本發(fā)明涉及存儲(chǔ)設(shè)備硬件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種Nand Flash的編程方法。

背景技術(shù)：

Nand Flash是Flash內(nèi)存的一種，具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。隨著Nand Flash的發(fā)展，其存儲(chǔ)單元已由早期的單層單元(Single Level Cell，SLC)逐漸演變?yōu)槎鄬訂卧?Multi Level Cell，MLC)、三層單元(Triple-Level Cell，TLC)以及四層單元(Quad Level Cell，QLC)等，Nand Flash的存儲(chǔ)單元層次增大主要由于存儲(chǔ)單元具有的比特位個(gè)數(shù)增多，相對(duì)應(yīng)的，Nand Flash顆粒存儲(chǔ)單元比特位的狀態(tài)也由2種變?yōu)?種、8種甚至16種。

在對(duì)Nand Flash進(jìn)行操作時(shí)，當(dāng)Nand Flash完成擦除操作后，若存儲(chǔ)單元的比特位處于擦除狀態(tài)，則說(shuō)明可進(jìn)行編程操作。對(duì)于多比特位的Nand Flash顆粒來(lái)說(shuō)，在進(jìn)行編程操作時(shí)，可將編程操作分為多步，一般地，第一步先將部分存儲(chǔ)單元編程到中間狀態(tài)，其余幾步編程再將余下的處于擦除狀態(tài)的存儲(chǔ)單元及處于中間狀態(tài)的存儲(chǔ)單元，分別編程到相應(yīng)的編程狀態(tài)。圖1給出了TLC Nand Flash顆粒編程操作時(shí)存儲(chǔ)單元狀態(tài)變化的示意圖，如圖1所示，在第一步編程后，部分存儲(chǔ)單元處于擦除狀態(tài)，部分處于中間狀態(tài)L1；再次進(jìn)行編程操作后，存儲(chǔ)單元會(huì)處于相應(yīng)的編程狀態(tài)，這些編程狀態(tài)可記為P1、P2、...、P7。

對(duì)于多比特位的Nand Flash顆粒來(lái)說(shuō)，現(xiàn)有的編程方法，對(duì)選中的編程頁(yè)進(jìn)行編程操作時(shí)，在進(jìn)行第一次編程達(dá)到中間狀態(tài)后，第二次進(jìn)行編程時(shí)還是從最初的編程電壓開始編程，且在加壓編程后，對(duì)存儲(chǔ)單元從第1編程狀態(tài)開始進(jìn)行驗(yàn)證，該編程操作嚴(yán)重影響了編程速度和編程精度，從而直接影響用戶 寫入數(shù)據(jù)的正確性和時(shí)間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種Nand Flash的編程方法，以提高Nand Flash內(nèi)存的編程精度和編程速度。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種Nand Flash的編程方法，包括：

基于字線地址確定當(dāng)前編程頁(yè)要施加的初始編程電壓值，在設(shè)定時(shí)間內(nèi)加壓編程；

確定當(dāng)前編程頁(yè)進(jìn)行編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)，并啟動(dòng)編程驗(yàn)證；

若編程驗(yàn)證失敗，則以設(shè)定步進(jìn)值抬升當(dāng)前編程電壓，之后進(jìn)行編程驗(yàn)證；重復(fù)當(dāng)前步驟，直到編程驗(yàn)證成功，停止編程操作。

進(jìn)一步的，所述基于字線地址確定當(dāng)前編程頁(yè)要施加的初始編程電壓值，具體為：判定當(dāng)前編程頁(yè)的字線地址與上一編程頁(yè)的字線地址是否屬于同一存儲(chǔ)塊，若是，則直接為當(dāng)前編程頁(yè)施加與上一編程頁(yè)相同的初始編程電壓；若否，則確定當(dāng)前編程頁(yè)的所屬存儲(chǔ)塊，讀取當(dāng)前編程頁(yè)所屬存儲(chǔ)塊的信息記錄，為當(dāng)前編程頁(yè)施加所述信息記錄中設(shè)定的初始編程電壓。

進(jìn)一步的，所有存儲(chǔ)塊的信息記錄以信息表的形式存放于Nand Flash的邏輯寄存器中，其中，一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)所述信息表的一行信息記錄。

