Abs遠(yuǎn)側(cè)的變化數(shù)據(jù)寫入器側(cè)屏蔽間隙的制作方法
【專利摘要】本申請公開了ABS遠(yuǎn)側(cè)的變化數(shù)據(jù)寫入器側(cè)屏蔽間隙。數(shù)據(jù)寫元件可至少配置有寫入極，所述寫入極定位成沿第一軸線鄰近第一屏蔽件且沿第二軸線鄰近第二屏蔽件。使所述第二屏蔽件在氣浮表面(ABS)上與所述寫入極隔開第一間隙距離且在所述ABS遠(yuǎn)側(cè)與寫入極隔開第二間隙距離，所述第一和第二間隙距離在平行于ABS取向的過渡表面處會(huì)合。
【專利說明】ABS遠(yuǎn)側(cè)的變化數(shù)據(jù)寫入器側(cè)屏蔽間隙
[0001]發(fā)明概述
[0002]各個(gè)實(shí)施方案總體涉及能夠在各種數(shù)據(jù)存儲環(huán)境中對數(shù)據(jù)位編程的磁元件。
[0003]匹配的實(shí)施方案調(diào)諧數(shù)據(jù)寫入元件，至少一個(gè)寫入極定位成沿第一軸線鄰近第一屏蔽件且沿第二軸線鄰近第二屏蔽件。第二屏蔽件可以在氣浮表面(ABS)上與寫入極隔開第一間隙距離且在ABS遠(yuǎn)側(cè)與寫入極隔開第二間隙距離，第一和第二間隙距離在平行于ABS取向的過渡表面處會(huì)合。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0004]圖1是依照各個(gè)實(shí)施方案構(gòu)造和操作的實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的框圖表示。
[0005]圖2示出了能夠在圖1的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備中使用的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的部分的框圖表
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[0006]圖3示出了能夠在圖2的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備中使用的實(shí)施例的磁元件的部分的框圖表
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[0007]圖4顯示了依照各個(gè)實(shí)施方案構(gòu)造的實(shí)施例的磁元件的剖視框圖表示。
[0008]圖5示出了依照一些實(shí)施方案配置的實(shí)施例的磁元件的部分的剖視框圖表示。
[0009]圖6是依照匹配的實(shí)施方案構(gòu)造的實(shí)施例的磁元件的部分的剖視框圖表示。
[0010]圖7顯示了依照各個(gè)實(shí)施方案配置的實(shí)施例的磁元件的部分的剖視框圖表示。
[0011]圖8顯示了依照一些實(shí)施方案構(gòu)造的實(shí)施例的磁元件的部分的剖視框圖表示。
[0012]圖9提供了依照配平的實(shí)施方案執(zhí)行的實(shí)施例的寫元件制造工序的流程圖。
[0013]發(fā)明詳述
[0014]數(shù)據(jù)存儲部件的物理尺寸的減小已經(jīng)為數(shù)據(jù)存儲設(shè)備形狀因數(shù)減小以及數(shù)據(jù)容量增加鋪平了道路。在數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的數(shù)據(jù)寫方面，磁屏蔽件關(guān)于發(fā)射磁通的寫入極定位，并且下磁道后屏蔽件能夠經(jīng)調(diào)諧以提高寫磁場、場梯度、場角和曲率銳度。然而，數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)上數(shù)據(jù)磁道的物理尺寸的最小化會(huì)導(dǎo)致磁通沿著交叉磁道軸線橫向地發(fā)射而不利地影響特征在于相鄰磁道干擾(ATI)和寫后擦除(EAW)狀態(tài)的相鄰數(shù)據(jù)位。因此，行業(yè)持續(xù)性的目標(biāo)是增強(qiáng)寫入極的側(cè)屏蔽，特別是在形狀因數(shù)減小的、高面積數(shù)據(jù)位密度的數(shù)據(jù)存儲環(huán)境中。
