用于記錄頭的寫(xiě)入磁極的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明中公開(kāi)的一種寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)包括寫(xiě)入磁極層、包含傾斜表面的底層、以及寫(xiě)入磁極層與底層之間的覆蓋層，其中該覆蓋層由具有比寫(xiě)入磁極層的硬度小的硬度的材料制成。
【專(zhuān)利說(shuō)明】用于記錄頭的寫(xiě)入磁極
【背景技術(shù)】
[0001]在磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和檢取系統(tǒng)中，磁讀/寫(xiě)頭典型地包括讀出器部分，該讀出器部分具有磁阻(MR)傳感器，用于檢取存儲(chǔ)在磁盤(pán)上的磁編碼信息。來(lái)自盤(pán)表面的磁通使MR傳感器的感測(cè)層的磁化矢量旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而造成MR傳感器的電阻率變化。MR傳感器的電阻率變化可通過(guò)使電流流過(guò)MR傳感器并測(cè)量MR傳感器兩側(cè)的電壓來(lái)檢測(cè)出。外部電路系統(tǒng)隨后將該電壓信息轉(zhuǎn)化成適當(dāng)?shù)母袷讲⒏鶕?jù)需要操縱該信息以恢復(fù)盤(pán)上所編碼的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0002]本文中描述并要求保護(hù)的實(shí)現(xiàn)提供了一種寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)，該寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)包括寫(xiě)入磁極層、包含傾斜表面的底層、以及寫(xiě)入磁極層與底層之間的覆蓋層，其中該覆蓋層由具有比寫(xiě)入磁極層的硬度小的硬度的材料制成。
[0003]提供本概述以便以簡(jiǎn)化形式介紹在以下【具體實(shí)施方式】中進(jìn)一步描述的對(duì)概念的選擇。本
【發(fā)明內(nèi)容】
并不旨在標(biāo)識(shí)所要求保護(hù)主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護(hù)主題的范圍。通過(guò)閱讀以下詳細(xì)描述，這些以及各個(gè)其他特征和優(yōu)點(diǎn)將是顯而易見(jiàn)的。
[0004]附圖簡(jiǎn)沭
[0005]圖1例示了示出在執(zhí)行器組件的端部實(shí)現(xiàn)的示例寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)示意框圖。
[0006]圖2例示了寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的制造期間部分寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的框圖。
[0007]圖3例示了寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的制造期間替換性部分寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的框圖。
[0008]圖4例示了寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的制造期間替換性部分寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的框圖。
[0009]圖5例不了與入磁極結(jié)構(gòu)的空氣軸承表面不圖和側(cè)視圖。
[0010]圖6例示了寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖和各個(gè)橫截面示圖。
[0011]圖7例示了制造本文中公開(kāi)的寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的示例操作。
[0012]圖8例示了本文中公開(kāi)的寫(xiě)入磁極的三維視圖的示例例示。
【具體實(shí)施方式】
[0013]由于記錄位在其殘余狀態(tài)下的改進(jìn)的超級(jí)旁磁學(xué)(super-para-magnetics),因此垂直磁性記錄被用在記錄行業(yè)中。隨著增加面密度的進(jìn)一步推動(dòng)，需要記錄寫(xiě)入器來(lái)在磁介質(zhì)的記錄層中生成大的寫(xiě)入磁場(chǎng)和磁場(chǎng)梯度。然而，來(lái)自記錄寫(xiě)入器的主磁極的寫(xiě)入磁場(chǎng)通常受到頭材料的最大磁矩和磁極幾何形狀的限制。由于磁道的尺寸變得更小，因此寫(xiě)入磁極以及該寫(xiě)入磁極的后緣磁極寬度(TPWT)也傾向于變得更小。
