存儲器維修裝置及其應(yīng)用方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種存儲器維修裝置及其應(yīng)用方法,該集成電路包括一被配置成多個列,多個主要行的存儲器單元陣列,以及多個用以維修陣列中的瑕疵的備援行。主要行及備援行又被劃分成列區(qū)塊。位線耦接主要行至用以顯示被備援行修復的瑕疵行的維修狀態(tài)存儲器。集成電路接收一指令并根據(jù)指令所存取的一部分存儲器的一些特定列區(qū)塊的維修狀態(tài)來更新維修狀態(tài)存儲器。另外,維修狀態(tài)存儲器沒有足夠的容量儲存多個主要行的列區(qū)塊的維修狀態(tài)。
【專利說明】存儲器維修裝置及其應(yīng)用方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)存儲器維修【技術(shù)領(lǐng)域】,特別是指以備援行替換有瑕疵的存儲器陣列行的集成電路及其應(yīng)用方法,該集成電路即是存儲器維修裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]一存儲器陣列當中的備援行可提升一存儲器集成電路的制造產(chǎn)量。存儲器陣列中的瑕疵可被修復,比如透過處理行地址以備援行替換有瑕疵的存儲器陣列行。
[0003]存儲器陣列中的瑕疵并不限于存儲器陣列當中的同一行。解決存儲器陣列不同行中的瑕疵的一個方法是增加備援行的數(shù)量。如此一來,就算是存儲器陣列不同行中的瑕疵也可透過以備援行替換修復。不幸的,這是一個非常昂貴的解決方法,因為增加備援行會消耗面積。
[0004]另一種解決存儲器陣列不同行中的瑕疵的方式是把存儲器陣列行劃分為多個區(qū)段或是列區(qū)塊。只要瑕疵在不同列區(qū)塊當中,存儲器陣列中不同行中的瑕疵可被同一備援行修復。美國專利申請?zhí)枮?2 / 893235描述了一個實施例。
[0005]雖然說把行劃分為多個列區(qū)塊可提升備援行的面積效率,所述多個列區(qū)塊會使驗證如編程或擦除的存儲器操作更復雜。如果存儲器陣列當中某行的一列區(qū)塊已經(jīng)被備援行列區(qū)塊替換,驗證此被替換的列區(qū)塊是不合理的。因此,維修狀態(tài)存儲器中的每行可以指出特定存儲器行需不需要被驗證。維修狀態(tài)存儲器會隨著劃分行成多個列區(qū)塊的細度而增加。
[0006]因此,同時保有把行劃分為多個列區(qū)塊以提升備援行的面積效率又能減輕因驗證過程而需要存儲更大量維修狀態(tài)數(shù)據(jù)所產(chǎn)生的面積損失是一個重要的課題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]本發(fā)明技術(shù)的一個面向為一個集成電路,而該集成電路包括一被配置成多個列(rows),多個主要行(main columns)的存儲器單元陣列,以及一組在該陣列中執(zhí)行修補工作的的備援行。
[0008]所述多個主行以及所述組備援行被劃分成列區(qū)塊。主要行其中一特定列區(qū)塊可被備援行其中的該特定列區(qū)塊修復。
[0009]集成電路同時也包括狀態(tài)存儲器以及控制電路。位線耦接主要行至一用以顯示已被所述組備援行修復的多個修復行的維修狀態(tài)的存儲器。控制電路在集成電路收到指令時會針對該多個主要行中的子集(subset)列區(qū)塊的維修狀態(tài)以更新維修狀態(tài)存儲器。
[0010]因此,所述更新包括少于該多個主要行中的所有列區(qū)塊的維修狀態(tài)。在本發(fā)明某些實施例當中,更新當中的多個維修狀態(tài)排除指令所存取的一部分存儲器之外的一些特定列區(qū)塊。在這些實施例當中,指令決定更新的范圍。
[0011]在本發(fā)明某些實施例當中,維修裝態(tài)指出在指令所存取的一部分存儲器的具有多個修補部位的主要行當中被修復的主要行。該被維修的主要行包括被備援行的多個列區(qū)塊所替換的多個列區(qū)塊。在本發(fā)明某些實施例當中,控制電路為響應(yīng)維修狀態(tài)會從針對指令的一存儲器驗證程序的結(jié)果當中排除被修復的主要行。存儲器驗證程序因此會排除有修復行的主要行;例如,當指令所存取的列區(qū)塊含有被備援行列區(qū)塊所維修的修補部位。
[0012]在本發(fā)明某些實施例當中,控制電路會在超過一供應(yīng)電壓范圍的存儲器操作電壓的設(shè)置時間時做出至少一部分的更新。此動作會緩頰更新所導致的存儲器延遲現(xiàn)象。
[0013]本發(fā)明技術(shù)的另一個面向也是一個集成電路,而該集成電路包括一被配置成多個列,多個主要行的存儲器單元陣列,一組維修陣列的備援行以及多個位線。位線耦接主要行至用以顯示主要行維修狀態(tài)的存儲器。維修狀態(tài)存儲器沒有足夠的容量儲存主要行的多個列區(qū)塊的維修狀態(tài)。
