用于非易失存儲器中的可切換擦除或?qū)懭氩僮鞯姆椒ê拖到y(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于非易失存儲器中的可切換擦除或?qū)懭氩僮鞯姆椒ê拖到y(tǒng)。實(shí)施例涉及系統(tǒng)和方法，所述方法包括在兩種或更多種擦除操作和/或兩種或更多種寫入操作之間進(jìn)行切換，以用于對非易失存儲器的至少一個存儲單元進(jìn)行擦除和/或?qū)懭氲牟襟E，其能夠針對所述存儲器內(nèi)的特定擦除和/或?qū)懭氩僮鬟x擇最適當(dāng)?shù)牟脸?或?qū)懭氩僮鳌?br> 【專利說明】用于非易失存儲器中的可切換擦除或?qū)懭氩僮鞯姆椒ê拖到y(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一般涉及用于存儲器中的，尤其是諸如閃速存儲器的非易失存儲器(NVM)中的可切換擦除或?qū)懭氩僮鞯姆椒ê拖到y(tǒng)。在下文中，出于說明的目的，將參考閃速存儲器描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于如此，而是可以找出其結(jié)合用于任何其他類型的非易失存儲器的可切換擦除或?qū)懭氩僮鞯膽?yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]對于非易失存儲器而言，需要通過一直改變NVM存儲單元的存儲狀態(tài)的設(shè)計(jì)以能夠?qū)崿F(xiàn)兩項(xiàng)操作，即擦除和寫入。就這一點(diǎn)而言，擦除通常只有對于較大的數(shù)據(jù)塊體才可能，較大的數(shù)據(jù)塊例如是字、塊、字線(wordline)或扇區(qū)(sector)。出于該目的,通過擦除操作使所述的較大的存儲數(shù)據(jù)塊體復(fù)位到相同的默認(rèn)值，例如，“全零”或者“全I(xiàn)”。與之形成對比的是，寫入以逐位(即，選擇性)的方式是必然可能的，從而個別地能夠?qū)崿F(xiàn)針對每個存儲單元或每個位的任意數(shù)據(jù)的存儲。
[0003]逐位寫入可以是高度并行但較慢的實(shí)現(xiàn)方式，例如，“福勒-諾得海姆(Fowler-Nordheim)”隧穿，或者是快速但是高功耗并因此低并行的方法，例如，“熱電子”注入。
[0004]對于面積有效的閃速存儲器而言，擦除粒度或選擇性目前通常為至少字線 1000比特)，即，選擇性地擦除單個字乃至單個位都是不可能的。常規(guī)上，能夠選擇個別
字的擦除操作通常需要面積低效的EEPROM陣列的實(shí)現(xiàn)方式。這意味著必須在存儲器陣列自身中集成“字開關(guān)”，其允許針對個別擦除而選擇對應(yīng)的字。
[0005]在某些情況下，快速的逐位擦除操作對于閃速存儲器也可能是高度有利的。例如，這可能是在單個被擦除的單元在寫入數(shù)據(jù)的不同部分期間受到干擾時(shí)的情況。在這種情況下，將不得不對整個頁面進(jìn)行再次擦除并重新寫入，從而導(dǎo)致幾個數(shù)量級的非預(yù)期的有效寫入時(shí)間延遲。
[0006]因而，本發(fā)明的主題是在閃速存儲器中，S卩，在沒有陣列中的字開關(guān)的存儲器中，能夠?qū)崿F(xiàn)對字乃至位的選擇性修改(擦除/寫入)。優(yōu)選可以非?？斓貓?zhí)行對存儲單元的對應(yīng)修改操作。
[0007]出于這些或其他原因，存在對于本發(fā)明的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]提供了用于存儲器中的可切換擦除或?qū)懭氩僮鞯姆椒ê拖到y(tǒng)，其基本上如附圖中的至少一個所示和/或如結(jié)合附圖中的至少一個所描述的，如在權(quán)利要求中更加完整地闡述的。
[0009]根據(jù)對附圖進(jìn)行參考的以下詳細(xì)描述，實(shí)施例的進(jìn)一步特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0010]包括附圖來提供進(jìn)一步的理解，該附圖被結(jié)合在本說明書中并且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖涉及示例和實(shí)施例，并且與該描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。其他實(shí)施例以及實(shí)施例的許多預(yù)期優(yōu)點(diǎn)將被容易地認(rèn)識到，因?yàn)橥ㄟ^參考以下詳細(xì)描述，它們將變得
更好理解。
[0011]圖1示出了根據(jù)實(shí)施例的用以針對“福勒-諾得海姆”擦除操作在閃速存儲器中選擇存儲單元的頁面的可能的電壓狀況；
圖2示出了根據(jù)實(shí)施例的用以針對“熱空穴”擦除操作在閃速存儲器中選擇兩個個別的存儲單元的可能的電壓狀況；
圖3示出了根據(jù)實(shí)施例的用以針對“福勒-諾得海姆”寫入操作在閃速存儲器中選擇兩個個別的存儲單元的可能的電壓狀況；
圖4示出了根據(jù)實(shí)施例的用以針對“熱電子”寫入操作在閃速存儲器中選擇兩個個別的存儲單元的可能的電壓狀況；以及
圖5示出了用以基于確定用于對閃速存儲器的特定擦除操作的最適當(dāng)?shù)牟脸僮鳎瑏碓谥辽賰煞N不同的擦除操作之間進(jìn)行選擇以擦除閃速存儲器的方法的實(shí)施例的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]在下面的詳細(xì)描述中，對形成其一部分的附圖進(jìn)行參考，并且在附圖中通過說明的方式示出了具體實(shí)施例。要理解的是，可以利用其他實(shí)施例，并且可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，做出結(jié)構(gòu)或其他改變。因此，不以限制性意義理解以下詳細(xì)描述，并且本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求所限定。
