存儲(chǔ)裝置及包括其的存儲(chǔ)系統(tǒng)和存儲(chǔ)裝置的操作方法
【專(zhuān)利摘要】一種存儲(chǔ)裝置包括：存儲(chǔ)器單元陣列，具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元；儲(chǔ)存單元，適用于儲(chǔ)存與存儲(chǔ)器單元陣列中的失效存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的失效地址；可用儲(chǔ)存容量判斷單元，適用于產(chǎn)生指示儲(chǔ)存單元中的可用儲(chǔ)存容量的可用容量信息；以及輸出電路，適用于輸出可用容量信息。
【專(zhuān)利說(shuō)明】存儲(chǔ)裝置及包括其的存儲(chǔ)系統(tǒng)和存儲(chǔ)裝置的操作方法
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 本申請(qǐng)要求2013年4月17日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第10-2013-0042204號(hào)的優(yōu)先 權(quán)，該申請(qǐng)的全文以引用的方式并入本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及集成電路設(shè)計(jì)，更具體而言，涉及用于集成電路的封 裝后修復(fù)。

【背景技術(shù)】
[0004] 圖1是說(shuō)明現(xiàn)有的執(zhí)行修復(fù)操作的存儲(chǔ)裝置的方框圖。
[0005] 參見(jiàn)圖1，存儲(chǔ)裝置包括存儲(chǔ)器單元陣列110、行電路120、列電路130、行熔絲電路 140和行比較單元150。
[0006] 存儲(chǔ)器單元陣列110包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，行電路120激活由行地址R_ADD選擇 的行(或字線)，列電路130訪問(wèn)（例如，讀取或?qū)懭耄┯尚械刂稢_ADD選擇的列（或位線）的 數(shù)據(jù)。行熔絲電路140儲(chǔ)存與存儲(chǔ)器單元陣列110內(nèi)的缺陷存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的行地址作 為修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD。行比較單元150將儲(chǔ)存在行熔絲電路140中的修復(fù)行地址 REPAIR_R_ADD與從存儲(chǔ)裝置外部輸入的行地址R_ADD進(jìn)行比較。當(dāng)修復(fù)行地址REPAIR_R_ ADD與行地址R_ADD相同時(shí)，行比較單元150控制行電路120以訪問(wèn)冗余行（或冗余字線)， 而不訪問(wèn)由行地址R_ADD選定的行。即，利用冗余行(或冗余字線）來(lái)替代與儲(chǔ)存在行熔絲 電路140中的修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD相對(duì)應(yīng)的行(或字線)。
[0007] 作為參考，在圖1中，"ACT"表示激活命令，"PRE"表示預(yù)充電命令，"RD"表示讀取 命令，"WT"表示寫(xiě)入命令，"DQs"表示數(shù)據(jù)或數(shù)據(jù)焊盤(pán)。
[0008] 通常，在熔絲電路140中主要使用激光熔絲。激光熔絲根據(jù)熔絲是否被切斷而儲(chǔ) 存邏輯高數(shù)據(jù)或邏輯低數(shù)據(jù)。激光熔絲可在晶片狀態(tài)下被編程，而在晶片安裝于封裝中之 后熔絲不可被編程。此外，因?yàn)榫€間距上的限制，不可在小的區(qū)域中設(shè)計(jì)激光熔絲。
[0009] 為了克服這些問(wèn)題，如美國(guó)專(zhuān)利第6, 904, 751號(hào)、美國(guó)專(zhuān)利第6, 777, 757號(hào)、美國(guó) 專(zhuān)利第6, 667, 902號(hào)、美國(guó)專(zhuān)利第7, 173, 851號(hào)和美國(guó)專(zhuān)利第7, 269, 047號(hào)中所披露，存儲(chǔ) 裝置中包括諸如電熔絲陣列電路、NAND快閃存儲(chǔ)器、N0R快閃存儲(chǔ)器、磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM)、自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-MRAM)、電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ReRAM)、相 變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PCRAM)這樣的儲(chǔ)存單元中的一種。將包括例如失效地址的修復(fù)信息儲(chǔ) 存在所述儲(chǔ)存單元中。
[0010] 圖2是說(shuō)明現(xiàn)有的包括用于儲(chǔ)存修復(fù)信息的儲(chǔ)存單元的存儲(chǔ)裝置的方框圖。
[0011] 參見(jiàn)圖2,可看到從圖1中所示的存儲(chǔ)裝置去除了熔絲電路140,并增加了儲(chǔ)存單 元210和寄存器單元220。
[0012] 利用儲(chǔ)存單元210來(lái)替代行熔絲電路140。這里，儲(chǔ)存與存儲(chǔ)器單元陣列110中的 缺陷存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的行地址作為修復(fù)行地址。儲(chǔ)存單元210可包括電熔絲陣列電路、 NAND 快閃存儲(chǔ)器、NOR 快閃存儲(chǔ)器、MRAM、STT-MRAM、ReRAM 或 PCRAM。
[0013] 寄存器單元220接收并儲(chǔ)存修復(fù)信息、例如被編程在儲(chǔ)存單元210中的失效地址。 儲(chǔ)存在寄存器單元220中的修復(fù)信息用于修復(fù)操作。寄存器單元220可包括鎖存器電路，且 僅在供應(yīng)電力時(shí)可儲(chǔ)存修復(fù)信息。用于將修復(fù)信息從儲(chǔ)存單元210傳送至寄存器單元220 的操作被稱(chēng)作啟動(dòng)操作。
