本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲(chǔ)器裝置,且特別是有關(guān)于一種具有受損修補(bǔ)功能的存儲(chǔ)器裝置。
背景技術(shù):
隨著電路復(fù)雜度的提升,各種形式的存儲(chǔ)器裝置在制造上無可避免地容易產(chǎn)生不良或受損的存儲(chǔ)元件。因此,以晶圓的存儲(chǔ)器裝置來說,在測試過程中分別可通過在晶圓加工完成后的晶圓針測(Chip probing,簡稱CP),封裝完成后的成品測試(Final test,簡稱FT),以及在系統(tǒng)開機(jī)自我測試(System power up self test)來檢測出不良或受損的存儲(chǔ)元件。并且,可通過預(yù)先在存儲(chǔ)器裝置內(nèi)設(shè)置的備援存儲(chǔ)元件來取代不良或受損的存儲(chǔ)元件,以維持存儲(chǔ)器裝置的正常功能。通常,當(dāng)使用備援存儲(chǔ)元件進(jìn)行取代動(dòng)作,常可通過在存儲(chǔ)器裝置中記錄進(jìn)行取代時(shí)所需的數(shù)據(jù)(例如受損存儲(chǔ)元件的地址等)來完成。在現(xiàn)有的技術(shù)領(lǐng)域中,一旦存儲(chǔ)器裝置的芯片僅能對(duì)應(yīng)單一檢試程序來進(jìn)行存儲(chǔ)單元的修補(bǔ)動(dòng)作。而余下來未使用的備援存儲(chǔ)單元將永遠(yuǎn)無法被使用到,造成資源浪費(fèi)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器裝置,可兼具多種不同結(jié)構(gòu)形態(tài)的存儲(chǔ)器修補(bǔ)機(jī)制,以提高修補(bǔ)效能。
本發(fā)明的存儲(chǔ)器裝置包括多個(gè)備援存儲(chǔ)列、多個(gè)備援狀態(tài)區(qū)塊以及邏輯運(yùn)算單元。備援狀態(tài)區(qū)塊分別對(duì)應(yīng)多個(gè)檢測程序。各備援狀態(tài)區(qū)塊包括多個(gè)存儲(chǔ)字節(jié)。存儲(chǔ)字節(jié)分別對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列,并用以存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)的檢測程序所產(chǎn)生的對(duì)應(yīng)的備援存儲(chǔ)列的使用狀態(tài)。邏輯運(yùn)算單元依據(jù)檢測程序中相對(duì)早的至少一第一檢測程序所產(chǎn)生的對(duì)應(yīng)的備援存儲(chǔ)列的使用狀態(tài)來產(chǎn)生至少一遮 罩信號(hào)。遮罩信號(hào)用以遮罩檢測程序中相對(duì)晚的至少一第二檢測程序中所可以使用的備援存儲(chǔ)列。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,各存儲(chǔ)字節(jié)包括索引位。索引位用以表示對(duì)應(yīng)的檢測程序是否已使用對(duì)應(yīng)的備援存儲(chǔ)列進(jìn)行取代。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中存儲(chǔ)器裝置包括多個(gè)備援存儲(chǔ)列以及多個(gè)備援狀態(tài)區(qū)塊。備援狀態(tài)區(qū)塊分別對(duì)應(yīng)多個(gè)檢測程序。各備援狀態(tài)區(qū)塊包括多個(gè)存儲(chǔ)字節(jié)以及禁能位。存儲(chǔ)字節(jié)分別對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列,并用以存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)的檢測程序所產(chǎn)生的對(duì)應(yīng)的備援存儲(chǔ)列的使用狀態(tài)。禁能位用以表示對(duì)應(yīng)的檢測程序是否已禁能所對(duì)應(yīng)的備援存儲(chǔ)列。
基于上述,本發(fā)明的存儲(chǔ)器裝置,可對(duì)應(yīng)多個(gè)檢測程序來進(jìn)行存儲(chǔ)單元的修補(bǔ)動(dòng)作。并且,通過邏輯運(yùn)算單元所產(chǎn)生的遮罩信號(hào),可對(duì)已使用在其他檢測程序中的備援存儲(chǔ)列進(jìn)行遮罩。藉此,可避免在不同檢測程序中重復(fù)使用相同的備援存儲(chǔ)列。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
附圖說明
圖1示出本發(fā)明一實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的示意圖;
圖2示出本發(fā)明另一實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的示意圖;
圖3示出本發(fā)明另一實(shí)施例的邏輯運(yùn)算單元的部分示意圖;