[0013]“Hot-hole”擦除操作，即在下文中的HH擦除，原則上允許實(shí)現(xiàn)選擇性且快速的擦除。這里可以將擦除操作視作是利用“熱電子”(下文中的HE)的經(jīng)常采用的寫入操作的逆操作。令人遺憾的是，HH擦除操作可能損壞被擦除的存儲單元，并且因此不應(yīng)被非常頻繁地重復(fù)。此外，HH擦除操作可能消耗相對高的電流。
[0014]具有“福勒-諾得海姆(隧穿)”擦除(下文中的FN擦除)的通常采用的低電流擦除操作，可以允許擦除操作的高數(shù)量重復(fù)，因?yàn)樵谂cHH擦除操作相比時(shí)其通常對被擦除的單元造成小得多的損害。令人遺憾的是，F(xiàn)N擦除通常被設(shè)計(jì)為擦除至少一個字線，并因而不允許在沒有例如存儲陣列中的字開關(guān)的進(jìn)一步手段的情況下選擇性地擦除字或位。
[0015]因此，在實(shí)施例中，可以對同一閃速存儲器陣列實(shí)現(xiàn)兩種不同的擦除方法或操作。即，首先，可以實(shí)現(xiàn)FN擦除操作作為用于“正常的”大塊擦除操作的第一擦除操作，其允許高循環(huán)計(jì)數(shù)，即，可以對特定存儲單元應(yīng)用的高數(shù)量的總擦除操作。其次，可以實(shí)現(xiàn)HH擦除操作作為用于選擇性且快速的擦除操作的第二擦除操作，然而其應(yīng)當(dāng)只允許進(jìn)行低循環(huán)計(jì)數(shù)，以避免對特定存儲單兀的關(guān)鍵損壞。
[0016]在實(shí)施例中，兩種方法的可切換實(shí)現(xiàn)方式可以允許選擇更適當(dāng)?shù)牟脸僮?，這對于僅實(shí)現(xiàn)一種擦除方法的設(shè)計(jì)是不可能的。優(yōu)選地，只要有可能就應(yīng)當(dāng)應(yīng)用FN大塊擦除，其能夠?qū)崿F(xiàn)高循環(huán)計(jì)數(shù)。與此形成對比的是，HH選擇性擦除應(yīng)當(dāng)被應(yīng)用于對例如被干擾的位的時(shí)序關(guān)鍵“修復(fù)”。[0017]此外，在實(shí)施例中，可以提供“增量HH擦除”作為對于“增量HE寫入”的對應(yīng)部分，后者能夠?qū)崿F(xiàn)對字線的選擇性寫入操作。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，用于實(shí)際EEPROM性能的HH擦除操作可以甚至被配置為僅對于存儲器的部分是可選擇的。
[0018]在上文提及的實(shí)施例的擴(kuò)展中，可以實(shí)現(xiàn)兩種可切換的寫入操作。即，首先，可以提供HE寫入操作，該HH寫入操作可以是快速并且選擇性的，但是對NVM單元稍具損壞性，并且使用增加的電流。以及其次，可以實(shí)現(xiàn)FN寫入操作，該FN寫入操作可以是選擇性的，對NVM單元具有較小損壞性，并且可以消耗少得多的電流，但是其可能較慢。與FN擦除操作不同，當(dāng)經(jīng)由圖3中的位線向取消選擇的存儲單元的浮置柵極極晶體管的源極施加諸如正取消選定電壓38的適當(dāng)?shù)慕闺妷簳r(shí)，F(xiàn)N寫入操作可以是選擇性的，如從圖1和圖3的比較顯而易見的。
[0019]圖1到4示出了根據(jù)實(shí)施例的針對Hot Source Triple Poly (HS 3P)存儲單元的電壓狀況。尤其是，圖1和圖2將FN擦除操作與HH擦除操作進(jìn)行對比，而圖3和圖4將FN寫入操作與HE寫入操作進(jìn)行對比。
[0020]當(dāng)然，針對I 晶體管統(tǒng)一溝道編程(1-Transistor Uniform Channel Program,1T-UCP)存儲單元的電壓狀況可能是不同的，并且對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。進(jìn)一步的實(shí)施例可以包括利用兩種不同的擦除和/或?qū)懭氩僮鞯腍S 3P存儲單元。在其他實(shí)施例中，具有IT-UCP存儲單元的閃速存儲器可以包括有兩種不同的擦除和/或?qū)懭氩僮?。在更進(jìn)一步的實(shí)施例中，閃速存儲器可以包括2T-UCP存儲單元，其可以通過兩種不同的擦除和/或?qū)懭氩僮鱽肀徊脸驅(qū)懭搿?br> [0021]也可以將本文中描述的概念應(yīng)用在不能被選擇性擦除的NVM類型中。非常一般而言，實(shí)施例可以涉及針對任何NVM (即，總共具有三種或者更多種不同的寫入或擦除操作的每種NVM)的兩種或更多種不同可切換擦除和/或?qū)懭氩僮鞯慕M合。
[0022]進(jìn)一步關(guān)于這些附圖，圖1示出了根據(jù)實(shí)施例的用以針對FN擦除操作在閃速存儲器中選擇HS 3P存儲單元的頁面的可能的電壓狀況。在根據(jù)圖1的實(shí)施例中，通過向所選擇的存儲單元的浮置柵極(FG)晶體管10的控制柵極14 (CG)施加第一負(fù)選擇電壓15 (這里為-5V)來針對FN擦除操作選擇存儲單元的上部頁面。與此形成對比的是，通過向取消選擇的存儲單元的FG晶體管的CG施加第一正取消選擇電壓16 (這里為10V)來針對FN擦除操作取消選擇存儲單元的下部頁面。
[0023]根據(jù)應(yīng)用于所選擇的存儲器頁面的“福勒-諾得海姆”擦除操作，通過經(jīng)由選擇晶體管向所選擇的存儲單元的FG晶體管的漏極12施加第一正電壓18以及通過使對應(yīng)的位線浮置而使FG晶體管的源極13浮置，來引起所選擇的存儲單元的FG晶體管10的FG 11上的可能的負(fù)電荷從FG 11隧穿。通過這種方式，可以通過中和所選擇的存儲器頁面的FG11上的可能的負(fù)電荷來擦除所選擇的存儲器頁面的存儲單元。此外，可以通過向下部存儲器頁面的FG晶體管的CG 24施加正取消選擇電壓16 (這里為10V)來針對上文提及的FN擦除操作而取消選擇下部存儲器頁面的FG晶體管。在這點(diǎn)上，可以以低于逐位選擇性執(zhí)行如圖1中所示的FN擦除操作。