[0014] 由于儲(chǔ)存單元210以陣列形式配置，因此要花費(fèi)一些時(shí)間來(lái)請(qǐng)求在內(nèi)部?jī)?chǔ)存的數(shù) 據(jù)。因?yàn)檎?qǐng)求可能不被執(zhí)行的數(shù)據(jù)要花費(fèi)一些時(shí)間，所以可能不能立即使用儲(chǔ)存在儲(chǔ)存單 元210中的數(shù)據(jù)來(lái)執(zhí)行修復(fù)操作。因此，在執(zhí)行啟動(dòng)操作以將儲(chǔ)存在儲(chǔ)存單元210中的修 復(fù)信息傳送至寄存器單元220并儲(chǔ)存該修復(fù)信息之后，使用儲(chǔ)存在寄存器單元220中的數(shù) 據(jù)來(lái)執(zhí)行修復(fù)操作。
[0015] 當(dāng)利用儲(chǔ)存單元210和寄存器單元220來(lái)替代包括激光熔絲的熔絲電路140時(shí)， 可以修復(fù)在封裝狀態(tài)中發(fā)現(xiàn)的額外缺陷。另一方面，近年來(lái)，已經(jīng)開(kāi)始研究用于在制造存儲(chǔ) 裝置之后(例如，在銷(xiāo)售產(chǎn)品之后)訪問(wèn)儲(chǔ)存單元210的技術(shù)，以及用于修復(fù)在制造存儲(chǔ)裝置 之后產(chǎn)生的缺陷的技術(shù)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0016] 各種實(shí)施例針對(duì)一種用于產(chǎn)生和使用可用容量信息的技術(shù)，所述可用容量信息表 示存儲(chǔ)裝置和集成電路中包括的儲(chǔ)存單元內(nèi)的可用儲(chǔ)存容量的量。
[0017] 在一個(gè)實(shí)施例中，一種存儲(chǔ)裝置可包括：存儲(chǔ)器單元陣列，具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元； 儲(chǔ)存單元，適用于儲(chǔ)存與存儲(chǔ)器單元陣列中的失效存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的失效地址；可用儲(chǔ) 存容量判斷單元，適用于產(chǎn)生指示儲(chǔ)存單元中的可用儲(chǔ)存容量的可用容量信息；以及輸出 電路，適用于輸出可用容量信息。
[0018] 在一個(gè)實(shí)施例中，一種存儲(chǔ)裝置可包括：存儲(chǔ)器單元陣列，具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元； 儲(chǔ)存單元，適用于儲(chǔ)存與存儲(chǔ)器單元陣列內(nèi)的失效存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的失效地址；可用儲(chǔ) 存容量判斷單元，適用于產(chǎn)生指示在儲(chǔ)存單元中占用的儲(chǔ)存容量的占用量信息；以及控制 單元，適用于控制儲(chǔ)存單元，以在儲(chǔ)存單元的利用占用量信息而判斷出的可用位置處編程 從外部輸入的額外失效地址。
[0019] 在一個(gè)實(shí)施例中，一種存儲(chǔ)系統(tǒng)可包括：存儲(chǔ)裝置，具有儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元陣 列，以及儲(chǔ)存與存儲(chǔ)器單元陣列內(nèi)的失效存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的失效地址的儲(chǔ)存單元，并且 存儲(chǔ)裝置適用于輸出指示儲(chǔ)存單元中可用的儲(chǔ)存容量的可用容量信息；以及存儲(chǔ)器控制 器，適用于基于可用容量信息而將額外失效地址傳送至存儲(chǔ)裝置，以及控制存儲(chǔ)裝置使得 將額外失效地址編程在儲(chǔ)存單元中。
[0020] 在一個(gè)實(shí)施例中，一種集成電路可包括：電熔絲陣列，具有多個(gè)熔絲集合，其中每 個(gè)熔絲集合適用于儲(chǔ)存表示相對(duì)應(yīng)熔絲集合的編程有效性的相應(yīng)編程有效性信息，以及集 成電路的操作所需的啟動(dòng)數(shù)據(jù)；以及可用容量判斷單元，適用于在啟動(dòng)操作執(zhí)行時(shí)通過(guò)對(duì) 被激活的編程有效性信息計(jì)數(shù)而產(chǎn)生表示電熔絲陣列內(nèi)的可用儲(chǔ)存容量的量的可用容量 信息。
[0021] 在一個(gè)實(shí)施例中，一種具有儲(chǔ)存失效地址的可編程儲(chǔ)存單元的存儲(chǔ)裝置的操作 方法，操作方法可包括：產(chǎn)生用于可編程儲(chǔ)存單元的可用容量信息；將可用容量信息傳送 至存儲(chǔ)器控制器；在存儲(chǔ)器控制器的控制下進(jìn)入封裝后修復(fù)模式；從存儲(chǔ)器控制器接收額 外失效地址；暫時(shí)儲(chǔ)存額外失效地址；將暫時(shí)儲(chǔ)存的額外失效地址編程在可編程儲(chǔ)存單元 中；以及在存儲(chǔ)器控制器的控制下退出封裝后修復(fù)模式。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022] 圖1是說(shuō)明現(xiàn)有的執(zhí)行修復(fù)操作的存儲(chǔ)裝置的方框圖。
[0023] 圖2是說(shuō)明現(xiàn)有的包括用于儲(chǔ)存修復(fù)信息的儲(chǔ)存單元的存儲(chǔ)裝置的方框圖。
[0024] 圖3是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的方框圖。
[0025] 圖4是說(shuō)明圖3中所示的可用儲(chǔ)存容量判斷單元的詳圖。
[0026] 圖5是說(shuō)明圖4中所示的可用容量信息發(fā)生器的詳圖。
[0027] 圖6是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的方框圖。
[0028] 圖7是說(shuō)明圖6中所示的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0029] 下面將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以容易地實(shí) 現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)主旨和本質(zhì)。在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中，可能省略了與本發(fā)明的主旨無(wú)關(guān)的已 知配置。在本公開(kāi)中，附圖標(biāo)記直接對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的各個(gè)附圖和實(shí)施中的相似編號(hào)部分。此 夕卜，只要未在句中特意指出，單數(shù)形式可包括多數(shù)形式。
