本發(fā)明涉及磁盤用基板的制造方法和磁盤的制造方法。

背景技術(shù)：

對(duì)于用作信息記錄介質(zhì)之一的磁盤而言，以往適宜地使用了玻璃基板?，F(xiàn)在，應(yīng)硬盤驅(qū)動(dòng)裝置中的存儲(chǔ)容量增大的要求，實(shí)現(xiàn)了磁記錄的高密度化。伴隨于此，進(jìn)行了下述操作：使磁頭距磁記錄面的懸浮距離極短，從而對(duì)磁記錄信息區(qū)域進(jìn)行微細(xì)化。對(duì)于這種磁盤用玻璃基板而言，為了達(dá)成高記錄密度硬盤驅(qū)動(dòng)裝置所需的磁頭低懸浮量化，降低玻璃基板的表面凹凸、特別是微小起伏的要求越來越強(qiáng)。

為了降低玻璃基板的表面凹凸、特別是微小起伏，需要以高精度進(jìn)行玻璃基板的研磨處理。在研磨處理中，通過使研磨墊與玻璃基板相對(duì)滑動(dòng)，從而對(duì)玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨。為了以高精度進(jìn)行研磨處理，對(duì)研磨條件、例如研磨墊或研磨漿料的條件進(jìn)行調(diào)整。特別是，由于研磨墊是與玻璃基板直接接觸的部件，因而會(huì)對(duì)玻璃基板的表面凹凸產(chǎn)生大幅影響。這樣的研磨墊如下得到：通過在玻璃基板的研磨開始前進(jìn)行修整處理，使研磨墊的表面為特定的平坦度和表面粗糙度，由此得到上述研磨墊。

例如已知下述技術(shù)，其為用修整處理后的玻璃基板用研磨墊對(duì)玻璃基板進(jìn)行研磨的玻璃基板研磨方法，其使用在修整處理中所用的板狀的修整夾具，該修整夾具的板面的表面粗糙度以算術(shù)平均粗糙度Ra計(jì)為0.10μm～2.5μm，并且修整處理前后的板面的算術(shù)平均粗糙度Ra的變化量為15％以上(專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利5428793號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的課題

近年來，為了實(shí)現(xiàn)磁頭低懸浮量化，要求對(duì)玻璃基板的主表面的表面粗糙度中的微小起伏進(jìn)行更嚴(yán)格的管理。例如，優(yōu)選降低表面粗糙度中的與以往的微小起伏(波長為2μm～4mm)相比波長比較短的區(qū)域的特定范圍的微小起伏(波長為50～200μm)。

在欲在玻璃基板中實(shí)現(xiàn)這種波長為50～200μm的微小起伏的降低的情況下，僅通過使用上述修整夾具未必能夠降低玻璃基板的波長短的微小起伏。關(guān)于這種玻璃基板中的問題，在實(shí)施研磨處理制成磁盤用基板的鋁金制基板中也存在同樣的問題。

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠降低研磨處理后的基板的表面粗糙度中的、基板的主表面的波長為50～200μm的微小起伏的磁盤用基板的制造方法以及磁盤的制造方法。

用于解決課題的方案

本申請(qǐng)發(fā)明人對(duì)為了使磁盤用玻璃基板的主表面的表面粗糙度滿足磁盤用玻璃基板的品質(zhì)要求而進(jìn)行的研磨處理中所用的研磨墊的表面粗糙度、與使用研磨墊的研磨處理后的玻璃基板的主表面的波長為50～200μm的微小起伏的關(guān)系進(jìn)行了調(diào)查，發(fā)現(xiàn)在研磨墊的表面粗糙度與玻璃基板的主表面的波長為50～200μm的微小起伏之間存在相關(guān)關(guān)系。本申請(qǐng)發(fā)明人進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，在進(jìn)行將作為研磨墊的原材料的發(fā)泡樹脂材料的表面削去而在研磨墊的表面設(shè)置開口的開口處理前的發(fā)泡樹脂材料的表面粗糙度、與開口處理后的發(fā)泡樹脂材料的表面粗糙度之間存在相關(guān)關(guān)系?；谶@樣的相關(guān)關(guān)系完成了本申請(qǐng)發(fā)明。

即，本發(fā)明的一個(gè)方式為磁盤用基板的制造方法。該制造方法包括以下的方案。

[方案1]

一種磁盤用基板的制造方法，其包括：

研磨處理，其中，使研磨墊與基板相對(duì)滑動(dòng)，從而對(duì)上述基板的主表面進(jìn)行研磨；和

開口處理，其中，為了將未形成有開口的研磨墊的原材料制成上述研磨墊，在上述研磨處理前，將上述原材料的表面削去而在上述表面形成開口。

作為上述研磨墊的原材料，使用上述表面的表面粗糙度中的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.65μm以下的原材料。

