驅(qū)動(dòng)電路和檢測裝置制造方法
【專利摘要】本公開的實(shí)施方式提供一種驅(qū)動(dòng)電路和包含其的檢測裝置。該驅(qū)動(dòng)電路包括：EMI端口；脈沖延時(shí)電路，脈沖延時(shí)電路被配置成與EMI端口相連接，以對EMI端口輸出的脈沖信號進(jìn)行延時(shí)；開關(guān)晶體管，開關(guān)晶體管被配置成與脈沖延時(shí)電路的輸出端相連，并且響應(yīng)于脈沖延時(shí)電路的輸出端的高電平而接通；以及負(fù)載，負(fù)載被配置成與開關(guān)晶體管相連，并且響應(yīng)于開關(guān)晶體管的接通而被驅(qū)動(dòng)。根據(jù)本公開的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路，在不利用芯片的GPIO的情況下，也能夠有效地驅(qū)動(dòng)負(fù)載，并且能夠通過檢測與芯片的EMI端口相連的負(fù)載是否被驅(qū)動(dòng)而有效地檢測芯片的運(yùn)行狀態(tài)。
【專利說明】驅(qū)動(dòng)電路和檢測裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開的實(shí)施方式涉及一種驅(qū)動(dòng)電路，特別涉及一種用于外部存儲(chǔ)器接口(EMI)的端口的驅(qū)動(dòng)電路。本公開的實(shí)施方式還涉及一種包含該驅(qū)動(dòng)電路的檢測裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)地，使用微控制器單元(MCU)來實(shí)現(xiàn)對輸入輸出端口的編程，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制。MCU運(yùn)行編程程序來實(shí)現(xiàn)對與芯片連接的電子器件的控制。有時(shí)候，需要對MCU的工作狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)控，以顯示MCU是否正常運(yùn)行。一種常用的方式，是利用芯片通用輸入/輸出(GP1)的輸出端子來驅(qū)動(dòng)的來驅(qū)動(dòng)LED燈或蜂鳴器等。然而，由于芯片的GP1數(shù)目的限制，常常出現(xiàn)GP1數(shù)目不夠而導(dǎo)致沒有足夠的GP1來驅(qū)動(dòng)LED燈或蜂鳴器等的問題。在GP1數(shù)目不夠的情況下，如何來驅(qū)動(dòng)LED或蜂鳴器等是一個(gè)迫切需要解決的問題。一種容易想到的方案是更換MCU的型號，使用GP1數(shù)目更多的芯片，然而這不可避免地會(huì)增加成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]有鑒于此，本公開的實(shí)施方式的目的之一在于提供一種驅(qū)動(dòng)電路，使得能夠在不利用芯片的GP1的情況下而能夠有效地驅(qū)動(dòng)負(fù)載，并且能夠通過負(fù)載的驅(qū)動(dòng)有效地檢測芯片的運(yùn)行狀態(tài)。
[0004]根據(jù)本公開的一方面，提供一種驅(qū)動(dòng)電路，包括:外部存儲(chǔ)器接口 ；脈沖延時(shí)電路，所述脈沖延時(shí)電路被配置成與所述外部存儲(chǔ)器接口端口相連接，以對所述外部存儲(chǔ)器接口端口輸出的脈沖信號進(jìn)行延時(shí)；開關(guān)晶體管，所述開關(guān)晶體管被配置成與所述脈沖延時(shí)電路的輸出端相連，并且響應(yīng)于所述脈沖延時(shí)電路的輸出端的高電平而接通；以及負(fù)載，所述負(fù)載被配置成與所述開關(guān)晶體管相連，并且響應(yīng)于所述開關(guān)晶體管的接通而被驅(qū)動(dòng)。
[0005]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括在所述外部存儲(chǔ)器接口端口和所述脈沖延時(shí)電路之間串聯(lián)連接的二極管，其中所述二極管被配置成使得在所述外部存儲(chǔ)器接口端口輸出脈沖信號時(shí)所述外部存儲(chǔ)器接口端口和所述脈沖延時(shí)電路導(dǎo)通，并且在所述外部存儲(chǔ)器接口端口不輸出脈沖信號時(shí)所述外部存儲(chǔ)器接口端口和所述脈沖延時(shí)電路截止。
