本申請主張于2015年9月10日提交的韓國專利申請第10-2015-0128307號的優(yōu)先權(quán)，該申請案以全文引用的方式并入在本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子裝置，更具體地，涉及一種存儲系統(tǒng)及其操作方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體存儲器件是使用例如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等半導(dǎo)體實現(xiàn)的存儲器件。半導(dǎo)體存儲器件通常分類成易失性存儲器件和非易失性存儲器件。

易失性存儲器是一種在切斷電源時丟失儲存的數(shù)據(jù)的存儲器件。易失性存儲器的實例包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、動態(tài)RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存儲器是一種即使在切斷電源時也可以保留儲存的數(shù)據(jù)的存儲器件。非易失性存儲器的實例包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦可編程ROM(EEPROM)、閃速存儲器、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、以及鐵電RAM(FRAM)等。閃速存儲器通常分類成NOR型閃速存儲器和NAND型閃速存儲器。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種存儲系統(tǒng)及其操作方法，其能夠檢測漸進性故障。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種操作半導(dǎo)體存儲器件的方法可以包括：向被執(zhí)行編程操作的選中的字線施加讀取電壓；向與選中的字線相鄰的至少一個未選中的字線施加第一通電壓；在經(jīng)過第一參考時間時向所述至少一個未選中的字線施加第二通電壓；以及，在經(jīng)過第二參考時間時根據(jù)所述讀取電壓對連接到選中的字線的存儲單元執(zhí)行讀取操作。

第一通電壓可以等于或高于讀取電壓。

第二通電壓可以比第一通電壓高出參考電壓。

第一參考時間可以為足以使連接到選中的字線的存儲單元和連接到所述至少一個 未選中的字線的存儲單元分別以所述讀取電壓和所述第一通電壓來被充電的時間。

第二參考時間可以為足以使選中的字線在連接到選中的字線的存儲單元不具有任何漸進性故障時返回到所述讀取電壓的時間。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種半導(dǎo)體存儲器件可以包括：存儲單元陣列，其連接到多個字線；以及外圍電路，其適用于對連接到所述多個字線中選中的字線的存儲單元執(zhí)行漸進性故障檢測操作，其中，所述外圍電路：向被執(zhí)行編程操作的選中的字線施加讀取電壓，向與選中的字線相鄰的至少一個未選中的字線施加第一通電壓，在經(jīng)過第一參考時間時向所述至少一個未選中的字線施加第二通電壓，并且在經(jīng)過第二參考時間時根據(jù)所述讀取電壓對連接到選中的字線的存儲單元執(zhí)行讀取操作。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種操作存儲系統(tǒng)的方法可以包括：對連接到選中的字線的存儲單元執(zhí)行編程操作；以及，對連接到選中的字線的存儲單元執(zhí)行漸進性故障檢測操作，其中，執(zhí)行所述漸進性故障檢測操作包括：向選中的字線施加讀取電壓；向與選中的字線相鄰的至少一個未選中的字線施加第一通電壓；在經(jīng)過第一參考時間時向所述至少一個未選中的字線施加第二通電壓；以及，在經(jīng)過第二參考時間時根據(jù)所述讀取電壓對連接到選中的字線的存儲單元執(zhí)行讀取操作。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種操作存儲系統(tǒng)的方法可以包括：對連接到選中的字線的存儲單元執(zhí)行讀取操作；以及，對連接到選中的字線的存儲單元執(zhí)行漸進性故障檢測操作，其中，執(zhí)行所述漸進性故障檢測操作包括：向選中的字線施加讀取電壓；向與選中的字線相鄰的至少一個未選中的字線施加第一通電壓；在經(jīng)過第一參考時間時向所述至少一個未選中的字線施加第二通電壓；以及，在經(jīng)過第二參考時間時根據(jù)所述讀取電壓對連接到選中的字線的存儲單元執(zhí)行讀取操作。

附圖說明

下文將參照附圖更全面地描述本發(fā)明的例示性實施例；然而，其可以體現(xiàn)為不同的形式并且不應(yīng)被理解為局限于本文提出的實施例。相反地，提供這些實施例以使本公開內(nèi)容變得透徹和完整，并且將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達例示性實施例的范圍。

在附圖中，為清晰起見，尺寸可以被放大。應(yīng)理解，當元件被稱為位于兩個元件“之間”時，其可以為所述兩個元件之間的唯一元件，或者也可以存在一個或多個中間元件。貫穿全文，類似的附圖標記表示類似元件。

圖1示出根據(jù)本發(fā)明實施例的檢測漸進性故障的方法；

圖2為框圖，示出根據(jù)本發(fā)明實施例的存儲系統(tǒng)；

圖3為框圖，示出圖2的半導(dǎo)體存儲器件的結(jié)構(gòu)；

圖4示出圖2的存儲單元陣列的結(jié)構(gòu)；

圖5為流程圖，示出根據(jù)本發(fā)明實施例的存儲系統(tǒng)的操作；

圖6為流程圖，示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的存儲系統(tǒng)的操作；

圖7為流程圖，示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的存儲系統(tǒng)的操作；

圖8為流程圖，示出根據(jù)本發(fā)明實施例的對檢測到的漸進性故障進行處理的方法；

圖9為框圖，示出包括圖3的半導(dǎo)體存儲器件的存儲系統(tǒng)的另一實施例；

圖10為框圖，示出圖9的存儲系統(tǒng)的應(yīng)用實例；

圖11為框圖，示出包括參照圖10所描述的存儲系統(tǒng)的計算系統(tǒng)。

具體實施方式

根據(jù)本說明書中所公開的本發(fā)明的概念的例示性實施例的特定結(jié)構(gòu)或功能描述僅用于描述根據(jù)本發(fā)明概念的例示性實施例而被說明，并且可以以各種形式實施根據(jù)本發(fā)明概念的例示性實施例，但是本發(fā)明并非局限于本說明書中所描述的例示性實施例。

根據(jù)本發(fā)明的概念，可以對例示性實施例進行各種修改和變化，從而將在附圖中說明所述例示性實施例并在說明書中進行詳細描述。然而，根據(jù)本發(fā)明概念的例示性實施例并非局限于所述特定實施例，而是包括本發(fā)明精神和技術(shù)范圍內(nèi)所包括的所有變化、等效或替代實施例。

