一種觸發(fā)式行地址寄存電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種觸發(fā)式行地址寄存電路，其特征在于，主要由直流轉(zhuǎn)換芯片U，與直流轉(zhuǎn)換芯片U的P10管腳相連接的行地址寄存器陣列，以及與直流轉(zhuǎn)換芯片U的C1管腳和C2管腳相連接的觸發(fā)電路組成；所述觸發(fā)電路由射極耦合式非對(duì)稱(chēng)電路，以及與其輸出端相連接的無(wú)源π型濾波電路組成。本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，在采用射極耦合式非對(duì)稱(chēng)電路作為觸發(fā)電路后，能最大程度的降低行地址寄存器的能耗，能有效防止電流脈沖對(duì)寄存器的擊穿。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種觸發(fā)式行地址寄存電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種寄存器電路，具體是指出一種觸發(fā)式行地址寄存器電路。

【背景技術(shù)】
[0002]寄存器是CPU里不可缺少的存儲(chǔ)單元，其容量的大小和運(yùn)行速度直接決定了 CPU的性能。目前，較為先進(jìn)的是行地址寄存器和列地址寄存器，而無(wú)論是何種寄存器，其都需要通過(guò)電路來(lái)作為驅(qū)動(dòng)。但是，目前人們所使用的行地址寄存器因其電路結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜而使得其能耗較高，運(yùn)算速度較慢，不能很好的滿足人們的低能耗、高運(yùn)算效率的需求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于克服目前行地址寄存器所存在的能耗較高、運(yùn)算速度較低的缺陷，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、實(shí)用的觸發(fā)式行地址寄存電路。
[0004]本實(shí)用新型的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種觸發(fā)式行地址寄存電路,主要由直流轉(zhuǎn)換芯片U,與直流轉(zhuǎn)換芯片U的PlO管腳相連接的行地址寄存器陣列，以及與直流轉(zhuǎn)換芯片U的Cl管腳和C2管腳相連接的觸發(fā)電路組成；所述觸發(fā)電路由射極耦合式非對(duì)稱(chēng)電路，以及與其輸出端相連接的無(wú)源η型濾波電路組成。
[0005]所述射極耦合式非對(duì)稱(chēng)電路由三極管Ql，三極管Q2，三極管Q3，串接在三極管Q2的發(fā)射極與三極管Q3的基極之間的一級(jí)濾波電路，串接在三極管Q3的集電極與二極管Q2的集電極之間的電阻R7，串接在三極管Ql的集電極與三極管Q2的集電極之間的電阻R3，串接在三極管Ql的發(fā)射極與無(wú)源η型濾波電路之間的二級(jí)濾波電路，串接在三極管Ql的基極與無(wú)源η型濾波電路之間的三級(jí)濾波器，以及串接在三極管Ql的基極與無(wú)源η型濾波電路之間的電阻R2和串接在三極管Q3的基極與無(wú)源π型濾波電路之間的電阻R6組成；所述三極管Q2的基極與三極管Ql的集電極相連接，其集電極與無(wú)源η型濾波電路相連接，所述三極管Q2的發(fā)射極與三極管Q3的發(fā)射極均接地。
[0006]所述無(wú)源型濾波電路由電容Cl、電容C2，以及串接在電容Cl的正極與電容C2的正極之間的電阻R8組成；所述三極管Q2的集電極則與電容C2的正極相連接；電容Cl的正極和負(fù)極則形成輸出端。
[0007]為確保使用效果，所述的電容Cl、電容C2均為貼片電容，而所述行地址寄存器陣列則由6個(gè)行地址寄存器組成，且這6個(gè)行地址寄存器均經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)S與直流轉(zhuǎn)換芯片U的PlO管腳相連接。
[0008]所述直流轉(zhuǎn)換芯片U為ZXLD1320降壓型芯片。
[0009]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點(diǎn)和有益效果:
[0010](I)本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，在采用射極耦合式非對(duì)稱(chēng)電路作為觸發(fā)電路后，能最大程度的降低行地址寄存器的能耗，能有效防止電流脈沖對(duì)寄存器的擊穿。
[0011](2)本實(shí)用新型采用直流轉(zhuǎn)換芯片來(lái)作為降壓芯片，在結(jié)合射極耦合式非對(duì)稱(chēng)電路后，能使得行地址寄存器的存取速度較傳統(tǒng)提供20%以上。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合實(shí)施例及附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
[0014]如圖1所示，本實(shí)用新型所述的觸發(fā)式行地址寄存電路主要由直流轉(zhuǎn)換芯片U，與直流轉(zhuǎn)換芯片U的PlO管腳相連接的行地址寄存器陣列，以及與直流轉(zhuǎn)換芯片U的Cl管腳和C2管腳相連接的觸發(fā)電路組成。
[0015]在本申請(qǐng)中，該直流轉(zhuǎn)換芯片U優(yōu)先采用ZXLD1320降壓型芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)。該ZXLD1320降壓型芯片為ZETEX公司設(shè)計(jì)的專(zhuān)用恒定電流轉(zhuǎn)換電路，其輸入電源電壓VCC為4?18V直流電壓，其輸出電流為1.5A。