[0006]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，所述脈沖延時(shí)電路包括電阻和與所述電阻并聯(lián)的電容，其中所述脈沖延時(shí)電路被配置成使得在所述外部存儲(chǔ)器接口端口和所述脈沖延時(shí)電路導(dǎo)通時(shí)利用從所述外部存儲(chǔ)器接口端口輸出的脈沖信號，對所述電容充電，并且在所述外部存儲(chǔ)器接口端口不輸出脈沖信號時(shí)，所述電容通過所述電阻進(jìn)行放電，以對所述外部存儲(chǔ)器接口端口輸出的脈沖信號進(jìn)行延時(shí)。
[0007]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，所述脈沖延時(shí)電路還包括分流電阻，用于對從所述外部存儲(chǔ)器接口端口輸出的脈沖信號進(jìn)行分流。
[0008]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，所述外部存儲(chǔ)器接口端口被配置成通過微控制器單元的軟件定時(shí)器中斷而被驅(qū)動(dòng)。
[0009]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，所述負(fù)載為LED燈或蜂鳴器。
[0010]根據(jù)本公開的另一方面，提供一種檢測裝置，包括上述方面的驅(qū)動(dòng)電路。
[0011]根據(jù)本公開的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路和檢測裝置具有以下的一種或多種有利效果。根據(jù)本公開的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路，由于利用外部存儲(chǔ)器接口端口輸出的脈沖信號來驅(qū)動(dòng)負(fù)載，因此不利用芯片的GP1也能夠有效地驅(qū)動(dòng)負(fù)載。根據(jù)本公開的實(shí)施例的檢測裝置，能夠通過檢測與芯片的外部存儲(chǔ)器接口端口相連的負(fù)載是否被驅(qū)動(dòng)而有效地檢測芯片的運(yùn)行狀態(tài)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]現(xiàn)將僅通過示例的方式，參考所附附圖對本公開的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中:
[0013]圖1示例性地圖示了根據(jù)本公開的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的示意框圖；以及
[0014]圖2示例性地圖示了圖1所示的驅(qū)動(dòng)電路的一種示例性實(shí)施的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015]現(xiàn)將結(jié)合附圖對本公開的實(shí)施例進(jìn)行具體的描述。應(yīng)當(dāng)注意的是，附圖中對相似的部件或者功能組件可能使用同樣的數(shù)字標(biāo)示。所附附圖僅僅旨在說明本公開的實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在不偏離本公開精神和保護(hù)范圍的基礎(chǔ)上從下述描述得到選替技術(shù)方案。
[0016]很多MCU都在外圍接口電路中提供現(xiàn)成的外部存儲(chǔ)器接口以方便存儲(chǔ)器擴(kuò)展。通常而言，不同MCU芯片會(huì)有不同的EMI。EMI端口可輸出脈沖以與擴(kuò)展的存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。在很多現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中，不總是利用EMI來擴(kuò)展存儲(chǔ)器，在這種情況下，EMI端口閑置；本公開的基本構(gòu)思在于，通過設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路，利用EMI的輸出脈沖，在不利用芯片的GP1的情況下，來實(shí)現(xiàn)對負(fù)載的驅(qū)動(dòng)，在不增加任何成本的前提下解決GP1不夠用的問題。
[0017]圖1示例性地圖示了根據(jù)本公開的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的示意框圖。如圖1所示，根據(jù)本公開的一個(gè)方面的驅(qū)動(dòng)電路包括:EMI端口 ；脈沖延時(shí)電路，脈沖延時(shí)電路被配置成與EMI端口相連接，以對EMI端口輸出的脈沖信號進(jìn)行延時(shí)；開關(guān)晶體管，開關(guān)晶體管被配置成與脈沖延時(shí)電路的輸出端相連，并且響應(yīng)于脈沖延時(shí)電路的輸出端的高電平而接通；以及負(fù)載，負(fù)載被配置成與開關(guān)晶體管相連，并且響應(yīng)于開關(guān)晶體管的接通而被驅(qū)動(dòng)。
