本發(fā)明的實(shí)施方式涉及具有微波振蕩器的磁記錄頭的制造方法。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)磁盤(pán)裝置的高記錄密度化、大容量化或者小型化，而提出了垂直磁記錄用的磁頭。在此類(lèi)磁頭中，記錄頭具有：產(chǎn)生垂直方向磁場(chǎng)的主磁極；在該主磁極的尾隨(trailing)側(cè)夾著寫(xiě)入間隙配置而在與磁盤(pán)之間使磁路封閉的寫(xiě)入屏蔽件；和用于使磁通在主磁極流通的線圈。再有，提出了在主磁極和寫(xiě)入屏蔽件之間(寫(xiě)入間隙)配置有微波振蕩器(高頻振蕩器)的微波輔助式的磁記錄頭。

作為此類(lèi)磁記錄頭的制造方法，提出了按以下方式進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)的方法：被覆于主磁極的臺(tái)階上地形成微波振蕩元件，并利用該臺(tái)階將微波振蕩元件分為兩個(gè)區(qū)域，將其中的不存在于主磁極上的微波振蕩元件的部分削去一部分，從而使主磁極和微波振蕩元件的端部對(duì)齊。

然而，在上述那樣的制造方法中，在主磁極的臺(tái)階部將形成有歪斜的微波振蕩元件，且該歪斜部分在臺(tái)階部的主磁極側(cè)的端部殘留。該微波振蕩元件的歪斜部分導(dǎo)致振蕩特性的劣化，難以得到微波振蕩器的良好的振蕩特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施方式提供能制造主磁極和微波振蕩元件的端部對(duì)齊、具有穩(wěn)定特性的微波輔助式的磁記錄頭的制造方法。

根據(jù)實(shí)施方式，提供一種磁記錄頭的制造方法，該磁記錄頭具備：主磁極，其施加記錄磁場(chǎng)；寫(xiě)入屏蔽件，其與所述主磁極夾著寫(xiě)入間隙而相 對(duì)；側(cè)屏蔽件，其在所述主磁極的寬度方向的橫側(cè)隔著側(cè)間隙地配置；以及微波振蕩器，其在所述寫(xiě)入間隙內(nèi)設(shè)置于所述主磁極與寫(xiě)入屏蔽件之間，該制造方法的特征在于，以被覆于所述主磁極和側(cè)屏蔽件上且橫截所述側(cè)間隙的至少一部分的方式形成微波振蕩器，一邊監(jiān)測(cè)所述主磁極與側(cè)屏蔽件之間的電阻，一邊將所述主磁極、側(cè)屏蔽件及微波振蕩器在高度方向上摩擦，在所述電阻超過(guò)預(yù)定值的時(shí)間點(diǎn)，停止所述摩擦。

附圖說(shuō)明

圖1是表示搭載于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(以下稱(chēng)為HDD)的磁頭及磁盤(pán)的一例的側(cè)視圖。

