本發(fā)明的實施方式涉及調整方法、磁盤裝置以及磁盤裝置的制造方法。

背景技術：

在HDD(Hard Disc Drive：硬盤驅動器)的控制中，作為用于控制頭與盤之間的間隔(頭的上浮量)的一個處理，已知有觸底(touch down)測定。觸底測定是如下的方法：對頭的發(fā)熱元件(heater，加熱器)施加電力而使頭熱膨脹，使頭的一部分向盤突出，由此與盤接觸，測定檢測出與盤接觸時的施加電力(控制量)。

通常，在觸底測定中，基于多次試驗而取得的測定值，算出可能性高的值作為真值。當將相對于該真值而過度的電力施加于頭的加熱器時，頭有可能與盤接觸。頭與盤接觸可能會成為頭故障以及使裝置可靠性降低的原因。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施方式提供一種能夠抑制頭與盤過度接觸的調整方法、磁盤裝置以及磁盤裝置的制造方法。

實施方式的調整方法是一種適用于磁盤裝置的讀動作以及寫動作的調整方法，所述磁盤裝置具備盤和頭，所述頭通過加熱器的加熱而向所述盤側突出，所述加熱器根據(jù)被施加的控制量使熱量變化，在所述調整方法中，算出從第1控制量減去用于使所述頭與所述盤的表面隔開間隔的差值而得到的第1調整量，所述第1控制量是在將所述盤的存儲區(qū)域在旋轉方向上劃分而得到的多個區(qū)域內的第1區(qū)域的表面與所述頭接觸時施加于所述加 熱器的控制量，算出從第2控制量減去所述差值而得到的第2調整量，所述第2控制量是在所述多個區(qū)域內的與所述第1區(qū)域在所述頭的移動方向相鄰的第2區(qū)域的表面與所述頭接觸時施加于所述加熱器的控制量，根據(jù)對所述第1控制量與所述第2控制量進行比較的結果，調整將所述第2調整量施加于所述加熱器的定時。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式涉及的磁盤裝置的構成的框圖。

圖2A是示意性表示第1實施方式涉及的膨脹前的頭的圖。

圖2B是示意性表示第1實施方式涉及的膨脹后的頭的圖。

圖3是說明基于測定結果的控制量的調整方法的概念圖。

圖4A是表示跨磁道一周施加了恒定的控制量時的突出量以及DFH控制中的理想突出量的分布的一例的圖。

圖4B是表示按跨磁道一周而劃分開的各個區(qū)域調整了控制量時的突出量以及DFH控制中的理想突出量的分布的一例的圖。

圖5是是檢測基準的一例的圖。

圖6A是用于示意性說明按各個區(qū)域執(zhí)行觸底測定的情況下的區(qū)域與突出量的關系的圖。

圖6B是用于示意性說明在圖6A中使控制量的調整的定時加快來執(zhí)行的情況下的區(qū)域與突出量的關系的圖。

圖7A是表示圖6A所示的觸底測定中的實際測量的突出量的分布的一例的圖。

圖7B是表示圖6B所示的觸底測定中的實際測量的突出量的分布的一例的圖。

圖8A是用于示意性說明第1實施方式的觸底測定的處理順序的一例的圖。

圖8B是用于示意性說明第1實施方式的觸底測定的處理順序的一例圖。

圖8C是用于示意性說明第1實施方式的觸底測定的處理順序的一例的圖。

圖8D是用于示意性說明第1實施方式的觸底測定的處理順序的一例的圖。

圖9是第1實施方式的觸底測定的流程圖。

圖10是表示磁盤裝置的制造工序的一部分的流程圖。

圖11是表示讀寫動作時的控制量的調整方法的流程圖。

圖12是用于說明變形例的盤的劃分的概念的圖。

圖13是說明變形例的區(qū)段間的控制量的插值方法的一例的圖。

圖14是變形例的按各個區(qū)段執(zhí)行的觸底測定的流程圖的一例。

圖15A是用于示意性說明第2實施方式的按各個區(qū)域執(zhí)行觸底測定的情況下的區(qū)域與突出量的關系的圖。

圖15B是用于示意性說明在圖15A中擴大了區(qū)域的情況下的區(qū)域與突出量的關系的圖。

圖16是第2實施方式的觸底測定方法的流程圖。

具體實施方式

以下，參照附圖來說明實施方式。

(第1實施方式)

在本實施方式中，作為對DFH(Dynamic Flying Height：動態(tài)飛行高度)控制中的磁頭(頭)的上浮量進行評價的技術的一例，對觸底測定方法進行說明。

在DFH控制中，通過控制向設置于頭的發(fā)熱元件(加熱器)的施加電力，控制頭的一部分的熱膨脹量。在DFH控制中，通過該熱膨脹量的控制，控制頭相對于盤的上浮高度(上浮量)。向加熱器的施加電力是與DFH控制量(控制量)成比例的值，按照控制量的大小而變化。控制量由數(shù)字模擬轉換器值(DAC值)表示。

觸底測定是測定頭與盤接觸時的控制量的方法。作為一例舉出如下的 方法：使頭與盤接觸(觸底)，將檢測到該接觸時的控制量設為基準控制量。在檢測到觸底的情況下，能夠推定為頭與盤接觸，因此上浮量可能成為最小值。通過觸底測定而取得的測定值被用于頭的上浮量的控制等。觸底測定在磁盤裝置制造中的測試工序或者作為成品的磁盤裝置中執(zhí)行。

作為適用本實施方式的觸底測定方法的裝置的一例，對磁盤裝置1進行說明。

圖1是表示本實施方式涉及的磁盤裝置1的構成的框圖。圖2A以及圖2B分別是示意性表示本實施方式的頭15和盤10的圖。圖2A是示意性表示膨脹前的頭15的圖，圖2B是示意性表示膨脹后的頭15的圖。

磁盤裝置1具備：后述的頭盤組件(head-disk assembly：HDA)、驅動器IC20、頭放大器集成電路(以下，稱為頭放大器IC)30、易失性存儲器70、非易失性存儲器80、包括單芯片集成電路的系統(tǒng)控制器130和收納它們的框體200。在磁盤裝置1中，系統(tǒng)控制器130與驅動器IC20、頭放大器IC30以及易失性存儲器70分別連接。另外，磁盤裝置1與主機系統(tǒng)(主機)100連接。

HDA具有磁盤(以下，稱為盤)10、主軸馬達(SPM)12、搭載著頭15的臂13和音圈馬達(VCM)14。盤10通過主軸馬達12而旋轉。臂13以及VCM14構成致動器。致動器通過VCM14的驅動將搭載于臂13的頭15移動控制到盤10上的預定的位置。盤10以及頭15分別設有一個以上的數(shù)量。

頭15具備薄膜頭部151和滑塊(slider)153。頭15與頭放大器IC30連接。

薄膜頭部(以下，稱為頭部)151包括讀頭15R、寫頭15W、發(fā)熱元件(加熱器)15H和HDI(Head Disk Interface：頭盤接口)傳感器S1。讀頭15R讀出記錄在盤10上的數(shù)據(jù)。寫頭15W將數(shù)據(jù)寫入到盤10上。以下，將讀頭15R和寫頭15W統(tǒng)稱為記錄再現(xiàn)元件。加熱器15H通過被供給電力而發(fā)熱。頭部151可以包含多個加熱器。在具備多個加熱器的情況下，頭部151可以在讀頭15R和寫頭15W各自的附近分別具備加熱器。

