內(nèi)容可尋址存儲器本申請是于2010年7月26日提交的申請?zhí)枮?01010238029.5、名稱為“內(nèi)容可尋址存儲器”的中國專利申請的分案申請。與相關(guān)申請的交叉引用在2009年8月3日提交的日本專利申請?zhí)?009-180502的公開內(nèi)容，包括說明書、附圖和摘要，在此整體納入?yún)⒖肌＜夹g(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及使用半導(dǎo)體元件的內(nèi)容可尋址存儲器，并且特別涉及能夠以高于常規(guī)的速度操作的內(nèi)容可尋址存儲器。

背景技術(shù)：
一般地，隨著半導(dǎo)體存儲器的高集成度的發(fā)展和其中的容量的巨大增加，半導(dǎo)體存儲器的高速操作變得困難。其中一個原因是因為由于隨著連接到每條接線的存儲器單元數(shù)量的增加而增加的接線電容而發(fā)生的信號傳播延遲。在日本未審查專利公開號Hei10(1998)-255477(專利文獻(xiàn)1)中公開的技術(shù)致力于消除從字線驅(qū)動電路輸出的驅(qū)動控制信號中的傳播延遲。該文獻(xiàn)的字線驅(qū)動電路包括信號生成單元、第一驅(qū)動電路、第二驅(qū)動電路以及加速驅(qū)動電路。信號生成單元以預(yù)定的定時生成驅(qū)動信號。第一驅(qū)動電路響應(yīng)于驅(qū)動信號，驅(qū)動第一接線的連接有多個受控電路的一端側(cè)。第二驅(qū)動電路響應(yīng)于驅(qū)動信號，驅(qū)動具有小于第一接線的驅(qū)動負(fù)載的第二接線的一端側(cè)。加速驅(qū)動電路具有連接到第二接線的另一端側(cè)和第一接線的另一端側(cè)的輸入，以及輸出端子，用于在第一接線的另一端側(cè)的電平與第二接線的另一端側(cè)的電平互不相符時驅(qū)動第一接線的另一端側(cè)。日本未審查專利公開號2001-357675(專利文獻(xiàn)2)公開了使得讀取訪問時間更快的技術(shù)。描述于這一文獻(xiàn)中的半導(dǎo)體存儲器裝置包括存儲器單元，排布在列方向上；一對數(shù)字線，連接到每個存儲器單元；以及字線，布置為相應(yīng)地與數(shù)字線相交并且用于選擇相應(yīng)的存儲器單元。此外，半導(dǎo)體存儲器裝置包括感測放大器，布置在數(shù)字線的一端；近端側(cè)預(yù)充電電路，相對于數(shù)字線布置在感測放大器附近；以及遠(yuǎn)端側(cè)預(yù)充電電路，布置在數(shù)字線與感測放大器相對側(cè)的一端。這樣的半導(dǎo)體存儲器裝置具有的特點是：在讀取操作時遠(yuǎn)端側(cè)預(yù)充電電路的預(yù)充電操作完成的時間早于近端側(cè)預(yù)充電電路的該時間或與其同步。優(yōu)選地，在讀取操作中，用于選擇處于靠近遠(yuǎn)端側(cè)預(yù)充電電路的一側(cè)的每條字線的信號比用于選擇處于靠近近端側(cè)預(yù)充電電路的一側(cè)的每條字線的信號更早上升。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明針對具有數(shù)據(jù)搜索功能的內(nèi)容可尋址存儲器。常規(guī)存儲器在地址被輸入時會輸出存儲于每個存儲器單元中的與該地址相對應(yīng)的數(shù)據(jù)。另一方面，在內(nèi)容可尋址存儲器中，每個搜索數(shù)據(jù)被輸入，而與搜索數(shù)據(jù)相匹配的存儲的數(shù)據(jù)被搜索。如果存在與搜索數(shù)據(jù)相匹配的存儲的數(shù)據(jù)，那么與存儲的數(shù)據(jù)相對應(yīng)的地址或者與該地址相關(guān)的數(shù)據(jù)被輸出。具體地描述，內(nèi)容可尋址存儲器中多個存儲器單元被連接到單條匹配線(相符線)。此外，一對搜索線(檢索線)被提供給每個存儲器單元用以與匹配線相交。在搜索操作時，匹配線被預(yù)充電至，例如，“1”(H(高)電平)。此后，搜索數(shù)據(jù)經(jīng)由搜索線傳輸。當(dāng)傳輸?shù)乃阉鲾?shù)據(jù)與預(yù)先存儲于相應(yīng)存儲器單元中的數(shù)據(jù)相互匹配時，匹配線被維持在“1”的狀態(tài)。當(dāng)它們互不匹配時，匹配線被驅(qū)動至“0”的狀態(tài)(L(低)電平)。匹配線的邏輯電平由連接到匹配線的相應(yīng)的匹配放大器所檢測。為了使能這樣的配置的內(nèi)容可尋址存儲器中的高速操作，控制用于預(yù)充電匹配線的定時、提供的用以將搜索數(shù)據(jù)輸入到相應(yīng)的存儲器單元的定時、提供的用以檢測匹配線的邏輯電平的定時等等是重要的。然而在現(xiàn)有技術(shù)中，由于這些定時的控制是由各自使用半導(dǎo)體元件的延遲級所執(zhí)行的，隨著電路操作變得更快，對延遲級的設(shè)計變得越來越困難。本發(fā)明的目標(biāo)是提供能夠以高于常規(guī)的頻率操作的內(nèi)容可尋址存儲器。根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的內(nèi)容可尋址存儲器包括匹配線；預(yù)充電單元；多個存儲器單元，相應(yīng)地沿匹配線排布；匹配放大器；以及搜索數(shù)據(jù)傳輸單元。預(yù)充電單元相應(yīng)地連接到匹配線并且被提供用以將匹配線預(yù)充電至預(yù)定電壓。在數(shù)據(jù)搜索時，每個存儲器單元根據(jù)輸入的搜索數(shù)據(jù)與預(yù)先存儲的數(shù)據(jù)之間是否匹配而將相應(yīng)的匹配線從預(yù)充電狀態(tài)改變。匹配放大器被相應(yīng)地裝設(shè)在匹配線的一端并且檢測匹配線的邏輯電平。搜索數(shù)據(jù)傳輸單元從處于遠(yuǎn)離匹配放大器一側(cè)的存儲器單元起按存儲器單元的布置順序?qū)⑺阉鲾?shù)據(jù)傳輸至存儲器單元。根據(jù)以上實施方式，搜索數(shù)據(jù)從處于遠(yuǎn)離匹配放大器一側(cè)的相應(yīng)的存儲器單元按存儲器單元的布置順序傳輸至相應(yīng)的存儲器單元。因而可以在搜索數(shù)據(jù)到存儲器單元的傳輸之后開始由匹配放大器進(jìn)行邏輯電平的檢測，而不用考慮匹配線的延遲時間。作為結(jié)果，實現(xiàn)了高于常規(guī)頻率的操作。附圖說明圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的內(nèi)容可尋址存儲器100的整體配置的框圖；圖2為示例說明圖1中所示的內(nèi)容可尋址存儲器100的部分配置的詳情的框圖；圖3為描繪圖2中所示的預(yù)充電單元PC、CAM單元CC、和匹配放大器MA的配置的電路圖：圖4為示出圖2中所示的搜索線驅(qū)動器DR的配置的框圖；圖5為用于解釋說明圖3和圖4中所示的相應(yīng)的信號的時序圖；圖6為示例說明圖1中所示的搜索控制電路40的配置的框圖；圖7為描繪圖6中所示的主搜索控制電路41的框圖；圖8為用于解釋說明圖7中所示的相應(yīng)的信號的時序圖；圖9為示出圖6中所示的副搜索控制電路50的部分配置(搜索線使能信號SLE和匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N的生成)的框圖；圖10為用于解釋說明圖9中所示的相應(yīng)的信號的時序圖；圖11為示例說明圖6中所示的副搜索控制電路50的部分配置(匹配放大器控制信號MAE等的生成)的框圖；圖12為示出圖11中所示的延遲級55的配置的一個范例的框圖；圖13為用于解釋說明圖11中所示的相應(yīng)信號的時序圖；圖14為描繪作為圖2中所示的內(nèi)容可尋址存儲器100的對比范例的內(nèi)容可尋址存儲器900的配置的框圖；圖15為示出圖14中所示的搜索控制電路940的部分配置的框圖；圖16為示例說明圖2中所示的控制信號線36的配置的一個范例的規(guī)劃圖；圖17為描繪圖2中所示的控制信號線36的配置的另一范例的規(guī)劃圖：圖18為示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的內(nèi)容可尋址存儲器100A的配置的框圖；圖19為示例說明圖18中所示的副搜索控制電路50A的部分配置(搜索線使能信號SLE_0和匹配線預(yù)充電信號MLPRE_0_N的生成)的框圖；圖20為示出圖18中所示的副搜索控制電路50B的部分配置(搜索線使能信號SLE_1和匹配線預(yù)充電信號MLPRE_1_N的生成)的框圖：圖21為用于解釋說明圖19和圖20中所示的相應(yīng)的信號的時序圖；圖22為示出圖18中所示的副搜索控制電路50A的部分配置(匹配放大器控制信號MAE_0等的生成)的框圖；圖23為示出圖18中所示的副搜索控制電路50B的部分配置(匹配放大器控制信號MAE_1等的生成)的框圖；圖24為用于解釋說明圖22中所示的相應(yīng)的信號的時序圖；圖25為示出圖18中所示的控制信號線120和121的配置的一個范例的規(guī)劃圖；以及圖26為示例說明圖18中所示的控制信號線120和121的配置的另一范例的規(guī)劃圖。具體實施方式本發(fā)明的優(yōu)選實施方式將于以下參考隨附的附圖而被詳細(xì)地描述。相同的附圖標(biāo)記偶爾會相應(yīng)地附加在相同或相應(yīng)的部件，而它們的描述將因此而不再重復(fù)?！吹谝粚嵤┓绞健礫內(nèi)容可尋址存儲器100的整體配置和操作的概要]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的內(nèi)容可尋址存儲器100的整體配置的框圖。參考圖1，內(nèi)容可尋址存儲器100包括CAM存儲器陣列10，形成在半導(dǎo)體襯底SUB上；匹配檢測單元20；搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30；搜索控制電路40(控制器)；優(yōu)先級編碼器70；搜索結(jié)果輸出緩沖器81；地址／數(shù)據(jù)緩沖器74；指令碼緩沖器75；指令碼解碼器77；時鐘緩沖器76；地址解碼器78；以及感測放大器79。CAM存儲器陣列10包括多個CAM單元(存儲器單元)排布在矩陣的形式中。每個CAM單元具有在其中存儲一位數(shù)據(jù)以及比較搜索數(shù)據(jù)與預(yù)先存儲的數(shù)據(jù)的功能。內(nèi)容可尋址存儲器100包括對應(yīng)于CAM存儲器陣列10的相應(yīng)行裝設(shè)的字線(圖3的附圖標(biāo)記WL)以及對應(yīng)于CAM存儲器陣列10的相應(yīng)列裝設(shè)的位線對(圖3的附圖標(biāo)記BL和BL_N)，用于正常的數(shù)據(jù)寫入和讀取。此外，內(nèi)容可尋址存儲器100包括對應(yīng)于CAM存儲器陣列10的相應(yīng)行裝設(shè)的匹配線(相符線)以及對應(yīng)于CAM存儲器陣列10的相應(yīng)列裝設(shè)的搜索線對SL和SL_N(檢索線對)，用于數(shù)據(jù)搜索。在本說明書中，_N偶爾被附加在每個附圖標(biāo)記的末尾，這種情況下它們是按其中邏輯電平被反轉(zhuǎn)的互補關(guān)系被放置的。匹配檢測單元20(匹配放大器)檢測每條匹配線ML的邏輯電平(“1”或“0”)。由此檢測出在連接到匹配線ML的每個CAM單元中，搜索數(shù)據(jù)與預(yù)先存儲的數(shù)據(jù)是否互相匹配。搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30(搜索線驅(qū)動器)在數(shù)據(jù)搜索時經(jīng)由搜索線對SL和SL_N傳輸搜索數(shù)據(jù)到CAM存儲器陣列10的每個存儲器單元。搜索控制電路40基于輸入其中的時鐘CLK控制搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30和匹配檢測單元20的操作定時。優(yōu)先級編碼器70在匹配檢測單元20的檢測結(jié)果的基礎(chǔ)上，根據(jù)預(yù)定優(yōu)先級輸出在其上搜索數(shù)據(jù)與存儲的數(shù)據(jù)互相匹配了的每個地址，作為搜索結(jié)果。搜索結(jié)果輸出緩沖器81通過搜索結(jié)果輸出端子82向外輸出接收自優(yōu)先級編碼器70的搜索結(jié)果。地址／數(shù)據(jù)緩沖器74將經(jīng)由地址／數(shù)據(jù)輸入端子71接收到的每個地址或數(shù)據(jù)輸出至地址解碼器78和感測放大器79。此外，地址／數(shù)據(jù)緩沖器74經(jīng)由地址／數(shù)據(jù)輸入端子71接收在其中的數(shù)據(jù)搜索所必需的多位搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N并將其輸出至搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30。指令碼緩沖器75將經(jīng)由指令碼輸入端子72接收到的每個指令碼輸出至指令碼解碼器77。指令碼包括指示數(shù)據(jù)寫入的指令碼以及指示數(shù)據(jù)搜索的指令碼，等等。指令碼解碼器77解碼接收自指令碼緩沖器75的指令碼以生成對應(yīng)于指令內(nèi)容的信號。例如，在接收到數(shù)據(jù)搜索指令時，指令碼緩沖器75激活或斷言搜索信號SCM。在接收到復(fù)位指令時，指令碼緩沖器75斷言復(fù)位信號RST。