圖4示出本發(fā)明再一實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的示意圖;
圖5示出本發(fā)明又一實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的示意圖;
圖6示出本發(fā)明又一實(shí)施例的邏輯運(yùn)算單元的部分示意圖;
圖7示出本發(fā)明再又一實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的示意圖;
圖8示出本發(fā)明一實(shí)施例的檢測程序的流程圖。
附圖標(biāo)記說明:
100、200、400、500、700:存儲(chǔ)器裝置;
110_1~110_3、210_1~210_3、410_1~410_3、510_1~510_3、710_1~710_3:備援存儲(chǔ)列;
120_1~120_2、220_1~220_3、420_1~420_2、520_1~520_3、720_1~720_2: 備援狀態(tài)區(qū)塊;
130、230、430、530、730:邏輯運(yùn)算單元;
140_1~140_3、150_1~150_3、240_1~240_3、250_1~250_3、260_1~260_3、440_1~440_3、450_1~450_3、540_1~540_3、550_1~550_3、560_1~560_3、740_1~740_3、750_1~750_3:存儲(chǔ)字節(jié);
300、320、340、600:反或閘;
310、330、350、610:反閘;
DB:禁能位;
IB:索引位;
SM1、SM2、SM3、SM4、SM5、SM6:遮罩信號(hào);
S810~S870:檢測程序的步驟。
具體實(shí)施方式
首先請參照圖1,圖1示出本發(fā)明一實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的示意圖。在本實(shí)施例中,存儲(chǔ)器裝置100例如是以芯片型態(tài)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,簡稱DRAM)或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static Random Access Memory,簡稱SRAM)或其他類似裝置或這些裝置的組合。存儲(chǔ)器裝置100包括備援存儲(chǔ)列110_1~110_3、備援狀態(tài)區(qū)塊120_1~120_2以及邏輯運(yùn)算單元130。備援狀態(tài)區(qū)塊120_1~120_2可分別對(duì)應(yīng)在測試過程中用以檢測存儲(chǔ)器裝置100的主存儲(chǔ)列(未示出)的兩項(xiàng)第一及第二檢測程序,并提供所具有的存儲(chǔ)字節(jié)作為第一及第二檢測程序所需的存儲(chǔ)空間。在本實(shí)施例中,第一檢測程序例如為晶圓針測程序,第二檢測程序例如為系統(tǒng)開機(jī)自我測試程序。備援狀態(tài)區(qū)塊120_1及120_2可分別為適用于第一檢測程序的非易失性存儲(chǔ)元件以及適用于第二檢測程序的易失性存儲(chǔ)元件。具體來說,備援狀態(tài)區(qū)塊120_1例如為非易失性的雷射熔絲(Laser fuse)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)字節(jié)140_1~140_3。備援狀態(tài)區(qū)塊120_2例如可以為易失性的暫存器結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)字節(jié)150_1~150_3。其中,存儲(chǔ)字節(jié)140_1及150_1皆對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列110_1,并且分別用以存儲(chǔ)第一及第二檢測程序中所產(chǎn)生的備援存儲(chǔ)列110_1的使用狀態(tài)。存儲(chǔ)字節(jié)140_2及150_2皆對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列110_2,并且分別用以存儲(chǔ)第一及第二檢測程序中所產(chǎn)生的備援存儲(chǔ)列110_2的使用 狀態(tài)。存儲(chǔ)字節(jié)140_3及150_3皆對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列110_3,并且分別用以存儲(chǔ)第一及第二檢測程序中所產(chǎn)生的備援存儲(chǔ)列110_3的使用狀態(tài)。
