電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制造方法
【專利摘要】本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括導(dǎo)電層和導(dǎo)電層上方的電阻可配置結(jié)構(gòu)。電阻可配置結(jié)構(gòu)包括第一電極、第一電極上方的電阻可配置層以及電阻可配置層上方的第二電極。第一電極具有第一側(cè)壁、第二側(cè)壁以及導(dǎo)電層上的底面。第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之間的接合處包括電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)。本公開(kāi)還提供一種用于制造以上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：圖案化導(dǎo)電層上的硬掩模；在硬掩模周圍形成間隔件；去除硬掩模的至少一部分；在間隔件上形成共形電阻可配置層；以及在共形電阻可配置層上形成第二導(dǎo)電層。本公開(kāi)還提供了一種制造電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)的方法。
【專利說(shuō)明】電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開(kāi)涉及電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器陣列包括相互電連接的多個(gè)單位存儲(chǔ)器單元。在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ) 器（DRAM)中，例如，單位存儲(chǔ)器單元可以包括一個(gè)開(kāi)關(guān)和一個(gè)電容器。DRAM具有高集成度 和高操作速度。然而，當(dāng)不給DRAM提供電源時(shí)，存儲(chǔ)在DRAM中的數(shù)據(jù)被擦除。非易失性存 儲(chǔ)器的一個(gè)實(shí)例是閃存，其中，當(dāng)不提供電源時(shí)，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不被擦除。雖然閃存具有非 易失性特性，但是與DRAM相比，閃存具有低集成度和低操作速度。
[0003] 電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM)是一種非易失性存儲(chǔ)器器件。RRAM是基于過(guò)渡金 屬氧化物的電阻根據(jù)施加至其的電壓而改變的特性的電阻型存儲(chǔ)器，并且電阻而不是DRAM 中使用的電子電荷用于存儲(chǔ)RRAM單元中的數(shù)據(jù)位。RRAM由金屬-絕緣體-金屬（MIM)結(jié) 構(gòu)構(gòu)成，其中，絕緣材料顯示電阻切換行為。
[0004] 在電成型步驟之后，在這樣的絕緣材料中形成導(dǎo)電路徑或所謂的導(dǎo)電細(xì)絲（CF)。 在產(chǎn)生CF之后，當(dāng)使電流通過(guò)類似電容器的結(jié)構(gòu)時(shí)，低電阻狀態(tài)（LRS)被識(shí)別，指示數(shù)字信 號(hào)"0"或"1"。然后，通過(guò)接收足夠高的電壓以破壞絕緣材料中的CF,RRAM可以被RESET， 其中，高電阻狀態(tài)（HRS)被識(shí)別，指示數(shù)字信號(hào)"1"或"0"。RRAM的兩個(gè)狀態(tài)（LRS、HRS)基 于施加至RRAM的電壓是可逆的。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：導(dǎo)電層和電阻可配置結(jié) 構(gòu)。電阻可配置結(jié)構(gòu)位于導(dǎo)電層上方，電阻可配置結(jié)構(gòu)包括：第一電極，包括第一側(cè)壁、第二 側(cè)壁以及導(dǎo)電層上的底面，其中，第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之間的接合處包括電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)；電 阻可配置層，位于第一電極上方；以及第二電極，位于電阻可配置層上方。
[0006] 優(yōu)選地，電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)包括約或小于90度的角。
[0007] 優(yōu)選地，電阻可配置結(jié)構(gòu)還包括：介電層，位于導(dǎo)電層上，并且介電層與第一側(cè)壁 的至少一部分接觸。
[0008] 優(yōu)選地，介電層的高度與第一側(cè)壁的高度的比值在約0. 2至約I. 0的范圍內(nèi)。
[0009] 優(yōu)選地，第二電極包括與電阻可配置層接觸的氧剝奪層，氧剝奪層被配置為從電 阻可配置層剝奪氧。
[0010] 優(yōu)選地，第一電極的底面包括約或小于20nm的寬度。
[0011] 優(yōu)選地，電阻可配置層包括約或小于150埃的厚度。
[0012] 優(yōu)選地，第一電極和第二電極中的每個(gè)都包括選自主要由Pt、AlCu、TiN、Au、Ti、 Ta、TaN、W、WN和Cu構(gòu)成的組的至少一種。
[0013] 優(yōu)選地，電阻可配置層包括選自主要由高k介電材料、二元金屬氧化物、過(guò)渡金屬 氧化物以及鑭系金屬氧化物構(gòu)成的組中的至少一種。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM)，包括：第一 介電層，包括頂面；金屬-絕緣體-金屬（MM)結(jié)構(gòu)，定位于第一介電層上。MIM結(jié)構(gòu)包括： 第一電極，位于第一介電層的頂面上，第一電極包括電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)，電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)具有垂直 于介電層的頂面的第一側(cè)壁和包括弧的第二側(cè)壁；電阻可配置層，位于電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)上方； 以及第二電極，位于電阻可配置層上方。
[0015] 優(yōu)選地，弧的一端連接至第一側(cè)壁。