例如第一或第二等術(shù)語可以用于描述各種組件，但是所述組件并非局限于上述術(shù)語。上述術(shù)語用于將一個組件與另一組件進行區(qū)分，例如，第一組件可以稱為第二組件，而不背離根據(jù)本發(fā)明概念的范圍，類似地，第二組件可以稱為第一組件。

應(yīng)理解，當描述為一個元件“耦接”或“連接”到另一元件時，所述元件可以被直接耦接或直接連接到另一元件，或通過第三元件耦接或連接到另一元件。相反，應(yīng)理解，當元件被稱為“直接連接到”或“直接耦接到”另一元件時，其間不會插入另一元件。應(yīng)以相同的方式理解用于描述組件之間的關(guān)系的其它表述，即，“之間”和“直接之間”或“相鄰”和“直接相鄰”。

本說明書中的術(shù)語僅用于描述特定的例示性實施例，并非意欲限制本發(fā)明。當上下文中無明確相反含義時，單數(shù)形式可以包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)理解，在本說明書中，術(shù)語“包括”或“具有”表示存在本說明書中描述的特點、數(shù)目、步驟、操作、組件、部分或其組合，但是不排除預(yù)先存在或添加一個或多個其它特點、數(shù)目、步驟、操作、組件、部分或其組合的可能性。

當未被相反地定義時，本文所使用的所有術(shù)語，包括技術(shù)或科學(xué)術(shù)語，具有與本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常所理解的相同含義。常用字典中所定義的術(shù)語應(yīng)被理解為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上下文中相同的含義，但是當本說明書中未明確定義時不應(yīng)理解為理想或過度的形式意義。

將從實施例的描述中盡可能地省略本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟知的并且與本發(fā)明非直接相關(guān)的技術(shù)說明。通過省略不必要的描述，可以更為清晰地傳達本發(fā)明的特點。

下文將通過參照附圖解釋本發(fā)明的例示性實施例來詳細地描述本發(fā)明。

圖1示出根據(jù)本發(fā)明實施例的檢測漸進性故障的方法。

當一種半導(dǎo)體存儲器件的制造完成時，對半導(dǎo)體存儲器件執(zhí)行測試過程以檢驗半導(dǎo)體存儲器件的制造狀態(tài)、性能、以及可靠性等。盡管半導(dǎo)體存儲器件通過測試過程，但是在隨后的半導(dǎo)體存儲器件使用中仍可能出現(xiàn)缺陷或故障。在隨后的半導(dǎo)體存儲器件使用中出現(xiàn)的缺陷或故障被稱為漸進性故障或漸進性缺陷。

本發(fā)明的實施例中，在此描述了一種檢測在測試過程中可能將出現(xiàn)漸進性故障的存儲區(qū)域的方法和一種在半導(dǎo)體存儲器件的使用中處理檢測到的漸進性故障的方法。

將參照圖1描述一種通過在連接到選中的字線的多個存儲單元中編程任意數(shù)據(jù)并讀取編程的數(shù)據(jù)來確定是否可能將出現(xiàn)漸進性故障的方法。

參照圖1，在對存儲單元的編程操作完成后，可以向已編程的存儲單元的選中的字線(SEL.WL)施加用于讀取操作的讀取電壓Vread，并且可以向與選中的字線相鄰的未選中的字線施加第一通電壓Vpass1。第一通電壓可以為具有等于或高于讀取電壓的電平的電壓。

在第一參考時間T1期間，分別以讀取電壓和第一通電壓對連接到選中的字線和相鄰的未選中的字線的存儲單元的柵極進行充電。在經(jīng)過第一參考時間T1之后，向相鄰的未選中的字線施加第二通電壓Vpass2。第二通電壓高于第一通電壓。

由于字線之間的耦合效應(yīng)，相鄰的未選中的字線的電壓電平的增大可以導(dǎo)致選中的字線的電壓電平的增大。然而，將讀取電壓持續(xù)施加到選中的字線。因此，當經(jīng)過預(yù)定時間(例如，第二參考時間T2)時，處于正常的選中的字線的電壓電平可以返回到讀取電壓的電平，如圖1中的實線所表示。

然而，即使經(jīng)過第二參考時間T2，具有漸進性故障可能性的選中的字線的電壓電平也不可以返回到讀取電壓的電平，如圖1中的虛線和附圖標記10所表示。因此，當在經(jīng)過第二參考時間T2讀取連接到選中的字線的存儲單元時，可能出現(xiàn)讀取故障。

當失去形成字線的導(dǎo)電材料時，可能出現(xiàn)由于漸進性故障引起的讀取故障。字線可以包括金屬硅化物材料。例如，字線可以包括選自硅化鈦TiSix、硅化鉭TaSix、硅化鎢WSix、硅化鈷CoSix、硅化鎳NiSix等中的至少一種。

當字線的一部分損壞時，電阻路徑穿過處于損壞部分的多晶硅層，因此處于損壞部分的后部的字線的電阻分量可以顯著增大。因此，具有漸進性故障可能性的字線的電壓由于耦合效應(yīng)而從增大的電平返回到初始電平的速度不同于正常字線的速度。

因此，提前檢測可能在隨后的半導(dǎo)體存儲器件使用中出現(xiàn)的漸進性故障是可能的。

圖2為框圖，示出根據(jù)本發(fā)明實施例的存儲系統(tǒng)。

參照圖2，存儲系統(tǒng)50包括半導(dǎo)體存儲器件100和控制器200。

半導(dǎo)體存儲器件100可以為NAND閃速存儲器、垂直NAND閃速存儲器、NOR閃速存儲器、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)、相變隨機存取存儲器(PRAM)、磁阻隨機存取存儲器(MRAM)、鐵電隨機存取存儲器(FRAM)、或自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機存取存儲器(STT-RAM)等。而且，可以以三維陣列結(jié)構(gòu)實現(xiàn)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲器件100。本發(fā)明不僅可以應(yīng)用于其中由導(dǎo)電浮柵形成電荷儲存層的閃速存儲器件，而且可以應(yīng)用于其中由絕緣薄膜形成電荷儲存層的電荷捕獲閃速存儲器。