進(jìn)一步的，所述一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)的一行信息記錄內(nèi)容為：加壓編程的初始電壓值以及編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)。

進(jìn)一步的，所述一行信息記錄中包括1個(gè)加壓編程的初始電壓值和n個(gè)編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)，其中，n為存儲(chǔ)塊基于字線地址劃分的字線分段數(shù)。

進(jìn)一步的，每個(gè)字線分段中的待編程頁(yè)個(gè)數(shù)相同，且處于一個(gè)字線分段中的待編程頁(yè)對(duì)應(yīng)的編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息相同。

進(jìn)一步的，所述確定當(dāng)前編程頁(yè)編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)，具體為：確定當(dāng)前編程頁(yè)所在的字線分段，讀取所述字線分段對(duì)應(yīng)的編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息。

進(jìn)一步的，Nand Flash基于歷史編程操作信息設(shè)定存儲(chǔ)塊的信息記錄。

進(jìn)一步的，由Nand Flash的控制單元控制存儲(chǔ)塊信息記錄的讀取。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種Nand Flash的編程方法，是對(duì)現(xiàn)有的編程方法的改進(jìn)，與現(xiàn)有方法相比，本發(fā)明的方法基于提前記錄的信息，在當(dāng)前編程頁(yè)進(jìn)入中間狀態(tài)再次編程時(shí)直接依據(jù)信息記錄中的初始編程電壓值和進(jìn)行編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)進(jìn)行編程操作。利用該方法，無(wú)需再?gòu)淖畹碗妷褐甸_始加壓編程，也不用從最初編程狀態(tài)開始編程驗(yàn)證，很大程度節(jié)省了編程時(shí)間，提高了Nand Flash的編程精度和編程速度，避免了對(duì)用戶寫入Nand Flash的時(shí)間及寫入數(shù)據(jù)正確性的影響。

附圖說(shuō)明

圖1為TLC Nand Flash顆粒編程操作時(shí)存儲(chǔ)單元狀態(tài)變化的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種Nand Flash的編程方法的流程圖；

圖3A為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種Nand Flash的編程方法的流程圖；

圖3B為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種Nand Flash的編程方法在TLC Nand Flash中的編程過(guò)程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。

實(shí)施例一

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種Nand Flash的編程方法的流程圖，該方法由Nand Flash執(zhí)行，是對(duì)現(xiàn)有編程方法的一種改進(jìn)，如圖2所示，該方法包括：

步驟101、基于字線地址確定當(dāng)前編程頁(yè)要施加的初始編程電壓值，在設(shè)定時(shí)間內(nèi)加壓編程。

一般地，對(duì)于Nand Flash的編程操作，首先是選中字線，然后對(duì)選中字線的編程頁(yè)進(jìn)行加壓編程及編程驗(yàn)證等操作。在本實(shí)施例中，所述字線地址可指Nand Flash中存儲(chǔ)單元陣列組成的存儲(chǔ)頁(yè)所具有的地址，其中，多個(gè)存儲(chǔ)頁(yè)可組成一個(gè)存儲(chǔ)塊，即一個(gè)存儲(chǔ)塊內(nèi)具有多個(gè)可以編程的存儲(chǔ)頁(yè)，且每個(gè)存儲(chǔ)頁(yè)都有一個(gè)相應(yīng)的字線地址。此外，在本實(shí)施例中，在選中字線后，并不直接從最低編程電壓對(duì)編程頁(yè)進(jìn)行編程，而是先基于編程頁(yè)的字線地址來(lái)確定編程的初始電壓值，之后在設(shè)定的時(shí)間內(nèi)持續(xù)為編程頁(yè)施加電壓。

進(jìn)一步的，基于字線地址確定當(dāng)前編程頁(yè)要施加的初始編程電壓值，具體為：判定當(dāng)前編程頁(yè)的字線地址與上一編程頁(yè)的字線地址是否屬于同一存儲(chǔ)塊，若是，則直接為當(dāng)前編程頁(yè)施加與上一編程頁(yè)相同的初始編程電壓；若否，則確定當(dāng)前編程頁(yè)的所屬存儲(chǔ)塊，讀取當(dāng)前編程頁(yè)所屬存儲(chǔ)塊的信息記錄，為當(dāng)前編程頁(yè)施加所述信息記錄中設(shè)定的初始編程電壓。