圖2是將所述磁頭的頭部放大表示的剖視圖。

圖3是將所述頭部的記錄頭沿磁道中心(track center)剖切來(lái)進(jìn)行表示的立體圖。

圖4是將所述記錄頭的ABS側(cè)端部放大表示的從ABS側(cè)觀察的俯視圖。

圖5是將所述記錄頭的ABS側(cè)端部放大表示的沿磁道中心的剖視圖。

圖6是示意地表示從記錄頭的尾隨側(cè)(晶片面?zhèn)?觀察所述記錄頭的主磁極、側(cè)屏蔽件、STO的狀態(tài)的側(cè)視圖。

圖7是概要地表示在第一實(shí)施方式中形成有多個(gè)磁頭的頭晶片的俯視圖。

圖8是將從所述頭晶片切取的棒狀小片放大表示的俯視圖。

圖9是在第一實(shí)施方式涉及的制造方法中概要地表示制造過(guò)程的磁記錄頭的一部分的從晶片面?zhèn)扔^察的俯視圖。

圖10是概要地表示與磁記錄頭對(duì)應(yīng)的監(jiān)測(cè)用的主磁極圖形、側(cè)屏蔽件圖形及STO圖形的俯視圖。

圖11是表示摩擦?xí)r間和監(jiān)測(cè)電阻的關(guān)系的圖。

圖12是在第一實(shí)施方式中概要地表示STO向主磁極的寬度方向端側(cè)偏移地形成的狀態(tài)的從晶片面?zhèn)扔^察的磁記錄頭的俯視圖。

圖13是從ABS側(cè)觀察將圖12所示的磁記錄頭進(jìn)行摩擦而形成的磁記錄頭的俯視圖。

圖14是在第二實(shí)施方式涉及的制造方法中概要地表示制造過(guò)程的磁記錄頭的一部分的從晶片面?zhèn)扔^察的俯視圖。

圖15是從ABS側(cè)觀察將圖14所示的磁記錄頭在高度方向上摩擦而得到的磁記錄頭的俯視圖。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖來(lái)說(shuō)明實(shí)施方式涉及的磁記錄頭的制造方法。

(第一實(shí)施方式)

首先，對(duì)適用本實(shí)施方式的制造方法的磁記錄頭的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖1是概要地表示硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(磁記錄裝置)的磁頭及磁盤(pán)的側(cè)視圖。

如圖1所示，磁頭16構(gòu)成為上浮型的頭，具有形成為大體長(zhǎng)方體形狀的滑塊42和在滑塊的流出端(尾隨)側(cè)的端部形成的記錄再現(xiàn)用的頭部44。滑塊42由例如氧化鋁和碳化鈦的燒制體(AlTiC)形成，頭部44通過(guò)將薄膜層疊而形成。磁頭16固定于萬(wàn)向彈簧41，該萬(wàn)向彈簧設(shè)置于懸架30的前端部。磁頭16與固定于懸架30上的布線部件35電連接。

另一方面，磁盤(pán)12具有形成為圓板狀且包含非磁性體的基板101。在基板101的各表面依次層疊有：作為基底層的、包含表現(xiàn)出軟磁特性的材料的軟磁性層102；在其上層部在相對(duì)于盤(pán)面垂直的方向上具有磁各向異性的磁記錄層103；和在其上層部的保護(hù)膜層104。

滑塊42具有與磁盤(pán)12的表面相對(duì)的矩形形狀的盤(pán)相對(duì)面(空氣軸承(支承)面(ABS))43。滑塊42利用因磁盤(pán)12的旋轉(zhuǎn)而在盤(pán)表面與ABS43之間產(chǎn)生的空氣流C來(lái)上浮?？諝饬鰿的方向與磁盤(pán)12的旋轉(zhuǎn)方向B一致。

滑塊42具有位于空氣流C的流入側(cè)的前導(dǎo)(leading)端42a及位于空氣流C的流出側(cè)的尾隨端42b。在滑塊42的盤(pán)相對(duì)面43，形成有未圖示的前導(dǎo)梯級(jí)、尾隨梯級(jí)、側(cè)梯級(jí)和負(fù)壓腔等。

圖2是將磁頭16的頭部44及磁盤(pán)12放大表示的剖視圖。頭部44具有在滑塊42通過(guò)薄膜加工而形成的讀取頭54和記錄頭(磁記錄頭)58，形成為分離型的磁頭。讀取頭54及記錄頭58除了在滑塊42的盤(pán)相對(duì)面43露出的部分之外由保護(hù)絕緣膜73覆蓋。保護(hù)絕緣膜73構(gòu)成了頭部44的外形。

讀取頭54的構(gòu)成包括：表現(xiàn)出磁阻效應(yīng)的磁性膜55；和在該磁性膜的尾隨側(cè)和前導(dǎo)側(cè)夾著磁性膜55地配置的屏蔽膜56、57。該磁性膜55、屏蔽膜56、57的下端在滑塊42的盤(pán)相對(duì)面43露出。

記錄頭58相對(duì)于讀取頭54設(shè)置于滑塊42的尾隨端42b側(cè)。圖3是將記錄頭58沿磁盤(pán)12上的磁道中心剖切來(lái)示意性表示的立體圖、圖4是從盤(pán)相對(duì)面(ABS)側(cè)觀察記錄頭的記錄介質(zhì)側(cè)的前端部的俯視圖、圖5是將記錄頭的ABS側(cè)端部放大表示的沿磁道中心的剖視圖、圖6是示意地表示從記錄頭的尾隨側(cè)觀察記錄頭的主磁極、側(cè)屏蔽件、STO的狀態(tài)的圖。