[方案2]

一種磁盤用基板的制造方法，其包括：

研磨處理，其中，使研磨墊與基板相對(duì)滑動(dòng)，從而對(duì)上述基板的主表面進(jìn)行研磨；和

開口處理，其中，為了將未形成有開口的研磨墊的原材料制成上述研磨墊，在上述研磨處理前，將上述原材料的表面削去而在上述表面形成開口。

并且，預(yù)先求出上述開口處理前的上述原材料的表面粗糙度與上述開口處理后的上述原材料的表面粗糙度之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，

由上述研磨處理后的上述基板的在波長50μm～200μm下的主表面的表面粗糙度為所設(shè)定的范圍內(nèi)的上述開口處理后的上述原材料的表面粗糙度的信息與上述對(duì)應(yīng)關(guān)系確定上述開口處理前的上述原材料的表面粗糙度，由此選擇上述研磨墊的開口處理前的原材料。

[方案3]

如方案1或2所述的磁盤用基板的制造方法，其中，上述開口處理后的上述原材料的上述開口的平均直徑為1μm～50μm。

[方案4]

如方案1～3中任一項(xiàng)所述的磁盤用基板的制造方法，其中，在上述開口處理中，將上述原材料削去的量為5μm以下。

[方案5]

如方案1～4中任一項(xiàng)所述的磁盤用基板的制造方法，其中，上述開口處理后的上述原材料的厚度為300μm～800μm。

[方案6]

如方案1～5中任一項(xiàng)所述的磁盤用基板的制造方法，其中，

上述原材料為發(fā)泡樹脂原材料，

進(jìn)行上述開口處理前的上述發(fā)泡樹脂原材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra1與進(jìn)行上述開口處理后的上述發(fā)泡樹脂原材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra2之比為1<Ra2/Ra1≤4，并且進(jìn)行上述開口處理后的上述發(fā)泡樹脂原材料的算術(shù)平均粗糙度Ra為1.0μm以下。

[方案7]

如方案1～6中任一項(xiàng)所述的磁盤用基板的制造方法，其中，關(guān)于上述基板的主表面的研磨后的波長為50μm～200μm的微小起伏，上述基板的均方根粗糙度Rq為0.06nm以下。

本發(fā)明的另一方式為一種磁盤用基板的制造方法，其包括以下的方案。

[方案8]

一種磁盤用基板的制造方法，其在由方案1～7中任一項(xiàng)所述的磁盤用基板的制造方法制造出的磁盤用基板的主表面至少形成磁性層。

發(fā)明的效果

利用上述的磁盤用基板的制造方法和磁盤的制造方法，能夠降低研磨處理后的基板的主表面的波長為50～200μm的微小起伏。

附圖說明

圖1的(a)、(b)是本實(shí)施方式中的第2研磨處理中所用的研磨裝置的示意性構(gòu)成圖。

圖2是對(duì)圖1的(a)、(b)所示的研磨裝置的研磨進(jìn)行說明的圖。

圖3的(a)、(b)是對(duì)作為研磨墊的原材料的發(fā)泡樹脂材料的結(jié)構(gòu)和表面形狀進(jìn)行說明的圖。

圖4是表示開口處理前的發(fā)泡樹脂材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra與完成了開口處理的發(fā)泡樹脂材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra的對(duì)應(yīng)關(guān)系的圖。

圖5是表示開口處理前的發(fā)泡樹脂材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra與第2研磨處理后的玻璃基板的主表面的均方根粗糙度Rq之間的關(guān)系的圖。

具體實(shí)施方式

下面，對(duì)本發(fā)明的磁盤用基板的制造方法和磁盤用基板進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，除了玻璃基板以外，本發(fā)明的磁盤用基板也可以應(yīng)用于鋁合金基板，但在之后的說明中將磁盤用玻璃基板用作本實(shí)施方式進(jìn)行說明。本說明書中所說的包括波長為50～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq、算術(shù)平均粗糙度Ra在內(nèi)的表面粗糙度的定義均依據(jù)JIS B 0601:2001。

本實(shí)施方式中，用于磁盤的磁盤用玻璃基板為圓板形狀，呈中心部分以同心圓形狀被挖空的環(huán)狀，將環(huán)的中心作為旋轉(zhuǎn)軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。磁盤是通過將磁性層等層積于磁盤用玻璃基板上而得到的。例如，在玻璃基板上成膜有附著層、軟磁性層、非磁性基底層、垂直磁記錄層、保護(hù)層和潤滑層等。由此，制造出磁盤。因此，重要的是，對(duì)磁盤用玻璃基板的表面凹凸進(jìn)行高精度管理。