[0030] 圖3是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置300的方框圖。
[0031] 參見(jiàn)圖3,存儲(chǔ)裝置300可包括命令輸入單元301、地址輸入單元302、數(shù)據(jù)輸入單 元303、數(shù)據(jù)輸出單元304、輸出電路305、命令譯碼器310、控制單元320、儲(chǔ)存單元330、可 用儲(chǔ)存容量判斷單元340、以及存儲(chǔ)器核心350。
[0032] 命令輸入單元301接收從存儲(chǔ)裝置300外部(例如，從存儲(chǔ)器控制器）輸入的命令 信號(hào)CMDs。命令信號(hào)CMDs可包括芯片選擇信號(hào)CS、激活信號(hào)ACT、行地址選通信號(hào)RAS、列 地址選通信號(hào)CAS、以及寫(xiě)入使能信號(hào)WE。
[0033] 地址輸入單元302接收從存儲(chǔ)裝置300外部輸入的、配置成多比特的地址信號(hào) ADDs。地址信號(hào)ADDs不僅可包括表示行地址和列地址的正常地址，而且還包括存儲(chǔ)體組地 址和存儲(chǔ)體地址。行地址和列地址可經(jīng)由相同的焊盤(pán)輸入，存儲(chǔ)裝置將與行地址選通信號(hào) RAS同步輸入的地址識(shí)別為行地址，且存儲(chǔ)裝置300將與列地址選通信號(hào)CAS同步輸入的地 址識(shí)別為列地址。
[0034] 數(shù)據(jù)輸入單元303接收從存儲(chǔ)裝置300外部輸入的多比特?cái)?shù)據(jù)DQs，數(shù)據(jù)輸出單元 304將數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)裝置300外部。舉例而言，經(jīng)由數(shù)據(jù)輸入單元303來(lái)輸入要寫(xiě)入在存 儲(chǔ)裝置300上的數(shù)據(jù)，以及經(jīng)由數(shù)據(jù)輸出單元304來(lái)輸出在存儲(chǔ)裝置300中讀取的數(shù)據(jù)。
[0035] 命令譯碼器310通過(guò)將經(jīng)由命令輸入單元301輸入的命令信號(hào)譯碼來(lái)產(chǎn)生命令信 號(hào)。命令信號(hào)可包括激活命令A(yù)CT、預(yù)充電命令PRE、讀取命令RD和寫(xiě)入命令WT。這些命 令（ACT、PRE、RD和WT)傳送至存儲(chǔ)器核心350。另一方面，命令譯碼器310可通過(guò)將經(jīng)由 命令輸入單元301輸入的命令信號(hào)CMDs與經(jīng)由地址輸入單元302輸入的地址信號(hào)ADDs中 的一些進(jìn)行組合來(lái)執(zhí)行各種設(shè)定操作和模式進(jìn)入操作，且因此可經(jīng)由這些操作進(jìn)入可修復(fù) 模式（也被稱(chēng)作封裝后修復(fù)模式，是指可在制造存儲(chǔ)器之后執(zhí)行修復(fù))。當(dāng)在進(jìn)入可修復(fù)模 式后與命令信號(hào)CMDs組合地輸入激活命令時(shí)，命令譯碼器310激活修復(fù)激活命令F_ACT，而 不激活激活命令A(yù)CT。當(dāng)與命令信號(hào)CMDs組合地輸入寫(xiě)入命令時(shí)，命令譯碼器310激活修 復(fù)寫(xiě)入命令F_WT而不激活寫(xiě)入命令WT。即，在正常模式下(非封裝后修復(fù)模式的模式)，命 令譯碼器310通過(guò)將命令信號(hào)CMDs譯碼來(lái)產(chǎn)生用于控制存儲(chǔ)器核心350的命令A(yù)CT、PRE、 RD和WT。當(dāng)進(jìn)入可修復(fù)模式時(shí)，命令譯碼器310通過(guò)將命令信號(hào)CMDs譯碼來(lái)產(chǎn)生要傳送 至控制單元320的命令信號(hào)F_ACT和F_WT。
[0036] 存儲(chǔ)器核心350可包括圖2中所示的存儲(chǔ)器單元陣列110、行電路120、列電路 130、行比較單元150、以及寄存器單元220。存儲(chǔ)器核心350根據(jù)命令譯碼器310的指令來(lái) 執(zhí)行從存儲(chǔ)器單元陣列110讀取數(shù)據(jù)/將數(shù)據(jù)寫(xiě)入至存儲(chǔ)器單元陣列110的操作。利用從 儲(chǔ)存單元330傳送至寄存器單元220的修復(fù)信息(或啟動(dòng)數(shù)據(jù)）B00TUP_DATA來(lái)替換(或修 復(fù)）存儲(chǔ)器單元陣列110內(nèi)部的缺陷。
[0037] 儲(chǔ)存單元330儲(chǔ)存失效地址，所述失效地址指示存儲(chǔ)器單元陣列110中的缺陷的 位置。儲(chǔ)存單元330包括多個(gè)儲(chǔ)存集合，例如，多個(gè)熔絲集合。當(dāng)執(zhí)行將儲(chǔ)存單元330的數(shù) 據(jù)傳送至寄存器單元220的啟動(dòng)操作時(shí)，反復(fù)地執(zhí)行讀取儲(chǔ)存在儲(chǔ)存單元330中的數(shù)據(jù)的 讀取操作。每當(dāng)執(zhí)行一次讀取操作時(shí)，可讀取一個(gè)儲(chǔ)存集合中的數(shù)據(jù)。每個(gè)儲(chǔ)存集合儲(chǔ)存 使用信息（或有效性信息）EN以及相應(yīng)的儲(chǔ)存集合的失效地址Α〈0:Ν>。使用信息指示相應(yīng) 的儲(chǔ)存集合是否被占用（或編程)。儲(chǔ)存在儲(chǔ)存單元330中的信息形式可如表1中所示。
[0038] [表 1]