[0018]圖2圖示了圖1所示的驅(qū)動(dòng)電路的一種示例性實(shí)施的示意圖。如圖2所示,驅(qū)動(dòng)電路包括:EMI端口 ；脈沖延時(shí)電路，該脈沖延時(shí)電路示出為由并聯(lián)的電阻Rl和電容Cl構(gòu)成；開關(guān)晶體管1，開關(guān)晶體管I被配置成與脈沖延時(shí)電路的輸出端相連，并且響應(yīng)于脈沖延時(shí)電路的輸出端的高電平而接通；以及負(fù)載2，負(fù)載2被配置成與開關(guān)晶體管I相連，并且響應(yīng)于開關(guān)晶體管I的接通而被驅(qū)動(dòng)。
[0019]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)電路還包括在EMI端口和脈沖延時(shí)電路之間串聯(lián)連接的二極管3，其中二極管3被配置成使得在EMI端口輸出脈沖信號時(shí)EMI端口和脈沖延時(shí)電路導(dǎo)通，并且在EMI端口不輸出脈沖信號時(shí)EMI端口和脈沖延時(shí)電路截止。只要二極管3能起到正向?qū)ǚ聪蚪刂沟墓δ芗纯伞？蛇x地，二極管3的導(dǎo)通時(shí)間短，這樣可使得驅(qū)動(dòng)電路的響應(yīng)快速。二極管3為可直接購買市面上買到的現(xiàn)有技術(shù)的常用器件。在示出的實(shí)施方式中，示例性地示出了封裝有兩個(gè)二極管的二極管組件?？商鎿Q地，僅需要一個(gè)二極管可能實(shí)現(xiàn)本公開的效果。
[0020]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，脈沖延時(shí)電路包括電阻Rl和與電阻Rl并聯(lián)的電容Cl。脈沖延時(shí)電路被配置成使得在EMI端口和脈沖延時(shí)電路導(dǎo)通時(shí)利用從EMI端口輸出的脈沖信號，對電容Cl充電，并且在EMI端口不輸出脈沖信號時(shí)，電容通過電阻Rl進(jìn)行放電，以對EMI端口輸出的脈沖信號進(jìn)行延時(shí)。電阻Rl的電阻值和電容Cl的電容值被適當(dāng)?shù)剡x擇，以能夠?qū)崿F(xiàn)對EMI端口輸出的脈沖能量進(jìn)行存儲(chǔ)和釋放的功能。在一個(gè)實(shí)施例中，脈沖延時(shí)電路能夠?qū)崿F(xiàn)毫秒級別的延時(shí)。例如，Rl可以選擇成IM等，Cl可以選擇成6.8NF,能夠?qū)崿F(xiàn)約6?7ms的延時(shí)。電阻Rl的電阻值和電容Cl的電容值可以根據(jù)需要來進(jìn)行選擇。
[0021]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，脈沖延時(shí)電路還包括分流電阻R2。對于不同的MCU型號而言，MCU的EMI端口輸出的脈沖信號的頻率和幅值不同，為了防止脈沖信號對電容Cl的充電超過電容Cl的耐壓上限，從而導(dǎo)致電容Cl故障，設(shè)置分流電阻R2，起到對從EMI端口輸出的脈沖信號進(jìn)行分流的作用。在示出的實(shí)施方式中，分流電阻R2并聯(lián)在二極管3和由Rl和Cl構(gòu)成的延時(shí)電路的兩端。分流電阻R2也可以采用其他連接方式。
[0022]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，EMI端口被配置成通過MCU的軟件定時(shí)器中斷而被驅(qū)動(dòng)?？梢岳肕CU中運(yùn)行的軟件或固件定時(shí)器中斷(firmware timer interrupt1n)來實(shí)現(xiàn)對EMI端口的編程控制和驅(qū)動(dòng)。
[0023]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，負(fù)載為LED燈或蜂鳴器。在一個(gè)實(shí)施例中，負(fù)載是用于標(biāo)識MCU的工作狀態(tài)的，例如可通過點(diǎn)亮LED燈來表明MCU正常工作，當(dāng)然通過點(diǎn)亮LED燈表明MCU故障也可以。LED燈或蜂鳴器僅僅是示例性地，也可以是能夠被本公開的驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)的其他的警告裝置，只要能起到提醒用戶注意的作用即可。