如圖2至圖4所示，記錄頭58具備：產(chǎn)生相對(duì)于磁盤(pán)12的表面垂直的方向上的記錄磁場(chǎng)的包含高飽和磁通密度材料的主磁極60；在主磁極60的尾隨側(cè)隔著寫(xiě)入間隙WG(下行磁道方向D的間隙長(zhǎng)度)而配置、為了經(jīng)主磁極60正下的軟磁性層102來(lái)高效地使磁路封閉而設(shè)置的包含軟磁性材料的尾隨屏蔽件(寫(xiě)入屏蔽件)62；在主磁極60的磁道寬度方向TW上在兩側(cè)分別隔著側(cè)間隙SG而相對(duì)配置的一對(duì)側(cè)屏蔽件63；在主磁極60的前導(dǎo)側(cè)隔著間隙配置的前導(dǎo)屏蔽件64；以及在主磁極60的ABS43側(cè)的前端部60a與尾隨屏蔽件62之間且在面向ABS43的部分配置的微波振蕩器(高頻振蕩器)例如自旋扭矩振蕩器(STO)65。在本實(shí)施方式中，側(cè)屏蔽件及前導(dǎo)屏蔽件可由軟磁性材料形成為一體。

尾隨屏蔽件62形成為大體L形形狀，具有與主磁極60連接的第一連接部50。第一連接部50經(jīng)非導(dǎo)電體52與主磁極60的上部即從盤(pán)相對(duì)面43離開(kāi)的上部(后間隙，back gap)連接。前導(dǎo)屏蔽件64具有在從磁盤(pán)12離開(kāi)的位置(后間隙)經(jīng)非導(dǎo)電體(絕緣體)69與主磁極60接合的第一連接部68。該第一連接部68由例如軟磁性體形成，與主磁極60及前導(dǎo) 屏蔽件64一同形成了磁路。此外，在第一連接部68的位置處，主磁極60和前導(dǎo)屏蔽件64由絕緣體69電絕緣。

記錄頭58具有用于使磁通在主磁極60流通的第一記錄線圈70及第二記錄線圈72。第一記錄線圈70配置成卷繞于包括主磁極60及尾隨屏蔽件62的第一磁芯，第二記錄線圈72配置成卷繞于包括主磁極60及前導(dǎo)屏蔽件64的第二磁芯。在第一記錄線圈70及第二記錄線圈72分別連接端子95、96，且在該端子95、96連接有記錄電流電路97。此外，第二記錄線圈72與第一記錄線圈70串聯(lián)連接。在對(duì)磁盤(pán)12寫(xiě)入信號(hào)時(shí)，從記錄電流電路97向第一記錄線圈70及第二記錄線圈72供給預(yù)定的電流，使磁通在主磁極60流通而產(chǎn)生磁場(chǎng)。

如圖3至圖6所示，主磁極60相對(duì)于磁盤(pán)12的表面及ABS43大體垂直地延伸。主磁極60的ABS43側(cè)的前端部60a朝向ABS43前端細(xì)地(棒狀)縮小。主磁極60的前端部60a具有：位于尾隨端側(cè)的尾隨側(cè)端面60c；與尾隨側(cè)端面相對(duì)的前導(dǎo)側(cè)端面60d；及兩側(cè)面60e。主磁極60的前端面在滑塊42的ABS43露出。兩側(cè)面60e相對(duì)于主磁極60的中心軸線C傾斜延伸、即相對(duì)于與ABS43垂直的方向傾斜地延伸。

尾隨屏蔽件62的前端部62a形成為細(xì)長(zhǎng)的矩形形狀。尾隨屏蔽件62的下端面在滑塊42的ABS43露出。前端部62a的前導(dǎo)側(cè)端面(主磁極側(cè)端面)62b相對(duì)于ABS43大體垂直地延伸，且沿磁道寬度方向TW延伸。該前導(dǎo)側(cè)端面62b在主磁極60的前端部60a，與主磁極60的尾隨側(cè)端面60c隔著寫(xiě)入間隙WG而大體平行地相對(duì)。