詳細(xì)來說,在對(duì)存儲(chǔ)器裝置100進(jìn)行測試時(shí),使用者可例如通過晶圓針測機(jī)來對(duì)存儲(chǔ)器裝置100進(jìn)行第一檢測程序。在作為封裝前的晶圓測試程序的第一檢測程序中,使用者可將晶圓針測機(jī)(Prober)上探測卡(Probe Card)的測針與存儲(chǔ)器裝置100的存儲(chǔ)元件(主存儲(chǔ)列)上各晶粒的焊墊相連接。并且,晶圓針測機(jī)可將所引出的測試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析與判斷,以檢測出不良或受損的主存儲(chǔ)列。接著,晶圓針測機(jī)可將在第一檢測程序中所檢測到的結(jié)果例如傳送至雷射修補(bǔ)機(jī)(Laser repairing equipment)。據(jù)此,存儲(chǔ)器裝置100可通過雷射修補(bǔ)機(jī)對(duì)雷射熔絲結(jié)構(gòu)的備援狀態(tài)區(qū)塊120_1的存儲(chǔ)字節(jié)140_1~140_3進(jìn)行編程(例如以雷射光束切斷熔絲),以依據(jù)第一檢測程序存儲(chǔ)已用于替換主存儲(chǔ)列的備援存儲(chǔ)列110_1~110_3。
而在系統(tǒng)開機(jī)自我測試程序的第二檢測程序中,使系統(tǒng)可通過預(yù)設(shè)的程式在存儲(chǔ)器裝置100中檢測出不良或受損的主存儲(chǔ)列。并且,系統(tǒng)可對(duì)存儲(chǔ)器裝置100通過對(duì)暫存器編程來對(duì)備援狀態(tài)區(qū)塊120_2的存儲(chǔ)字節(jié)150_1~150_3進(jìn)行編程(例如寫入數(shù)據(jù)至?xí)捍嫫髦?,以依據(jù)第二檢測程序存儲(chǔ)已用于替換主存儲(chǔ)列的備援存儲(chǔ)列110_1~110_3。
邏輯運(yùn)算單元130耦接備援狀態(tài)區(qū)塊120_1~120_2。為避免相同的備援存儲(chǔ)列在不同的第一及第二檢測程序中重復(fù)使用的問題,邏輯運(yùn)算單元130可依據(jù)上述檢測程序中相對(duì)早的第一檢測程序所產(chǎn)生的對(duì)應(yīng)的備援存儲(chǔ)列的使用狀態(tài)來產(chǎn)生遮罩信號(hào)SM1。遮罩信號(hào)SM1可用以遮罩上述檢測程序中相對(duì)晚的第二檢測程序中所可以使用的備援存儲(chǔ)列。
舉例來說,假設(shè)在第一檢測程序中檢測到受損的第一主存儲(chǔ)列時(shí),在第一檢測程序中晶圓針測機(jī)可選擇目前未使用的備援存儲(chǔ)列110_1來取代受損的第一主存儲(chǔ)列,并將受損的第一主存儲(chǔ)列的地址通過雷射熔絲的方式存儲(chǔ)于備援狀態(tài)區(qū)塊120_1中對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列110_1的存儲(chǔ)字節(jié)140_1。從而之后當(dāng)存儲(chǔ)器裝置100接受到對(duì)受損的第一主存儲(chǔ)列進(jìn)行存取的命令時(shí),可依據(jù)存儲(chǔ)字節(jié)140_1的記錄轉(zhuǎn)為存取備援存儲(chǔ)列110_1來取代受損的第一主存儲(chǔ)列。
在此情況下,邏輯運(yùn)算單元130可檢測到存儲(chǔ)字節(jié)140_1的部分存儲(chǔ)位 因受編程而例如變?yōu)楦哌壿嫓?zhǔn)位,并可據(jù)以產(chǎn)生例如為高邏輯準(zhǔn)位的遮罩信號(hào)SM1至備援狀態(tài)區(qū)塊120_2。據(jù)此,接受到遮罩信號(hào)SM1的備援狀態(tài)區(qū)塊120_2可遮罩本身對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列110_1的存儲(chǔ)字節(jié)150_1(即禁止存儲(chǔ)字節(jié)150_1受到編程),進(jìn)而可對(duì)第二檢測程序遮罩已被第一檢測程序使用的備援存儲(chǔ)列110_1。因此,若在之后的第二檢測程序中檢測到其他受損的第二主存儲(chǔ)列,在第二檢測程序中系統(tǒng)開機(jī)自我測試則無法選擇備援存儲(chǔ)列110_1(因存儲(chǔ)字節(jié)150_1已被遮罩),而需選擇未被使用的備援存儲(chǔ)列110_2來取代受損的第二主存儲(chǔ)列,并將受損的第二主存儲(chǔ)列的地址以暫存寫入的方式存儲(chǔ)于對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列110_2的存儲(chǔ)字節(jié)150_2。
此外,假設(shè)在第一檢測程序中未檢測到受損的第一存儲(chǔ)列時(shí),若在之后的第二檢測程序中檢測到受損的第二主存儲(chǔ)列,在第二檢測程序中系統(tǒng)開機(jī)自我測試即可選擇未被使用的備援存儲(chǔ)列110_1取代受損的第二主存儲(chǔ)列,并將受損的第二主存儲(chǔ)列的地址以暫存寫入的方式存儲(chǔ)于備援狀態(tài)區(qū)塊120_2中對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列110_1的存儲(chǔ)字節(jié)150_1。之后當(dāng)存儲(chǔ)器裝置100接受到對(duì)受損的第二主存儲(chǔ)列進(jìn)行存取的命令時(shí),可轉(zhuǎn)為存取備援存儲(chǔ)列110_1來取代受損的第二主存儲(chǔ)列。因此,本實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置100可兼具雷射熔絲以及暫存器等記錄手段的優(yōu)點(diǎn),藉此提高修補(bǔ)受損存儲(chǔ)器的效能。
