薄膜pzt結(jié)構(gòu)的粘合增強的制作方法
【專利摘要】本申請公開了薄膜PZT結(jié)構(gòu)的粘合增強。一種例如用于盤驅(qū)動器的微型致動器，包括基底，基底上的夾層結(jié)構(gòu)，以及基底和夾層結(jié)構(gòu)上方的鈍化層。該夾層結(jié)構(gòu)具有由貴金屬形成的下電極，壓電層，以及由貴金屬形成的上電極。該微型致動器進(jìn)一步具有位于下電極和鈍化層之間的下粘合層以及位于上電極和鈍化層之間的上粘合層中的一個或兩個。即該微型致動器可僅具有下粘合層，僅具有上粘合層，或同時具有下粘合層和上粘合層。
【專利說明】薄膜PZT結(jié)構(gòu)的粘合增強

【背景技術(shù)】
[0001] 硬盤驅(qū)動系統(tǒng)（HDD)典型地包括一個或多個數(shù)據(jù)存儲盤?；瑝K攜帶的換能磁頭用 于從磁盤上的數(shù)據(jù)磁道讀取和寫入。磁頭萬向組件（HGA)通過使換能器沿多個軸萬向運動 以跟隨媒體表面的形狀，允許鄰接于磁道的數(shù)據(jù)換能器磁頭的精確定位。微型致動器降低 了 HGA的共振模式并提供第二級位置控制能力。微型致動器可由壓電（PZT)或其他材料制 成，以誘發(fā)HGA換能器的受控旋轉(zhuǎn)。在可操作時，關(guān)聯(lián)于當(dāng)前微型致動器設(shè)計的限制可包括 對增加的HGA堆疊高度的需求、非對稱驅(qū)動和共振特性的采用、增加的HGA預(yù)加載力的集中 度、以及對用于將電控制信號獨立路由至微型致動器和滑塊的附加的HGA的中間層結(jié)構(gòu)的 需求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0002] 本公開通過利用鈍化層提供對微型致動器的保護(hù)提供了磁頭萬向組件的改進(jìn)。本 公開給微型致動器提供了具有鈍化層的增強的粘合的若干結(jié)構(gòu)，以及制造這些結(jié)構(gòu)的方 法。
[0003] 本公開的一個特定實施例為一種微型致動器，包括基底，基底上的夾層結(jié)構(gòu)，以及 基底和夾層結(jié)構(gòu)上方的鈍化層。該夾層結(jié)構(gòu)具有由貴金屬形成的下電極，壓電層，以及由貴 金屬形成的上電極。該微型致動器進(jìn)一步具有位于下電極和鈍化層之間的下粘合層以及位 于上電極和鈍化層之間的上粘合層中的一個或兩個。即該微型致動器可僅具有下粘合層， 僅具有上粘合層，或同時具有下粘合層和上粘合層。
[0004] 本公開另一特定實施例為一種微型致動器，包括硅基底，基底上的下電極，在下電 極的第一部分上并與其相接觸的壓電層，在壓電層上并與其相接觸的上電極，下電極的第 二部分上的下粘合層，上電極上的上粘合層，以及下粘合層和上粘合層上方的鈍化層。
[0005] 本公開的又一特定實施例為一種磁盤驅(qū)動器，包括微型致動器，懸置組件，以及磁 頭萬向組件。該微型致動器可具有硅基底，在基底上的包括鉬，銥，釕，或銠之一的下電極， 在下電極的第一部分上并與其相接觸的壓電層，在壓電層上并與其相接觸的包括鉬，銥， 釕，或銠之一的上電極，在下電極的第二部分上的下粘合層，上電極上的上粘合層，以及下 粘合層和上粘合層上方的電介質(zhì)鈍化層。
[0006] 以上和多個其他特征和優(yōu)點將從閱讀如下詳細(xì)描述后顯而易見。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 在考慮本公開的如下多種實施例的詳細(xì)描述并結(jié)合附圖之后，本公開可被更全面 地理解，其中：
[0008] 圖1為數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的分解狀態(tài)透視圖。
[0009] 圖2為圖1的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的懸置部的透視圖。