半導(dǎo)體存儲器件100包括存儲單元陣列110和用于驅(qū)動存儲單元陣列110的外圍電路120。存儲單元陣列110包括多個非易失性存儲單元。

存儲單元陣列110包括多個存儲塊BLK1至BLKz，其根據(jù)用途可以分成OTP區(qū)、系統(tǒng)塊、用戶塊等。

外圍電路120在控制器200的控制下運行。外圍電路120可以將數(shù)據(jù)編程在存儲單元陣列110中。外圍電路120可以運行以從存儲單元陣列110讀取數(shù)據(jù)并擦除存儲單元 陣列110的數(shù)據(jù)。

在各種實施例中，可以以頁為單位執(zhí)行對半導(dǎo)體存儲器件100的讀取和編程操作?？梢砸詨K為單位執(zhí)行對半導(dǎo)體存儲器件100的擦除操作。

在執(zhí)行編程操作時，外圍電路120可以從控制器100接收指示編程操作的編程命令、物理塊地址和寫入數(shù)據(jù)。當通過物理塊地址選擇一個存儲塊和對應(yīng)的存儲塊中所包括的一個頁時，外圍電路120可以將寫入數(shù)據(jù)編程在選中的頁中。

當執(zhí)行讀取操作時，外圍電路120可以從控制器200接收指示讀取操作的讀取命令和物理塊地址。外圍電路120可以從根據(jù)物理塊地址選中的一個存儲塊和其中所包括的一個頁讀取數(shù)據(jù)，并向控制器200輸出讀取數(shù)據(jù)。

當執(zhí)行擦除操作時，外圍電路120可以從控制器200接收指示擦除操作的擦除命令和物理塊地址。物理塊地址可以指定一個存儲塊。外圍電路120可擦除對應(yīng)于物理塊地址的存儲塊的數(shù)據(jù)。

在各種實施例中，當執(zhí)行編程操作時，外圍電路120可以執(zhí)行漸進性故障檢測操作。外圍電路120可以向控制器200傳送根據(jù)漸進性故障檢測操作是否檢測到漸進性故障。

控制器200控制半導(dǎo)體存儲器件100的整體運行。控制器200可以響應(yīng)于來自外部主機的命令而訪問半導(dǎo)體存儲器件100。

控制器200可以包括隨機存取存儲器(RAM)210、存儲器控制器220和糾錯電路(ECC)230。

RAM 210在存儲器控制器220的控制下運行，并且可以用作工作存儲器、緩沖存儲器、或高速緩沖存儲器等。當RAM 210用作工作存儲器時，RAM 210可以任意地儲存存儲器控制器220所處理的數(shù)據(jù)。當RAM 210用作緩沖存儲器時，RAM 210可以用于緩沖將從主機(未示出)傳送到半導(dǎo)體存儲器件100或從半導(dǎo)體存儲器件100傳送到主機的數(shù)據(jù)。當RAM 210用作高速緩沖存儲器時，RAM 210可以允許處于低速的半導(dǎo)體存儲器件100以高速運行。

存儲器控制器220被配置成控制半導(dǎo)體存儲器件100的讀取、編程、擦除和后臺操作。存儲器控制器220被配置成驅(qū)動用于控制半導(dǎo)體存儲器件100的固件。

存儲器控制器220可以通過閃速轉(zhuǎn)換層(FTL)(未示出)將從主機提供的邏輯地址轉(zhuǎn)換成物理地址。具體地，F(xiàn)TL可以接收邏輯地址，并使用映射表將所提供的邏輯地 址轉(zhuǎn)換成物理地址。邏輯地址可以為邏輯塊地址，并且物理地址可以為物理頁碼。根據(jù)映射單元，存在FTL的各種地址映射方法。代表性地址映射方法包括頁映射方法、塊映射方法和混合映射方法。

當存儲器控制器220從半導(dǎo)體存儲器件100接收到已檢測到漸進性故障的信息時，存儲器控制器220對其中檢測到漸進性故障的區(qū)域的物理地址執(zhí)行壞項處理，并搜索映射到其中檢測到漸進性故障的區(qū)域的物理地址的邏輯地址信息，由此改變所映射的物理地址。存儲器控制器220可以更新映射表以儲存改變后的物理地址。

在一個實施例中，存儲器控制器220可以在不良塊表中獨立地儲存關(guān)于其中檢測到漸進性故障的區(qū)域的信息。存儲器控制器220通過將改變后的物理地址和編程命令傳送到半導(dǎo)體存儲器件100而控制半導(dǎo)體存儲器件100重新執(zhí)行編程操作(即，執(zhí)行重新編程操作)。在這種情況下，可以對對應(yīng)于無漸進性故障的存儲塊的物理地址執(zhí)行重新編程操作。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，為每個字線檢測漸進性故障是可能的。因此，當檢測到漸進性故障時，可以以頁為單位執(zhí)行壞項處理。在各種實施例中，可以對包括其中檢測到漸進性故障的頁的整個存儲塊執(zhí)行壞項處理。當對包括其中檢測到漸進性故障的頁的整個存儲塊執(zhí)行壞項處理時，存儲器控制器220可以控制存儲器件100將先前儲存在除漸進性故障的頁以外的整個存儲塊的區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)移動到另一存儲塊。

ECC 230為要被編程的數(shù)據(jù)生成作為糾錯碼的奇偶校驗。而且，ECC可以使用奇偶校驗糾正讀取數(shù)據(jù)的錯誤。

在各種實施例中，ECC 230可以通過把要被編程的數(shù)據(jù)分成多個儲存單位(即，信息塊)生成每個單位數(shù)據(jù)的奇偶校驗。替代地，ECC 230可以生成要被編程的整個數(shù)據(jù)的奇偶校驗。

在編程操作中，當ECC 230生成具有通過生成奇偶校驗而被添加奇偶檢驗位的寫入數(shù)據(jù)并將生成的寫入數(shù)據(jù)傳送到存儲器控制器220時，存儲器控制器220將編程命令、寫入數(shù)據(jù)和物理地址傳送到半導(dǎo)體存儲器件100。

在讀取操作中，半導(dǎo)體存儲器件100響應(yīng)于讀取命令從選中的物理地址的頁讀取數(shù)據(jù)，并且將讀取數(shù)據(jù)傳送到控制器200。

ECC 230在存儲器控制器220的控制下檢測讀取數(shù)據(jù)中所包括的錯誤。ECC 230可以使用奇偶校驗來糾正錯誤。ECC 230可以使用編碼調(diào)制來糾正錯誤，其中編碼調(diào)制包括低密度奇偶校驗(LDPC)碼、BCH(Bose,Chaudhuri,Hocquenghem)碼、Turbo 碼、Reed-Solomon碼、卷積碼、遞歸系統(tǒng)碼(RSC)、網(wǎng)格編碼調(diào)制(TCM)、塊編碼調(diào)制、漢明(Hamming)碼等。