參照圖2A以及圖2B來說明頭15(頭部151)的突出狀態(tài)。此外，在圖2A以及圖2B中，頭15伴隨盤10的旋轉向圖中的箭頭X的方向移動。如圖2A所示，加熱器15H未發(fā)熱的狀態(tài)(通常狀態(tài))是頭部151的記錄再現(xiàn)元件的周圍(以下，稱為記錄再現(xiàn)部155)未向盤10突出的狀態(tài)。如圖2B所示，加熱器15H發(fā)熱的狀態(tài)是記錄再現(xiàn)部155由于來自加熱器15H的熱而熱膨脹，向盤10突出的狀態(tài)。在記錄再現(xiàn)部155突出的情況下，熱膨脹的記錄再現(xiàn)部155的頂點成為頭15的上浮最低點。以下，將頭15從未突出的狀態(tài)到突出的狀態(tài)的變化量稱為突出量。突出量視為與向加熱器15H的供給電力量以及控制量大致成比例。在此，上浮量由盤10與頭15(記錄再現(xiàn)部155的頂點)之差來表示。

因此，通過增大控制量，向加熱器15H的施加電力變大，頭15的突出量變大。另外，通過減小控制量，向加熱器15H的施加電力變小，頭15的突出量變小。即，通過適當?shù)卣{整控制量，能夠在讀動作以及寫動作(讀寫動作)時適當?shù)乜刂祁^15的上浮量。

HDI傳感器S1例如在讀頭15R與寫頭15W之間設置在加熱器15H下側的頭部151的底部附近。HDI傳感器S1與頭放大器IC連接。HDI傳感器S1具備電阻元件。在盤10與頭15接觸的情況下，由于因盤10與頭15的摩擦而產生的微量熱，導致電阻元件的電阻值變化。

返回到圖1，驅動器IC20與SPM12以及VCM14連接，對它們的驅動進行控制。

頭放大器IC30具備未圖示的讀放大器以及寫放大器。讀放大器對由讀頭15R讀出的讀信號進行放大，傳送給后述的R/W信道40。另外，寫放大器將與從R/W信道40輸出的寫信號相應的寫電流傳送給寫頭15W。進而，頭放大器IC30作為向加熱器15H供給施加電力并調整該施加電力量的調整電路發(fā)揮功能。頭放大器IC30檢測HDI傳感器S1的電阻元件的電阻值的變化。

易失性存儲器70是當電源供給切斷時所保存的數(shù)據(jù)丟失的半導體存儲器。易失性存儲器70存儲磁盤裝置1的各部的處理所需的數(shù)據(jù)等。易失 性存儲器70例如是SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory：同步動態(tài)隨機存取存儲器)。

非易失性存儲器80是即使電源供給切斷也對保持所保存的數(shù)據(jù)的半導體存儲器。非易失性存儲器80例如是閃速ROM(Read Only Memory：只讀存儲器)。非易失性存儲器80與系統(tǒng)控制器130(例如，HDC50)連接。

系統(tǒng)控制器130包括R/W信道40、硬盤控制器(HDC)50和微處理器(MPU)(控制器)60。

R/W信道40執(zhí)行讀數(shù)據(jù)以及寫數(shù)據(jù)的信號處理。R/W信道40執(zhí)行從由頭放大器IC30供給的讀信號提取出的讀數(shù)據(jù)的解碼處理。R/W信道40將解碼處理后的讀數(shù)據(jù)傳送給HDC50以及MPU60。讀數(shù)據(jù)包含用戶數(shù)據(jù)以及伺服數(shù)據(jù)。另外，R/W信道40對從HDC50傳送的寫數(shù)據(jù)進行編碼調制，將編碼調制后的寫數(shù)據(jù)轉換成寫信號。R/W信道40將寫信號傳送給頭放大器IC30。

HDC50利用易失性存儲器70來控制主機100與R/W信道40之間的數(shù)據(jù)傳送。

MPU60與磁盤裝置1的各部連接，是控制各部的主控制器。MPU60經(jīng)由驅動器IC20控制VCM14，執(zhí)行在盤10上的半徑方向上定位頭15的伺服控制。另外，MPU60向頭放大器IC30輸出指示信號，控制頭15的突出量以及上浮量。

MPU60具備控制部602和測定部604。它們的處理在固件上執(zhí)行。

控制部602經(jīng)由頭放大器IC30控制對加熱器15H施加的電力?？刂撇?02也能夠基于來自后述的測定部604的指示以及測定結果來控制對加熱器15H施加的電力。在此，控制量能夠由DAC值表示。例如，控制量為最小值即零DAC值的情況下，突出量成為最小，上浮量成為最大值。

圖3是說明基于測定結果的控制量的調整方法的概念圖。在圖3中，橫軸表示測定中的控制量，縱軸表示突出量。在圖3中，縱軸所示的突出量朝向橫軸側(圖3的下方向)而值變大。如圖3所示，突出量與控制量 成比例地變大。在圖3中，示出隨著控制量以及突出量變大，頭15(記錄再現(xiàn)區(qū)域155)向盤10側突出。在圖3中，參照符號DFH0表示判定到觸底時的控制量(以下，稱為判定值)。例如，如圖3所示，通過將從判定值DFH0減去預定的差值而調整后的控制量(以下，稱為調整量)DFH1施加于加熱器，頭從觸底的狀態(tài)切換到突出量VA1的狀態(tài)。在此，將用于從判定值DFH0向調整量DFH1調整的預定的差值稱為退讓(backoff，BO)值。BO值例如是基于對一定數(shù)量的抽樣總體預先測定的測定結果而決定的固定值。另外，BO值例如也可以是預先記錄任意的頻率圖形(pattern)，對由頭15(讀頭15R)讀出的信號的頻率成分進行解析而設定的值。如上所述，例如，控制部602能夠在讀寫動作時參照判定值DFH0，從判定值DFH0減去退讓值而算出調整量DFH1，經(jīng)由頭放大器IC30將與調整量DFH1對應的電力施加于加熱器15H。

測定部604通過各種處理來執(zhí)行觸底測定。測定部604沿圓周方向將盤10的記錄區(qū)域(例如，磁道或柱面)劃分為多個測定區(qū)域(以下，稱為區(qū)域(area))。在此，區(qū)域是執(zhí)行觸底測定的單位，由一個以上的扇區(qū)構成。另外，測定部604從多個區(qū)域中選擇要執(zhí)行觸底測定的區(qū)域。測定部604調整對所選擇出的區(qū)域施加的控制量。例如，測定部604經(jīng)由控制部602按各個區(qū)域來調整要施加的控制量。在調整控制量而頭15與盤10接觸的情況下，測定部604基于預定的(particular)觸底的檢測方法的檢測基準(檢測指標)來判定觸底。例如，測定部604對通過預定的觸底的檢測方法而檢測出的檢測值與檢測基準進行比較，在檢測值超過了檢測基準的情況下判定為觸底。此時，測定部604取得判定到觸底時的控制量作為判定值。測定部604在判定到觸底的情況下將判定值等測定結果保存于盤10的系統(tǒng)區(qū)域。此外，測定部604也可以將測定結果保存于非易失性存儲器80。另外，測定部604也可以在將測定結果暫時保存于易失性存儲器70之后，在適當?shù)臅r機保存于盤10的系統(tǒng)區(qū)域和/或非易失性存儲器80。