[0014]在本發(fā)明某些實施例當中,任何一組的備援行的列區(qū)塊可修復該多個主要行中不同的主要行。在本發(fā)明某些實施例當中,維修狀態(tài)存儲器不包括集成電路所接收的指令所存取的一部分存儲器之外的列區(qū)塊的維修狀態(tài)。
[0015]在本發(fā)明某些實施例當中,維修裝態(tài)指出在集成電路所接收的指令所存取的一部分存儲器的具有多個修補部位的主要行當中被修復的主要行。
[0016]在本發(fā)明某些實施例當中,維修裝態(tài)指出在集成電路所接收的指令所存取的一部分存儲器的具有多個修補部位的主要行當中被修復的主要行。集成電路更包括為響應(yīng)維修狀態(tài)會從針對指令的一存儲器驗證程序的結(jié)果當中排除被修復的主要行的控制電路。
[0017]在本發(fā)明某些實施例更包括一更新維修狀態(tài)存儲器的控制電路,該維修狀態(tài)存儲器的維修裝態(tài)指出在集成電路所接收的指令所存取的一部分存儲器的一些特定列區(qū)塊的維修狀態(tài)。至少一部分的更新會在超過一供應(yīng)電壓范圍的存儲器操作電壓的設(shè)置時間時執(zhí)行。
[0018]本發(fā)明技術(shù)的其他面向包括本文所描述的方法。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]圖1為一具有一個或多個用以修復具有瑕疵的不同列區(qū)塊的備援行的存儲器陣列的簡單圖式。
[0020]圖2為于圖1中連同顯示維修狀態(tài)緩存器與備援系統(tǒng)的存儲器陣列的簡化結(jié)構(gòu)圖。
[0021]圖3為于圖1中連同顯示具有較少數(shù)目維修狀態(tài)緩存器的頁緩沖器與備援系統(tǒng)的存儲器陣列的簡化結(jié)構(gòu)圖。
[0022]圖4為一可被圖2或圖3中的備援系統(tǒng)所儲存的一緩存器組的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的簡單圖式。
[0023]圖5為一說明頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器如何從驗證程序結(jié)果中移除被修復的主要行的簡化方塊圖。
[0024]圖6是一使用具有較少面積的頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器的存儲器操作的示范流程圖。
[0025]圖7是一使用具有較少面積的頁緩沖器的集成電路的方塊圖。
[0026]【符號說明】
[0027]
[0028]211-218 主要行
[0029]111-114 備援行
[0030]130-133 列區(qū)塊
[0031]240具有維修狀態(tài)緩存器的頁緩沖器
[0032]251-254頁緩沖器緩存器列區(qū)塊
[0033]311-318具有瑕疵列區(qū)塊
[0034]340具有維修狀態(tài)緩存器的頁緩沖器
[0035]361-364備援緩存器列區(qū)塊
[0036]410備援系統(tǒng)
[0037]510頁緩沖器
【具體實施方式】
[0038]圖1為一具有一個或多個用以修復具有瑕疵的不同列區(qū)塊的備援行的存儲器陣列的簡單圖式。
[0039]該存儲器陣列包括主要行211、212、213、214、215、216、217以及218,而這些主要行延伸穿過所有列區(qū)塊,其中包括列區(qū)塊0130、列區(qū)塊1131、列區(qū)塊2132以及列區(qū)塊3133。圖中顯示行區(qū)塊多個極端邊的主要行,刪節(jié)號顯示多個主要行填滿該行區(qū)塊的空間。該存儲器陣列也包括備援行111、112、113以及114,而這些備援行延伸穿過所有列區(qū)塊,其中包括列區(qū)塊0130、列區(qū)塊1131、列區(qū)塊2132以及列區(qū)塊3133。備援行可修復主要行的錯誤。不管有無瑕疵,備援行中的數(shù)據(jù)也可被更新。
[0040]本發(fā)明實施例提供一具有高維修效率的行修復方法及算法。每一備援行被劃分為N個區(qū)域(N為2、3…至Y軸方向最大區(qū)域數(shù))。維修信息儲存在備援系統(tǒng)中的非易失性存儲器內(nèi),而在啟動時維修信息會加載至一存儲器,例如頁緩沖器內(nèi)的緩存器或保險絲(Fuses)。因此維修率相對于替換整個主要行可提升至N倍之多。