[0016] 優(yōu)選地，電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)是間隔件。
[0017] 優(yōu)選地，該RRAM還包括：第二介電層，位于第一電極上，第二介電層與第一側(cè)壁的 至少一部分接觸。
[0018] 優(yōu)選地，第二電極包括與電阻可配置層接觸的氧剝奪層，氧剝奪層被配置為從電 阻可配置層中剝奪氧。
[0019] 優(yōu)選地，電阻可配置層與電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的輪廓共形。
[0020] 優(yōu)選地，氧剝奪層與電阻可配置層的輪廓共形。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種制造電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM)的方法， 包括：圖案化第一導(dǎo)電層上的硬掩模；在硬掩模周圍形成間隔件，間隔件包括與硬掩模接 觸的垂直側(cè)壁；去除硬掩模的至少一部分，以暴露間隔件的垂直側(cè)壁的至少一部分；在間 隔件上方形成共形電阻可配置層；以及在共形電阻可配置層上方形成第二導(dǎo)電層。
[0022] 優(yōu)選地，該方法還包括：通過(guò)間隔件的幾何中心分離第一導(dǎo)電層、硬掩模、電阻可 配置層以及第二導(dǎo)電層。
[0023] 優(yōu)選地，形成第二導(dǎo)電層包括化學(xué)機(jī)械拋光操作。
[0024] 優(yōu)選地，該方法還包括：在電阻可配置層上形成共形氧剝奪層。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025] 當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳理解本公開(kāi)的各方面。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)， 根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了論述的清楚起見(jiàn)，各種部件 的尺寸可以任意地增大或減小。
[0026] 圖1是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的RRAM單元中的兩個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的截面 圖；
[0027] 圖2是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的RRAM單元中的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0028] 圖3是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的RRAM單元中的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0029] 圖4是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的RRAM單元中的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0030] 圖5A是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的RRAM單元中的兩個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的頂視 圖；
[0031] 圖5B是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的RRAM單元中的兩個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的頂視 圖；
[0032] 圖6是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的制造RRAM的方法的流程圖；以及
[0033] 圖7A至圖7H是對(duì)應(yīng)于圖6中的多個(gè)操作601至605的截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0034] 在附圖中，貫穿各個(gè)視圖，相同的參考數(shù)字用于標(biāo)示相同或類似的元件，并且示出 和描述了本發(fā)明的說(shuō)明性實(shí)施例。附圖不必按比例繪制，并且在一些實(shí)例中，僅為了說(shuō)明的 目的，附圖被適當(dāng)?shù)胤糯蠛?或簡(jiǎn)化。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員基于本發(fā)明的以下說(shuō)明性實(shí)施 例將想到本發(fā)明的許多可能的應(yīng)用和變化。
[0035] 導(dǎo)電細(xì)絲（CF)的形成和斷裂歸因于與RRAM中的絕緣層中的缺陷相關(guān)，例如，氧空 位。以上活動(dòng)缺陷種類的傳導(dǎo)機(jī)制的性質(zhì)不被清楚地理解，因此在絕緣層中產(chǎn)生CF的具體 位置不可控制。在兩個(gè)導(dǎo)電電極為平坦形狀并且并行布置的一些實(shí)例中，電極之間的絕緣 層中的電場(chǎng)分布均勻，因此CF隨機(jī)地形成在均勻電場(chǎng)設(shè)置下。
[0036] 本公開(kāi)中的一些實(shí)施例提供具有電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的電極，電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)包括但不限 于凸起、尖銳彎曲或尖端。電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)被配置為增強(qiáng)特定位置處的電場(chǎng)強(qiáng)度。由于CF傾 向于形成在所述特定位置處，所以CF的位置和密度可以被預(yù)測(cè)或控制。
[0037] 因?yàn)樘幚碜兓T如絕緣層的表面或底部上的尖銳凹面或尖銳凸起結(jié)構(gòu)的尖銳部 件有效地產(chǎn)生高電場(chǎng)。與沒(méi)有這樣的尖銳部件的其他區(qū)域相比，在具有增強(qiáng)的電場(chǎng)的特定 位置處通常更容易形成CF。尖銳部件的表面形貌通常包括具有小曲率半徑的拋物線、尖銳 彎曲或尖頭。