[0014]然而，隨著寫(xiě)入磁極和TWPT的大小減小，變得難以生成大的寫(xiě)入場(chǎng)和場(chǎng)梯度。例如，磁性寫(xiě)入磁極的有限元建模(FEM)顯示較厚的寫(xiě)入磁極槳板(paddle)生成更多寫(xiě)入場(chǎng)。然而，較厚的寫(xiě)入磁極槳板還導(dǎo)致增大的毗鄰磁道干擾(ATI)。源自厚寫(xiě)入槳板的此類(lèi)ATI可通過(guò)將寫(xiě)入磁極壁角增大至某一最佳度數(shù)——經(jīng)由與其他性能規(guī)范的折衷——來(lái)減小。這里，寫(xiě)入磁極壁角是寫(xiě)入磁極的表面與一垂直平面之間的角，該垂直平面平行于空氣軸承表面并且成切線地平行于寫(xiě)入磁極沿存儲(chǔ)介質(zhì)的移動(dòng)。此外，增大寫(xiě)入磁極壁角導(dǎo)致橋接極，該橋接極導(dǎo)致寫(xiě)入磁極的機(jī)械不穩(wěn)定性，從而常常在寫(xiě)入磁極形成工藝(諸如寫(xiě)入磁極升高或?qū)懭氪艠O化學(xué)機(jī)械拋光(CMP))期間導(dǎo)致?lián)p壞的磁極。
[0015]本文中公開(kāi)的工藝允許制造寫(xiě)入磁極以改進(jìn)寫(xiě)入磁極的機(jī)械穩(wěn)定性。具體地，本文中公開(kāi)的工藝允許在減小的損壞磁極的風(fēng)險(xiǎn)下制造寫(xiě)入磁極同時(shí)達(dá)成高的寫(xiě)入磁極壁角。例如，本文中公開(kāi)的工藝可被用于制造具有大于290nm的槳板厚度且具有高寫(xiě)入磁極壁角的寫(xiě)入磁極。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，寫(xiě)入磁極壁角大于13°。
[0016]圖1例示了示出在執(zhí)行器組件的端部實(shí)現(xiàn)的寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的示例的示意框圖100。具體地，圖1示出盤(pán)102的實(shí)現(xiàn)的平面圖，其中換能器頭104位于執(zhí)行器組件106的一端上。盤(pán)102在操作期間圍繞盤(pán)的旋轉(zhuǎn)軸108旋轉(zhuǎn)。此外，盤(pán)102包括外直徑110和內(nèi)直徑112，在兩者之間是許多個(gè)數(shù)據(jù)磁道114，在附圖中以圓形虛線表示。數(shù)據(jù)磁道114基本上是圓形的，并且由規(guī)則間隔的圖案化位形成。
[0017]可通過(guò)利用執(zhí)行器組件106向數(shù)據(jù)磁道114上的圖案化位寫(xiě)入信息或從其讀取信息，該執(zhí)行器組件106在數(shù)據(jù)磁道114尋找操作期間圍繞毗鄰盤(pán)102定位的執(zhí)行器旋轉(zhuǎn)軸116旋轉(zhuǎn)。安裝在執(zhí)行器組件106上遠(yuǎn)離執(zhí)行器旋轉(zhuǎn)軸116的一端上的換能器頭104在盤(pán)操作期間緊鄰盤(pán)102的表面之上飛行。換能器頭104包括用于從磁道114讀取數(shù)據(jù)的讀取磁極和用于將數(shù)據(jù)寫(xiě)入磁道114的寫(xiě)入磁極。
[0018]在換能器頭的一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，換能器頭114的寫(xiě)入磁極包括各個(gè)層。橫截面視圖120例示了盤(pán)102的空氣軸承表面處的換能器頭的寫(xiě)入磁極的這些層。具體地，寫(xiě)入磁極包括掩模層130、寫(xiě)入磁極層132、覆蓋層134、和底層136。橫截面視圖120例示了寫(xiě)入磁極的橫截面，該寫(xiě)入磁極面向空氣軸承表面以使得當(dāng)盤(pán)繞軸108轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)掩模層130沿著磁道114追蹤底層136。換言之，寫(xiě)入磁極層132的較寬端152追蹤寫(xiě)入磁極層132的較窄端150。
[0019]在寫(xiě)入磁極的一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，掩模層130由硬掩模材料制成，諸如鉭(Ta)層。替換地，掩模層130由多個(gè)層構(gòu)成，諸如由Ba2O3制成的較硬層，接著是由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制成的較軟層，等等。
