本發(fā)明是關(guān)于一種存儲(chǔ)單元的寫入(programmingmemorycells)方法及其應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：：存儲(chǔ)陣列可在寫入循環(huán)(programmingcycle)中，通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)單元施加一組電壓脈沖而被寫入。電壓脈沖會(huì)伴隨寫入驗(yàn)證操作(programverifyoperation)，以檢查存儲(chǔ)單元是否被正確地寫入。在一些存儲(chǔ)陣列中，例如高密度nand閃存芯片，進(jìn)行多重寫入驗(yàn)證操作的總時(shí)間可能占整體存儲(chǔ)器寫入時(shí)間的一大比率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本說(shuō)明書公開了在存儲(chǔ)單元寫入時(shí)，通過(guò)降低寫入驗(yàn)證操作的時(shí)間來(lái)增進(jìn)存儲(chǔ)器效能的方法。在一實(shí)施例中，在存儲(chǔ)器寫入過(guò)程中進(jìn)行預(yù)先驗(yàn)證操作(pre-verifyoperation)，以確認(rèn)要被施加至存儲(chǔ)單元的多個(gè)電壓脈沖(又稱作寫入射擊(programmingshots))已達(dá)到對(duì)應(yīng)的目標(biāo)臨界電壓水平(targetthresholdvoltagelevels)。在此一實(shí)施例之中，對(duì)存儲(chǔ)陣列中的一或多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫入，是通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)單元施加第一次寫入射擊來(lái)開始。通過(guò)實(shí)施第一次寫入射擊，來(lái)決定每一個(gè)存儲(chǔ)單元的現(xiàn)時(shí)臨界電壓(currentthresholdvoltage)。根據(jù)現(xiàn)時(shí)臨界電壓來(lái)計(jì)算每一個(gè)存儲(chǔ)單元要達(dá)到各自對(duì)應(yīng)的目標(biāo)臨界電壓水平所需的額外寫入射擊的數(shù)目。對(duì)每一個(gè)存儲(chǔ)單元施加通過(guò)計(jì)算所得的數(shù)目的寫入射擊，而不在多個(gè)寫入射擊之間進(jìn)行任何中間寫入驗(yàn)證操作(intermediateprogramverifyoperations)。在將這些寫入射擊施加至存儲(chǔ)單元之后，再進(jìn)行一次寫入驗(yàn)證操作，以檢查這些存儲(chǔ)單元是否被寫入而達(dá)到各自對(duì)應(yīng)的目標(biāo)臨界電壓水平。綜上所述，先獲取存儲(chǔ)陣列中一或多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一臨界電壓。再識(shí)別這一或多個(gè)存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓。根據(jù)第一臨界電壓來(lái)決定用來(lái)使每一個(gè)存儲(chǔ)單元達(dá)到其目標(biāo)臨界電壓水平所需要的寫入射擊數(shù)目。分別將每一個(gè)存儲(chǔ)單元所需數(shù)目的寫入射擊施加至這一或多個(gè)存儲(chǔ)單元中。驗(yàn)證被分別施予所需數(shù)目的寫入射擊的一或多個(gè)存儲(chǔ)單元是否達(dá)到這些存儲(chǔ)單元各自的目標(biāo)臨界電壓水平。特定的實(shí)施例包括一或多個(gè)下述特征。獲取存儲(chǔ)陣列中一或多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一臨界電壓的步驟包括：對(duì)一或多個(gè)存儲(chǔ)單元施加第一次寫入射擊；以及獲取被施加第一次寫入射擊的一或多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一臨界電壓。獲取一或多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一臨界電壓的步驟可以包括：決定一或多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一臨界電壓的分布(distribution)；以及根據(jù)寫入速度將第一臨界電壓的分布區(qū)分為n個(gè)族群。決定用來(lái)使每一個(gè)存儲(chǔ)單元達(dá)到其目標(biāo)臨界電壓水平所需要的寫入射擊數(shù)目的步驟可以包括：識(shí)別n個(gè)族群中對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元的第一臨界電壓中的第一族群，決定施加給第一族群用來(lái)達(dá)到這些存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平所需的寫入射擊數(shù)目。分別將每一個(gè)存儲(chǔ)單元所需數(shù)目的寫入射擊施加至這一或多個(gè)存儲(chǔ)單元中的步驟可以包括：在多個(gè)連續(xù)操作(successiveoperations)中將每一個(gè)存儲(chǔ)單元所需數(shù)目的寫入射擊施加至這一或多個(gè)存儲(chǔ)單元中，而不進(jìn)行中間寫入驗(yàn)證操作。