[0041]圖1中,每一行區(qū)塊有自己的備援行111 /112/113/114。每一備援行在Y軸方向被劃分為N個區(qū)域。圖中顯示N為4,而N可以增至Y軸方向的區(qū)域數(shù)。只要瑕疵在不同列區(qū)塊內(nèi),一個單一備援行可維修至多N個不同主要行中的瑕疵。
[0042]圖1顯示具有瑕疵列區(qū)塊311、312、313、314、315、316、317以及318的多個主要行的列區(qū)塊部分以說明一備援行的一列區(qū)塊部分可以用來替換一主要行的一列區(qū)塊部分,也就是說一備援行的一列區(qū)塊部分為一替換單元。
[0043]位于不同主要行的不同列區(qū)塊的瑕疵可由相同或不同的備援行替換。位于不同主要行的相同列區(qū)塊的瑕疵可由不同的備援行替換。
[0044]圖2為于圖1中連同顯示維修狀態(tài)緩存器與備援系統(tǒng)的存儲器陣列的簡化結(jié)構(gòu)圖。
[0045]存儲器陣列220包括多個行區(qū)塊。每一行區(qū)塊_BLK0221、BLK1222、BLK2223以及BLK3224-均有多個主要行及兩個以上的備援行。不同的實施例具有不同的行區(qū)塊數(shù)量,其中,每一行區(qū)塊具有各自的主要行數(shù)量以及不同的備援行數(shù)量。備援行被劃分為N區(qū)域(圖中N為4),而N至多可增至Y軸方向的區(qū)域數(shù)。備援行被分割為多個列區(qū)塊部分,其中每一部分可修復一主要行中和自己相應(yīng)的列區(qū)塊的瑕疵。
[0046]該存儲器陣列220耦接至一包括多個維修狀態(tài)緩存器的頁緩沖器240。所述多個維修狀態(tài)緩存器儲存維修狀態(tài),其中該維修狀態(tài)指出在指令所存取的一部分存儲器的具有瑕疵的主要行當中被修復且被相對應(yīng)的備援行列區(qū)塊所替換的主要行的維修狀態(tài)。該維修狀態(tài)緩存器的數(shù)量足以指出每一行區(qū)塊中的每一列區(qū)塊的維修狀態(tài)。
[0047]頁緩沖器240包括供列區(qū)塊3251 (區(qū)塊0、1、2、3)使用的頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器;供列區(qū)塊2252(區(qū)塊0、1、2、3)使用的頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器;供列區(qū)塊1253(區(qū)塊
0、1、2、3)使用的頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器以及供列區(qū)塊0254(區(qū)塊0、1、2、3)使用的頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器。在先前技術(shù)中,整個主要行完全被整個備援行替換,由于行沒有被分割為多個列區(qū)塊,因此單一組行區(qū)塊需要使用足夠大的緩存器數(shù)量。然而,圖中的實施例是根據(jù)存儲器陣列220列區(qū)塊的數(shù)目來增加頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器的容量。頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器或狀態(tài)存儲器透過位線260耦接至存儲器陣列的主要行。每一位線耦接至一相對應(yīng)的頁緩沖緩存器。
[0048]頁緩沖器240耦接至維修信息緩存器260,其中該維修信息緩存器組260包括供列區(qū)塊0-3使用的非易失性維修信息緩存器組270。在啟動時,根據(jù)該維修信息緩存器組270將頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器251-254的內(nèi)容填入。
[0049]在另一個實施例當中,狀態(tài)緩存器在頁緩沖器外。
[0050]圖3為于圖1中連同顯示具有較少數(shù)目維修狀態(tài)緩存器的頁緩沖器與備援系統(tǒng)的存儲器陣列的簡化結(jié)構(gòu)圖。
[0051]圖3中的存儲器陣列220相似于圖2。該存儲器陣列220耦接至一包括多個維修狀態(tài)緩存器的頁緩沖器340。所述多個維修狀態(tài)緩存器儲存維修狀態(tài),其中該維修狀態(tài)指出在指令所存取的一部分存儲器的具有瑕疵的主要行當中被修復且被相對應(yīng)的備援行列區(qū)塊所替換的主要行的維修狀態(tài)。然而,維修狀態(tài)緩存器的數(shù)量不足以指出每一行區(qū)塊的每一列區(qū)塊的維修狀態(tài)。相反地,維修狀態(tài)緩存器數(shù)只能儲存每一行區(qū)塊中的子集(subset)列區(qū)塊。