在本實(shí)施方式中，一對(duì)側(cè)屏蔽件63通過(guò)軟磁性體而與前導(dǎo)屏蔽件64形成為一體，從前導(dǎo)屏蔽件延伸到尾隨屏蔽件62側(cè)。一對(duì)側(cè)屏蔽件63在主磁極60的磁道寬度方向兩側(cè)與主磁極60物理性分離，并與前導(dǎo)屏蔽件64磁連接且電連接。各側(cè)屏蔽件63的側(cè)面63b隔著間隙SG而與主磁極60的側(cè)面60e大體平行地相對(duì)。側(cè)屏蔽件63的前端面在ABS43露出。主磁極的側(cè)面60e和側(cè)屏蔽件63之間的間隙SG設(shè)定為與寫(xiě)入間隙WG的間隙長(zhǎng)度大體相同。

在主磁極60和尾隨屏蔽件62的前端部62a之間、主磁極60和前導(dǎo)屏蔽件64之間以及主磁極60和側(cè)屏蔽件63之間的空間設(shè)置有絕緣體、例如包含氧化鋁、氧化硅等的保護(hù)絕緣膜73。

如圖4至圖6所示，STO65在寫(xiě)入間隙WG內(nèi)設(shè)置于主磁極60的前端部60a和尾隨屏蔽件62之間，其一部分在ABS43露出。STO65具有旋轉(zhuǎn)注入層(SIL)65a、中間層(非磁性導(dǎo)電層)65b和振蕩層(FGL)65c，將這些層從主磁極60側(cè)向尾隨屏蔽件62側(cè)依次層疊即沿下行磁道方向D依次層疊而構(gòu)成。旋轉(zhuǎn)注入層65a經(jīng)非磁性導(dǎo)電層(基底層)67a與主磁極60的尾隨側(cè)端面60c接合。振蕩層65c經(jīng)非磁性導(dǎo)電層(間隙層)67b與尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端面62b接合。再有，旋轉(zhuǎn)注入層65a、中間層65b、振蕩層65c的層疊順序可與上述相反，即，可從尾隨屏蔽件62側(cè)向主磁極60側(cè)依次層疊。

旋轉(zhuǎn)注入層65a、中間層65b、振蕩層65c分別具有在與ABS43相交的方向例如在與ABS43正交的方向上延伸的層疊面或膜面。STO65的下端面在ABS43露出，且與該ABS43共面地形成。STO65的寬度形成得比主磁極60的磁道寬度方向TW的寬度小。在本實(shí)施方式中，STO65相對(duì)于主磁極60的中心軸線C向主磁極60的磁道寬度方向的一端側(cè)偏移地配置。

如圖2及圖3所示，在主磁極60和尾隨屏蔽件62連接端子90、91，該端子90、91與STO驅(qū)動(dòng)電流電路94連接?？蓮脑揝TO驅(qū)動(dòng)電流電路94通過(guò)主磁極60、STO65、尾隨屏蔽件62使STO的驅(qū)動(dòng)電流Iop串聯(lián)地通電。

其次，說(shuō)明如上述那樣構(gòu)成的磁頭特別是磁記錄頭的制造方法的一例。圖7是表示通過(guò)薄膜層疊而形成有多個(gè)磁頭的頭晶片的俯視圖，以及，圖8是將從所述頭晶片切取的棒狀小片放大表示的俯視圖。

如圖7所示，在磁頭的制造工序中，分別將具有滑塊、讀取頭、記錄頭、記錄線圈及STO的多個(gè)磁頭16通過(guò)薄膜層疊加工而在頭晶片80上連續(xù)地排列形成為多個(gè)列82。各磁頭與所述磁頭16同樣地構(gòu)成。接著，如 圖8所示，將各列82的磁頭從頭晶片80切取，分離為分別包括多個(gè)連續(xù)的磁頭16的多個(gè)棒狀小片84。

在各磁頭16的制造中，如圖9所示，形成主磁極60及側(cè)屏蔽件63，還以下述方式形成STO65：該STO65被覆于主磁極60和一個(gè)側(cè)屏蔽件63上，橫截側(cè)間隙SG的至少一部分。即，將主磁極60和側(cè)屏蔽件63由STO65電連接地形成STO65。在本實(shí)施方式中，STO65形成為在高度方向上與主磁極60的中心軸線C大體平行地延伸，且形成于向主磁極60的寬度方向一端側(cè)偏移的位置。這樣，STO65橫截主磁極60的傾斜的側(cè)面60e和側(cè)屏蔽件63的側(cè)面63b之間的間隙SG地延伸。STO65通過(guò)離子銑削而形成圖形，截面大體為梯形形狀。特別地，STO65形成為，以梯形的下邊與側(cè)屏蔽件63在比L-L’線靠下側(cè)的區(qū)域連接。這樣，STO65在比L-L’線靠下側(cè)的區(qū)域?qū)⒅鞔艠O60和側(cè)屏蔽件63電連接。

