使用軟編程的非易失性存儲(chǔ)器(nvm)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及使用軟編程的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)。一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件（10）包括存儲(chǔ)器控制器（12）、以及耦合以與所述存儲(chǔ)器控制器通信的存儲(chǔ)器單元的陣列（20）。所述存儲(chǔ)器控制器被配置成使用第一軟程序電壓和第一軟程序驗(yàn)證水平執(zhí)行第一軟程序操作（56），以及確定是否已經(jīng)達(dá)到第一電荷捕獲閾值（54）。當(dāng)已經(jīng)達(dá)到所述第一電荷捕獲閾值的時(shí)候，使用第二軟程序電壓和第二軟程序驗(yàn)證水平執(zhí)行第二軟程序操作（56）。
【專利說明】使用軟編程的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開通常涉及非易失性存儲(chǔ)器(NVM)，并且更具體地說，涉及包括軟編程的NVM。
【背景技術(shù)】
[0002]非易失性存儲(chǔ)器(NVM)通常要求特殊的程序和擦除的操作，并且存在對這些操作可以被執(zhí)行的次數(shù)的限制。在已成功擦除的擦除存儲(chǔ)器單元期間可能繼續(xù)經(jīng)受擦除條件，而其它存儲(chǔ)器單元仍然被擦除。緩慢擦除的這些比特或可被稱為緩慢比特。一些存儲(chǔ)器單元可能被過度擦除，然后必須經(jīng)受壓縮，并且然后被軟編程以克服與過擦除相關(guān)聯(lián)的問題，諸如作為嵌入式擦除操作的一部分的過度泄漏。軟編程通?；ㄙM(fèi)相對較長的時(shí)間，因?yàn)槊總€(gè)地址被完成并且有低偏置。隨著越來越多的單元需要被軟編程，可能最終引起嵌入式擦除操作在指定的最大時(shí)間內(nèi)不能完成。軟程序時(shí)間是嵌入式擦除時(shí)間的主要部分。對于大塊(>64KB)，軟程序時(shí)間控制了嵌入式擦除時(shí)間。隨著時(shí)間，也許隨著成千上萬個(gè)或更多周期的推移的另一個(gè)問題是存儲(chǔ)器單元變?nèi)趸蚓徛脸?，并且軟程序也是這樣。長的擦除時(shí)間可以變?yōu)橹匾牟⑶一蚩蓛H與一些緩慢擦除的比特相關(guān)，因此引起主要群體被過度擦除。因此需要甚至更長的軟程序時(shí)間來完成嵌入式擦除。
[0003]因此，需要NVM系統(tǒng)以改進(jìn)上面提出的一個(gè)或多個(gè)問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0004]本發(fā)明通過舉例的方式說明并沒有被附圖所限定，在附圖中，類似的附圖標(biāo)記指示相似的元件。附圖中的元件為了簡單以及清晰而被圖示，并且不一定按比例繪制。
[0005]圖1是根據(jù)實(shí)施例的NVM系統(tǒng)；
[0006]圖2是有助于理解圖1的NVM系統(tǒng)的圖；
[0007]圖3是有助于理解圖1的NVM系統(tǒng)的圖；
[0008]圖4是有助于理解圖1的NVM系統(tǒng)的圖；
[0009]圖5是有助于理解圖1的NVM系統(tǒng)的圖；
[0010]圖6是有助于理解圖1的NVM系統(tǒng)的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]一方面，基于已經(jīng)滿足了電荷捕獲閾值的確定更改軟編程處理。這個(gè)更改包括改變軟編程電壓和降低驗(yàn)證水平兩者。通過參考附圖和下面的書面描述將對此更好地理解。