[0039] I ,,,,,要儲(chǔ)存的信息，，，，，^ 儲(chǔ)存 EN A< A< A< A< A< A< A< A< A< A< A< 集合 0> 1> 2> 3> 4> 5> 6> 7> 8> N- N> _____________1>__ J__1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 ... 0 1_ _2__1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 ... 1 0_ _3__1 0 1 1 0 0 1 0 1 1 ... 0 0_ J__1101010000... 11_ _5__1100001101... 01_ ··· ··· ··· ··· ··· ?·· ?·· ··· ··· ·a· ?·· ?·· e·· ·· 27 1 0 0 1 1 0 0 1 1 1 ... 0 1_ 28 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 ... 1 1_ 29 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 ... 0 0_ 30 〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇...〇〇_ 31 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 [... I 0 0
[0040] 參見(jiàn)表1，儲(chǔ)存單元330中總共有31個(gè)儲(chǔ)存集合。因此，在啟動(dòng)操作中，必須將讀 取操作執(zhí)行31次，以將儲(chǔ)存在儲(chǔ)存單元330中的所有信息傳送至寄存器單元220。有效性 信息ΕΝ指示儲(chǔ)存在相應(yīng)儲(chǔ)存集合中的失效地址A〈0: N>是否有效。即，當(dāng)有效性信息ΕΝ為 " 1"時(shí)，儲(chǔ)存在相應(yīng)儲(chǔ)存集合中的失效地址A〈0:Ν>有效。當(dāng)有效性信息ΕΝ為"0"時(shí)，儲(chǔ)存 在相應(yīng)儲(chǔ)存集合中的失效地址無(wú)效。在表1中，總共31個(gè)儲(chǔ)存集合中的第1至第29儲(chǔ)存 集合指示占用的儲(chǔ)存集合。即，儲(chǔ)存在第1至第29儲(chǔ)存集合中的失效地址指示存儲(chǔ)器單元 陣列中的缺陷存儲(chǔ)器單元的地址。在表1中，第30和第31儲(chǔ)存集合指示可用的儲(chǔ)存集合。 艮Ρ，第30和第31儲(chǔ)存集合可被額外地編程具有額外的失效地址。
[0041] 可用儲(chǔ)存容量判斷單元340產(chǎn)生指示在儲(chǔ)存單元330中被占用的(或編程的)儲(chǔ)存 容量的占用量信息XF〈0:4>，以及指示在儲(chǔ)存單元330中可用的（或未編程的）儲(chǔ)存容量的 可用容量信息XFR〈0:1>。在將啟動(dòng)數(shù)據(jù)B00TUP_DATA從儲(chǔ)存單元330傳送至存儲(chǔ)器核心 350的寄存器單元220的啟動(dòng)操作中，可用儲(chǔ)存容量判斷單元340產(chǎn)生占用量信息XF〈0:4> 和可用容量信息XFR〈0:1>。當(dāng)儲(chǔ)存單元330中儲(chǔ)存表1中的信息時(shí)，在啟動(dòng)操作中讀取操 作從第1儲(chǔ)存集合至第31儲(chǔ)存集合順序地執(zhí)行。通過(guò)在啟動(dòng)操作中對(duì)從儲(chǔ)存單元330讀 取的啟動(dòng)數(shù)據(jù)B00TUP_DATA中的被激活(例如，具有值" 1"）的有效性信息EN的數(shù)目計(jì)數(shù)， 可用儲(chǔ)存容量判斷單元340可產(chǎn)生指示儲(chǔ)存單元330中被占用的儲(chǔ)存集合的數(shù)目（多少儲(chǔ) 存集合）的占用量信息XF〈0: 4>，以及可產(chǎn)生指示儲(chǔ)存單元330中可用的(或未編程的)儲(chǔ)存 集合的數(shù)目的可用容量信息XFR〈0:1>。
[0042] 控制單元320控制儲(chǔ)存單元330,使得將從存儲(chǔ)裝置300外部輸入的失效地址(為 指示存儲(chǔ)器單元陣列110中的缺陷位置的地址)記錄在儲(chǔ)存單元330上。當(dāng)通知從存儲(chǔ)裝置 外部輸入失效地址的修復(fù)激活命令F_ACT被激活時(shí)，控制單元320鎖存經(jīng)由地址輸入單元 302輸入的地址。由控制單元320鎖存的地址是要記錄在儲(chǔ)存單元330上的失效地址。當(dāng)用 以將從存儲(chǔ)裝置外部輸入的失效地址編程的修復(fù)寫(xiě)入命令F_WT被激活時(shí)，控制單元320控 制儲(chǔ)存單元330,使得將在修復(fù)激活命令F_ACT激活時(shí)鎖存的地址編程在儲(chǔ)存單元330中。 當(dāng)從修復(fù)寫(xiě)入命令F_WT激活的時(shí)間起已經(jīng)過(guò)寫(xiě)入潛伏時(shí)間WL (WL (寫(xiě)入潛伏時(shí)間）=CWL (Cas寫(xiě)入潛伏時(shí)間）+AL (累加潛伏時(shí)間）+PL (奇偶校驗(yàn)潛伏時(shí)間））時(shí)，控制單元320確認(rèn) 多比特?cái)?shù)據(jù)DQs (例如，DQs=DQ0至DQ15)中的第0數(shù)據(jù)（DQ0)是否維持"低"電平。當(dāng)?shù)? 數(shù)據(jù)DQ0維持"低"電平時(shí)，控制單元320控制儲(chǔ)存單元330,使得執(zhí)行將儲(chǔ)存單元330中鎖 存的地址編程的操作。然而，當(dāng)?shù)?數(shù)據(jù)DQ0處于"高"電平時(shí)，控制單元320控制儲(chǔ)存單 元330,使得不將鎖存的地址編程。控制單元320還判斷地址被編程在儲(chǔ)存單元330中的 位置。這里，使用占用量信息XF〈0:4>。舉例而言，當(dāng)占用量信息XF〈0:4>表示28時(shí)，其是 指儲(chǔ)存集合已占用至儲(chǔ)存單元330的31個(gè)儲(chǔ)存集合中的第28儲(chǔ)存集合。因此，控制單元 320控制儲(chǔ)存單元330,使得在第29儲(chǔ)存集合中編程地址。
[0043] 輸出電路305將在可用儲(chǔ)存容量判斷單元340中產(chǎn)生的可用容量信息XFR〈0:1> 輸出至存儲(chǔ)裝置300的外部。在本發(fā)明的實(shí)施例中，描述了經(jīng)由被配置為僅輸出可用容 量信息XFR〈0:1>的單獨(dú)焊盤(pán)而將可用容量信息XFR〈0:1>輸出至存儲(chǔ)裝置300外部的實(shí) 例。然而，可經(jīng)由與被配置為輸出來(lái)自存儲(chǔ)裝置300的數(shù)據(jù)的焊盤(pán)相同的焊盤(pán)而將可用容 量信息XFR〈0:1>輸出至存儲(chǔ)裝置的外部。即，可經(jīng)由數(shù)據(jù)輸出單元304輸出可用容量信息 XFR〈0:1>。
[0044] 圖4是說(shuō)明圖3中所示的可用儲(chǔ)存容量判斷單元340的詳圖。
[0045] 參見(jiàn)圖4,可用儲(chǔ)存容量判斷單元340可包括計(jì)數(shù)器410和可用容量信息發(fā)生器 420。