[0016]為確保使用效果，該觸發(fā)電路優(yōu)先由射極耦合式非對(duì)稱(chēng)電路，以及與其輸出端相連接的無(wú)源η型濾波電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。其中，射極耦合式非對(duì)稱(chēng)電路由三極管Q1，三極管Q2，三極管Q3，電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8及電容C3、電容C4和電容C5組成。
[0017]無(wú)源Ji型濾波電路為由電容Cl、電容C2，以及串接在電容Cl的正極與電容C2的正極之間的電阻R8所組成的低通濾波電路。根據(jù)實(shí)際需求，該無(wú)源η型濾波電路也可以為高通濾波電路。連接時(shí)，電容Cl的負(fù)極與電容C2的負(fù)極相連接，以確保電阻R8、電容Cl和電容C2之間形成一個(gè)回路。而電容Cl的正極和負(fù)極則形成本實(shí)用新型的輸出端。為確保使用效果，電容Cl和電容C2均為貼片電容。
[0018]所述電阻R5和電容C3相并聯(lián)，形成一級(jí)濾波電路；電阻R4與電容C4相并聯(lián)，形成二級(jí)濾波電路；電阻Rl與電容C5相并聯(lián)，形成三級(jí)濾波電路。連接時(shí)，一級(jí)濾波電路串接在三極管Q2的發(fā)射極與三極管Q3的基極之間，電阻R7串接在三極管Q3的集電極與二極管Q2的集電極之間，電阻R3串接在三極管Ql的集電極與三極管Q2的集電極之間，二級(jí)濾波電路則串接在三極管Ql的發(fā)射極與電容C2的負(fù)極之間，而三級(jí)濾波器則串接在三極管Ql的基極與電容C2的負(fù)極之間。
[0019]所述電阻R2串接在三極管Ql的基極與電容C2的負(fù)極之間，而電阻R6則串接在三極管Q3的基極與電容C2的負(fù)極之間。為確保使用效果，該三極管Q2的基極與三極管Ql的集電極相連接，其集電極與電容C2的正極相連接，三極管Q2的發(fā)射極與三極管Q3的發(fā)射極均接地
[0020]行地址寄存器陣列為由6個(gè)行地址寄存器所組成的一個(gè)陣列組，所述的這6個(gè)行地址寄存器均經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)S與直流轉(zhuǎn)換芯片U的PlO管腳相連接。
[0021]如上所述，便可較好的實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。
【權(quán)利要求】
1.一種觸發(fā)式行地址寄存電路，其特征在于，主要由直流轉(zhuǎn)換芯片U，與直流轉(zhuǎn)換芯片U的P10管腳相連接的行地址寄存器陣列，以及與直流轉(zhuǎn)換芯片U的C1管腳和C2管腳相連接的觸發(fā)電路組成；所述觸發(fā)電路由射極耦合式非對(duì)稱(chēng)電路，以及與其輸出端相連接的無(wú)源η型濾波電路組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種觸發(fā)式行地址寄存電路，其特征在于，所述射極耦合式非對(duì)稱(chēng)電路由三極管Q1，三極管Q2，三極管Q3，串接在三極管Q2的發(fā)射極與三極管Q3的基極之間的一級(jí)濾波電路，串接在三極管Q3的集電極與二極管Q2的集電極之間的電阻R7，串接在三極管Q1的集電極與三極管Q2的集電極之間的電阻R3，串接在三極管Q1的發(fā)射極與無(wú)源η型濾波電路之間的二級(jí)濾波電路，串接在三極管Q1的基極與無(wú)源η型濾波電路之間的三級(jí)濾波器，以及串接在三極管Q1的基極與無(wú)源η型濾波電路之間的電阻R2和串接在三極管Q3的基極與無(wú)源η型濾波電路之間的電阻R6組成；所述三極管Q2的基極與三極管Q1的集電極相連接，其集電極與無(wú)源η型濾波電路相連接，所述三極管Q2的發(fā)射極與三極管Q3的發(fā)射極均接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種觸發(fā)式行地址寄存電路，其特征在于，所述無(wú)源π型濾波電路由電容C1、電容C2，以及串接在電容C1的正極與電容C2的正極之間的電阻R8組成；所述三極管Q2的集電極則與電容C2的正極相連接；電容C1的正極和負(fù)極則形成輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種觸發(fā)式行地址寄存電路，其特征在于，所述的電容C1、電容C2均為貼片電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種觸發(fā)式行地址寄存電路，其特征在于，所述行地址寄存器陣列由6個(gè)行地址寄存器組成，且這6個(gè)行地址寄存器均經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)S與直流轉(zhuǎn)換芯片U的Ρ10管腳相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5任一項(xiàng)所述的一種觸發(fā)式行地址寄存電路，其特征在于，所述直流轉(zhuǎn)換芯片U為ZXLD1320降壓型芯片。
【文檔編號(hào)】G11C19/28GK204189455SQ201420608015
【公開(kāi)日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月18日
【發(fā)明者】王丹 申請(qǐng)人:成都實(shí)瑞達(dá)科技有限公司