該頁緩沖器包括供列區(qū)塊i351(區(qū)塊0、1、2、3)使用的頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器,其中i取決于被當前指令所存取的列區(qū)塊。在圖顯示的實施例當中,頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器數(shù)量只足以儲存一列區(qū)塊的維修狀態(tài)。其他實施例則具有足夠的頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器用以儲存多個列區(qū)塊的維修狀態(tài),但是不足以儲存每一行區(qū)塊的每一列區(qū)塊的維修狀態(tài)。頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器或狀態(tài)存儲器透過位線260耦接至存儲器陣列的主要行。每一位線耦接至一相對應(yīng)的頁緩沖緩存器。
[0052]頁緩沖器340耦接至多個備援系統(tǒng)維修信息緩存器組360。所述多個備援系統(tǒng)維修信息緩存器組360包括供列區(qū)塊3361 (區(qū)塊0、1、2、3)使用的多個備援系統(tǒng)維修信息緩存器組,供列區(qū)塊2362(區(qū)塊0、1、2、3)使用的多個備援系統(tǒng)維修信息緩存器組,供列區(qū)塊1363(區(qū)塊0、1、2、3)使用的備援系統(tǒng)維修信息緩存器組以及供列區(qū)塊0364(區(qū)塊0、1、2、3)使用的備援系統(tǒng)維修信息緩存器組。
[0053]因頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器351沒有足夠的容量儲存所有被備援系統(tǒng)維修信息緩存器361、362、363、364標明的維修狀態(tài),頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器只會儲存特定部分備援系統(tǒng)維修信息緩存器361、362、363、364所標明的維修狀態(tài)。在一個實施例當中,頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器351儲存?zhèn)湓到y(tǒng)維修信息緩存器361、362、363、364其中一個的維修狀態(tài)。在另一個有足夠的頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器儲存多個列區(qū)塊的維修狀態(tài),但是不足以儲存每一行區(qū)塊的每一列區(qū)塊的維修狀態(tài)的實施例當中,頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器351儲存?zhèn)湓到y(tǒng)維修信息緩存器361、362、363、364其中多個而非全部的維修狀態(tài)。
[0054]在另一個實施例當中,狀態(tài)緩存器在頁緩沖器外。
[0055]圖4為一可被圖2或圖3中的備援系統(tǒng)所儲存的一緩存器組的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的簡單圖式。
[0056]一組備援系統(tǒng)維修信息緩存器410包括一致能標志421,一列區(qū)塊地址431以及一行地址423。在集成電路接受指令時,控電電路會指出指令所存取的存儲器部分的列區(qū)塊地址。被指令指出的列區(qū)塊地址會與備援系統(tǒng)的維修信息緩存器中的列區(qū)塊地址相比較。具有與該指令所指出的列區(qū)塊地址相同的列區(qū)塊地址的維修信息緩存器會從備援系統(tǒng)中被讀取,并儲存于頁緩沖器的維修狀態(tài)緩存器以準備執(zhí)行該被接收的指令。
[0057]圖5為一說明頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器如何從驗證程序結(jié)果中移除被修復的主要行的簡化方塊圖。
[0058]頁緩沖器510暫時儲存寫入存儲器陣列或從存儲器陣列讀取的數(shù)據(jù)。頁緩沖器電路520包括儲存緩沖數(shù)據(jù)的存儲器元件以及頁緩沖器的控制電路。頁緩沖器510包括多個驗證元件531、532以及533。已被驗證的行數(shù)目可與維修單位實際數(shù)目相對應(yīng)或是與維修單位實際數(shù)目的倍數(shù)相對應(yīng)。驗證元件531、532以及533包括相對應(yīng)頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器541、542以及543以及相對應(yīng)開關(guān)551、552以及553。從圖3來看,頁緩沖器緩存器541,542以及543儲存從多個備援系統(tǒng)維修信息緩存器組讀取的。頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器541、542以及543儲存的數(shù)值會決定開關(guān)551、552以及553是開啟或是關(guān)閉。同理,驗證程序可包括或排出某一行。如果一行中被存取的列區(qū)塊已被備援行列區(qū)塊替換,則該行會被驗證程序排除。