通常，當奇偶校驗的位數(shù)增大時，糾錯容量增大并且可糾正錯誤的位數(shù)增大。因此，在具有較大糾錯容量的讀取數(shù)據(jù)中可以糾正更多數(shù)量的錯誤位。當讀取數(shù)據(jù)中包括大于糾錯容量的數(shù)量的錯誤位時，對讀取數(shù)據(jù)的ECC解碼可能失敗。當讀取數(shù)據(jù)中包括小于糾錯容量的數(shù)量的錯誤位時，對讀取數(shù)據(jù)的ECC解碼可能成功。

ECC解碼的成功表示對應(yīng)的讀取命令通過。ECC解碼的失敗表示對應(yīng)的讀取命令失敗。當ECC解碼成功時，控制器200向主機輸出已糾錯的數(shù)據(jù)。

圖3為框圖，示出圖2的半導(dǎo)體存儲器件100的結(jié)構(gòu)。

圖4示出圖2的存儲單元陣列110的結(jié)構(gòu)。

參照圖3，半導(dǎo)體存儲器件100包括存儲單元陣列110和外圍電路120。

參照圖4，存儲單元陣列110包括多個存儲塊BLK1至BLKz，其通過行線RL連接到地址解碼器121并通過位線BL1至BLm連接到讀/寫電路123。所述多個存儲塊BLK1至BLKz中的每一個包括多個存儲單元。作為一個實施例，所述多個存儲單元可以為非易失性存儲單元。

存儲單元陣列110可以包括多個塊。所述多個塊可以包括主塊和附加塊。附加塊中可以儲存關(guān)于存儲單元的操作的各種設(shè)置信息。作為一個實施例，附加塊可以包括內(nèi)容可尋址存儲器(CAM)區(qū)域。CAM區(qū)域可以儲存用于半導(dǎo)體存儲器件100的整體運行的各種設(shè)置信息，例如讀取電壓、編程脈沖電壓、各種偏移量信息和用于檢測漸進性故障的參考電壓。

參照圖4，第一至第z存儲塊BLK1至BLKz共同連接到第一至第m位線BL1至BLm。在圖2中，示出所述多個存儲塊BLK1至BLKz中的第一存儲塊BLK1中所包括的元件，而省略其它存儲塊BLK2至BLKz中的每一個所包括的元件。應(yīng)理解，可以類似于第一存儲塊BLK1配置其它存儲塊BLK2至BLKz中的每一個。

存儲塊BLK1包括多個單元串CS1_1至CS1_m。第一至第m單元串CS1_1至CS1_m分別連接到第一至第m位線BL1至BLm。

所述多個第一至第m單元串CS1_1至CS1_m中的每一個包括漏極選擇晶體管DST、串聯(lián)連接的多個存儲單元MC1至MCn以及源極選擇晶體管SST。漏極選擇晶體 管DST連接到漏極選擇線DSL1。第一至第n存儲單元MC1至MCn分別連接到第一至第n字線WL1至WLn。源極選擇晶體管SST連接到源極選擇線SSL1。漏極選擇晶體管DST的漏極連接到對應(yīng)的位線。第一至第m單元串CS1_1至CS1_m的漏極選擇晶體管分別連接到第一至第m位線BL1至BLm。源極選擇晶體管SST的源極連接到公共源極線CSL。作為一個實施例，公共源極線CSL可以共同連接到第一至第z存儲塊BLK1至BLKz。

漏極選擇線DSL1、第一至第n字線WL1至WLn和源極選擇線SSL1包括在圖3的行線RL中。漏極選擇線DSL1、第一至第n字線WL1至WLn和源極選擇線SSL1由地址解碼器121控制。公共源極線CSL由控制邏輯125控制。第一至第m位線BL1至BLm由讀/寫電路123控制。

回頭參看3，外圍電路120包括地址解碼器121、電壓發(fā)生器122、讀/寫電路123、輸入/輸出緩沖器124、控制邏輯125和漸進性故障檢測器126。

地址解碼器121通過行線RL連接到存儲單元陣列110。地址解碼器121被配置成在控制邏輯125的控制下運行。

作為一個實施例，地址解碼器121可以包括地址緩沖器、塊解碼器、和行解碼器等。

地址解碼器121通過控制邏輯125接收物理塊地址PA。半導(dǎo)體存儲器件100的編程操作以頁為單位執(zhí)行。在編程操作中提供的物理塊地址PA包括塊地址和行地址中的至少一種。半導(dǎo)體存儲器件100的讀取操作以頁為單位執(zhí)行。在讀取操作中提供的物理塊地址PA包括塊地址和行地址中的至少一種。

地址解碼器121被配置成對所提供的物理塊地址PA中的塊地址進行解碼。地址解碼器121根據(jù)解碼的塊地址選擇存儲塊BLK1至BLKz中的一個。

地址解碼器121被配置成對所提供的物理塊地址PA中的行地址進行解碼，由此選擇所選中的存儲塊中的一個字線。從而，一個頁被選中。

通過根據(jù)解碼的行地址向行線RL施加從電壓發(fā)生器122提供的電壓，地址解碼器121選擇所選中的存儲塊的一個字線。在編程操作中，地址解碼器121可以向選中的字線施加編程脈沖，并向未選中的字線施加低于編程脈沖的通脈沖。在讀取操作中，地址解碼器121向選中的字線施加讀取電壓，并向相鄰的未選中的字線施加第一和第二通電壓。

電壓發(fā)生器122被配置成使用供應(yīng)給半導(dǎo)體存儲器件100的外部電源電壓生成多個 電壓。電壓發(fā)生器122在控制邏輯125的控制下運行。例如，電壓發(fā)生器122通過調(diào)節(jié)外部電源電壓生成內(nèi)部電源電壓。將電壓發(fā)生器122生成的內(nèi)部電源電壓作為半導(dǎo)體存儲器件100的操作電壓提供給地址解碼器121、讀/寫電路123、輸入/輸出緩沖器124、控制邏輯125和漸進性故障檢測器126。