[0024]根據(jù)本公開的另一方面，還提供一種檢測裝置，包括上述實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)電路的特征和/或組合。該檢測裝置能通過檢測由與MCU的EMI端口相連的負(fù)載(例如，LED燈)是否被驅(qū)動(dòng)而反應(yīng)出MCU的運(yùn)行狀態(tài)。用戶能夠通過觀察LED的點(diǎn)亮與否來判斷MCU是否工作正常。例如，在一種情況下，如果LED燈熄滅，則用戶可能判斷出MCU運(yùn)行出現(xiàn)異常，例如MCU出現(xiàn)死機(jī)或其他故障，可通過采取相應(yīng)地措施，排除故障。
[0025]通過以上描述和相關(guān)附圖中所給出的教導(dǎo)，這里所給出的本公開的許多修改形式和其它實(shí)施方式將被本公開相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員所意識到。因此，所要理解的是，本公開的實(shí)施方式并不局限于所公開的【具體實(shí)施方式】，并且修改形式和其它實(shí)施方式意在包括在本公開的范圍之內(nèi)。此外，雖然以上描述和相關(guān)附圖在部件和/或功能的某些示例組合形式的背景下對示例實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)意識到的是，可以由備選實(shí)施方式提供部件和/或功能的不同組合形式而并不背離本公開的范圍。就這點(diǎn)而言，例如，與以上明確描述的有所不同的部件和/或功能的其它組合形式也被預(yù)期處于本公開的范圍之內(nèi)。雖然這里采用了具體術(shù)語，但是它們僅以一般且描述性的含義所使用而并非意在進(jìn)行限制。
【權(quán)利要求】
1.一種驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括: 外部存儲(chǔ)器接口端口； 脈沖延時(shí)電路，所述脈沖延時(shí)電路被配置成與所述外部存儲(chǔ)器接口端口相連接，以對所述外部存儲(chǔ)器接口端口輸出的脈沖信號進(jìn)行延時(shí)； 開關(guān)晶體管，所述開關(guān)晶體管被配置成與所述脈沖延時(shí)電路的輸出端相連，并且響應(yīng)于所述脈沖延時(shí)電路的輸出端的高電平而接通；以及 負(fù)載，所述負(fù)載被配置成與所述開關(guān)晶體管相連，并且響應(yīng)于所述開關(guān)晶體管的接通而被驅(qū)動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括在所述外部存儲(chǔ)器接口端口和所述脈沖延時(shí)電路之間串聯(lián)連接的二極管， 其中所述二極管被配置成使得在所述外部存儲(chǔ)器接口端口輸出脈沖信號時(shí)所述外部存儲(chǔ)器接口端口和所述脈沖延時(shí)電路導(dǎo)通，并且在所述外部存儲(chǔ)器接口端口不輸出脈沖信號時(shí)所述外部存儲(chǔ)器接口端口和所述脈沖延時(shí)電路截止。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述脈沖延時(shí)電路包括電阻和與所述電阻并聯(lián)的電容， 其中所述脈沖延時(shí)電路被配置成使得在所述外部存儲(chǔ)器接口端口和所述脈沖延時(shí)電路導(dǎo)通時(shí)，利用從所述外部存儲(chǔ)器接口端口輸出的脈沖信號對所述電容充電，并且在所述外部存儲(chǔ)器接口端口不輸出脈沖信號時(shí)，所述電容通過所述電阻進(jìn)行放電，以對所述外部存儲(chǔ)器接口端口輸出的脈沖信號進(jìn)行延時(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述脈沖延時(shí)電路還包括分流電阻，用于對從所述外部存儲(chǔ)器接口端口輸出的脈沖信號進(jìn)行分流。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述外部存儲(chǔ)器接口端口被配置成通過微控制器單元的軟件定時(shí)器中斷而被驅(qū)動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述負(fù)載為LED燈或蜂鳴器。
7.—種檢測裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路。
【文檔編號】G11C8/06GK203941695SQ201420357647
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年6月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月30日
【發(fā)明者】陳加敏, 陸英 申請人:施耐德電氣工業(yè)公司