[0012]圖1示出的是非易失性存儲(chǔ)器(NVM)系統(tǒng)10，該NVM系統(tǒng)10具有存儲(chǔ)器控制器12、電荷泵14、以及具有被引用為NVM陣列20的主要部分和被引用為偏置條件18的次要部分的NVM存儲(chǔ)器16。這兩個(gè)部分可以是不同的塊。存儲(chǔ)器控制器12包括程序/擦除脈沖計(jì)數(shù)器，該程序/擦除脈沖計(jì)數(shù)器對累積的程序/擦除周期的數(shù)量、每個(gè)擦除操作的脈沖的數(shù)量、以及每個(gè)程序操作的脈沖的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。在NVM陣列中示出的是以典型形式連接到字線WLl和WL2以及位線BLl和BL2的NVM單元11、13、15以及17。示出的是浮置柵極NVM單元,但是它們可以使用納米晶體或氮化物用于電荷存儲(chǔ)。NVM陣列20可以是單一陣列或進(jìn)一步被劃分成塊。這些塊允許通過塊而不是整個(gè)陣列擦除。例如，偏置條件部分18可以從NVM陣列20單獨(dú)擦除。NVM單元可以被弓丨用為比特。
[0013]存儲(chǔ)器控制器12控制了 NVM陣列20的操作，諸如控制了擦除周期、讀取以及編程。如圖2中所示出的，編程的NVM單元位于分布22中。在這種情況下，擦除周期從擦除操作開始，擦除脈沖在該操作中被應(yīng)用于NVM陣列20或其子陣列。附加脈沖可以被應(yīng)用以確保所有比特具有低于圖3中所示出的分布24中產(chǎn)生的參考閾值電壓Ve的閾值電壓。在足夠脈沖之后，發(fā)生了確保沒有任何NVM單元具有如圖4中所示出的分布26的負(fù)閾值電壓的壓縮。在壓縮之后，在存在其閾值電壓不足以在零以上的至少一個(gè)NVM單元的地址處發(fā)生軟編程。軟編程對于擦除操作來說是一種最費(fèi)時(shí)間的處理。當(dāng)存在相對少的程序/擦除周期的時(shí)候，NVM單元很容易地達(dá)到足夠軟編程的最小閾值電壓。這是由軟編程驗(yàn)證水平確定的，該驗(yàn)證水平是與所有NVM單元都想優(yōu)選地超過的期望電壓相對應(yīng)的電壓水平。這樣的結(jié)果是與圖5中所示出的連續(xù)暗線一樣的分布28。實(shí)線中的分布28的最低閾值電壓是利用Vspl的軟程序驗(yàn)證水平的驗(yàn)證水平實(shí)現(xiàn)的。另一方面，在很多程序/擦除周期之后，編程變得困難并且可以要求顯著增加的數(shù)量的擦除脈沖。當(dāng)這個(gè)發(fā)生的時(shí)候，軟程序條件被改變以增加將電荷添加到經(jīng)受軟編程的NVM單元的電荷存儲(chǔ)部分的傾向。而且，驗(yàn)證水平被降低使得緩慢比特可以更容易地通過。緩慢比特必須仍具有超過O —定裕度的閾值電壓。結(jié)果就是分布28使用虛線代替一部分實(shí)線。該分布28的使用虛線的較低閾值電壓通過使用驗(yàn)證電壓Vsp2被實(shí)現(xiàn)。使用熱載流子注入優(yōu)選地實(shí)現(xiàn)編程。使用軟編程驗(yàn)證電壓Vsp2，對熱載流子注入進(jìn)行參數(shù)調(diào)整是增加需要被軟編程的NVM單元的漏極電壓和柵極電壓。圖5中所示出的是，通過降低軟程序驗(yàn)證水平和增加軟程序柵極電壓和軟程序漏極電壓，在軟程序完成之后，存儲(chǔ)器單元分布28保持了與沒有這些改變相同的形狀。這可以被表述為，由于降低的軟程序驗(yàn)證水平，在較低的閾值電壓水平?jīng)]有過度的存儲(chǔ)器單元。這是通過提高的軟程序柵極電壓和增加的軟程序漏極電壓控制的。
[0014]在圖6中示出用于實(shí)現(xiàn)圖2-圖5中所描繪的編程的流程圖40。存儲(chǔ)器控制器12使用電荷泵14和偏置條件18控制了 NVM陣列20上的擦除操作。擦除步驟在步驟42中被執(zhí)行；在步驟42中，擦除脈沖被應(yīng)用于NVM陣列20或NVM20的塊。如在步驟44中所示出的，擦除的驗(yàn)證被執(zhí)行。如果一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器單元不具有足夠低于如圖3中所示的擦除驗(yàn)證電壓Ve的閾值電壓，那么在步驟46存在關(guān)于已經(jīng)應(yīng)用多少擦除脈沖的確定。如果沒有達(dá)到最大脈沖計(jì)數(shù)，那么擦除處理在步驟42繼續(xù)應(yīng)用另一個(gè)擦除脈沖。如果已經(jīng)達(dá)到最大，那么擦除處理如在步驟48中所示失敗。因此，擦除脈沖繼續(xù)被應(yīng)用，直到驗(yàn)證了所有存儲(chǔ)器單元已經(jīng)被充分擦除或已經(jīng)達(dá)到最大脈沖計(jì)數(shù)。