地址解碼器78在數(shù)據(jù)寫入時基于接收自地址／數(shù)據(jù)緩沖器74的地址選擇目標(biāo)寫入存儲器單元組，并且在數(shù)據(jù)讀取時選擇目標(biāo)讀取存儲器單元組。時鐘緩沖器76經(jīng)由時鐘輸入端子73接收來自外部的時鐘，并將其輸出至內(nèi)容可尋址存儲器100的相應(yīng)的部件。感測放大器79在數(shù)據(jù)讀取時檢測連接有讀取目標(biāo)CAM單元的位線對的邏輯電平。與數(shù)據(jù)搜索相關(guān)的組件將在以下進(jìn)一步詳細(xì)解釋說明。圖2為示出圖1中所示的內(nèi)容可尋址存儲器100的部分配置的詳情的框圖。CAM存儲器陣列10、匹配檢測單元20、搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30和搜索控制電路40在圖2中示出。CAM存儲器陣列10包括多個存儲器單元(CAM單元)排布在具有n行和m列的矩陣的形式中。就圖2而言，m＝80。第i行和第j列的CAM單元(其中i：是從大于／等于1到小于／等于n-1的整數(shù)，而j：是從大于／等于1到小于／等于m-1的整數(shù))被描述為相應(yīng)的CAM單元CC[i-1，j-1]。CAM單元在它們被給予通用名稱或者在它們表示未指定單元時被描述為CAM單元CC。此外，CAM存儲器陣列10的行方向被稱為X方向，而其列方向被稱為Y方向。當(dāng)對于X方向的取向相互區(qū)別時，它們通過增加符號而被描述，如+X方向和-X方向。Y方向也與以上類似。如圖2中所示，內(nèi)容可尋址存儲器100包括從ML[0]到ML[n-1]的n條匹配線，其對應(yīng)于CAM存儲器陣列10的行裝設(shè)并在X方向上延伸。此外，內(nèi)容可尋址存儲器100包括從SL[0]和SL_N[0]到SL[m-1]和SL[m-1]的m對搜索線，其對應(yīng)于CAM存儲器陣列10的列裝設(shè)并在Y方向上延伸(圖2描述m＝80)。在其中它們被給予通用名稱或者它們表示未指定線路時，匹配線ML[0]到ML[n-1]以及搜索線對SL[0]和SL_N[0]到SL[79]和SL_N[79]被相應(yīng)地描述為匹配線ML和搜索線對SL和SL_N。CAM單元CC相應(yīng)地對應(yīng)于其上n條匹配線ML與m對搜索線對SL和SL_N相交的點裝設(shè)。CAM單元CC被連接到它們相應(yīng)的匹配線ML以及搜索線對SL和SL_N。內(nèi)容可尋址存儲器100此外包括從PC[0]到PC[n-1]的預(yù)充電單元相應(yīng)地連接到從ML[0]到ML[n-1]的n條匹配線。在其中它們被給予通用名稱或者它們表示未指定單元時，從PC[0]到PC[n-1]的預(yù)充電單元也被相應(yīng)地描述為預(yù)充電單元PC。當(dāng)接收自搜索控制電路40的匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N(第三控制信號)被置于有效狀態(tài)(“0”)時，每個預(yù)充電單元PC將相應(yīng)的匹配線ML預(yù)充電至預(yù)定電壓(圖2中的電源電壓)。每個預(yù)充電單元PC被裝設(shè)在相應(yīng)的匹配線ML在-X方向側(cè)的一端，即，在匹配檢測單元20(匹配放大器MA[0]到MA[n-1])附近。在內(nèi)容可尋址存儲器中，多位搜索數(shù)據(jù)(多個搜索字)與預(yù)先存儲的數(shù)據(jù)(多個存儲字)在每一由多個CAM單元CC構(gòu)成的條目上進(jìn)行比較。在圖2中，一個條目由對應(yīng)于連接到相應(yīng)的匹配線ML的一行(80個)的CAM單元CC所構(gòu)成。亦即，條目位寬為80位。多個搜索字經(jīng)由對應(yīng)于80個對的搜索線對SL和SL_N被輸入至CAM存儲器陣列10的相應(yīng)的條目。輸入的多個搜索字與多個存儲字被相應(yīng)地在每個CAM單元CC上在位單元中比較。數(shù)據(jù)搜索步驟將被解釋。首先，相應(yīng)的匹配線ML由預(yù)充電單元PC預(yù)充電至“1”。然后，搜索數(shù)據(jù)通過它們相應(yīng)的搜索線對SL和SL_N被輸入至相應(yīng)的CAM單元CC。每個CAM單元CC對輸入的搜索數(shù)據(jù)與預(yù)先存儲的一位數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。當(dāng)它們彼此不同時，被置于預(yù)充電狀態(tài)的相應(yīng)的匹配線ML被放電，從而改變相應(yīng)的匹配線ML的邏輯電平。由此，當(dāng)即使在任何相應(yīng)地連接到匹配線ML的CAM單元CC的情況下存儲的數(shù)據(jù)與搜索數(shù)據(jù)也都相匹配(命中“HIT”)時，即，當(dāng)搜索字與存儲字互相匹配時，相應(yīng)的匹配線ML的邏輯電平被維持在“1”。當(dāng)存儲的數(shù)據(jù)與搜索數(shù)據(jù)關(guān)于至少一個連接到匹配線ML的CAM單元CC不相匹配(錯過“MISS”)時，即，當(dāng)搜索字與存儲字互不匹配時，預(yù)充電的電荷被放電從而使相應(yīng)的匹配線ML的邏輯電平被變?yōu)椤?”。偶爾，有各種步驟被視為數(shù)據(jù)搜索步驟，比如用于預(yù)充電每條匹配線至“0”并且在存儲的數(shù)據(jù)與搜索數(shù)據(jù)為HIT狀態(tài)時將其充電至“1”的方法、用于預(yù)充電每條匹配線至“1”并且在存儲的數(shù)據(jù)與搜索數(shù)據(jù)為HIT狀態(tài)時將其充電至“0”的方法，等等。本申請對數(shù)據(jù)搜索步驟沒有特別限制。匹配檢測單元20包括從MA[0]到MA[n-1]的n個匹配放大器，相應(yīng)地對應(yīng)于n條匹配線ML。當(dāng)它們被給予通用名稱或者當(dāng)它們指稱未指定放大器時，從MA[0]到MA[n-1]的匹配放大器在以下被相應(yīng)地描述為匹配放大器MA。相應(yīng)的匹配放大器MA被連接到它們相應(yīng)的匹配線ML的-X方向側(cè)的一端。每個匹配放大器MA檢測相應(yīng)的匹配線ML的邏輯電平(“1”或“0”)。如圖3中所述，匹配放大器MA將相應(yīng)的匹配線ML的電壓與施加到參考線上的參考電壓(圖3的ML_REF)進(jìn)行比較，以從而檢測匹配線ML的邏輯電平。每個匹配放大器MA的操作由輸出自搜索控制信號40的匹配放大器控制信號MLI、MAE和MALAT(第二控制信號)所控制。搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30總共包括從DR[0]到DR[m-1]的m個搜索線驅(qū)動器(在圖2中m＝80)，相應(yīng)地與對應(yīng)于m對的從SL[0]和SL_N[0]到SL[m-1]和SL_N[m-1]的搜索線對相對應(yīng)。從DR[0]到DR[79]的搜索線驅(qū)動器在它們被給予通用名稱或者當(dāng)它們表示未指定驅(qū)動器時，相應(yīng)地被描述為搜索線驅(qū)動器DR。每個搜索線驅(qū)動器DR被連接到相應(yīng)的搜索線對SL和SL_N在-Y方向側(cè)上相應(yīng)的一端。如圖2中所示，第i(其中i：是從大于／等于1到小于／等于m的整數(shù))搜索線驅(qū)動器DR[i-1]接收每一單個的搜索數(shù)據(jù)SD[i-1]和SD_N[i-1]以及公用搜索線使能信號SLE(第一控制信號)。搜索數(shù)據(jù)SD[i-1]和SD_N[i-1]是互補數(shù)據(jù)，在其中當(dāng)其中的一個為“1”時，其中的另一個為“0”，該數(shù)據(jù)是由圖1中所示的地址／數(shù)據(jù)緩沖器74所供應(yīng)的。搜索線使能信號SLE由搜索控制電路40通過單條控制信號線36(36A、36B和36C)而提供。搜索線驅(qū)動器DR[i-1]在搜索線使能信號SLE在有效狀態(tài)(“1”)時將搜索數(shù)據(jù)SD[i-1]和SD_N[i-1]傳輸至相應(yīng)的搜索線對SL[i-1]和SL_N[i-1]。偶爾，從SD[0]和SD_N[0]到SD[m-1]和SD_N[m-1]的搜索數(shù)據(jù)在它們被給予通用名稱的地方或者在它們表示未指定搜索數(shù)據(jù)時也被描述為搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N。[匹配放大器和搜索線驅(qū)動器等的詳情]以下將做出對預(yù)充電單元PC、CAM單元、匹配放大器MA和搜索線驅(qū)動器DR的配置和操作的更加詳細(xì)的描述。圖3為示出圖2中所示的預(yù)充電單元PC、CAM單元CC和匹配放大器MA的配置的電路圖。(1.預(yù)充電單元PC)參考圖3，每個預(yù)充電單元PC包括PMOS(P-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管QP1。PMOS晶體管QP1的漏極被連接到其相應(yīng)的匹配線ML，其源極被連接到電源節(jié)點VDD并且其柵極被輸入以匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N。當(dāng)匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N被斷言為“0”時，PMOS晶體管QP1進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)，使電源電壓被施加到匹配線ML上。(2.CAM單元的配置)CAM單元CC包括SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)單元11，其中存儲數(shù)據(jù)；以及從QN1到QN4的NMOS(N-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管。SRAM單元11包括由反相器12和13以及NMOS晶體管14和15構(gòu)成的觸發(fā)器，用于數(shù)據(jù)的輸入／輸出。反相器12和13的各自的輸出節(jié)點被連接到另一個的輸入節(jié)點。反相器12和13的輸出節(jié)點被用作存儲節(jié)點ND1和ND1_N，用于保留數(shù)據(jù)。存儲在存儲節(jié)點ND1和ND1_N上的數(shù)據(jù)是互補數(shù)據(jù)，當(dāng)其中一個為“1”時，其中另一個變?yōu)椤?”。存儲節(jié)點ND1經(jīng)由NMOS晶體管14被連接到其相應(yīng)的位線BL。存儲節(jié)點ND1_N經(jīng)由NMOS晶體管15被連接到其相應(yīng)的位線BL_N。NMOS晶體管14和15的柵電極被連接到它們相應(yīng)的字線WL。字線WL和位線對BL與BL_N在正常數(shù)據(jù)寫入和讀取時使用。NMOS晶體管QN1和QN2以這一順序被串聯(lián)連接在匹配線ML與地節(jié)點GND之間。NMOS晶體管QN1的柵極被連接到存儲節(jié)點ND1_N，而NMOS晶體管QN2的柵極被連接到其相應(yīng)的搜索線SL。NMOS晶體管QN3和QN4以這一順序被串聯(lián)連接在匹配線ML與地節(jié)點GND之間。NMOS晶體管QN3的柵極被連接到存儲節(jié)點ND1，而NMOS晶體管QN4的柵極被連接到其相應(yīng)的搜索線SL_N。因而，在數(shù)據(jù)搜索中，當(dāng)存儲節(jié)點ND1為“1”(存儲節(jié)點ND1_N為“0”)并且搜索線SL為“1”(搜索線SL_N為“0”)時(HIT)，NMOS晶體管QN2和QN3相應(yīng)地進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)，而NMOS晶體管QN1和QN4相應(yīng)地進(jìn)入非導(dǎo)電狀態(tài)。由于在這種情況下匹配線ML與地節(jié)點GND處于非連接狀態(tài)，預(yù)充電的匹配線ML的電壓保持不變。在數(shù)據(jù)搜索中，當(dāng)存儲節(jié)點ND1為“1”而搜索線SL為“0”時(MISS)，NMOS晶體管QN3和QN4相應(yīng)地進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)，而NMOS晶體管QN1和QN2相應(yīng)地進(jìn)入非導(dǎo)電狀態(tài)。在這種情況下，匹配線ML與地節(jié)點GND通過NMOS晶體管QN3和QN4而相互連接。預(yù)充電的匹配線ML的電荷經(jīng)由這一導(dǎo)電路徑而被放電。在數(shù)據(jù)搜索中，當(dāng)存儲節(jié)點ND1為“0”并且搜索線SL為“0”時(HIT)，NMOS晶體管QN1和QN4相應(yīng)地進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)，而NMOS晶體管QN2和QN3相應(yīng)地進(jìn)入非導(dǎo)電狀態(tài)。由于在這種情況下匹配線ML與地節(jié)點GND處于非連接狀態(tài)，預(yù)充電的匹配線ML的電壓保持不變。在數(shù)據(jù)搜索中，當(dāng)存儲節(jié)點ND1為“0”而搜索線SL為“1”時(MISS)，NMOS晶體管QN1和QN2相應(yīng)地進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)，而NMOS晶體管QN3和QN4相應(yīng)地進(jìn)入非導(dǎo)電狀態(tài)。在這種情況下，匹配線ML與地節(jié)點GND通過NMOS晶體管QN1和QN2而相互連接。