[0046] 計(jì)數(shù)器410接收從儲(chǔ)存單元330輸出的啟動(dòng)數(shù)據(jù)B00TUP_DATA中的有效性信息 EN，以及通過(guò)對(duì)有多少有效性信息EN被激活來(lái)計(jì)數(shù)而產(chǎn)生占用量信息XF〈0:4>。最后，占用 量信息XF〈0:4>變成二進(jìn)制碼，所述二進(jìn)制碼指示儲(chǔ)存單元330中提供的多個(gè)儲(chǔ)存集合中 的使用信息En具有值" 1"的儲(chǔ)存集合的數(shù)目。
[0047] 利用由計(jì)數(shù)器410產(chǎn)生的占用量信息XF〈0:4>，可用容量信息發(fā)生器420產(chǎn)生指 示儲(chǔ)存單元330中可用的儲(chǔ)存集合的數(shù)目的可用容量信息XFR〈0:1>。當(dāng)除去儲(chǔ)存單元330 中的儲(chǔ)存集合總數(shù)目中的已占用的儲(chǔ)存集合的數(shù)目時(shí)，獲得可用容量信息XFR〈0: 1>。因此， 可用容量信息發(fā)生器420可使用占用量信息XF〈0:4>而產(chǎn)生可用容量信息XFR〈0:1>。
[0048] 圖5是說(shuō)明圖4中所示的可用容量信息發(fā)生器420的詳圖。
[0049] 參見(jiàn)圖5,可用容量信息發(fā)生器420可包括與非（NAND)門(mén)511、513和514以及反 相器512。
[0050] 當(dāng)占用量信息XF〈0:4>為31 (1，1，1，1，1)，8卩，占用了所有31個(gè)儲(chǔ)存集合時(shí)，可 用容量信息發(fā)生器420產(chǎn)生（0, 0)作為可用容量信息XFR〈0: 1>。當(dāng)占用量信息XF〈0: 4>為 30(1，1，1，1，0)時(shí)，可用容量信息發(fā)生器420產(chǎn)生（0，1)作為可用容量信息乂?1?〈0:1>。當(dāng) 占用量信息XF〈0:4>為29 (1，1，1，0, 1)時(shí)，可用容量信息發(fā)生器420產(chǎn)生（1，0)作為可用 容量信息XFR〈0:1>。當(dāng)占用量信息XF〈0:4>等于或小于28(1，1，1，0,0)時(shí)，可用容量信息 發(fā)生器420產(chǎn)生（1，1)作為可用容量信息XFR〈0:1 >。即，可用容量信息XFR〈0:1 >指示在儲(chǔ) 存單元330中額外可編程的儲(chǔ)存集合的數(shù)目為0、1、2或3,或更多。
[0051] 圖6是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的方框圖。
[0052] 參見(jiàn)圖6,存儲(chǔ)系統(tǒng)包括存儲(chǔ)器控制器600和存儲(chǔ)裝置300。
[0053] 存儲(chǔ)器控制器600控制存儲(chǔ)裝置300的一般操作。存儲(chǔ)器控制器600的主要作用 是使存儲(chǔ)裝置300執(zhí)行寫(xiě)入操作和讀取操作。存儲(chǔ)器控制器600在寫(xiě)入操作中將地址信號(hào) ADDs和數(shù)據(jù)DQs連同寫(xiě)入命令CMDs (由信號(hào)的組合來(lái)傳送）一起傳送至存儲(chǔ)裝置300,以 及將數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在存儲(chǔ)裝置300的存儲(chǔ)器單元陣列110中指定的位置處。存儲(chǔ)器控制器600 在讀取操作中將地址信號(hào)ADDs連同讀取命令CMDs (由信號(hào)的組合來(lái)傳送）一起傳送至存 儲(chǔ)裝置300,以及請(qǐng)求儲(chǔ)存在存儲(chǔ)裝置300的存儲(chǔ)器單元陣列110中指定的位置處的數(shù)據(jù)。
[0054] 存儲(chǔ)器控制器600控制存儲(chǔ)裝置300,使得可修復(fù)存儲(chǔ)裝置300的存儲(chǔ)器單元陣 列110中的缺陷單元，以及將失效地址編程在儲(chǔ)存單元330中。將參考圖7描述用于修復(fù) 存儲(chǔ)裝置300的操作的相關(guān)細(xì)節(jié)。
[0055] 圖7是說(shuō)明在圖6中所示的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作期間與存儲(chǔ)裝置300的修復(fù)相關(guān)的操 作的實(shí)例的流程圖。
[0056] 參見(jiàn)圖7,首先，初始化存儲(chǔ)裝置300、執(zhí)行啟動(dòng)、以及產(chǎn)生占用量信息XF〈0:4>和 可用容量信息XFR〈0:1> (S710)。將電力供應(yīng)至存儲(chǔ)裝置300,以及在存儲(chǔ)裝置300中同時(shí) 執(zhí)行各種初始化操作。同時(shí)執(zhí)行存儲(chǔ)裝置300的初始化操作以及用于將啟動(dòng)數(shù)據(jù)B00TUP_ DATA (例如，失效地址)從存儲(chǔ)裝置300中的儲(chǔ)存單元330傳送至寄存器單元220的啟動(dòng)操 作。通過(guò)順序地執(zhí)行讀取儲(chǔ)存單元330中的儲(chǔ)存集合的操作而執(zhí)行啟動(dòng)操作?？捎脙?chǔ)存容 量判斷單元340根據(jù)對(duì)儲(chǔ)存集合中的有效性信息EN具有值" 1"的儲(chǔ)存集合的數(shù)目計(jì)數(shù)的方 法而產(chǎn)生占用量信息XF〈0: 4>。接著，可用儲(chǔ)存容量判斷單元340使用占用量信息XF〈0: 4> 而產(chǎn)生可用容量信息XFR〈0:1>。
[0057] 將存儲(chǔ)裝置300中產(chǎn)生的可用容量信息XFR〈0:1>從存儲(chǔ)裝置300傳送至存儲(chǔ)器 控制器600 (S720)。使用傳送至存儲(chǔ)器控制器600的可用容量信息XFR〈0:1>來(lái)判斷是否 執(zhí)行后續(xù)修復(fù)相關(guān)操作（S730)。當(dāng)儲(chǔ)存單元330中沒(méi)有可用容量并且XFR〈0:1>=(0, 0)時(shí)， 不可再執(zhí)行修復(fù)操作。因此，不執(zhí)行后續(xù)修復(fù)相關(guān)操作（S730至S780)。相反地，當(dāng)有可用 容量并且XFR〈0:1>尹（0,0)時(shí)，執(zhí)行修復(fù)相關(guān)操作（S740至S790)。