[0015]一旦所有存儲(chǔ)器單元已經(jīng)被充分擦除，則壓縮在步驟50發(fā)生，其是弱編程步驟以將帶有負(fù)閾值電壓的那些單元的閾值電壓至少提高到零。如果一些單元稍微低于零閾值電壓并不重要，因此可能不需要驗(yàn)證步驟。壓縮具有緊縮如在分布24中所示出的分布的效果。軟編程發(fā)生在壓縮和軟編程的參數(shù)是可調(diào)節(jié)之后。軟編程的調(diào)整可以被禁用，并且其在步驟52被檢查。如果調(diào)整沒有被禁用，那么下一個(gè)步驟，步驟54將確定是否已經(jīng)達(dá)到電荷捕獲閾值。[0016]在很多周期之后，電荷捕獲降低了編程和擦除的效率。電荷捕獲的程度間接地被測量。一種措施是實(shí)現(xiàn)所有NVM單元的編程所需的程序操作的數(shù)量。程序脈沖被應(yīng)用于每個(gè)程序操作。隨著電荷捕獲的發(fā)生，實(shí)現(xiàn)編程的狀態(tài)的脈沖的數(shù)量增加。因此，確定已經(jīng)達(dá)到電荷捕獲閾值的一種方法是在與軟編程不同的正常編程期間，當(dāng)最大程序脈沖計(jì)數(shù)已經(jīng)達(dá)到預(yù)定數(shù)量的時(shí)候。該數(shù)量是基于實(shí)驗(yàn)的。例如，當(dāng)存在最小電荷捕獲的時(shí)候，編程脈沖的最大數(shù)量可以是2，以及當(dāng)存在重大電荷捕獲的時(shí)候，編程脈沖的最大數(shù)量可以是5。因此，5可以是選擇用于編程脈沖的最大數(shù)量的閾值以確定應(yīng)該存在軟程序操作的參數(shù)變化。另一種措施是程序/擦除周期的數(shù)量。這可以僅僅是NVM陣列20或NVM陣列20內(nèi)的塊已經(jīng)被編程和擦除的次數(shù)的累積的計(jì)數(shù)。在多個(gè)塊的情況下，每個(gè)塊存在單獨(dú)計(jì)數(shù)。用于推斷已經(jīng)達(dá)到電荷捕獲閾值的示例性數(shù)量是100，000程序/擦除周期。另一種措施是步驟42實(shí)現(xiàn)擦除的擦除操作的數(shù)量。對于編程，存在應(yīng)用于每個(gè)擦除操作的脈沖。因此給定擦除周期的擦除脈沖的數(shù)量的計(jì)數(shù)可以被用于確定已經(jīng)達(dá)到電荷捕獲閾值。為了這些目的，存儲(chǔ)器控制器12使用程序/擦除計(jì)數(shù)器19。例如，當(dāng)存在最小電荷捕獲的時(shí)候，擦除脈沖的數(shù)量可以是25，以及當(dāng)存在重大電荷捕獲的時(shí)候，擦除脈沖數(shù)量可以是50。因此，50可以是選擇用于擦除脈沖的數(shù)量的閾值以確定應(yīng)該存在軟程序操作的參數(shù)變化。保險(xiǎn)起見，確定已經(jīng)滿足電荷捕獲的一種方法是如果滿足程序/擦除周期、擦除脈沖、以及程序脈沖的任何一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)閾值，那么滿足電荷捕獲閾值電壓并且軟編程參數(shù)被改變。其它可能性包括要求所有三個(gè)或三個(gè)中的兩個(gè)，其中只對三個(gè)中的一個(gè)或兩個(gè)進(jìn)行計(jì)數(shù)，或具有一種與這些所描述的電荷捕獲不同的措施。