電壓發(fā)生器122使用外部電源電壓和內(nèi)部電源電壓中的至少一種生成多個電壓。作為一個實施例，電壓發(fā)生器122包括用于接收內(nèi)部電源電壓的多個泵電容器，并通過在控制邏輯125的控制下選擇性地激活所述多個泵電容器來生成多個電壓。例如，當執(zhí)行讀取操作時，電壓發(fā)生器122生成讀取電壓和高于或等于讀取電壓的通電壓。電壓發(fā)生器122可以生成第二通電壓，其比第一通電壓高出參考電壓。

讀/寫電路123通過位線BL連接到存儲單元陣列110。讀/寫電路123在控制邏輯125的控制下運行。

當執(zhí)行漸進性故障檢測操作時，讀/寫電路123從存儲單元陣列110的選中的頁讀取數(shù)據(jù)DATA，并將讀取的數(shù)據(jù)傳送到漸進性故障檢測器126。

輸入/輸出緩沖器124通過數(shù)據(jù)線DL連接到讀/寫電路123。輸入/輸出緩沖器124在控制邏輯125的控制下運行。當執(zhí)行編程操作時，輸入/輸出緩沖器124從控制器200接收將被儲存的數(shù)據(jù)DATA。

控制邏輯125被配置成控制半導(dǎo)體存儲器件100的整體運行。控制邏輯125可以接收命令CMD和物理塊地址PA。當執(zhí)行讀取操作時，命令CMD可以為讀取命令。當執(zhí)行編程操作時，命令CMD可以為指示編程操作的命令。當執(zhí)行擦除操作時，命令CMD可以為指示擦除操作的命令?？刂七壿?25被配置成響應(yīng)于所提供的命令CMD而控制地址解碼器121、電壓發(fā)生器122、讀/寫電路123、輸入/輸出緩沖器124和漸進性故障檢測器126。

當編程操作完成時，控制邏輯125可以控制漸進性故障檢測器126來執(zhí)行漸進性故障檢測操作?？刂七壿?25控制電壓發(fā)生器122向選中的字線施加讀取電壓Vread并向相鄰的未選中的字線施加第一通電壓Vpass1。第一通電壓可以高于或等于讀取電壓。

漸進性故障檢測器126檢測存儲單元陣列110的漸進性故障。漸進性故障檢測器126中可以在其中包括至少一個計時器電路。漸進性故障檢測器126包括第一計時器電路和第二計時器電路。在經(jīng)過第一參考時間時，第一計時器電路輸出信號。在經(jīng)過第二參考時間時，第二計時器電路輸出信號。

當分別向選中的字線和相鄰的未選中的字線施加由電壓發(fā)生器122生成的讀取電壓 和第一通電壓時，控制邏輯125運行第一計時器電路。

當在第一計時器電路的運行結(jié)束時經(jīng)過第一參考時間時，漸進性故障檢測器126向控制邏輯125輸出信號。

在保持向選中的字線施加讀取電壓的同時控制邏輯125可以通過控制電壓發(fā)生器122向相鄰的未選中的字線施加第二通電壓Vpass2。第二通電壓可以比第一通電壓高出預(yù)定的參考電壓。此處，可以根據(jù)存儲單元陣列110的特征以不同的方式確定參考電壓?？梢詾槊總€字線不同地設(shè)置參考電壓。每個字線的參考電壓可以預(yù)先儲存在存儲單元陣列110中。例如，參考電壓可以儲存在存儲單元陣列110的CAM區(qū)域。

當施加第二通電壓時，控制邏輯125可以控制漸進性故障檢測器126運行第二計時器電路。當在第二計時器電路的運行結(jié)束時經(jīng)過第二參考時間時，控制邏輯125可以控制讀/寫電路123讀取對應(yīng)于選中的字線的數(shù)據(jù)。

當執(zhí)行漸進性故障檢測操作時，讀/寫電路123從存儲單元陣列110的選中的頁讀取數(shù)據(jù)DATA，并向漸進性故障檢測器126提供關(guān)于讀取操作是通過還是失敗的信息。

當所述讀取操作失敗時，漸進性故障檢測器126確定選中的頁具有漸進性故障，并向控制邏輯125傳送所確定的結(jié)果。

當讀取操作通過時，漸進性故障檢測器126不執(zhí)行任何操作，或者向控制邏輯125提供表示未檢測到任何漸進性故障的信號。

圖5為流程圖，示出根據(jù)本發(fā)明實施例的存儲系統(tǒng)50的操作。

圖5示出漸進性故障檢測操作500?？梢栽谥圃彀雽?dǎo)體存儲器件100之后的測試過程中由半導(dǎo)體存儲器件100執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明實施例的漸進性故障檢測操作。通過將任意數(shù)據(jù)編程到選中的字線和讀取對應(yīng)于選中的字線的頁的已編程的數(shù)據(jù)來執(zhí)行漸進性故障檢測操作。

參照圖1至5，在步驟501，半導(dǎo)體存儲器件100可以向選中的字線施加讀取電壓，并向相鄰的未選中的字線施加第一通電壓。第一通電壓可以等于或高于讀取電壓。

在步驟503，半導(dǎo)體存儲器件100可以判定是否已經(jīng)過第一參考時間。在一個實施例中，可以通過第一計時器電路的運行來確定是否經(jīng)過第一參考時間。在第一參考時間期間，分別以讀取電壓和第一通電壓對連接到選中的字線和相鄰的未選中的字線的存儲單元進行充電。當判定已經(jīng)過第一參考時間時，存儲系統(tǒng)進入步驟505。

在步驟505，半導(dǎo)體存儲器件100可以在保持向選中的字線施加讀取電壓的同時向相鄰的未選中的字線施加第二通電壓。第二通電壓可以比第一通電壓高出參考電壓。在各種實施例中，第二通電壓可以比第一通電壓高至少2V。當施加第二通電壓時，由于耦合效應(yīng)，選中的字線的電勢可以增大。隨著時間的流逝，選中的字線的電勢可以返回到讀取電壓。

在步驟507，半導(dǎo)體存儲器件100可以判定是否已經(jīng)過第二參考時間。在一個實施例中，可以通過第二計時器電路的運行來確定是否已經(jīng)過第二參考時間。在第二參考時間期間，正常選中的字線的電勢返回到讀取電壓，如參照圖1所描述。當判定結(jié)果為經(jīng)過第二參考時間時，存儲系統(tǒng)進入步驟509。