[0010] 圖3為圖2懸置部的磁頭萬向組件的透視圖。
[0011] 圖4為微型致動器的示意性側(cè)視圖。
[0012] 圖5為用于形成具有鈍化層和粘合層的微型致動器的方法的框圖。
[0013] 圖6A-6E逐步地說明了圖5的用于形成具有鈍化層和粘合層的微型致動器的方 法。
[0014] 圖7A-7F逐步地說明了用于形成具有鈍化層和粘合層的微型致動器的另一方法。
[0015] 圖8為具有鈍化層和粘合層的微型致動器的示意性側(cè)視圖。
[0016] 圖9為具有鈍化層和粘合層的微型致動器的另一實施例的示意性側(cè)視圖。
[0017] 圖10為具有鈍化層和粘合層的微型致動器的另一實施例的示意性側(cè)視圖。

【具體實施方式】
[0018] 呈現(xiàn)的實施例總體涉及基于微型致動器的磁頭萬向組件（HGA)。所公開的是用于 通過提供壓電（PZT)材料上方的鈍化層來保護(hù)磁頭萬向組件的改進(jìn)。本公開對于微型致動 器提供了具有鈍化層的增強的粘合的若干結(jié)構(gòu)，以及制造這些結(jié)構(gòu)的方法。
[0019] 在如下描述中，對構(gòu)成其一部分的附圖進(jìn)行引用且其中以說明的方式示出至少一 個具體實施例。該如下描述提供了附加的具體實施例。應(yīng)當(dāng)理解，其他實施例被考慮并可 被采用，而不偏離本公開的范圍或精神。因此，如下詳細(xì)描述不應(yīng)被理解為限制的含義。盡 管本公開不限于此，對本公開的多個方面的領(lǐng)會將通過以下所提供的示例的討論來獲得。
[0020] 除非另外表示，所有表達(dá)特征尺寸，量，以及物理屬性的數(shù)字應(yīng)理解為利用術(shù)語 "大約"來修飾。因此，除非表示反義，所提出的數(shù)字形式的參數(shù)為近似值，其可根據(jù)由采用 本文公開的教導(dǎo)的本領(lǐng)域技術(shù)人員獲取的所需屬性而變化。
[0021] 如本文所使用的，單數(shù)形式"一個"，"這個"包括具有復(fù)數(shù)指示物的實施例，除非該 內(nèi)容另外清晰地表述。如該說明書和所附權(quán)利要求所使用的，術(shù)語"或"總體上應(yīng)用于包括 "和/或"的含義，除非該內(nèi)容另外清晰地表述。
[0022] 空間上相關(guān)的項，包括但不限于，"下面"，"上面"，"低于"，"下部"，"上部"，"頂部"， 如果在本文使用，是為描述方便而使用的，以描述元件與另一元件的空間關(guān)系。該空間上相 關(guān)的項包括了除附圖和本文描述的特定方向之外設(shè)備不同的方向。例如，如果圖中描述的 結(jié)構(gòu)被變換或翻轉(zhuǎn)，先前描述為在其他元件下方或低于其他元件的部分將為位于其他元件 上方。
[0023] 參見圖1，示出了磁盤驅(qū)動或數(shù)據(jù)存儲設(shè)備100的頂部透視圖。存儲設(shè)備100被提 供以示出示例性環(huán)境，其中可實現(xiàn)本發(fā)明的多種實施例。然而可以理解，要求保護(hù)的發(fā)明不 限于此。
[0024] 設(shè)備100包括由基板104和頂蓋106制成的密封外殼102。主軸電機108被配置 使至少一個存儲介質(zhì)如磁盤（在多個實施例中多個存儲媒體或磁盤）110轉(zhuǎn)動。通過對應(yīng) 每個由磁頭萬向組件（HGA) 112支持的數(shù)據(jù)換能器陣列來訪問磁盤110。盡管圖1示出了使 用兩個磁記錄磁盤和四個對應(yīng)磁頭，但也能夠可選地按需使用其他數(shù)量的磁頭和磁盤（如 單個磁盤，等）和其他類型的媒體（如光媒體，等）。
[0025] 每個HGA112優(yōu)選地由包括柔性懸置組件116的磁頭堆疊組件114(也稱為致動 器）支持，該柔性懸置組件116進(jìn)而由剛性致動器臂118支持。致動器114通過施加電流 至音圈電機（VCM) 122而相對于盒式承載組件120樞轉(zhuǎn)。以這種方式，VCM122的受控操作 使得HGA112的換能器對齊于磁盤表面上定義的磁道（未示出），以對其存儲數(shù)據(jù)或從中檢 索數(shù)據(jù)。