[0020]在寫(xiě)入磁極的一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，寫(xiě)入磁極層132由諸如NiFe、FeCo、NiFeCo、FeN等等之類(lèi)的鐵磁材料制成。在換能器106的操作期間，繞著寫(xiě)入磁極層132以及作為換能器頭106的部分的磁軛定位的線圈中的電流在寫(xiě)入磁極層132中形成磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)被用來(lái)影響相關(guān)聯(lián)介質(zhì)沿盤(pán)102的磁道114的磁化。寫(xiě)入磁極層132具有梯形橫截面，其中與梯形的較寬側(cè)152在沿下磁道方向的后緣上相比，梯形的較窄側(cè)150在沿下磁道方向的前緣上。
[0021]在寫(xiě)入磁極層132的一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，寫(xiě)入磁極層132的側(cè)壁142的表面與軸144之間的寫(xiě)入磁極壁角140被最優(yōu)化，該軸144指示寫(xiě)入磁極沿盤(pán)表面在下磁道方向上移動(dòng)的方向。具體地，寫(xiě)入磁極壁角140被最優(yōu)化以在電性能與工藝制造之間折衷。具體地，軸144位于與空氣軸承表面正交且與寫(xiě)入磁極沿盤(pán)表面的移動(dòng)方向成切線地平行的平面中。
[0022]寫(xiě)入磁極的寫(xiě)入效率取決于寫(xiě)入磁極的軟度，且具有高磁導(dǎo)率和低矯頑性的較軟的寫(xiě)入磁極材料提供較高的寫(xiě)入效率。因此，為了增大寫(xiě)入磁極的寫(xiě)入效率，寫(xiě)入磁極的各個(gè)層被選擇成較軟的材料。然而，在操作期間，對(duì)于寫(xiě)入磁極，具有軟材料的寫(xiě)入磁極導(dǎo)致機(jī)械穩(wěn)定性問(wèn)題。為了達(dá)成較高的寫(xiě)入效率和較高的機(jī)械穩(wěn)定性，在寫(xiě)入磁極的一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，覆蓋層134由比寫(xiě)入磁極層132的材料軟的材料制成。因而，覆蓋層134的材料的硬度小于寫(xiě)入磁極層132的材料的硬度。在替換性實(shí)現(xiàn)中，覆蓋層134由比底層136的材料軟的材料制成。因而，覆蓋層134的材料的硬度小于底層136的材料的硬度。例如，覆蓋層134由諸如銅、銀、金、較軟的鋁、釕、鉬等之類(lèi)的較軟材料制成。其他較軟的材料也可使用。使用比寫(xiě)入磁極層132和底層136中的一者更軟的材料的覆蓋層134允許使寫(xiě)入磁極達(dá)成較聞的與入效率和較聞的機(jī)械穩(wěn)定性。
[0023]在寫(xiě)入磁極的一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，底層136由鋁制成。替換地，也可使用其他較硬的材料，諸如Ba2O3等。在寫(xiě)入磁極的一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，底層136的橫截面具有自較窄的頂部邊緣的較寬的底部邊緣下磁道，其中較窄的頂部邊緣接近軟覆蓋層134。
[0024]圖2例示了寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的制造期間的部分寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)200的框圖。具體地，圖2例示了包括鋁層212的部分寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)210。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，鋁層212形成寫(xiě)入磁極的襯底的部分。在替換性實(shí)現(xiàn)中，鋁層212位于寫(xiě)入磁極的襯底層的頂部上。鋁層212被配置成具有緩沖斜面214，以使得鋁層212靠近寫(xiě)入磁極的邊緣處的厚度小于鋁層朝向?qū)懭氪艠O的中心處的厚度。斜面214提供兩個(gè)厚度層之間的過(guò)渡。雖然圖2的實(shí)現(xiàn)被示為具有帶線性斜坡的斜面214，但是在替換性實(shí)現(xiàn)中，斜面214被設(shè)置成具有彎曲斜坡、階梯結(jié)構(gòu)等。