[0058] 為了修復(fù)存儲(chǔ)裝置300,存儲(chǔ)器控制器600控制存儲(chǔ)裝置300以進(jìn)入可修復(fù)模式 (也被稱(chēng)作封裝后修復(fù)模式）（S740)。由存儲(chǔ)器控制器600施加至存儲(chǔ)裝置300的地址信 號(hào)ADDs與命令信號(hào)CMDs的組合可引起可修復(fù)模式。
[0059] 存儲(chǔ)器控制器600利用地址信號(hào)ADDs將指示存儲(chǔ)裝置300的存儲(chǔ)器單元陣列110 中的缺陷單元位置的失效地址傳送至存儲(chǔ)裝置300。接著，將通知利用地址信號(hào)ADDs傳送 了失效地址的命令施加至存儲(chǔ)裝置300 (S750)。當(dāng)存儲(chǔ)裝置300進(jìn)入可修復(fù)模式時(shí)，存儲(chǔ) 器控制器600可通過(guò)將與指示存儲(chǔ)裝置300中的激活命令的那些命令信號(hào)CMDs相同的命 令信號(hào)CMDs進(jìn)行組合來(lái)將命令施加至存儲(chǔ)裝置300。
[0060] 存儲(chǔ)裝置300的命令譯碼器310基于存儲(chǔ)器控制器600的控制（S750)來(lái)激活修 復(fù)激活命令F_ACT。基于修復(fù)激活命令F_ACT，控制單元320鎖存從存儲(chǔ)器控制器600傳送 的地址信號(hào)ADDs(S760)。這里，暫時(shí)儲(chǔ)存的地址信號(hào)直接變成要儲(chǔ)存在儲(chǔ)存單元330中的 失效地址。
[0061] 存儲(chǔ)器控制器600將用以編程額外失效地址的命令傳送至存儲(chǔ)裝置300 (S770)。 當(dāng)存儲(chǔ)裝置300進(jìn)入可修復(fù)模式時(shí)，存儲(chǔ)器控制器600可通過(guò)將與指示寫(xiě)入命令的那些命 令信號(hào)CMDs相同的命令信號(hào)CMDs進(jìn)行組合而將命令施加至存儲(chǔ)裝置300。
[0062] 存儲(chǔ)裝置300的命令譯碼器310基于存儲(chǔ)器控制器600的控制（S770)來(lái)激活修復(fù) 寫(xiě)入命令F_WT。在從修復(fù)寫(xiě)入命令F_WT激活的時(shí)間起經(jīng)過(guò)寫(xiě)入潛伏時(shí)間WL的時(shí)間之后， 控制單元320確認(rèn)第0數(shù)據(jù)焊盤(pán)DQ0的邏輯值是否為"0"。當(dāng)?shù)?數(shù)據(jù)焊盤(pán)DQ0的邏輯值 為"0"時(shí)，控制單元320將暫時(shí)儲(chǔ)存的失效地址編程在儲(chǔ)存單元330中。當(dāng)?shù)?數(shù)據(jù)焊盤(pán) DQ0的邏輯值為"1"時(shí)，控制單元320不將額外的失效地址編程在儲(chǔ)存單元330中（S780)。 這里，控制單元320確認(rèn)第0數(shù)據(jù)焊盤(pán)DQ0的邏輯值的原因是為了在存儲(chǔ)器控制器600控 制多個(gè)存儲(chǔ)裝置時(shí)從多個(gè)存儲(chǔ)裝置中識(shí)別要由存儲(chǔ)器控制器600控制的存儲(chǔ)裝置。當(dāng)在步 驟S780將暫時(shí)儲(chǔ)存的額外失效地址編程在儲(chǔ)存單元330中時(shí)，利用傳送至控制單元320的 占用量信息XF〈0: 4>來(lái)判斷儲(chǔ)存單元330中的儲(chǔ)存集合中的要被編程額外失效地址的儲(chǔ)存 集合。
[0063] 由于完成了在儲(chǔ)存單元330中編程額外失效地址的修復(fù)操作，因此存儲(chǔ)器控制器 600控制存儲(chǔ)裝置300使得存儲(chǔ)裝置300退出可修復(fù)模式（S790)。存儲(chǔ)裝置300可通過(guò)將 由存儲(chǔ)器控制器600施加至存儲(chǔ)裝置300的地址信號(hào)ADDs與命令信號(hào)CMDs適當(dāng)?shù)亟M合而 退出可修復(fù)模式。當(dāng)再次初始化存儲(chǔ)裝置300時(shí)，經(jīng)由啟動(dòng)操作將儲(chǔ)存單元330中新編程 的額外失效地址從儲(chǔ)存單元330傳送至寄存器單元220,因此修復(fù)(或替換）缺陷單元。
[0064] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，將儲(chǔ)存單元330中可用的和剩余的儲(chǔ)存集合的數(shù)目從存儲(chǔ) 裝置300傳送至存儲(chǔ)器控制器600。因此，存儲(chǔ)器控制器600可容易地了解可在存儲(chǔ)裝置 300中額外執(zhí)行多少修復(fù)。此外，可通過(guò)將施加至存儲(chǔ)裝置300的地址信號(hào)ADDs與命令信 號(hào)CMDs進(jìn)行組合而在任何時(shí)間執(zhí)行存儲(chǔ)裝置300中的修復(fù)。因此，可以獲得如下優(yōu)點(diǎn)：存 儲(chǔ)裝置的使用者可修復(fù)在制造存儲(chǔ)裝置300之后發(fā)現(xiàn)的缺陷。
[0065] 在上述實(shí)施例中，已描述存儲(chǔ)裝置300的儲(chǔ)存單元330中僅存在31個(gè)儲(chǔ)存集合的 實(shí)例。儲(chǔ)存單元330中的儲(chǔ)存集合的數(shù)目當(dāng)然可為數(shù)百至數(shù)萬(wàn)。已描述了假設(shè)失效行地址 儲(chǔ)存在儲(chǔ)存單元330中且利用失效行地址來(lái)執(zhí)行行修復(fù)以修復(fù)行的實(shí)例。然而，也可實(shí)現(xiàn) 利用失效列地址來(lái)修復(fù)列的實(shí)施例。已描述了激活命令用于在進(jìn)入可修復(fù)模式之后鎖存失 效地址且寫(xiě)入命令用于將鎖存的失效地址編程的實(shí)例。然而，用于執(zhí)行這些操作的命令可 以是其它命令。
[0066] 在上述實(shí)施例中，指示了可用儲(chǔ)存集合的數(shù)目為0、1、2或3,或更多。然而，即使當(dāng) 可用儲(chǔ)存集合的數(shù)目高于3時(shí)，也可根據(jù)電路設(shè)計(jì)來(lái)指示可用儲(chǔ)存集合的準(zhǔn)確數(shù)目。
[0067] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可容易地了解儲(chǔ)存單元中可用的剩余容量并儲(chǔ)存修復(fù)信 息。因此，可以了解還可執(zhí)行多少修復(fù)。此外，可以獲得如下優(yōu)點(diǎn)：易于指定可在儲(chǔ)存單元 中儲(chǔ)存額外修復(fù)信息的位置。