[0015]在考慮到這些問題的情況下，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備能夠配置有沿第一軸線鄰近第一屏蔽件定位且沿第二軸線鄰近第二屏蔽件定位的寫入極，第二屏蔽件在氣浮表面(ABS)上與寫入極隔開第一間隙距離且在ABS遠(yuǎn)側(cè)與所述寫入極隔開第二間隙距離，第一和第二間隙距離在平行于ABS取向的過渡表面處會(huì)合。關(guān)于ABS的非正形的側(cè)屏蔽間隙距離允許在保持寫入極的磁性程度的情況下有更大的磁場和場梯度。可以在材料和構(gòu)造方面進(jìn)一步調(diào)諧側(cè)屏蔽件，如匹配的實(shí)施方案將側(cè)屏蔽件形成為屏蔽子層的水平層疊件，每個(gè)子層接觸ABS。
[0016]可設(shè)想的是，經(jīng)調(diào)諧的寫入極和側(cè)屏蔽件能夠用于不受限制的各種數(shù)據(jù)存儲環(huán)境。圖1提供了依照各個(gè)實(shí)施方案構(gòu)造的實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲環(huán)境100的框圖表示。環(huán)境100具有至少一個(gè)處理器102或控制器，其分別地或者同時(shí)地與一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)存儲設(shè)備104通信且控制一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)存儲設(shè)備104。
[0017]數(shù)據(jù)存儲設(shè)備104能夠由存儲數(shù)據(jù)位形式的數(shù)據(jù)的至少一個(gè)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)106來構(gòu)造和操作。匹配的實(shí)施方案可以將處理器102封裝在數(shù)據(jù)存儲設(shè)備104內(nèi)，而其它實(shí)施方案使用位于數(shù)據(jù)存儲設(shè)備104內(nèi)部和外部的多個(gè)處理器102。
[0018]一個(gè)或多個(gè)本地處理器102的使用能夠允許多個(gè)數(shù)據(jù)存儲設(shè)備104用作本地?cái)?shù)據(jù)存儲方案的部分。處理器102與其它設(shè)備108、存儲器110和控制器112經(jīng)由適當(dāng)?shù)膮f(xié)議在網(wǎng)絡(luò)114上通信的能力允許在提供增強(qiáng)的處理能力的同時(shí)實(shí)現(xiàn)其它的數(shù)據(jù)存儲方案，類似于冗余獨(dú)立磁盤陣列(RAID)和數(shù)據(jù)高速緩存。值得注意的是，網(wǎng)絡(luò)114可以是有線或無線的以將本地處理器102連接到不受限制的多種計(jì)算部件，無限制。因此，數(shù)據(jù)存儲環(huán)境100能夠經(jīng)調(diào)諧以使用多種多樣的計(jì)算部件來提供幾乎任何類型的數(shù)據(jù)存儲能力，諸如云計(jì)算、虛擬機(jī)和冗余存儲陣列。
[0019]圖2顯示了依照匹配的實(shí)施方案構(gòu)造和操作的實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備120的部分的框圖表示。數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)120使用鄰近數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)124定位且與數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)124隔開氣浮面126的數(shù)據(jù)位編程換能器122。主軸電動(dòng)機(jī)128能夠通過一個(gè)或多個(gè)本地或遠(yuǎn)程的控制器來控制以旋轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)124并且產(chǎn)生預(yù)定的氣浮面126尺寸。通過數(shù)據(jù)換能器122的致動(dòng)運(yùn)動(dòng)結(jié)合數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)124的旋轉(zhuǎn)，作為不同數(shù)據(jù)磁道132的部分的選定數(shù)據(jù)位130能夠被訪問以讀和寫與邏輯主體和數(shù)字存儲器對應(yīng)的預(yù)定磁極。