[0025]圖2還例示了包括鋁層222和軟層224的另一部分寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)220。具體地，通過(guò)在鋁層222上沉積軟層224來(lái)制造部分寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)220。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，鋁層222包括斜面226，而軟層224包括斜面228。軟層的斜面228可平行于鋁層的斜面226。替換地，斜面226和228可被配置成具有略微不同的角。軟層224由硬度小于鋁層222的硬度的任何材料制成。例如，軟層224由銅、銀、金、較軟的鋁、鉬等中的任一種制成。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，軟層224是覆蓋層?？赏ㄟ^(guò)電鍍、濺射、蒸發(fā)等來(lái)將軟層224沉積在鋁層上。
[0026]圖3A-3B例示了寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的制造期間的替換性部分寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)310和320的框圖。具體地，圖3A例示了包括鋁層312和軟覆蓋層314的部分寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)310。鋁層312包括傾斜邊緣316,而軟覆蓋層314包括傾斜邊緣318。寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)310被例示為經(jīng)歷研磨工藝。具體地，軟覆蓋層314經(jīng)歷靜態(tài)研磨。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，如附圖標(biāo)記320例示的靜態(tài)研磨操作在使得保護(hù)軟層314的至少部分免于研磨操作的這種角度下進(jìn)行。例如，研磨操作320在與斜面角度(與水平面相比)相比較小的角度(再次地，與水平面相比)下進(jìn)行。研磨操作320研磨掉大部分軟層材料，除了因傾斜邊緣316的角度而得到保護(hù)的材料之外。
[0027]圖3B例示了包括鋁層332和軟覆蓋層334的另一部分磁極結(jié)構(gòu)320。具體地，作為對(duì)部分寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)310的研磨操作320的結(jié)果，生成磁極結(jié)構(gòu)320。由于研磨操作320的研磨角度小于斜面316的角度，因此軟層314的一部分保留在鋁層312上。軟覆蓋層314的這個(gè)保留的部分由附圖標(biāo)記334來(lái)例示。軟層334被例示為具有沿鋁層332的內(nèi)傾斜邊緣336和外傾斜邊緣338。注意，雖然圖3中例示的磁極結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)具有彼此基本上平行的內(nèi)邊緣336和外邊緣338，但是在替換性實(shí)現(xiàn)中，外邊緣338具有與內(nèi)邊緣336相比較小的斜率。
[0028]作為鋁層332上的軟覆蓋層334的位置和形狀的結(jié)果，使用寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)320制造的寫(xiě)入磁極的橫截面布局取決于其中生成此橫截面的水平位置。例如，如果磁極結(jié)構(gòu)320的橫截面是在由340例示的位置處取得的，則這樣的橫截面將包括作為橫截面布局的部分的至少一些軟層334。另一方面，如果橫截面是在由342或344例示的位置處取得的，則這樣的橫截面布局將不包括任何軟層334。此外，橫截面布局中軟層344的寬度也取決于橫截面的水平位置。因而，軟覆蓋層334的位置和形狀在制造在結(jié)果寫(xiě)入磁極中具有不同的軟覆蓋層的配置的寫(xiě)入磁極時(shí)提供靈活性。
[0029]圖4例示了寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的制造期間替換性部分寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)400的框圖。具體地，磁極結(jié)構(gòu)400包括鋁層432、軟覆蓋層404和寫(xiě)入磁極層406。寫(xiě)入磁極層406被沉積在鋁層402和軟覆蓋層404的組合上并且使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)來(lái)處理。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，寫(xiě)入磁極406由鐵磁材料制成，諸如但不限于鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)及其組合。例如，寫(xiě)入磁極406可包括合金,諸如但不限于鐵鈷(FeCo)、鐵鎳(FeNi)、鈷鐵鎳(CoFeNi)等。在替換性實(shí)現(xiàn)中，軟覆蓋層404由硬度小于寫(xiě)入磁極層406的硬度的材料制成。