本實(shí)施方式的玻璃基板的研磨處理、例如研磨處理(第2研磨處理)中所用的研磨墊例如使用作為發(fā)泡樹脂材料的發(fā)泡聚氨酯。該發(fā)泡樹脂材料具有在內(nèi)部設(shè)有多個(gè)空隙的獨(dú)立氣泡結(jié)構(gòu)的空隙層(圖3的(b)所示的空隙層24e)、和設(shè)置于空隙層的表面?zhèn)鹊谋砻婺?圖3的(b)所示的表面膜24d)，是具有隨著空隙從內(nèi)部向表面空隙截面變小的部分的所謂絨面革型的研磨墊。研磨墊實(shí)施了下述開口處理，即，將該發(fā)泡樹脂材料的至少表面膜削去，在研磨墊的表面同樣地形成空隙的開口。該開口處理在玻璃基板的研磨處理前實(shí)施。該發(fā)泡樹脂材料為研磨墊的原材料。實(shí)施了開口處理的發(fā)泡樹脂材料稱為實(shí)施了開口處理的原材料、或者完成了開口處理的發(fā)泡樹脂材料。

本實(shí)施方式中，將開口處理前的發(fā)泡樹脂材料的表面膜的表面粗糙度中的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.65μm以下的發(fā)泡樹脂材料用于研磨墊的原材料。通過將對(duì)該研磨墊的原材料進(jìn)行了開口處理的研磨墊用于研磨處理，能夠使研磨處理后的玻璃基板的在波長50～200μm下的主表面的微小起伏(均方根粗糙度Rq)為0.06nm以下。

作為研磨墊的原材料的發(fā)泡樹脂材料例如在內(nèi)部具有大小不同的多個(gè)空隙，空隙的形狀呈空隙截面從空隙的內(nèi)部向表面變小的液滴形狀。小的空隙位于表面膜附近，大的空隙位于內(nèi)部。但是，小的空隙和大的空隙均是液滴形狀的尖端部分朝向表面?zhèn)龋渥罴舛宋挥诰嚯x表面膜的表面大概相同的深度。因此，通過使用發(fā)泡樹脂材料的表面膜的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.65μm以下的發(fā)泡樹脂材料，利用開口處理從該發(fā)泡樹脂材料的表面至上述尖端的細(xì)長部分進(jìn)行削去，從而能夠減小表面粗糙度，進(jìn)而形成在表面具有大致相同的開口直徑的開口。因此，通過使用完成了開口處理的發(fā)泡樹脂材料作為玻璃基板的研磨墊進(jìn)行研磨處理，能夠使玻璃基板的表面粗糙度中的波長為50～200μm的波長帶寬的微小起伏的均方根粗糙度Rq為0.06nm以下。

下面，對(duì)包括使用這樣的研磨墊對(duì)玻璃基板進(jìn)行研磨的研磨處理的本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法的一例進(jìn)行說明。

首先，成型出具有一對(duì)主表面的板狀的成為磁盤用玻璃基板的坯板的玻璃坯料。接著，適宜地對(duì)該玻璃坯料進(jìn)行加工，制作在中心部分開有孔且邊緣部進(jìn)行了倒角加工的環(huán)形狀(圓環(huán)狀)的玻璃基板。由此，生成玻璃基板。之后，對(duì)主表面進(jìn)行研磨處理，從而可以降低波長為50μm～200μm的微小起伏。根據(jù)需要，研磨處理可以分成2次以上的處理來進(jìn)行。另外，根據(jù)需要，可以進(jìn)行主表面的磨削、端面(包括倒角部)的研磨、化學(xué)強(qiáng)化。此時(shí)，可以適宜地決定各處理的順序。

以下，對(duì)各處理進(jìn)行說明。

(a)玻璃坯料成型處理

玻璃坯料的成型例如使用浮法。玻璃坯料的成型處理中，首先是將熔融玻璃連續(xù)地流入裝滿錫等熔融金屬的浴槽內(nèi)，從而得到例如上述組成的板狀玻璃。熔融玻璃在實(shí)施了嚴(yán)密的溫度操作的浴槽內(nèi)沿著行進(jìn)方向流動(dòng)，最終形成調(diào)整為所期望的厚度、寬度的板狀玻璃。由該板狀玻璃切出規(guī)定形狀(例如平面觀察為四邊形狀)的板狀玻璃坯料作為磁盤用玻璃基板的基礎(chǔ)。

另外，除了浮法之外，板狀的玻璃坯料的成型例如也可以使用壓制成型法。進(jìn)一步，可以使用下拉法、重新引下法、熔融法等公知的制造方法來進(jìn)行制造。對(duì)于由這些公知的制造方法制作得到的板狀玻璃，適宜地進(jìn)行形狀加工，從而切出圓板狀的玻璃坯料作為磁盤用玻璃基板的基礎(chǔ)。