[0017]因此，如果在步驟54確定沒有滿足電荷捕獲閾值之后，那么在步驟56使用額定參數(shù)和應(yīng)用軟編程脈沖來執(zhí)行軟編程操作，其中正電壓可以被應(yīng)用于柵極和漏極以及接地電壓可以被應(yīng)用于源極。在執(zhí)行軟編程操作之后，驗(yàn)證步驟58確定存儲(chǔ)器單元是否足以在零閾值電壓以上。該確定是使用第一選擇的驗(yàn)證電壓Vspl做出的。這也可以被稱為額定驗(yàn)證電壓，該額定驗(yàn)證電壓是在由于電荷捕獲而改變軟編程參數(shù)之前被使用的電壓。如果所述確定是所有單元具有圖5中所示出的充分的高閾值電壓Vspl，這將通過使用第一選擇驗(yàn)證電壓被通過所表示，然后軟編程完成，同時(shí)也完成了如步驟60所指示的擦除周期。如果驗(yàn)證步驟58指示不是所有存儲(chǔ)器單元都通過，那么在步驟62存在關(guān)于是否已經(jīng)應(yīng)用最大數(shù)量的軟編程脈沖的確定。如果是的話，則這將是失敗的軟編程周期并且因此是失敗的擦除周期。如果沒有達(dá)到軟編程脈沖的最大數(shù)量，那么軟編程繼續(xù)步驟56。軟編程、驗(yàn)證、以及最大軟編程脈沖計(jì)數(shù)的檢查繼續(xù)進(jìn)行，直到軟編程是成功的以及軟編程被完成或已經(jīng)達(dá)到最大軟編程脈沖計(jì)數(shù)以及軟編程已經(jīng)失敗。
[0018]如果在步驟54確定已經(jīng)達(dá)到電荷捕獲閾值，那么下一個(gè)步驟是步驟56，其中步驟56的軟編程參數(shù)和步驟58的驗(yàn)證被調(diào)整。關(guān)于被調(diào)整的參數(shù)是什么的信息被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器16的偏置條件部分并且被存儲(chǔ)器控制器12訪問。對于步驟56的軟編程，軟編程脈沖應(yīng)用的柵極和漏極電壓增加。存儲(chǔ)器控制器12在必要的時(shí)候控制了電荷泵14以獲得期望編程電壓。對于步驟58的驗(yàn)證，存在與圖5中所示出的閾值電壓Vsp2相對應(yīng)的第二選擇驗(yàn)證電壓。存儲(chǔ)器控制器可以生成需要的參考電壓以在第一選擇驗(yàn)證電壓和第二選擇驗(yàn)證電壓處執(zhí)行驗(yàn)證。在做出參數(shù)調(diào)整之后，使用調(diào)整的參數(shù)執(zhí)行軟編程。使用調(diào)整的軟編程脈沖具有增加了電荷達(dá)到電荷存儲(chǔ)層的傾向的效果。驗(yàn)證58然后確定是否已經(jīng)達(dá)到電壓Vsp2的較低閾值電壓。如果是的話，那么該過程在步驟60被完成。如果不是的話，那么存在軟編程脈沖計(jì)數(shù)的確定。如果即使在調(diào)整的參數(shù)的情況下，最大軟編程脈沖計(jì)數(shù)被滿足，那么軟編程周期在步驟64失敗。如果最大編程脈沖計(jì)數(shù)沒有被滿足，那么軟編程操作和驗(yàn)證繼續(xù)進(jìn)行調(diào)整的軟編程脈沖和第二選擇驗(yàn)證電壓，直到在驗(yàn)證58存在通過確定以及完成軟程序操作或達(dá)到最大計(jì)數(shù)以及軟編程失敗。
[0019]如果在步驟52，確定參數(shù)改變由于達(dá)到電荷捕獲閾值而將被禁用，那么下一個(gè)步驟將是在步驟56使用額定參數(shù)執(zhí)行軟編程。如先前所描述的，該方法繼續(xù)進(jìn)行驗(yàn)證和最大軟編程脈沖計(jì)數(shù)確定。因此，即使已經(jīng)達(dá)到電荷捕獲閾值，軟編程也可以使用額定參數(shù)而不是調(diào)整的參數(shù)繼續(xù)進(jìn)行。
[0020]經(jīng)驗(yàn)表明只有少數(shù)比特不產(chǎn)生Vspl閾值電壓，因此雖然它們由于Vsp2的較低閾值電壓而具有增加的泄漏，但是對總泄漏的貢獻(xiàn)很小。因此，隨著幾乎所有比特具有至少閾值電壓Vspl，即使在較低閾值電壓Vsp2處的少數(shù)比特的情況下，總共的泄漏也是足夠小的。因此，隨著增加的軟編程電壓和減少的驗(yàn)證水平的組合，這些比特可以有效地被軟編程到至少閾值電壓Vsp2。而且，因?yàn)榻邮赵鰪?qiáng)的軟編程脈沖的比特已經(jīng)被示出為緩慢地編程，所以它們沒有被過度編程，并且因此避免了用增強(qiáng)的軟程序脈沖干擾分布28。