[0059]頁緩沖器信號561和存儲器陣列相通數(shù)據(jù)用以寫入存儲器陣列或從存儲器陣列讀取。驗證標志562指出驗證程序結(jié)果為失敗或通過。
[0060]圖6是一使用具有較少面積的頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器的存儲器操作的示范流程圖。
[0061]在步驟610,集成電路接受到一指令。該指令會指明存取一特定列區(qū)塊。在步驟620,該指令,例如編程或擦除,需要一高于集成電路供應(yīng)電壓范圍的電壓,因此高電壓會透過例如充電泵(Charge Pump)的方式設(shè)置。這時,頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器會根據(jù)備援系統(tǒng)維修信息緩存器被更新,如圖3所示。盡管圖3中的頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器的架構(gòu)其面積成本比圖2中的頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器的架構(gòu)來的低,用正確列區(qū)塊的維修狀態(tài)更新頁緩沖器維修狀態(tài)緩存器需要額外的步驟。然而,這些額外的步驟不會產(chǎn)生延遲或是幾近零延遲,因為至少一部分更新會在電壓的設(shè)置時間內(nèi)執(zhí)行。在步驟630,該指令,例如編程或擦除,被執(zhí)行。在步驟640,一驗證程序被執(zhí)行。有瑕疵的主要行會根據(jù)維修狀態(tài)存儲器的維修狀態(tài)被驗證程序排除。如果驗證成功流程會停止650,否則流程回到步驟620。
[0062]圖7顯示一包括存儲器陣列700的集成電路750。一地址線及區(qū)塊選定譯碼器701耦接至一多個地址線702并配置于存儲器陣列700列當中。一位線譯碼器、一頁緩沖器以及一感測放大器703耦接至一多個位線704,該多個位線704配置在存儲器陣列700中用以讀取及寫入在存儲器陣列700中的存儲單元。用以儲存某特定列區(qū)塊的維修狀的維修狀態(tài)存儲器位于頁緩沖器內(nèi),或位于頁緩沖器之外。地址線從總線705供應(yīng)至該地址線譯碼器、驅(qū)動器701、位子線譯碼器、頁緩沖器以及感測放大器703。位于區(qū)塊706內(nèi)包括用于讀取、編程以及擦除模式的電流源的數(shù)據(jù)輸入輸出結(jié)構(gòu)透過總線707耦接至位線譯碼器、頁緩沖器以及感測放大器703。數(shù)據(jù)從集成電路750的輸入輸口端口透過數(shù)據(jù)輸入線711傳送到位于區(qū)塊706內(nèi)的數(shù)據(jù)輸入輸出結(jié)構(gòu)。數(shù)據(jù)從位于區(qū)塊706內(nèi)的數(shù)據(jù)輸入輸出結(jié)構(gòu)透過數(shù)據(jù)輸出線715傳送到集成電路750的輸入輸口端口,或者傳送到集成電路750內(nèi)或外的其他數(shù)據(jù)目的地。一偏壓配置器位于電路709內(nèi)在響應(yīng)集成電路750所接受的指令時,控制偏壓配置電壓源708。狀態(tài)機709用備援行修復多個瑕疵,其中瑕疵包括位于存儲器陣列中的不同主要行的至少一第一瑕疵以及一第二瑕疵。然而,所有被同一備援行修復的瑕疵不必要在不同主要行內(nèi)。備援系統(tǒng)760儲存關(guān)于存儲器陣列的被分割為多個列區(qū)塊的主要行的維修狀態(tài)的數(shù)據(jù)。備援系統(tǒng)760的數(shù)據(jù)在響應(yīng)所接受的指令時被下載并被編程至703內(nèi)的維修狀態(tài)存儲器。
[0063]雖然本發(fā)明以前述的較佳實施例和范例揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何熟習相像技藝者,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當可作些許的更動與潤飾,因此本發(fā)明的專利保護范圍須視本說明書所附的權(quán)利要求范圍所界定的為準。