(b)形狀加工處理

接著，在形狀加工處理中，在玻璃坯料成型處理后，使用公知的加工方法形成圓孔，從而制作開穿有圓形貫通孔的盤狀玻璃基板。之后，可以進(jìn)一步實(shí)施倒角。另外，出于調(diào)整板厚、降低平坦度等目的，可以實(shí)施主表面的磨削。

(c)第1研磨處理

接著，對(duì)玻璃基板的主表面實(shí)施第1研磨處理。第1研磨處理的目的在于主表面的鏡面研磨。具體而言，一邊將玻璃基板保持在設(shè)置于保持部件(載具)的保持孔內(nèi)一邊進(jìn)行玻璃基板的兩側(cè)的主表面的研磨，該保持部件安裝于雙面研磨裝置中。基于第1研磨的加工余量例如為幾μm～100μm左右。第1研磨處理的目的在于，例如去除殘留于主表面的傷痕或應(yīng)變、或調(diào)整微小的表面凹凸。需要說明的是，關(guān)于表面凹凸，為了進(jìn)一步降低或進(jìn)行更精細(xì)的調(diào)整，可以將第1研磨處理分成2次以上的研磨處理來實(shí)施。

在第1研磨處理中，使用公知的雙面研磨裝置，一邊供給研磨漿料一邊對(duì)玻璃基板進(jìn)行研磨，該雙面研磨裝置具備上定盤、下定盤、內(nèi)齒輪、載具、太陽齒輪，并具有行星齒輪機(jī)構(gòu)。在第1研磨處理中，使用包含研磨磨粒(游離磨粒)的研磨漿料。作為用于第1研磨的游離磨粒，例如使用氧化鈰、氧化鋁或氧化鋯、膠體二氧化硅的磨粒等(顆粒尺寸：直徑0.3～3μm左右)。在雙面研磨裝置中，將玻璃基板夾持于上下一對(duì)的定盤之間。在下定盤的上表面和上定盤的底面安裝圓環(huán)形狀的平板研磨墊(例如樹脂制的拋光墊)作為整體。并且，使上定盤或下定盤的任一者或兩者移動(dòng)操作，從而使玻璃基板與各定盤相對(duì)移動(dòng)，由此對(duì)玻璃基板的兩個(gè)主表面進(jìn)行研磨。

(d)化學(xué)強(qiáng)化處理

玻璃基板可以適宜地進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化。作為化學(xué)強(qiáng)化液，例如可以使用將硝酸鉀、硝酸鈉或它們的混合物加熱至300℃～500℃而得到的熔融液。并且，例如將玻璃基板在化學(xué)強(qiáng)化液中浸漬1小時(shí)～10小時(shí)。

進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理的時(shí)機(jī)可以適宜決定，但若在化學(xué)強(qiáng)化處理之后進(jìn)行研磨處理，則在表面的平滑化的同時(shí)，還可以通過化學(xué)強(qiáng)化處理將粘著于玻璃基板的表面的異物去除，因此特別優(yōu)選。化學(xué)強(qiáng)化處理未必一定進(jìn)行。

(e)第2研磨處理

接著，對(duì)化學(xué)強(qiáng)化處理后的玻璃基板或第1研磨處理后的玻璃基板實(shí)施第2研磨處理。第2研磨處理的目的在于使實(shí)施了第1研磨處理的主表面更加平滑化。在第2研磨中，也使用具有與第1研磨中使用的雙面研磨裝置同樣的構(gòu)成的雙面研磨裝置?；诘?研磨的加工余量例如為0.5μm至10μm左右。

在第2研磨處理中，使用包含游離磨粒的漿料進(jìn)行研磨。作為游離磨粒，適宜使用膠態(tài)二氧化硅。從降低玻璃基板G的主表面的波長為50～200μm的微小起伏的方面考慮，優(yōu)選膠態(tài)二氧化硅的平均粒徑為5nm以上50nm以下。若平均粒徑大于50nm，則有可能無法充分降低波長為50～200μm的微小起伏。另外，有可能無法充分降低表面粗糙度。另一方面，若平均粒徑小于5nm，則研磨速率有可能極端降低，生產(chǎn)率下降。

需要說明的是，在本實(shí)施方式中，上述平均粒徑是指，將利用光散射法測(cè)定的粒度分布中的粉體集團(tuán)的全部體積設(shè)為100％而求出累積曲線時(shí)，該累積曲線為50％的點(diǎn)的粒徑(也稱為累積平均粒徑(50％直徑)或D50)。