獲取一或多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一臨界電壓的步驟可以包括：將一或多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一臨界電壓儲(chǔ)存于一個(gè)高速緩存(cachememory)中。決定用來(lái)使每一個(gè)存儲(chǔ)單元達(dá)到其目標(biāo)臨界電壓水平所需要的寫入射擊的數(shù)目的步驟可以包括：在高速緩存中儲(chǔ)存用來(lái)使每一個(gè)存儲(chǔ)單元達(dá)到各自對(duì)應(yīng)目標(biāo)臨界電壓水平所需要的寫入射擊數(shù)目。分別將每一個(gè)存儲(chǔ)單元所需數(shù)目的寫入射擊施加至這一或多個(gè)存儲(chǔ)單元中的步驟可以包括：從高速緩存中讀取用來(lái)使每一個(gè)存儲(chǔ)單元達(dá)到各自對(duì)應(yīng)的目標(biāo)臨界電壓水平所需要的寫入射擊數(shù)目。從高速緩存中所讀取的寫入射擊數(shù)目，將在多個(gè)連續(xù)操作中被施加至這些存儲(chǔ)單元中。驗(yàn)證這一或多個(gè)存儲(chǔ)單元是否分別被達(dá)到各自的目標(biāo)臨界電壓水平的步驟可以包括：進(jìn)行第一次寫入驗(yàn)證操作以確認(rèn)被施加倒數(shù)第二次寫入射擊的一或多個(gè)存儲(chǔ)單元是否分別達(dá)到各自的目標(biāo)臨界電壓水平。對(duì)未達(dá)到目標(biāo)臨界電壓水平的一或多個(gè)存儲(chǔ)單元施加最終寫入射擊。進(jìn)行第二次寫入驗(yàn)證操作以確認(rèn)所有存儲(chǔ)單元是否分別達(dá)到各自的目標(biāo)臨界電壓水平。驗(yàn)證這一或多個(gè)存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平是否分別被達(dá)到的步驟可以包括：獲取被施加倒數(shù)第二次的寫入射擊的一或多個(gè)存儲(chǔ)單元的第二臨界電壓。根據(jù)這些存儲(chǔ)單元的第二臨界電壓決定這一或多個(gè)存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)達(dá)到其對(duì)應(yīng)目標(biāo)臨界電壓水平所需要的額外寫入射擊數(shù)目。在多個(gè)后續(xù)的操作中，對(duì)這一或多個(gè)存儲(chǔ)單元施加此額外數(shù)目的寫入射擊。驗(yàn)證被分別施予額外數(shù)目的寫入射擊的一或多個(gè)存儲(chǔ)單元是否分別達(dá)到這些存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平。以上所述的實(shí)施例包括元件、系統(tǒng)、方法、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品(computerprogramproduct)和計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)(computerreadablemedium)。上述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的其中之一，可以適切地通過(guò)一個(gè)用來(lái)儲(chǔ)存可被一或多種處理器所執(zhí)行的指令的非瞬時(shí)機(jī)器可讀取介質(zhì)(non-transitorymachine-readablemedium)來(lái)實(shí)施。前述的指令被用來(lái)驅(qū)使一或多種處理器執(zhí)行上述操作。當(dāng)上述操作被一或多種處理器執(zhí)行時(shí)，上述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的其中之一，用來(lái)儲(chǔ)存用來(lái)驅(qū)使這一或多種處理器執(zhí)行上述操作的指令。上述組件的其中之一，包括用來(lái)進(jìn)行上述操作的存儲(chǔ)器控制器(memorycontroller)。此一組件可以包括一高速緩存，用來(lái)儲(chǔ)存一或多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一臨界電壓以及這些存儲(chǔ)單元所需的寫入射擊的數(shù)目。通過(guò)減少或移除多個(gè)寫入射擊之間所進(jìn)行的中間寫入驗(yàn)證操作，可減少以上所述的元件、系統(tǒng)和技術(shù)的整體存儲(chǔ)器寫入時(shí)間?？梢砸虼嗽鲞M(jìn)存儲(chǔ)器陣列的寫入產(chǎn)出效能(programmingthroughputperformance)，例如將數(shù)據(jù)寫入至存儲(chǔ)器陣列或?qū)?shù)據(jù)從存儲(chǔ)器陣列抹除的速度。以上所述的元件、系統(tǒng)和技術(shù)可以被應(yīng)用至不同型態(tài)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，例如nand閃存或nor閃存...等。這些存儲(chǔ)器可以包括單層存儲(chǔ)單元(single-levelcells，slcs)或多層存儲(chǔ)單元(multi-levelcells，mlcs)，例如三層存儲(chǔ)單元(triple-levelcells，tlcs)或四層存儲(chǔ)單元(quadruple-levelcells，qlcs)...等。