測定部604能夠通過幾個已知的方法來檢測觸底。在本實施方式中，作為測定部604使用HDI傳感器S1來檢測觸底進行說明。該情況下，測 定部604通過經(jīng)由頭放大器IC30監(jiān)視來自HDI傳感器S1的輸出信號(電阻值)的變化量(檢測值)來檢測觸底。例如，測定部604在來自HDI傳感器S1的輸出信號的變化量超過檢測基準值的情況下判定為觸底。

此外，測定部604能夠通過其他的方法來檢測觸底。作為一例，測定部604能夠通過監(jiān)視頭15相對于盤10上的半徑方向的位置誤差信號(position error signal：PES)來檢測觸底。例如，測定部604在PES的大小或PES的變化量(檢測值)超過閾值(檢測基準)的情況下判定為觸底。作為其他的例子，測定部604也可以通過將讀信號的振幅、SAGC(servo Gain Control：伺服增益控制)、伺服VGA(Variable Gain Amplifier：可變增益放大器)或數(shù)據(jù)VGA的值、或者VCM14的控制信號作為檢測值來檢測觸底。另外，測定部604也可以參照作為伺服區(qū)域彼此之間的時間間隔的時間戳(time stamp)作為檢測值來檢測觸底。進而，在HDD制造時的測試工序中，在能夠使用AE(Acoustic Emission：聲發(fā)射)傳感器的情況下，測定部604也可以利用該AE傳感器將因觸底引起的頭的振動作為檢測值來檢測。例如，測定部604能夠通過設置于致動器的AE傳感器來檢測頭15的振動，基于所檢測出的振動來檢測觸底。

此外，由于通過前述那樣的檢測方法的檢測基準(檢測指標)來判定觸底，所以判定值的絕對值有時可能會因觸底測定的檢測方法而異。

(觸底測定方法)

圖4A是表示跨磁道一周(以下，稱為一個磁道)施加了恒定的控制量的情況下的頭15的突出量以及DFH控制中的頭15的理想突出量的分布的一例的圖，圖4B是表示按跨一個磁道而劃分開的各個區(qū)域調整了控制量的情況下的突出量以及DFH控制中的頭15的理想突出量的分布的一例的圖。在圖4A中，參照符號L0表示跨一個磁道施加了恒定的控制量的情況下的頭15的突出量的分布(變動)的一例。在圖4A以及圖4B中，參照符號L1表示DFH控制中的頭15的理想突出量的分布(變動)的一例。在圖4B中，參照符號L2表示按各個區(qū)域調整了控制量的情況下的頭15的突出量的分布(變動)的一例。在圖4A以及圖4B中，橫軸表示盤 10上的扇區(qū)(sector)的位置，縱軸表示頭15的突出量。此外，在圖4A以及圖4B中，在橫軸上，從扇區(qū)序號0開始，沿箭頭的方向扇區(qū)序號增大。

如圖4A所示，在跨一個磁道施加了恒定的控制量的情況下，突出量的分布L1與突出量的分布L0不同。因此，在跨一個磁道將與恒定的控制量對應的恒定的電力施加于加熱器15H的情況下，雖然頭15在一個磁道中的某扇區(qū)與盤接觸，但在其他的扇區(qū)有可能不接觸。在執(zhí)行觸底測定的情況下，在突出量最大的扇區(qū)，頭15有可能會與盤10過度接觸。頭15與盤10的過度接觸可能會成為頭15磨損、盤10損傷等損害的原因。

如圖4B所示，在將一個磁道劃分成多個區(qū)域而施加按多個區(qū)域各自調整后的控制量的情況下，能夠跟隨將因盤10上的外部要因等導致的頭15的變動考慮在內的突出量。即，能夠使突出量的分布L1與突出量的分布L2近似。如此，通過以按劃分了一個磁道得到的多個區(qū)域各自測定的控制量來調整各個區(qū)域的頭15的突出量的分布，能夠防止頭15與盤10過度接觸。

以下，說明磁盤裝置1的觸底測定的方法的一例。

磁盤裝置1的測定部604將一個磁道劃分為多個區(qū)域，按各個區(qū)域執(zhí)行觸底測定。此時，測定部604按各個區(qū)域調整控制量。例如，如圖4B所示，測定部604將一個磁道劃分為7個區(qū)域(區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C、區(qū)域D、區(qū)域E、區(qū)域F、區(qū)域G以及區(qū)域H)，按各個區(qū)域執(zhí)行觸底測定。

首先，測定部604施加未檢測到觸底的十分小的控制量(初始控制量)，跨一個磁道(即，劃分開的全部區(qū)域)開始通過預定的觸底檢測方法進行的觸底的檢測。施加了初始控制量時的頭15的突出量(初始突出量)在未檢測到觸底的期間對于一個磁道的全部區(qū)域而言是一樣的。測定部604每當繞著一個磁道旋轉預定的次數(shù)時以預定的增加率使控制量增加，重復進行按各個區(qū)域比較檢測基準與檢測值的處理。例如，測定部604每當繞一個磁道旋轉一圈時通過使控制量從初始控制量增加一點來使向加熱器15H 施加的電力增加一點，使頭15的突出量增大一點。在頭15在預定的區(qū)域與盤10的表面接觸而檢測值超過了檢測基準的情況下，測定部604對該預定的區(qū)域上的觸底檢測進行判定。測定部604將判定時所施加的控制量取得作為判定值，設定表示該預定的區(qū)域上的觸底判定已結束的標記(以下，稱為測定完標記)。測定部604可以將與設定了測定完標記的區(qū)域相關的信息保存于盤10上的系統(tǒng)區(qū)域。此外，測定部604也可以將設定了測定完標記的區(qū)域的信息保存于非易失性存儲器80。另外，測定部604也可以在將與設定了測定完標記的區(qū)域相關的信息暫時保存于易失性存儲器70之后，在適當?shù)臅r機保存于盤10的系統(tǒng)區(qū)域和/或非易失性存儲器80。

在預定的區(qū)域判定了觸底之后，測定部604進一步使控制量比通過之前一個觸底測定而取得的判定值增加，執(zhí)行對一個磁道中的其他區(qū)域的觸底測定。此時，測定部604參照測定完標記以及判定值，在結束了觸底測定的預定的區(qū)域上施加判定值來調整突出量。測定部604執(zhí)行觸底判定，直到全部區(qū)域上的觸底判定結束。測定部604通過按各個區(qū)域取得判定值來調整突出量，能夠以與盤10的形狀相應的與頭15的理想突出量相適合的突出量來執(zhí)行觸底測定。因此，測定部604能夠在抑制頭15與盤10過度接觸的同時執(zhí)行觸底測定。其結果，在觸底測定中，能夠使頭15磨損、盤10損傷等損害達到最小限度。

此外，每當檢測到觸底時都取得了判定值，但測定部604也可以繞一個磁道多圈來執(zhí)行多個觸底測定，將按多個區(qū)域檢測出的多個判定值的平均值取得作為按多個區(qū)域的判定值。

在觸底測定中，若構成各區(qū)域的扇區(qū)的數(shù)量(大小)過小，則可能會產生對觸底測定的測定精度的影響、或因到頭15的突出量的調整完成為止所需的響應時間導致的跟隨延遲的影響等。另一方面，若構成各區(qū)域的扇區(qū)的數(shù)量過大，則無法跟隨理想突出量的分布。因此，構成各區(qū)域的扇區(qū)的數(shù)量優(yōu)選為比基于到頭15的突出量的調整完成為止所需的響應時間的范圍足夠大、且能夠跟隨理想突出量的分布的值。此外，構成各區(qū)域的扇區(qū)的數(shù)量可以預先設定，也可以每次執(zhí)行觸底測定時任意設定。