在本實(shí)施例中，對(duì)當(dāng)前編程頁(yè)進(jìn)行編程操作前，為了節(jié)省編程操作的時(shí)間，不需要對(duì)編程頁(yè)進(jìn)行首次編程，使編程頁(yè)存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)處于中間狀態(tài)，而是在編程操作前根據(jù)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)的信息記錄，確定當(dāng)前編程頁(yè)可以施加的最優(yōu)初始編程電壓值。確定初始編程電壓的過(guò)程可以簡(jiǎn)單描述為：先判斷當(dāng)前編 程頁(yè)的字線地址與上一編程頁(yè)的字線地址是否屬于同一存儲(chǔ)塊，如果屬于同一存儲(chǔ)塊，可直接對(duì)當(dāng)前編程頁(yè)施加與上一編程頁(yè)相同的初始編程電壓，并在設(shè)定時(shí)間內(nèi)持續(xù)施加該編程電壓；如果不屬于同一存儲(chǔ)塊，則需要先確定當(dāng)前編程頁(yè)字線地址所屬的存儲(chǔ)塊，再讀取當(dāng)前編程頁(yè)所屬存儲(chǔ)塊的信息記錄，由此確定當(dāng)前編程頁(yè)要施加的初始編程電壓值。需要說(shuō)明的是，當(dāng)前編程頁(yè)可施加的初始編程電壓值的信息，記錄在所述當(dāng)前編程頁(yè)所屬存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)的信息記錄中。

進(jìn)一步的，在本實(shí)施例中，所有存儲(chǔ)塊的信息記錄以信息表的形式存放于Nand Flash的邏輯寄存器中，其中，一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)所述信息表的一行信息記錄。

具體的，為了提高Nand Flash的編程精度，同時(shí)節(jié)省編程時(shí)間，在Nand Flash的編程操作開始前，應(yīng)該先將對(duì)編程頁(yè)施加初始編程電壓的大小以及從哪里開始進(jìn)行編程驗(yàn)證這些信息作為參考值記錄下來(lái)。一般來(lái)說(shuō)，同一存儲(chǔ)塊中的編程頁(yè)初始編程電壓的波動(dòng)不大，因此可以以存儲(chǔ)塊為單位進(jìn)行相關(guān)信息的記錄，最終所有存儲(chǔ)塊的信息記錄可匯成一張信息表，存放于Nand Flash的邏輯寄存器中。在本實(shí)施例中，Nand Flash的一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)了信息表中的一行信息記錄。進(jìn)而選中字線的編程頁(yè)可以基于所屬存儲(chǔ)塊的信息記錄快速讀取所需的初始編程電壓值進(jìn)行加壓編程。

進(jìn)一步的，所述一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)的一行信息記錄內(nèi)容為：加壓編程的初始電壓值以及編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)。

在本實(shí)施例中，信息表中的信息記錄內(nèi)容具體可描述為：當(dāng)前存儲(chǔ)塊中包含的所有待編程頁(yè)加壓編程時(shí)所要施加的初始編程電壓值、以及加壓編程后開始編程驗(yàn)證時(shí)，進(jìn)行編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)。

示例性的，對(duì)于TLC Nand Flash內(nèi)存來(lái)說(shuō)，現(xiàn)有的編程方法需要先為編程 頁(yè)首次加壓編程使Nand Flash存儲(chǔ)單元比特位狀態(tài)處于中間狀態(tài)，然后對(duì)編程從首次施加的初始電壓值開始再次加壓編程，最終使存儲(chǔ)單元比特位處于應(yīng)該編程到的編程狀態(tài)。利用本發(fā)明改進(jìn)后的編程方法，在對(duì)編程頁(yè)加壓編程前，只需讀取該編程頁(yè)所在存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)的信息記錄，基于信息記錄中的初始編程電壓值信息，就可對(duì)該編程頁(yè)直接加壓編程使存儲(chǔ)單元比特位處于應(yīng)該編程到的編程狀態(tài)，很大程度節(jié)省了編程時(shí)間。