[0020]一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)位130的編程能夠通過不受限制的各種換能構(gòu)造來實(shí)現(xiàn)。如圖2的剖面部分所示，數(shù)據(jù)換能器122具有主極134，其通過磁屏蔽件138和氣浮表面(ABS)上的寫間隙與復(fù)位極136隔開。相應(yīng)的極134和136可以具有有利于從主極134通過數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)134到達(dá)復(fù)位極136完成磁路的形狀和尺寸。由于磁軛140朝向主極134傳導(dǎo)磁通，磁路能夠發(fā)射由磁線圈產(chǎn)生且從主極134發(fā)射的磁通。
[0021]換能部122可以單獨(dú)地或者與諸如數(shù)據(jù)傳感電阻傳感器的其他換能裝置結(jié)合地位于致動(dòng)組件144的頭部平衡圈環(huán)組件142部分上。行業(yè)在增強(qiáng)數(shù)據(jù)存儲容量上的重點(diǎn)具有減小寬度的數(shù)據(jù)磁道132，從而適應(yīng)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)124上的更多數(shù)據(jù)磁道132。這種數(shù)據(jù)磁道130寬度的減小能夠與寫入極134的更精確的磁范圍對應(yīng)，由于與具有固定樞轉(zhuǎn)點(diǎn)的致動(dòng)組件144相關(guān)聯(lián)的斜角，寫入極134的更精確的磁范圍難以在與各數(shù)據(jù)磁道132對準(zhǔn)的同時(shí)而產(chǎn)生。能夠通過磁屏蔽來補(bǔ)償數(shù)據(jù)磁道132的最小化和更寬范圍的斜角，而不會(huì)隨著主極134與屏蔽件之間的磁分路增加而導(dǎo)致性能下降。
[0022]圖3是能夠在圖2的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備120中使用的實(shí)施例的數(shù)據(jù)寫入元件150的部分的框圖表示。寫入極152具有大致梯形形狀，其能夠有助于將磁通定位在前邊緣154處，這樣能夠有助于對配置有高面密度的數(shù)據(jù)位進(jìn)行編程。能夠?qū)η捌帘渭?56、后屏蔽件158和側(cè)屏蔽件160進(jìn)一步調(diào)諧尺寸和形狀以使磁屏蔽與磁分路的風(fēng)險(xiǎn)平衡。
[0023]雖然能夠調(diào)節(jié)后屏蔽件158以增強(qiáng)寫入極152的磁性能，但是調(diào)諧側(cè)屏蔽件160使得平衡屏蔽與分路更難。由于這些困難，磁通會(huì)從寫入極152橫向地泄漏并且在寫后擦除(EAW)和相鄰磁道干擾(ATI)狀態(tài)下會(huì)不利地影響相鄰數(shù)據(jù)磁道上的數(shù)據(jù)位。因此，無效的側(cè)屏蔽件60會(huì)妨礙通過調(diào)諧寫入極152和后屏蔽件158所帶來的任何益處。
[0024]圖4提供了依照一些實(shí)施方案構(gòu)造成具有大致T形截面寫入極172的實(shí)施例的數(shù)據(jù)寫入器170的部分的剖面框圖表示，大致T形截面寫入極172能夠增強(qiáng)到ABS的磁通輸送。寫入極172具有收斂于ABS近側(cè)的喉部區(qū)域174的連續(xù)曲線側(cè)壁。能夠?qū)聿繀^(qū)域174進(jìn)行沿X軸線的寬度176的調(diào)諧以及自ABS起沿Z軸線的長度的調(diào)諧以控制磁通如何流向ABS，注入以增加的磁通強(qiáng)度和減小的飽和時(shí)間。