[0024]圖2示出了根據(jù)實(shí)施例的用以針對“熱空穴”擦除操作在閃速存儲器中選擇兩個個別的存儲單元的可能的電壓狀況。在根據(jù)圖2的實(shí)施例中，通過經(jīng)由相應(yīng)的位線向所選擇的存儲單元的FG晶體管的源極23施加第一正選擇電壓27 (這里為6V)，來針對HH擦除操作選擇兩個存儲單元。與此形成對比的是，通過經(jīng)由相應(yīng)的位線向取消選擇的存儲單元的FG晶體管的源極23施加接地電勢(即OV)而針對HH擦除操作取消選擇其余存儲單元。在這點(diǎn)上，可以以逐位選擇性執(zhí)行如圖2中所示的HH擦除操作。
[0025]根據(jù)應(yīng)用于所選擇的存儲單元的“熱空穴”擦除操作，通過向上部存儲器頁面的FG晶體管的CG 24施加第一負(fù)電壓25 (這里為-9V)來引起正電荷以增加的可能性隧穿到FG21上，所述正電荷由所選擇的存儲單元的FG晶體管的漏極22和源極23之間的第一非零電壓所加速并導(dǎo)致“熱空穴”。換言之，在所選擇的存儲單元的FG晶體管的FG 21中注入“熱空穴”。通過這種方式，可以通過中和所選擇的存儲單元上的可能的負(fù)電荷來擦除所選擇的存儲單元。此外，可以通過向下部存儲器頁面的FG晶體管的CG 24施加正取消選擇電壓26(這里為2V)來針對上文提及的“熱空穴”注入取消選擇下部存儲器頁面的FG晶體管。
[0026]圖3示出了根據(jù)實(shí)施例的用以針對“福勒-諾得海姆”寫入操作在閃速存儲器中選擇兩個個別存儲單元的可能的電壓狀況。在根據(jù)圖3的實(shí)施例中，通過經(jīng)由相應(yīng)的位線向所選擇的存儲單元的FG晶體管的源極33施加第二負(fù)選擇電壓37 (這里為-4V)來針對FN寫入操作選擇兩個存儲單元。與此形成對比的是，通過經(jīng)由相應(yīng)的位線向取消選擇的存儲單元的FG晶體管的源極33施加第二正取消選擇電壓38 (這里為4V)來針對FN寫入操作取消選擇其余存儲單元。在這點(diǎn)上，可以以逐位選擇性執(zhí)行如圖3中所示的FN寫入操作。
[0027]根據(jù)應(yīng)用于所選擇的存儲器頁面的“福勒-諾得海姆”寫入操作，通過經(jīng)由相應(yīng)的位線向所選擇的存儲單元的FG晶體管的源極施加第二負(fù)選擇電壓37，以及向CG 34施加第三正電壓35 (這里為14V)，并經(jīng)由所述存儲單元的被關(guān)斷的選擇晶體管使所述FG晶體管的漏極32浮置，來引起負(fù)電荷隧穿到所選擇的存儲單元的FG 31上。通過這種方式，可以通過在所選擇的存儲單元的FG 31上施加負(fù)電荷來對所選擇的存儲單元的存儲單元進(jìn)行寫入。此外，可以通過向下部存儲器頁面的FG晶體管的CG 34施加負(fù)取消選擇電壓36(這里為-4V)來針對上文提到的FN寫入操作取消選擇下部存儲器頁面的FG晶體管。
[0028]圖4示出了根據(jù)實(shí)施例的用以針對“熱電子”寫入操作在閃速存儲器中選擇兩個個別存儲單元的可能的電壓狀況。在根據(jù)圖4的實(shí)施例中，通過經(jīng)由相應(yīng)的位線向所選擇的存儲單元的FG晶體管的源極43施加第二正選擇電壓47 (這里為4V)來針對HE寫入操作選擇兩個存儲單元。與此形成對比的是，通過經(jīng)由相應(yīng)的位線向取消選擇的存儲單元的FG晶體管的源極43施加接地電勢48 (即0V)來針對HE寫入操作取消選擇其余的存儲單元。在這點(diǎn)上，可以以逐位選擇性執(zhí)行圖4中所示的HE寫入操作。
[0029]根據(jù)應(yīng)用于所選擇的存儲單元的“熱電子”寫入操作，通過向上部存儲器頁面的FG晶體管的CG 44施加第二正電壓45 (這里為12V)來引起負(fù)電荷以增加的可能性隧穿到FG41上，所述負(fù)電荷由所選擇的存儲單元的FG晶體管的漏極42和源極43之間的第二非零電壓所加速并導(dǎo)致“熱電子”。換言之，將“熱電子”注入到所選擇的存儲單元的FG晶體管的FG 41中。通過這種方式，可以通過將所述負(fù)電荷施加于所選擇的存儲單元的FG 41上來對所選擇的存儲單元進(jìn)行寫入。此外，可以通過向下部存儲器頁面的FG晶體管的CG 44施加低正取消選擇電壓46 (這里為4V)來針對上文提到的“熱電子”注入取消選擇下部存儲器頁面的FG晶體管。在圖4中的實(shí)施例中，下部存儲器頁面的低正取消選擇電壓46對應(yīng)于施加至針對HE寫入所選擇的存儲單元的FG晶體管的源極43的第二正選擇電壓47。
[0030]圖5示出了用以基于確定用于對閃速存儲器的特定擦除操作的最適當(dāng)?shù)牟脸僮鳎瑏碓谥辽賰煞N不同的擦除操作之間進(jìn)行選擇來擦除閃速存儲器的方法的實(shí)施例的流程圖。在根據(jù)圖5的方法的一個步驟50中，可以基于至少一個預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)來確定要對存儲器的至少一個存儲單元應(yīng)用第一內(nèi)容修改操作還是應(yīng)用至少一個替代內(nèi)容修改操作，作為下一內(nèi)容修改操作。在根據(jù)圖5的方法的另外的步驟51中，可以確定將應(yīng)用所述下一內(nèi)容修改操作所具有的選擇性作為所述至少一個標(biāo)準(zhǔn)之一。
[0031]在根據(jù)圖5的方法的另一步驟52中，可以確定針對所述下一內(nèi)容修改操作的容許功耗作為所述至少一個標(biāo)準(zhǔn)之一。在根據(jù)圖5的方法的又一步驟53中，可以確定針對所述下一內(nèi)容修改操作的容許持續(xù)時(shí)間作為所述至少一個標(biāo)準(zhǔn)之一。在根據(jù)圖5的方法的再一步驟54中，可以確定容許循環(huán)計(jì)數(shù)作為所述至少一個標(biāo)準(zhǔn)之一，所述容許循環(huán)計(jì)數(shù)指示所述至少一個存儲單元中的特定一個可以仍多久被所述下一內(nèi)容修改操作修改一次。在根據(jù)圖5的方法的另外的步驟55中，基于所述至少一個預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)來向所述存儲器的所述至少一個存儲單元施加所述第一內(nèi)容修改操作或者至少一個替代內(nèi)容修改操作。