[0026] 印刷電路電纜124提供致動器114和外部設(shè)置的設(shè)備印刷電路板（PCB) 126上的 設(shè)備控制電子設(shè)備之間的電通信。印刷電路電纜124可包括多個電路，其允許設(shè)備100若 干不同的組件與PCB126的通信。
[0027] 圖2示出了示例性致動器130,其可用于圖1的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中致動器被標(biāo)識 為元件114。致動器130具有基片132,經(jīng)預(yù)加載彎曲部分136支持承載梁134 ;基片132,承 載梁134和部分136形成剛性臂，如圖1的致動器臂118。HGA140(在圖1標(biāo)識為HGA112) 在承載梁134末端被支持，并包括數(shù)據(jù)換能器或裝有萬向接頭的磁頭，用于經(jīng)萬向盤142和 凹坑（未單獨示出）沿俯仰（X軸）和橫滾（y軸）方向多軸旋轉(zhuǎn)。
[0028] HGA140包括滑塊，具有面向相關(guān)磁盤表面的承載面。該承載面與由磁盤表面的高 速旋轉(zhuǎn)建立的射流相交互，以通過流體方式支持鄰接于表面的滑塊。該承載面通常稱為"空 氣承載"表面，即使大氣（例如，惰性氣體如氦）之外的不同的液體被保留在設(shè)備1〇〇的外 殼102中。讀寫數(shù)據(jù)換能元件安裝于滑塊，如沿其后沿，以從媒體表面換能數(shù)據(jù)或換能數(shù)據(jù) 到媒體表面。滑塊的受控的連接方式通過將微型致動器整合在HGA 140來實現(xiàn)。
[0029] 示例性HGA 140在圖3示出。HGA 140具有配置有孔徑144的萬向盤142,其沿盤 142的厚度延伸。萬向島146位于萬向盤142的孔徑144中，為獨立元件且與盤142不機械 耦合。即萬向島146從萬向盤142機械解稱，以允許島146獨立于盤142而移動，如下文討 論。
[0030] HGA 140包括能夠傳輸電信號至萬向島146上的電極（未示出）的柔性電路148。 在某些實施例，柔性電路148整個長度是彈性的并可保持多個電路途徑，其可對應(yīng)于獨立 電路和通過一個或多個電極連接于HGA 140的元件的互連電路。在示出的實施例中，6個獨 立電路位于柔性電路148上并具有6個對應(yīng)電極（未示出），其可電氣地互連于單個組件， 如數(shù)據(jù)換能磁頭，或多個組件，如微型致動器。
[0031] HGA 140具有兩個微型致動器150和滑塊152。在多個實施例中，每個微型致動器 150由壓電（PZT)材料構(gòu)造而成并連接于柔性電路148的一部分。盡管微型致動器150的 尺寸、組成以及配置不受限制，但微型致動器150與萬向島146和盤142的連接可允許島 146通過對應(yīng)的一個或兩個微型致動器150的運動而偏轉(zhuǎn)。因此微型致動器150的運動合 適地移動，樞轉(zhuǎn)并扭轉(zhuǎn)滑塊152,以使滑塊152的磁和/或光換能組件被對齊，以從存儲介質(zhì) 讀取數(shù)據(jù)和/或?qū)懭霐?shù)據(jù)至存儲介質(zhì)，如圖1的磁盤110。
[0032] 隨著磁盤100的磁道密度增加，HGA 140的精確控制是必要的，以使滑塊152合適 地定位。微型致動器150的精度對定位滑塊152至關(guān)重要。圖4說明了薄膜PZT微型致動 器160的一個實施例。
