電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法，包括：通過對(duì)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器單元的控制柵、字線、源極和漏極分別施加不同的工作電壓進(jìn)行擦除、編程和讀取操作；擦除操作的次數(shù)達(dá)到設(shè)定值之后將所述源極的工作電壓和漏極的工作電壓進(jìn)行互換。在本發(fā)明提供的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中，通過將源極和漏極的工作電壓進(jìn)行互換使得所述存儲(chǔ)器單元中的兩個(gè)存儲(chǔ)單元交替工作，從而延長(zhǎng)所述電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的使用壽命。
【專利說明】電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了各種類型的存儲(chǔ)器，如隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)、可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPR0M)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)和閃存(Flash)等。其中，電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器是一種斷電后數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器，可在電腦或者專用設(shè)備上擦除已有信息，重新編程，即插即用。
[0003]請(qǐng)參考圖1，其為現(xiàn)有技術(shù)的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器單元的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器單元10包括半導(dǎo)體襯底11、字線WL、源極S和漏極D，所述字線WL、源極S和漏極D均位于所述半導(dǎo)體襯底11的上面，所述字線WL位于所述源極S和漏極D之間，所述字線WL與所述源極S和漏極D之間分別形成一存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括一控制柵CG和一浮柵FG，所述浮柵FG用于保留電荷，所述控制柵CG位于所述浮柵FG的上方，所述浮柵FG和字線WL通過柵氧化層(圖中未示出)均與所述半導(dǎo)體襯底11隔離，所述字線WL的兩側(cè)均設(shè)置有隧穿氧化層(圖中未示出)用以與所述浮柵FG隔離。通過對(duì)所述控制柵CG、字線WL、源極S和漏極D施加不同的工作電壓，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器單元10的讀取、編程和擦除操作。
[0004]請(qǐng)參考圖2，其為現(xiàn)有技術(shù)的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的部分結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器100包括由多個(gè)存儲(chǔ)器單元10組成的存儲(chǔ)器陣列及與所述存儲(chǔ)器陣列連接的外圍電路(圖中未示出)，所述存儲(chǔ)器單元10包括兩個(gè)存儲(chǔ)單元(圖1中的方塊表示存儲(chǔ)單元)、字線WL、源極S、漏極D，所述存儲(chǔ)單元具有控制柵CG，所述存儲(chǔ)器陣列上的每個(gè)存儲(chǔ)器單元10與其它存儲(chǔ)器單元10在行和列上共享電學(xué)連接，同一行的存儲(chǔ)器單元10的控制柵CG相互連接，同一行的存儲(chǔ)器單元10的字線WL相互連接，同一列存儲(chǔ)器單元10上的源極S和漏極D共用一條位線。
[0005]請(qǐng)繼續(xù)參考圖2，并結(jié)合參考圖3，所述電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器進(jìn)行讀取操作時(shí)，選中的存儲(chǔ)器單元10的控制柵CG、字線WL、源極S和漏極D上施加的電壓分別為0V、3V、0V和IV，未選中的存儲(chǔ)器單元10的控制柵CG上所施加的電壓為0V。進(jìn)行擦除時(shí)，選中的存儲(chǔ)器單元10的控制柵CG、字線WL、源極S和漏極D上施加的電壓分別為_7V、8.5V、0V和0V，未選中的存儲(chǔ)器單元10的控制柵CG上所施加的電壓為-7V或者0V。進(jìn)行編程時(shí)，選中的存儲(chǔ)器單元10的控制柵CG、字線WL、源極S和漏極D上施加的電壓分別為8V、1.5V、