預(yù)充電的匹配線ML的電荷經(jīng)由這一導(dǎo)電路徑而被放電。(3.匹配放大器的配置)如圖3中所示，匹配放大器MA包括由PMOS晶體管所充當(dāng)?shù)膫鬏旈TQP2和QP3、比較電路21、由NMOS晶體管所充當(dāng)?shù)膫鬏旈TQN6和QN7、鎖存電路22以及從QP7到QP10的PMOS晶體管。匹配放大器MA被供應(yīng)以來自圖2的搜索控制電路40的匹配放大器控制信號MLI、MAE、MAE_N和MALAT。傳輸門QP2執(zhí)行匹配線ML與布置于匹配放大器MA內(nèi)的信號線CRS_ML之間的連接狀態(tài)或非連接狀態(tài)的切換。傳輸門QP3執(zhí)行參考線ML_REF與布置于匹配放大器MA內(nèi)的信號線CRS_REF之間的連接狀態(tài)或非連接狀態(tài)的切換。當(dāng)匹配線ML的電壓與參考線ML_REF的參考電壓由匹配放大器MA進(jìn)行比較時，輸入到傳輸門QP2和QP3的柵電極的匹配放大器控制信號MLI被斷言為(“1”)。因而，由于傳輸門QP2和QP3相應(yīng)地進(jìn)入非導(dǎo)電狀態(tài)，可以防止它們受到匹配線ML的電容的影響。比較電路21將全部經(jīng)由傳輸門QP2和QP3傳輸?shù)钠ヅ渚€ML的電壓與參考線ML_REF的參考電壓進(jìn)行比較。如圖3中所示，比較電路21包括從QP4到QP6的PMOS晶體管以及從QN3到QN5的NMOS晶體管。對于這些晶體管之間的連接將會做出描述。PMOS晶體管QP4被連接在電源節(jié)點VDD與節(jié)點ND3之間，而NMOS晶體管QN3被連接在地節(jié)點GND與節(jié)點ND4之間。PMOS晶體管QP5被連接在節(jié)點ND3與信號線CRS_REF之間，而PMOS晶體管QP6被連接在節(jié)點ND3與信號線CRS_ML之間。NMOS晶體管QN4被連接在節(jié)點ND4與信號線CRS_REF之間，而NMOS晶體管QN5被連接在節(jié)點ND4與信號線CRS_ML之間。在匹配放大器MA的操作中，施加到NMOS晶體管QN3的柵電極的匹配放大器控制信號MAE被斷言為“1”，而施加到PMOS晶體管QP4的柵電極的匹配放大器控制信號MAE_N被斷言為“0”。因而，當(dāng)匹配線ML的電壓高于參考線ML_REF的電壓時，信號線CRS_ML的電壓被驅(qū)動至電源電壓而信號線CRS_REF的電壓被驅(qū)動至地電壓。當(dāng)反之匹配線ML的電壓低于參考線ML_REF的電壓時，信號線CRS_ML的電壓被驅(qū)動至地電壓而信號線CRS_REF的電壓被馬區(qū)動至電源電壓。傳輸門QN6和QN7被裝設(shè)用以執(zhí)行比較電路21與鎖存電路22之間的連接狀態(tài)或非連接狀態(tài)的切換。傳輸門QN6和QN7的柵電極被輸入以匹配放大器控制信號MALAT。當(dāng)匹配放大器控制信號MALAT有效(“1”)時，傳輸門QN6和QN7進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)。當(dāng)匹配放大器控制信號MALAT無效(“0”)時，傳輸門QN6和QN7相應(yīng)地進(jìn)入非導(dǎo)電狀態(tài)。鎖存電路22是RS(復(fù)位-置位)鎖存電路，其包括與非電路23和24以及反相器電路25。與非電路23的第一輸入節(jié)點通過傳輸門QN6被連接到信號線CRS_ML，而其第二輸入節(jié)點被連接到與非電路24的輸出節(jié)點。與非電路24的第一輸入節(jié)點通過傳輸門QN7被連接到信號線CRS_REF，而其第二輸入節(jié)點被連接到與非電路23的輸出節(jié)點。反相器電路25輸出與非電路24的輸出的反相信號，作為匹配放大器MA的輸出信號MAO_N。PMQS晶體管QP7和QP8被裝設(shè)用以補償因傳輸門QN6和QN7而產(chǎn)生的電壓下降。如圖3中所示，PMOS晶體管QP7的源極被連接到電源節(jié)點VDD，其漏極被連接到與非電路23的第一輸入節(jié)點，而其柵極被連接到與非電路24的第一輸入節(jié)點。PMOS晶體管QP8的源極被連接到電源節(jié)點VDD，其漏極被連接到與非電路24的第一輸入節(jié)點，而其柵極被連接到與非電路23的第一輸入節(jié)點。假設(shè)作為匹配線ML和參考線ML_REF由比較電路21所驅(qū)動的結(jié)果，信號線CRS_ML的電壓變得與電源電壓相等而信號線CRS_REF的電壓變得與地電壓相等。在這種情況下，通過傳輸門QN6傳輸至與非電路23的電壓被變得比電源電壓低NMOS晶體管的閥值電壓。由于PMOS晶體管QP7通過如圖3中所示裝設(shè)PMOS晶體管QP7和QP8而進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)，與非電路23的第一輸入節(jié)點的電壓可以等于電源電壓。PMOS晶體管QP9和QP10被裝設(shè)用以控制鎖存電路22的工作狀態(tài)。如圖3中所示，PMOS晶體管QP9被連接在電源節(jié)點VDD和與非電路23的第一輸入節(jié)點之間，而PMOS晶體管QP10被連接在電源節(jié)點VDD和與非電路24的第一輸入節(jié)點之間。匹配放大器控制信號MALAT被輸入至PMOS晶體管QP9和QP10的柵極。由于在匹配放大器控制信號MALAT處于無效狀態(tài)(“0”)時PMOS晶體管QP9和QP10為導(dǎo)電狀態(tài)，鎖存電路22的輸入全都進(jìn)入“1”的狀態(tài)。在此時，鎖存電路22保持其原始內(nèi)部狀態(tài)。由于在匹配放大器控制信號MALAT處于有效狀態(tài)(“1”)時PMOS晶體管QP9和QP10為非導(dǎo)電狀態(tài)，鎖存電路22輸出對應(yīng)于比較電路21的輸出結(jié)果的值。(4.搜索線驅(qū)動器的配置)圖4為示出圖2中所示的搜索線驅(qū)動器DR的配置的框圖。參考圖4，搜索線驅(qū)動器DR包括“與”門電路31和32以及低電平通過D型鎖存器33和34。D型鎖存器33和34的輸入端子被相應(yīng)地輸入以搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N。搜索線使能信號SLE被同時輸入至D型鎖存器33和34的時鐘端子。D型鎖存器33的輸出信號和搜索線使能信號SLE被輸入至“與”門電路31。D型鎖存器34的輸出信號和搜索線使能信號SLE被輸入至“與”門電路32?！芭c”門電路31和32的輸出信號被相應(yīng)地提供給相應(yīng)的搜索線SL和SL_N。由于在搜索線使能信號SLE處于無效狀態(tài)(“0”)時“與”門電路31和32的輸出為“0”，“0”被輸出至搜索線SL和SL_N兩者。當(dāng)搜索線使能信號SLE從無效狀態(tài)(“0”)改變?yōu)橛行顟B(tài)(“1”)(搜索線驅(qū)動器DR被激活)時，D型鎖存器33和34在搜索線使能信號被切換到有效狀態(tài)(“1”)時在其中保持搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N。在搜索線使能信號SLE的有效狀態(tài)(“1”)中，保留在D型鎖存器33和34中的數(shù)據(jù)被相應(yīng)地提供給搜索線SL和SL_N。(5.時序圖)圖5按時鐘CLK、搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N、搜索線使能信號SLE、搜索線SL和SL_N的電壓、匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N、控制信號REF_DOWN以及匹配放大器控制信號MLI、MAE和MALAT的從上開始的順序示出它們的相應(yīng)波形。由實線表示的最下方曲線圖表示匹配線ML的電壓波形。由點劃線表示的曲線圖表示圖3的信號線CRS_ML的電壓波形。由虛線表示的曲線圖表示圖3的信號線CRS_REF的電壓波形。圖5的時序圖將在以下參考圖3到圖5解釋。首先，新的搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N響應(yīng)于時鐘CLK的上升定時T10、T30和T50而被供應(yīng)。假設(shè)在圖5中，在T10與T30時刻之間輸入的搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N與存儲在CAM單元CC中的數(shù)據(jù)相匹配(HIT)，并且在T30與T50時刻之間輸入的搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N不與存儲在CAM單元CC中的數(shù)據(jù)匹配(MISS)。搜索線使能信號SLE響應(yīng)于時鐘CLK的下降定時T20、T40和T60而進(jìn)入有效狀態(tài)(“1”)，并且響應(yīng)于時鐘CLK的上升定時T30和T50而進(jìn)入無效狀態(tài)(“0”)。根據(jù)搜索線使能信號SLE的激活，搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N在T22與T31時刻之間以及T42與T51時刻之間被傳輸至搜索線SL和SL_N。匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N響應(yīng)于時鐘CLK的上升定時T30和T50而進(jìn)入有效狀態(tài)(“0”)，并且響應(yīng)于時鐘CLK的下降定時T20、T40和T60而進(jìn)入無效狀態(tài)(“1”)。匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N受到控制以使其不與搜索線SL和SL_N同時進(jìn)入有效狀態(tài)。即，匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N進(jìn)入無效狀態(tài)(“1”)的定時T21和T41早于搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N被傳輸至搜索線SL和SL_N的激活定時T22和T42。此外，匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N進(jìn)入有效狀態(tài)(“0”)的定時T33和T53遲于搜索線SL和SL_N被停用的定時T31和T51。控制信號REF_DOWN是用于控制圖3的參考線ML_REF的電壓電平的信號。當(dāng)控制信號REF_DOWN在無效狀態(tài)(“0”)時，參考線ML_REF的電壓變得與電源電壓相等。當(dāng)控制信號REF_DOWN在有效狀態(tài)(“1”)時，參考線ML_REF的電壓達(dá)到低于電源電壓預(yù)定電壓(例如，100mV左右)的電壓。在圖5中，控制信號REF_DOWN大約與搜索線使能信號SLE同步進(jìn)入有效狀態(tài)(“1”)。匹配放大器控制信號MLI、MAE和MALAT響應(yīng)于時鐘CLK的上升定時T30和T50而僅在預(yù)定時段內(nèi)被置于有效狀態(tài)(“1”)。在此時，它們按MLI、MAE和MALAT的順序進(jìn)入有效狀態(tài)(“1”)，并且按MALAT、MAE和MLI的順序進(jìn)入無效狀態(tài)(“0”)。匹配放大器控制信號MLI、MAE和MALAT也受到控制以使其不與搜索線SL和SL_N同時達(dá)到有效狀態(tài)。即，匹配放大器控制信號MLI、MAE和MALAT被斷言的定時遲于搜索線SL和SL_N被停用的定時T31和T51。作為按上述定時提供相應(yīng)信號的結(jié)果，在匹配線ML以及信號線CRS_ML和CRS_REF上的電壓波形指示出如圖5的下部所示的變化。這些電壓波形將在以下按時間流逝順序描述。在匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N在從T11到T21的時段中處于有效狀態(tài)(“0”)時，匹配線ML、參考線ML_REF以及信號線CRS_ML和CRS_REF被預(yù)充電至預(yù)定電壓(圖5中的電源電壓VDD)。在下一時刻T22，控制信號REF_DOWN被斷言，以使參考線ML_REF的電壓電平低于電源電壓VDD。因而，信號線CRS_REF的電壓電平也被降低。在T22時刻到T31時刻的時段中，搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N被傳輸至搜索線SL和SL_N以從而激活搜索線SL和SL_N。由于在這段時間內(nèi)搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N與存儲于相應(yīng)的CAM單元CC中的數(shù)據(jù)互相匹配(HIT)，匹配線ML和信號線CRS_ML的電壓保持不變并且因此保持了電源電壓VDD。隨后，匹配放大器控制信號MLI被斷言，以使切斷圖3中所示的傳輸門QP2和QP3。在下一時刻T32，匹配放大器控制信號MAE被斷言，以使圖3的比較電路21開始工作。其結(jié)果是，信號線CRS_REF的電壓被降低至地電壓GND。此外，匹配放大器控制信號MALAT被斷言，以使圖3的鎖存電路22輸出搜索結(jié)果MAO_N。在下一時刻T33，匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N在比較電路21進(jìn)行操作的同時進(jìn)入有效狀態(tài)(“0”)。因而，匹配線ML被預(yù)充電用以進(jìn)行下一次數(shù)據(jù)搜索。