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第七右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第七讀取電壓，該第七右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第七讀取電壓，并且該第七右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第七右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。11.一種存儲器存儲裝置，其特征在于，包括:一連接器，用以電性連接至一主機系統(tǒng)；一可復寫式非易失性存儲器模塊，其中該可復寫式非易失性存儲器模塊具有多個存儲元、多條字線與多條位線；以及一存儲器控制器，電性連接至該連接器與該可復寫式非易失性存儲器模塊，且用以根據(jù)該多條字線之中的一第一字線的多個存儲兀的一臨界電壓分布決定對應(yīng)電性該第一字線的該多個存儲元的一第一讀取電壓，其中該存儲器控制器還用以判斷該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布是否為一正常分布、一右偏移分布或一左偏移分布，其中倘若該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布為該右偏移分布時，該存儲器控制器還用以施加對應(yīng)該第一讀取電壓的一第一右調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的多個第一軟值，其中該存儲器控制器還用以譯碼對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第一軟值以獲取存儲于該第一字線的該多個存儲元中的一第一頁數(shù)據(jù)，其中該第一右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第一右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第一讀取電壓，該第一右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第一讀取電壓，并且該第一右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第一右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器存儲裝置，其特征在于，倘若該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布為該左偏移分布時，該存儲器控制器還用以施加對應(yīng)該第一讀取電壓的一第一左調(diào)整讀取電壓組至該第一字線以獲取對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第一軟值，其中該第一左調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第一左調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第一讀取電壓，該第一左調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第一讀取電壓，并且該第一左調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第一左調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器存儲裝置，其特征在于，倘若該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布為該正常分布時，該存儲器控制器還用以施加對應(yīng)該第一讀取電壓的一第一正常調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第一軟值，其中該第一正常調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第一正常調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整電壓大于該第一讀取電壓，該第一正常調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第一讀取電壓，并且該第一正常調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目等于該第一正常調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器存儲裝置，其特征在于，該存儲器控制器還用以根據(jù)該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布決定對應(yīng)該第一字線的該多個存儲兀的一第二讀取電壓與一第三讀取電壓，其中倘若該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布為該右偏移分布時，該存儲器控制器還用以施加對應(yīng)該第二讀取電壓的一第二右調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)該第三讀取電壓的一第三右調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的多個第二軟值，其中該存儲器控制器還用以譯碼對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第二軟值以獲取存儲于該第一字線的該多個存儲元中的一第二頁數(shù)據(jù)，其中該第二右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第二右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第二讀取電壓，該第二右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第二讀取電壓，并且該第二右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第二右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第三右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第三右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第三讀取電壓，該第三右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第三讀取電壓，并且該第三右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第三右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器存儲裝置，其特征在于，該存儲器控制器還用以根據(jù)該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布決定對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的一第四讀取電壓、一第五讀取電壓、一第六讀取電壓與一第七讀取電壓，其中倘若該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布為該右偏移分布時，該存儲器控制器還用以施加對應(yīng)該第四讀取電壓的一第四右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)該第五讀取電壓的一第五右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)該第六讀取電壓的一第六右調(diào)整讀取電壓組和對應(yīng)該第七讀取電壓的一第七右調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的多個第三軟值，其中該存儲器控制器還用以譯碼對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第三軟值以獲取存儲于該第一字線的該多個存儲元中的一第三頁數(shù)據(jù)，其中該第四右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第四右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第四讀取電壓，該第四右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第四讀取電壓，并且該第四右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第四右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第五右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第五右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第五讀取電壓，該第五右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第五讀取電壓，并且該第五右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第五右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第六右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第六右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第六讀取電壓，該第六右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第六讀取電壓，并且該第六右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第六右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第七右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第七右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第七讀取電壓，該第七右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第七讀取電壓，并且該第七右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第七右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。