[0038] 在操作RRAM時(shí)，期望低形成電壓用于實(shí)際應(yīng)用。形成電壓取決于絕緣層的厚度。 為了防止永久介電擊穿，通常使用高k介電材料，諸如，HfOx(具有為30的介電常數(shù)）和 ZrOx(具有為25的介電常數(shù)）。本公開(kāi)中的一些實(shí)施例在RRAM中提供MM結(jié)構(gòu)，MIM結(jié)構(gòu) 不僅通過(guò)減小絕緣層的厚度、而且通過(guò)形成電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)來(lái)有效地減小形成電壓。在一些 實(shí)施例中，電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的幾何特性包括但不限于凸起、尖銳彎曲或尖端。電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)相 對(duì)容易通過(guò)加強(qiáng)局部電場(chǎng)來(lái)產(chǎn)生尖端放電。
[0039] 定義
[0040] 在描述和要求本公開(kāi)時(shí)，將根據(jù)以下闡述的定義使用以下術(shù)語(yǔ)。
[0041] 如在此使用的，"襯底"指的是在其上形成多個(gè)層和器件結(jié)構(gòu)的塊狀襯底。在一些 實(shí)施例中，塊狀襯底包括硅或化合物半導(dǎo)體，諸如，GaAs、InP、Si/Ge或SiC。各層的實(shí)例包 括介電層、摻雜層、多晶硅層或?qū)щ妼?。器件結(jié)構(gòu)的實(shí)例包括晶體管、電阻器和/或電容器， 其可以通過(guò)互連層互連至額外的集成電路。
[0042] 如在此使用的，"沉積"指的是使用將被沉積的材料的汽相、材料的前體、電化學(xué)反 應(yīng)或?yàn)R射/反應(yīng)濺射而在襯底上沉積材料的操作。使用材料的汽相的沉積包括任何操作， 諸如但不限于化學(xué)汽相沉積（CVD)和物理汽相沉積（PVD)。汽相沉積方法的實(shí)例包括熱細(xì) 絲CVD、rf-CVD、激光CVD(LCVD)、共形金剛石涂布操作、金屬有機(jī)CVD(MOCVD)、熱蒸發(fā)PVD、 離子化金屬PVD(MPVD)、電子束PVD(EBPVD)、反應(yīng)PVD、原子層沉積（ALD)、等離子體增強(qiáng) CVD(PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPVD)、低壓CVD(LPCVD)等。使用電化學(xué)反應(yīng)沉積的實(shí) 例包括電鍍、化學(xué)鍍等。沉積的其他實(shí)例包括脈沖激光沉積（PLD)和原子層沉積（ALD)。
[0043] 如在此使用的，"金屬氧化物"指的是二元金屬氧化物、過(guò)渡金屬氧化物以及鑭系 金屬氧化物。在此描述的金屬氧化物通常為非化學(xué)計(jì)量的，從而在本公開(kāi)中使用用于氧組 分的下標(biāo)（X)。金屬氧化物包括MgOx、A10x、TiOx、CrOx、MnOx、FeOx、C〇0X、NiOx、CuOx、ZnOx、 GeOx、Y0X、ZrOx、NbOx、M〇0X、SnOx、LaOx、HfOx、HfA10x、TaOx、W0X、CeOx、GdOx、YbOx 以及LuOx。
[0044] 如在此使用的，在本公開(kāi)中闡述的"掩模層"是圖案化操作的對(duì)象。圖案化操作包 括多個(gè)步驟和操作，并且根據(jù)實(shí)施例的特征而改變。在一些實(shí)施例中，圖案化操作圖案化現(xiàn) 有薄膜或?qū)?。圖案化操作包括在現(xiàn)有薄膜或?qū)由闲纬裳谀?，并且通過(guò)蝕刻或其他去除操作 去除薄膜或?qū)拥奈凑诒尾糠?。掩模層是光刻膠或硬掩模。在一些實(shí)施例中，圖案化操作在 表面上直接形成圖案化層。圖案化操作包括在表面上形成感光薄膜，進(jìn)行光刻操作和顯影 操作。剩余感光薄膜可以去除，或者保留并且集成到封裝件中。
[0045]如在此使用的，在本公開(kāi)中闡述的"金屬-絕緣體-金屬（MIM) "結(jié)構(gòu)指的是類似 電容器的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)具有將高電阻層夾置在中間的兩個(gè)低電阻層。在一些實(shí)施例中，低電 阻層是金屬或其他非金屬（諸如，電阻低于被夾在中間的層的電阻的多晶硅）。在一些實(shí)施 例中，高電阻層是包括二元金屬氧化物的介電材料。在某些實(shí)施例中，MM結(jié)構(gòu)不限于平面 疊層。在MIM結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生至少兩個(gè)金屬與絕緣體界面。在本公開(kāi)的特定實(shí)施例中，界面的 輪廓包括直線、弧、尖銳彎曲等中的至少一個(gè)。
[0046]如在此使用的，在本公開(kāi)中闡述的"間隔件"指的是圍繞位于表面上的突出物并且 與所述突出物的側(cè)壁接觸的結(jié)構(gòu)。間隔件用于使突出物與表面上的鄰近元件隔離。在本公 開(kāi)的一些實(shí)施例中，突出物被部分地去除，在表面上留下間隔件和變薄的突出物。在本公開(kāi) 的其他實(shí)施例中，突出物被完全去除，僅在表面上留下間隔件。在本公開(kāi)中闡述的間隔件由 絕緣材料（諸如，氧化物、聚合物、陶瓷）或?qū)щ姴牧希ㄖT如，Pt、AlCu、TiN、Au、Ti、Ta、TaN、 W、WN、Cu和它們的組合）構(gòu)成。
[0047]如在此使用的，在本公開(kāi)中闡述的"電阻可配置層"指的是在經(jīng)受不同電壓時(shí)具 有可變電阻的絕緣層。絕緣層展示出在形成操作之后的高電阻狀態(tài)（HRS)和低電阻狀態(tài) (LRS)之間的切換行為。HRS和LRS之間的切換分別由RESET和SET電壓控制。在一些實(shí) 施例中，電阻可配置層由具有高k介電常數(shù)的介電材料、二元金屬氧化物、過(guò)渡金屬氧化物 或鑭系金屬氧化物構(gòu)成。在某些實(shí)施例中，電阻可配置層包括氧化鎳、氧化鈦、氧化鉿、氧化 锫、氧化鋅、氧化鶴、氧化錯(cuò)、氧化鉭、氧化鑰或氧化銅。
[0048]如在此使用的，在本公開(kāi)中闡述的"RESET"電壓指的是將足夠高以使電阻可配置 層中的導(dǎo)電細(xì)絲斷開(kāi)的電壓施加至將電阻可配置層夾置在中間的電極兩端。電阻可配置層 在施加RESET電壓時(shí)顯示出OFF或HRS。