在由比較電路21進(jìn)行的比較操作結(jié)束之后，匹配放大器控制信號MLI在T34時刻返回至無效狀態(tài)(“0”)，以使圖3的傳輸門QP2和QP3進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)。因此，信號線CRS_REF的電壓上升至電源電壓VDD。第一數(shù)據(jù)搜索如以上所述完成。在下一時刻T41，匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N進(jìn)入無效狀態(tài)(“1”)，以使匹配線ML、參考線ML_REF和信號線CRS_ML完成預(yù)充電。在下一時刻T42，控制信號REF_DOWN被斷言，以使參考線ML_REF的電壓電平比電源電壓VDD低預(yù)定電壓。因而，信號線CRS_REF的電壓電平也降低該預(yù)定電壓。在從下一時刻T42到時刻T51的時段中，相應(yīng)的搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N被傳輸至搜索線SL和SL_N。由于在這種情況下搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N與存儲于相應(yīng)的CAM單元CC中的數(shù)據(jù)不相匹配(MISS)，預(yù)充電的匹配線ML和信號線CRS_ML的電荷經(jīng)由CAM單元CC而被放電。其結(jié)果是，匹配線ML和信號線CRS_ML的電壓被逐漸降低。隨后，匹配放大器控制信號MLI被斷言，以切斷圖3中所示的傳輸門QP2和QP3。在下一時刻T52，匹配放大器控制信號MAE被斷言，以使圖3的比較電路21開始工作。其結(jié)果是，信號線CRS_ML的電壓被降低至地電壓GND。此外，匹配放大器控制信號MALAT被斷言，以使圖3的鎖存電路22輸出搜索結(jié)果MAO_N。在下一時刻T53，匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N在比較電路21進(jìn)行操作的同時進(jìn)入有效狀態(tài)(“0”)。因而，匹配線ML被預(yù)充電用以進(jìn)行下一次數(shù)據(jù)搜索。其結(jié)果是，匹配線ML的電壓逐漸升向電源電壓VDD。在由比較電路21進(jìn)行的比較操作結(jié)束之后，匹配放大器控制信號MLI在T54時刻返回至無效狀態(tài)(“0”)，以使圖3的傳輸門QP2和QP3進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)。因此，信號線CRS_REF的電壓也上升至電源電壓VDD。[對于內(nèi)容可尋址存儲器的定時控制的說明]在如上所述的數(shù)據(jù)搜索中，避免匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N的斷言與搜索線對SL和SL_N的斷言(搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N的傳輸)的同時發(fā)生是必要的。這是因為如果搜索線SL和SL_N的激活與每條匹配線的預(yù)充電同時發(fā)生，則會有下面的問題。首先，有直通電流從圖3中所示的預(yù)充電PMOS晶體管QP2流向圖3中所示的CAM單元CC。其次，盡管數(shù)據(jù)搜索的結(jié)果為不匹配(MISS)，匹配線ML將有可能因匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N的斷言而被充電到H電平，因而導(dǎo)致錯誤搜索結(jié)果的輸出。因此，對提供用以斷言搜索線使能信號SLE的定時以及提供用以斷言匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N的定時進(jìn)行調(diào)節(jié)是重要的。具體而言，必須在匹配線ML的預(yù)充電結(jié)束之后開始搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N到搜索線對SL和SL_N的傳輸(搜索線對SL和SL_N的激活)。還必須在搜索線SL和SL_N達(dá)到無效狀態(tài)之后斷言匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N并在隨后開始匹配線ML的預(yù)充電。除了上述各點，甚至必須注意被提供用以在搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N到搜索線SL和SL_N的傳輸之后斷言匹配放大器控制信號MLI、MAE和MALAT的定時。這是因為雖然匹配線ML在數(shù)據(jù)搜索的結(jié)果為不匹配(MISS)時由CAM單元CC進(jìn)行放電，但由于匹配線ML的電容，隨著CAM單元CC與CAM單元CC的距離的增加，將匹配線ML的電壓中的降低傳遞到匹配放大器MA是需要時間的。在常規(guī)內(nèi)容可尋址存儲器中，這樣的定時控制由使用多個反相器級的延遲電路所執(zhí)行。因此，由于制造工藝造成的MOS晶體管特性的波動的影響以及電源電壓和工作溫度的變動的影響增加，在定時設(shè)計上已花費大量時間。此外，內(nèi)容可尋址存儲器的工作頻率的加快在延遲電路本身的設(shè)計中遇到了困難。根據(jù)第一實施方式的內(nèi)容可尋址存儲器100能夠通過使用不同于常規(guī)的定時控制方法而抑制工藝波動的影響以及電源電壓和工作溫度中的變動的影響。其中詳情將于以下解釋。[內(nèi)容可尋址存儲器100的定時控制的詳情]再次參考圖2，內(nèi)容可尋址存儲器100包括搜索控制電路40，其被提供用以控制匹配放大器MA和搜索線驅(qū)動器DR的工作定時。在圖1中，搜索控制電路40被裝設(shè)在匹配檢測單元20(匹配放大器MA)的-Y方向側(cè)以及搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30(搜索線驅(qū)動器DR)的-X方向側(cè)上。搜索控制電路40接收來自圖1的時鐘緩沖器76的時鐘CLK并且接收來自指令碼解碼器77的搜索信號SCM和復(fù)位信號RST_N。搜索控制電路40基于接收到的信號生成上述搜索線使能信號SLE、匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N以及匹配放大器控制信號MLI、MAE、MAE_N和MALAT，并將它們由其中輸出。內(nèi)容可尋址存儲器100的一個特征點在于，一條控制信號線36(36A、36B和36C)被裝設(shè)用以將搜索線使能信號SLE傳輸至相應(yīng)的搜索線驅(qū)動器DR?？刂菩盘柧€36包括接線部分36A，從搜索控制電路40的輸出節(jié)點開始在+X方向上延伸；搜索線使能信號SLE在其處折返的返回部分36B；以及接線部分36C，在-X方向上從返回部分36B延伸到搜索控制電路40。接線部分36C按搜索線驅(qū)動器DR的布置順序連接到相應(yīng)的搜索線驅(qū)動器DR并且進(jìn)一步連接到搜索控制電路40。因而，在搜索線使能信號SLE被從搜索控制電路40輸出之后，其通過接線部分36A并到達(dá)返回部分36B。在返回部分36B折返的搜索線使能信號SLE首先通過距匹配放大器MA最遠(yuǎn)的搜索線驅(qū)動器DR[79]和接線部分36C的連接節(jié)點。然后，搜索線使能信號SLE以搜索線驅(qū)動器DR[78]、DR[77]、...、DR[0]這樣的順序通過搜索線驅(qū)動器DR和接線部分36C的連接節(jié)點。搜索線使能信號SLE最終重新到達(dá)搜索控制電路40。隨后，在從搜索控制電路40發(fā)出的時候，搜索線使能信號被描述為SLE_SND，而在由搜索控制電路40重新接收的時候，搜索線使能信號被描述為SLE_RCV。由于提供上述控制信號線36，第一搜索線驅(qū)動器DR[79]在使得搜索線使能信號SLE從其由搜索控制電路40所斷言開始至少傳播通過第一接線部分36A所使用的時間過去之后被激活。因而，搜索線使能信號SLE從搜索控制電路40到搜索線驅(qū)動器DR[79]的傳輸所使用的時間可長于匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N從搜索控制電路40到任何預(yù)充電單元PC的傳輸所使用的時間。其結(jié)果是，可以在匹配線ML由相應(yīng)的預(yù)充電單元PC完成預(yù)充電之后，開始搜索數(shù)據(jù)SD和SD_N到搜索線對SL和SL_N的傳輸(激活搜索線SL和SL_N)。在這里，搜索線使能信號SLE的傳輸時間取決于控制信號線36的RC延遲。因而，可以根據(jù)每條接線的長度、寬度和厚度控制信號傳輸時間。不同于使用級聯(lián)耦合反相器的常規(guī)延遲電路，本范例不受晶體管制造工藝中的波動的影響。傳輸時間還可以通過插入與控制信號線36串聯(lián)的高電阻接線部分或者裝設(shè)與控制信號線36并聯(lián)的電容性負(fù)載而被調(diào)節(jié)。此外，通過提供上述控制信號線36可以使用返回至搜索控制電路40的搜索線使能信號SLE_RCV來生成匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N以及匹配放大器控制信號MLI、MAE和MALAT。因而，可以輕易地在搜索線SL和SL_N進(jìn)入無效狀態(tài)之后斷言匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N以及匹配放大器控制信號MLI、MAE和MALAT。另外，由于搜索線SL和SL_N以從遠(yuǎn)離每個匹配放大器MA的那些開始的順序被激活，沒有必要考慮每條匹配線ML的接線延遲以確定被提供用以激活匹配放大器MA的定時。裝設(shè)具有如上所述的上述配置的控制信號線36使得即使在不使用延遲電路的情況下，也可以輕松地控制用于激活搜索線SL和SL_N的定時以及用于斷言匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N的定時。因此，內(nèi)容可尋址存儲器能夠在比常規(guī)的更高的頻率上工作。[搜索控制電路40的配置]以下將解釋搜索控制電路40的具體配置范例。圖6為示例說明圖1中所示的搜索控制電路40的配置的框圖。參考圖6，搜索控制電路40包括主搜索控制電路41和副搜索控制電路50。主搜索控制電路41基于在其中接收的時鐘CLK、搜索信號SCM和復(fù)位信號RST_N，生成觸發(fā)信號SE_ACT0，用于對相應(yīng)的匹配線ML進(jìn)行預(yù)充電；以及觸發(fā)信號SE_ACT1，用于激活相應(yīng)的搜索線SL和SL_N。副搜索控制電路50基于用于激活搜索線SL和SL_N的觸發(fā)信號SE_ACT1，生成并輸出搜索線使能信號SLE_SND。此外，副搜索控制電路50基于接收到的搜索線使能信號SLE_RCV和用于對每條匹配線ML進(jìn)行預(yù)充電的觸發(fā)信號SE_ACT0，生成并輸出匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N。副搜索控制電路50此外還基于接收到的搜索線使能信號SLE_RCV，生成并輸出匹配放大器控制信號MLI、MAE和MALAT。(1.主搜索控制電路41的配置)圖7為示出圖6中所示的主搜索控制電路41的配置的框圖。參考圖7，主搜索控制電路41包括D型觸發(fā)器42至44、“與”門電路45和46以及反相器47。D型觸發(fā)器42在時鐘CLK的上升沿的定時保留搜索信號SCM并且從其中輸出其保留的值(SE_C10)。D型觸發(fā)器43在時鐘CLK的下降沿的定時保留D型觸發(fā)器42的輸出信號SE_C10并且從其中輸出其保留的值(SE_C20)。D型觸發(fā)器44在時鐘CLK的上升沿的定時保留D型觸發(fā)器43的輸出信號SE_C20并且從其中輸出其保留的值(SE_C30)。“與”門電路45執(zhí)行對于D型觸發(fā)器43的輸出信號SE_C20與時鐘CLK求邏輯和的算術(shù)運算，并且輸出算術(shù)運算的結(jié)果作為觸發(fā)信號SE_ACT0，用于預(yù)充電每條匹配線ML?！芭c”門電路46執(zhí)行對于D型觸發(fā)器44的輸出信號SE_C30與借助反相器47反轉(zhuǎn)時鐘CLK而獲得的信號求邏輯和的算術(shù)運算，并且輸出算術(shù)運算的結(jié)果作為觸發(fā)信號SE_ACT1，用于激活搜索線SL和SL_N。D型觸發(fā)器42至44此外在其中接收復(fù)位信號RST_N。當(dāng)復(fù)位信號RST_N進(jìn)入有效狀態(tài)(“0”)時，D型觸發(fā)器42至44的輸出信號全部被復(fù)位為“0”。圖8為用于描述圖7中所示的相應(yīng)的信號的時序圖。參考圖7和圖8，時鐘CLK被假設(shè)為在T10、T30和T50時刻的定時上升并且在T20、T40和T60時刻的定時下降。在時鐘CLK上升的T10時刻，搜索信號SCM在有效狀態(tài)(“1”)。因而，D型觸發(fā)器42的輸出信號SE_C10在T10時刻與時鐘CLK下一次上升的T30時刻之間成為H電平。然后，在時鐘CLK下降的T20時刻，D型觸發(fā)器42的輸出信號SE_C10在H電平。因而，D型觸發(fā)器43的輸出信號SE_C20在T20時刻與時鐘CLK下一次下降的T40時刻之間成為H電平。然后，在時鐘CLK再次上升的T30時刻，D型觸發(fā)器43的輸出信號SE_C20在H電平。因而，D型觸發(fā)器44的輸出信號SE_C30在T30時刻與時鐘CLK下一次上升的T50時刻之間成為H電平。