本發(fā)明實(shí)施例涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種存儲單元的編程方法。

背景技術(shù)：

非易失閃存介質(zhì)(norflash/nandflash)是一種很常見的存儲芯片，兼有隨機(jī)存儲器(randomaccessmemory，ram)和只讀存儲器(read-onlymemory，rom)的優(yōu)點(diǎn)，數(shù)據(jù)掉電不會丟失，是一種可在系統(tǒng)進(jìn)行電擦寫的存儲器，同時(shí)它的高集成度和低成本使它成為市場主流。flash芯片是由內(nèi)部成千上萬個(gè)存儲單元組成的，每個(gè)儲存單元存儲一位數(shù)據(jù)，多個(gè)存儲單元構(gòu)成頁，多個(gè)頁組成塊，正是由于該特殊的物理結(jié)構(gòu)，在norflash/nandflash中是以頁為單位進(jìn)行讀/寫(編程操作)數(shù)據(jù)，以塊為單位進(jìn)行擦除數(shù)據(jù)的。

在flash芯片中，一個(gè)存儲單元可看作為一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(metal-oxidesemiconductorfield-effecttransistor,mosfet)。圖1是一種常見的mosfet結(jié)構(gòu)圖，包括柵極20、源極21、漏極22、p型阱23、n型阱25、p型硅半導(dǎo)體襯底26以及隧穿氧化層24，其相互間的連接為：p型硅半導(dǎo)體襯底26擴(kuò)散出兩個(gè)n型區(qū)，p型阱23上方覆蓋一層隧穿氧化層24，最后在n型區(qū)上方通過腐蝕的方法做成兩個(gè)孔，通過金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個(gè)孔內(nèi)做成三個(gè)電極：柵極20、源極21和漏極22，源極21和漏極22分別對應(yīng)兩個(gè)n型區(qū)且柵極20為存儲單元的字線，漏極22為存儲單元的位線。進(jìn)一步的，柵極20又包括控制柵極201、多晶硅層間電介質(zhì)202(inter-polydielectric, ipd)、浮動?xùn)艠O203，且浮動?xùn)艠O203可以存儲電荷。

可對存儲單元進(jìn)行五種基本操作，分別是：編程驗(yàn)證操作，是將存儲單元的狀態(tài)由1編程為0的過程；預(yù)編程驗(yàn)證操作，是在對存儲單元進(jìn)行擦除操作之前，將存儲單元中當(dāng)前狀態(tài)不是0的編程為0的過程；第一次過擦除驗(yàn)證，是將處于過擦除狀態(tài)的存儲單元編程為擦除狀態(tài)的過程；第二次過擦除驗(yàn)證，是在第一次過擦除驗(yàn)證的基礎(chǔ)上，繼續(xù)將處于過擦除狀態(tài)的存儲單元編程為擦除狀態(tài)的過程；恢復(fù)編程驗(yàn)證操作，是將當(dāng)前狀態(tài)為弱0的存儲單元編程為強(qiáng)0的過程。上述各操作的實(shí)質(zhì)是，把存儲單元的閾值電壓從一個(gè)起始范圍編程到另一個(gè)范圍，由于每一種操作對應(yīng)的起始閾值電壓范圍以及最終所要達(dá)到的閾值電壓范圍均不同，所以每種操作所需要的編程條件也不一樣，即在存儲單元的柵極、漏極以及源極施加的編程電壓不同。在現(xiàn)有技術(shù)中，上述五種基本操作共用一個(gè)電壓調(diào)節(jié)檔位，即一個(gè)控制位，一旦控制位被設(shè)定好便無法對其進(jìn)行修改，因此，不能準(zhǔn)確地對每一種操作施加相應(yīng)地編程電壓。例如，如果為了提高編程速度而對存儲單元施加高壓，由于上述五種基本操作共用一個(gè)電壓調(diào)節(jié)檔位，此時(shí)控制位已經(jīng)被設(shè)定為編程驗(yàn)證操作所需要的最佳值，當(dāng)對存儲單元進(jìn)行其余四種基本操作時(shí)，施加到存儲單元的編程電壓有可能會高于存儲單元當(dāng)前狀態(tài)下所需的電壓值，那么，再對此存儲單元進(jìn)行擦除操作時(shí)會變的很困難，必須對存儲單元施加更高的電壓以完成擦除操作，但此時(shí)又容易造成存儲單元過擦除，增加芯片老化速度。

綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)存在編程速度慢，且使芯片老化速度快的缺點(diǎn)，有待進(jìn)一步提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種存儲單元的編程方法，以提高編程速度且降低芯片的老化速度。

該方法具體包括：

接收編程指令；

基于存儲單元的閾值電壓判斷存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段；

根據(jù)所述編程操作階段選擇編程電壓調(diào)節(jié)檔位，向存儲單元施加編程電壓。

示例性的，根據(jù)所述編程操作階段選擇編程電壓調(diào)節(jié)檔位，向存儲單元施加編程電壓，包括：

根據(jù)存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段，設(shè)定所述編程操作階段對應(yīng)的控制位；