此外，如圖8所示，在各磁頭16的尾隨側(cè)端面上，分別形成與讀取頭、記錄頭、STO導(dǎo)通的多個(gè)電極焊盤(pán)87。

接著，如圖8及圖9所示，一邊由檢查裝置86監(jiān)測(cè)主磁極20和一個(gè)側(cè)屏蔽件63之間的電阻，一邊將各磁頭16的ABS43摩擦(研磨)至預(yù)定高度。雖然也能直接監(jiān)測(cè)磁頭16，但是，在本實(shí)施方式中，使用在棒狀小片84的切除區(qū)域CR形成的監(jiān)測(cè)用的圖形來(lái)監(jiān)測(cè)電阻，以能更容易地進(jìn)行監(jiān)測(cè)。即，如圖8及圖10所示，使用與磁頭16的主磁極60、側(cè)屏蔽件63及STO65分別相同且同時(shí)的制造工序，來(lái)預(yù)先在切除區(qū)域CR上形成與它們對(duì)應(yīng)的監(jiān)測(cè)用的主磁極圖形60M、側(cè)屏蔽件圖形63M以及STO圖形65M。主磁極圖形60M及側(cè)屏蔽件圖形63M具有與主磁極60及側(cè)屏蔽件63大體相同的形狀及構(gòu)成，隔著傾斜的側(cè)間隙而互相相對(duì)。STO圖形65M形成為：跨主磁極圖形60M及側(cè)屏蔽件圖形63M且橫截傾斜的側(cè)間隙。此外，在切除區(qū)域CR上，形成分別與主磁極圖形60M及側(cè)屏蔽件圖形63M導(dǎo)通的一對(duì)檢查用電極焊盤(pán)88。

例如，該監(jiān)測(cè)用的圖形及檢查焊盤(pán)88可每隔五個(gè)磁頭16形成于切除區(qū)域CR。經(jīng)檢查用電極焊盤(pán)88而使檢查裝置86的探針(檢查電極)與 主磁極圖形60M及側(cè)屏蔽件圖形63M接觸，測(cè)定它們之間的電阻。再有，優(yōu)選的是，在制造工序中，在監(jiān)測(cè)用的圖形上不層疊形成保護(hù)膜以外的其他膜。

如圖9及圖10所示，一邊監(jiān)測(cè)主磁極20和側(cè)屏蔽件63之間的電阻，一邊將磁頭16及監(jiān)測(cè)用的圖形在高度方向上進(jìn)行高度摩擦，加工到大體L-L’線的位置。而且，通過(guò)監(jiān)測(cè)而在電阻超過(guò)預(yù)定值的時(shí)間點(diǎn)停止摩擦。

圖11表示摩擦?xí)r間(摩擦量)和由檢查裝置(監(jiān)測(cè)器)測(cè)定的電阻值的關(guān)系。從該圖可知，在高度摩擦的開(kāi)始前的狀態(tài)下，由于主磁極圖形60M和側(cè)屏蔽件圖形63M經(jīng)STO圖形65M連接，因此測(cè)定的電阻值表現(xiàn)為低值。在從該狀態(tài)開(kāi)始摩擦?xí)r，STO圖形65M和側(cè)屏蔽件圖形63M的接觸面積逐漸變小，電阻不斷上升。在摩擦進(jìn)一步進(jìn)行、進(jìn)行至L-L’截面附近時(shí)，即在STO圖形65M的摩擦面到達(dá)側(cè)間隙SG的位置時(shí)，STO圖形65M和側(cè)屏蔽件圖形63M的接觸面積變得相當(dāng)窄，從而監(jiān)測(cè)的電阻開(kāi)始急劇上升。