[0032]關(guān)于上文所描述的涉及附圖的實(shí)施例，要強(qiáng)調(diào)的是，所述實(shí)施例基本上用于增加可理解性。除此之外，以下進(jìn)一步的實(shí)施例試圖說明更為一般的概念。然而，同樣，不以限定性意義理解以下實(shí)施例。而是，如之前所表達(dá)的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求所限定。
[0033]在這點(diǎn)上，一個實(shí)施例涉及一種非易失存儲裝置，其適于可切換地使用“福勒-諾得海姆”擦除操作，即FN擦除操作，作為大塊擦除操作，以擦除所述存儲裝置的多個存儲單元中的多個僅可粗略選擇的存儲單元，或者使用“熱空穴”擦除操作，即HH擦除操作，作為選擇性擦除操作，以擦除所述存儲裝置的多個存儲單元中的至少一個可個別選擇的存儲單
J Li ο
[0034]在實(shí)施例中，F(xiàn)N擦除操作對于針對特定存儲單元的第一擦除循環(huán)計(jì)數(shù)是可執(zhí)行的，而不引起對所述特定存儲單元的關(guān)鍵損壞，而HH擦除操作對于針對所述特定存儲單元的第二擦除循環(huán)計(jì)數(shù)是可執(zhí)行的，而不引起對所述特定存儲單元的關(guān)鍵損壞。在這一實(shí)施例中，所述第一擦除循環(huán)計(jì)數(shù)高于所述第二擦除循環(huán)計(jì)數(shù)。
[0035]所述非易失存儲裝置的進(jìn)一步實(shí)施例適于可切換地使用FN擦除操作，以用于非時(shí)序關(guān)鍵的大塊擦除操作，以能夠?qū)崿F(xiàn)對應(yīng)擦除的存儲單元的增加的耐久性，或者使用HH擦除操作，以用于時(shí)序關(guān)鍵的選擇性擦除操作，以能夠?qū)崿F(xiàn)對個別干擾的存儲單元的修復(fù)。
[0036]又一實(shí)施例涉及一種非易失存儲裝置，其適于可切換地使用“熱電子”寫入操作，即HE寫入操作，以用于時(shí)序關(guān)鍵的選擇性寫入操作，或者使用“福勒-諾得海姆”寫入操作，即FN寫入操作，以用于非時(shí)序關(guān)鍵的選擇性寫入操作，以能夠?qū)崿F(xiàn)對應(yīng)寫入的存儲單元的增加的耐久性。
[0037]進(jìn)一步的實(shí)施例涉及一種非易失存儲裝置，其適于在兩種或更多種擦除操作和/或兩種或更多種寫入操作之間進(jìn)行切換，以用于對所述存儲裝置的至少一個存儲單元進(jìn)行擦除和/或?qū)懭搿?br> [0038]在實(shí)施例中，所述存儲裝置進(jìn)一步適于基于以下確定中的至少一個來確定針對特定的擦除和/或?qū)懭氩僮鲗⑺龃鎯ρb置切換至兩種或更多種擦除操作和/或兩種或更多種寫入操作中的哪一個。即，將以逐位選擇性還是以低于逐位選擇性應(yīng)用擦除和/或?qū)懭氩僮鞯牡谝淮_定，是否允許所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯念A(yù)計(jì)功耗超過預(yù)定功率限制的第二確定，是否允許所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯念A(yù)計(jì)持續(xù)時(shí)間超過預(yù)定持續(xù)時(shí)間限制的第三確定，以及針對將被寫入和/或擦除的至少一個存儲單元的當(dāng)前循環(huán)計(jì)數(shù)是否在特定于所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯难h(huán)計(jì)數(shù)限制的預(yù)定范圍內(nèi)的第四確定。
[0039]在另一實(shí)施例中，將所述存儲裝置切換至下面的兩種或更多種擦除操作和/或兩種或更多種寫入操作之一以用于特定的擦除和/或?qū)懭氩僮?在將以逐位選擇性應(yīng)用擦除和/或?qū)懭氩僮鞯那闆r下，為“熱空穴”擦除操作，即HH擦除操作、“熱電子”寫入操作，即HE寫入操作、和/或“福勒-諾得海姆”寫入操作，即FN寫入操作，否則為FN擦除操作。
[0040]此外，在這一實(shí)施例中，在允許所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯念A(yù)計(jì)功耗超過預(yù)定功率限制的情況下，將所述存儲裝置切換至HH擦除操作和/或HE寫入操作，否則切換至FN擦除操作和/或FN寫入操作。
[0041]此外，仍然在同一實(shí)施例中，在允許所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯念A(yù)計(jì)持續(xù)時(shí)間超過預(yù)定持續(xù)時(shí)間限制的情況下，將所述存儲裝置切換至FN擦除操作和/或FN寫入操作，否則切換至HH擦除操作和/或HE寫入操作。
[0042]進(jìn)一步涉及同一實(shí)施例，在針對將被寫入和/或擦除的至少一個存儲單元的當(dāng)前循環(huán)計(jì)數(shù)低于特定于HH擦除操作和/或HE寫入操作的循環(huán)計(jì)數(shù)限制的情況下，將所述存儲裝置切換至所述HH擦除操作和/或HE寫入操作。
[0043]替代地，在同一實(shí)施例中，在針對將被寫入和/或擦除的至少一個存儲單元的當(dāng)前循環(huán)計(jì)數(shù)低于特定于FN擦除操作和/或FN寫入操作的循環(huán)計(jì)數(shù)限制的情況下，將所述存儲裝置切換至所述FN擦除操作和/或FN寫入操作。
[0044]在進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述存儲裝置適于在作為所述兩種或更多種寫入操作的至少“福勒-諾得海姆”寫入操作，即FN寫入操作，和“熱電子”寫入操作，即HE寫入操作之間進(jìn)行切換。
[0045]根據(jù)另一實(shí)施例，所述兩種或更多種擦除操作包括增量“熱空穴”擦除操作，以選擇性地擦除對存儲單元的預(yù)定選擇，所述存儲單元例如是可由存儲裝置內(nèi)的預(yù)定字線所尋址的存儲單元。