[0049]如在此使用的，在本公開(kāi)中闡述的"SET"電壓指的是將足夠高以重新連接電阻可 配置層中的導(dǎo)電細(xì)絲的電壓施加至將電阻可配置層夾置在中間的電極兩端。電阻可配置層 在施加SET電壓時(shí)顯示出ON或LRS。
[0050]參考圖1，示出了RRAM單元中的兩個(gè)位或兩個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)100A和100B的截 面圖。在一些實(shí)施例中，兩個(gè)鄰近的位的結(jié)構(gòu)相同，并且因此以下描述針對(duì)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) 100A。導(dǎo)電層101定位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)120和介電層（111、113)的疊層上方。電阻可配置結(jié)構(gòu) 102設(shè)置在導(dǎo)電層101上。電阻可配置結(jié)構(gòu)102由金屬-絕緣體-金屬（MM)結(jié)構(gòu)構(gòu)成，其 中，電阻可配置層105的主要部分基本被夾置在第一電極103和第二電極106之間，并且電 阻可配置層105的主要部分基本被夾置在導(dǎo)電層101和第二電極106之間。
[0051] 第一電極103包括不對(duì)稱側(cè)壁。在一些實(shí)施例中，第一電極103包括第一側(cè)壁103a 和第二側(cè)壁l〇3b。第一側(cè)壁103a和第二側(cè)壁103b相遇的接合處包括尖銳彎曲、或電場(chǎng)增 強(qiáng)結(jié)構(gòu)104。電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)104具有約為或小于90度的角Θ。在一些實(shí)施例中，第一電極 103具有階梯狀部件（未示出），因此角Θ約為90度。在一些實(shí)施例中，第一電極103具 有如圖1中所示的側(cè)壁間隔件結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生的角Θ小于90度。
[0052] 在一些實(shí)施例中，電阻可配置層105是具有高k介電常數(shù)的介電材料、二元金屬氧 化物、過(guò)渡金屬氧化物以及鑭系金屬氧化物中的至少一種。在一些實(shí)施例中，電阻可配置層 105包括氧化鎳、氧化鈦、氧化鉿、氧化鋯、氧化鋅、氧化鎢、氧化鋁、氧化鉭、氧化鑰或氧化 銅。
[0053] 第一電極103的底面103c連接第一側(cè)壁103a和第二側(cè)壁103b。底面103c定位 于導(dǎo)電層101上。電阻可配置層105的部分設(shè)置在導(dǎo)電層101上。在一些實(shí)施例中，當(dāng)與 介電層111相比時(shí)，介電層113擁有較低抗蝕刻性。在某些實(shí)施例中，介電層111是包括碳 化硅、氮氧化硅和氮化硅中的至少一種的蝕刻停止層。
[0054] 在一些實(shí)施例中，介電層111和113由具有類似抗蝕刻性的材料構(gòu)成。例如，介電 層111和113是氧化硅、氟硅酸鹽玻璃（FSG)、摻碳的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、正硅酸乙 酯（TEOS)氧化物、磷硅酸鹽玻璃（PSG)、硼磷硅酸鹽玻璃（BPSG)、BlackDiamond? (加 利福尼亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料公司）、氟化非晶碳、低k介電材料或它們的組合。
[0055] 參考圖1，導(dǎo)電層101和第一電極103由相同的導(dǎo)電材料制成。在一些實(shí)施例中， 導(dǎo)電層101和第一電極103由以下至少之一制成：Pt、AlCu、TiN、Au、Ti、Ta、TaN、W、WN、Cu 和它們的組合。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層101和第一電極103由選自本段落中闡述的組中 的不同材料制成。在某些實(shí)施例中，第一電極103和第二電極106由選自本段落中闡述的 組中的相同材料構(gòu)成。在其他實(shí)施例中，第一電極103和第二電極106由選自本段落中闡 述的組中的不同材料構(gòu)成。
[0056] 在一些實(shí)施例中，圖1中示出的在電阻可配置結(jié)構(gòu)102和導(dǎo)電層101下面的導(dǎo)電 結(jié)構(gòu)120是將第一電極電連接至晶體管（未示出）的漏極的導(dǎo)電插塞。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)120包括 銅、銅合金、鋁或鎢。第二電極106進(jìn)一步連接至RRAM(未示出）的位線。當(dāng)電阻可配置層 105兩端的電勢(shì)差達(dá)到形成電壓時(shí)，在電阻可配置層105中產(chǎn)生CF。
[0057] 參考圖2,提供了RRAM中的位或者存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)200。具有與圖1中的那些元 件相同的標(biāo)號(hào)的元件先前參考圖1進(jìn)行了論述，因此為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，此處不再重復(fù)。在圖2 中，電阻可配置結(jié)構(gòu)102還包括介電層107,介電層107定位于導(dǎo)電層101上并且與第一電 極103的第一側(cè)壁103a的一部分接觸。
[0058] 介電層107的厚度Hl小于第一電極103的厚度H2,以暴露第一側(cè)壁103a和第二 側(cè)壁103b的接合處。介電層107的厚度Hl或高度與第一電極103的厚度H2或高度的比 值在約0.2至約1.0的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，厚度Hl約為厚度H2的一半。在其他實(shí) 施例中，厚度Hl小于厚度H2的三分之一。
[0059] 與圖1相比，圖2中的第二電極106還包括氧剝奪層108。氧剝奪層108定位成 與電阻可配置層105接觸。在一些實(shí)施例中，氧剝奪層108包括導(dǎo)電材料，諸如，Ti、Ta、Hf 等，因此氧剝奪層108用作第二電極106的一部分。