步驟102、確定當(dāng)前編程頁(yè)進(jìn)行編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)，并啟動(dòng)編程驗(yàn)證。

在本實(shí)施例中，對(duì)當(dāng)前編程頁(yè)進(jìn)行加壓編程后，需要驗(yàn)證當(dāng)前編程頁(yè)的存儲(chǔ)單元是否達(dá)到了應(yīng)該處于的編程狀態(tài)。一般地，對(duì)于多比特位的Nand Flash來(lái)說(shuō)，其存儲(chǔ)單元具有多個(gè)編程狀態(tài)，這些編程狀態(tài)可依次記為第1狀態(tài)、第2狀態(tài)、...、第m狀態(tài)，其中，m為Nand Flash具有的編程狀態(tài)總數(shù)，且m記為m＝2^N-1，N為Nand Flash的存儲(chǔ)單元具有的比特位個(gè)數(shù)。加壓編程后，現(xiàn)有的編程方法直接從第1狀態(tài)開始對(duì)所有編程狀態(tài)進(jìn)行編程驗(yàn)證，本發(fā)明的編程方法只需讀取該編程頁(yè)相應(yīng)存儲(chǔ)塊的信息記錄，就能確定該編程頁(yè)從哪個(gè)編程狀態(tài)開始進(jìn)行編程驗(yàn)證。

進(jìn)一步的，一行信息記錄中包括1個(gè)加壓編程的初始電壓值和n個(gè)編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)，其中，n為存儲(chǔ)塊基于字線地址劃分的字線分段數(shù)。

在本實(shí)施例中，一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)一行信息記錄,該信息記錄以二進(jìn)制形式記錄了1個(gè)加壓編程的初始電壓值和n個(gè)編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息，其中n為相應(yīng)存儲(chǔ)塊基于字線地址劃分的字線分段數(shù)。具體的，在設(shè)定信息記錄時(shí)，對(duì)于一個(gè)存儲(chǔ)塊，為其設(shè)定1個(gè)加壓編程的初始電壓值即可；但為了保證編程操作時(shí)的編程精度，往往為其設(shè)定多個(gè)編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息。其設(shè)定操作簡(jiǎn)要描述為：將一個(gè)存儲(chǔ)塊基于字線分段地址均分為n組字線分段，然后 為每組字線分段設(shè)定1個(gè)編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息。因此信息表中的一行信息記錄就包括n個(gè)編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息。

進(jìn)一步的，每個(gè)字線分段中的待編程頁(yè)個(gè)數(shù)相同，且處于一個(gè)字線分段中的待編程頁(yè)對(duì)應(yīng)的編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息相同。

具體的，基于字線分段地址對(duì)存儲(chǔ)塊進(jìn)行的是均分，因此存儲(chǔ)塊的每個(gè)字線分段中包含的待編程頁(yè)個(gè)數(shù)相同，且這些處于一個(gè)字線分段中的待編程頁(yè)在加壓編程后，進(jìn)行編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)是相同的。

在本實(shí)施例中，基于字線分段地址均分存儲(chǔ)塊后，每個(gè)字線分段中的待編程頁(yè)進(jìn)行編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息可優(yōu)選設(shè)定為：處于該字線分段首位的編程頁(yè)進(jìn)行編程驗(yàn)證時(shí)的起始編程狀態(tài)信息。也可理解為：該字線分段中其余的待編程頁(yè)開始編程驗(yàn)證時(shí)讀取的起始編程狀態(tài)信息與處于該字線分段首位的待編程頁(yè)的起始編程狀態(tài)信息相同。

進(jìn)一步的，所述確定當(dāng)前編程頁(yè)編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)，具體為：確定當(dāng)前編程頁(yè)所在的字線分段，讀取所述字線分段對(duì)應(yīng)的編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息。