[0021]目前應(yīng)了解已經(jīng)提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件包括存儲(chǔ)器控制器以及耦合以與存儲(chǔ)器控制器通信的存儲(chǔ)器單元的陣列。所述存儲(chǔ)器控制器被配置成使用第一軟程序電壓和第一軟程序驗(yàn)證水平執(zhí)行第一軟程序操作，確定是否已經(jīng)達(dá)到第一電荷捕獲閾值，以及當(dāng)已經(jīng)達(dá)到所述第一電荷捕獲閾值的時(shí)候，使用第二軟程序電壓和第二軟程序驗(yàn)證水平執(zhí)行第二軟程序操作。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件可以具有進(jìn)一步的特征在于所述第一軟程序電壓小于所述第二軟程序電壓。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件可以具有進(jìn)一步的特征在于所述第一軟程序驗(yàn)證水平大于所述第二軟程序驗(yàn)證水平。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件可以具有進(jìn)一步的特征在于:當(dāng)由最大程序脈沖計(jì)數(shù)、最大軟程序脈沖計(jì)數(shù)、擦除脈沖計(jì)數(shù)、以及程序/擦除周期計(jì)數(shù)組成的組中的至少一個(gè)超過預(yù)定閾值的時(shí)候，達(dá)到所述第一電荷捕獲閾值。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件可以進(jìn)一步包括存儲(chǔ)區(qū)域，該存儲(chǔ)區(qū)域包括所述第一和第二軟程序電壓、所述第一和第二軟程序驗(yàn)證水平、以及所述第一電荷捕獲閾值。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件可以具有進(jìn)一步的特征在于確定是否已經(jīng)達(dá)到第二電荷捕獲閾值，以及當(dāng)已經(jīng)達(dá)到所述第二電荷捕獲閾值的時(shí)候，使用第三軟程序電壓和第三軟程序驗(yàn)證水平執(zhí)行第三軟程序操作。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件可以具有進(jìn)一步的特征在于所述第二軟程序電壓小于所述第三軟程序電壓，以及所述第二軟程序驗(yàn)證水平大于所述第三軟程序驗(yàn)證水平。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件可以具有進(jìn)一步的特征在于所述第一軟程序電壓中的一個(gè)被應(yīng)用于每個(gè)所述存儲(chǔ)器單元的柵極以及所述第一軟程序電壓中的另一個(gè)被應(yīng)用于每個(gè)所述存儲(chǔ)器單元的漏極。
[0022]還公開的是一種方法，所述方法包括在一組非易失性存儲(chǔ)器單元上執(zhí)行成功的擦除操作，并且確定是否已經(jīng)達(dá)到電荷捕獲閾值。如果已經(jīng)達(dá)到所述電荷捕獲閾值，則調(diào)整軟程序電壓、調(diào)整軟程序驗(yàn)證水平、以及使用調(diào)整后的軟程序電壓和調(diào)整后的軟程序驗(yàn)證水平在所述存儲(chǔ)器單元上執(zhí)行軟程序操作。所述方法可以具有進(jìn)一步的特征在于所述軟程序電壓和所述調(diào)整后的軟程序電壓被應(yīng)用于每個(gè)存儲(chǔ)器單元的柵極。所述方法可以具有進(jìn)一步的特征在于所述軟程序電壓和所述調(diào)整后的軟程序電壓被應(yīng)用于每個(gè)存儲(chǔ)器單元的漏極。所述方法可以具有進(jìn)一步的特征在于所述軟程序電壓小于所述調(diào)整后的軟程序電壓。