[0060] 在本領(lǐng)域中已知，某些金屬用作從與其接觸的含氧層中剝奪氧原子的儲(chǔ)氧囊。由 于電阻可配置層105包括二元金屬氧化物、過(guò)渡金屬氧化物和鑭系金屬氧化物，當(dāng)使電阻 可配置層105與氧剝奪層108接觸時(shí)，所述氧化物中的氧原子從電阻可配置層105處被剝 奪。因此，在電阻可配置層105中留下的氧空位用于幫助形成和SET操作。
[0061] 再次參考圖2,第一電極103的底面103c具有寬度W1。在一些實(shí)施例中，寬度Wl 介于約Inm和約500nm之間。在一些實(shí)施例中，第一電極103的高度H2和寬度Wl之間的 比率介于約0. 01到約200的范圍內(nèi)。
[0062] 在圖2中，電阻可配置層105具有厚度T1，厚度Tl足夠薄以減小形成電壓，并且 足夠厚以防止永久介電擊穿。在一些實(shí)施例中，厚度Tl為約或小于150埃。可以從圖2 看出，第一電極103和第二電極106(連同包括氧剝奪層108)之間的電勢(shì)差觸發(fā)導(dǎo)電細(xì)絲 (CF) 105a在電阻可配置層105中的形成。在一些實(shí)施例中，CF105a更可能在電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu) 104和第二電極106 (連同包括氧剝奪層108)之間的電阻可配置層105中產(chǎn)生。
[0063] 參考圖3,具有與圖1和圖2中的那些元件相同的標(biāo)號(hào)的元件先前參考圖1和圖2 進(jìn)行了論述，因此為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，在此不再重復(fù)。在圖3中，提供了RRAM中的位或存儲(chǔ)器存 儲(chǔ)結(jié)構(gòu)300。MM結(jié)構(gòu)102'定位于第一介電層111的頂面11Γ上。與圖1和圖2相比，圖 3中的MM結(jié)構(gòu)102'包括具有平坦部分103和電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)103'的第一電極。
[0064] 在圖3中，電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)103'具有垂直于第一介電層111的頂面11Γ的第一側(cè) 壁103'a、具有弧形的第二側(cè)壁103'b。第二側(cè)壁103'b的弧包括第一端113a和第二端 113b。在一些實(shí)施例中，弧的第二端113b連接至第一側(cè)壁103'a。本公開(kāi)中描述的弧不必 是完美的幾何構(gòu)造；在本公開(kāi)中，被識(shí)別為具有小于無(wú)窮大的曲率半徑的任何片段都被認(rèn) 為是弧。
[0065] 在某些實(shí)施例中，電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)103'是側(cè)壁間隔件。因?yàn)閭?cè)壁間隔件是突出物在 蝕刻操作之后的功能性剩余物，與突出物接觸的一側(cè)沿襲了突出物的側(cè)壁的幾何形狀。在 某些實(shí)施例中，第一側(cè)壁l〇3'a具有垂直于第一介電層111的頂面11Γ的垂直部件。在其 他實(shí)施例中，第一側(cè)壁103'a具有翹起或傾斜部件。
[0066]如圖3中所示，除了第一側(cè)壁103'a和第二側(cè)壁103'b之間的接合處之外，在MM結(jié)構(gòu)102'中具有突然過(guò)渡的結(jié)構(gòu)（106a、106b)是電場(chǎng)強(qiáng)度大于沒(méi)有這樣突然過(guò)渡的位置。 在這一點(diǎn)上，CF傾向于在具有較高電場(chǎng)強(qiáng)度的特定位置處產(chǎn)生，并且有效地減小形成電壓。 在某些實(shí)施例中，電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)定位于第一電極（103、103'）處、第二電極106處或兩者。 [0067] 參考圖4,具有與圖3中的那些元件相同的標(biāo)號(hào)的元件先前參考圖3進(jìn)行了論述， 因此為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，在此不再重復(fù)。在圖4中，提供了RRAM中的位或存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)400。 與圖3相比，存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)400還包括氧剝奪層108和第二介電層107。在圖4中可以看 出，電阻可配置層105符合電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)103'的形貌，并且氧剝奪層108符合電阻可配置 層105的形貌。形貌共形保留了電阻可配置層105和氧剝奪層108中電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)103' 的幾何特征。在某些實(shí)施例中，貫穿電阻可配置層105的厚度均勻。
[0068] 參考圖5A和圖5B，從頂視圖角度看，示出了RRAM中的兩對(duì)存儲(chǔ)位。在圖5A中，存 儲(chǔ)位500A包括由凹進(jìn)溝道503a電隔離的兩個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)501A和502A。在一些實(shí)施 例中，凹進(jìn)溝道503a暴露先前參考圖1至圖4論述的介電層111。在某些實(shí)施例中，介電層 111是蝕刻停止層。
[0069] 存儲(chǔ)位500A的截面圖可以指圖1中的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)100A、100B和圖2中的存 儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)200。比較圖2和圖5A，為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，存儲(chǔ)位500A示出在去除圖2中所示 的第二電極106、氧剝奪層108和電阻可配置層105之后的頂視圖。在一些實(shí)施例中，兩個(gè) 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)50IA和502A是對(duì)稱的。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)50IA和502A中的每個(gè)都包括具 有半圓形的介電層107以及圍繞介電層107的弧邊的第一電極103。介電層107和第一電 極103定位于導(dǎo)電層101上。在一些實(shí)施例中，凹進(jìn)溝道503通過(guò)存儲(chǔ)位500A的幾何中心Ilia。