[0025]通過調(diào)節(jié)側(cè)屏蔽件178的尺寸和形狀能夠進(jìn)一步調(diào)節(jié)寫入極172的性能，以平衡磁屏蔽和自寫入極172的磁通分路的風(fēng)險(xiǎn)。在圖4的非限制性的實(shí)施方案中，在寫入極172的相對的橫向側(cè)的側(cè)屏蔽件178成形有側(cè)壁，該側(cè)壁基本上匹配寫入極側(cè)壁并且將距ABS的非磁絕緣間隙距離180保持為距ABS的預(yù)定距離182。均勻的絕緣間隙距離180能夠有助于控制寫入極172在ABS處的磁范圍，但是隨著整個(gè)側(cè)屏蔽件側(cè)壁接近寫入極172且絕緣間隙距離180減小易受非期望磁分路影響。因此，絕緣間隙距離180保持為減小分路風(fēng)險(xiǎn)的長度，但是不提供在不出現(xiàn)EAW和ATI狀態(tài)的情況下精確地對高面密度數(shù)據(jù)位進(jìn)行編程的足夠精確的屏蔽。
[0026]針對在平衡磁分路與減小形狀因數(shù)的屏蔽的困難，高面密度數(shù)據(jù)存儲環(huán)境已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了具有變化的絕緣間隙距離的水平層疊的側(cè)屏蔽件。圖5總體示出了依照匹配的實(shí)施方案構(gòu)造為采用經(jīng)調(diào)諧的側(cè)屏蔽件192的實(shí)施例的數(shù)據(jù)寫入器的部分的剖面框圖表示，側(cè)屏蔽件192與寫入極194隔開間隙距離196，該間隙距離196關(guān)于距ABS的距離變化至距ABS的預(yù)定距離的較大間隙距離198。值得注意的是，雖然在圖5中示出了單個(gè)側(cè)屏蔽件192，能夠類似地或者不類似地構(gòu)造在寫入極194的相對橫向側(cè)上的側(cè)屏蔽件。
[0027]側(cè)屏蔽件192調(diào)諧有第一屏蔽子層200，其布置在絕緣材料202與第二屏蔽子層204之間。各種實(shí)施方案將第一屏蔽子層200和第二屏蔽子層204配置有相同的材料和磁通密度，而其他的實(shí)施方案將子層200和204配置有不同的磁通密度，諸如1.6T和1.0T,其小于寫入極194的磁通密度。不同的磁道密度能夠補(bǔ)充變化的間隙距離196以提供ABS上的優(yōu)化的磁屏蔽，同時(shí)通過將寫入極194的后部與側(cè)屏蔽件192隔開比ABS處的間隙距離196大的第二距離198來減小ABS遠(yuǎn)側(cè)的磁分路。
[0028]雖然失配的寫入極和側(cè)屏蔽件側(cè)壁構(gòu)造會(huì)產(chǎn)生變化的間隙距離196，但是間隙距離196的逐漸增加不能充分地減少寫入極194與側(cè)屏蔽件192之間的分路。因此，第一屏蔽子層200配置有過渡表面206，其大致平行于ABS取向且突然地增加寫入極196與側(cè)屏蔽件192之間的間隔。過渡表面206可被調(diào)諧成任意不同的角取向、長度以及距ABS的距離208，但是一些實(shí)施方案用間隙距離196調(diào)諧距離208以在ABS處提供優(yōu)化的屏蔽，而不將第一屏蔽子層200的尺寸減小至屏蔽的磁通易于飽和的程度，這樣能夠產(chǎn)生促進(jìn)EAW和ATI狀態(tài)的磁域。
[0029]可設(shè)想的是，第一屏蔽子層200是唯一具有過渡表面206的子層。然而，側(cè)屏蔽件192可進(jìn)一步調(diào)諧以具有多個(gè)過渡表面，諸如在第二屏蔽子層204中構(gòu)造的第二過渡表面210。第二過渡表面210可進(jìn)行尺寸和形狀的調(diào)諧以進(jìn)一步控制ABS近側(cè)的磁屏蔽和磁分路。在圖5中調(diào)諧第二過渡表面210以具有比從ABS到第一過渡表面206的距離208小的喉部距離212。這種磁通密度、過渡表面206和208以及喉部距離208和212的分層構(gòu)造能夠在降低EAW和ATI狀態(tài)的風(fēng)險(xiǎn)的同時(shí)通過優(yōu)化磁化強(qiáng)度和下磁道磁化梯度來提高寫入極194的性能。
[0030]圖6顯示了依照各個(gè)實(shí)施方案構(gòu)造以提供通過非磁性絕緣層226與寫入極224隔開的經(jīng)調(diào)諧側(cè)屏蔽件222的另一實(shí)施例的數(shù)據(jù)寫入器220的部分的剖面框圖表示。雖然不限制或做要求，第一屏蔽子層228可以連續(xù)地從ABS延伸到大致平行于ABS和X軸線取向的共用過渡表面230。第一屏蔽子層228與ABS近側(cè)的區(qū)域的隔離能夠允許使用高磁通密度材料，諸如2.4T材料，從而在ABS處提供增強(qiáng)的磁屏蔽，而不會(huì)不當(dāng)?shù)靥岣逜BS遠(yuǎn)側(cè)的分路風(fēng)險(xiǎn)。在一些實(shí)施方案中，第一屏蔽子層228是由與寫入極224相同的材料構(gòu)造而成的，并且沿Z軸線延伸得不比共用過渡表面230的喉部高度232遠(yuǎn)。