所述方法可以具有進(jìn)一步的特征在于所述軟程序驗(yàn)證水平大于所述調(diào)整后的軟程序驗(yàn)證水平。所述方法可以具有進(jìn)一步的特征在于所述軟程序電壓和所述調(diào)整后的軟程序電壓被應(yīng)用于每個(gè)存儲(chǔ)器單元的漏極，以及第二軟程序電壓和第二調(diào)整后的軟程序電壓被應(yīng)用于每個(gè)存儲(chǔ)器單元的柵極。所述方法可以具有進(jìn)一步的特征在于，當(dāng)由最大程序脈沖計(jì)數(shù)、最大軟程序脈沖計(jì)數(shù)、擦除脈沖計(jì)數(shù)、以及程序/擦除周期計(jì)數(shù)組成的組中的至少一個(gè)超過預(yù)定閾值的時(shí)候，達(dá)到所述電荷捕獲閾值。
[0023]還公開的是一種方法，所述方法包括:在存儲(chǔ)器單元的陣列上執(zhí)行的擦除周期期間，其中所述陣列包括所述存儲(chǔ)器單元的多個(gè)塊驗(yàn)證在所述存儲(chǔ)器單元的塊上成功執(zhí)行擦除操作，以及確定是否啟用了電荷捕獲調(diào)整。如果所述電荷捕獲調(diào)整被啟用，則確定是否已經(jīng)達(dá)到電荷捕獲閾值。如果已經(jīng)達(dá)到所述電荷捕獲閾值，則調(diào)整至少一個(gè)軟程序電壓和軟程序驗(yàn)證水平以及使用調(diào)整后的軟程序電壓和調(diào)整后的軟程序驗(yàn)證水平在所述存儲(chǔ)器單元的所述塊上執(zhí)行軟程序操作。所述方法可以具有進(jìn)一步的特征在于其中所述至少一個(gè)軟程序電壓被應(yīng)用于由以下組成的組中的一個(gè):所述存儲(chǔ)器單元的漏極和所述存儲(chǔ)器單元的柵極。所述方法可以具有進(jìn)一步的特征在于:如果已經(jīng)達(dá)到所述電荷捕獲閾值，則調(diào)整第二軟程序電壓，將所述至少一個(gè)軟程序電壓應(yīng)用于所述存儲(chǔ)器單元的漏極，以及將所述第二軟程序電壓應(yīng)用于所述存儲(chǔ)器單元的柵極。所述方法可以具有進(jìn)一步的特征在于所述一個(gè)軟程序電壓小于所述調(diào)整后的軟程序電壓，以及所述軟程序驗(yàn)證水平大于所述調(diào)整后的軟程序驗(yàn)證水平。所述方法可以具有進(jìn)一步的特征在于:當(dāng)由最大程序脈沖計(jì)數(shù)、最大軟程序脈沖計(jì)數(shù)、擦除脈沖計(jì)數(shù)、以及程序/擦除周期計(jì)數(shù)組成的組中的至少一個(gè)超過預(yù)定閾值的時(shí)候，達(dá)到所述電荷捕獲閾值。
[0024]雖然在此參照具體實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是如權(quán)利要求中所陳述的，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以進(jìn)行各種修改以及變化。例如，該方法可以被改變成具有附加特征、更少的特征、或不同于所描述的順序。因此，說明書以及附圖被認(rèn)為是說明性而不是限制性的含義，并且所有這樣的修改旨在被包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。關(guān)于具體實(shí)施例，在此描述的任何好處、優(yōu)點(diǎn)或解決方案都不旨在被解釋為任何或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵的、必需的、或必要特征或元素。
[0025]如本發(fā)明所使用的，術(shù)語“耦合”不旨在限定為直接耦合或機(jī)械耦合。
[0026]此外，如在此使用的“一”或“一個(gè)”被定義為一個(gè)或不止一個(gè)。而且，即使當(dāng)同一權(quán)利要求包括介紹性短語“一個(gè)或多個(gè)”或“至少一個(gè)”和諸如“一”或“一個(gè)”的不定冠詞時(shí)，在權(quán)利要求中諸如“至少一個(gè)”以及“一個(gè)或多個(gè)”的介紹性短語的使用也不應(yīng)該被解釋成暗示通過不定冠詞“一”或“一個(gè)”引入另一個(gè)權(quán)利要求元素將包含這樣的引入的權(quán)利要求元素的任何特定權(quán)利要求限制成僅包含一個(gè)這樣的元素的發(fā)明。對于定冠詞的使用也是如此。