由于D型觸發(fā)器43的輸出信號SE_C20和時鐘CLK在下一時刻T30與T40之間全都是H電平，對應(yīng)于“與”門電路45的輸出的觸發(fā)信號SE_ACT0進(jìn)入到H電平。亦即，用于對每條匹配線ML進(jìn)行預(yù)充電的觸發(fā)信號SE_ACT0在對應(yīng)于時鐘CLK的前半個周期的半周期(T30到T40)中進(jìn)入有效狀態(tài)(“1”)。由于在下一時刻T40與T50之間觸發(fā)器44的輸出信號SE_C30在H電平而時鐘CLK在L電平，對應(yīng)于“與”門電路46的輸出的觸發(fā)信號SE_ACT1成為H電平。亦即，用于激活搜索線SL和SL_N的觸發(fā)信號SE_ACT1在對應(yīng)于時鐘CLK的后半個周期的半周期(T40到T50)中進(jìn)入有效狀態(tài)(“1”)。(2.副搜索控制電路50的配置)圖9為示出圖6中所示的副搜索控制電路50的部分配置的框圖。圖9示出副搜索控制電路50與搜索線使能信號SLE和匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N相關(guān)的配置。如圖9中所示，副搜索控制電路50包括緩沖電路51和52、反相器53以及與非電路54。緩沖電路51調(diào)整用于激活搜索線SL和SL_N的觸發(fā)信號SE_ACT1并且將其輸出作為搜索線使能信號SLE_SND。與非電路54對通過由反相器53反轉(zhuǎn)接收到的搜索線使能信號SLE_RCV而獲得的信號與用于對每條匹配線ML進(jìn)行預(yù)充電的觸發(fā)信號SE_ACT0執(zhí)行與非運算。緩沖電路52調(diào)整由與非電路54所進(jìn)行的運算的結(jié)果并且將其輸出作為匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N。根據(jù)上面的配置，即使斷言了觸發(fā)信號SE_ACT0，在搜索線使能信號SLE_RCV處于有效狀態(tài)(“1”)的同時，匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N并未進(jìn)入有效狀態(tài)(“0”)。搜索線使能信號SLE_RCV進(jìn)入無效狀態(tài)(“0”)，從而使匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N能夠被斷言。圖10為用于解釋說明圖9中所示的相應(yīng)信號的時序圖。圖10以時鐘CLK、觸發(fā)信號SE_ACT0和SE_ACT1、在發(fā)送處的搜索線使能信號SLE_SND、到達(dá)搜索線驅(qū)動器DR[79]的搜索線使能信號SLE_SL[79]、在由搜索控制電路40接收處的搜索線使能信號SLE_RCV，以及匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N的順序從上面開始示出它們的相應(yīng)波形。時鐘CLK被假設(shè)為在T10和T30時刻的定時上升并且在T20和T40時刻的定時下降。如圖10中所示，用于對每條匹配線ML進(jìn)行預(yù)充電的觸發(fā)信號SE_ACT0在T20時刻改變?yōu)長電平。匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N對其做出響應(yīng)而在T21時刻改變?yōu)镠電平，從而導(dǎo)致了匹配線ML的預(yù)充電的完成。此外，用于激活搜索線SL和SL_N的觸發(fā)信號SE_ACT1在T20時刻改變?yōu)镠電平。搜索線使能信號SLE_SND對其做出響應(yīng)，改變?yōu)镠電平(其被斷言)。在搜索線驅(qū)動器DR[79]接收到的搜索線使能信號SLE_SL[79]在從搜索線使能信號SLE_SND被斷言起延遲了接線延遲的T23時刻被斷言。此外，在搜索控制電路40接收到的搜索線使能信號SLE_RCV在延遲了接線延遲的情況下被斷言。因而，時間余量TD1可以被提供在匹配線ML的預(yù)充電完成的時刻T21與搜索線SL[79]和SL_N[79]被首次激活的時刻T23之間。然后，在T30時刻，用于對匹配線ML進(jìn)行預(yù)充電的觸發(fā)信號SE_ACT0改變?yōu)镠電平，以使匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N進(jìn)入可斷言狀態(tài)。然而，由于在搜索控制電路40接收到的搜索線使能信號SLE_RCV在此時處于H電平，匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N未被斷言。匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N在接收于搜索控制電路40的搜索線使能信號SLE_RCV進(jìn)入L電平之后被斷言(T36時刻)。如圖2中所示，搜索線使能信號SLE在其通過每個搜索線驅(qū)動器DR與控制信號線36間的連接節(jié)點之后到達(dá)搜索控制電路40。因而，所有搜索線對SL和SL_N的激活解除在搜索線使能信號SLE_RCV被去斷言的T35時刻過去之前完成。其結(jié)果是，時間余量TD2可以被提供在完成所有搜索線對SL和SL_N的激活解除的T35時刻與匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N被斷言的T36時刻之間。如上所述，內(nèi)容可尋址存儲器100能夠在不使用其中串接有多個反相器的延遲電路的情況下控制匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N和搜索線使能信號SLE的定時。圖11為示例說明圖6中所示的副搜索控制電路50的部分配置的框圖。圖11示例說明了副搜索控制電路50與匹配放大器控制信號MLI、MAE、MAE_N和MALAT的生成有關(guān)的配置。如圖11中所示，副搜索控制電路50包括延遲級55至59、反相器60和61、“與”門電路62至64以及緩沖電路65至68。“與”門電路62對通過由反相器60反轉(zhuǎn)搜索線使能信號SLE_RCV而獲得的信號與通過由延遲級55、58和59延遲搜索線使能信號SLE_RCV而獲得的信號執(zhí)行“與”運算?！芭c”門電路62的運算結(jié)果由緩沖電路65進(jìn)行調(diào)整，并接著被輸出作為匹配放大器控制信號MLI?！芭c”門電路63對通過由反相器60反轉(zhuǎn)搜索線使能信號SLE_RCV并于隨后由延遲級56將其延遲而獲得的信號與通過由延遲級55和58延遲搜索線使能信號SLE_RCV而獲得的信號執(zhí)行“與”運算。“與”門電路63的運算結(jié)果由緩沖電路66進(jìn)行調(diào)整，并接著被輸出作為匹配放大器控制信號MAE。“與”門電路63的運算結(jié)果進(jìn)一步由反相器61所反轉(zhuǎn)以及由緩沖電路67調(diào)整，并接著被輸出作為匹配放大器控制信號MAE_N?！芭c”門電路64對通過由反相器60反轉(zhuǎn)搜索線使能信號SLE_RCV并由延遲級56和57將其延遲而獲得的信號與通過由延遲級55延遲搜索線使能信號SLE_RCV而獲得的信號執(zhí)行“與”運算?！芭c”門電路64的運算結(jié)果由緩沖電路68進(jìn)行調(diào)整，并接著被輸出作為匹配放大器控制信號MALAT。圖12為示出圖11中所示的延遲級55的配置的一個范例的框圖。參考圖12，延遲級55包括串接的CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)反相器91至96。第一和最后級的CMOS反相器91和96相應(yīng)地包括PMOS晶體管QP21和NMOS晶體管QN21串聯(lián)連接在電源節(jié)點VDD與地節(jié)點GND之間。發(fā)送自前一級的信號被輸入至晶體管QP21和QN21的柵極。通過反轉(zhuǎn)輸入信號而獲得的信號被從晶體管QP21和QN21的連接節(jié)點輸出。級間CMOS反相器92至95相應(yīng)地包括PMOS晶體管QP22和QP23以及NMOS晶體管QN22和QN23串聯(lián)連接在電源節(jié)點VDD與地節(jié)點GND之間。發(fā)送自前一級的信號被輸入至晶體管QP22、QP23、QN22和QN23的柵極，而通過反轉(zhuǎn)輸入信號而獲得的信號被從晶體管QP23和QN22的連接節(jié)點輸出。延遲時間可以通過增加或減少級間CMOS反相器92至95的級數(shù)而進(jìn)行調(diào)節(jié)。圖11中所示的其他延遲級56至59的配置也與圖12類似。然而，由于這些延遲級56至59的延遲時間短于延遲級55的延遲時間，級間CMOS反相器的級數(shù)少于延遲級55中的級數(shù)。圖13為用于解釋說明圖11中所示的相應(yīng)信號的時序圖。圖13以時鐘CLK、觸發(fā)信號SE_ACT1、在搜索控制電路40接收到的搜索線使能信號SLE_RCV、圖11的延遲級55的輸出信號SLE_RCV_DLY，以及匹配放大器控制信號MLI、MAE和MALAT的從上開始的順序示出它們的波形。時鐘CLK被假設(shè)為在T10和T30時刻的定時上升并且在T20和T40時刻的定時下降。如圖13中所示，用于激活搜索線SL和SL_N的觸發(fā)信號SE_ACT1在T30時刻變?yōu)長電平。由于搜索線使能信號SLE對其做出響應(yīng)而變?yōu)長電平，在搜索控制電路40接收到的搜索線使能信號SLE_RCV在延遲了接線延遲的T35時刻變?yōu)長電平。匹配放大器控制信號MLI、MAE和MALAT響應(yīng)于搜索線使能信號SLE_RCV的下降沿，以此順序變?yōu)镠電平。然后，圖11中所示的延遲級55的輸出信號SLE_RCV_DLY在延遲了預(yù)定延遲時間的T37時刻變?yōu)長電平。匹配放大器控制信號MALAT、MAE和MLI響應(yīng)于延遲級55的輸出信號SLE_RCV_DLY的下降沿，以此順序變?yōu)長電平。[對比范例]圖14為示出作為圖2中所示的內(nèi)容可尋址存儲器100的對比范例的內(nèi)容可尋址存儲器900的配置的框圖。圖14中所示的內(nèi)容可尋址存儲器900與圖2中所示的內(nèi)容可尋址存儲器100的不同之處在于，其包括從搜索控制電路940在+X方向上延伸的控制信號線936，而不是圖2中所示的控制信號線36。控制信號線936按從靠近每個匹配放大器MA的一側(cè)所視的搜索線驅(qū)動器DR的布置順序連接到相應(yīng)的搜索線驅(qū)動器DR。在+X方向上傳輸?shù)乃阉骶€使能信號SLE以搜索線驅(qū)動器DR的數(shù)字順序到達(dá)相應(yīng)的搜索線驅(qū)動器DR，而不會在中途反折。圖15為示出圖14中所示的搜索控制電路940的部分配置的框圖。圖15示出搜索控制電路940與搜索線使能信號SLE和匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N的生成相關(guān)的配置。如圖15中所示，搜索控制電路940包括延遲級951和952、緩沖電路953和954以及與非電路955。搜索線使能信號SLE_SND通過在圖8的用于激活搜索線SL和SL_N的觸發(fā)信號SE_ACT1由延遲級951所延遲之后，由緩沖電路953所調(diào)整而生成。匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N通過借助于緩沖電路954，調(diào)整對圖8中的用于對匹配線ML進(jìn)行預(yù)充電的觸發(fā)信號SE_ACT0與由延遲級952所延遲的觸發(fā)信號SE_ACT0的與非運算的結(jié)果而被生成。因而，根據(jù)圖14的對比范例的內(nèi)容可尋址存儲器900需要通過延遲級951和952控制搜索線使能信號SLE的斷言的定時和匹配線預(yù)充電信號MLPRE_N的斷言的定時。由于延遲級951和952的延遲時間因每個晶體管的制造中的變動以及電源電壓和工作溫度的波動的原因而變化很大，所以需要花費時間來執(zhí)行定時調(diào)節(jié)。特別是，隨著工作頻率變快，為每條匹配線ML確保預(yù)充電周期變得困難。[控制信號線的配置范例]圖16為示出圖2中所示的控制信號線36的配置的一個范例的規(guī)劃圖。為便于圖形示例說明，有些接線在圖16中被示為陰影線。如圖16中所示，控制信號線36包括用同一金屬接線層整體形成的接線部分36A、返回部分36B和接線部分36C。接線部分36A在-X方向上的一端經(jīng)由接觸NCS(連接節(jié)點)連接到裝設(shè)在搜索控制電路40中的用于發(fā)送搜索線使能信號SLE_SND的單元的末級晶體管49A和49B。從返回部分36B所視，接線部分36C首先經(jīng)由接觸NC[79](連接節(jié)點)連接到搜索線驅(qū)動器DR[79]的輸入第一級的晶體管37A和37B。接線部分36C在隨后以搜索線驅(qū)動器DR的布置順序經(jīng)由接觸NC[78]至NC[1](連接節(jié)點)連接到相應(yīng)的搜索線驅(qū)動器DR中的輸入第一級的晶體管37A和37B。最后，接線部分36C在-X方向上的一端經(jīng)由接觸NCR(連接節(jié)點)連接到用于接收搜索線使能信號SLE_RCV的單元中的輸入第一級的晶體管48A和48B，晶體管48A和48B被裝設(shè)在搜索控制電路40中。如上所述，圖16中，從第一方向(X方向)所視，搜索控制電路40被布置在存儲器單元陣列10的一端(在-X方向側(cè)的一端)。控制信號接線36具有第一接線部分36C、第二接線部分36A以及返回接線部分36B。