以下請參照圖2,圖2示出本發(fā)明另一實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的示意圖。存儲(chǔ)器裝置200包括備援存儲(chǔ)列210_1~210_3、備援狀態(tài)區(qū)塊220_1~220_3以及邏輯運(yùn)算單元230。備援狀態(tài)區(qū)塊220_1~220_3可分別對(duì)應(yīng)在測試過程中用以檢測存儲(chǔ)器裝置200的主存儲(chǔ)列(未示出)的第一檢測程序及第三及第四檢測程序,并提供所具有的存儲(chǔ)字節(jié)作為第一、第三及第四檢測程序所需的存儲(chǔ)空間。在本實(shí)施例中,第一檢測程序例如為晶圓針測程序,第三檢測程序例如為成品測試程序,第四檢測程序例如為系統(tǒng)開機(jī)自我測試程序。其中部分元件的功能系與前述實(shí)施例中對(duì)應(yīng)元件的功能相同或相似,故其詳細(xì)內(nèi)容在此不再贅述。
與前述實(shí)施例不同的是,在本實(shí)施例中,備援狀態(tài)區(qū)塊220_1及220_2可分別為適用于第一及第三檢測程序的非易失性存儲(chǔ)元件。備援狀態(tài)區(qū)塊220_3可為適用于第四檢測程序的易失性存儲(chǔ)元件。具體來說,備援狀態(tài)區(qū)塊220_1例如為非易失性的雷射熔絲結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)字節(jié)240_1~240_3。備援狀 態(tài)區(qū)塊220_2例如為非易失性的電子熔絲(Electrical fuse,簡稱E-fuse)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)字節(jié)250_1~250_3。備援狀態(tài)區(qū)塊220_3例如為易失性的暫存器結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)字節(jié)260_1~260_3。其中,存儲(chǔ)字節(jié)240_1、250_1以及260_1對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列210_1,并且分別用以存儲(chǔ)第一、第三及第四檢測程序中所產(chǎn)生的備援存儲(chǔ)列210_1的使用狀態(tài)。存儲(chǔ)字節(jié)240_2、250_2以及260_2對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列210_2,并且分別用以存儲(chǔ)第一、第三及第四檢測程序中所產(chǎn)生的備援存儲(chǔ)列210_2的使用狀態(tài)。存儲(chǔ)字節(jié)240_3、250_3以及260_3對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列210_3,并且分別用以存儲(chǔ)第一、第三及第四檢測程序中所產(chǎn)生的備援存儲(chǔ)列210_3的使用狀態(tài)。
此外,除了與前述實(shí)施例的第一及第二檢測程序相同的第一及第四檢測程序之外,在作為封裝后測試程序的第三檢測程序中,使用者可通過成品測試機(jī)對(duì)電子熔絲結(jié)構(gòu)的備援狀態(tài)區(qū)塊220_2的存儲(chǔ)字節(jié)250_1~250_3進(jìn)行編程(例如以高壓燒斷熔絲),以依據(jù)第三檢測程序存儲(chǔ)已用于替換主存儲(chǔ)列的備援存儲(chǔ)列210_1~210_3。
圖3示出本發(fā)明另一實(shí)施例的邏輯運(yùn)算單元的部分示意圖。如圖3所示,邏輯運(yùn)算單元230包括反或閘300、反閘310、反或閘320、反閘330、反或閘340以及反閘350。請同時(shí)參照圖2及圖3,反或閘300的輸入端分別耦接對(duì)應(yīng)第一檢測程序的存儲(chǔ)字節(jié)240_1的所有存儲(chǔ)位。反閘310的輸入端耦接反或閘300的輸出端。反閘310的輸出端可產(chǎn)生遮罩信號(hào)SM2。反或閘320的多個(gè)輸入端分別耦接對(duì)應(yīng)第三檢測程序的存儲(chǔ)字節(jié)250_1的所有存儲(chǔ)位。反閘330的輸入端耦接反或閘320的輸出端。反或閘340的一輸入端耦接遮罩信號(hào)SM2。反或閘340的另一輸入端耦接反閘330的輸出端。反閘350的輸入端耦接反或閘340的輸出端。反閘350的輸出端可產(chǎn)生遮罩信號(hào)SM3。