[0031]能夠相對于第二屏蔽子層234和第三屏蔽子層236來調(diào)諧第一屏蔽子層228的朝向?qū)懭霕O的側(cè)壁的尺寸和形狀，以提供適應(yīng)減小的數(shù)據(jù)磁道寬度而不提高EAW和ATI狀態(tài)風(fēng)險(xiǎn)的綜合的側(cè)屏蔽件222。如圖所示，第二屏蔽子層234能夠配置有朝向?qū)懭霕O的側(cè)壁238，其具有與寫入極224匹配的形狀，但是與寫入極224隔開比在ABS處的ABS隔開距離242大的遠(yuǎn)側(cè)隔開距離240。將第二屏蔽子層234定位在ABS的遠(yuǎn)側(cè)允許第三屏蔽子層236沿著ABS從第一屏蔽子層228橫向地延伸出以通過不同的磁通密度材料來平衡屏蔽和分路。也即，第一屏蔽子層228、第二屏蔽子層234和第三屏蔽子層236可具有不同的磁通密度，其與各子層形狀協(xié)同地起作用以在ABS處提供優(yōu)化的屏蔽，同時(shí)降低了 ABS遠(yuǎn)側(cè)的分路風(fēng)險(xiǎn)。
[0032]可設(shè)想的是，第一屏蔽子層228具有比第二屏蔽子層234和第三屏蔽子層236大的磁矩以提高交叉磁道磁場梯度，這樣能夠有益于疊瓦式磁記錄(SMR)，同時(shí)減輕側(cè)屏蔽件222的磁飽和問題。圖7示出了依照匹配的實(shí)施方案通過多個(gè)過渡表面256和258調(diào)諧側(cè)屏蔽件254而優(yōu)化的寫入極252性能的另一實(shí)施例的數(shù)據(jù)寫入器250的部分的剖面框圖表示。如圖所示，側(cè)屏蔽件254具有布置在第二屏蔽子層262與非磁性絕緣材料264之間的第一屏蔽子層260。
[0033]在一些實(shí)施方案中，第一屏蔽子層260具有比第二屏蔽子層262高的磁通密度和磁矩，這與多個(gè)過渡表面256和258協(xié)同操作以增強(qiáng)寫入極252的磁場梯度，同時(shí)降低ABS遠(yuǎn)側(cè)分路的風(fēng)險(xiǎn)。第一屏蔽子層260經(jīng)調(diào)諧而在ABS處具有反映寫入極252的形狀的連續(xù)曲線側(cè)壁部分以及按關(guān)于ABS和X軸線的預(yù)定起跳角(takeoff angle)如60°和45°來連接過渡表面256和258的至少一個(gè)連續(xù)線性側(cè)壁266。這種線性側(cè)壁266的構(gòu)造能夠允許調(diào)諧側(cè)屏蔽件254的磁飽和，這由相比于ABS上的間隙隔開距離270增加的ABS遠(yuǎn)側(cè)的隔開距尚268來補(bǔ)充。
[0034]多個(gè)過渡表面256和258的實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步允許將沿X軸線的相應(yīng)表面的長度272和274調(diào)諧成相似或不相似而改變在各水平平面上寫入極252與側(cè)屏蔽件254之間的非磁性材料的量。側(cè)屏蔽件254可進(jìn)一步包括經(jīng)調(diào)諧的第二屏蔽子層262，其具有第三過渡表面276，第三過渡表面276定位成距ABS的喉結(jié)高度278與第一屏蔽子層260的過渡表面256和258距ABS的喉結(jié)高度不同。通過調(diào)諧相應(yīng)的屏蔽子層260和262的材料、形狀和尺寸，能夠在ABS處實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的磁屏蔽，以優(yōu)化寫入極252的磁范圍，同時(shí)增加ABS遠(yuǎn)側(cè)的隔開距離268使得磁場梯度和磁通傳導(dǎo)優(yōu)化。
[0035]隨著數(shù)據(jù)寫入元件的物理尺寸減小，與在沿Z軸線的側(cè)屏蔽件254整個(gè)長度具有均勻隔開距離270的側(cè)屏蔽件相比，精確的子屏蔽件254特征的構(gòu)造和不同材料的子層會(huì)增加制造復(fù)雜度。這些問題和其他方面問題已經(jīng)促使出現(xiàn)了圖8的實(shí)施例的數(shù)據(jù)寫入極280，其中一部分顯示為是依照各個(gè)實(shí)施方案構(gòu)造的。數(shù)據(jù)寫入器280具有通過非磁性絕緣材料288隔開的大致正形的寫入極284和側(cè)屏蔽件286側(cè)壁來提供的均勻隔開距離282。