圖5是表示檢測基準的一例的圖。參照圖5，對使用HDI傳感器(HDIs)S1的DC(Direct Current：直流)輸出來檢測觸底的方法進行說明。此外，本實施方式的觸底的檢測方法也可以是使用HDI傳感器S1的AC(Alternate Current：交流)輸出來檢測觸底的方法、使用時間戳、SAGC以及PES信號來檢測觸底的方法。在圖5中，橫軸表示控制量，縱軸表示按各個伺服扇區(qū)而得到的DC輸出值的平均值或標準偏差。在此，伺服扇區(qū)是包含寫有伺服數(shù)據(jù)的伺服區(qū)域和該伺服區(qū)域與在圓周方向上相鄰的伺服區(qū)域之間的數(shù)據(jù)區(qū)域的區(qū)域。在圖5中，在使用觸底(TD)的檢測基準1的情況下，測定部604在DC輸出值(控制量)的平均值的斜率為閾值以下的情況下判定為滿足了觸底的檢測條件。另外，在使用觸底的檢測基準2的情況下，測定部604在DC輸出值(控制量)的標準偏差為閾值以上的情況下判定為滿足了觸底的檢測條件。在本實施方式中，測定部604使用這些檢測基準按各個區(qū)域執(zhí)行觸底檢測條件的判定。此外，圖5所示的檢測基準是一例，在本實施方式的觸底檢測中也可以使用檢測基準1以及檢測基準2以外的檢測基準。

(觸底測定時的突出量的控制方法)

圖6A是用于示意性說明按各個區(qū)域執(zhí)行觸底測定的情況下的區(qū)域與突出量的關系的圖，圖6B是用于示意性說明相對于圖6A使控制量的調整的定時加快(提前)來執(zhí)行的情況下的區(qū)域與突出量的關系的圖。在圖6A中，虛線L3表示DFH控制中的各個區(qū)域的控制量的分布(變動)，實線L4表示DFH控制中的頭15的實際的突出量的分布(變動)。在圖6B中，虛線L3’表示相對于圖6A的虛線L3提前執(zhí)行控制量的調整的情況下的各個區(qū)域的控制量的分布(變動)，實線L4’表示相對于圖6A的實線L4提前執(zhí)行控制量的調整的情況下的實際的突出量的分布(變動)。此外，在圖6A以及圖6B中，將一個磁道劃分為4個區(qū)域(區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C以及區(qū)域D)。在圖6A以及圖6B中，橫軸表示盤10上的扇區(qū)的位置(即，盤10上的圓周方向的位置)，縱軸表示頭15的突出量。在圖6A以及圖6B中，在橫軸上，設為盤10從區(qū)域A向區(qū)域D旋轉。此外，在 圖6A以及圖6B中，在橫軸上，從區(qū)域A的左端的扇區(qū)(扇區(qū)序號0)向箭頭的方向，各區(qū)域的扇區(qū)序號增大。

在調整控制量的情況下，需要一定的時間常數(shù)(響應時間)，直到與調整前的控制量對應的突出量達到與調整后的控制量對應的突出量。例如，如圖6A所示，在從區(qū)域A向區(qū)域B切換的定時調整了控制量的情況下，在從區(qū)域A的突出量到達區(qū)域B的突出量之前，產生如曲線C4B所示緩慢變化的響應區(qū)間(以下，稱為響應區(qū)間)L3B。同樣，如圖6A所示，在從區(qū)域C向區(qū)域D切換的定時調整了控制量的情況下，在從區(qū)域C的突出量到達區(qū)域D的突出量之前，產生如曲線C4D所示緩慢變化的響應區(qū)間L3D。如此，在通過減小DFH控制中的控制量來減小突出量的情況下，實際的頭15的實際的突出量的分布L4延遲一定時間地跟隨各個區(qū)域的控制量的分布L3。另外，如圖6A所示，在從區(qū)域B的突出量到達區(qū)域C的突出量之前，產生如曲線C4C所示緩慢變化的響應區(qū)間L3C。如此，即使在通過增大DFH控制中的控制量來增大突出量的情況下，頭15的實際的突出量的分布L4也延遲一定時間地跟隨各個區(qū)域的控制量的分布L3。在圖6A中，在區(qū)域B的響應區(qū)間L3B以外的后半?yún)^(qū)間的控制量為判定值的情況下，區(qū)域B的響應區(qū)間L3B的突出量處于比施加了區(qū)域B的判定值時的突出量大的狀態(tài)。同樣，在圖6A中，在區(qū)域D的響應區(qū)間L3D以外的后半?yún)^(qū)間的控制量為判定值的情況下，區(qū)域D的響應區(qū)間L3D的突出量處于比施加了區(qū)域D的判定值時的突出量大的狀態(tài)。即，在圖6A的響應區(qū)間L3B以及L3D中，處于頭15向盤10過度突出的狀態(tài)。因此，在該區(qū)間，可能會產生頭15磨損、盤10損傷等損害。進而，在響應區(qū)間L3B以及L3D中，根據(jù)在區(qū)域A以及區(qū)域C的觸底測定中使控制量增加，頭15進一步向盤10側突出。

因此，在本實施方式中，控制部602參照在觸底測定時包含當前配置頭15的位置的區(qū)域(以下，稱為當前區(qū)域)的與頭15的移動方向相鄰的下一個區(qū)域的觸底測定的結果等，判定下一個區(qū)域是否已完成觸底檢測。在下一個區(qū)域已完成觸底檢測的情況下，控制部602提前(加快)響應時 間以上的時間，調整控制量(突出量)。在此，提前的時間可以是對各區(qū)域恒定的值，也可以是按各區(qū)域而異的值。另外，提前的時間可以是預先測定而設定的值，也可以是根據(jù)控制量的變化量而變動的值。例如，如圖6B的區(qū)域A所示，控制部602提前與圖6A的區(qū)域B的響應區(qū)間L3B對應的時間，在向區(qū)域A的區(qū)間(提前的區(qū)間)A3’A切換的定時，將控制量調整為區(qū)域B的判定值。同樣，如圖6B的區(qū)域C所示，控制部602提前與圖6A的區(qū)域D的響應區(qū)間L3D對應的時間，在向區(qū)域C的提前區(qū)間A3’C切換的定時，將控制量調整為區(qū)域D的判定值。如此，在當前區(qū)域的控制量比下一個區(qū)域的判定值大的情況下，控制部602提前從當前區(qū)域的突出量變化到下一個區(qū)域的突出量為止的響應時間以上的時間來進行調整。

此外，在當前區(qū)域的控制量比下一個區(qū)域的判定值大的情況下，控制部602也可以將要施加的控制量提前調整為從下一個區(qū)域的判定值減去退讓值得到的調整量。以下，為了便于說明，在當前區(qū)域的控制量比下一個區(qū)域的判定值大的情況下，控制部602將要施加的控制量提前調整為下一個區(qū)域的判定值。

圖7A是追加表示圖6A所示的觸底測定中的實際測量的突出量的分布的一例的圖，圖7B是追加表示圖6B所示的觸底測定中的實際測量的突出量的分布的一例的圖。在圖7A以及圖7B中，實線L11表示由實測得到的觸底時的突出量的分布的一例。即，實線L11表示通過觸底測定而取得的盤10的凹凸或頭15觸底時在盤10上的變動的一例。在圖7A中，與圖6A所示的情況同樣，控制部602在區(qū)域切換的定時調整控制量。此時，在圖7A的區(qū)域B的V1、區(qū)域D的V3的位置，由DFH控制實現(xiàn)的頭15的突出量的分布L4與觸底時的突出量的分布L11相比非常大。即，在這些位置，頭15有可能會與盤10過度接觸。