以下對(duì)邏輯運(yùn)算單元230的動(dòng)作進(jìn)行說明,請繼續(xù)參考圖2及圖3。舉例來說,在對(duì)存儲(chǔ)器裝置200進(jìn)行測試時(shí),使用者可例如通過晶圓針測機(jī)以及成品測試機(jī)來對(duì)存儲(chǔ)器裝置200依序在晶圓針測階段進(jìn)行第一檢測程序,在成品測試階段進(jìn)行第三檢測程序,以及在系統(tǒng)開機(jī)自我測試階段進(jìn)行第四檢測程序。假設(shè)在第一檢測程序中檢測到受損的第一主存儲(chǔ)列時(shí),在第一檢測程序中晶圓針測機(jī)可選擇目前未使用的備援存儲(chǔ)列210_1來取代受損的第一主存儲(chǔ)列,并將受損的第一主存儲(chǔ)列的地址通過雷射熔絲的方式存儲(chǔ)于備 援狀態(tài)區(qū)塊220_1中對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列210_1的存儲(chǔ)字節(jié)240_1。
在此情況下,如圖3所示,邏輯運(yùn)算單元230可通過反或閘300檢測到存儲(chǔ)字節(jié)240_1的部分存儲(chǔ)位因受編程而變?yōu)楦哌壿嫓?zhǔn)位。并且,通過反或閘300、反閘310、反或閘340以及反閘350的邏輯轉(zhuǎn)換,邏輯運(yùn)算單元230可在反閘310以及反閘350的輸出端分別產(chǎn)生高邏輯準(zhǔn)位的遮罩信號(hào)SM2及SM3,并分別傳送至備援狀態(tài)區(qū)塊220_2及220_3。據(jù)此,接受到遮罩信號(hào)SM2的備援狀態(tài)區(qū)塊220_2可遮罩本身對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列210_1的存儲(chǔ)字節(jié)250_1(即禁止存儲(chǔ)字節(jié)250_1受到編程),進(jìn)而可對(duì)第三檢測程序遮罩已被第一檢測程序使用的備援存儲(chǔ)列210_1。接受到遮罩信號(hào)SM3的備援狀態(tài)區(qū)塊220_3可遮罩本身對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列210_1的存儲(chǔ)字節(jié)260_1(即禁止存儲(chǔ)字節(jié)260_1受到編程),進(jìn)而可對(duì)第四檢測程序遮罩已被第一檢測程序使用的備援存儲(chǔ)列210_1。
此外,假設(shè)在第一檢測程序中未檢測到受損的第一主存儲(chǔ)列時(shí),若在之后的第三檢測程序中檢測到受損的第三主存儲(chǔ)列,在第三檢測程序中成品測試機(jī)即可選擇未被使用的備援存儲(chǔ)列210_1取代受損的第三主存儲(chǔ)列,并將受損的第三主存儲(chǔ)列的地址以電子熔絲的方式存儲(chǔ)于備援狀態(tài)區(qū)塊220_2中對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列210_1的存儲(chǔ)字節(jié)250_1。在此情況下,如圖3所示,邏輯運(yùn)算單元230可通過反或閘320檢測到存儲(chǔ)字節(jié)250_1的部分存儲(chǔ)位因受編程而變?yōu)楦哌壿嫓?zhǔn)位。并且,通過反或閘320、反閘330、反或閘340以及反閘350的邏輯轉(zhuǎn)換,邏輯運(yùn)算單元230可僅在反閘350的輸出端產(chǎn)生高邏輯準(zhǔn)位的遮罩信號(hào)SM3,并傳送至備援狀態(tài)區(qū)塊220_3。據(jù)此,接受到遮罩信號(hào)SM3的備援狀態(tài)區(qū)塊220_3可遮罩對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列210_1的存儲(chǔ)字節(jié)260_1(即禁止存儲(chǔ)字節(jié)260_1受到編程),進(jìn)而可對(duì)第四檢測程序遮罩已被第三檢測程序使用的備援存儲(chǔ)列210_1。
此外,假設(shè)在第一及第三檢測程序中皆未檢測到受損的主存儲(chǔ)列時(shí),若在之后的第四檢測程序中檢測到受損的第四主存儲(chǔ)列,在第四檢測程序中系統(tǒng)仍可選擇未被使用的備援存儲(chǔ)列210_1取代受損的第四主存儲(chǔ)列,并將受損的第四主存儲(chǔ)列的地址以暫存寫入的方式存儲(chǔ)于存儲(chǔ)字節(jié)260_1中。因此,本實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置200可兼具雷射熔絲、電子熔絲以及暫存器等記錄手段的優(yōu)點(diǎn),藉此提高修補(bǔ)受損存儲(chǔ)器的效能。