[0068] 盡管已經(jīng)出于說(shuō)明性的目的描述了各種實(shí)施例，但是對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯然 的是，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行各種變化和 修改。
[0069] 通過(guò)以上實(shí)施例可以看出，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。
[0070] 1. 一種存儲(chǔ)裝置，包括：
[0071] 存儲(chǔ)器單元陣列，所述存儲(chǔ)器單元陣列具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元；
[0072] 儲(chǔ)存單元，適用于儲(chǔ)存與所述存儲(chǔ)器單元陣列中的失效存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的失效 地址；
[0073] 可用儲(chǔ)存容量判斷單元，適用于產(chǎn)生指示所述儲(chǔ)存單元中的可用儲(chǔ)存容量的可用 容量信息；以及
[0074] 輸出電路，適用于輸出所述可用容量信息。
[0075] 2.如技術(shù)方案1所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述儲(chǔ)存單元包括多個(gè)儲(chǔ)存集合，每個(gè)儲(chǔ) 存集合儲(chǔ)存相應(yīng)的有效性信息和相應(yīng)的失效地址。
[0076] 3.如技術(shù)方案2所述的存儲(chǔ)裝置，其中，在所述存儲(chǔ)裝置的初始操作中執(zhí)行用于 將儲(chǔ)存在所述儲(chǔ)存單元中的全部相應(yīng)的失效地址傳送至寄存器單元的啟動(dòng)操作。
[0077] 4.如技術(shù)方案3所述的存儲(chǔ)裝置，其中，當(dāng)執(zhí)行所述啟動(dòng)操作時(shí)，所述可用儲(chǔ)存容 量判斷單元判斷被激活的有效性信息的數(shù)目，以及基于所述被激活的有效性信息的數(shù)目來(lái) 產(chǎn)生所述可用容量信息。
[0078] 5.如技術(shù)方案1所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述儲(chǔ)存單元包括電熔絲陣列、NAND快閃 存儲(chǔ)器、N0R快閃存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、自旋轉(zhuǎn)移磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、電阻式隨機(jī) 存取存儲(chǔ)器、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的任何一種。
[0079] 6. -種存儲(chǔ)裝置，包括：
[0080] 存儲(chǔ)器單元陣列，所述存儲(chǔ)器單元陣列具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元；
[0081] 儲(chǔ)存單元，適用于儲(chǔ)存與所述存儲(chǔ)器單元陣列內(nèi)的失效存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的失效 地址；
[0082] 可用儲(chǔ)存容量判斷單元，適用于產(chǎn)生指示在所述儲(chǔ)存單元中占用的儲(chǔ)存容量的占 用量信息；以及
[0083] 控制單元，適用于控制所述儲(chǔ)存單元，以在所述儲(chǔ)存單元的利用所述占用量信息 而判斷出的可用位置處儲(chǔ)存從外部輸入的額外失效地址。
[0084] 7.如技術(shù)方案6所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述可用儲(chǔ)存容量判斷單元產(chǎn)生指示所 述儲(chǔ)存單元中可用的儲(chǔ)存容量的可用容量信息。
[0085] 8.如技術(shù)方案7所述的存儲(chǔ)裝置，還包括適用于輸出所述可用容量信息的輸出電 路。
[0086] 9.如技術(shù)方案8所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述儲(chǔ)存單元包括多個(gè)儲(chǔ)存集合，每個(gè)儲(chǔ) 存集合儲(chǔ)存相應(yīng)的有效性信息和相應(yīng)的失效地址。
[0087] 10.如技術(shù)方案9所述的存儲(chǔ)裝置，其中，在所述存儲(chǔ)裝置的初始操作中執(zhí)行用于 將儲(chǔ)存在所述儲(chǔ)存單元中的全部相應(yīng)的失效地址傳送至寄存器單元的啟動(dòng)操作。
[0088] 11.如技術(shù)方案10所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述可用儲(chǔ)存容量判斷單元包括：
[0089] 計(jì)數(shù)器，適用于在所述啟動(dòng)操作執(zhí)行時(shí)對(duì)被激活的有效性信息的數(shù)目計(jì)數(shù)以及產(chǎn) 生所述占用量信息；以及
[0090] 可用容量信息發(fā)生器，適用于利用所述占用量信息來(lái)產(chǎn)生所述可用容量信息。
[0091] 12.如技術(shù)方案6所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述儲(chǔ)存單元包括電熔絲陣列、NAND快 閃存儲(chǔ)器、N0R快閃存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、自旋轉(zhuǎn)移磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、電阻式隨 機(jī)存取存儲(chǔ)器、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的任何一種。
[0092] 13. -種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括：
[0093] 存儲(chǔ)裝置，所述存儲(chǔ)裝置具有儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元陣列，以及儲(chǔ)存與所述存儲(chǔ) 器單元陣列內(nèi)的失效存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的失效地址的儲(chǔ)存單元，并且所述存儲(chǔ)裝置適用于 輸出指示所述儲(chǔ)存單元中可用的儲(chǔ)存容量的可用容量信息；以及