[0070] 參考圖2和圖5A，圖2中的介電層（111、113)和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)120位于圖5A中的導(dǎo) 電層101下面，并且因此在圖5A中僅示出介電層111的一部分。圖2是沿著圖5A中的線 AA'的截面圖的一部分。
[0071] 在圖5B中，存儲(chǔ)位500B包括由凹進(jìn)溝道503b電隔離的兩個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)501B 和502B。在一些實(shí)施例中，凹進(jìn)溝道503a暴露先前參考圖5論述的介電層111。在某些實(shí) 施例中，介電層111是蝕刻停止層。
[0072] 存儲(chǔ)位500B的截面圖可以指圖1中的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)100A。比較圖1和圖5B， 為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，存儲(chǔ)位500B示出在去除圖1中的第二電極106和電阻可配置層105之后的 頂視圖。在一些實(shí)施例中，兩個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)501B和502B是對(duì)稱的。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) 501B和502B中的每個(gè)都包括在導(dǎo)電層101上構(gòu)成長(zhǎng)方形區(qū)域的第一電極103。在一些實(shí) 施例中，凹進(jìn)溝道503b通過(guò)存儲(chǔ)位500B的幾何中心111a。
[0073] 參考圖1和圖5B，圖1中的介電層（111、113)和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)120位于圖5B中的導(dǎo) 電層101下面，因此在圖5B中未示出。圖1中的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)100A是沿著圖5B中的線 AA'的截面圖。
[0074] 圖6是制造電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM)的方法600的流程圖。圖7A至圖7H 是對(duì)應(yīng)于圖6中所示的多個(gè)操作601至605的圖。圖7A至圖7H已被簡(jiǎn)化以更好地理解本 公開(kāi)的發(fā)明構(gòu)思。在圖7A至圖7H中，具有與圖1至圖4中的那些元件相同的標(biāo)號(hào)的元件 先前參考圖1至圖4進(jìn)行了論述，因此為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，在此不再重復(fù)。
[0075] 操作601是圖案化第一導(dǎo)電層上的硬掩模層。參考圖7A，在介電疊層（111U13) 和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)120上沉積第一導(dǎo)電層101。介電層毯狀形成在第一導(dǎo)電層101上。在一些實(shí) 施例中，介電層是包括諸如氮化物或氧化物的材料的層701。通過(guò)諸如光刻膠層的圖案承 載掩模層703來(lái)圖案化層701。在圖7A中，圖案承載掩模層703通過(guò)蝕刻操作將圖案轉(zhuǎn)印 至層701，并且產(chǎn)生圖7B中所示的硬掩模70Γ。在某些實(shí)施例中，硬掩模70Γ包括二氧化 娃。自頂往下看，在一些實(shí)施例中，硬掩模701'包括圓形、正方形、橢圓形和三角形。
[0076] 操作602是在硬掩模周圍形成間隔件。參考圖7B和圖7C，第一電極材料704沉積 在硬掩模70Γ上方和周圍。在一些實(shí)施例中，氮化鈦層用作第一電極材料704,并且毯狀沉 積在硬掩模70Γ上方。氮化鈦層覆蓋硬掩模70Γ的頂面701'a。在一些實(shí)施例中，沉積第 一電極材料704的方法包括化學(xué)鍍、濺射、電鍍、物理汽相沉積（PVD)或原子層沉積（ALD)。 在圖7C中，進(jìn)行間隔件蝕刻操作，以從硬掩模70Γ的頂面70Γa處和導(dǎo)電層101的頂面 IOla處去除第一電極材料704。第一電極材料704中保留在硬掩模70Γ的側(cè)壁70Γb處 的部分是間隔件704'。先前參考本公開(kāi)的圖2將間隔件704'描述為第一電極103。
[0077] 操作603是通過(guò)濕蝕刻、干蝕刻或混合操作去除硬掩模70Γ的至少一部分，從而 獲得變薄的硬掩模701"。如圖7D中所不，在一些實(shí)施例中，硬掩模701'是氧化娃，而第一 電極材料704是氮化鈦。采用氟化物，以去除氧化硅。在間隔件704'和硬掩模70Γ之間具 有蝕刻選擇性的任何蝕刻劑或蝕刻方法適用于操作603。在操作603之后，暴露間隔件704' 的側(cè)壁704'a的至少一部分。在一些實(shí)施例中，如圖7D中所示，部分去除硬掩模70Γ。在 其他實(shí)施例中，完全去除硬掩模70Γ，因此暴露間隔件704'的整個(gè)側(cè)壁704'a。
[0078] 操作604和605隨后在間隔件上方形成共形的電阻可配置層和第二導(dǎo)電層。參考 圖7E和圖7F，厚度小于150埃的電阻可配置層705沉積在間隔件704'和變薄硬掩模701" 上方。沉積的電阻可配置層705與下面的結(jié)構(gòu)的表面形貌共形。在一些實(shí)施例中，電阻可 配置層705的沉積操作包括化學(xué)汽相沉積（CVD)、ALD、高密度等離子體CVD(HDPCVD)或脈 沖激光沉積（PLD)。
[0079] 在圖7?中，包括？1八1(：11、11隊(duì)411、11、了&、了&隊(duì)1、1隊(duì)(：11的第二導(dǎo)電層707通過(guò) 以下方法之一沉積在電阻可配置層705上方：化學(xué)鍍、濺射、電鍍、物理汽相沉積（PVD)或 ALD。在某些實(shí)施例中，在沉積第二導(dǎo)電層707之前，在電阻可配置層705上方沉積包括諸 如Ti、Ta或Hf的導(dǎo)電材料的氧剝奪層706。如圖7E和圖7F中所示，沉積的氧剝奪層706 與下面的電阻可配置層705的表面形貌共形。在一些實(shí)施例中，執(zhí)行平坦化操作，以使第二 導(dǎo)電層707的頂面707a平坦。平坦化操作包括但不限于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP)操作。