從第一方向(X方向)所視，第一和第二接線部分36C和36A從存儲器單元陣列10的一端(在-X方向側(cè)的一端)延伸到其另一端(在+X方向側(cè)的一端)并且在第二方向(Y方向)上被并排布置。從第一方向(X方向)所視，返回接線部分36B位于存儲器單元陣列10的另一端(在+X方向側(cè)的一端)。第一接線部分36C的全部兩端被相應(yīng)地連接到搜索控制電路40和返回接線部分36B。第二接線部分36A的全部兩端被相應(yīng)地連接到搜索控制電路40和返回接線部分36B。多個搜索線驅(qū)動器DR被連接到第一接線部分36C。[控制信號線的另一配置范例]圖17為示出圖2中所示的控制信號線36的配置的另一范例的規(guī)劃圖。一些接線在圖17中被示為陰影線，以便于圖形示例說明。如圖17中所示，控制信號線36包括接線部分36A，形成于對應(yīng)于第P層的金屬接線層中；接線部分36C，形成于對應(yīng)于位于第P層之上的第Q層的金屬接線層中；以及接觸孔38A和38B，將接線部分36A在+X方向側(cè)上的一端與接線部分36C在+X方向側(cè)上的一端相連接。接觸孔38A和38B對應(yīng)于搜索線使能信號在其上折返的返回部分36B。接線部分36A在-X方向側(cè)上的一端經(jīng)由接觸NCS(連接節(jié)點)連接到被裝設(shè)在搜索控制電路40中，用于搜索線使能信號SLE_SND的發(fā)送的單元的末級晶體管49A和49B。從接觸孔38A和38B所視，接線部分36C首先經(jīng)由接觸NC[79]連接到搜索線驅(qū)動器DR[79]中的輸入第一級的晶體管37A和37B。隨后，接線部分36C以搜索線驅(qū)動器DR的布置順序經(jīng)由接觸NC[78]至NC[1](連接節(jié)點)，連接到相應(yīng)搜索線驅(qū)動器DR中的輸入第一級的晶體管37A和37B。最后，接線部分36C在-X方向側(cè)上的一端經(jīng)由接觸NCR(連接節(jié)點)連接到被裝設(shè)在搜索控制電路40中，用于搜索線使能信號SLE_RCV的接收的單元中的輸入第一級的晶體管48A和48B。如上所述，在圖17中，第一接線部分36C和第二接線部分36A被相應(yīng)地布置在不同的接線層(Q層和P層)中，并且經(jīng)由被用作返回接線部分36B的接觸孔38A和38B而相互連接。<第二實施方式〉[內(nèi)容可尋址存儲器100A的配置]圖18為示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的內(nèi)容可尋址存儲器100A的配置的框圖。圖18中所示的內(nèi)容可尋址存儲器100A中示出了圖1中所述的內(nèi)容可尋址存儲器的配置的一些布局。內(nèi)容可尋址存儲器100A與圖2的內(nèi)容可尋址存儲器100的不同之處在于，CAM存儲器陣列10被分為第一和第二存儲器區(qū)塊10A和10B。存儲器區(qū)塊10A和10B中的每一個都包括CAM單元CC[0，0]至CC[n-1，m-1]，排布在n行和m列中(其中m＝80)。存儲器區(qū)塊10A和10B被相互對稱地布置于在Y方向上延伸的虛擬線SYM1(對稱線)的兩側(cè)。在各存儲器區(qū)塊10A和10B，距離虛擬線SYM1最遠(yuǎn)的列的列號被假設(shè)為0，而最接近虛擬線SYM1的列的列號被假設(shè)為79。存儲器區(qū)塊10A和10B中的每一個都裝設(shè)有在X方向上延伸的各自對應(yīng)于相應(yīng)行的n條匹配線ML[0]至[n-1]，以及在Y方向上延伸的各自對應(yīng)于相應(yīng)列的m個搜索線對SL[0]和SL_N[0]至SL[n-1]和SL_N[m-1](其中m＝80)。此后，對應(yīng)于存儲器區(qū)塊10A的匹配線與搜索線對被相應(yīng)地描述為匹配線MLA與搜索線對SLA和SLA_N，而對應(yīng)于存儲器區(qū)塊10B的匹配線和搜索線對被相應(yīng)地描述為匹配線MLB與搜索線對SLB和SLB_N。對應(yīng)于存儲器區(qū)塊10A裝設(shè)的匹配線MLA與搜索線對SLA和SLA_N，以及對應(yīng)于存儲器區(qū)塊10B裝設(shè)的匹配線MLB與搜索線對SLB和SLB_N相對于虛擬線SYM1相互對稱地布置。此外，如圖18中所示，內(nèi)容可尋址存儲器100A包括對應(yīng)于第一存儲器區(qū)塊10A裝設(shè)的匹配檢測單元20A、搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A和第一預(yù)充電單元PCA[0]至PCA[n-1]，以及對應(yīng)于第二存儲器區(qū)塊10B裝設(shè)的匹配檢測單元20B、搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B和第二預(yù)充電單元PCB[0]至PCB[n-1]。匹配檢測單元20A包括匹配放大器MAA[0]至MAA[n-1]，各自被裝設(shè)在相應(yīng)匹配線MLA[0]至MLA[n-1]的兩端中更遠(yuǎn)離對稱線SYM1的一側(cè)上的那端上。由于相應(yīng)的匹配放大器MAA在配置上與第一實施方式中所采用的相同，因而將不再重復(fù)對它們的描述。配置匹配檢測單元20B的匹配放大器MAB[0]至MAB[n-1]也與上述相類似。匹配檢測單元20A的匹配放大器MAA與匹配檢測單元20B的匹配放大器MAB相對于虛擬線SYM1相互對稱地布置。搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A包括搜索線驅(qū)動器DRA[0]至DRA[79]，相應(yīng)地裝設(shè)在搜索線對SLA[0]和SLA_N[0]至SLA[79]和SLA_N[79]位于-Y方向側(cè)上的一端。由于搜索線驅(qū)動器DRA在配置上與第一實施方式中所采用的相同，因而將不再重復(fù)對它們的描述。配置搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的搜索線驅(qū)動器DRB[0]至DRB[79]也與上述相類似。搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A的搜索線驅(qū)動器DRA與搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的搜索線驅(qū)動器DRB相對于虛擬線SYM1相互對稱地布置。本發(fā)明的第一存儲器單元130A包括第一存儲器區(qū)塊10A，以及對應(yīng)于第一存儲器區(qū)塊10A的匹配線MLA、搜索線對SLA和SLA_N、匹配檢測單元20A和搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A。類似地，本發(fā)明的第二存儲器單元130B包括第二存儲器區(qū)塊10B，以及對應(yīng)于第二存儲器區(qū)塊10B的匹配線MLB、搜索線對SLB和SLB_N、匹配檢測單元20B和搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B。第一與第二存儲器單元130A與130B相對于虛擬線SYM1相互對稱地布置。第一預(yù)充電單元PCA[0]至PCA[n-1]對應(yīng)于裝設(shè)在存儲器區(qū)塊10A的匹配線MLA[0]至MLA[n-1]而被相應(yīng)地裝設(shè)。第一預(yù)充電單元PCA[0]至PCA[n-1]被相應(yīng)地連接到匹配線MLA的位于靠近匹配檢測單元20A(匹配放大器MAA)的一側(cè)上的一端。類似地，第二預(yù)充電單元PCB[0]至PCB[n-1]對應(yīng)于裝設(shè)在存儲器區(qū)塊10B的匹配線MLB[0]至MLB[n-1]而被相應(yīng)地裝設(shè)。第二預(yù)充電單元PCB[0]至PCB[n-1]被相應(yīng)地連接到匹配線MLB的位于靠近匹配檢測單元20B(匹配放大器MAB)的一側(cè)上的一端。由于第一和第二預(yù)充電單元PCA和PCB在配置上與第一實施方式中所采用的預(yù)充電單元PC相同，因而將不再重復(fù)對它們的描述。此外，內(nèi)容可尋址存儲器100A包括副搜索控制電路50A，相對于虛擬線SYM1裝設(shè)在第一存儲器區(qū)塊10A的同一側(cè)；以及副搜索控制電路50B，相對于虛擬線SYM1裝設(shè)在第二存儲器區(qū)塊10B的同一側(cè)。副搜索控制電路50A與副搜索控制電路50B相對于虛擬線SYM1互相對稱地布置。在圖18中，副搜索控制電路50A和50B中的每一個與虛擬線SYM1之間的距離約等于匹配檢測單元20A和20B中的每一個與虛擬線SYM1之間的距離。副搜索控制電路50A(第二控制單元)向布置在由插入其間的虛擬線SYM1所隔開的對側(cè)上的搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的每個搜索線驅(qū)動器DRB提供搜索線使能信號SLE_0(第二控制信號)。當(dāng)接收到的搜索線使能信號SLE_0被斷言時，搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的每個搜索線驅(qū)動器DRB將搜索數(shù)據(jù)SDB和SDB_N傳輸至連接到相應(yīng)的搜索線對SLB和SLB_N的每個CAM單元CC。類似地，副搜索控制電路50B(第一控制單元)向在由插入其間的虛擬線SYM1所隔開的對側(cè)上的搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A的每個搜索線驅(qū)動器DRA提供搜索線使能信號SLE_1(第一控制信號)。當(dāng)接收到的搜索線使能信號SLE_1被斷言時，搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A的每個搜索線驅(qū)動器DRA將搜索數(shù)據(jù)SDA和SDA_N傳輸至連接到相應(yīng)的搜索線對SLA和SLA_N的每個CAM單元CC。副搜索控制電路50A(第二控制單元)此外接收來自布置在由插入其間的虛擬線SYM1所隔開的對側(cè)上的副搜索控制電路50B(第一控制單元)的搜索線使能信號SLE_1(第一控制信號)。副搜索控制電路50A使用搜索線使能信號SLE_1生成匹配放大器控制信號MLI_0、MAE_0和MALAT_0(第四控制信號)以及匹配線預(yù)充電信號MLPRE_0_N(第六控制信號)。生成的匹配放大器控制信號MLI_0、MAE_0和MALAT_0以及匹配線預(yù)充電信號MLPRE_0_N被相應(yīng)地輸出至相對于虛擬線SYM1布置在副搜索控制電路50A的同一側(cè)上的匹配檢測單元20A的相應(yīng)的匹配放大器MAA以及相應(yīng)的第一預(yù)充電單元PCA[0]至PCA[n-1]。當(dāng)接收到的匹配放大器控制信號MLI_0、MAE_0和MALAT_0被斷言時，匹配檢測單元20A的相應(yīng)的匹配放大器MAA檢測其所對應(yīng)的匹配線MLA的邏輯電平。當(dāng)接收到的匹配線預(yù)充電信號MLPRE_0_N被斷言時，第一預(yù)充電單元PCA[0]至PCA[n-1]向其所對應(yīng)的匹配線MLA施加預(yù)定電壓(電源電壓)。類似地，副搜索控制電路50B(第一控制單元)此外接收來自布置在由插入其間的虛擬線SYM1所隔開的對側(cè)上的副搜索控制電路50A(第二控制單元)的搜索線使能信號SLE_0(第二控制信號)。副搜索控制電路50B使用搜索線使能信號SLE_0生成匹配放大器控制信號MLI_1、MAE_1和MALAT_1(第三控制信號)以及匹配線預(yù)充電信號MLPRE_1_N(第五控制信號)。生成的匹配放大器控制信號MLI_1、MAE_1和MALAT_1以及匹配線預(yù)充電信號MLPRE_1_N被相應(yīng)地輸出至相對于虛擬線SYM1布置在副搜索控制電路50B的同一側(cè)上的匹配檢測單元20B的相應(yīng)的匹配放大器MAB以及第二預(yù)充電單元PCB[0]至PCB[n-1]。當(dāng)接收到的匹配放大器控制信號MLI_1、MAE_1和MALAT_1被斷言時，匹配檢測單元20B的相應(yīng)的匹配放大器MAB檢測其所對應(yīng)的匹配線MLB的邏輯電平。當(dāng)接收到的匹配線預(yù)充電信號MLPRE_1_N被斷言時，第二預(yù)充電單元PCB[0]至PCB[n-1]向其所對應(yīng)的匹配線MLB施加預(yù)定電壓(電源電壓)。如圖18中所示，裝設(shè)控制信號線120(第二控制信號線)以將搜索線使能信號SLE_0從副搜索控制電路50A傳輸至搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B和副搜索控制電路50B。此外，裝設(shè)控制信號線121(第一控制信號線)以將搜索線使能信號SLE_1從副搜索控制電路50B傳輸至搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A和副搜索控制電路50A?？刂菩盘柧€120從副搜索控制電路50A起大致在+X方向上延伸，并與虛擬線SYM1相交，并且到達(dá)布置在其相對一側(cè)上的副搜索控制電路50B?？刂菩盘柧€120以搜索線驅(qū)動器DRB(DRB[79]至DRB[0])的布置順序連接到搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的搜索線驅(qū)動器DRB。因而，輸出自副搜索控制電路50A的搜索線使能信號SLE_0以從靠近虛擬線SYM1一側(cè)開始的順序到達(dá)搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的搜索線驅(qū)動器DRB。