[0094] 存儲(chǔ)器控制器，適用于基于所述可用容量信息而將額外失效地址傳送至所述存儲(chǔ) 裝置，以及控制所述存儲(chǔ)裝置使得將所述額外失效地址儲(chǔ)存在所述儲(chǔ)存單元中。
[0095] 14.如技術(shù)方案13所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，用于操作所述存儲(chǔ)系統(tǒng)的方法包括：
[0096] 產(chǎn)生用于所述存儲(chǔ)裝置中的所述儲(chǔ)存單元的所述可用容量信息；
[0097] 將所述可用容量信息從所述存儲(chǔ)裝置傳送至所述存儲(chǔ)器控制器；
[0098] 將所述額外失效地址從所述存儲(chǔ)器控制器傳送至所述存儲(chǔ)裝置；以及
[0099] 根據(jù)從所述存儲(chǔ)器控制器至所述存儲(chǔ)裝置的命令而使所述存儲(chǔ)裝置將傳送的所 述額外失效地址儲(chǔ)存在所述儲(chǔ)存單元中。
[0100] 15.如技術(shù)方案14所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，當(dāng)所述可用容量信息指示所述儲(chǔ)存單 元中存在可用容量時(shí)，執(zhí)行所述額外失效地址的傳送。
[0101] 16.如技術(shù)方案14所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，通過(guò)將儲(chǔ)存在所述儲(chǔ)存單元中的有效 信息的數(shù)目計(jì)數(shù)來(lái)執(zhí)行所述可用容量信息的產(chǎn)生。
【權(quán)利要求】
1. 一種存儲(chǔ)裝置，包括： 存儲(chǔ)器單元陣列，所述存儲(chǔ)器單元陣列具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元； 儲(chǔ)存單元，適用于儲(chǔ)存與所述存儲(chǔ)器單元陣列中的失效存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的失效地 址； 可用儲(chǔ)存容量判斷單元，適用于產(chǎn)生指示所述儲(chǔ)存單元中的可用儲(chǔ)存容量的可用容量 ?目息；以及 輸出電路，適用于輸出所述可用容量信息。
2. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述儲(chǔ)存單元包括多個(gè)儲(chǔ)存集合，每個(gè)儲(chǔ)存集 合儲(chǔ)存相應(yīng)的有效性信息和相應(yīng)的失效地址。
3. 如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)裝置，其中，在所述存儲(chǔ)裝置的初始操作中執(zhí)行用于將儲(chǔ) 存在所述儲(chǔ)存單元中的全部相應(yīng)的失效地址傳送至寄存器單元的啟動(dòng)操作。
4. 如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)裝置，其中，當(dāng)執(zhí)行所述啟動(dòng)操作時(shí)，所述可用儲(chǔ)存容量判 斷單元判斷被激活的有效性信息的數(shù)目，以及基于所述被激活的有效性信息的數(shù)目來(lái)產(chǎn)生 所述可用容量信息。
5. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述儲(chǔ)存單元包括電熔絲陣列、NAND快閃存儲(chǔ) 器、NOR快閃存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、自旋轉(zhuǎn)移磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、電阻式隨機(jī)存取 存儲(chǔ)器、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的任何一種。
6. -種存儲(chǔ)裝置，包括： 存儲(chǔ)器單元陣列，所述存儲(chǔ)器單元陣列具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元； 儲(chǔ)存單元，適用于儲(chǔ)存與所述存儲(chǔ)器單元陣列內(nèi)的失效存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的失效地 址； 可用儲(chǔ)存容量判斷單元，適用于產(chǎn)生指示在所述儲(chǔ)存單元中占用的儲(chǔ)存容量的占用量 ?目息；以及 控制單元，適用于控制所述儲(chǔ)存單元，以在所述儲(chǔ)存單元的利用所述占用量信息而判 斷出的可用位置處儲(chǔ)存從外部輸入的額外失效地址。
7. 如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述可用儲(chǔ)存容量判斷單元產(chǎn)生指示所述儲(chǔ) 存單元中可用的儲(chǔ)存容量的可用容量信息。
8. 如權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)裝置，還包括適用于輸出所述可用容量信息的輸出電路。
9. 如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述儲(chǔ)存單元包括多個(gè)儲(chǔ)存集合，每個(gè)儲(chǔ)存集 合儲(chǔ)存相應(yīng)的有效性信息和相應(yīng)的失效地址。
10. 如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)裝置，其中，在所述存儲(chǔ)裝置的初始操作中執(zhí)行用于將儲(chǔ) 存在所述儲(chǔ)存單元中的全部相應(yīng)的失效地址傳送至寄存器單元的啟動(dòng)操作。
【文檔編號(hào)】G11C29/50GK104112467SQ201310729013
【公開(kāi)日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月17日
【發(fā)明者】宋清基 申請(qǐng)人:愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司