[0080] 在一些實(shí)施例中，制造RRAM的方法600還包括：穿過(guò)間隔件704'的幾何中心將間 隔件704'分離為兩部分的操作。參考圖7G和圖7H，掩模層708定位于第二導(dǎo)電層707的 平坦化表面707b上。在一些實(shí)施例中，掩模層708用于保護(hù)下面的間隔件704'，并且使第 二導(dǎo)電層707、氧剝奪層706、電阻可配置層705、變薄的硬掩模701"以及導(dǎo)電層101的一部 分被去除。在去除之后，獲得底部為介電層111的凹進(jìn)溝道709。
[0081] 參考圖7H，凹進(jìn)溝道709通過(guò)間隔件704'的幾何中心。間隔件704'的幾何中心 先前參考圖5A和圖5B進(jìn)行了論述。在某些實(shí)施例中，施加諸如反應(yīng)離子蝕刻的各向異性 蝕刻，以去除未由掩模層708覆蓋的材料。
[0082] 本公開(kāi)的一些實(shí)施例提供一種包括導(dǎo)電層和導(dǎo)電層上方的電阻可配置結(jié)構(gòu)的半 導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。電阻可配置結(jié)構(gòu)包括第一電極、電阻可配置層以及第二電極。第一電極具有第一 側(cè)壁、第二側(cè)壁以及導(dǎo)電層上的底面。第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之間的接合處包括電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié) 構(gòu)。電阻可配置層位于第一電極和電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)上方。第二電極位于電阻可配置層上方。
[0083] 在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)包括約或小于90度的角。
[0084] 在一些實(shí)施例中，電阻可配置結(jié)構(gòu)還包括位于導(dǎo)電層上的與第一側(cè)壁的至少一部 分接觸的介電層。在某些實(shí)施例中，介電層的高度比第一側(cè)壁的高度在從約〇. 2至約I. 0 的范圍內(nèi)。
[0085] 在一些實(shí)施例中，電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的第二電極包括與電阻可配置層接觸的氧剝奪 層，并且氧剝奪層被配置成從電阻可配置層剝奪氧。在某些實(shí)施例中，氧剝奪層包括導(dǎo)電材 料，諸如，Ti、Ta、Hf、Zr等。
[0086] 在一些實(shí)施例中，第一電極的底面的寬度為約或小于20nm。在某些實(shí)施例中，第 一電極是導(dǎo)電側(cè)壁間隔件。在某些實(shí)施例中，第一電極包括選自主要由Pt、AlCu、TiN、Au、 Ti、Ta、TaN、W、WN和Cu構(gòu)成的組中的至少一種。
[0087] 在一些實(shí)施例中，電阻可配置層的厚度足夠薄，以減小形成電壓，并且足夠厚，以 防止發(fā)生永久介電擊穿。在某些實(shí)施例中，電阻可配置層的厚度為約或小于150埃。在某 些實(shí)施例中，電阻可配置層包括選自主要由高k介電材料、二元金屬氧化物、過(guò)渡金屬氧化 物以及鑭系金屬氧化物構(gòu)成的組中的至少一種。
[0088] 本公開(kāi)的一些實(shí)施例提供一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM)。RRAM包括具有頂 面的第一介電層、位于第一介電層上的金屬-絕緣體-金屬（MM)結(jié)構(gòu)。MIM結(jié)構(gòu)包括第一 電極、電阻可配置層以及第二電極。第一電極定位于第一介電層的頂面上。第一電極具有電 場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)，電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)具有垂直于介電層的頂面的第一側(cè)壁和包括弧的第二側(cè)壁。電 阻可配置層設(shè)置在電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)上方。第二電極位于電阻可配置層上方。
[0089] 在一些實(shí)施例中，弧包括第一端和第二端。第一端連接至第一電極的平坦部分，而 第二端連接至第一側(cè)壁。
[0090] 在一些實(shí)施例中，第一電極的電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)是側(cè)壁間隔件。
[0091] 在一些實(shí)施例中，MM結(jié)構(gòu)還包括位于第一電極上的與第一側(cè)壁的至少一部分接 觸的第二介電層。在某些實(shí)施例中，第二介電層不如第一介電層耐蝕刻。在某些實(shí)施例中， 第二介電層是二氧化硅。
[0092] 在一些實(shí)施例中，MIM結(jié)構(gòu)的第二電極包括與電阻可配置層接觸的氧剝奪層。氧 剝奪層被配置成從電阻可配置層剝奪氧原子。在某些實(shí)施例中，氧剝奪層包括導(dǎo)電材料，諸 如，Ti、Ta、Zr、Hf等。
[0093] 在一些實(shí)施例中，電阻可配置層符合電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的輪廓。在某些實(shí)施例中，電阻 可配置層與第一電極的表面形貌共形。
[0094] 在一些實(shí)施例中，氧剝奪層符合電阻可配置層的輪廓。在某些實(shí)施例中，氧剝奪層 與第一電極的表面形貌共形。在某些實(shí)施例中，氧剝奪層與電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的表面形貌共形。 [0095] 本公開(kāi)的一些實(shí)施例提供一種用于制造RRAM的方法。該方法包括：圖案化第一導(dǎo) 電層上的硬掩模；在硬掩模周圍形成間隔件，間隔件包括與硬掩模接觸的垂直側(cè)壁；去除 硬掩模的至少一部分，以暴露間隔件的垂直側(cè)壁的至少一部分；在間隔件上方形成共形電 阻可配置層；以及在共形電阻可配置層上方形成第二導(dǎo)電層。