根據(jù)所述控制位生成編程電壓，并向存儲單元施加所述編程電壓。

進(jìn)一步的，所述存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段包括下述至少一項(xiàng)：

編程驗(yàn)證操作、預(yù)編程驗(yàn)證操作、第一次過擦除驗(yàn)證、第二次過擦除驗(yàn)證和恢復(fù)編程驗(yàn)證操作。

示例性的，當(dāng)存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段為編程驗(yàn)證操作時(shí)，向存儲單元的柵極和漏極施加的編程電壓分別為9v和5v。

示例性的，當(dāng)存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段為預(yù)編程驗(yàn)證操作或者恢復(fù)編程驗(yàn)證操作時(shí)，向存儲單元的柵極和漏極施加的編程電壓分別為8v和4v。

示例性的，當(dāng)存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段為第一次過擦除驗(yàn)證時(shí)，向存儲單元的柵極和漏極施加的編程電壓分別為0v和5v。

示例性的，當(dāng)存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段為第二次過擦除驗(yàn)證時(shí)，向存儲單元的柵極和漏極施加的編程電壓分別為2.5v和5v。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種存儲單元的編程方法，在接收到編程指令后，判斷存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段，然后根據(jù)所述編程操作階段選擇編程電壓調(diào)節(jié)檔位，向存儲單元施加編程電壓。通過給不同的編程操作階段配備專門的電壓調(diào)節(jié)檔位，提高了存儲單元的編程速度且降低了芯片的老化速度。

附圖說明

圖1是flash芯片中一種作為存儲單元的金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管的結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例一中的一種存儲單元的編程方法流程圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例二中的一種存儲單元的編程方法流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例一

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種存儲單元的編程方法流程圖，本實(shí)施例可適用于對存儲單元進(jìn)行各種編程操作。參加圖2，本實(shí)施例提供的存儲單元的編程方法具體包括如下步驟：

s110、接收編程指令。

上述步驟中接收編程指令是指接收開始對存儲單元進(jìn)行操作的指令，所述 操作具體為哪種操作，則由存儲單元當(dāng)前所處的狀態(tài)決定。

s120、基于存儲單元的閾值電壓判斷存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段。

當(dāng)接收到編程指令后，電壓選擇模塊首先判斷存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段。

示例性的，判斷存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段可以通過將存儲單元的當(dāng)前閾值電壓與各編程操作階段所設(shè)定的閾值電壓作比較得出。

示例性的，所述存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段包括下述至少一項(xiàng)：

編程驗(yàn)證操作、預(yù)編程驗(yàn)證操作、第一次過擦除驗(yàn)證、第二次過擦除驗(yàn)證和恢復(fù)編程驗(yàn)證操作。

s130、根據(jù)所述編程操作階段選擇編程電壓調(diào)節(jié)檔位，向存儲單元施加編程電壓。

示例性的，當(dāng)存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段為編程驗(yàn)證操作時(shí)，向存儲單元的柵極和漏極施加的編程電壓分別為9v和5v。

當(dāng)存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段為預(yù)編程驗(yàn)證操作或者恢復(fù)編程驗(yàn)證操作時(shí)，向存儲單元的柵極和漏極施加的編程電壓分別為8v和4v。

當(dāng)存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段為第一次過擦除驗(yàn)證時(shí)，向存儲單元的柵極和漏極施加的編程電壓分別為0v和5v。

當(dāng)存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段為第二次過擦除驗(yàn)證時(shí)，向存儲單元的柵極和漏極施加的編程電壓分別為2.5v和5v。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種存儲單元的編程方法，在接收到編程指令后，判斷存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段，然后根據(jù)所述編程操作階段選擇編程電壓調(diào)節(jié)檔位，向存儲單元施加編程電壓。通過給不同的編程操作階段配備專門 的電壓調(diào)節(jié)檔位，提高了存儲單元的編程速度且降低了芯片的老化速度。

實(shí)施例二

圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種存儲單元的編程方法流程圖，本實(shí)施例在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，參加圖3，本實(shí)施例提供的存儲單元的編程方法具體包括如下步驟：

s210、接收編程指令。

s220、基于存儲單元的閾值電壓判斷存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段。

s230、根據(jù)存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段，設(shè)定所述編程操作階段對應(yīng)的控制位。

每一個(gè)編程操作階段都有一個(gè)專門的控制位，以控制電荷泵打開所述編程操作階段所需的編程電壓。

s240、根據(jù)所述控制位生成編程電壓，并向存儲單元施加所述編程電壓。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種存儲單元的編程方法，在接收到編程指令后，判斷存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段，然后根據(jù)存儲單元當(dāng)前所處的編程操作階段，設(shè)定所述編程操作階段對應(yīng)的控制位，根據(jù)所述控制位生成編程電壓，并向存儲單元施加所述編程電壓。通過給不同的編程操作階段配備專門的電壓調(diào)節(jié)檔位，提高了存儲單元的編程速度且降低了芯片的老化速度。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖 然通過以上實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。