具體的，如果當(dāng)前編程頁(yè)的字線地址與上一編程頁(yè)的字線地址屬于同一存儲(chǔ)塊，在直接施加與上一編程頁(yè)相同的初始編程電壓后，要確定當(dāng)前編程頁(yè)的字線地址處于所在存儲(chǔ)塊哪個(gè)字線分段中，然后依據(jù)所在字線分段對(duì)應(yīng)的編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息進(jìn)行編程驗(yàn)證；如果當(dāng)前編程頁(yè)與上一編程頁(yè)不屬于同一存儲(chǔ)塊，在確定當(dāng)前編程頁(yè)的所屬存儲(chǔ)塊并讀取初始編程電壓信息加壓編程后，還要繼續(xù)確定當(dāng)前編程頁(yè)的字線地址處于哪個(gè)字線分段中，然后再依據(jù)所在字線分段對(duì)應(yīng)的編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息進(jìn)行編程驗(yàn)證。

步驟103、若編程驗(yàn)證失敗，則以設(shè)定步進(jìn)值抬升當(dāng)前編程電壓，之后進(jìn)行 編程驗(yàn)證；重復(fù)當(dāng)前步驟，直到編程驗(yàn)證成功，停止編程操作。

在本實(shí)施例中，編程操作的結(jié)束條件為當(dāng)前編程頁(yè)中的存儲(chǔ)單元比特位所處的狀態(tài)達(dá)到了編程要求的編程狀態(tài)。存儲(chǔ)單元比特位是否達(dá)到編程狀態(tài)可通過(guò)編程驗(yàn)證查驗(yàn)，當(dāng)編程驗(yàn)證未通過(guò)時(shí)，需要繼續(xù)以設(shè)定步進(jìn)值抬升電壓對(duì)當(dāng)前編程頁(yè)再次進(jìn)行加壓編程，加壓編程后可依據(jù)對(duì)應(yīng)的編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息再次開始編程驗(yàn)證，重復(fù)這樣的操作直到驗(yàn)證成功才可停止編程操作。

需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，Nand Flash基于歷史編程操作信息設(shè)定存儲(chǔ)塊的信息記錄。具體的，可先基于現(xiàn)有的編程方法對(duì)存儲(chǔ)塊的編程頁(yè)進(jìn)行編程操作，編程期間需要記錄對(duì)編程頁(yè)的編程操作信息。其編程操作信息可以是存儲(chǔ)單元比特位處于中間狀態(tài)時(shí)施加給編程頁(yè)的當(dāng)前編程電壓信息、以及從哪個(gè)編程狀態(tài)開始進(jìn)行編程驗(yàn)證時(shí)其驗(yàn)證結(jié)果最優(yōu)等。依據(jù)這些操作信息可以設(shè)定出更適合編程操作的編程信息，以便再次編程操作時(shí)使用。

進(jìn)一步的，由Nand Flash的控制單元控制存儲(chǔ)塊信息記錄的讀取。具體的，在確定當(dāng)前編程頁(yè)要施加的初始編程電壓值及其當(dāng)前編程頁(yè)進(jìn)行編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)時(shí)，對(duì)信息記錄的讀取工作由Nand Flash的控制單元來(lái)控制操作。

本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種Nand Flash的編程方法，對(duì)現(xiàn)有編程方法進(jìn)行改進(jìn)，在編程操作前，先基于編程頁(yè)所在的存儲(chǔ)塊確定要施加的初始編程電壓值，并在加壓編程后，再基于所在的存儲(chǔ)塊字線分段確定進(jìn)行編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息。利用該方法，可以大大降低整個(gè)編程操作的時(shí)間消耗，很大程度的提高編程速度，同時(shí)也有效提高了Nand Flash的編程精度，避免了對(duì)用戶寫入Nand Flash的時(shí)間及寫入數(shù)據(jù)正確性的影響。

實(shí)施例二

如圖3A所示，本發(fā)明實(shí)施例三提供了一種Nand Flash的編程方法的優(yōu)選實(shí) 施例，本實(shí)施例基于TLC Nand Flash，詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明所提的一種Nand Flash的編程方法。具體的本實(shí)施例所提編程方法的編程示意圖如圖3B所示，下面具體結(jié)合圖3A，詳細(xì)說(shuō)明圖3B的編程操作過(guò)程，如圖3A所示，給出了本發(fā)明實(shí)施例的方法在TLC Nand Flash中進(jìn)行編程操作的流程示意圖，具體包括如下步驟：