另一方面，在圖7B中，與圖6B所示的情況同樣，控制部602提前與圖7A的區(qū)域B的響應區(qū)間L3B對應的時間，在向區(qū)域A的區(qū)間(提前區(qū)間)A3’A切換的定時，提前調整控制量。此時，在圖7B的區(qū)域B的V1、 區(qū)域D的V3的位置，由DFH控制實現(xiàn)的突出量的分布L4’與觸底時的突出量的分布L11大致同等。即，頭15沒有與盤10過度接觸。因此，在如圖7B所示提前調整控制量的情況下，防止了頭15與盤10過度接觸。其結果，可抑制頭15磨損、盤10損傷等損害。

(觸底測定的處理順序)

以下，對本實施方式的觸底測定的處理順序的一例進行說明。圖8A、圖8B、圖8C以及圖8D是用于示意性說明本實施方式的觸底測定的處理順序的一例的圖。按圖8A～圖8D的順序推進觸底測定的處理。虛線L5表示理想突出量的分布，實線L6表示由DFH控制實現(xiàn)的實際的突出量的分布(變動)。此外，在圖8A～圖8D中，將一個磁道劃分為4個區(qū)域(區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C以及區(qū)域D)。在圖8A～圖8D中，橫軸表示盤10上的扇區(qū)的位置，縱軸表示頭15的突出量。在這些各圖中，設為盤10從區(qū)域向區(qū)域D旋轉。此外，在圖8A～圖8D中，在橫軸上，從區(qū)域A的左端的扇區(qū)(扇區(qū)序號0)向箭頭的方向，各區(qū)域的扇區(qū)序號變大。在本實施方式的觸底測定中，MPU60使控制量從十分小的初始控制量增加，按各個區(qū)域執(zhí)行觸底測定。此外，設想反復執(zhí)行觸底的檢測直到全部區(qū)域的觸底判定結束為止。

首先，MPU60對全部區(qū)域一概施加初始控制量。圖8A是表示對各區(qū)域一概施加了控制量的情況的圖。在圖8A中，參照符號BTD表示施加了初始控制量時的突出量。在此，在圖8A的區(qū)域B中，設為MPU60判定到了觸底。MPU60取得判定值等測定結果，使對區(qū)域B以外的區(qū)域施加的控制量一概增加。此時，區(qū)域B的突出量維持為突出量BTD。

圖8B是表示使區(qū)域B以外的區(qū)域的控制量從圖8A所示的控制量一概增加了的情況的圖。在圖8B中，參照符號DTD表示對區(qū)域B以外的區(qū)域施加的控制量下的突出量。如圖8B所示，MPU60在向區(qū)域A的提前區(qū)間A5A切換的定時將控制量提前調整為區(qū)域B的判定值(與突出量BTD對應的值)。在此，在圖8B的區(qū)域D中，設為MPU60判定到了觸底。MPU60取得測定結果，使對區(qū)域B以及區(qū)域D以外的區(qū)域施加的控制量一概增加。 此時，區(qū)域B的突出量維持為突出量BTD，區(qū)域D的突出量維持為突出量DTD。

圖8C是表示使區(qū)域A以及區(qū)域C的控制量從圖8B所示的控制量一概增加了的情況的圖。在圖8C中，參照符號CTD表示對區(qū)域A以及區(qū)域C施加的控制量下的突出量。如圖8C所示，MPU60在向區(qū)域A的提前區(qū)間A5A切換的定時將控制量提前調整為區(qū)域B的判定值，在向區(qū)域C切換的定時調整控制量，在向區(qū)域C的提前區(qū)間A5C切換的定時將控制量提前調整為區(qū)域D的判定值(與突出量DTD對應的值)。在此，在圖8C的區(qū)域C中，設為MPU60判定到了觸底。MPU60取得測定結果，使對區(qū)域A施加的控制量增加。此時，區(qū)域B的突出量維持為突出量BTD，區(qū)域D的突出量維持為突出量DTD，區(qū)域C的突出量維持為突出量CTD。

圖8D是表示使區(qū)域A的控制量從圖8C所示的控制量增加了的情況的圖。在圖8D中，參照符號ATD表示對區(qū)域A施加的控制量下的突出量。如圖8D所示，MPU60在區(qū)域A調整控制量，在向區(qū)域A的提前區(qū)間A5A切換的定時將控制量調整為區(qū)域B的判定值，在向區(qū)域C切換的定時將控制量調整為區(qū)域C的判定值(與突出量CTD對應的值)，在向區(qū)域C的提前區(qū)間A5C切換的定時將控制量提前調整為區(qū)域D的判定值。在此，在圖8D的區(qū)域A中，設為MPU60判定到了觸底。MPU60取得測定結果，確認在全部區(qū)域已判定到了觸底，結束一系列的觸底測定。

此外，也可以將圖8D所示那樣的對各區(qū)域調整控制量的調整處理應用于讀寫動作時等的頭15的上浮量的控制。即，MPU60在讀寫動作時等，參照通過觸底測定而取得的判定值，控制對各個區(qū)域施加的控制量。MPU60按各個區(qū)域從判定值減去退讓值來分別算出調整量。MPU60在下一個區(qū)域的判定值比當前區(qū)域的判定值小的情況下，提前頭15的響應時間以上的時間來施加調整量。例如，如圖8D所示，MPU60在從區(qū)域A向區(qū)域B切換的位置之前的區(qū)域A設定提前區(qū)間A5A，在向提前區(qū)間A5A切換的位置施加調整量。通過如此進行控制，能夠防止在讀寫時頭15與盤10過度接觸。

此外，MPU60也可以將判定值等與測定結果相關的信息保存于非易失性存儲器80。另外，MPU60也可以在將與測定結果相關的信息暫時保存于易失性存儲器70之后，在適當?shù)臅r機保存于盤10的系統(tǒng)區(qū)域和/或非易失性存儲器80。

(觸底測定時的動作)

圖9是磁盤裝置1中的觸底測定時的動作的流程圖。

在B901中，MPU60設定在觸底測定開始時所施加的十分小的控制量(初始控制量)。

在B902中，MPU60將一個磁道劃分為多個區(qū)域，從劃分開的多個區(qū)域選擇開始觸底測定的最初區(qū)域。

在B903中，MPU60在觸底測定時參照包含當前配置頭15的位置的區(qū)域(當前區(qū)域)的測定完標記，判斷在當前區(qū)域是否判定到了觸底。

在判斷為未判定到觸底的情況下(B903的“否”)，處理進入B904的處理。在判斷為判定到了觸底的情況下(B903的“是”)，處理進入B913的處理。

在B904中，MPU60從盤10上的系統(tǒng)區(qū)域等取得對當前區(qū)域施加的控制量(在此為初始控制量)的信息。

在B905中，MPU60調整為與當前區(qū)域對應的控制量(初始控制量)來開始觸底測定。

在B906中，MPU60使用預定的觸底的檢測方法，在當前區(qū)域所包含的各扇區(qū)對所檢測出的檢測值與檢測基準進行比較。

在B907中，MPU60參照所檢測出的檢測值與檢測基準的比較結果，判定是否判定到了觸底。在判定到了觸底的情況下(B907的“是”)，在B908中，MPU60對當前區(qū)域設定測定完標記，將判定到了觸底時的控制量作為判定值保存于盤10上的系統(tǒng)區(qū)域。此外，MPU60也可以將判定值等與測定結果相關的信息保存于非易失性存儲器80。另外，MPU60也可以在將判定值等與測定結果相關的信息暫時保存于易失性存儲器70之后，在適當時機保存于盤10的系統(tǒng)區(qū)域和/或非易失性存儲器80。另一方面， 在判定為未觸底的情況下(B907的“否”)，MPU60進入B909的處理。