[0036]朝向?qū)懭霕O184的側(cè)屏蔽件側(cè)壁經(jīng)調(diào)諧而具有位于ABS上的高磁矩部分290和從高磁矩部分290的過渡表面294連續(xù)地延伸到ABS遠(yuǎn)側(cè)的預(yù)定平面的低磁矩部分292。在各個(gè)實(shí)施方案中，高磁矩部分290由具有與寫入極284相同的磁通密度如2.4T的材料構(gòu)成，而低磁矩部分292具有小于IT的磁通密度以降低在ABS遠(yuǎn)側(cè)磁側(cè)屏蔽件286飽和的風(fēng)險(xiǎn)，這使得側(cè)磁道擦除(STE)狀態(tài)和寫入極284的不利磁分路的幾率最小化。
[0037]將高磁部分290和低磁部分292調(diào)諧成與沿垂直于ABS的Z軸線的寫入極284輪廓基本匹配，與部分292的低磁矩材料相結(jié)合，允許緊靠近寫入極284構(gòu)造側(cè)屏蔽件286以增強(qiáng)對寫入極284的磁范圍的控制，而不增加分路和側(cè)屏蔽件286飽和的風(fēng)險(xiǎn)。還可以通過調(diào)節(jié)過渡表面294距ABS的距離296來調(diào)諧側(cè)屏蔽件286。通過確定在ABS上寫入極284的極末端298部分近側(cè)存在多少高磁矩材料，這種調(diào)諧能夠精確低控制ABS處的磁屏蔽。
[0038]經(jīng)調(diào)諧的過渡表面294的構(gòu)造能夠進(jìn)一步確定第一屏蔽子層300和第二屏蔽子層302的形狀和尺寸。也即，過渡表面294沿著平行于ABS的X軸線橫向低延伸設(shè)定了第一屏蔽子層300的形狀，第一屏蔽子層300可以由與低磁矩部分290和高磁矩部分292不同的磁通密度構(gòu)成。第一屏蔽子層300能夠構(gòu)造為具有任何形狀和尺寸，但是長度可以從寫入極284遠(yuǎn)側(cè)的ABS橫向低逐漸增加，如圖所示。線性過渡表面294和曲線隔開表面304的結(jié)合起到了限定第二屏蔽子層302的形狀和尺寸的作用，能夠調(diào)諧第二屏蔽子層302的形狀和尺寸以將具有預(yù)定磁通密度的材料定位成與低磁矩部分292相接觸并且提供ABS遠(yuǎn)側(cè)的磁屏蔽。
[0039]將多個(gè)不同的側(cè)屏蔽件286的層定位在ABS上限定了水平層疊件，其可以或者可以不具有與ABS接觸的第二屏蔽子層302。換言之，水平層疊側(cè)屏蔽件286具有至少兩個(gè)不同的屏蔽層并且在第二屏蔽子層302構(gòu)造成從ABS連續(xù)低延伸出的情況下還可以具有三層?？梢岳斫獾氖?，具有不同材料和形狀的層的經(jīng)調(diào)諧構(gòu)造的側(cè)屏蔽件286允許精確平衡在ABS處的磁屏蔽以及減小在ABS遠(yuǎn)側(cè)的側(cè)屏蔽件286的飽和，由于EAW、ATI和STE狀態(tài)的風(fēng)險(xiǎn)減小，能夠優(yōu)化寫入極性能。
[0040]值得注意的是，雖然圖5-8的各數(shù)據(jù)寫入器具有多個(gè)不同材料的子層，但是不要求具有這種構(gòu)造或限制這種構(gòu)造，因?yàn)橐恍┗蛉康膫?cè)屏蔽件能夠由單一材料構(gòu)成。在單一材料用于形成側(cè)屏蔽件的情形下，子層可順序低構(gòu)造而使得在子層之間存在縫隙或邊界以調(diào)諧側(cè)屏蔽件的選定部分的磁屏蔽特性。
[0041]通過側(cè)屏蔽件286的各種調(diào)諧能力，數(shù)據(jù)寫入器280的制造會(huì)涉及到不受限制的各種步驟和工序，不對這些步驟和工序進(jìn)行要求或限制。然而，匹配的實(shí)施方案執(zhí)行寫入元件制造例程310以構(gòu)造經(jīng)調(diào)諧的側(cè)屏蔽件，如圖9所示。初始低，步驟312能夠形成具有從ABS連續(xù)低延伸出的形狀的側(cè)壁的寫入極?？稍O(shè)想的是，寫入極側(cè)壁可具有T形截面，其具有線性和曲線的側(cè)壁表面。進(jìn)一步設(shè)想，執(zhí)行步驟312，諸如通過掩模和蝕刻操作來沉積材料以及隨后去除材料的部分。