圖1的(a)、(b)是第2研磨處理中使用的研磨裝置10的示意性構(gòu)成圖。第1研磨也可以使用同樣的裝置。

如圖1的(a)、(b)所示，研磨裝置10具備下定盤12、上定盤14、內(nèi)齒輪16、載具18、研磨墊20和太陽齒輪22。

研磨裝置10從上下方向?qū)?nèi)齒輪16夾持在下定盤12與上定盤14之間。內(nèi)齒輪16內(nèi)，在研磨時(shí)保持有2個(gè)以上載具18。圖1的(b)中示出了5個(gè)載具18。對(duì)下定盤12和上定盤14平面性地粘接有研磨墊20。下定盤12和上定盤14按照在下定盤12和上定盤14所具備的旋轉(zhuǎn)軸中心的周圍進(jìn)行旋轉(zhuǎn)(自轉(zhuǎn))的方式而構(gòu)成。

圖2是對(duì)研磨裝置的研磨進(jìn)行說明的圖，是沿著圖1的(b)所示的A-A線的截面圖。如圖2所示，按照玻璃基板G的下側(cè)的主表面抵接于下定盤12上的研磨墊20、玻璃基板G的上側(cè)的主表面抵接于上定盤14上的研磨墊20的方式配置載具18。在這種狀態(tài)下進(jìn)行研磨，從而可以對(duì)被加工為圓環(huán)狀的玻璃基板G的兩側(cè)的主表面進(jìn)行研磨。

如圖1的(b)所示，圓環(huán)狀的玻璃基板G保持在設(shè)置于各載具18的圓形孔。另一方面，玻璃基板G在下定盤12之上保持于在外周具有齒輪19的載具18。載具18與設(shè)置于下定盤12的太陽齒輪22、內(nèi)齒輪16咬合。使太陽齒輪22沿著圖1的(b)所示的箭頭方向旋轉(zhuǎn)，從而各載具208沿著各自的箭頭方向作為行星齒輪一邊進(jìn)行自轉(zhuǎn)一邊進(jìn)行公轉(zhuǎn)。由此，使用研磨墊20對(duì)玻璃基板G進(jìn)行研磨。研磨時(shí)，例如以0.002～0.02MPa進(jìn)行按壓來對(duì)玻璃基板G進(jìn)行研磨。如圖1的(a)所示，用于研磨的漿料供給至上定盤14，流向下定盤12，之后被外部容器回收。

需要說明的是，第2研磨處理中使用的游離磨粒的種類、粒徑、粒徑的偏差或研磨墊20中使用的樹脂的硬度、如后所述的研磨墊20表面的氣孔的開口直徑等可以由第1研磨進(jìn)行適宜變更。在本實(shí)施方式中，至少在研磨處理中，為了降低研磨后的玻璃基板的波長為50～200μm的微小起伏，利用開口處理對(duì)研磨墊20的表面進(jìn)行管理。

第2研磨之后，對(duì)玻璃基板G進(jìn)行清洗，得到磁盤用玻璃基板。需要說明的是，在第2研磨后，也可以進(jìn)一步進(jìn)行不使玻璃基板的主表面的表面粗糙度或包括微小起伏在內(nèi)的表面凹凸發(fā)生變化的程度的研磨處理。

之后，制作在磁盤用玻璃基板的主表面設(shè)有磁性層的磁盤。在磁盤的表面例如設(shè)有附著層、軟磁性層、非磁性基底層、垂直磁記錄層、保護(hù)層和潤滑層等各層。

以上，使用玻璃基板作為磁盤用基板進(jìn)行了說明，但本發(fā)明也可以應(yīng)用于鋁合金基板。在鋁合金基板的情況下，對(duì)鋁合金進(jìn)行軋制，使用在切割成圓板狀的鋁合金坯板的表面成膜有NiP鍍層的鋁合金基板，利用研磨墊對(duì)NiP鍍膜表面進(jìn)行研磨。使用了鋁合金基板的磁盤通過在鋁合金基板上層積軟磁性層、非磁性基底層、垂直磁記錄層、保護(hù)層和潤滑層等而得到。