[0046]在實(shí)施例中，所述兩種或更多種擦除操作包括“熱空穴”擦除操作，以選擇性地擦除預(yù)定的存儲單元，所述“熱空穴”擦除操作作為與EEPROM裝置內(nèi)的擦除操作相當(dāng)?shù)牟脸僮?，以產(chǎn)生所述存儲裝置的實(shí)際EEPROM性能。
[0047]進(jìn)一步的實(shí)施例涉及一種非易失存儲裝置，其適于可切換地向存儲單元應(yīng)用第一擦除操作，其中，通過向FG晶體管的漏極施加第一正電壓并使所述FG晶體管的源極浮置來引起所述存儲單元的FG晶體管的浮置柵極FG上的負(fù)電荷從所述FG隧穿，或者向所述存儲單元應(yīng)用第二擦除操作，其中，通過向所述FG晶體管的控制柵極CG施加第一負(fù)電壓來引起正電荷以增加的可能性隧穿到所述FG上，所述正電荷由所述存儲單元的FG晶體管的漏極和源極之間的第一非零電壓所加速并導(dǎo)致“熱空穴”。在這一實(shí)施例中，所述第一和第二擦除操作通過中和所述FG上的負(fù)電荷來對所述存儲單元進(jìn)行擦除。
[0048]在實(shí)施例中，所述存儲裝置進(jìn)一步適于可切換地向存儲單元應(yīng)用第一寫入操作，其中，通過向所述CG施加第二正電壓來引起負(fù)電荷以增加的可能性隧穿到所述FG上，所述負(fù)電荷由所述存儲單元的FG晶體管的漏極和源極之間的第二非零電壓所加速并導(dǎo)致“熱電子”，或者向所述存儲單元應(yīng)用第二寫入操作，其中，通過向所述FG晶體管的源極施加第二負(fù)電壓，向所述CG施加第三正電壓并使所述FG晶體管的漏極浮置來引起負(fù)電荷隧穿到所述FG上；其中，所述第一和第二寫入操作通過向所述FG上施加負(fù)電荷來對所述存儲單元進(jìn)行與入。
[0049]根據(jù)實(shí)施例，所述存儲裝置進(jìn)一步適于通過向所述多個存儲單元的多個FG晶體管的CG施加第一負(fù)選擇電壓來針對通過第一擦除操作進(jìn)行的擦除選擇多個存儲單元，同時(shí)通過向另外多個存儲單元的另外多個FG晶體管的CG施加第一正取消選擇電壓來針對通過所述第一擦除操作進(jìn)行的擦除取消選擇所述另外多個存儲單元。
[0050]所述存儲裝置的另一實(shí)施例適于通過向特定存儲單元的FG晶體管的源極施加第一正選擇電壓來針對通過第二擦除操作進(jìn)行的擦除選擇所述特定存儲單元，同時(shí)通過向多個其他存儲單元的FG晶體管的源極施加接地電勢來針對通過所述第二擦除操作進(jìn)行的擦除取消選擇所述多個其他存儲單元。
[0051]在實(shí)施例中，所述存儲裝置進(jìn)一步適于通過向特定存儲單元的FG晶體管的源極施加第二正選擇電壓來針對通過第一寫入操作進(jìn)行的寫入選擇所述特定存儲單元，同時(shí)通過向其他存儲單元的FG晶體管的源極施加接地電勢來針對通過所述第一寫入操作進(jìn)行的寫入取消選擇多個其他存儲單元。
[0052]所述存儲裝置的又一實(shí)施例適于通過向特定存儲單元的FG晶體管的源極施加第二負(fù)選擇電壓來針對通過第二寫入操作進(jìn)行的寫入選擇所述特定存儲單元，同時(shí)通過向多個其他存儲單元的FG晶體管的源極施加第二正取消選擇電壓來針對通過所述第二寫入操作進(jìn)行的寫入取消選擇所述多個其他存儲單元。
[0053]進(jìn)一步的實(shí)施例涉及一種用于對非易失存儲器進(jìn)行擦除和/或?qū)懭氲姆椒?，其在兩種或更多種擦除操作和/或兩種或更多種寫入操作之間進(jìn)行切換，以用于對所述存儲器的至少一個存儲單元進(jìn)行擦除和/或?qū)懭?，其能夠針對所述存儲器?nèi)的特定擦除和/或?qū)懭氩僮鬟x擇最適當(dāng)?shù)牟脸?或?qū)懭氩僮鳌?br> [0054]在實(shí)施例中，所述切換包括在下述操作中的至少一個之間進(jìn)行切換:“福勒-諾得海姆”擦除操作，即FN擦除操作，用于擦除存儲器的多個僅可粗略選擇的存儲單元，或者“熱空穴”擦除操作，即HH擦除操作，用于擦除所述存儲器的多個存儲單元中的至少一個可個別選擇的存儲單元，其比由所述FN擦除操作進(jìn)行的擦除更快速；以及FN寫入操作，用于非時(shí)序關(guān)鍵的選擇性寫入操作以能夠?qū)崿F(xiàn)對應(yīng)寫入的存儲單元的增加的耐久性，或者“熱電子”寫入操作，即HE寫入操作，用于時(shí)序關(guān)鍵的選擇性寫入操作。
[0055]所述方法的實(shí)施例進(jìn)一步包括基于以下確定中的至少一個來確定針對特定的擦除和/或?qū)懭氩僮鲗⑺龃鎯ζ髑袚Q至兩種或更多種擦除操作和/或兩種或更多種寫入操作中的哪一個。即，將以逐位選擇性還是以低于逐位選擇性應(yīng)用擦除和/或?qū)懭氩僮鞯牡谝淮_定，是否允許所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯念A(yù)計(jì)功耗超過預(yù)定功率限制的第二確定，是否允許所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯念A(yù)計(jì)持續(xù)時(shí)間超過預(yù)定持續(xù)時(shí)間限制的第三確定，以及針對將被寫入和/或擦除的至少一個存儲單元的當(dāng)前循環(huán)計(jì)數(shù)是否在特定于所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯难h(huán)計(jì)數(shù)限制的預(yù)定范圍內(nèi)的第四確定。
[0056]又一實(shí)施例涉及一種用于修改非易失存儲器的內(nèi)容的方法，其包括以下步驟:基于至少一個預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)來確定是將向所述存儲器的至少一個存儲單元應(yīng)用第一內(nèi)容修改操作還是至少一個替代內(nèi)容修改操作，作為下一內(nèi)容修改操作。