5.5V和Vdp，Vdp為固定電流的編程電壓，未選中的存儲(chǔ)器單元10的控制柵CG上所施加的電壓為8V或者0V。
[0006]然而，所述存儲(chǔ)器單元10的隧穿氧化層不可避免地存在著缺陷，而且由于所述電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器在進(jìn)行擦除、編程和讀取操作時(shí)一直使用所述存儲(chǔ)器單元10中的一個(gè)存儲(chǔ)單元，另一個(gè)存儲(chǔ)單元不工作，隨著工作次數(shù)的增加，越來越多的電子會(huì)被束縛在位于處于工作狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的隧穿氧化層中，使得擦除操作的時(shí)間越來越困難，進(jìn)而影響所述電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器100的使用。
[0007]因此，如何解決現(xiàn)有的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的耐久性差的問題成為當(dāng)前亟需解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法，以解決現(xiàn)有的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的耐久性差的問題。
[0009]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法，所述電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法包括:通過對(duì)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器單元的控制柵、字線、源極和漏極分別施加不同的工作電壓進(jìn)行擦除、編程和讀取操作；
[0010]每當(dāng)擦除操作的次數(shù)達(dá)到設(shè)定值就將所述源極的工作電壓和漏極的工作電壓進(jìn)行互換。
[0011 ] 可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法中，所述設(shè)定值為定量。
[0012]可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法中，進(jìn)行擦除操作時(shí)所述存儲(chǔ)器單元的控制柵、字線、源極和漏極分別施加第一電壓、第二電壓、第三電壓和第四電壓；
[0013]所述第一電壓的 電壓范圍在-7.5V到-6.5V之間，所述第二電壓的電壓范圍在8V到9V之間，所述第三電壓和第四電壓的電壓范圍均在-0.5V到0.5V之間。
[0014]可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法中，所述第一電壓、第二電壓、第三電壓和第四電壓分別是_7V、8.5V、0V和0V。
[0015]可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法中，進(jìn)行讀取操作時(shí)所述存儲(chǔ)器單元的控制柵、字線、源極和漏極分別施加第五電壓、第六電壓、第七電壓和第八電壓；
[0016]所述第五電壓的電壓范圍在-0.5V到0.5V之間,所述第六電壓的電壓范圍在2.5V到3.5V之間，所述第七電壓的電壓范圍在-0.5V到0.5V之間，所述第八電壓的電壓范圍在
0.5V到1.5V之間。
[0017]可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法中，所述第五電壓、第六電壓、第七電壓和第八電壓分別是0V、3V、0V和IV。
[0018]可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法中，進(jìn)行編程操作時(shí)所述存儲(chǔ)器單元的控制柵、字線、源極和漏極分別施加第九電壓、第十電壓、第十一電壓和第十二電壓；
[0019]所述第九電壓的電壓范圍在7.5V到8.5V之間，所述第十電壓的電壓范圍在IV到2V之間，所述第十一電壓的電壓范圍在5V到6V之間，所述第十二電壓的電壓為Vdp ；
[0020]其中，所述Vdp為固定電流的編程電壓，所述Vdp的電壓范圍在0.2V到0.6V之間。
[0021]可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法中，所述第九電壓、第十電壓、第十一電壓和第十二電壓分別是8V、1.5V、5.5V和Vdp。