而且，在進(jìn)行摩擦至通過(guò)L-L’截面之處時(shí)，STO圖形65M和側(cè)屏蔽件圖形63M之間的連接被切斷。因此，該狀態(tài)下的電阻實(shí)質(zhì)上變?yōu)闊o(wú)限大。然而，雖然未圖示，但主磁極及側(cè)屏蔽件分別經(jīng)例如10kΩ的電阻而與磁頭滑塊的地電位連接，因此主磁極圖形60M和側(cè)屏蔽件圖形63M之間的測(cè)定電阻在該時(shí)間點(diǎn)變?yōu)榧s20kΩ。這樣，在監(jiān)測(cè)的電阻到達(dá)預(yù)定值的時(shí)間點(diǎn)此處在到達(dá)約20kΩ的時(shí)間點(diǎn)，停止高度摩擦。

實(shí)際上，在圖11所示的11分的摩擦?xí)r間處結(jié)束摩擦的情況下的磁記錄頭成為圖4及圖6所示的形狀?？芍許TO65的端部和主磁極20的端部對(duì)齊的方式形成。如上所述，在摩擦多個(gè)磁頭16的頭部后，在各磁頭加工ABS43。然后，在切除區(qū)域RC的部分將棒狀小片84切斷，切取多個(gè)磁頭16。這樣，可得到磁頭16。

圖12是從STO相對(duì)于主磁極的位置對(duì)合與圖9的情況相比向主磁極的磁道寬度方向的端側(cè)偏移地形成的情況下的晶片面觀察的俯視圖。在該情況下，也一邊監(jiān)測(cè)從主磁極60及側(cè)屏蔽件63分別引出的電極間的電阻 一邊進(jìn)行摩擦。與圖9的情況同樣，監(jiān)測(cè)的電阻急劇上升，以成為約29kΩ處為終點(diǎn)而結(jié)束摩擦。

圖13是從ABS43觀察如上述那樣摩擦的磁記錄頭的俯視圖?？芍谠撉闆r下也能以STO65的端部和主磁極60的端部對(duì)齊的方式形成磁記錄頭。然而，主磁極60的磁道寬度方向TW的寬度按STO65位置偏移的量增大。但是，如果是通常的光刻的位置偏移精度，則主磁極60的寬度的偏移也不會(huì)那么地增大，特別地，在以單一記錄為前提的記錄頭中，不會(huì)成為大問(wèn)題。

在制造工序中，在STO65較大地位置偏移的情況下，在蝕刻前的抗蝕狀態(tài)下，重新進(jìn)行STO65的形成，也能使位置偏移的程度重新位于允許范圍內(nèi)。

如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式涉及的磁頭的制造方法，能不使STO的振蕩特性顯著劣化地將主磁極和STO的端部對(duì)齊形成。此外，通過(guò)一邊監(jiān)測(cè)電阻一邊進(jìn)行摩擦，而能高精度地檢測(cè)用于規(guī)定微波振蕩元件的高度方向的摩擦的終點(diǎn)。這樣，能形成穩(wěn)定特性的、主磁極和微波振蕩元件的端部對(duì)齊的微波輔助式的磁記錄頭。此外，由于能以各自的端部對(duì)齊的方式形成STO和主磁極，因此能得到當(dāng)然適用于通常的微波輔助記錄、并且適用于用單一記錄來(lái)進(jìn)行微波輔助記錄的情況的磁記錄頭。

其次，對(duì)其他實(shí)施方式涉及的磁頭的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。再有，在以下說(shuō)明的其他實(shí)施方式中，對(duì)與上述第一實(shí)施方式相同的部分標(biāo)注相同的參照標(biāo)記并省略其詳細(xì)說(shuō)明，以與第一實(shí)施方式不同的部分為中心來(lái)詳細(xì)說(shuō)明。

(第二實(shí)施方式)

圖14是在第二實(shí)施方式涉及的制造方法中從晶片面觀察制造過(guò)程的微波輔助磁記錄頭的示意圖，圖15是從ABS側(cè)觀察摩擦后的磁記錄頭的磁記錄頭的俯視圖。