[0033] 微型致動器160具有薄膜PZT層162,夾在第一下電極164和第二上電極166中間， 全部被支持在硅基底168上。如在圖4可見，PZT層162僅呈現(xiàn)于下電極164的一部分上， 剩下的下電極164第二和/或第三部分未由PZT層162覆蓋。電介質(zhì)材料170位于下電極 164和基底168之間。如本公開全文所使用的，"下電極"為比"頂層"更接近基底的電極； 這種"底部"比"頂部"更接近基底的"頂部"和"底部"的約定在本公開全文始終使用。鈍 化層172覆蓋并優(yōu)選地封裝PZT層162和電極164、166。鈍化層172對PZT層162和電極 164,166提供了物理和化學(xué)保護(hù)，免受如潮濕，化學(xué)，微粒和其他碎屑，以及總體的周圍環(huán)境 之類的因素的影響。電氣連接于上電極166的是上金屬墊片176,并且電氣連接于下電極 164的（特別地，連接未由PZT層162覆蓋的下電極164的部分）是底部金屬墊片174。
[0034] 電極164,166的合適的材料的示例包括貴金屬如鉬（Pt)，銥（Ir)，釕（Ru)， 銠（Rh)，及其合金。電極164,166的其他合適的材料包括氧化物，如鍶鈦氧化物（ST0或 SrTi03)和鑭鎳氧化物（LN0)。上電極164可為與下電極166相同或不同的材料。
[0035] 金屬墊片174,176是導(dǎo)電的，并提供電極144,146與合適的電路的電接觸。金屬 墊片174,176的合適的材料包括金（Au)，銀（Ag)，和銅（Cu)。
[0036] 鈍化層172可為電氣絕緣材料，而在某些實施例中，鈍化層172為電介質(zhì)材料。鈍 化層172材料合適的示例包括碳，二氧化硅或硅石（Si0 2)(包括不同類型的包括Si02的材 料，由不同的技術(shù)制成，例如高密度等離子（HDP)，化學(xué)蒸汽沉積（CVD)，可流氧化物（F0X)， 硼摻雜的硅酸鹽玻璃（BSG)，磷摻雜的硅酸鹽玻璃（PSG)，硼磷硅酸鹽玻璃（BPSG))，四乙基 正硅酸鹽或四乙氧基硅烷（TE0S)，鋁氧化物或氧化鋁（A1 203)，鈦氮化物（TiN)，鈦低價氧 化物（TiOx)，鈦碳化物（TiC)，硅氮化物（Si 3N4)，硅氮氧化物（SiOxNy)，和硅氮化物氧化物 (Si 2N20)。
[0037] 根據(jù)本公開，粘合層位于微型致動器160的層之間，以改進(jìn)鈍化層172與微型致動 器160的其他層的粘合。粘合層的合適的材料的示例包括鈦（Ti)，鉭（Ta)，鉻（Cr)，及其合 金和其混合物。
[0038] 圖5概述了用于形成具有利用粘合層增強的鈍化層的微型致動器的方法的一個 實施例；在該方法中，上電極和電介質(zhì)鈍化層之間的粘合被增強。在步驟180，將下電極（例 如，電極166)沉積在例如硅基底（例如，Si晶片）或電介質(zhì)材料上。在步驟181，將PZT層 直接沉積在步驟180的下電極上。在步驟183,將上電極（例如，電極164)直接沉積在步驟 181的PZT層上。在電極和PZT層之間沒有中間或居間層。在步驟183,粘合層位于來自步 驟182的電極上方。在步驟184,將掩模施加于粘合層和上電極上方。在該工藝的這一步驟 中，上電極層作為用于蝕刻該PZT層的硬掩模。在步驟185蝕刻粘合層和上電極的未掩蔽 的區(qū)域；在步驟186蝕刻得到的暴露的PZT材料。隨后，在步驟187,將掩模沉積在結(jié)構(gòu)（特 別是上電極）的上方，并圖案化。在步驟188蝕刻粘合層和上電極的未掩蔽的區(qū)域，因此形 成該上電極。在步驟189,在PZT層和上電極的上方形成聚乙烯（甲基戊二酰亞胺）（PMGI) 光致抗蝕劑掩模的圖案，從而形成用于后續(xù)的粘合層剝離工藝的掩模。在步驟190,將粘合 層沉積在結(jié)構(gòu)（包括光致抗蝕劑）上方，，并且在步驟191移除光致抗蝕劑連同存在于光致 抗蝕劑上的粘合層；下方不具有光致抗蝕劑的任何粘合層保留。在步驟192,將圖案化的掩 模沉積在暴露的下電極的上方，并且在步驟193蝕刻下電極和粘合層。在步驟194,將鈍化 層沉積在結(jié)構(gòu)的上方。在步驟195,將圖案化的掩模沉積在鈍化層的上方，并且在步驟196 蝕刻鈍化層。