以下請參照圖4,圖4示出本發(fā)明再一實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的示意圖。存儲(chǔ)器裝置400包括備援存儲(chǔ)列410_1~410_3、備援狀態(tài)區(qū)塊420_1~420_2以及邏輯運(yùn)算單元430。備援狀態(tài)區(qū)塊420_1~420_2可分別對(duì)應(yīng)在測試過程中用以檢測存儲(chǔ)器裝置400的主存儲(chǔ)列(未示出)的兩項(xiàng)第一及第二檢測程序,并分別提供所具有的存儲(chǔ)字節(jié)440_1~440_3以及450_1~450_3作為第一及第二檢測程序所需的存儲(chǔ)空間。在本實(shí)施例中,第一檢測程序例如為晶圓針測程序。第二檢測程序例如為系統(tǒng)開機(jī)自我測試程序。備援狀態(tài)區(qū)塊420_1可為適用于第一檢測程序的非易失性的雷射熔絲結(jié)構(gòu)。備援狀態(tài)區(qū)塊420_2可為適用于第二檢測程序的易失性的暫存器結(jié)構(gòu)。其中部分元件的功能系與前述實(shí)施例中對(duì)應(yīng)元件的功能相同或相似,故其詳細(xì)內(nèi)容在此不再贅述。
與前述實(shí)施例不同的是,在本實(shí)施例中,在每個(gè)存儲(chǔ)字節(jié)440_1~440_3以及450_1~450_3中各自具有一個(gè)索引位IB。索引位IB用以表示對(duì)應(yīng)的檢測程序是否已使用對(duì)應(yīng)的備援存儲(chǔ)列取代主存儲(chǔ)列。
舉例來說,在對(duì)存儲(chǔ)器裝置400進(jìn)行測試時(shí),使用者可例如通過晶圓針測機(jī)以及成品測試機(jī)來對(duì)存儲(chǔ)器裝置400依序在晶圓針測階段進(jìn)行第一檢測程序,以及在系統(tǒng)開機(jī)自我測試階段進(jìn)行第二檢測程序。假設(shè)在第一檢測程序中檢測到受損的第一主存儲(chǔ)列時(shí),在第一檢測程序中晶圓針測機(jī)可選擇目前未使用的備援存儲(chǔ)列410_1來取代受損的第一主存儲(chǔ)列,并將受損的第一主存儲(chǔ)列的地址通過雷射熔絲的方式存儲(chǔ)于備援狀態(tài)區(qū)塊420_1中對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列410_1的存儲(chǔ)字節(jié)440_1。同時(shí),晶圓針測機(jī)亦可編程存儲(chǔ)字節(jié)440_1的索引位IB(例如編程為高邏輯準(zhǔn)位),使其表示第一檢測程序已使用對(duì)應(yīng)的備援存儲(chǔ)列410_1取代第一主存儲(chǔ)列。
在此情況下,邏輯運(yùn)算單元430可檢測到存儲(chǔ)字節(jié)440_1的索引位IB因受編程而例如變?yōu)楦哌壿嫓?zhǔn)位,并可據(jù)以產(chǎn)生例如為高邏輯準(zhǔn)位的遮罩信號(hào)SM4至備援狀態(tài)區(qū)塊420_2。據(jù)此,接受到遮罩信號(hào)SM4的備援狀態(tài)區(qū)塊420_2可遮罩本身對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列410_1的存儲(chǔ)字節(jié)450_1(即禁止存儲(chǔ)字節(jié)450_1受到編程),進(jìn)而可對(duì)第二檢測程序遮罩已被第一檢測程序使用的備援存儲(chǔ)列410_1。
以下請參照圖5,圖5示出本發(fā)明又一實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的示意圖。存儲(chǔ)器裝置500包括備援存儲(chǔ)列510_1~510_3、備援狀態(tài)區(qū)塊520_1~520_3 以及邏輯運(yùn)算單元530。備援狀態(tài)區(qū)塊520_1~520_3可分別對(duì)應(yīng)在測試過程中用以檢測存儲(chǔ)器裝置500的主存儲(chǔ)列(未示出)的第一檢測程序及第三及第四檢測程序,并分別提供所具有的存儲(chǔ)字節(jié)540_1~540_3、550_1~550_3以及560_1~560_3作為第一、第三及第四檢測程序所需的存儲(chǔ)空間。在本實(shí)施例中,第一檢測程序例如為晶圓針測程序,第三檢測程序例如為成品測試程序,第四檢測程序例如為系統(tǒng)開機(jī)自我測試程序。備援狀態(tài)區(qū)塊520_1可為適用于第一檢測程序的非易失性的雷射熔絲結(jié)構(gòu)。備援狀態(tài)區(qū)塊520_2可為適用于第三檢測程序的非易失性的電子熔絲結(jié)構(gòu)。備援狀態(tài)區(qū)塊520_3可為適用于第四檢測程序的易失性的暫存器結(jié)構(gòu)。并且,在每個(gè)存儲(chǔ)字節(jié)540_1~540_3、550_1~550_3以及560_1~560_3中各自具有一個(gè)索引位IB。其中部分元件的功能與前述實(shí)施例中對(duì)應(yīng)元件的功能相同或相似,故其詳細(xì)內(nèi)容在此不再贅述。
圖6示出本發(fā)明又一實(shí)施例的邏輯運(yùn)算單元的部分示意圖。如圖6所示,邏輯運(yùn)算單元530包括反或閘600以及反閘610。請同時(shí)參照圖5及圖6,反或閘600的第一輸入端耦接對(duì)應(yīng)第一檢測程序的備援狀態(tài)區(qū)塊520_1中存儲(chǔ)字節(jié)540_1的索引位IB。并且,可由反或閘600的第一輸入端直接產(chǎn)生遮罩信號(hào)SM5。反或閘600的第二輸入端耦接對(duì)應(yīng)第三檢測程序的備援狀態(tài)區(qū)塊520_2中存儲(chǔ)字節(jié)550_1的索引位IB。反閘610的輸入端耦接反或閘600的輸出端。反閘610的輸出端可產(chǎn)生遮罩信號(hào)SM6。