16.—種存儲器模塊,其特征在于,包括:多條字線；多條位線；多個存儲元，其中每一該多個存儲元與該多條字線的其中一條字線以及該多條位線的其中一條位線電性連接，并且每一存儲元可存儲至少一個比特數(shù)據(jù)；以及一控制電路，電性連接至該多條字線、該多條位線與該多個存儲元，且用以根據(jù)該多條字線之中的一第一字線的多個存儲元的一臨界電壓分布決定對應(yīng)該第一字線的該多個存儲兀的一第一讀取電壓，其中該控制電路還用以判斷該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布是否為一正常分布、一右偏移分布或一左偏移分布，其中倘若該第一字線的該多個存儲兀的該臨界電壓分布為該右偏移分布時，該控制電路還用以施加對應(yīng)該第一讀取電壓的一第一右調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的多個第一軟值，其中該控制電路還用以譯碼對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第一軟值以獲取存儲于該第一字線的該多個存儲元中的一第一頁數(shù)據(jù)，其中該第一右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第一右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第一讀取電壓，該第一右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第一讀取電壓，并且該第一右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第一右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲器模塊，其特征在于，倘若該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布為該左偏移分布時，該控制電路還用以施加對應(yīng)該第一讀取電壓的一第一左調(diào)整讀取電壓組至該第一字線以獲取對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第一軟值，其中該第一左調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第一左調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第一讀取電壓，該第一左調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第一讀取電壓，并且該第一左調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第一左調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲器模塊，其特征在于，倘若該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布為該正常分布時，該控制電路還用以施加對應(yīng)該第一讀取電壓的一第一正常調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第一軟值，其中該第一正常調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第一正常調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整電壓大于該第一讀取電壓，該第一正常調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第一讀取電壓，并且該第一正常調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目等于該第一正常調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲器模塊，其特征在于，該控制電路還用以根據(jù)該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布決定對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的一第二讀取電壓與一第三讀取電壓，其中倘若該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布為該右偏移分布時，該存儲器控制器還用以施加對應(yīng)該第二讀取電壓的一第二右調(diào)整讀取電壓組與對應(yīng)該第三讀取電壓的一第三右調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的多個第二軟值，其中該存儲器控制器還用以譯碼對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第二軟值以獲取存儲于該第一字線的該多個存儲元中的一第二頁數(shù)據(jù)，其中該第二右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第二右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第二讀取電壓，該第二右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第二讀取電壓，并且該第二右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第二右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第三右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第三右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第三讀取電壓，該第三右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第三讀取電壓，并且該第三右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第三右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的存儲器模塊，其特征在于，該控制電路還用以根據(jù)該第一字線的該多個存儲元的該臨界電壓分布決定對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的一第四讀取電壓、一第五讀取電壓、一第六讀取電壓與一第七讀取電壓，其中倘若該第一字線的該多個存儲兀的該臨界電壓分布為該右偏移分布時，該控制電路還用以施加對應(yīng)該第四讀取電壓的一第四右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)該第五讀取電壓的一第五右調(diào)整讀取電壓組、對應(yīng)該第六讀取電壓的一第六右調(diào)整讀取電壓組和對應(yīng)該第七讀取電壓的一第七右調(diào)整讀取電壓組至該第一字線來讀取多個比特數(shù)據(jù)作為對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的多個第三軟值，其中該控制電路還用以譯碼對應(yīng)該第一字線的該多個存儲元的該多個第三軟值以獲取存儲于該第一字線的該多個存儲元中的一第三頁數(shù)據(jù)，其中該第四右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第四右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第四讀取電壓，該第四右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第四讀取電壓，并且該第四右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第四右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第五右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第五右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第五讀取電壓，該第五右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第五讀取電壓，并且該第五右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第五右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第六右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第六右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第六讀取電壓，該第六右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第六讀取電壓，并且該第六右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第六右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目，其中該第七右調(diào)整讀取電壓組包括多個正調(diào)整讀取電壓與多個負調(diào)整讀取電壓，該第七右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個正調(diào)整讀取電壓大于該第七讀取電壓，該第七右調(diào)整讀取電壓組的每一該多個負調(diào)整讀取電壓小于該第七讀取電壓，并且該第七右調(diào)整讀取電壓組的該多個正調(diào)整讀取電壓的數(shù)目大于該第七右調(diào)整讀取電壓組的該多個負調(diào)整讀取電壓的數(shù)目?！疚臋n編號】G11C16/26GK104167220SQ201310182018【公開日】2014年11月26日申請日期:2013年5月16日優(yōu)先權(quán)日:2013年5月16日【發(fā)明者】鄭國義,林緯,林玉祥,嚴紹維,賴國欣申請人:群聯(lián)電子股份有限公司