具體地說，經(jīng)過以下的各處理工序來制造，研磨處理工序中所用的研磨墊可以使用與在玻璃基板的研磨工序中所用的研磨墊相同的研磨墊。

對(duì)熔化的鋁合金進(jìn)行鑄造、軋制，之后切割成圓板狀的鋁合金坯板，對(duì)主表面和端面進(jìn)行磨削處理，從而加工成規(guī)定的尺寸。其后，在鋁合金坯板的表面以5～30μm的厚度實(shí)施NiP鍍覆成膜處理，制成鋁合金基板。接著，利用研磨墊對(duì)實(shí)施了NiP鍍覆的鋁合金基板的主表面進(jìn)行研磨處理，由此降低微小起伏。研磨處理通常改變研磨磨粒的種類和粒徑而以2個(gè)階段進(jìn)行，在第1研磨處理中使用含有平均粒徑為0.3～3μm的氧化鋁磨粒的漿料，在第2研磨處理中使用含有平均粒徑為5～50nm的膠態(tài)二氧化硅磨粒的漿料，夾入分別實(shí)施了開口處理的研磨墊間并相對(duì)滑動(dòng)，由此降低鋁合金基板表面的NiP鍍層表面的傷痕或起伏。進(jìn)而，在第1研磨處理后和第2研磨處理后，為了將研磨處理后附著于基板表面的研磨磨粒或研磨渣等顆粒除去，進(jìn)行清洗處理。

(研磨墊)

本實(shí)施方式的研磨處理中所用的研磨墊20例如為發(fā)泡聚氨酯制。研磨處理中未使用的研磨墊的原材料、即發(fā)泡樹脂材料24在表面具有表面膜且未形成有開口，具有在內(nèi)部包含尺寸不同的空隙24a、24b的獨(dú)立氣泡結(jié)構(gòu)。圖3的(a)、(b)是對(duì)研磨墊的原材料的狀態(tài)的發(fā)泡樹脂材料24的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明的截面圖?？障?4a、24b均呈液滴形狀，呈向表面24c而越來越細(xì)的形狀。將這樣的發(fā)泡樹脂材料24的表面膜所具有的表面24c削去時(shí)，關(guān)于表面24c的表面凹凸，考慮如下內(nèi)容。

如圖3的(a)所示，表面24c的表面粗糙度大、表面24c起伏的情況下，通過開口處理將發(fā)泡樹脂材料24削去至線X1時(shí)，在發(fā)泡樹脂材料24與開口處理中所用的夾具之間，容易產(chǎn)生表面24c的起伏引起的微小的顫振。另外，如圖3的(a)所示，根據(jù)起伏的表面24c的凹部或凸部的部位不同，在表面所開的開口的大小也不同，削去表面24c時(shí)夾具從表面24c受到的阻力容易變動(dòng)，因而容易產(chǎn)生微小的顫振。因此，由于該顫振，開口處理后的研磨墊的表面粗糙度變大。

另外，如圖3的(a)所示，根據(jù)起伏的表面24c的凹部或凸部的部位不同，在表面所開的開口的大小不同。例如，在表面24c的凸部的區(qū)域中，空隙24b的空隙截面大的部分開口，在凹部的區(qū)域中，空隙24b的空隙截面小的尖端部分開口。同樣地，橫穿空隙24a的線X1的空隙截面也根據(jù)起伏的表面24c的凹部或者凸部的位置而變化。因此，若將開口大小不同的發(fā)泡樹脂材料24用作研磨墊20而對(duì)玻璃基板進(jìn)行研磨，則由于研磨墊20的開口的部位導(dǎo)致的偏差，玻璃基板的主表面的波長為50～200μm的微小起伏變大。

如圖3的(b)所示，在表面24c的表面粗糙度小、幾乎不起伏的發(fā)泡樹脂材料24中，難以產(chǎn)生上述的顫振。因此，與圖3的(a)所示的情況相比，開口處理后的發(fā)泡樹脂材料24的表面粗糙度變小。

此外，如圖3的(b)所示，通過開口處理從表面24c將發(fā)泡樹脂材料24削去至線X2時(shí)，開口的大小大致一定。因此，本實(shí)施方式中，作為研磨墊20的原材料，使用開口處理前的發(fā)泡樹脂材料的表面粗糙度小的發(fā)泡樹脂材料，具體而言，在發(fā)泡樹脂材料的表面膜的表面粗糙度中，表面24c的表面粗糙度中的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.65μm以下的發(fā)泡樹脂材料。若使用具有這樣的開口的發(fā)泡樹脂材料24作為研磨墊20對(duì)玻璃基板進(jìn)行研磨，則由于研磨墊20的開口的部位導(dǎo)致的偏差小，因而能夠減小玻璃基板的主表面的波長為50～200μm的微小起伏。