[0042]在步驟312中形成寫入極能夠使例程310推進(jìn)到步驟314，在該步驟中，第一側(cè)屏蔽子層沉積在ABS上。在步驟316將第一側(cè)屏蔽子層定形成具有大致平行于ABS取向的過渡表面之前，第一側(cè)屏蔽子層可位于ABS的遠(yuǎn)側(cè)或近側(cè)并且從ABS連續(xù)地延伸出任意距離。一些實(shí)施方案的特征在于，圖5的子層204為第一側(cè)屏蔽子層，因?yàn)槠湓贏BS上的基礎(chǔ)位置且遠(yuǎn)離寫入極。
[0043]接著，步驟318將第二側(cè)屏蔽子層沉積到第一側(cè)屏蔽子層之上。值得注意的是，第一和第二側(cè)屏蔽子層在過渡表面的材料、形狀、尺寸和數(shù)量方面不同以使得屏蔽與分路和側(cè)屏蔽磁飽和的風(fēng)險(xiǎn)平衡。在步驟322或324分別將單個(gè)過渡表面或多個(gè)獨(dú)立的過渡表面定形在距ABS預(yù)定距離之前，能夠在決策320中特別地確定過渡表面的數(shù)量。對于步驟324，可以獨(dú)立低形成多個(gè)過渡表面，或者可以與一個(gè)或多個(gè)材料去除工序同時(shí)形成多個(gè)過渡表面。值得注意的是，在步驟316中形成的過渡表面可以不同或者距ABS相同的距離，如圖5的距離208和212所圖示的。
[0044]在步驟322或324中的至少一個(gè)過渡表面的形成進(jìn)行到?jīng)Q策326，其中對諸如圖8的層292的低磁矩包覆層的安裝進(jìn)行評估。如果選擇包覆層，則步驟328將包覆層形成在過渡表面之上并且在至少一個(gè)側(cè)屏蔽子層之上連續(xù)地延伸。在不形成包覆層的情形下，或者在步驟328中形成包覆層結(jié)束時(shí)，在構(gòu)造諸如下磁道后屏蔽件的其他屏蔽件之前，步驟330將非磁性絕緣層沉積在側(cè)屏蔽件和寫入極之間。
[0045]通過例程310的各步驟和決策，通過將側(cè)屏蔽件調(diào)諧為提供不同結(jié)構(gòu)和操作特性的子層的水平層疊件，能夠?qū)⒋艑懺?gòu)造成具有優(yōu)化的磁屏蔽和分路。然而，值得注意的是，不對圖9所示的例程310的各個(gè)步驟和決策進(jìn)行要求或限制，因?yàn)榭梢允÷?、改變和添加各個(gè)決策和步驟。作為非限制性的實(shí)施例，額外的步驟或步驟系列可特別地將朝向側(cè)屏蔽件的側(cè)壁的寫入極定形為與寫入極側(cè)壁匹配或不同，這會(huì)涉及到使用線性的和曲線的表面來限定跨過多個(gè)側(cè)屏蔽子層的側(cè)屏蔽件側(cè)壁。
[0046]通過對側(cè)屏蔽件的各種調(diào)諧能力，能夠通過ABS處的更精確的磁屏蔽以及在ABS遠(yuǎn)側(cè)的分路和側(cè)屏蔽飽和的風(fēng)險(xiǎn)降低，來優(yōu)化寫入極的磁性能。構(gòu)造在水平層疊件中具有不同材料和形狀的子層的側(cè)屏蔽件的能力允許提高磁場梯度下磁道以及在交叉磁道方向的有效磁場。而且，在ABS遠(yuǎn)側(cè)距寫入極的變化的側(cè)屏蔽件隔開距離能夠降低尤其在高數(shù)據(jù)位面密度環(huán)境下會(huì)危及旋轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的數(shù)據(jù)完整性的EAW、ATI和STE狀態(tài)的風(fēng)險(xiǎn)。
[0047]另外，雖然實(shí)施方案涉及磁編程，應(yīng)理解的是在諸如數(shù)據(jù)讀取傳感器的任意數(shù)量的其他應(yīng)用中能夠輕易低使用所主張的技術(shù)。應(yīng)理解的是，即使與各個(gè)實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)和功能的細(xì)節(jié)一起在前面的說明中闡述了本公開的各個(gè)實(shí)施方案的多個(gè)特性和構(gòu)造，但是該詳細(xì)說明僅是示例性的，并且能夠?qū)?xì)節(jié)進(jìn)行各種改變，特別是本公開的原理內(nèi)對零件的結(jié)構(gòu)和布置方面改變到通過表達(dá)了隨附權(quán)利要求的術(shù)語的廣義的一般性含義所表明的整個(gè)范圍內(nèi)。