以下對(duì)邏輯運(yùn)算單元530的動(dòng)作進(jìn)行說明,請繼續(xù)參考圖5及圖6。舉例來說,在對(duì)存儲(chǔ)器裝置500進(jìn)行測試時(shí),使用者可例如通過晶圓針測機(jī)以及成品測試機(jī)來對(duì)存儲(chǔ)器裝置500依序在晶圓針測階段進(jìn)行第一檢測程序,在成品測試階段進(jìn)行第三檢測程序,以及在系統(tǒng)開機(jī)自我測試階段進(jìn)行第四檢測程序。假設(shè)在第一檢測程序中檢測到受損的第一主存儲(chǔ)列時(shí),晶圓針測機(jī)可選擇目前未使用的備援存儲(chǔ)列510_1來取代受損的第一主存儲(chǔ)列,并將受損的第一主存儲(chǔ)列的地址通過雷射熔絲的方式存儲(chǔ)于備援狀態(tài)區(qū)塊520_1中對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列510_1的存儲(chǔ)字節(jié)540_1。同時(shí),存儲(chǔ)器裝置500可編程存儲(chǔ)字節(jié)540_1的索引位IB(例如編程為高邏輯準(zhǔn)位),使其表示第一檢測程序已使用對(duì)應(yīng)的備援存儲(chǔ)列510_1取代第一主存儲(chǔ)列。
在此情況下,如圖6所示,邏輯運(yùn)算單元530可通過反或閘600檢測到 存儲(chǔ)字節(jié)540_1的索引位IB因受編程而變?yōu)楦哌壿嫓?zhǔn)位,并可據(jù)以產(chǎn)生高邏輯準(zhǔn)位的遮罩信號(hào)SM5至備援狀態(tài)區(qū)塊520_2。并且,通過反或閘600及反閘610的邏輯轉(zhuǎn)換,邏輯運(yùn)算單元530可在反閘610的輸出端產(chǎn)生高邏輯準(zhǔn)位的遮罩信號(hào)SM6至備援狀態(tài)區(qū)塊520_3。據(jù)此,接受到遮罩信號(hào)SM5的備援狀態(tài)區(qū)塊520_2可遮罩本身對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列510_1的存儲(chǔ)字節(jié)550_1(即禁止存儲(chǔ)字節(jié)550_1受到編程),進(jìn)而可對(duì)第三檢測程序遮罩已被第一檢測程序使用的備援存儲(chǔ)列510_1。接受到遮罩信號(hào)SM6的備援狀態(tài)區(qū)塊520_3可遮罩本身對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列510_1的存儲(chǔ)字節(jié)560_1(即禁止存儲(chǔ)字節(jié)560_1受到編程),進(jìn)而可對(duì)第四檢測程序遮罩已被第一檢測程序使用的備援存儲(chǔ)列510_1。
此外,假設(shè)在第一檢測程序中未檢測到受損的第一主存儲(chǔ)列時(shí),若在之后的第三檢測程序中檢測到受損的第三主存儲(chǔ)列,在第三檢測程序中成品測試機(jī)即可選擇未被使用的備援存儲(chǔ)列510_1取代受損的第三主存儲(chǔ)列,并將受損的第三主存儲(chǔ)列的地址以電子熔絲的方式存儲(chǔ)于備援狀態(tài)區(qū)塊520_2中對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列510_1的存儲(chǔ)字節(jié)550_1。
在此情況下,如圖6所示,邏輯運(yùn)算單元530可通過反或閘600檢測到存儲(chǔ)字節(jié)550_1的索引位IB因受編程而變?yōu)楦哌壿嫓?zhǔn)位。并且,通過反或閘600及反閘610的邏輯轉(zhuǎn)換,邏輯運(yùn)算單元530可僅在反閘610的輸出端產(chǎn)生高邏輯準(zhǔn)位的遮罩信號(hào)SM6,并傳送至備援狀態(tài)區(qū)塊520_3。據(jù)此,接受到遮罩信號(hào)SM6的備援狀態(tài)區(qū)塊520_3可遮罩對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列510_1的存儲(chǔ)字節(jié)560_1(即禁止存儲(chǔ)字節(jié)560_1受到編程),進(jìn)而可對(duì)第四檢測程序遮罩已被第三檢測程序使用的備援存儲(chǔ)列510_1。