[0030]圖5例示了寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的空氣軸承表面示圖和側(cè)視圖。具體地，寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖502包括磁極結(jié)構(gòu)的各個(gè)層，包括鋁層512、寫(xiě)入磁極層514、硬掩模層516和光敏抗蝕層518。此外，磁極結(jié)構(gòu)502還包括軟覆蓋層520。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，軟覆蓋層520由硬度小于鋁層512的硬度的材料制成。在替換性實(shí)現(xiàn)中，軟覆蓋層520的硬度小于寫(xiě)入磁極層514的硬度。
[0031]磁極結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖504例示了從空氣軸承表面(ABS)起寫(xiě)入磁極的諸層。例如，側(cè)視圖504例示了沿橫截面522的視圖。具體地，側(cè)視圖504包括鋁層532、寫(xiě)入磁極層534、硬掩模層536、和光敏抗蝕層538。側(cè)視圖504還包括位于鋁層532與寫(xiě)入磁極層534之間的軟覆蓋層540。如側(cè)視圖504中可見(jiàn)的，軟覆蓋層540的寬度取決于橫截面522沿側(cè)視圖502的位置。因而，例如，如果橫截面522的位置遠(yuǎn)離軟覆蓋層520的中心，則側(cè)視圖中軟覆蓋層540的寬度與504中所例示的寬度相比是較小的。如果橫截面522遠(yuǎn)離軟覆蓋層520，在軟覆蓋層520的右側(cè)或左側(cè)，則軟覆蓋層540將不出現(xiàn)在ABS視圖504中。
[0032]沿鋁層512的斜面的軟覆蓋層520的位置允許使用限定寫(xiě)入磁極504的ABS的橫截面522的位置來(lái)控制軟覆蓋層540的厚度。沿寫(xiě)入磁極502側(cè)面的軟覆蓋層520的這種結(jié)構(gòu)在圖6中進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0033]圖6例示了寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖和各個(gè)橫截面示圖。具體地，圖6例示了例示寫(xiě)入磁極的各個(gè)層的側(cè)視圖602。此外，圖6還例示了沿寫(xiě)入磁極的各個(gè)橫截面取得的寫(xiě)入磁極的各個(gè)ABS視圖604、606和608。側(cè)視圖602例示了具有鋁層612、寫(xiě)入磁極層614、硬掩模層616、和軟覆蓋層618的寫(xiě)入磁極。軟覆蓋層618由硬度小于寫(xiě)入磁極層614的材料的硬度的材料制成。在替換性實(shí)現(xiàn)中，軟覆蓋層材料的硬度也小于鋁層612的材料的硬度。軟覆蓋層618由頂部表面620和底部表面622來(lái)限定。頂部表面620可由對(duì)軟覆蓋層618的靜態(tài)研磨工藝來(lái)限定。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，軟覆蓋層618被沉積在鋁層612上，并通過(guò)在與軟覆蓋層618的表面成一角度下的靜態(tài)研磨來(lái)處理。在此類(lèi)研磨工藝中，傾斜的下表面622允許以使得軟覆蓋層618的寬度逐漸變細(xì)的形式來(lái)形成軟覆蓋層618。具體地，與沿側(cè)視圖602在寫(xiě)入磁極的左側(cè)的寬度相比，沿側(cè)視圖602在寫(xiě)入磁極的右側(cè)，軟覆蓋層618的寬度較大。
[0034]ABS視圖604、606和608中的每一個(gè)分別例示了沿橫截面614、614和618的ABS視圖。結(jié)果，對(duì)于ABS視圖604、606和608中的每一個(gè)而言，寫(xiě)入磁極的ABS視圖剖面是不同的。具體地，寫(xiě)入磁極的ABS視圖604包括鋁層620、軟覆蓋層622、寫(xiě)入磁極層624、和硬掩模層626。軟覆蓋層622由硬度小于寫(xiě)入磁極層624的硬度的材料制成。在替換性實(shí)現(xiàn)中，軟覆蓋層622由硬度小于鋁層620的硬度的材料制成。
[0035]寫(xiě)入磁極的ABS視圖606也包括鋁層630、軟覆蓋層632、寫(xiě)入磁極層634、和硬掩模層636。軟覆蓋層632由硬度小于寫(xiě)入磁極層634的硬度的材料制成。在替換性實(shí)現(xiàn)中，軟覆蓋層632由硬度小于鋁層630的硬度的材料制成。如圖6中所例示的，由于軟覆蓋層618的斜坡，在橫截面616處，軟覆蓋層632的高度高于軟覆蓋層622的高度。雖然圖6的實(shí)現(xiàn)被示為具有帶凹面彎曲斜坡的軟覆蓋層618，但是在替換性實(shí)現(xiàn)中，軟覆蓋層618可具有線性斜坡、階梯結(jié)構(gòu)等。此外，在替換性實(shí)現(xiàn)中，頂部表面620和底部表面622可彼此平行，從而使軟覆蓋層618貫穿其斜坡有均勻的寬度。另一方面，在橫截面618處，軟覆蓋層618因研磨工藝而被移除。結(jié)果，ABS視圖608僅示出了鋁層640、寫(xiě)入磁極層644、和硬掩模層646。