步驟201、選中字線確定TLC Nand Flash的當(dāng)前編程頁(yè)。

示例性的，基于TLC Nand Flash的控制單元選取要編程的字線，由此確定當(dāng)前編程頁(yè)。

步驟202、判定當(dāng)前編程頁(yè)的字線地址與上一編程頁(yè)的字線地址是否屬于同一存儲(chǔ)塊，若是，則執(zhí)行步驟203；若否，則執(zhí)行步驟204。

示例性的，所述當(dāng)前編程頁(yè)為TLC Nand Flash中通過(guò)選中字線獲取的編程頁(yè)。在編程操作前，先判斷當(dāng)前編程頁(yè)的字線地址與上一次編程操作時(shí)編程頁(yè)的字線地址是否屬于同一存儲(chǔ)塊，由此確定加壓編程時(shí)的初始編程電壓值。

步驟203、直接為當(dāng)前編程頁(yè)施加與上一編程頁(yè)相同的初始編程電壓，并在設(shè)定時(shí)間內(nèi)持續(xù)施壓。

在本實(shí)施例中，若當(dāng)前編程頁(yè)的字線地址與上一次編程操作時(shí)編程頁(yè)的字線地址是否屬于同一存儲(chǔ)塊，則執(zhí)行步驟203，可直接施加與上一編程頁(yè)相同的初始編程電壓。具體的，由TLC Nand Flash的控制單元控制電壓泵向編程頁(yè)持續(xù)施加與上一編程頁(yè)相同的電壓值，同時(shí)控制單元還控制電壓泵向編程頁(yè)施加電壓的時(shí)間，且在加壓編程時(shí)電壓泵向字線施加高電平電壓，同時(shí)保持編程頁(yè)的位線電平為0。

步驟204、確定當(dāng)前編程頁(yè)的所屬存儲(chǔ)塊，讀取當(dāng)前編程頁(yè)所屬存儲(chǔ)塊的信息記錄，為當(dāng)前編程頁(yè)施加所述信息記錄中設(shè)定的初始編程電壓，并在設(shè)定時(shí) 間內(nèi)持續(xù)施壓。

在本實(shí)施例中，如果當(dāng)前編程頁(yè)的字線地址與上一次編程操作時(shí)編程頁(yè)的字線地址是否屬于同一存儲(chǔ)塊，需執(zhí)行步驟204，先確定當(dāng)前編程頁(yè)的所屬存儲(chǔ)塊，再基于所屬存儲(chǔ)塊的信息記錄確定要施加的初始編程電壓。

具體的，在本實(shí)施例中，TLC Nand Flash中存儲(chǔ)塊的信息記錄主要基于該TLC Nand Flash的歷史編程操作中的相關(guān)信息設(shè)定。當(dāng)再次對(duì)該TLC Nand Flash進(jìn)行編程操作時(shí)，在選中字線確定編程頁(yè)后，先確定當(dāng)前編程頁(yè)所屬的存儲(chǔ)塊，再基于該Nand Flash的控制單元讀取存放在邏輯寄存器中信息表的信息記錄，由此確定當(dāng)前編程頁(yè)的初始編程電壓值。其中，所述信息表包含該TLC Nand Flash所有存儲(chǔ)塊的信息記錄，一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)信息表中的一行信息記錄，且一行信息記錄包含的內(nèi)容有：1個(gè)加壓編程的初始電壓值和n個(gè)編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)，n為存儲(chǔ)塊基于字線地址劃分的字線分段數(shù)。所述加壓編程的初始電壓值用于作為相應(yīng)編程頁(yè)施加的初始電壓值；所述編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)用于作為當(dāng)前編程頁(yè)加壓編程后進(jìn)行編程驗(yàn)證時(shí)驗(yàn)證開始的編程狀態(tài)。

步驟205、確定當(dāng)前編程頁(yè)所在的字線分段，讀取所述字線分段對(duì)應(yīng)的編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息。

在本實(shí)施例中，當(dāng)確定了當(dāng)前編程頁(yè)的初始電壓值，完成加壓編程后，需要對(duì)當(dāng)前編程頁(yè)進(jìn)行編程驗(yàn)證。編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)可以對(duì)所屬存儲(chǔ)塊的信息記錄進(jìn)行讀取，在讀取起始編程狀態(tài)前，需先確定當(dāng)前編程頁(yè)所在的字線分段，之后再讀取所在的字線分段對(duì)應(yīng)的編程驗(yàn)證起始編程狀態(tài)信息。