[0057]在實(shí)施例中，所述至少一個預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)包括以下中的至少一個:將應(yīng)用所述下一內(nèi)容修改操作所具有的選擇性、針對所述下一內(nèi)容修改操作的容許功耗、針對所述下一內(nèi)容修改操作的容許持續(xù)時(shí)間、以及容許循環(huán)計(jì)數(shù)，所述容許循環(huán)計(jì)數(shù)指示所述至少一個存儲單元中的特定一個可以仍多久被所述下一內(nèi)容修改操作修改一次。
[0058]根據(jù)實(shí)施例，所述第一內(nèi)容修改操作包括“福勒-諾得海姆”擦除操作，即FN擦除操作，并且所述至少一個替代內(nèi)容修改操作包括“熱空穴”擦除操作，即HH擦除操作。
[0059]根據(jù)進(jìn)一步的實(shí)施例，所述第一內(nèi)容修改操作包括“福勒-諾得海姆”寫入操作，即FN寫入操作，并且所述至少一個替代內(nèi)容修改操作進(jìn)一步包括“熱電子”寫入操作，即HE寫入操作。
[0060]在實(shí)施例中，所述第一內(nèi)容修改操作包括第一擦除操作，其中，通過向FG晶體管的漏極施加第一正電壓并使所述FG晶體管的源極浮置來引起所述至少一個存儲單元的FG晶體管的浮置柵極FG上的負(fù)電荷從所述FG隧穿。在這一實(shí)施例中，所述至少一個替代內(nèi)容修改操作包括第二擦除操作，其中，通過向所述FG晶體管的控制柵極CG施加第一負(fù)電壓來引起正電荷以增加的可能性隧穿到所述FG上，所述正電荷由所述至少一個存儲單元的FG晶體管的漏極和源極之間的第一非零電壓所加速并導(dǎo)致“熱空穴”。
[0061]在進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述第一內(nèi)容修改操作還包括第一寫入操作，其中，通過向所述CG施加第二正電壓來引起負(fù)電荷以增加的可能性隧穿到所述FG上，所述負(fù)電荷由所述至少一個存儲單元的FG晶體管的漏極和源極之間的第二非零電壓所加速并導(dǎo)致“熱電子”。在這一實(shí)施例中，所述至少一個替代內(nèi)容修改操作進(jìn)一步包括:第二寫入操作，其中，通過向所述FG晶體管的源極施加第二負(fù)電壓，向所述CG施加第三正電壓并使所述FG晶體管的漏極浮置來引起負(fù)電荷隧穿到所述FG上。
[0062]在進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述確定能夠針對存儲器內(nèi)的特定內(nèi)容修改操作選擇最適當(dāng)?shù)膬?nèi)容修改操作。
[0063]盡管本文中已經(jīng)對具體實(shí)施例進(jìn)行了說明和描述，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識到，在不背離本發(fā)明的范圍的情況下，各種替代和/或等價(jià)實(shí)現(xiàn)方式可以代替所示出和描述的具體實(shí)施例。本申請意圖覆蓋本文中討論的具體實(shí)施例的任何改編或變化。因此，所意圖的是，本發(fā)明僅由權(quán)利要求及其等價(jià)方式所限定。
【權(quán)利要求】
1.一種非易失存儲裝置，其適于可切換地: 使用“福勒-諾得海姆”擦除操作，即FN擦除操作，作為大塊擦除操作，以擦除所述存儲裝置的多個存儲單元中的多個僅可粗略選擇的存儲單元，或者 使用“熱空穴”擦除操作，即HH擦除操作，作為選擇性擦除操作，以擦除所述存儲裝置的多個存儲單元中的至少一個可個別選擇的存儲單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置， 其中，所述FN擦除操作對于針對特定存儲單元的第一擦除循環(huán)計(jì)數(shù)是可執(zhí)行的，而不引起對所述特定存儲單元的關(guān)鍵損壞； 其中所述HH擦除操作對于針對所述特定存儲單元的第二擦除循環(huán)計(jì)數(shù)是可執(zhí)行的，而不引起對所述特定存儲單元的關(guān)鍵損壞，其中，所述第一擦除循環(huán)計(jì)數(shù)高于所述第二擦除循環(huán)計(jì)數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，進(jìn)一步適于可切換地: 使用所述FN擦除操作，以用于非時(shí)序關(guān)鍵的大塊擦除操作，以能夠?qū)崿F(xiàn)對應(yīng)擦除的存儲單元的增加的耐久性，或者 使用所述HH擦除操作，以用于時(shí)序關(guān)鍵的選擇性擦除操作，以能夠?qū)崿F(xiàn)對個別干擾的存儲單元的修復(fù)。
4.一種存儲裝置，其適于可切換地: 使用“熱電子”寫入操作，即HE寫入操作，以用于時(shí)序關(guān)鍵的選擇性寫入操作，或者使用“福勒-諾得海姆”寫入操作，即FN寫入操作，以用于非時(shí)序關(guān)鍵的選擇性寫入操作，以能夠?qū)崿F(xiàn)對應(yīng)寫入的存儲單元的增加的耐久性。
5.一種非易失存儲裝置，其適于: 在兩種或更多種擦除操作和/或兩種或更多種寫入操作之間進(jìn)行切換，以用于對所述存儲裝置的至少一個存儲單元進(jìn)行擦除和/或?qū)懭搿?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲裝置，進(jìn)一步適于: 基于以下中的至少一個來確定針對特定的擦除和/或?qū)懭氩僮鲗⑺龃鎯ρb置切換至兩種或更多種擦除操作和/或兩種或更多種寫入操作中的哪一個: 將以逐位選擇性還是以低于逐位選擇性應(yīng)用所述擦除和/或?qū)懭氩僮鳎? 是否允許所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯念A(yù)計(jì)功耗超過預(yù)定功率限制； 是否允許所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯念A(yù)計(jì)持續(xù)時(shí)間超過預(yù)定持續(xù)時(shí)間限制； 針對將被寫入和/或擦除的至少一個存儲單元的當(dāng)前循環(huán)計(jì)數(shù)是否在特定于所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯难h(huán)計(jì)數(shù)限制的預(yù)定范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲裝置，其中，將所述存儲裝置切換至下面的兩種或更多種擦除操作和/或兩種或更多種寫入操作之一以用于特定的擦除和/或?qū)懭氩僮? 