[0022]可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法中，所述電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器包括由多個(gè)存儲(chǔ)器單元組成的存儲(chǔ)器陣列，所述存儲(chǔ)器單元包括半導(dǎo)體襯底、字線、源極和漏極，所述字線、源極和漏極均位于所述半導(dǎo)體襯底的上面，所述字線位于所述源極和漏極之間，所述字線與所述源極和漏極之間分別形成一存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括一控制柵和一浮柵，所述控制柵位于所述浮柵的上方，所述浮柵和字線通過柵氧化層均與所述半導(dǎo)體襯底隔離，所述字線的兩側(cè)均設(shè)置有隧穿氧化層用以與所述浮柵隔離；
[0023]所述存儲(chǔ)器陣列上的每個(gè)存儲(chǔ)器單元與其它存儲(chǔ)器單元在行和列上共享電學(xué)連接，同一行的存儲(chǔ)器單元的控制柵相互連接，同一行的存儲(chǔ)器單元的字線相互連接，同一列存儲(chǔ)器單元上的源極和漏極共用一條位線。
[0024]在本發(fā)明提供的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中，通過將源極和漏極的工作電壓進(jìn)行互換使得所述存儲(chǔ)器單元中的兩個(gè)存儲(chǔ)單元交替工作，從而延長(zhǎng)所述電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的使用壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2是現(xiàn)有技術(shù)的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3是現(xiàn)有技術(shù)的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器讀取操作、編程操作和擦除操作的示例電壓；
[0028]圖4是現(xiàn)有技術(shù)的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器在源極和漏極的工作電壓互換之后的部分結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0030]請(qǐng)參考圖2和圖4，其為現(xiàn)有技術(shù)的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器及其存儲(chǔ)器單元的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2和圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法包括:通過對(duì)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器100的存儲(chǔ)器單元10的控制柵CG、字線WL、源極S和漏極D分別施加不同的工作電壓進(jìn)行擦除、編程和讀取操作；每當(dāng)擦除操作的次數(shù)達(dá)到設(shè)定值就將所述源極S的工作電壓和漏極D的工作電壓進(jìn)行互換。
[0031]具體的，所述電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器100包括由多個(gè)存儲(chǔ)器單元10組成的存儲(chǔ)器陣列及與所述存儲(chǔ)器陣列連接的外圍電路(圖中未示出)。如圖1和圖2所示，所述存儲(chǔ)器單元10包括半導(dǎo)體襯底11、字線WL、源極S和漏極D，所述字線WL、源極S和漏極D均位于所述半導(dǎo)體襯底11的上面，所述字線WL位于所述源極S和漏極D之間，所述字線WL與所述源極S和漏極D之間分別形成一存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括一控制柵CG和一浮柵FG,所述控制柵CG位于所述浮柵FG的上方，所述浮柵FG和字線WL通過柵氧化層均與所述半導(dǎo)體襯底11隔離，所述字線WL的兩側(cè)均設(shè)置有隧穿氧化層用以與所述浮柵FG隔離，所述存儲(chǔ)器陣列上的每個(gè)存儲(chǔ)器單元10與其它存儲(chǔ)器單元10在行和列上共享電學(xué)連接，同一行的存儲(chǔ)器單元10的控制柵CG相互連接，同一行的存儲(chǔ)器單元10的字線WL相互連接，同一列存儲(chǔ)器單元10上的源極S和漏極D共用一條位線。
[0032]如圖2所示，通過對(duì)所述控制柵CG、字線WL、源極S和漏極D分別施加不同的工作電壓，實(shí)現(xiàn)所述電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器100的擦除、編程和讀取操作。如圖4所示，每次擦除操作的次數(shù)達(dá)到一設(shè)定值就將所述源極S的工作電壓和漏極D的工作電壓進(jìn)行互換。