[0036]圖7例示了制造本文中公開(kāi)的寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的示例操作。具體地，提供操作702提供具有斜面的鋁層。隨后，沉積操作704將軟層沉積在傾斜的鋁層上。研磨操作706研磨軟層。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，研磨操作706是靜態(tài)研磨操作，其以一角度研磨軟層，使得軟層的大部分被移除，除鋁層的斜面上的軟層之外。因而，作為靜態(tài)研磨的結(jié)果，可變厚度的軟層被留在鋁層的斜面上。隨后，沉積操作708沉積寫(xiě)入磁極層。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，用于寫(xiě)入磁極的材料的硬度高于沉積在鋁層斜面上的軟層的硬度。
[0037]隨后，拋光操作710拋光寫(xiě)入磁極層。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，化學(xué)-機(jī)械拋光(CMP)工藝被用來(lái)拋光寫(xiě)入磁極層。隨后，沉積操作712在寫(xiě)入磁極層上沉積硬掩模層，而另一沉積操作714在硬掩模層的頂部上沉積光敏抗蝕層。隨后，研磨操作716研磨寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)。研磨操作716可使用離子研磨工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，其中研磨裝置從一角度向?qū)懭氪艠O結(jié)構(gòu)的表面發(fā)射(fire)離子，由此使材料濺射離開(kāi)寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的表面。由于寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的各個(gè)層可具有不同的研磨速率，以使得一些層在被離子束擊中時(shí)比其他層更快地研磨掉，因此寫(xiě)入磁極結(jié)構(gòu)的各個(gè)層中的每一個(gè)可以不同的離子研磨速率被研磨。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，使用三層寫(xiě)入磁極研磨工藝，其包括寫(xiě)入磁極修整研磨，以使得不同的離子研磨角被用來(lái)研磨掩模層、寫(xiě)入磁極層、和覆蓋層中的每一個(gè)。例如，在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，特別高的研磨角被用來(lái)達(dá)成高寫(xiě)入磁極壁角。
[0038]圖8例示本文中公開(kāi)的寫(xiě)入磁極800的三維視圖的示例例示。具體地,寫(xiě)入磁極800被示為在前面具有空氣軸承表面802。寫(xiě)入磁極800被例示為具有相對(duì)于記錄介質(zhì)的后緣806和如緣808。所例不的與入磁極800的實(shí)現(xiàn)包括掩I旲層810、與入磁極層812、底層814、和覆蓋層816。覆蓋層816被例示為具有傾斜形狀,該傾斜形狀的靠近ABS802的端部818具有比遠(yuǎn)離ABS802的端部820更大的高度。雖然圖8的實(shí)現(xiàn)被示為具有帶線性斜坡的覆蓋層816，但是在替換性實(shí)現(xiàn)中，覆蓋層816可具有彎曲斜坡、階梯結(jié)構(gòu)等。此外，在替換性實(shí)現(xiàn)中，覆蓋層816的頂部表面和底部表面可彼此平行，從而使覆蓋層816貫穿其斜坡具有均勻的寬度。覆蓋層816的橫截面高度取決于與相距ABS802的距離相關(guān)的橫截面的位置。橫截面越靠近ABS802，橫截面處覆蓋層816的高度越大。此外，雖然圖8示出了掩模層810、寫(xiě)入磁極層812、和底層814的寬度在前端822處比在遠(yuǎn)端824處窄，但是在替換性實(shí)現(xiàn)中，此類(lèi)寬度可在兩端處是相類(lèi)似的，或者情況可在前端822與遠(yuǎn)端824之間非線性地變化。[0039]前面的說(shuō)明、示例和數(shù)據(jù)提供了對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)和示例性實(shí)現(xiàn)方式的使用的完整說(shuō)明。