在以逐位選擇性應(yīng)用擦除和/或?qū)懭氩僮鞯那闆r下，為“熱空穴”擦除操作，即HH擦除操作、“熱電子”寫入操作，即HE寫入操作、和/或“福勒-諾得海姆”寫入操作，即FN寫入操作，否則為FN擦除操作； 在允許所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯念A(yù)計(jì)功耗超過預(yù)定功率限制的情況下，為HH擦除操作和/或HE寫入操作,否則為FN擦除操作和/或FN寫入操作； 在允許所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯念A(yù)計(jì)持續(xù)時(shí)間超過預(yù)定持續(xù)時(shí)間限制的情況下，為FN擦除操作和/或FN寫入操作，否則為HH擦除操作和/或HE寫入操作；或者 在針對將被寫入和/或擦除的至少一個存儲單元的當(dāng)前循環(huán)計(jì)數(shù)低于特定于所述HH擦除操作和/或HE寫入操作的循環(huán)計(jì)數(shù)限制的情況下，為HH擦除操作和/或HE寫入操作，或者在針對將被寫入和/或擦除的至少一個存儲單元的當(dāng)前循環(huán)計(jì)數(shù)低于特定于FN擦除操作和/或FN寫入操作的循環(huán)計(jì)數(shù)限制的情況下，為FN擦除操作和/或FN寫入操作。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲裝置，其適于在作為所述兩種或更多種寫入操作的至少“福勒-諾得海姆”寫入操作，即FN寫入操作，和“熱電子”寫入操作，即HE寫入操作之間進(jìn)行切換。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲裝置，其中所述兩種或更多種擦除操作包括增量“熱空穴”擦除操作，以選擇性地擦除對存儲單元的預(yù)定選擇，所述存儲單元例如是可由所述存儲裝置內(nèi)的預(yù)定字線所尋址的存儲單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲裝置，其中，所述兩種或更多種擦除操作包括“熱空穴”擦除操作，以選擇性地擦除預(yù)定的存儲單元，所述“熱空穴”擦除操作作為與EEPROM裝置內(nèi)的擦除操作相當(dāng)?shù)牟脸僮?，以產(chǎn)生所述存儲裝置的實(shí)際EEPROM性能。
11.一種非易失存儲裝置，其適于可切換地: 向存儲單元應(yīng)用第一擦除操作，其中，通過向FG晶體管的漏極施加第一正電壓并使所述FG晶體管的源極浮置來引起所述存儲單元的FG晶體管的浮置柵極FG上的負(fù)電荷從所述FG隧穿,或者 向所述存儲單元應(yīng)用第二擦除操作，其中，通過向所述FG晶體管的控制柵極CG施加第一負(fù)電壓來引起正電荷以增加的可能性隧穿到所述FG上，所述正電荷由所述存儲單元的FG晶體管的漏極和源極之間 的第一非零電壓所加速并導(dǎo)致“熱空穴”； 其中，所述第一和第二擦除操作通過中和所述FG上的負(fù)電荷來對所述存儲單元進(jìn)行擦除。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲裝置，其進(jìn)一步適于可切換地: 向存儲單元應(yīng)用第一寫入操作，其中，通過向所述CG施加第二正電壓來引起負(fù)電荷以增加的可能性隧穿到所述FG上，所述負(fù)電荷由所述存儲單元的FG晶體管的漏極和源極之間的第二非零電壓所加速并導(dǎo)致“熱電子”，或者 向所述存儲單元應(yīng)用第二寫入操作，其中，通過向所述FG晶體管的源極施加第二負(fù)電壓，向所述CG施加第三正電壓并使所述FG晶體管的漏極浮置來引起負(fù)電荷隧穿到所述FG上； 其中，所述第一和第二寫入操作通過向所述FG上施加負(fù)電荷來對所述存儲單元進(jìn)行寫入。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲裝置，其進(jìn)一步適于: 通過向所述多個存儲單元的多個FG晶體管的CG施加第一負(fù)選擇電壓來針對通過第一擦除操作進(jìn)行的擦除選擇多個存儲單元，同時(shí)通過向另外多個存儲單元的另外多個FG晶體管的CG施加第一正取消選擇電壓來針對通過所述第一擦除操作進(jìn)行的擦除取消選擇所述另外多個存儲單元。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲裝置，其進(jìn)一步適于: 通過向特定存儲單元的FG晶體管的源極施加第一正選擇電壓來針對通過第二擦除操作進(jìn)行的擦除選擇所述特定存儲單元，同時(shí)通過向多個其他存儲單元的FG晶體管的源極施加接地電勢來針對通過所述第二擦除操作進(jìn)行的擦除取消選擇所述多個其他存儲單元。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲裝置，其進(jìn)一步適于: 通過向特定存儲單元的FG晶體管的源極施加第二正選擇電壓來針對通過第一寫入操作進(jìn)行的寫入選擇所述特定存儲單元，同時(shí)通過向其他存儲單元的FG晶體管的源極施加接地電勢來針對通過所述第一寫入操作進(jìn)行的寫入取消選擇多個其他存儲單元。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲裝置，其進(jìn)一步適于: 通過向特定存儲單元的FG晶體管的源極施加第二負(fù)選擇電壓來針對通過第二寫入操作進(jìn)行的寫入選擇所述特定存儲單元，同時(shí)通過向多個其他存儲單元的FG晶體管的源極施加第二正取消選擇電壓來針對通過所述第二寫入操作進(jìn)行的寫入取消選擇所述多個其他存儲單元。