[0039] 圖6A-6E說明了粘合層的示例性剝離工藝?？傮w上，剝離工藝是一種簡單的用于 將沉積膜圖案化的方法。在基底上利用光致抗蝕劑來定義圖案。將膜（如金屬膜）毯覆沉 積于基底上方，覆蓋光致抗蝕劑，以及光致抗蝕劑已被移除的區(qū)域。在實際的剝離工藝期 間，利用溶劑移除膜下方的光致抗蝕劑，去掉其中的膜，并且僅保留沉積在基底上的膜。
[0040] 圖6A示出了具有電介質(zhì)層201的硅基底200。第一下電極202，PZT層203和第二 上電極204設(shè)置于基底200和電介質(zhì)201之上。上電極204的上方是粘合層206。由ΡΖΤ 層203,電極204和粘合層206組成的堆疊在頂部和側(cè)部由圖6B的第一層光致抗蝕劑208 所覆蓋。光致抗蝕劑層208圍繞該堆疊，以使PZT層203,電極204和粘合層206中沒有任 何部分被暴露。沉積在第一光致抗蝕劑層208上方的是第二光致抗蝕劑層210,其可在層 208之后或與其同時被沉積。光致抗蝕劑層208, 210的材料和/或厚度被選擇以使當(dāng)光致 抗蝕劑208, 210被固化和圖案化時，第二光致抗蝕劑層210比第一光致抗蝕劑層208更快 地蝕刻，產(chǎn)生圖6B的結(jié)構(gòu)。在圖6B示出的實施例中，較厚的第二光致抗蝕劑210并未延伸 至電極202。第二粘合層212沉積在圖6C整個表面的上方，導(dǎo)致粘合層部分212A存在于下 電極202上，并且粘合層部分212B存在于第二光致抗蝕劑210上。在圖6D，第二光致抗蝕 齊[J 210已連同粘合層部分212B和第一光致抗蝕劑208被移除，留下暴露的粘合層部分212A 和粘合層206。在圖6D的實施例中，下電極202的區(qū)域被暴露并且未由粘合層部分212A覆 蓋，因為區(qū)域已被第二光致抗蝕劑210遮蔽。在圖6E，鈍化層214施加于整個結(jié)構(gòu)上方。得 到的結(jié)構(gòu)具有位于下電極202和鈍化層214之間的粘合層部分212A，以及位于上電極204 和鈍化層214之間的粘合層206。
[0041] 圖7A-7F說明了另一過程，用于形成具有通過粘合層增強的鈍化層的微型致動 器。
[0042] 圖7A示出了具有電介質(zhì)層221，第一下電極222,和粘合層223的硅基底220。在 圖7B，粘合層被圖案化，以形成兩個粘合層部分223A和223B，在其之間具有間隙或通孔，以 及暴露在間隙中的一部分下電極222。在圖7C，粘合層部分223A，223B之間的間隙被填充 以PZT 224。上電極226形成在圖7D的PZT 224上方，并且上粘合層228在圖7E中形成。 在圖7F，整個結(jié)構(gòu)被鈍化層230覆蓋。得到的結(jié)構(gòu)具有位于下電極222和鈍化層230之間 的粘合層部分223A，223B，以及位于上電極226和鈍化層230之間的粘合層228。
[0043] 如上所不，娃基底200, 220可為基于娃的基底，如傳統(tǒng)Si晶片。在其他實施例，非 硅半導(dǎo)體材料可用于該基底。電介質(zhì)層201,221總體上呈現(xiàn)于本公開結(jié)構(gòu)中，然而其為可 選的。
[0044] 電極202, 204, 222, 226由貴金屬組成，如鉬（Pt)，銥（Ir)，釕（Ru)，銠（Rh)，以及 其合金，或氧化物如鍶鈦氧化物（ST0或SrTi0 3)以及鑭鎳氧化物（LN0)。每個電極202, 204， 222, 226典型地具有50至100納米的厚度，然而更薄的和更厚的電極202, 204, 222, 226也 可使用。電極202,204,222,226可為相同或不同的材料，以及具有相同或不同的厚度。
[0045] 此外如上所示，粘合層206, 223A，223B和粘合層部分212A，212B由金屬組成，如鈦 (Ti)，鉭（Ta)或鉻（Cr)，但其他金屬或金屬合金也可使用。粘合層材料的選擇基于粘合材 料與鈍化層的粘合系數(shù)，鈍化層典型地為電介質(zhì)材料。每個粘合層206, 223A，223B和部分 212A，212B典型地具有1到50納米的厚度，在某些實施例為5到15納米（例如，10納米）， 但更薄的和更厚的粘合層206,223A，223B和部分212A，212B也可使用。粘合層206,223A， 223B和部分212A，212B可為相同或不同的材料，并具有相同或不同的厚度。