控制信號線121從副搜索控制電路50B起大致在-X方向上延伸?？刂菩盘柧€121與虛擬線SYM1相交并且到達(dá)布置在其相對一側(cè)上的副搜索控制電路50A?？刂菩盘柧€121以搜索線驅(qū)動器DRA(DRA[79]至DRA[0])的布置順序連接到搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A的搜索線驅(qū)動器DRA。因而，輸出自副搜索控制電路50B的搜索線使能信號SLE_1以從靠近虛擬線SYM1一側(cè)開始的順序到達(dá)搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A的搜索線驅(qū)動器DRA?？刂菩盘柧€120與121相對于虛擬線SYM1大致互相對稱地布置。搜索線使能信號SLE_1以副搜索控制電路50B作為起點，延伸至搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A的任意第一搜索線驅(qū)動器DRA的傳輸路徑長度，與搜索線使能信號SLE_0以副搜索控制電路50A作為起點，延伸至相對于虛擬線SYM1與第一搜索線驅(qū)動器DRA對稱布置的第二搜索線驅(qū)動器DRB的傳輸路徑長度相等。此外，搜索線使能信號SLE_0從副搜索控制電路50A延伸至副搜索控制電路50B的傳輸路徑長度，與搜索線使能信號SLE_1從副搜索控制電路50B延伸至副搜索控制電路50A的傳輸路徑長度相等。因而，當(dāng)控制信號線120與121的厚度和寬度被制成彼此相等時，信號傳輸時間也是彼此相等的。內(nèi)容可尋址存儲器100A此外包括優(yōu)先級編碼器70和主搜索控制電路41(第三控制單元)，共用地提供給第一和第二存儲器區(qū)塊10A和10B。主搜索控制電路41向副搜索控制電路50A和50B輸出觸發(fā)信號SE_ACT1和SE_ACT2(第七控制信號)。優(yōu)先級編碼器70被裝設(shè)在相對于虛擬線SYM1與第二存儲器區(qū)塊10B的同一側(cè)(+X方向側(cè))上。優(yōu)先級編碼器70接收相應(yīng)地來自于匹配檢測單元20A的匹配放大器MAA[0]至MAA[n-1]的，裝設(shè)在第一存儲器區(qū)塊10A的匹配線MLA的邏輯電平的檢測結(jié)果MAOA_N[0]至MAOA_N[n-1]。此外，優(yōu)先級編碼器70接收相應(yīng)地來自于匹配檢測單元20B的匹配放大器MAB[0]至MAB[n-1]的，裝設(shè)在第二存儲器區(qū)塊10B的匹配線MLB的邏輯電平的檢測結(jié)果MAOB_N[0]至MAOB_N[n-1]。主搜索控制電路41被裝設(shè)在相對于虛擬線SYM1與優(yōu)先級編碼器70的同一側(cè)(+X方向側(cè))，從虛擬線SYM1所視大約與優(yōu)先級編碼器70距離相等的位置。此外，如上所述，從副搜索控制電路50A和50B中的每一個到虛擬線SYM1的距離，大約等于從匹配檢測單元20A和20B中的每一個到虛擬線SYM1的距離。由于這樣的布局，觸發(fā)信號SE_ACT1和SE_ACT2中的每一個從主搜索控制電路41延伸至副搜索控制電路50A的傳輸路徑長度，變得大約與檢測結(jié)果從匹配檢測單元20A延伸至優(yōu)先級編碼器70的傳輸路徑長度相等。此外，觸發(fā)信號SE_ACT1和SE_ACT2從主搜索控制電路41延伸至副搜索控制電路50B的傳輸路徑長度，變得大約與檢測結(jié)果從匹配檢測單元20B延伸至優(yōu)先級編碼器70的傳輸路徑長度相等。因而，當(dāng)用于傳輸觸發(fā)信號SE_ACT1和SE_ACT2中的每一個的接線與用于傳輸匹配檢測單元20A和20B中的每一個的檢測結(jié)果的接線在厚度和寬度上被制成彼此相等時，傳輸全部兩種信號所需的時間也成為相等的。[內(nèi)容可尋址存儲器100A的有利功效]根據(jù)具有以上配置的內(nèi)容可尋址存儲器100A，輸出自副搜索控制電路50A的搜索線使能信號SLE_0到達(dá)搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的第一搜索線驅(qū)動器DRB[79]所需的時間可長于輸出自副搜索控制電路50A的匹配線預(yù)充電信號MLPRE_0_N到達(dá)任何第一預(yù)充電單元PCA所需的時間。類似地，輸出自副搜索控制電路50B的搜索線使能信號SLE_1到達(dá)搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A的第一搜索線驅(qū)動器DRA[79]所需的時間可長于輸出自副搜索控制電路50B的匹配線預(yù)充電信號到達(dá)任何第二預(yù)充電單元PCB所需的時間。從而，甚至可以在預(yù)充電單元PCA和PCB完成匹配線MLA和MLB的預(yù)充電之后相對于第一和第二存儲器區(qū)塊10A和10B兩者，執(zhí)行搜索線SLA、SLA_N、SLB以及SLB_N的激活。此外，副搜索控制電路50A能夠使用接收自副搜索控制電路50B的相應(yīng)的搜索線使能信號SLE_1_RCV，生成匹配線預(yù)充電信號MLPRE_0_N以及匹配放大器控制信號MLI_0、MAE_0和MALAT_0。類似地，副搜索控制電路50B能夠使用接收自副搜索控制電路50A的相應(yīng)的搜索線使能信號SLE_0_RCV，生成匹配線預(yù)充電信號MLPRE_1_N以及匹配放大器控制信號MLI_1、MAE_1和MALAT_1。因而，在對應(yīng)于第一和第二存儲器區(qū)塊10A和10B的搜索線SLA、SLA_N、SLB以及SLB_N進(jìn)入無效狀態(tài)之后，匹配線預(yù)充電信號MLPRE_0_N和MLPRE_1_N，以及匹配放大器控制信號MLI_0、MAE_0、MALAT_0、MLI_1、MAE_1和MALAT_1可以被容易地斷言。此外，由于即使相對于全部第一和第二存儲器區(qū)塊10A和10B兩者，搜索線SLA、SLA_N、SLB和SLB_N仍以從遠(yuǎn)離相應(yīng)的匹配放大器MAA和MAB起的順序被激活，因而無需考慮匹配線MLA與MLB的接線延遲，以確定提供用以激活匹配放大器MAA與MAB的定時。另外，根據(jù)具有以上配置的內(nèi)容可尋址存儲器110A，可以縮短第一與第二存儲器區(qū)塊間的存取隊列。其原因?qū)⒂谝韵戮唧w解釋。當(dāng)?shù)谝淮鎯ζ髂K10A的數(shù)據(jù)搜索被首先執(zhí)行時(第一數(shù)據(jù)搜索)，置于有效狀態(tài)中的觸發(fā)信號SE_ACT1被從主搜索控制電路41傳輸至副搜索控制電路50B。作為對其的響應(yīng)，置于有效狀態(tài)中的搜索線使能信號SLE_1被從副搜索控制電路50B傳輸至搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A的相應(yīng)的搜索線驅(qū)動器DRA。作為對其的響應(yīng)，搜索數(shù)據(jù)SDA和SDA_N被從搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A的搜索線驅(qū)動器DRA傳輸至第一存儲器區(qū)塊10A的相應(yīng)的CAM單元CC。每條匹配線MLA的電壓在搜索數(shù)據(jù)SDA和SDA_N與存儲的數(shù)據(jù)互不匹配之處發(fā)生的變化由匹配檢測單元20A的每個匹配放大器MAA進(jìn)行檢測。然后，檢測結(jié)果被從匹配檢測單元20A的每個匹配放大器MAA傳輸至優(yōu)先級編碼器70。隨后，當(dāng)?shù)诙鎯ζ髂K10B的數(shù)據(jù)搜索被執(zhí)行時(第二數(shù)據(jù)搜索)，置于有效狀態(tài)中的觸發(fā)信號SE_ACT1被從主搜索控制電路41傳輸至副搜索控制電路50A。作為對其的響應(yīng)，置于有效狀態(tài)中的搜索線使能信號SLE_0被從副搜索控制電路50A傳輸至搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的相應(yīng)的搜索線驅(qū)動器DRB。作為對其的響應(yīng)，搜索數(shù)據(jù)SDB和SDB_N被從搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的搜索線驅(qū)動器DRB傳輸至第二存儲器區(qū)塊10B的相應(yīng)的CAM單元CC。每條匹配線MLB的電壓在搜索數(shù)據(jù)SDB和SDB_N與存儲的數(shù)據(jù)互不匹配之處發(fā)生的變化由匹配檢測單元20B的每個匹配放大器MAB進(jìn)行檢測。然后，檢測結(jié)果被從匹配檢測單元20B的每個匹配放大器MAB傳輸至優(yōu)先級編碼器70。當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)搜索與第二數(shù)據(jù)搜索被比較時，信號從主搜索控制電路41延伸至優(yōu)先級編碼器70的傳輸路徑長度變得彼此相同。作為其結(jié)果，由于信號的傳輸時間可以是相同的，搜索結(jié)果的輸出中的波動變得更小，并且因此內(nèi)容可尋址存儲器能夠工作在高于常規(guī)的頻率上。[副搜索控制電路50A和50B的配置]副搜索控制電路50A和50B的具體配置范例將于以下解釋。圖19為示例說明圖18中所示的副搜索控制電路50A的部分配置的框圖。圖19示出了副搜索控制電路50A與搜索線使能信號SLE_0和匹配線預(yù)充電信號MLPRE_0_N的生成有關(guān)的配置。由于圖19的副搜索控制電路50A的電路內(nèi)部配置與圖9的相同，其描述將不再重復(fù)。圖19中所示的副搜索控制電路50A使用接收自主搜索控制電路41的用于激活搜索線SLB和SLB_N的觸發(fā)信號SE_ACT1，生成搜索線使能信號SLE_0_SND。此外，副搜索控制電路50A使用用于對匹配線MLA進(jìn)行預(yù)充電的觸發(fā)信號SE_ACT0以及接收自副搜索控制電路50B的搜索線使能信號SLE_1_RCV，生成匹配線預(yù)充電信號MLPRE_0_N。圖20為示出圖18中所示的副搜索控制電路50B的部分配置的框圖。圖20示出副搜索控制電路50B與搜索線使能信號SLE_1和匹配線預(yù)充電信號MLPRE_1_N的生成有關(guān)的配置。由于圖20中所示的副搜索控制電路的電路內(nèi)部配置與圖9的相同，其描述將不再重復(fù)。圖20中所示的副搜索控制電路50B使用接收自主搜索控制電路41的用于激活搜索線SLA和SLA_N的觸發(fā)信號SE_ACT1，生成搜索線使能信號SLE_1_SND。此外，副搜索控制電路50B使用用于對匹配線MLB進(jìn)行預(yù)充電的觸發(fā)信號SE_ACT0以及接收自副搜索控制電路50A的搜索線使能信號SLE_0_RCV，生成匹配線預(yù)充電信號MLPRE_1_N。圖21為用于解釋說明圖19和圖20中所示的相應(yīng)的信號的時序圖。圖21根據(jù)從上面開始的順序，示出時鐘CLK、觸發(fā)信號SE_ACT0和SE_ACT1、在由副搜索控制電路50A發(fā)送處的搜索線使能信號SLE_0_SND、已到達(dá)搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的搜索線驅(qū)動器DRB[79]的搜索線使能信號SLE_0_SLB[79]、在由副搜索控制電路50B接收處的搜索線使能信號SLE_0_RCV，以及匹配線預(yù)充電信號MLPRE_1_N的波形。時鐘CLK被假設(shè)為在T10和T30時刻的定時上升并且在T20和T40時刻的定時下降。如圖21中所示，用于對匹配線MLB進(jìn)行預(yù)充電的觸發(fā)信號SE_ACT0在T20時刻變?yōu)長電平。作為對其的響應(yīng)，輸出自副搜索控制電路50B的匹配線預(yù)充電信號MLPRE_1_N在T21時刻變?yōu)镠電平，從而導(dǎo)致完成對與第二存儲器區(qū)塊10B相對應(yīng)的相應(yīng)的匹配線MLB的預(yù)充電。此外，在T20時刻，用于激活搜索線SLB和SLB_N的觸發(fā)信號SE_ACT1變?yōu)镠電平。作為對其的響應(yīng)，傳輸自副搜索控制電路50A的搜索線使能信號SLE_0_SND變?yōu)镠電平。在搜索線使能信號SLE_0_SND被斷言之后過了接線延遲后的T23時刻，接收自搜索數(shù)據(jù)單元30B的搜索線驅(qū)動器DRB[79]的搜索線使能信號SLE_0_SLB[79]被斷言。此外，接收自副搜索控制電路50B的搜索線使能信號SLE_0_RCV在延遲了該接線延遲之后被斷言。因而，在第二存儲器區(qū)塊10B，可以在完成對每條匹配線MLB的預(yù)充電的T21時刻與第一搜索線SLB[79]和SLB_N[79]被激活的T23時刻之間提供時間余量TD1。隨后，在T30時刻，用于對匹配線MLB進(jìn)行預(yù)充電的觸發(fā)信號SE_ACT0變?yōu)镠電平。此外，在副搜索控制電路50B接收的搜索線使能信號SLE_0_RCV進(jìn)入L電平，以使輸出自副搜索控制電路50B的匹配線預(yù)充電信號MLPRE_1_N被斷言(T36時刻)。作為其結(jié)果，在第二存儲器區(qū)塊10B，可以在完成對所有搜索線對SLB和SLB_N的去激活的T35時刻，與匹配線預(yù)充電信號MLPRE_1_N被斷言的T36時刻之間提供時間余量TD2。雖然以上描述是對于第二存儲器區(qū)塊10B做出的，第一存儲器區(qū)塊10A也與以上相類似。圖22為示出圖18中所示的副搜索控制電路50A的部分配置的框圖。