以下請參照圖7,圖7示出本發(fā)明又再一實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的示意圖。存儲(chǔ)器裝置700包括備援存儲(chǔ)列710_1~710_3、備援狀態(tài)區(qū)塊720_1~720_2以及邏輯運(yùn)算單元730。備援狀態(tài)區(qū)塊720_1~720_2可分別對(duì)應(yīng)在測試過程中用以檢測存儲(chǔ)器裝置700的主存儲(chǔ)列(未示出)的兩項(xiàng)第一及第二檢測程序,并分別提供所具有的存儲(chǔ)字節(jié)740_1~740_3以及750_1~750_3作為第一及第二檢測程序所需的存儲(chǔ)空間。在本實(shí)施例中,第一檢測程序例如為晶圓針測程序,第二檢測程序例如為系統(tǒng)開機(jī)自我測試程序。備援狀態(tài)區(qū)塊720_1可為適用于第一檢測程序的非易失性的雷射熔絲結(jié)構(gòu)。備援狀態(tài)區(qū)塊720_2 可為適用于第二檢測程序的易失性的暫存器結(jié)構(gòu)。其中部分元件的功能與前述實(shí)施例中對(duì)應(yīng)元件的功能相同或相似,故其詳細(xì)內(nèi)容在此不再贅述。
與前述實(shí)施例不同的是,在本實(shí)施例中,在每個(gè)存儲(chǔ)字節(jié)750_1~750_3中具有一個(gè)禁能位DB。禁能位DB可用以表示對(duì)應(yīng)的檢測程序是否已禁能所對(duì)應(yīng)的備援存儲(chǔ)列。舉例來說,當(dāng)在第二檢測程序中獲知存儲(chǔ)器裝置700的備援存儲(chǔ)列710_1不良或受損時(shí),成品測試機(jī)可在對(duì)應(yīng)的檢測程序中編程在備援狀態(tài)區(qū)塊720_2中對(duì)應(yīng)備援存儲(chǔ)列710_1的存儲(chǔ)字節(jié)750_1的禁能位DB。據(jù)此,可防止受損的備援存儲(chǔ)列710_1繼續(xù)被使用。
需說明的是,雖然在前述實(shí)施例是以特定個(gè)數(shù)的備援存儲(chǔ)列、備援狀態(tài)區(qū)塊以及存儲(chǔ)字節(jié)來對(duì)本發(fā)明實(shí)施例加以說明,但上述構(gòu)件的個(gè)數(shù)在本發(fā)明并不依此為限。并且針對(duì)本發(fā)明所揭露不同結(jié)構(gòu)形態(tài)的備援狀態(tài)區(qū)塊以及不同形式的存儲(chǔ)字節(jié)(包括具有索引位及禁能位),本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可以視其實(shí)際需求,并參照本發(fā)明實(shí)施例的教示,而可任意進(jìn)行組合并加以類推。
以下請參照圖8,圖8示出本發(fā)明一實(shí)施例的檢測程序的流程圖。本實(shí)施例的檢測程序適用于對(duì)前述實(shí)施例中的存儲(chǔ)器裝置進(jìn)行檢測。在步驟S810中,判斷存儲(chǔ)器裝置的主存儲(chǔ)列是否不良。當(dāng)存儲(chǔ)器裝置的主存儲(chǔ)列沒有不良時(shí),在步驟S820中,完成檢測程序。當(dāng)存儲(chǔ)器裝置的主存儲(chǔ)列具有不良時(shí),在步驟S830中,選擇備援存儲(chǔ)列來取代不良的主存儲(chǔ)列,并編程對(duì)應(yīng)檢測程序的備援狀態(tài)區(qū)塊中的對(duì)應(yīng)所選擇的備援存儲(chǔ)列的存儲(chǔ)字節(jié)。在步驟S840中,判斷編程是否成功。具體來說,當(dāng)對(duì)應(yīng)此備援存儲(chǔ)列的存儲(chǔ)字節(jié)被遮罩時(shí)無法編程成功,當(dāng)對(duì)應(yīng)此備援存儲(chǔ)列的存儲(chǔ)字節(jié)未被遮罩時(shí)則可編程成功。當(dāng)編程成功時(shí),在步驟S820中,完成檢測程序。當(dāng)編程未成功時(shí),在步驟S850中,判斷是否已選擇過全部的備援存儲(chǔ)列。當(dāng)已選擇過全部的備援存儲(chǔ)列時(shí),在步驟S860中,確認(rèn)存儲(chǔ)器裝置具有缺陷。當(dāng)未選擇過全部的備援存儲(chǔ)列時(shí),在步驟S870中,選擇其他的備援存儲(chǔ)列來取代不良的主存儲(chǔ)列,并編程對(duì)應(yīng)檢測程序的備援狀態(tài)區(qū)塊中的對(duì)應(yīng)所選擇的備援存儲(chǔ)列的存儲(chǔ)字節(jié)。并在步驟S870之后,回到步驟S840來判斷編程是否成功。此檢測程序可以用在成品的測試之中或是用在系統(tǒng)開機(jī)時(shí)的自我檢測修復(fù)中。
綜上所述,本發(fā)明可對(duì)應(yīng)多個(gè)檢測程序來進(jìn)行存儲(chǔ)單元的修補(bǔ)動(dòng)作,并且通過邏輯運(yùn)算單元所產(chǎn)生的遮罩信號(hào),可對(duì)已使用在其他檢測程序中的備 援存儲(chǔ)列進(jìn)行遮罩。藉此,可克服重復(fù)使用相同的備援存儲(chǔ)列的問題,以達(dá)到合并使用雷射熔絲、電子熔絲或暫存器等不同結(jié)構(gòu)形態(tài)的備援狀態(tài)區(qū)塊的功效,并兼具其優(yōu)點(diǎn)。
最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對(duì)其限制;盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。