[0046] 此外如上所示，鈍化層214,230可為電氣地絕緣材料或電介質(zhì)材料。鈍化層214， 230的合適的材料示例包括碳，二氧化硅或硅石（Si0 2)，四乙基正硅酸鹽或四乙氧基硅 烷（TE0S)，鋁氧化物或氧化鋁（A1203)，鈦氮化物（TiN)，鈦低價氧化物（TiOx)，鈦碳化物 (TiC)，硅氮化物（Si 3N4)，硅氮氧化物（SiOxNy)，以及硅氮化物氧化物（Si 2N20)。鈍化層214， 230例如可通過等離子沉積，絕緣沉積，化學(xué)蒸汽沉積（包括等離子增強的化學(xué)蒸汽沉積， 或PECVD)來施加。鈍化層214, 230典型地具有小于一個微米的厚度，通常為0.2至0.7微 米（例如，0.5微米）。
[0047] 圖8，9和10說明了三個具有用于改進(jìn)鈍化層的粘合的粘合層的微型致動器構(gòu)造。 在圖8,粘合層材料位于鈍化層和上電極與下電極之間。在圖9,粘合層材料位于鈍化層和 上電極之間，但不位于下電極上方。在圖10,粘合層材料位于鈍化層和下電極之間，但不位 于上電極上方。
[0048] 圖8的結(jié)構(gòu)與圖6E的結(jié)構(gòu)相同，具有堆疊基底200,電介質(zhì)201，下電極202, PZT 203和上電極204。下粘合層212接觸下電極202并且上粘合層206接觸上電極206。在該 實施例中，一部分下電極202未由粘合層212覆蓋；這是由于制造該結(jié)構(gòu)的工藝，并且其他 工藝將提供具有完全由粘合層覆蓋的下電極的結(jié)構(gòu)。下粘合層212和上粘合層206的上方 為鈍化層214。
[0049] 在圖9,堆疊在基底300上的為電介質(zhì)301，下電極302，PZT303和上電極304。上 粘合層306接觸上電極306。在該實施例中，下電極302沒有任何部分由粘合層覆蓋。下電 極302和上粘合層306的上方為鈍化層314。
[0050] 在圖10,堆疊在基底400上的為電介質(zhì)401，下電極402，ΡΖΤ403和上電極404。在 下電極402上方并相接觸的是下粘合層412。在該實施例中，上電極404沒有任何部分由粘 合層覆蓋。下粘合層412和上電極404的上方為鈍化層414。
[0051] 由此，公開了薄膜ΡΖΤ結(jié)構(gòu)的粘合增強的實施例。以上描述的實現(xiàn)和其他實現(xiàn)均 在如下權(quán)利要求范圍內(nèi)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解本發(fā)明可利用公開的實施例之外的實施 例來實現(xiàn)。公開的實施例被呈現(xiàn)用于說明而非限制，并且本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1. 一種微型致動器，包括： 基底； 基底上的夾層結(jié)構(gòu)，所述夾層結(jié)構(gòu)由包括貴金屬的下電極、壓電層、以及包括貴金屬的 上電極組成；以及 鈍化層，位于基底和夾層結(jié)構(gòu)上方； 所述微型致動器進(jìn)一步包括以下一個或兩個： 下粘合層，位于下電極和鈍化層之間；以及 上粘合層，位于上電極和鈍化層之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的微型致動器，其特征在于，既包括下粘合層又包括上粘合層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的微型致動器，其特征在于，所述鈍化層包括四乙基正硅酸鹽。