圖22示出副搜索控制電路50A與匹配放大器控制信號MLI_0、MAE_0和MALAT_0的生成有關(guān)的配置。由于圖22中所示的副搜索控制電路50A在電路的內(nèi)部配置中與圖11中所示的相同，其描述將不再重復(fù)。副搜索控制電路50A使用接收自副搜索控制電路50B的搜索線使能信號SLE_1_RCV，生成匹配放大器控制信號MLI_0、MAE_0、MAE_0_N和MALAT_0。圖23為示出圖18中所示的副搜索控制電路50B的部分配置的框圖。圖23示出副搜索控制電路50B與匹配放大器控制信號MLI_1、MAE_1和MALAT_1的生成有關(guān)的配置。由于副搜索控制電路50B在電路的內(nèi)部配置中與圖11中的相同，其描述將不再重復(fù)。副搜索控制電路50B使用接收自副搜索控制電路50A的搜索線使能信號SLE_0_RCV，生成匹配放大器控制信號MLI_1、MAE_1和MALAT_1。圖24為用于解釋說明圖22的相應(yīng)的信號的時序圖。圖24根據(jù)從上面開始的順序，示出時鐘CLK、觸發(fā)信號SE_ACT1、在副搜索控制電路50A接收的搜索線使能信號SLE_1_RCV、圖22的延遲級55的輸出信號SLE_1_RCV_DLY，以及匹配放大器控制信號MLI_0、MAE_0和MALAT_0的波形。時鐘CLK被假設(shè)在T10和T30時刻的定時上升，并且在T20和T40時刻的定時下降。如圖24中所示，輸出自主搜索控制電路41的，用于激活搜索線SLA和SLA_N的觸發(fā)信號SE_ACT1，在T30時刻變?yōu)長電平。作為對其的響應(yīng)，輸出自副搜索控制電路50B的搜索線使能信號SLE_1變?yōu)長電平。因此，在副搜索控制電路50A接收的搜索線使能信號SLE_1_RCV在接線延遲過后的T35時刻變?yōu)長電平。匹配放大器控制信號MLI_0、MAE_0和MALAT_0響應(yīng)于搜索線使能信號SLE_1_RCV的下降沿，以這一順序相應(yīng)地變?yōu)镠電平。隨后，圖22中所示的延遲級55的輸出信號SLE_1_RCV_DLY在延遲了預(yù)定延遲時間的T37時刻變?yōu)長電平。匹配放大器控制信號MALAT_0、MAE_0和MLI_0響應(yīng)于延遲級55的輸出信號SLE_1_RCV_DLY的下降沿，以這一順序相應(yīng)地變?yōu)長電平。[控制信號線的配置范例]圖25為示出圖18中所示的控制信號線120和121的配置的一個范例的規(guī)劃圖。為便于圖形示例說明，一些接線在圖25中被示為陰影線。如圖25中所示，控制信號線120包括以對應(yīng)于第Q層的金屬接線層一體地形成的接線部分120A至120C。接線部分120A在-X方向側(cè)上的一端，經(jīng)由接觸NAS，連接到被裝設(shè)在副搜索控制電路50A的，用于傳輸搜索線使能信號SLE_0的單元中的末級的晶體管112A和112B。接線部分120A從接觸NAS在+X方向上延伸。接線部分120A在+X方向側(cè)上的一端被連接到在Y方向上延伸的接線部分120B的一端。接線部分120C從接線部分120B的另一端在+X方向上延伸。接線部分120C在+X方向側(cè)上的一端，經(jīng)由接觸NBR，連接到被裝設(shè)在副搜索控制電路50B的，用于接收搜索線使能信號SLE_0的單元中的輸出第一級的晶體管113A和113B?？刂菩盘柧€121包括接線部分121A和121C，形成在與位于和控制信號線120的相同一層的第Q層相對應(yīng)的金屬接線層中；以及L形接線部分121B形成在與位于第Q層之下的第P層相對應(yīng)的金屬接線層中。接線部分121A在+X方向側(cè)上的一端，經(jīng)由接觸NBS，連接到被裝設(shè)在副搜索控制電路50B的，用于傳輸搜索線使能信號SLE_1的單元中的末級的晶體管114A和114B。接線部分121A從接觸NBS在-X方向上延伸，并且經(jīng)由接觸122連接到接線部分121B的一端。接線部分121C經(jīng)由接觸123連接到接線部分121B的另一端，并且從接觸123在-X方向上延伸。接線部分121C在-X方向側(cè)上的一端，經(jīng)由接觸NAR，連接到被裝設(shè)在副搜索控制電路50A的，用于接收搜索線使能信號SLE_1的單元中的輸入第一級的晶體管111A和111B。控制信號線121的接線部分121C被裝設(shè)得比控制信號線120的接線部分120A更靠近搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A。從虛擬線SYM1側(cè)所視，接線部分121C首先經(jīng)由接觸NA[79](連接節(jié)點)，連接到搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A的搜索線驅(qū)動器DRA[79]的輸入第一級的晶體管37A和37B。隨后，接線部分121C以搜索線驅(qū)動器DRA的布置順序連接到相應(yīng)的搜索線驅(qū)動器DRA的輸入第一級的晶體管37A和37B，并且最后經(jīng)由接觸NA[0]連接到搜索線驅(qū)動器DRA[0]的輸入第一級的晶體管37A和37B?？刂菩盘柧€120的接線部分120C被裝設(shè)得比控制信號線121的接線部分121A更靠近搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B。從虛擬線SYM1側(cè)所視，接線部分120C首先經(jīng)由接觸NB[79]，連接到搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的搜索線驅(qū)動器DRB[79]中的輸入第一級的晶體管37A和37B。隨后，接線部分120C以搜索線驅(qū)動器DRB的布置順序連接到相應(yīng)的搜索線驅(qū)動器DRB的輸入第一級的晶體管37A和37B，并且最后經(jīng)由接觸NB[0]連接到搜索線驅(qū)動器DRB[0]的輸入第一級的晶體管37A和37B。圖25中所示的控制信號線120和121的上述配置被歸納如下：偶爾，第二存儲器單元130B與副搜索控制電路50B被統(tǒng)稱為第一區(qū)塊，而第一存儲器單元130A與副搜索控制電路50A被統(tǒng)稱為第二區(qū)塊。第一和第二區(qū)塊在第一方向(X方向)上被并排布置。第一區(qū)塊的搜索控制電路(副搜索控制電路50B)被布置在整個第一和第二區(qū)塊在第一方向(X方向)上的一端(+X方向側(cè)上的一端)。第二區(qū)塊的搜索控制電路(副搜索控制電路50A)被布置在整個第一和第二區(qū)塊在第一方向(X方向)上的另一端(-X方向側(cè)上的一端)。控制信號線120和121相應(yīng)地包括第一至第四接線部分。第一接線部分120(120A至120C)在第一方向(X方向)延伸，并且其兩端相應(yīng)地連接到第一區(qū)塊的搜索控制電路50B和第二區(qū)塊的搜索控制電路50A。第二接線部分121B被布置在第一和第二區(qū)塊之間。第三接線部分121A在第一方向(X方向)延伸。其兩端相應(yīng)地連接到第一區(qū)塊的搜索控制電路50B和第二接線部分121B。第四接線部分121C在第一方向延伸，并且其兩端相應(yīng)地連接到第二區(qū)塊的搜索控制電路50A和第二接線部分121B。更具體地描述，第一區(qū)塊的多個搜索線驅(qū)動器DRB被相應(yīng)地連接到第一接線部分120(120C)。第二區(qū)塊的多個搜索線驅(qū)動器DRA被相應(yīng)地連接到第四接線部分121C。第一、第三和第四接線部分120、121A和121C被布置于第一接線層(Q層)中，而第二接線層121B被布置在不同于第一接線層(Q層)的第二接線層(P層)。[控制信號線的另一配置范例]圖26為示例說明圖18中所示的控制信號線120和121的配置的另一范例的規(guī)劃圖。一些接線在圖26中被示為陰影線，以便于圖形示例說明。如圖26中所示，控制信號線120包括接線部分120A，形成在與第P層相對應(yīng)的金屬接線層中；以及接線部分120B，形成在與位于第P層上方的第Q層相對應(yīng)的金屬接線層中。除在-X方向側(cè)上的一端以外，接線部分120A在X方向上延伸。接線部分120A在-X方向側(cè)上的一端被彎曲成L型式樣，并且經(jīng)由接觸NA(連接節(jié)點)連接到被裝設(shè)在副搜索控制電路50A的，用于傳輸搜索線使能信號SLE_0的單元中的末級的晶體管112A和112B。接線部分120B在-X方向側(cè)上的一端，經(jīng)由接觸124，連接到在虛擬線SYM1附近的接線部分120A在+X方向側(cè)上的一端。接線部分120B從接觸124在+X方向上延伸。接線部分120B在+X方向側(cè)上的一端，經(jīng)由接觸NBR，連接到被裝設(shè)在副搜索控制電路50B的，用于接收搜索線使能信號SLE_0的單元中的輸入第一級的晶體管113A和113B?？刂菩盘柧€121包括接線部分121A，形成在與第P層相對應(yīng)的金屬接線層中；以及接線部分121B，形成在與位于第P層上方的第Q層相對應(yīng)的金屬接線層中。除被彎曲成L型式樣的兩端以外，接線部分121A在X方向上延伸。接線部分121A在+X方向側(cè)上的一端，經(jīng)由接觸NBS，連接到被裝設(shè)在副搜索控制電路50B的，用于傳輸搜索線使能信號SLE_1的單元中的末級的晶體管114A和114B。除在+X方向側(cè)上的被彎曲兩次呈曲柄形式的一端以外，接線部分121B在X方向上延伸。接線部分121B在+X方向側(cè)上的一端，經(jīng)由接觸125，連接到接線部分121A在-X方向側(cè)上的一端。接線部分121C在-X方向側(cè)上的一端，經(jīng)由接觸NAR，連接到被裝設(shè)在副搜索控制電路50A的，用于接收搜索線使能信號SLE_1的單元中的輸入第一級的晶體管111A和111B。從虛擬線SYM1側(cè)所視，控制信號線120的形成于第Q層中的接線部分120B，首先經(jīng)由接觸NB[79]，連接到搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的搜索線驅(qū)動器DRB[79]的輸入第一級的晶體管37A和37B。隨后，接線部分120B以搜索線驅(qū)動器DRB的布置順序，連接到搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的相應(yīng)的搜索線驅(qū)動器DRB的輸入第一級的晶體管37A和37B。接線部分120B最后經(jīng)由接觸NB[0]，連接到搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30B的搜索線驅(qū)動器DRB[0]的輸入第一級的晶體管37A和37B。從虛擬線SYM1側(cè)所視，控制信號線120的形成于第Q層中的接線部分121B，首先經(jīng)由接觸NA[79]，連接到搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A的搜索線驅(qū)動器DRA[79]的輸入第一級的晶體管37A和37B。隨后，接線部分121B以搜索線驅(qū)動器DRA的布置順序，連接到搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A的相應(yīng)的搜索線驅(qū)動器DRA的輸入第一級的晶體管37A和37B。接線部分121B最后經(jīng)由接觸NA[0]，連接到搜索數(shù)據(jù)傳輸單元30A的搜索線驅(qū)動器DRA[0]的輸入第一級的晶體管37A和37B。圖26中所示的控制信號線120和121的上述配置被歸納如下：偶爾，隨后，第二存儲器單元130B與副搜索控制電路50B被統(tǒng)稱為第一區(qū)塊，而第一存儲器單元130A與副搜索控制電路50A被統(tǒng)稱為第二區(qū)塊。第一和第二區(qū)塊在第一方向(X方向)上被并排布置。第一區(qū)塊的搜索控制電路(副搜索控制電路50B)被布置在整個第一和第二區(qū)塊在第一方向(X方向)的一端(在+X方向側(cè)的一端)。第二區(qū)塊的搜索控制電路(副搜索控制電路50A)被布置在整個第一和第二區(qū)塊在第一方向(X方向)的另一端(在-X方向側(cè)上的一端)?？刂菩盘柧€120和121相應(yīng)地包括第一至第四接線部分。第一接線部分120B和第二接線部分121A在第一方向(X方向)延伸，并且其一端(在+X方向側(cè)上的一端)相應(yīng)地連接到第一區(qū)塊的搜索控制電路50B。第三接線部分121B和第四接線部分120A在第一方向(X方向)延伸，并且其一端(在-X方向側(cè)上的一端)相應(yīng)地連接到第二區(qū)塊的搜索控制電路50A。第一和第三接線部分120B和121B中的每一個都被布置在其相應(yīng)的第一接線層(Q層)中。第二和第四接線部分121A和120A中的每一個都被布置在其相應(yīng)的不同于第一接線層(Q層)的第二接線層(P層)中。第一和第四接線層120B和120A的另一端經(jīng)由接觸124而相互連接。第二和第三接線部分121A和121B的另一端經(jīng)由接觸125而相互連接。更具體地描述，第一區(qū)塊的多個搜索線驅(qū)動器DRB被相應(yīng)地連接到第一接線部分120B。第二區(qū)塊的多個搜索線驅(qū)動器DRA被相應(yīng)地連接到第三接線部分121B。本次公開的實施方式應(yīng)當(dāng)被視為示例說明性的，而在任何方面都不應(yīng)被視為限制性的。本發(fā)明的范圍不是由以上描述，而是由權(quán)利要求的范圍所定義的。本發(fā)明的范圍旨在包括權(quán)利要求與等價條款的意義和范圍中的所有變化。