[0033]所述設(shè)定值可以是變量。例如，所述設(shè)定值可以根據(jù)所述電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器100讀取的源漏電流而定，所述源漏電流值一旦超出預(yù)定范圍即認(rèn)為達(dá)到設(shè)定值，立即將所述源極S的工作電壓和漏極D的工作電壓進(jìn)行互換。由于所述源漏電流的變化有隨機(jī)性，因此所述源極S的工作電壓和漏極D的工作電壓進(jìn)行互換的周期是不固定的。
[0034]優(yōu)選的，所述設(shè)定值為定量N，即所述源極S的工作電壓和漏極D的工作電壓以固定的周期進(jìn)行互換。擦除操作的次數(shù)達(dá)到N次之后將所述源極S的工作電壓和漏極D的工作電壓進(jìn)行互換并重新計(jì)數(shù)，其中，N為正整數(shù)。通常的，N的取值范圍在O到2000，000之間。
[0035]所述源極S的工作電壓和漏極D的工作電壓進(jìn)行互換使得所述存儲(chǔ)器單元10中兩個(gè)的存儲(chǔ)單元能夠交替工作。一旦擦除操作的次數(shù)達(dá)到設(shè)定值之后，就更換存儲(chǔ)單元，原先處于非工作狀態(tài)的存儲(chǔ)單元進(jìn)入工作狀態(tài)，而原先處于工作狀態(tài)的存儲(chǔ)單元進(jìn)入非工作狀態(tài)。由于對(duì)所述存儲(chǔ)器單元10中的存儲(chǔ)單元工作次數(shù)進(jìn)行了控制，使得電子不易被束縛在隧穿氧化層中。因此，電子基本上不會(huì)在隧穿氧化層累積超過其限定的范圍而影響所述存儲(chǔ)器單元10的使用。
[0036]進(jìn)行擦除操作時(shí)，所述存儲(chǔ)器單元10的控制柵CG、字線WL、源極S和漏極D分別施加第一電壓、第二電壓、第三電壓和第四電壓。所述第一電壓的電壓范圍在-7.5V到-6.5V之間，所述第二電壓的電壓范圍在8V到9V之間，所述第三電壓和第四電壓的電壓范圍均在-0.5V到0.5V之間。
[0037]優(yōu)選的，所述第一電壓、第二電壓、第三電壓和第四電壓分別是_7V、8.5V、0V和OVo
[0038]進(jìn)行讀取操作時(shí)，所述存儲(chǔ)器單元10的控制柵CG、字線WL、源極S和漏極D分別施加第五電壓、第六電壓、第七電壓和第八電壓。所述第五電壓的電壓范圍在-0.5V到0.5V之間，所述第六電壓的電壓范圍在2.5V到3.5V之間，所述第七電壓的電壓范圍在-0.5V到
0.5V之間，所述第八電壓的電壓范圍在0.5V到1.5V之間。擦除操作達(dá)到N次之后擦除操作重新開始計(jì)數(shù)并將所述源極S和漏極D的工作電壓進(jìn)行互換，即源極S上施加第八電壓，所述漏極D上施加第七電壓。擦除操作重新計(jì)數(shù)之后再次達(dá)到N次，則再次重新計(jì)數(shù)并將所述源極S和漏極D的工作電壓進(jìn)行互換，即源極S上恢復(fù)為第七電壓，所述漏極D上恢復(fù)為第八電壓。以此類推，每隔N次擦除操作所述源極S的工作電壓和漏極D的工作電壓就進(jìn)行互換。
[0039]優(yōu)選的，所述第五電壓、第六電壓、第七電壓和第八電壓分別是0V、3V、0V和IV。
[0040]進(jìn)行編程操作時(shí)，所述存儲(chǔ)器單元10的控制柵CG、字線WL、源極S和漏極D分別施加第九電壓、第十電壓、第十一電壓和第十二電壓。所述第九電壓的電壓范圍在7.5V到
8.5V之間，所述第十電壓的電壓范圍在IV到2V之間，所述第十一電壓的電壓范圍在5V到6V之間,所述第十二電壓的電壓為Vdp ;其中，所述Vdp為固定電流的編程電壓,所述Vdp的電壓范圍在0.2V到0.6V之間。如圖1所示，電子在進(jìn)行編程操作時(shí)進(jìn)入漏極D與字線WL之間的浮柵FG中，所述浮柵FG保留電子從而實(shí)現(xiàn)編程操作。擦除操作達(dá)到N次之后擦除操作重新開始計(jì)數(shù)并將所述源極S和漏極D的工作電壓進(jìn)行互換，即源極S上施加第十二電壓，所述漏極D上施加第十一電壓。擦除操作重新計(jì)數(shù)之后再次達(dá)到N次，則再次重新計(jì)數(shù)并將所述源極S和漏極D的工作電壓進(jìn)行互換，即源極S上恢復(fù)為第十一電壓，所述漏極D上恢復(fù)為第十二電壓。以此類推，每隔N次擦除操作所述源極S的工作電壓和漏極D的工作電壓就進(jìn)行互換。
[0041]優(yōu)選的，所述第九電壓、第十電壓、第十一電壓和第十二電壓分別是8V、1.5V、5.5V和 Vdp。
[0042]綜上，在本發(fā)明實(shí)施例提供的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法中，通過將源極和漏極的工作電壓進(jìn)行互換使得所述存儲(chǔ)器單元中的兩個(gè)存儲(chǔ)單元交替工作，由于所述存儲(chǔ)單元的工作次數(shù)得到了控制，因此電子不易被束縛在隧穿氧化層中，由此所述電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的耐久性得以提高。