由于可不脫離本發(fā)明的精神和范圍地構(gòu)思出本發(fā)明的許多實(shí)現(xiàn)方式，因此本發(fā)明落在下面所附權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。此外，不同實(shí)現(xiàn)方式的結(jié)構(gòu)特征可結(jié)合到又一實(shí)現(xiàn)方式中而不脫離所引述的權(quán)利要求的范圍。上述實(shí)現(xiàn)及其他實(shí)現(xiàn)落在以下權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種裝置，包括: 具有傾斜表面的底層； 沉積在所述底層的所述傾斜表面上的覆蓋層；以及 沉積在所述覆蓋層上的寫(xiě)入磁極層。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述覆蓋層由具有比所述寫(xiě)入磁極層的硬度小的硬度的材料制成。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述底層的厚度沿所述傾斜表面在第一厚度與第二厚度之間線性增加。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述覆蓋層具有逐漸減小的厚度剖面。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述底層是鋁層。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括沉積在所述寫(xiě)入磁極層上的掩模層。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述覆蓋層由以下各項(xiàng)中的至少一種制成:銅、銀、金、較軟的鋁、釕和鉬。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，在與所述裝置的空氣軸承表面平行的所述裝置的橫截面中，所述寫(xiě)入磁極層具有梯形形狀。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述梯形形狀具有靠近所述覆蓋層的較窄側(cè)。`
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，垂直于空氣軸承表面且成切線地平行于所述裝置沿盤(pán)的運(yùn)動(dòng)的垂直平面與所述寫(xiě)入磁極的表面之間的角度被最優(yōu)化成大于13°。
11.一種裝置，包括: 寫(xiě)入磁極層； 包括傾斜表面的底層；以及 所述寫(xiě)入磁極層與所述底層之間的覆蓋層，其中所述覆蓋層由具有比所述寫(xiě)入磁極層的硬度小的硬度的材料制成。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述覆蓋層由以下各項(xiàng)中的至少一種制成:銅、銀、金、較軟的招、釕和鉬。
13.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，與所述寫(xiě)入磁極的空氣軸承表面平行的所述覆蓋層的橫截面沿下磁道方向具有改變的厚度。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，與所述寫(xiě)入磁極的空氣軸承表面平行的所述覆蓋層的橫截面在靠近所述寫(xiě)入磁極層處較寬。
15.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，寫(xiě)入磁極壁角大于13°。
16.一種通過(guò)工藝制備的寫(xiě)入磁極，所述工藝包括: 在底層的一側(cè)上產(chǎn)生傾斜表面； 在所述底層的傾斜的一側(cè)上沉積軟層；以及 在比所述傾斜表面的角度小的角度下研磨所述軟層。
17.如權(quán)利要求15所述的寫(xiě)入磁極，其特征在于，所述工藝還包括在經(jīng)研磨的軟層的頂部上沉積寫(xiě)入磁極層。
18.如權(quán)利要求17所述的寫(xiě)入磁極，其特征在于，所述軟層的硬度小于所述寫(xiě)入磁極層的硬度。
19.如權(quán)利要求17所述的寫(xiě)入磁極，其特征在于，所述軟層的硬度小于所述底層的硬度。
20.如權(quán)利要求17所述的寫(xiě)入磁極，其特征在于，所述工藝還包括沿空氣軸承表面切割所述寫(xiě)入磁極 ，以使得所述寫(xiě)入磁極在空氣軸承表面處的橫截面包括毗鄰所述寫(xiě)入磁極層的所述軟層。
【文檔編號(hào)】G11B5/39GK103514892SQ201310242104
【公開(kāi)日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月26日
【發(fā)明者】羅勇, 沈哲, D·林, H·殷 申請(qǐng)人:希捷科技有限公司