在B909中，MPU60參照在觸底測定時在當前區(qū)域的接下來包含配置頭15的位置的區(qū)域(下一個區(qū)域)的測定完標記，判斷是否判定到了下一個區(qū)域的觸底。此外，在B909中，在當前區(qū)域是一個磁道的最后區(qū)域的情況下，MPU60作為下一個區(qū)域而參照該磁道的最初區(qū)域的測定完標記，判斷是否判定到了最初區(qū)域的觸底。

在基于下一個區(qū)域的測定完標記而判斷為未判定到觸底的情況下(B909的“否”)，MPU60進入B921的處理。

另一方面，在基于下一個區(qū)域的測定完標記而判斷為判定到了觸底的情況下(B909的“是”)，在B910中，MPU60取得所保存的下一個區(qū)域的判定值。此外，MPU60也可以從非易失性存儲器80取得當前的判定值。

在B911中，MPU60判斷下一個區(qū)域的判定值是否比當前區(qū)域的控制量小。

在判斷為下一個區(qū)域的判定值比當前區(qū)域的控制量大的情況下(B911的“否”)，進入B921的處理。

在判斷為下一個區(qū)域的判定值比當前區(qū)域的控制量小的情況下(B911的“是”)，在B912中，MPU60取得下一個區(qū)域的判定值，將控制量提前調整為所取得的判定值，進入B921的處理。

另一方面，在前述的B903的處理中判斷為判定到了觸底的情況下(B903的“是”)，在B913中，MPU60取得在盤10上的系統(tǒng)區(qū)域等所存儲的當前區(qū)域的判定值。此外，測定部604也可以從非易失性存儲器80取得當前的判定值。

在B914中，MPU60調整控制量以使其成為所取得的判定值。

在B915中，MPU60參照下一個區(qū)域的測定完標記，判斷是否判定到了下一個區(qū)域的觸底。此外，在當前區(qū)域是一個磁道的最后區(qū)域的情況下，MPU60作為下一個區(qū)域而參照該磁道的最初區(qū)域的測定完標記，判斷是否判定到了最初區(qū)域的觸底。

在基于下一個區(qū)域的測定完標記而判斷為未判定到下一個區(qū)域的觸底的情況下(B915的“否”)，MPU60進入B921的處理。另一方面，在判斷為判定到了下一個區(qū)域的觸底的情況下(B915的“是”)，在B916中，MPU60取得在盤10上的系統(tǒng)區(qū)域所存儲的下一個區(qū)域的判定值，進入B917的處理。此外，MPU60也可以從非易失性存儲器80取得當前的判定值。

在B917中，MPU60判斷下一個區(qū)域的判定值是否比當前區(qū)域的判定值小。

在判斷為下一個區(qū)域的判定值比當前區(qū)域的判定值大的情況下(B917的“否”)，MPU60進入B921的處理。另一方面，在判斷為下一個區(qū)域的判定值比當前區(qū)域的判定值小的情況下(B917的“是”)，在B918中，MPU60提前調整控制量以使其成為下一個區(qū)域的判定值。

在B919中，MPU60判斷當前區(qū)域是否為一個磁道的最后區(qū)域。在判斷為當前區(qū)域不是最后區(qū)域的情況下(B919的“否”)，在B920中，MPU60將當前區(qū)域切換到下一個區(qū)域，返回到B915的處理。在判斷為當前區(qū)域是最后區(qū)域的情況下(B919的“是”)，MPU60進入B921的處理。

在B921中，MPU60判斷當前區(qū)域是否為一個磁道的最后區(qū)域。在判斷為當前區(qū)域不是最后區(qū)域的情況下(B921的“否”)，在B922中，MPU60將當前區(qū)域切換到下一個區(qū)域，返回到B903的處理。在判斷為當前區(qū)域是最后區(qū)域的情況下(B921的“是”)，在B923中，MPU60判斷是否判定到了全部區(qū)域的觸底。

在判斷為未判定到全部區(qū)域的觸底的情況下(B923的“否”)，在B924中，MPU60使控制量增加，返回到B902的處理。在判斷為判定到了全部區(qū)域的觸底的情況下(B923的“是”)，MPU60結束觸底測定的處理。

(磁盤裝置的制造工序)

接著，使用圖10來說明磁盤裝置1的制造工序的一部分。

圖10是表示磁盤裝置1的制造工序的一部分的流程圖。

當開始制造時，經(jīng)過預定的工序，在B1001中，盤10被組裝入磁盤1的框體200內。

在B1002中，執(zhí)行圖9所示的觸底測定。

在B1003中，對讀寫動作進行調整(包含試驗以及檢查)，經(jīng)過預定的工序，制造工序結束。

(讀寫動作時的控制量的調整方法)

以下，參照圖11對磁盤裝置1的讀寫動作時的控制量的調整方法進行說明。磁盤裝置1如圖8D所示，參照通過觸底測定而取得的判定值，調整讀寫動作時的控制量。此外，磁盤裝置1將通過圖9所示的觸底測定而取得的盤10的各區(qū)域的判定值存儲于存儲介質、例如盤10的系統(tǒng)區(qū)域。

圖11是表示讀寫動作時的控制量的調整方法的流程圖。

當開始讀寫動作時，在B1101中，MPU60選擇要執(zhí)行讀寫動作的最初的扇區(qū)，將頭15定位(或移動)到所選擇出的最初的扇區(qū)上。

在B1102中，MPU60從盤10的系統(tǒng)區(qū)域等取得當前區(qū)域的判定值。此外，測定部604也可以從非易失性存儲器80取得判定值。

在B1103中，MPU60從當前區(qū)域的判定值減去BO值來算出調整量，將控制量調整為當前區(qū)域的調整量。

在B1104中，MPU60從盤10的系統(tǒng)區(qū)域等取得與頭15的行進方向相鄰的下一個區(qū)域的判定值。此外，測定部604也可以從非易失性存儲器80取得判定值。

在B1105中，MPU60對當前區(qū)域的判定值與下一個區(qū)域的判定值進行比較。在判斷為下一個區(qū)域的判定值比當前區(qū)域的判定值小的情況下(B1105的“是”)，在B1106中，MPU60從下一個區(qū)域的判定值減去BO值來算出下一個區(qū)域的調整量，將與施加于加熱器15H的電力對應的控制量提前調整為下一個區(qū)域的調整量，進入B1107的處理。另一方面，在判斷為下一個區(qū)域的判定值比當前區(qū)域的判定值大的情況下(B1105的“否”)，MPU60進入B1107的處理。

在B1107中，MPU60判斷是否結束讀寫動作。在繼續(xù)讀寫動作的情 況下(B1107的“否”)，在B1108中，MPU60將當前區(qū)域切換到下一個區(qū)域，返回到B1104的處理。另一方面，在結束讀寫動作的情況下(B1107的“是”)，MPU60結束讀寫動作。