在步驟509，半導(dǎo)體存儲器件100通過位線讀取連接到選中的字線的選中的頁讀取數(shù)據(jù)。

在步驟511，半導(dǎo)體存儲器件100可以判定步驟509的讀取操作是否通過。當判定結(jié)果為讀取操作失敗時，很可能隨后在半導(dǎo)體存儲器件100的使用中將出現(xiàn)漸進性故障。

在步驟513，半導(dǎo)體存儲器件100可以確定對應(yīng)于選中的字線的選中的頁具有漸進性故障。

圖6為流程圖，示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的存儲系統(tǒng)50的操作。

圖6示出編程操作、圖5的漸進性故障檢測操作和對檢測到的漸進性故障的重新編程操作。

參照圖1至6，在步驟601，半導(dǎo)體存儲器件100響應(yīng)于來自控制器的編程命令通過將數(shù)據(jù)編程在連接到選中的字線的選中的頁中來完成編程操作。

在步驟500，存儲系統(tǒng)50執(zhí)行漸進性故障檢測操作，如參照圖5所描述。

在步驟603，確定是否檢測到漸進性故障。當未檢測到任何漸進性故障時，存儲系統(tǒng)50立即結(jié)束。

在步驟605，當檢測到漸進性故障時，存儲系統(tǒng)50可以對漸進性故障的選中的頁執(zhí)行壞項處理，并且執(zhí)行重新編程操作以將漸進性故障的選中的頁的數(shù)據(jù)移動到另一頁。

具體地，存儲系統(tǒng)50對漸進性故障的選中的頁的物理地址執(zhí)行壞項處理，并搜索映射到漸進性故障的選中的頁的物理地址的邏輯地址信息，由此改變所映射的物理地址。存儲系統(tǒng)50可以更新映射表以儲存改變后的物理地址。

在一個實施例中，存儲系統(tǒng)50可以將關(guān)于漸進性故障的選中的頁的信息獨立地儲存在不良塊表中。存儲系統(tǒng)50可以執(zhí)行重新編程操作以將對應(yīng)于選中的字線的頁的數(shù)據(jù)移動到對應(yīng)于改變后的物理地址的另一存儲區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，為每個字線檢測漸進性故障是可能的。因此，能夠以頁為單位執(zhí)行壞項處理。

在一個實施例中，可以對包括漸進性故障的選中的頁的整個存儲塊執(zhí)行壞項處理。在這種情況下，如果數(shù)據(jù)儲存在整個存儲塊的除漸進性故障的選中的頁以外的其余頁中，存儲系統(tǒng)50可以將存儲塊的其余頁中的數(shù)據(jù)移動到存儲單元陣列110的另一存儲塊。

圖7為流程圖，示出根據(jù)本發(fā)明又一實施例的存儲系統(tǒng)50的操作。

圖7示出讀取操作之后的漸進性故障檢測操作。

參照圖1至5和7，在步驟701，半導(dǎo)體存儲器件100響應(yīng)于來自控制器200的讀取命令和選中的頁的物理地址而對選中的頁執(zhí)行讀取操作。

在步驟703，在讀取操作之后，半導(dǎo)體存儲器件100可以執(zhí)行如參照圖5所描述的漸進性故障檢測操作。因此，盡管在步驟701讀取操作當前通過，可以根據(jù)漸進性故障檢測操作提前檢測在隨后的半導(dǎo)體存儲器件100使用中將出現(xiàn)的漸進性故障。

在步驟705，作為步驟703的漸進性故障檢測操作的結(jié)果，可以判定選中的頁是否具有漸進性故障。當未檢測到任何漸進性故障時，半導(dǎo)體存儲器件100結(jié)束該過程。

當在步驟705確定選中的頁具有漸進性故障時，在步驟707半導(dǎo)體存儲器件100可以執(zhí)行將漸進性故障的選中的頁的數(shù)據(jù)移動到另一頁的重新編程操作。在這種情況下，控制器200可以向半導(dǎo)體存儲器件100提供與漸進性故障的選中的頁的數(shù)據(jù)將被移動到的另一頁相對應(yīng)的物理地址和重新編程命令。半導(dǎo)體存儲器件100響應(yīng)于所提供的重新編程命令執(zhí)行重新編程操作。

在各種實施例中，半導(dǎo)體存儲器件100可以將通過了步驟701的讀取操作的選中的頁的數(shù)據(jù)儲存在頁緩沖器中，并且隨后，當在步驟705確定在選中的頁中檢測到漸進性故障時，在步驟707執(zhí)行重新編程操作以將儲存在緩沖器中的數(shù)據(jù)移動到另一頁。

在一個實施例中，當控制器200從半導(dǎo)體存儲器件100接收到表示在選中的頁中檢測到漸進性故障的信息時，控制器200可以對漸進性故障的選中的頁的物理地址執(zhí)行壞項處理。具體地，當控制器200從半導(dǎo)體存儲器件100接收到表示在選中的頁中檢測到 漸進性故障的信息時，控制器200對漸進性故障的選中的頁的物理地址執(zhí)行壞項處理，并搜索映射到漸進性故障的選中的頁的物理地址的邏輯地址信息，由此改變所映射的物理地址?？刂破?00可以更新映射表以存儲改變后的物理地址。

在一個實施例中，控制器200可以將漸進性故障的選中的頁的信息獨立地儲存在不良塊表中。控制器200可以控制半導(dǎo)體存儲器件100來執(zhí)行重新編程操作以將漸進性故障的選中的頁的數(shù)據(jù)移動到對應(yīng)于改變后的物理地址的另一存儲區(qū)域。在這種情況下，控制器200可以向半導(dǎo)體存儲器件100提供與漸進性故障的選中的頁的數(shù)據(jù)將被移動到的另一頁相對應(yīng)的物理地址以及重新編程命令。半導(dǎo)體存儲器件100響應(yīng)于所提供的重新編程命令執(zhí)行重新編程操作。

圖8為流程圖，示出根據(jù)本發(fā)明實施例的處理檢測到的漸進性故障的方法。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，由于為每個字線檢測漸進性故障，所以可以對檢測到的漸進性故障以頁為單位執(zhí)行壞項處理。可以將儲存在針對檢測到的漸進性故障被執(zhí)行壞項處理的選中的頁中的數(shù)據(jù)儲存在頁緩沖器中并隨后被重新編程到另一頁。