例如，特定的要素可根據(jù)特定應(yīng)用而變化，而不偏離本技術(shù)的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種裝置，包括沿第一軸線與第一屏蔽件相鄰且沿第二軸線與第二屏蔽件相鄰的寫入極，所述第二屏蔽件在氣浮表面(ABS)上與所述寫入極隔開第一間隙距離且在所述ABS遠(yuǎn)側(cè)與所述寫入極隔開第二間隙距離，所述第一和第二間隙距離在平行于所述ABS取向的第一過渡表面處會(huì)合。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一屏蔽件包括后屏蔽件，所述后屏蔽件定位在所述寫入極的下磁道。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述第二屏蔽件包括側(cè)屏蔽件，所述側(cè)屏蔽件定位成橫向地鄰近所述寫入極且在所述第一屏蔽的上磁道。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述寫入極布置在匹配的側(cè)屏蔽件之間。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述寫入極包括以第一形狀從所述ABS延伸出的第一側(cè)壁，所述第二屏蔽件包括以第二形狀從所述ABS延伸出的第二側(cè)壁，所述第一形狀和第二形狀不同。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二屏蔽件包括平行于所述ABS取向的第二過渡表面，所述第一和第二過渡表面與所述ABS隔開不同的距離。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述第一和第二過渡表面具有不同的長度，所述長度是平行于所述ABS測量到的。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一過渡表面將所述第一間隙距離增加到所述第二間隙距離。
9.磁元件，包括沿第一軸線鄰近第一屏蔽件且沿第二軸線鄰近第二屏蔽件的寫入極，所述第二屏蔽件構(gòu)造為具有第一和第二屏蔽子層的水平層疊件，所述第二屏蔽件在氣浮表面(ABS)與所述寫入極隔開第一間隙距離且在所述ABS遠(yuǎn)側(cè)與所述寫入極隔開第二間隙距離，所述第一和第二間隙距離在平行于所述ABS取向的第一過渡表面處會(huì)合。
10.如權(quán)利要求9所述的磁元件，其中所述第一和第二子層從所述ABS連續(xù)地延伸。
11.如權(quán)利要求9所述的磁元件，其中所述第一子層包括所述第一過渡表面，所述第二子層包括平行于所述ABS取向的第二過渡表面。
12.如權(quán)利要求11所述的磁元件，其中所述第一和第二過渡表面定位在距所述ABS的不同距離處。
13.如權(quán)利要求11所述的磁元件，其中所述第一和第二過渡表面定位在距所述ABS的共同距離處。
14.如權(quán)利要求9所述的磁元件，其中所述第一和第二子層具有不同的磁體密度。
15.如權(quán)利要求9所述的磁元件，其中在垂直于所述ABS的方向上，所述第一子層延伸不遠(yuǎn)于所述第一過渡表面。
16.如權(quán)利要求11所述的磁元件，其中所述第二屏蔽件包括第三子層，所述第三子層從所述第二過渡表面連續(xù)地延伸，而不接觸所述ABS。
17.如權(quán)利要求16所述的磁元件，其中所述第二屏蔽件包括第四子層，所述第四子層從所述第一過渡表面連續(xù)地延伸，而不接觸所述ABS。
18.如權(quán)利要求16所述的磁元件，其中所述第二屏蔽件包括第四子層，所述第四子層具有與所述第一子層不同的磁元件。
19.如權(quán)利要求9所述的磁元件，其中所述第一子層包括朝向?qū)懭霕O的側(cè)壁，所述側(cè)壁構(gòu)造有與所述寫入極的朝向側(cè)屏蔽件的側(cè)壁匹配的形狀。
20.—種方法，包括: 將寫入極定位成沿第一軸線鄰近第一屏蔽件且沿第二軸線鄰近第二屏蔽件；以及使所述第二屏蔽件在氣浮表面(ABS)上與所述寫入極隔開第一間隙距離且在所述ABS遠(yuǎn)側(cè)與所述寫入極隔開第二間隙距離，所述第一和第二間隙距離在平行于所述ABS取向的第一過渡表面處會(huì)合。
【文檔編號】G11B5/60GK104464759SQ201410459021
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日
【發(fā)明者】M·A·巴謝爾, M·格賓斯, S·巴蘇, M·B·穆尼 申請人:希捷科技有限公司