根據(jù)本實施方式，磁盤裝置1按將一個磁道劃分開的多個區(qū)域的各個區(qū)域來執(zhí)行觸底測定。磁盤裝置1參照通過觸底測定而取得的觸底判定時的控制量(判定值)，控制各區(qū)域的頭15的突出量。另外，磁盤裝置1在下一個區(qū)域的判定值比當前區(qū)域的判定值小的情況下，提前調整控制量以使其成為下一個區(qū)域的判定值。通過如此進行控制，可抑制頭15與盤10過度接觸。其結果，可防止頭15磨損、盤10損傷等損害。

接著對第1實施方式的變形例涉及的磁盤裝置以及測定方法進行說明。在實施方式的變形例中，對與前述的第1實施方式相同的部分標注相同的參照符號而省略其詳細內容的說明。

(變形例)

第1實施方式的變形例的磁盤裝置1是與第1實施方式大致同等的構成，但不同之處在于執(zhí)行盤10上的徑向的觸底測定的處理。

MPU60將盤10在徑向上劃分為多個區(qū)段(zone)，而且在圓周方向(旋轉方向)上劃分為多個區(qū)域。區(qū)段是包含多個柱面(磁道)的區(qū)域。另外，以下，將在圓周方向上將各區(qū)段劃分成多個區(qū)域而得到的區(qū)域稱為節(jié)(section)。MPU60從多個區(qū)段中選擇預定數(shù)量的區(qū)段，從多個區(qū)域中選擇預定數(shù)量的區(qū)域。即，通過所選擇出的區(qū)段與區(qū)域的組合，選擇預定數(shù)量的節(jié)。MPU60對所選擇出的節(jié)所包含的至少一個柱面執(zhí)行觸底測定。MPU60按各個節(jié)使在各柱面取得的判定值平均化來算出判定值的平均值(以下，稱為平均值)。進而，MPU60使用所選擇出的各個節(jié)的平均值，對未被選擇的節(jié)的判定值的平均值進行插值。MPU60將所選擇出的節(jié)的平均值和通過補充而算出的未被選擇的節(jié)的平均值的信息保存于盤10的系統(tǒng)區(qū)域。此外，MPU60也可以將這些平均值保存于非易失性存儲器80。另外，MPU60也可以在將各平均值暫時保存于易失性存儲器70之后，在適當?shù)臅r機保存于盤10的系統(tǒng)區(qū)域和/或非易失性存儲器80。

圖12是用于概念性地說明對盤10的劃分的圖，圖13是說明區(qū)段間的控制量的插值方法的一例的圖。

在圖12中，盤10在徑向上劃分為6個區(qū)段(區(qū)段0、區(qū)段1、區(qū)段2、區(qū)段3、區(qū)段4以及區(qū)段5)，在圓周方向上劃分為8個區(qū)域(區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C、區(qū)域D、區(qū)域E、區(qū)域F、區(qū)域G以及區(qū)域H)。在此，設為在圖12中，區(qū)域A、區(qū)域D、區(qū)域F各自的區(qū)段0、區(qū)段2以及區(qū)段4執(zhí)行了觸底測定。在圖13中，橫軸表示盤10的徑向，縱軸表示退讓控制時的控制量。在圖13中，在縱軸上，從與橫軸的交點側向垂直方向，值增大。

在圖13中，示出了從各區(qū)域的各節(jié)的各個區(qū)域上的控制量的平均值分別減去退讓(BO)值而得到的多個控制量。在圖13中，從區(qū)域A的節(jié)SA0的控制量的平均值、區(qū)域D的節(jié)SD0的控制量的平均值和區(qū)域F的節(jié)SF0的控制量的平均值分別減去BO值而得到的控制量(調整量)示出在區(qū)段0的線上。同樣，從區(qū)域A的節(jié)SA2的控制量的平均值、區(qū)域D的節(jié)SD2的控制量的平均值和區(qū)域F的節(jié)SF2的控制量的平均值分別減去BO值而得到的控制量示出在區(qū)段2的線上。同樣，從區(qū)域A的節(jié)SA4的控制量的平均值、區(qū)域D的節(jié)SD4的控制量的平均值和區(qū)域F的節(jié)SF4的控制量的平均值分別減去BO值而得到的控制量示出在區(qū)段4的線上。以下，將從平均值減去BO值的處理稱為退讓控制。

MPU60在區(qū)域A、區(qū)域D、區(qū)域F各自的區(qū)段0、區(qū)段2以及區(qū)段4執(zhí)行觸底測定。如圖13所示，在區(qū)段0，由于節(jié)SA0、節(jié)SD0以及節(jié)SF0的各平均值不同，退讓控制時的控制量也因節(jié)SA0、節(jié)SD0以及節(jié)SF0而分別不同。另外，在區(qū)段2，與區(qū)段0的情況同樣，在節(jié)SA2、節(jié)SD2以及節(jié)SF2的控制量上也存在差。但是，在區(qū)段4，在節(jié)SA4、節(jié)SD4以及節(jié)SF4的控制量上沒有差。

在對未被執(zhí)行測定的節(jié)的退讓控制時的控制量進行插值的情況下，MPU60按各個區(qū)域獨立地執(zhí)行插值處理。例如，MPU60按各個區(qū)域執(zhí)行線形插值。具體而言，關于區(qū)域A，MPU60使用節(jié)SA0和節(jié)SA2的退讓 控制時的控制量，對區(qū)段0與區(qū)段2之間的區(qū)段1的節(jié)的控制量進行線形插值。MPU60將被插值得到的區(qū)段1的節(jié)的控制量保存于盤10上的系統(tǒng)區(qū)域。

圖14是表示按各個區(qū)段執(zhí)行的觸底測定的流程圖的一例的圖。在此，盤10在徑向上被劃分為多個區(qū)段，進而在圓周方向上被劃分為多個區(qū)域，由此被劃分為多個節(jié)。

在B1401中，MPU60選擇最初要執(zhí)行測定的區(qū)段。

在B1402中，MPU60在所選擇出的區(qū)段內選擇要執(zhí)行測定的柱面。

在B1403中，MPU60在由B1402選擇出的柱面執(zhí)行觸底測定。

在B1404中，MPU60判斷對包含被執(zhí)行觸底測定的柱面在內的區(qū)段(以下，稱為當前區(qū)段)進行的觸底測定是否結束。

在判斷為對當前區(qū)段的觸底測定未結束的情況下(B1404的“否”)，在B1405中，MPU60選擇下一個柱面，返回到B1403的處理。

另一方面，在判斷為對當前區(qū)段的觸底測定已結束的情況下(B1404的“是”)，在B1406中，MPU60取得在當前區(qū)段內觸底測定完的節(jié)所包含的多個(預定的)柱面的判定值。MPU60使在節(jié)內所取得的柱面的判定值平均化，算出各節(jié)的判定值的平均值。MPU60將所算出的平均值保存于盤10上的系統(tǒng)區(qū)域。此外，MPU60也可以將測定結果保存于非易失性存儲器80。另外，MPU60也可以在將測定結果暫時保存于易失性存儲器70之后，在適當?shù)臅r機保存于盤10的系統(tǒng)區(qū)域和/或非易失性存儲器80。

在B1407中，MPU60判斷作為測定對象而選擇出的全部區(qū)段的觸底測定是否結束。在判斷為全部區(qū)段的觸底測定未結束的情況下(B1407的“否”)，MPU60選擇下一個區(qū)段，返回到B1402的處理。