在本實(shí)施例中，一個(gè)存儲(chǔ)塊的信息記錄中含有n個(gè)編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息，即若一個(gè)存儲(chǔ)塊劃分為n個(gè)字線分段，則每個(gè)字線分段都對(duì)應(yīng)一個(gè)起始編程狀態(tài)信息。因此當(dāng)前編程頁(yè)讀取起始編程狀態(tài)信息時(shí)需先確定所在字線 分段。示例性的，在TLC Nand Flash中，其存儲(chǔ)單元具有3個(gè)比特位，所以編程狀態(tài)總數(shù)m為7，可分別記作第1狀態(tài)p1、第2狀態(tài)p2、...、第i狀態(tài)pi、...、以及第7狀態(tài)p7，同時(shí)，若該TLC Nand Flash的一個(gè)存儲(chǔ)塊中具有128個(gè)待編程頁(yè)，則其字線地址可表示為WL0～WL127。若將待編程頁(yè)均分為4組，則按字線分段地址可將字線分為WL0～WL31、WL32～WL63、WL64～WL95、以及WL96～WL127?；谏鲜?組字線分段，所屬存儲(chǔ)塊的信息記錄中也相應(yīng)設(shè)定了4個(gè)編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)信息。優(yōu)選地，在設(shè)定起始編程狀態(tài)信息時(shí)，可將每組字線分段的首個(gè)待編程頁(yè)的起始編程狀態(tài)信息看作該組所有待編程頁(yè)的起始編程狀態(tài)信息，如WL1～WL31所對(duì)應(yīng)的待編程頁(yè)，其編程狀態(tài)信息就可看作是WL0待編程頁(yè)的起始編程狀態(tài)信息，從而可以依據(jù)信息記錄的起始編程狀態(tài)第4狀態(tài)P4開始進(jìn)行編程驗(yàn)證。

步驟206、啟動(dòng)編程驗(yàn)證。

在本實(shí)施例中，在確定編程驗(yàn)證的起始編程狀態(tài)后，開始從該編程狀態(tài)進(jìn)行編程驗(yàn)證。

步驟207、判斷編程驗(yàn)證是否成功，若否，則執(zhí)行步驟208；若是，則執(zhí)行步驟209。

在本實(shí)施例中，編程驗(yàn)證的過(guò)程即查驗(yàn)存儲(chǔ)單元比特位的狀態(tài)是否已處于應(yīng)該編程到的狀態(tài)，如果查驗(yàn)結(jié)果不滿足編程結(jié)束條件，則需執(zhí)行步驟208，如果滿足編程結(jié)束條件則可執(zhí)行步驟209。

步驟208、以設(shè)定步進(jìn)值抬升當(dāng)前編程電壓，之后返回步驟206。

在本實(shí)施例中，如果編程驗(yàn)證沒(méi)有滿足編程結(jié)束條件，則需要抬升施加給當(dāng)前編程頁(yè)的編程電壓。一般地，以設(shè)定步進(jìn)值抬升編程電壓，所述步進(jìn)值具體可為一個(gè)固定電壓增量值，可優(yōu)選為0.5V～1.5V的任一數(shù)值。

步驟209、停止編程操作。

當(dāng)完成上述步驟后，可停止對(duì)當(dāng)前編程頁(yè)的編程操作。

本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種Nand Flash的編程方法的優(yōu)選實(shí)施例，在該優(yōu)選實(shí)施例中，選中TLC Nand Flash的一個(gè)字線后，先確定施加給該選中字線編程頁(yè)的初始編程電壓值，加壓編程后再確定進(jìn)行編程驗(yàn)證時(shí)的起始編程狀態(tài)，并從該起始編程狀態(tài)進(jìn)行編程驗(yàn)證。利用該方法，可以大大降低整個(gè)編程操作的時(shí)間消耗，很大程度的提高編程速度，同時(shí)也有效提高了Nand Flash的編程精度，避免了對(duì)用戶寫入Nand Flash的時(shí)間及寫入數(shù)據(jù)正確性的影響。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。