【權(quán)利要求】
1.一集成電路,包括: 一具有多個存儲器單元的陣列,該多個存儲器單元被配置成多個列以及耦接至多個位線的多個主要行; 一組備援行,用做修補該陣列的多個部位,其中,該多個主要行以及該組備援行分別被劃分成多個列區(qū)塊,該多個主要行中的一特定列區(qū)塊可被該組備援行中的該特定列區(qū)塊修復; 一耦接至該多個位線的維修狀態(tài)存儲器,其中該維修狀態(tài)存儲器指出被該組備援行修復的維修狀態(tài);以及 控制電路,用以在響應(yīng)集成電路收到一指令時,對該多個主要行中的僅一子集列區(qū)塊的維修狀態(tài)執(zhí)行更新該維修狀態(tài)存儲器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該維修裝態(tài)指出在該指令所存取的一部分存儲器的具有該多個修補過的部位的該多個主要行當中被維修的主要行,其中該控制電路針對該指令的一存儲器驗證程序的結(jié)果排除被修復的主要行以回應(yīng)該維修狀態(tài)。
3.一集成電路,包括: 一具有多個存儲器單元的陣列,該多個存儲器單元被配置成多個列以及耦接至多個位線的多個主要行; 一組備援行,其中,該多個主要行以及該組備援行分別被劃分成多個列區(qū)塊,該多個主要行中的一特定列區(qū)塊可被該組備援行中的該特定列區(qū)塊修復;以及 一耦接至該多個位線的維修狀態(tài)存儲器,其中該維修狀態(tài)存儲器指出該多個主要行的維修狀態(tài),該維修狀態(tài)存儲器沒有足夠的容量儲存該多個主要行中的該多個列區(qū)塊的維修狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路,其中該維修裝態(tài)指出在該指令所存取的一部分存儲器的具有多個瑕疵的多個主要行當中被維修的主要行,以及該集成電路還包括控制電路,該控制電路針對該指令的一存儲器驗證程序的結(jié)果排除被修復的主要行以回應(yīng)該維修狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路,更包括一更新該維修狀態(tài)存儲器的控制電路,其中該維修狀態(tài)存儲器的維修裝態(tài)指出一指令所存取的一部分存儲器的一些特定列區(qū)塊的維修狀態(tài),該更新至少一部分在超過一供應(yīng)電壓范圍的一存儲器操作電壓的設(shè)置時間內(nèi)執(zhí)行。
6.一種方法,包括: 針對一具有多個存儲器單元的陣列接收一指令,該多個存儲器單元包括多個主要行的一組備援行,該多個主要行以及該組備援行分別被劃分成多個列區(qū)塊,該多個主要行中的一特定列區(qū)塊可被該組備援行中的該特定列區(qū)塊修復;以及 響應(yīng)收到該指令,更新一維修狀態(tài)存儲器,該維修狀態(tài)存儲器經(jīng)由一多個位線耦接至該陣列的該多個主要行,該更新包括該多個主要行中的僅僅一子集列區(qū)塊的維修狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中該維修裝態(tài)指出在該指令所存取的一部分存儲器的具有多個修補過的部位的多個主要行當中被修復的主要行。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中該維修裝態(tài)指出在該指令所存取的一部分存儲器的具有多個修補過的部位的多個主要行當中被維修的主要行,以及回應(yīng)該維修狀態(tài)所指出的被修復的主要行,該被修復的主要行被一針對該指令的一存儲器驗證程序的結(jié)果排除。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中該組備援行中的任何一組備援行的列區(qū)塊在該多個主要行中不同的主要行中執(zhí)行修補工作,以及該維修狀態(tài)存儲器不包括集成電路所接收的該指令所存取的一部分存儲器之外的列區(qū)塊的維修狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中該維修狀態(tài)存儲器的維修裝態(tài)指出一指令所存取的一部分存儲器的一些特定列區(qū)塊的維修狀態(tài),該更新至少一部分在超過一供應(yīng)電壓范圍的一存儲器操作電壓的設(shè)置時間內(nèi)執(zhí)行。
【文檔編號】G11C29/44GK104051025SQ201310543132
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月11日
【發(fā)明者】洪碩男, 羅棋, 洪俊雄 申請人:旺宏電子股份有限公司