另一方面，在判斷為全部區(qū)段的觸底測定已結束的情況下(B1407的“是”)，MPU60結束對盤10的按各個區(qū)段執(zhí)行的觸底測定。

此外，圖14所示的觸底測定也可以適用于圖10所示的制造工序。

根據(jù)本實施方式，磁盤裝置1將盤10在徑向上劃分為多個區(qū)段，按各個區(qū)段執(zhí)行觸底測定。另外，磁盤裝置1按區(qū)段內的預定數(shù)量的柱面來執(zhí) 行觸底測定，將在各柱面測定出的判定值按節(jié)進行平均化來算出平均值。進而，磁盤裝置1通過插值來算出未被測定的區(qū)段的控制量。如此，通過選擇要測定的區(qū)域，本實施方式的磁盤裝置1能夠以更短的時間執(zhí)行徑向的觸底測定。另外，通過按節(jié)進行平均化來算出判定值，在由于盤10上的突起等而導致判定值異常的情況下，能夠使異常的判定值的影響平滑化。

接著對其他實施方式涉及的磁盤裝置以及測定方法進行說明。在其他的實施方式中，對與前述的實施方式相同的部分標注相同的參照符號而省略其詳細內容的說明。

(第2實施方式)

第2實施方式的磁盤裝置1為與前述的實施方式大致同等的構成，但不同之處在于在觸底測定時對區(qū)域的邊界進行控制。

本實施方式的MPU60在下一個區(qū)域的判定值比當前區(qū)域的判定值小的情況下，將當前區(qū)域擴大。此時，MPU60從當前區(qū)域的范圍擴大與到達下一個區(qū)域的判定值的突出量為止的頭15的響應時間對應的區(qū)間(響應區(qū)間)以上的范圍。

(觸底測定時的區(qū)域的控制方法)

圖15A是用于示意性說明按各個區(qū)域執(zhí)行觸底測定的情況下的區(qū)域與突出量的關系的圖，圖15B是用于示意性說明在圖15A中擴大了區(qū)域的情況下的區(qū)域與突出量的關系的圖。在圖15A中，虛線L3表示理想突出量的分布，實線L4表示由DFH控制得到的突出量的分布。在圖15B中，擴大區(qū)域A表示對圖15A的區(qū)域A在扇區(qū)方向(圓周方向)上擴大了與響應區(qū)間L3B對應的區(qū)域而得到的區(qū)域，擴大區(qū)域C表示對圖13A的區(qū)域C在扇區(qū)方向上擴大了與響應區(qū)間L3D對應的區(qū)域而得到的區(qū)域。此外，在圖15A以及圖15B中，將一個磁道劃分為4個區(qū)域(區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C以及區(qū)域D)。在圖15A以及圖15B中，橫軸表示盤10上的扇區(qū)的位置(即，盤10上的圓周方向的位置)，縱軸表示頭15的突出量。在圖15A以及圖15B中，在橫軸上，設為盤10從區(qū)域A向區(qū)域D旋轉。此外，在圖15A以及圖15B中，在橫軸上，從區(qū)域A的左端的扇區(qū)(扇區(qū) 序號0)向箭頭的方向，各區(qū)域的扇區(qū)序號變大。此外，圖15A是與圖6A大致同等的圖。

在本實施方式中，在可能成為圖15A的狀態(tài)的情況下，MPU60從當前區(qū)域擴大與響應區(qū)間相當?shù)姆秶?，從下一個區(qū)域縮小進行了擴大的與響應區(qū)間相當?shù)姆秶?/p>

在本實施方式中，控制部602參照測定完標記，判定下一個區(qū)域是否已完成觸底檢測，在下一個區(qū)域已完成觸底檢測的情況下從當前區(qū)域的范圍擴大響應區(qū)間以上的范圍。在此，擴大的區(qū)間可以是對各區(qū)域而言恒定的值，也可以是因各區(qū)域而異的值。另外，擴大的區(qū)間可以是預先測定出的值，也可以是根據(jù)控制量的變化量而變動的值。例如，如圖15B所示，控制部602從當前區(qū)域A擴大與圖15A的區(qū)域B的響應區(qū)間L3B相當?shù)姆秶蔀閿U大區(qū)域A。此時，控制部602將區(qū)域B的范圍從當前區(qū)域B縮小與響應區(qū)間L3B相當?shù)姆秶蔀榭s小區(qū)域B。同樣，如圖15B的區(qū)域C所示，控制部602從當前區(qū)域C擴大與圖15A的區(qū)域D的響應區(qū)間L3D相當?shù)姆秶蔀閿U大區(qū)域C。此時，控制部602將區(qū)域D的范圍從當前區(qū)域D縮小與響應區(qū)間L3D相當?shù)姆秶蔀榭s小區(qū)域D。如此，在當前區(qū)域的控制量比下一個區(qū)域的判定值大的情況下，控制部602從當前區(qū)域擴大與當前區(qū)域的突出量達到下一個區(qū)域的突出量為止的響應時間對應的響應區(qū)間以上的范圍。

另外，例如，在圖15B的響應區(qū)間L3B中，MPU60在擴大區(qū)域A的屬于原來的區(qū)域B的扇區(qū)判定觸底。因此，例如，在擴大區(qū)域A判定觸底的情況下，MPU60對擴大區(qū)域A的響應區(qū)間的檢測值與檢測基準進行比較來判定觸底。如此，通過在擴大區(qū)域A的檢測基準下判定觸底，在響應區(qū)間L3B、L3D產生接觸的情況下滿足觸底的檢測基準，因此能夠防止過度接觸。

(觸底測定時的動作)

圖16是本實施方式的觸底測定方法的流程圖。圖16的流程圖與圖9的流程圖大致同等，因此對相同的處理標注相同的參照符號，省略其詳細 內容的說明。

在B911中，在判斷為下一個區(qū)域的判定值比當前區(qū)域的控制量小的情況下(B911的“是”)，在B1612中，MPU60取得下一個區(qū)域的判定值，從當前區(qū)域擴大(從下一個區(qū)域縮小)與當前的響應時間相當?shù)姆秶?，進入B921的處理。

另外，在B917中，在判斷為下一個區(qū)域的判定值比當前區(qū)域的判定值小的情況下(B917的“是”)，在B1618中，MPU60取得下一個區(qū)域的判定值，從當前區(qū)域擴大(從下一個區(qū)域縮小)與當前的響應時間相當?shù)姆秶M入B919的處理。

進而，在執(zhí)行了多個處理之后判斷為判定到了全部區(qū)域的觸底的情況下(B923的“是”)，MPU60結束觸底測定的處理。

根據(jù)本實施方式，磁盤裝置1在觸底測定時按預先設定的各個區(qū)域來調整控制量，在下一個區(qū)域的判定值比當前區(qū)域的判定值小的情況下對區(qū)域進行擴大。通過如此基于區(qū)域對控制量進行控制，可抑制頭15與盤10過度接觸。其結果，可防止頭15磨損、盤10損傷等損害。另外，磁盤1在擴大后的區(qū)域判定觸底。因此，在磁盤1中，能夠檢測擴大了區(qū)域的區(qū)間中的接觸，因此能夠防止頭15與盤10過度接觸。其結果，可防止頭15磨損、盤10損傷等損害。

說明了本發(fā)明的幾個實施方式，但是這些實施方式是作為例子而舉出的，沒有限定發(fā)明范圍的意圖。這些新的實施方式能夠以其他的各種各樣的方式來實施，在不脫離發(fā)明要旨的范圍內能夠進行各種省略、替換、變更。這些實施方式及其變形包含于發(fā)明的范圍或要旨內，并且包含于權利要求所記載的發(fā)明及其等同的范圍內。