需要說明的是，如圖3的(b)所示，表面24c的表面粗糙度小的情況下，在進(jìn)行從表面24c削至一定的深度而設(shè)置開口的開口處理時(shí)，與削至線X3相比，優(yōu)選削至線X2以使大小不同的空隙24a、24b的液滴形狀的尖端部分開口。在削至線X3的情況下，在大的空隙24b中，空隙截面比較小的部分開口，在小的空隙24a中，空隙截面大的部分開口，開口的大小容易產(chǎn)生偏差?？紤]到空隙24a、24b的最尖端距離表面24c的深度，在開口處理中，將發(fā)泡樹脂材料20削去的量優(yōu)選比表面膜24d的厚度厚，并且為5μm以下。另外，從降低玻璃基板的主表面的微小起伏的方面出發(fā)，在這樣的開口處理中設(shè)置的空隙的開口的平均直徑優(yōu)選為1～50μm。該情況下，開口的平均直徑是通過基于激光顯微鏡的開口部的圖像計(jì)測(cè)和圖像分析求出的值。具體而言，對(duì)于以適當(dāng)?shù)谋堵逝臄z的表面的圖像，在任意的位置畫出直線，對(duì)于位于該直線上的氣泡的10個(gè)開口，求出各開口的最大尺寸，將最大尺寸的平均值作為開口的平均直徑。

另外，從降低玻璃基板的主表面的微小起伏的方面出發(fā)，作為研磨處理中所用的研磨墊20的發(fā)泡樹脂材料24的厚度(開口處理后的研磨墊的原材料的厚度)、即完成了開口處理的發(fā)泡樹脂材料的厚度優(yōu)選為300～800μm。研磨墊20具有在剛性高的PET樹脂材料等基體上隔著基礎(chǔ)層而層積有發(fā)泡樹脂材料24的結(jié)構(gòu)。

需要說明的是，關(guān)于開口處理，在圖1的(a)、(b)和圖2所示的研磨裝置10中，在將研磨墊20貼附于下定盤12和上定盤14的狀態(tài)下，代替載具18，而使用在表面分散固定有金剛石磨粒等且尺寸與載具18相同的圓板狀的修整器具(夾具)來進(jìn)行。即，將修整器具夾入下定盤12與上定盤14之間并施加特定的壓力而使修整器具與研磨墊20相對(duì)滑動(dòng)，從而進(jìn)行開口處理。

這樣，本實(shí)施方式中，為了減小研磨處理后的玻璃基板的主表面的微小起伏，通過將發(fā)泡樹脂材料的表面膜的表面粗糙度中的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.65μm以下的發(fā)泡樹脂材料用于研磨墊的原材料，從而可以使研磨處理后的玻璃基板的主表面的波長為50～200μm的微小起伏(均方根粗糙度Rq)為0.06nm以下。

需要說明的是，本實(shí)施方式中，作為開口處理前和完成了開口處理的發(fā)泡樹脂材料的表面粗糙度，使用了算術(shù)平均粗糙度Ra，但也可以使用JIS B 0601:2001中規(guī)定的Rz、Rq來代替算術(shù)平均粗糙度Ra。該情況下，發(fā)泡樹脂材料的開口處理前的表面膜的Rz優(yōu)選為2.6μm以下，Rq優(yōu)選為0.85μm以下。

(實(shí)驗(yàn)例)

為了確認(rèn)本實(shí)施方式的效果，準(zhǔn)備作為研磨墊20的原材料的發(fā)泡樹脂材料的表面粗糙度不同的各種發(fā)泡樹脂材料，進(jìn)行了開口處理。并且，事先求出作為研磨墊20的原材料的發(fā)泡樹脂材料的表面粗糙度與完成了開口處理的發(fā)泡樹脂材料的表面粗糙度的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

作為發(fā)泡樹脂材料，使用了發(fā)泡聚氨酯。在開口處理中，從表面將發(fā)泡樹脂材料削去了2～3μm。

作為開口處理前的發(fā)泡樹脂材料的表面粗糙度和完成了開口處理的發(fā)泡樹脂材料的表面粗糙度，由表面粗糙度的計(jì)測(cè)結(jié)果求出算術(shù)平均粗糙度Ra。此時(shí)的計(jì)測(cè)方法如下。

使用形狀測(cè)定用激光顯微鏡作為計(jì)測(cè)器，使測(cè)定區(qū)域?yàn)?50μm×750μm。表面粗糙度的高度方向的計(jì)測(cè)分辨率為0.5nm。不設(shè)置所計(jì)測(cè)的表面粗糙度的波長的短波長截止值λs，長波長截止值λc為0.8mm。

另外，關(guān)于波長為50～200μm下的起伏的均方根粗糙度Rq，使用表面形狀測(cè)定機(jī)，對(duì)玻璃基板的主表面的半徑為14mm～31.5mm的區(qū)域求出。具體而言，使半徑方向的測(cè)定間距為0.01mm，使圓周方向1周的測(cè)定區(qū)域?yàn)?024處，對(duì)表面形狀進(jìn)行計(jì)測(cè)。作為表面形狀測(cè)定機(jī)，可以使用激光多普勒測(cè)振儀(LDV：Laser Doppler Vibrometer)。該測(cè)定裝置能夠進(jìn)行從表面粗糙度至起伏為止的范圍寬的波長帶寬的測(cè)定。由于以波長為50μm～200μm的微小起伏為計(jì)測(cè)對(duì)象，因而使用對(duì)應(yīng)于波長50μm～200μm的帶通濾波器進(jìn)行過濾，使用由此得到的數(shù)據(jù)求出均方根粗糙度Rq。