[0096] 在一些實(shí)施例中，用于制造RRAM的方法還包括通過(guò)間隔件的幾何中心分離第一 導(dǎo)電層、硬掩模、電阻可配置層以及第二導(dǎo)電層的操作。
[0097] 在一些實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層的形成包括化學(xué)機(jī)械拋光（CMP)操作。CMP操作平坦 化第二導(dǎo)電層的頂面，用于施加在RRAM上的隨后操作。
[0098] 在一些實(shí)施例中，用于制造RRAM的方法還包括在電阻可配置層上形成共形氧剝 奪層。在某些實(shí)施例中，氧剝奪層符合電阻可配置層的表面形貌。在某些實(shí)施例中，氧剝奪 層符合第一電極的表面形貌。
[0099] 雖然已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)該理解，在不背離由所附權(quán)利要 求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此可以作出多種改變、替換和更改。例如，上述 多個(gè)工藝可以以不同的方法實(shí)現(xiàn)以及由其他工藝替換或它們的組合。
[0100] 而且，本申請(qǐng)的范圍不旨在限于說(shuō)明書(shū)中描述的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、工 具、方法和步驟的特定實(shí)施例。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易地從本發(fā)明的公開(kāi)理解，根據(jù)本 發(fā)明，可以利用現(xiàn)有的或之后開(kāi)發(fā)的執(zhí)行與在此描述的相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或?qū)崿F(xiàn) 基本相同的結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、工具、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求旨在 將這樣的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、工具、方法或步驟包括在它們的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括： 導(dǎo)電層； 電阻可配置結(jié)構(gòu)，位于所述導(dǎo)電層上方，所述電阻可配置結(jié)構(gòu)包括： 第一電極，包括第一側(cè)壁、第二側(cè)壁以及所述導(dǎo)電層上的底面，其中，所述第一側(cè)壁和 所述第二側(cè)壁之間的接合處包括電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)； 電阻可配置層，位于所述第一電極上方；以及 第二電極，位于所述電阻可配置層上方。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體，其中，所述電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)包括約或小于90度的角。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體，其中，所述電阻可配置結(jié)構(gòu)還包括：介電層，位于所 述導(dǎo)電層上，并且所述介電層與所述第一側(cè)壁的至少一部分接觸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體，其中，所述介電層的高度與所述第一側(cè)壁的高度的 比值在約〇. 2至約1. 0的范圍內(nèi)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體，其中，所述第二電極包括與所述電阻可配置層接觸 的氧剝奪層，所述氧剝奪層被配置為從所述電阻可配置層剝奪氧。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體，其中，所述第一電極的底面包括約或小于20nm的寬 度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體，其中，所述電阻可配置層包括約或小于150埃的厚 度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體，其中，所述第一電極和所述第二電極中的每個(gè)都包 括選自主要由Pt、AlCu、TiN、Au、Ti、Ta、TaN、W、WN和Cu構(gòu)成的組的至少一種。
9. 一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM)，包括： 第一介電層，包括頂面； 金屬-絕緣體-金屬（MM)結(jié)構(gòu)，定位于所述第一介電層上，所述MM結(jié)構(gòu)包括： 第一電極，位于所述第一介電層的頂面上，所述第一電極包括電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)，所述電場(chǎng) 增強(qiáng)結(jié)構(gòu)具有垂直于所述介電層的頂面的第一側(cè)壁和包括弧的第二側(cè)壁； 電阻可配置層，位于所述電場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)上方；以及 第二電極，位于所述電阻可配置層上方。
10. -種制造電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM)的方法，包括： 圖案化第一導(dǎo)電層上的硬掩模； 在所述硬掩模周圍形成間隔件，所述間隔件包括與所述硬掩模接觸的垂直側(cè)壁； 去除所述硬掩模的至少一部分，以暴露所述間隔件的垂直側(cè)壁的至少一部分； 在所述間隔件上方形成共形電阻可配置層；以及 在所述共形電阻可配置層上方形成第二導(dǎo)電層。
【文檔編號(hào)】G11C13/00GK104425716SQ201410340990
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年7月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月9日
【發(fā)明者】李伯浩, 鄒宗成, 朱文定 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司