17.一種用于對非易失存儲器進(jìn)行擦除和/或?qū)懭氲姆椒ǎ? 在兩種或更多種擦除操作和/或兩種或更多種寫入操作之間進(jìn)行切換，以用于對所述存儲器的至少一個存儲單元進(jìn)行擦除和/或?qū)懭?，其能夠針對所述存儲器?nèi)的特定擦除和/或?qū)懭氩僮鬟x擇最適當(dāng)?shù)牟脸?或?qū)懭氩僮鳌?br> 18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，所述切換包括在下述操作中的至少一個之間進(jìn)行切換:“福勒-諾得海姆”擦除操作，即FN擦除操作，用于擦除存儲器的多個僅可粗略選擇的存儲單元，或者“熱空穴”擦除操作，即HH擦除操作，用于擦除所述存儲器的多個存儲單元中的至少一個可個別選擇的存儲單元，其比由所述FN擦除操作進(jìn)行的擦除更快速；以及FN寫入操作，用于非時(shí)序關(guān)鍵的選擇性寫入操作以能夠?qū)崿F(xiàn)對應(yīng)寫入的存儲單元的增加的耐久性，或者“熱電子”寫入操作，即HE寫入操作，用于時(shí)序關(guān)鍵的選擇性寫入操作。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括: 基于以下中的至少一個來確定針對特定的擦除和/或?qū)懭氩僮鲗⑺龃鎯ζ髑袚Q至兩種或更多種擦除操作和/或兩種或更多種寫入操作中的哪一個: 將以逐位選擇性還是以低于逐位選擇性應(yīng)用所述擦除和/或?qū)懭氩僮鳎? 是否允許所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯念A(yù)計(jì)功耗超過預(yù)定功率限制； 是否允許所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯念A(yù)計(jì)持續(xù)時(shí)間超過預(yù)定持續(xù)時(shí)間限制； 針對將被寫入和/或擦除的至少一個存儲單元的當(dāng)前循環(huán)計(jì)數(shù)是否在特定于所述擦除和/或?qū)懭氩僮鞯难h(huán)計(jì)數(shù)限制的預(yù)定范圍內(nèi)。
20.一種用于修改非易失存儲器的內(nèi)容的方法，其包括: 基于至少一個預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)來確定是將向所述存儲器的至少一個存儲單元應(yīng)用第一內(nèi)容修改操作還是至少一個替代內(nèi)容修改操作，作為下一內(nèi)容修改操作。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述至少一個預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)包括以下中的至少一個: 將應(yīng)用所述下一內(nèi)容修改操作所具有的選擇性； 針對所述下一內(nèi)容修改操作的容許功耗； 針對所述下一內(nèi)容修改操作的容許持續(xù)時(shí)間；以及 容許循環(huán)計(jì)數(shù)，所述容許循環(huán)計(jì)數(shù)指示所述至少一個存儲單元中的特定一個可以仍多久被所述下一內(nèi)容修改操作修改一次。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法， 其中，所述第一內(nèi)容修改操作包括:“福勒-諾得海姆”擦除操作，即FN擦除操作，并且 其中，所述至少一個替代內(nèi)容修改操作包括:“熱空穴”擦除操作，即HH擦除操作。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法， 其中，所述第一內(nèi)容修改操作包括:“福勒-諾得海姆”寫入操作，即FN寫入操作，并且 其中，所述至少一個替代內(nèi)容修改操作包括:“熱電子”寫入操作，即HE寫入操作。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法， 其中，所述第一內(nèi)容修改操作包括:第一擦除操作，其中，通過向FG晶體管的漏極施加第一正電壓并使所述FG晶體管的源極浮置來引起所述至少一個存儲單元的FG晶體管的浮置柵極FG上的負(fù)電荷從所述FG隧穿； 其中，所述至少一個替代內(nèi)容修改操作包括:第二擦除操作，其中，通過向所述FG晶體管的控制柵極CG施加第一負(fù)電壓來引起正電荷以增加的可能性隧穿到所述FG上，所述正電荷由所述至少一個存儲單元的FG晶體管的漏極和源極之間的第一非零電壓所加速并導(dǎo)致“熱空穴”。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法， 其中，所述第一內(nèi)容修改操作還包括:第一寫入操作，其中，通過向所述CG施加第二正電壓來引起負(fù)電荷以增加的可能性隧穿到所述FG上，所述負(fù)電荷由所述至少一個存儲單元的FG晶體管的漏極和源極之間的第二非零電壓所加速并導(dǎo)致“熱電子”； 其中，所述至少一個替代內(nèi)容修改操作進(jìn)一步包括:第二寫入操作，其中，通過向所述FG晶體管的源極施加第二負(fù)電壓，向所述CG施加第三正電壓并使所述FG晶體管的漏極浮置來引起負(fù)電荷隧穿到所述FG 上。
26.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法， 其中，所述確定能夠針對存儲器內(nèi)的特定內(nèi)容修改操作選擇最適當(dāng)?shù)膬?nèi)容修改操作。
【文檔編號】G11C16/06GK103632721SQ201310371453
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年8月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月24日
【發(fā)明者】W.阿勒斯, L.卡斯特羅, M.杰弗雷莫夫, J.奧特施特德特, E.帕帕里斯托, C.彼得斯 申請人:英飛凌科技股份有限公司