圖4是將計(jì)測(cè)結(jié)果圖形化示出的圖，是表示開口處理前的發(fā)泡樹脂材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra(圖4所示的圖形的橫軸：開口處理前的Ra)、與完成了開口處理的發(fā)泡樹脂材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra(圖4所示的圖形的縱軸：開口處理后的Ra)之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系的圖。

此處，對(duì)于利用含有平均粒徑為1.5μm的氧化鈰磨粒的漿料、通過通常的研磨墊以加工余量30μm實(shí)施了第1研磨處理的玻璃基板，使用含有平均粒徑為20nm的膠態(tài)二氧化硅磨粒的漿料、通過圖4所示的研磨墊以加工余量2μm進(jìn)行了第2研磨處理。其結(jié)果，為了使玻璃基板的主表面的上述均方根粗糙度Rq例如為0.06nm以下，確認(rèn)到使開口處理后的發(fā)泡樹脂材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra例如為1.00μm以下即可。該情況下，開口處理前的發(fā)泡樹脂材的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra1與開口處理后的發(fā)泡樹脂材料的表面粗糙度Ra2之比優(yōu)選為1<修整處理后的Ra2/修整處理前的Ra1≤4。在由發(fā)泡樹脂材料構(gòu)成的研磨墊中，修整處理后的Ra2/修整處理前的Ra1的值為1以下的情況下，修整處理自身變得困難，修整處理后的Ra2/修整處理前的Ra1的值超過4的情況下，修整處理后的研磨墊的表面粗糙度具有變大的傾向，因而在通過修整處理而開口的狀態(tài)下，不適合作為研磨墊使用。此外，從基于修整處理的作業(yè)性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選使開口處理前的發(fā)泡樹脂材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.65μm以下。因此，預(yù)先求出圖4所示的對(duì)應(yīng)關(guān)系，進(jìn)而由用于使玻璃基板的主表面的上述均方根粗糙度Rq滿足玻璃基板的要求品質(zhì)的開口處理后的發(fā)泡樹脂材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra的信息、和預(yù)先求出的上述對(duì)應(yīng)關(guān)系確定開口處理前的發(fā)泡樹脂材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra，由此可以選擇用于制造滿足玻璃基板的要求品質(zhì)的玻璃基板的發(fā)泡樹脂材料。由此，可以使玻璃基板的主表面的波長為50～200μm的表面粗糙度、例如均方根粗糙度Rq為0.06nm以下。

此外，如圖4所示，可知：若對(duì)開口處理前后的發(fā)泡樹脂材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra進(jìn)行比較，則開口處理后的算術(shù)平均粗糙度Ra與開口處理前相比變大。因此，雖然以往難以降低發(fā)泡樹脂材料的開口處理后的算術(shù)平均粗糙度Ra，但通過事先獲知圖4所示的開口處理前后的算術(shù)平均粗糙度Ra的對(duì)應(yīng)關(guān)系來選擇適當(dāng)?shù)陌l(fā)泡處理前的發(fā)泡樹脂材料，從而能夠?qū)㈤_口處理后的發(fā)泡樹脂材料的算術(shù)平均粗糙度Ra抑制為較低。

圖5是表示開口處理前的發(fā)泡樹脂材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra與第2研磨處理后的玻璃基板的主表面的均方根粗糙度Rq之間的關(guān)系的圖。由圖5可知，隨著開口處理前的發(fā)泡樹脂材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra從略大于0.65μm的區(qū)域接近0.65μm，Rq急劇地降低，即，在Ra為0.65μm附近，Rq臨界地發(fā)生變化，Rq變?yōu)?.06nm以下。其結(jié)果，可知：通過使開口處理前的發(fā)泡樹脂材料的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.65μm以下，能夠使第2研磨處理后的玻璃基板的主表面的均方根粗糙度Rq為0.06nm以下。

以上，對(duì)本發(fā)明的磁盤用基板的制造方法和磁盤的制造方法進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式和實(shí)施例，顯然也可以在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種改良、變更。

符號(hào)說明

10 研磨裝置

12 下定盤

14 上定盤

16 內(nèi)齒輪

18 載具

19 齒輪

20 研磨墊

22 太陽齒輪

24 發(fā)泡樹脂材料

24a、24b 空隙

24c 表面

24d 表面膜

24e 空隙層