[0027]除非另有說明，諸如“第一”以及“第二”的術(shù)語用于任意區(qū)分這些術(shù)語描述的元素。因此，這些術(shù)語不一定旨在指示這樣的元素的時(shí)間或其它優(yōu)先次序。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件，包括: 存儲(chǔ)器控制器； 耦合以與所述存儲(chǔ)器控制器通信的存儲(chǔ)器單元的陣列； 其中所述存儲(chǔ)器控制器被配置成 使用第一軟程序電壓和第一軟程序驗(yàn)證水平執(zhí)行第一軟程序操作； 確定是否已經(jīng)達(dá)到第一電荷捕獲閾值；以及 當(dāng)已經(jīng)達(dá)到所述第一電荷捕獲閾值的時(shí)候，使用第二軟程序電壓和第二軟程序驗(yàn)證水平執(zhí)行第二軟程序操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件，其中所述第一軟程序電壓小于所述第二軟程序電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件，其中所述第一軟程序驗(yàn)證水平大于所述第二軟程序驗(yàn)證水平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件，其中當(dāng)由最大程序脈沖計(jì)數(shù)、最大軟程序脈沖計(jì)數(shù)、擦除脈沖計(jì)數(shù)、以及程序/擦除周期計(jì)數(shù)組成的組中的至少一個(gè)超過預(yù)定閾值的時(shí)候，達(dá)到所述第一電荷捕獲閾值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件，進(jìn)一步包括: 存儲(chǔ)區(qū)域，所述存儲(chǔ)區(qū)域包括所述第一軟程序電壓和第二軟程序電壓、所述第一軟程序驗(yàn)證水平和第二軟程序驗(yàn)證水平、以及所述第一電荷捕獲閾值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件，其中所述存儲(chǔ)器控制器進(jìn)一步被配置成: 確定是否已經(jīng)達(dá)到第二電荷捕獲閾值；以及 當(dāng)已經(jīng)達(dá)到所述第二電荷捕獲閾值的時(shí)候，使用第三軟程序電壓和第三軟程序驗(yàn)證水平執(zhí)行第三軟程序操作。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件，其中所述第二軟程序電壓小于所述第三軟程序電壓，以及所述第二軟程序驗(yàn)證水平大于所述第三軟程序驗(yàn)證水平。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件，其中所述第一軟程序電壓中的一個(gè)被應(yīng)用于所述存儲(chǔ)器單元中的每個(gè)的柵極，以及所述第一軟程序電壓中的另一個(gè)被應(yīng)用于所述存儲(chǔ)器單元的每個(gè)的漏極。
9.一種方法，包括: 在一組非易失性存儲(chǔ)器單元上執(zhí)行成功的擦除操作； 確定是否已經(jīng)達(dá)到電荷捕獲閾值；以及 如果已經(jīng)達(dá)到所述電荷捕獲閾值，則調(diào)整軟程序電壓、調(diào)整軟程序驗(yàn)證水平、以及使用調(diào)整后的軟程序電壓和調(diào)整后的軟程序驗(yàn)證水平在所述存儲(chǔ)器單元上執(zhí)行軟程序操作。