當在存儲塊所包括的多個頁的一部分中檢測到漸進性故障時，在隨后的半導(dǎo)體存儲器件100的使用中漸進性故障可以出現(xiàn)在整個存儲塊中。因此，就半導(dǎo)體存儲器件100的可靠性而言，可以對包括漸進性故障的選中的頁的整個存儲塊執(zhí)行壞項處理。

參照圖8，在步驟801，存儲系統(tǒng)50可以判定漸進性故障的存儲塊是否儲存有數(shù)據(jù)。在整個塊中，數(shù)據(jù)可以儲存在漸進性故障的選中的頁以及整個存儲塊的除漸進性故障的選中的頁以外的其余頁中。作為步驟801的判定結(jié)果，當確定漸進性故障的存儲塊儲存有數(shù)據(jù)時，存儲系統(tǒng)50進入步驟803。否則，存儲系統(tǒng)50結(jié)束該過程。

在步驟803，存儲系統(tǒng)50可以執(zhí)行重新編程操作以將漸進性故障的存儲塊的數(shù)據(jù)移動到存儲單元陣列110的另一存儲塊。在漸進性故障檢測操作中，存儲系統(tǒng)50可以將儲存在選中的頁中的數(shù)據(jù)儲存在頁緩沖器中，并且隨后，當在漸進性故障檢測操作中在選中的頁中檢測到漸進性故障時，執(zhí)行重新編程操作以將漸進性故障的選中的頁的數(shù)據(jù)移動到存儲單元陣列110的另一存儲塊。

在步驟805，存儲系統(tǒng)50可以對包括漸進性故障的選中的頁的整個存儲塊的物理地址執(zhí)行壞項處理。如同將漸進性故障的存儲塊的數(shù)據(jù)移動到另一存儲塊的步驟803，存儲系統(tǒng)50還可以執(zhí)行重新編程操作以將儲存在整個存儲塊的除漸進性故障的選中的頁以外的其余頁中的數(shù)據(jù)移動到存儲單元陣列110的另一存儲塊。當控制器200從半導(dǎo)體存儲器件100接收到表示在選中的頁中檢測到漸進性故障的信息時，控制器200可以對 包括漸進性故障的選中的頁的整個存儲塊的物理地址執(zhí)行壞項處理，并且搜索映射到漸進性故障的存儲塊的物理地址的邏輯地址信息，由此改變所映射的物理地址?？刂破?00可以更新映射表以存儲改變后的物理地址。

在一個實施例中，控制器200可以將關(guān)于漸進性故障的存儲塊的信息獨立地儲存在不良塊表中?？刂破?00可以控制半導(dǎo)體存儲器件100來執(zhí)行重新編程操作以將漸進性故障的存儲塊的數(shù)據(jù)移動到對應(yīng)于改變后的物理地址的另一存儲區(qū)域。在這種情況下，控制器200可以向半導(dǎo)體存儲器件100提供與漸進性故障的存儲塊的數(shù)據(jù)將被移動到的另一存儲塊相對應(yīng)的物理地址以及重新編程命令。半導(dǎo)體存儲器件100響應(yīng)于所提供的重新編程命令執(zhí)行重新編程操作。

圖9為框圖，示出包括圖3的半導(dǎo)體存儲器件100的存儲系統(tǒng)1000。

參照圖9,存儲系統(tǒng)1000包括半導(dǎo)體存儲器件1300和控制器1200。

可以類似于圖2的半導(dǎo)體存儲器件100來配置和操作半導(dǎo)體存儲器件1300。下文將省略重復(fù)的描述。

控制器1200連接到主機Host和半導(dǎo)體存儲器件1300。控制器1200被配置成響應(yīng)于來自主機Host的請求訪問半導(dǎo)體存儲器件1300。例如，控制器1200被配置成控制半導(dǎo)體存儲器件1300的讀取、寫入、擦除和后臺操作。控制器1200被配置成在半導(dǎo)體存儲器件1300和主機Host之間提供接口?？刂破?200被配置成驅(qū)動用于控制半導(dǎo)體存儲器件1300的固件。

控制器1200包括隨機存取存儲器(RAM)1210、處理單元1220、主機接口1230、存儲器接口1240和糾錯塊1250。

RAM 1210被用作處理單元1220的操作存儲器、半導(dǎo)體存儲器件1300與主機Host之間的高速緩沖存儲器以及半導(dǎo)體存儲器件1300和主機Host之間的緩沖存儲器中的至少一種。

處理單元1220控制控制器1200的整體運行。

處理單元1220被配置成對從主機Host提供的數(shù)據(jù)進行隨機化。例如，處理單元1220可以使用隨機化種子對從主機Host提供的數(shù)據(jù)進行隨機化。將隨機化的數(shù)據(jù)作為將被儲存的數(shù)據(jù)DATA提供給半導(dǎo)體存儲器件1300以編程到存儲單元陣列。

處理單元1220被配置成在執(zhí)行讀取操作時對從半導(dǎo)體存儲器件1300提供的數(shù)據(jù)進 行去隨機化。例如，處理單元1220可以使用去隨機化種子對從半導(dǎo)體存儲器件50提供的數(shù)據(jù)進行去隨機化?？梢韵蛑鳈CHost輸出去隨機化的數(shù)據(jù)。

作為一個實施例，處理單元1220可以通過驅(qū)動軟件或固件來執(zhí)行隨機化和去隨機化。

主機接口1230包括用于在主機Host和控制器1200之間交換數(shù)據(jù)的協(xié)議。作為一個實施例，控制器1200被配置成通過多種接口協(xié)議中的至少一種與主機Host通信，例如，通用串行總線(USB)協(xié)議、多媒體卡(MMC)協(xié)議、外圍部件互連(PCI)協(xié)議、快速PCI(PCI-E)協(xié)議、高級技術(shù)附件(ATA)協(xié)議、串行ATA協(xié)議、并行ATA協(xié)議、小型計算機小型接口(SCSI)協(xié)議、增強小型磁盤接口(ESDI)協(xié)議、集成驅(qū)動器電子(IDE)協(xié)議和專用協(xié)議。