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的微型致動器，其特征在于，所述鈍化層具有小于1微米的厚度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的微型致動器，其特征在于，所述下電極包括鉬，并且所述上電極包 括釕或鉬。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1的微型致動器，其特征在于，所述粘合層中的一個或兩個包括鈦、鉭 或鉻。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的微型致動器，其特征在于，所述粘合層具有5至15納米的厚度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1的微型致動器，其特征在于，進(jìn)一步包括基底和夾層結(jié)構(gòu)之間的電 介質(zhì)層。
9. 一種微型致動器，包括： 硅基底； 基底上的下電極； 壓電層，在下電極的第一部分上并與其接觸； 上電極，在壓電層上并與其接觸； 下粘合層，在下電極的第二部分上； 上粘合層，在上電極上；以及 鈍化層，在下粘合層和上粘合層上方。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9的微型致動器，其特征在于，進(jìn)一步包括基底上的電介質(zhì)層，所述 下電極在電介質(zhì)層上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9的微型致動器，其特征在于，下電極和上電極各自包括貴金屬。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11的微型致動器，其特征在于，下電極包括鉬且上電極包括釕或鉬。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9的微型致動器，其特征在于，下電極和上電極各自單獨包括鉬、銥、 釕、銘、及其合金、銀鈦氧化物、或鑭鎳氧化物。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9的微型致動器，其特征在于，所述鈍化層包括四乙基正硅酸鹽。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的微型致動器，其特征在于，所述鈍化層具有小于1微米的厚度。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9的微型致動器，其特征在于，所述粘合層的一個或兩個包括鈦、鉭 或鉻。
17. 根據(jù)權(quán)利要求9的微型致動器，其特征在于，所述粘合層具有5至15納米的厚度。
18. -種盤驅(qū)動器，包括微型致動器、懸置組件、以及磁頭萬向組件；所述微型致動器 包括：娃基底；所述基底上的下電極，包括鉬、銥、釕或銘之一；壓電層，在下電極的第一部 分上并與其接觸；上電極，在壓電層上并與其接觸，包括鉬、銥、釕或銠之一；下粘合層，在 下電極的第二部分上；上粘合層，在上電極上；以及電介質(zhì)鈍化層，在下粘合層和上粘合層 上方。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18的盤驅(qū)動器，其特征在于，所述鈍化層包括四乙基正硅酸鹽。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18的盤驅(qū)動器，其特征在于，所述粘合層的一個或兩個包括鈦、鉭或 鉻。
【文檔編號】G11B5/40GK104218146SQ201410354090
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年5月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月3日
【發(fā)明者】D·斯蒂阿迪, 田偉, Y·P·金 申請人:希捷科技有限公司