如圖14所示，在制造工序中，STO65形成為被覆于主磁極60和一個(gè)側(cè)屏蔽件63上并橫截側(cè)間隙SG的至少一部分。即、將主磁極60和側(cè)屏 蔽件63由STO65電連接地形成STO65。在第二實(shí)施方式中，STO65形成為在高度方向上相對(duì)于主磁極60的中心軸線C傾斜，例如以角度θ(約30度)傾斜地形成，且形成于從中心軸線C向主磁極60的磁道寬度方向一端側(cè)偏移的位置。這樣，STO65與主磁極60的傾斜的側(cè)面60e和側(cè)屏蔽件63的側(cè)面63b之間的間隙SG重疊地延伸。STO65通過(guò)離子銑削而形成圖形，截面大體為梯形形狀。STO65在比摩擦的結(jié)束位置(L-L’線)靠下側(cè)的區(qū)域?qū)⒅鞔艠O60和側(cè)屏蔽件63電連接。此外，在第二實(shí)施方式中，側(cè)間隙SG設(shè)定得比所述第一實(shí)施方式寬。

接著，一邊由檢查裝置監(jiān)測(cè)主磁極20和一個(gè)側(cè)屏蔽件63之間的電阻，一邊將磁頭的ABS43在高度方向上進(jìn)行高度摩擦，并加工到大體L-L’線的位置。而且，在從監(jiān)測(cè)的電阻急劇上升到預(yù)定值例如20kΩ的時(shí)間點(diǎn)經(jīng)過(guò)幾十秒后結(jié)束摩擦。通過(guò)該摩擦，可得到圖15所示的磁頭?？芍芤許TO65的端部和主磁極60的端部對(duì)齊的方式形成。高頻磁場(chǎng)的擴(kuò)展也不會(huì)那么地增大，可得到足夠的微波磁場(chǎng)強(qiáng)度。

如上所述，在主磁極60和側(cè)屏蔽件63之間的側(cè)間隙SG寬的情況下，在使STO65與主磁極60的高度方向(與中心軸線C平行的方向)平行地形成時(shí)，為了使STO65跨主磁極60和側(cè)屏蔽件63地形成，如果STO65的元件寬度不大，則需要極高的位置對(duì)合精度。即、STO不與主磁極和側(cè)屏蔽件中的任一個(gè)連接的風(fēng)險(xiǎn)將增高。于是，如上述第二實(shí)施方式那樣，在使STO65從主磁極60的高度方向傾斜角度θ地形成時(shí)，易于使STO65跨主磁極60和側(cè)屏蔽件63地形成。STO65相對(duì)于主磁極60的高度方向的傾斜角度θ可根據(jù)STO65的寬度相對(duì)于側(cè)間隙SG的寬度為哪種程度而改變。即、STO65的寬度越大，則可將傾斜角度θ設(shè)定得越小。在過(guò)度增大傾斜角度θ時(shí)，產(chǎn)生的微波磁場(chǎng)的分布惡化，因此傾斜角度θ優(yōu)選在5～45度左右的范圍內(nèi)設(shè)定。

如上所述，根據(jù)第二實(shí)施方式涉及的磁頭的制造方法，能不使STO的振蕩特性顯著劣化地將主磁極和STO的端部對(duì)齊地形成。此外，通過(guò)一邊監(jiān)測(cè)電阻一邊進(jìn)行摩擦，而能高精度地檢測(cè)用于規(guī)定微波振蕩元件的高度 方向的摩擦的終點(diǎn)。這樣，能形成穩(wěn)定特性的、主磁極和微波振蕩元件的端部對(duì)齊的微波輔助式的磁記錄頭。此外，能得到當(dāng)然適用于通常的微波輔助記錄并且適用于用單一記錄方式來(lái)進(jìn)行微波輔助記錄的情況的磁記錄頭。

本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式原狀不變，在實(shí)施階段，在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)能使構(gòu)成要素變形來(lái)具體化。此外，通過(guò)上述實(shí)施方式公開(kāi)的多個(gè)構(gòu)成要素的適當(dāng)組合，而能形成各種發(fā)明。例如，可從實(shí)施方式公開(kāi)的全部構(gòu)成要素中刪除幾個(gè)構(gòu)成要素。再有，也可將不同實(shí)施方式中的構(gòu)成要素進(jìn)行適當(dāng)組合。

只要是具有主磁極、寫(xiě)入屏蔽件、側(cè)屏蔽件及微波振蕩器的磁記錄頭，則本制造方法皆能適用，本制造方法也能適用于不具有前導(dǎo)屏蔽件的磁記錄頭的制造。構(gòu)成頭部的要素的材料、形狀、大小等可根據(jù)需要來(lái)改變。