[0043]上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法，其特征在于，包括:通過對(duì)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器單元的控制柵、字線、源極和漏極分別施加不同的工作電壓進(jìn)行擦除、編程和讀取操作； 每當(dāng)擦除操作的次數(shù)達(dá)到設(shè)定值就將所述源極的工作電壓和漏極的工作電壓進(jìn)行互換。
2.如權(quán)利要求1所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法，其特征在于，所述設(shè)定值為定量。
3.如權(quán)利要求1所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法，其特征在于，進(jìn)行擦除操作時(shí)所述存儲(chǔ)器單元的控制柵、字線、源極和漏極分別施加第一電壓、第二電壓、第三電壓和第四電壓； 所述第一電壓的電壓范圍在-7.5V到-6.5V之間，所述第二電壓的電壓范圍在8V到9V之間，所述第三電壓和第四電壓的電壓范圍均在-0.5V到0.5V之間。
4.如權(quán)利要求3所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法，其特征在于，所述第一電壓、第二電壓、第三電壓和第四電壓分別是_7V、8.5V、0V和0V。
5.如權(quán)利要求1所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法，其特征在于，進(jìn)行讀取操作時(shí)所述存儲(chǔ)器單元的控制柵、字線、源極和漏極分別施加第五電壓、第六電壓、第七電壓和第八電壓； 所述第五電壓的電壓范圍在-0.5V到0.5V之間，所述第六電壓的電壓范圍在2.5V到`3.5V之間，所述第七電壓的電壓范圍在-0.5V到0.5V之間，所述第八電壓的電壓范圍在0.5V到1.5V之間。
6.如權(quán)利要求5所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法，其特征在于，所述第五電壓、第六電壓、第七電壓和第八電壓分別是0V、3V、0V和IV。
7.如權(quán)利要求1所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法，其特征在于，進(jìn)行編程操作時(shí)所述存儲(chǔ)器單元的控制柵、字線、源極和漏極分別施加第九電壓、第十電壓、第i 電壓和第十二電壓； 所述第九電壓的電壓范圍在7.5V到8.5V之間，所述第十電壓的電壓范圍在IV到2V之間，所述第十一電壓的電壓范圍在5V到6V之間，所述第十二電壓的電壓為Vdp ； 其中，所述Vdp為固定電流的編程電壓，所述Vdp的電壓范圍在0.2V到0.6V之間。
8.如權(quán)利要求7所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法，其特征在于，所述第九電壓、第十電壓、第十一電壓和第十二電壓分別是8V、1.5V、5.5V和Vdp。
9.如權(quán)利要求1所述的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的控制方法，其特征在于，所述電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器包括由多個(gè)存儲(chǔ)器單元組成的存儲(chǔ)器陣列，所述存儲(chǔ)器單元包括半導(dǎo)體襯底、字線、源極和漏極，所述字線、源極和漏極均位于所述半導(dǎo)體襯底的上面，所述字線位于所述源極和漏極之間，所述字線與所述源極和漏極之間分別形成一存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括一控制柵和一浮柵，所述控制柵位于所述浮柵的上方，所述浮柵和字線通過柵氧化層均與所述半導(dǎo)體襯底隔離，所述字線的兩側(cè)均設(shè)置有隧穿氧化層用以與所述浮柵隔離； 所述存儲(chǔ)器陣列上的每個(gè)存儲(chǔ)器單元與其它存儲(chǔ)器單元在行和列上共享電學(xué)連接，同一行的存儲(chǔ)器單元的控制柵相互連接，同一行的存儲(chǔ)器單元的字線相互連接，同一列存儲(chǔ)器單元上的源極和漏極 共用一條位線。
【文檔編號(hào)】G11C16/06GK103886908SQ201410097822
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2014年3月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月17日
【發(fā)明者】顧靖 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司