存儲器接口1240與半導(dǎo)體存儲器件1300接口連接。例如，存儲器接口1240可以包括NAND接口或NOR接口。

糾錯塊1250被配置成使用糾錯碼(ECC)來檢測和糾正從半導(dǎo)體存儲器件1300提供的數(shù)據(jù)的錯誤。

可以將控制器1200和半導(dǎo)體存儲器件1300集成到一個半導(dǎo)體裝置中。作為一個實施例，可以將控制器1200和半導(dǎo)體存儲器件1300集成到一個半導(dǎo)體裝置中以構(gòu)成存儲卡。例如，可以將控制器1200和半導(dǎo)體存儲器件1300集成到一個半導(dǎo)體裝置中以構(gòu)成存儲卡，例如PC卡(個人計算機存儲卡國際協(xié)會(PCMCIA))、袖珍閃速(CF)卡、智能媒體卡(SM或SMC)、存儲棒、多媒體卡(MMC、RS-MMC或MMCmicro)、SD卡(SD、miniSD、microSD或SDHC)或通用閃速儲存器(UFS)。

可以將控制器1200和半導(dǎo)體存儲器件1300集成到一個半導(dǎo)體裝置中以構(gòu)成半導(dǎo)體驅(qū)動器(固態(tài)驅(qū)動器(SSD))。半導(dǎo)體驅(qū)動器SSD包括被配置成將數(shù)據(jù)儲存在半導(dǎo)體存儲器內(nèi)的儲存裝置。當存儲系統(tǒng)1000用作半導(dǎo)體驅(qū)動器SSD時，能夠顯著提高連接到存儲系統(tǒng)1000的主機Host的運行速度。

作為另一實例，可以提供存儲系統(tǒng)1000以作為電子裝置的各種組件之一，其中所述電子裝置為，例如，計算機、超級移動PC(UMPC)、工作站、上網(wǎng)本、個人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計算機、網(wǎng)絡(luò)平板電腦、無線電話、移動電話、智能電話、電子書、便攜式多媒體播放器(PMP)、便攜式游戲控制臺、導(dǎo)航系統(tǒng)、黑匣子、數(shù)字照相機、3D電視、數(shù)字錄音機、數(shù)字音頻播放器、數(shù)字圖像記錄器、數(shù)字圖像播放器、數(shù)字錄像機、數(shù)字視頻播放器、能夠在無線環(huán)境傳送/接收信息的裝置、構(gòu)成家庭網(wǎng)絡(luò)的各種電子 裝置之一、構(gòu)成計算機網(wǎng)絡(luò)的各種電子裝置之一、構(gòu)成遙測網(wǎng)絡(luò)的各種電子裝置之一、RFID裝置或構(gòu)成計算系統(tǒng)的各種組件之一。

作為一個實施例，可以以各種形式封裝半導(dǎo)體存儲器件1300或存儲系統(tǒng)1000。例如，可以以下列形式封裝半導(dǎo)體存儲器件1300或存儲系統(tǒng)1000，例如，堆疊式封裝(PoP)、球柵陣列(BGA)、芯片級封裝(CSP)、塑封引線芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插式封裝(PDIP)、華夫管芯封裝、晶片內(nèi)裸片形式、板上芯片(COB)、陶瓷雙列直插式封裝(CERDIP)、塑料公制四方扁平封裝(MQFP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、小外形集成電路(SOIC)、緊縮型小外形封裝(SSOP)、薄小外形封裝(TSOP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、系統(tǒng)級封裝(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶片級制造封裝(WFP)、或晶片級處理堆疊封裝(WSP)。

圖10為框圖，示出圖9中的存儲系統(tǒng)1000的應(yīng)用實例2000。

參照圖10，存儲系統(tǒng)2000包括半導(dǎo)體存儲器件2100和控制器2200。半導(dǎo)體存儲器件2100包括多個半導(dǎo)體存儲芯片。所述多個半導(dǎo)體存儲芯片分成多個組。

在圖10中，示出所述多個組通過第一至第k信道CH1至CHk與控制器2200通信?？梢灶愃朴趨⒄請D3描述的半導(dǎo)體存儲器件100中的任何一個來配置和操作每個半導(dǎo)體存儲芯片。

每個組被配置成通過一個公共信道與控制器2200通信。類似于參照圖9描述的控制器1200來配置控制器2200?？刂破?200被配置成通過所述多個信道CH1至CHk控制半導(dǎo)體存儲器件2100的所述多個存儲芯片。

在圖10中，已示出將多個半導(dǎo)體存儲芯片連接到一個信道。然而，應(yīng)理解，可以修改存儲系統(tǒng)2000以將一個半導(dǎo)體存儲芯片連接到一個信道。

圖11為框圖，示出包括參照圖10所描述的存儲系統(tǒng)2000的計算系統(tǒng)3000。

參照圖11，計算系統(tǒng)300包括中央處理單元3100、隨機存取存儲器(RAM)3200、用戶接口3300、電源3400、系統(tǒng)總線3500和存儲系統(tǒng)2000。

存儲系統(tǒng)2000通過系統(tǒng)總線3500電連接到中央處理單元3100、RAM 3200、用戶接口3300和電源3400。將通過用戶接口3300供應(yīng)的數(shù)據(jù)或通過中央處理單元3100處理的數(shù)據(jù)儲存在存儲系統(tǒng)2000中。

在圖11中，示出將半導(dǎo)體存儲器件2100通過控制器2200連接到系統(tǒng)總線3500。 然而，可以將半導(dǎo)體存儲器件2100直接連接到系統(tǒng)總線3500。在這種情況下，可以由中央處理單元3100和RAM 3200執(zhí)行控制器2200的功能。

在圖11中，示出提供參照圖10描述的存儲系統(tǒng)2000。然而，存儲系統(tǒng)2000可以用參照圖9描述的存儲系統(tǒng)1000替換。作為一個實施例，計算系統(tǒng)3000可以被配置成包括參照圖9和10描述的存儲系統(tǒng)1000和2000兩者。

根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)能夠檢測漸進性故障的存儲系統(tǒng)及其操作方法。

本文已公開了例示性實施例。盡管采用了特定術(shù)語，但其僅以一般和描述性意義來使用和解釋，而非用于限制目的。如截至提交本申請時的本領(lǐng)域一般技術(shù)人員將易于理解的，在一些實例中，關(guān)于特定實施例描述的特點、特征和/或元件可以單獨使用或者可以結(jié)合關(guān)于其它實施例描述的特點、特征和/或元件來使用，另有特別說明者除外。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可以進行各種形式和細節(jié)上的改變，而不背離如權(quán)利要求中所提出的本發(fā)明的精神和范圍。