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中當(dāng)由最大程序脈沖計(jì)數(shù)、最大軟程序脈沖計(jì)數(shù)、擦除脈沖計(jì)數(shù)、以及程序/擦除周期計(jì)數(shù)組成的組中的至少一個(gè)超過預(yù)定閾值的時(shí)候，達(dá)到所述電荷捕獲閾值。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述軟程序電壓和調(diào)整后的軟程序電壓被應(yīng)用于所述存儲(chǔ)器單元中的每個(gè)的柵極。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述軟程序電壓和調(diào)整后的軟程序電壓被應(yīng)用于所述存儲(chǔ)器單元中的每個(gè)的漏極。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述軟程序電壓小于調(diào)整后的軟程序電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述軟程序驗(yàn)證水平大于調(diào)整后的軟程序驗(yàn)證水平。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述軟程序電壓和調(diào)整后的軟程序電壓被應(yīng)用于所述存儲(chǔ)器單元中的每個(gè)的漏極，以及第二軟程序電壓和第二調(diào)整后的軟程序電壓被應(yīng)用于所述存儲(chǔ)器單元中的每個(gè)的柵極。
16.—種方法,所述方法包括: 在存儲(chǔ)器單元的陣列上執(zhí)行的擦除周期期間，其中所述陣列包括所述存儲(chǔ)器單元的多個(gè)塊: 驗(yàn)證在所述存儲(chǔ)器單元的塊上已經(jīng)成功地執(zhí)行擦除操作； 確定是否啟用了電荷捕獲調(diào)整； 如果啟用了所述電荷捕獲調(diào)整，則確定是否已經(jīng)達(dá)到電荷捕獲閾值；以及 如果已經(jīng)達(dá)到所述電荷捕獲閾值，則調(diào)整至少一個(gè)軟程序電壓和軟程序驗(yàn)證水平，以及使用調(diào)整后的軟程序電壓和調(diào)整后的軟程序驗(yàn)證水平在所述存儲(chǔ)器單元的所述塊上執(zhí)行軟程序操作。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述至少一個(gè)軟程序電壓被應(yīng)用于由以下組成的組中的一個(gè):所述存儲(chǔ)器單元的漏極和所述存儲(chǔ)器單元的柵極。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括: 如果已經(jīng)達(dá)到所述電荷捕獲閾值，則 調(diào)整第二軟程序電壓， 將所述至少一個(gè)軟程序電壓應(yīng)用于所述存儲(chǔ)器單元的漏極，以及 將所述第二軟程序電壓應(yīng)用于所述存儲(chǔ)器單元的柵極。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述一個(gè)軟程序電壓小于調(diào)整后的軟程序電壓，以及所述軟程序驗(yàn)證水平大于調(diào)整后的軟程序驗(yàn)證水平。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中當(dāng)由最大程序脈沖計(jì)數(shù)、最大軟程序脈沖計(jì)數(shù)、擦除脈沖計(jì)數(shù)、以及程序/擦除周期計(jì)數(shù)組成的組中的至少一個(gè)超過預(yù)定閾值的時(shí)候，達(dá)到所述電荷捕獲閾值。
【文檔編號】G11C16/06GK103680620SQ201310381540
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月28日
【發(fā)明者】穆復(fù)宸, 王彥卓 申請人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司