以上所述的一或多個(gè)實(shí)施例，將配合所附附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。本說(shuō)明書的其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)也可通過(guò)下述的說(shuō)明、附圖和權(quán)利要求而變得更明顯易懂。附圖說(shuō)明圖1是根據(jù)一實(shí)施例示出的一種具有中間寫入驗(yàn)證操作的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)。其中，中間寫入驗(yàn)證操作跟隨在每一次的寫入射擊之后；圖2是根據(jù)一實(shí)施例示出的一種具有預(yù)先驗(yàn)證操作和多個(gè)連續(xù)寫入射擊，且沒(méi)有中間寫入操作的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)；圖3示出在預(yù)先驗(yàn)證操作中，將起始電壓分布(initialvoltagedistribution)區(qū)分成多個(gè)族群的實(shí)施例；圖4a和圖4b是根據(jù)另一實(shí)施例示出的一種具有預(yù)先驗(yàn)證操作和多個(gè)連續(xù)寫入射擊，且沒(méi)有中間寫入操作的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)；圖5是根據(jù)一實(shí)施例示出的一種采用具有預(yù)先驗(yàn)證操作和多個(gè)連續(xù)寫入射擊，且沒(méi)有中間寫入操作的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)的系統(tǒng)；圖6是根據(jù)一實(shí)施例示出的一種采用具有預(yù)先驗(yàn)證操作和多個(gè)連續(xù)寫入射擊，且沒(méi)有中間寫入操作的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)的流程?！痉?hào)說(shuō)明】100、200、400a、400b、500：存儲(chǔ)器寫入循環(huán)102a、102b、102c、102n、202a、202b、202c、202n、226a、226b、226c、412a、412b、412c、412n-1、412n：寫入射擊104a、104b、104c、104n、204、414a、414b：寫入驗(yàn)證操作112a、212a：第一時(shí)間112b、212b：第二時(shí)間112c、212c：第三時(shí)間112n、212n：第n時(shí)間114a、114b、114c、114n、214、216、t_pv、t_read：時(shí)間202a、202b、302a、302b、302c、302n-1、302n：族群206、416a、416b：預(yù)先驗(yàn)證操作210、220：流程序列222：起始臨界電壓分布224a、224b、224c：起始臨界電壓分布的起始水平502：存儲(chǔ)器控制器504：存儲(chǔ)器陣列510：臨時(shí)儲(chǔ)存裝置600：流程512a、512b、512c、512d、512e：高速緩存av、228a：a電壓水平bv、228b：b電壓水平cv、228c：c電壓水平pgm：每一次的寫入射擊602：施加第一寫入射擊至存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)單元中604：獲取存儲(chǔ)單元在第一寫入射擊之后的臨界電壓606：將這些臨界電壓儲(chǔ)存于暫存存儲(chǔ)器中608：決定要達(dá)到每一個(gè)存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平所需的寫入射擊數(shù)目610：將每一個(gè)存儲(chǔ)單元所需的寫入射擊數(shù)目?jī)?chǔ)存至?xí)捍娲鎯?chǔ)器中612：通過(guò)對(duì)每一個(gè)存儲(chǔ)單元施加被指派數(shù)目的寫入射擊來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器陣列中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫入614：在使用被指派的寫入射擊數(shù)目進(jìn)行寫入之后，進(jìn)行寫入驗(yàn)證操作具體實(shí)施方式存儲(chǔ)器陣列，例如nand閃存芯片，中的存儲(chǔ)單元，可以在寫入循環(huán)中通過(guò)對(duì)這些存儲(chǔ)單元施加一組電壓脈沖而被寫入。此組電壓脈沖又稱為寫入射擊。這些寫入射擊是以增量步驟(incrementalsteps)的方式實(shí)施，直到達(dá)到存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平為止。當(dāng)要將數(shù)據(jù)寫入這些存儲(chǔ)單元時(shí)，目標(biāo)臨界電壓水平相當(dāng)于要被寫入存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)位(bitsofdata)的電壓水平。當(dāng)要將數(shù)據(jù)自存儲(chǔ)單元抹除時(shí)，目標(biāo)臨界電壓水平相當(dāng)于用來(lái)將存儲(chǔ)單元重置(reset)到抹除狀態(tài)(erasedstate)的電壓水平。每一個(gè)寫入射擊的電壓水平，可以是目標(biāo)臨界電壓水平的分?jǐn)?shù)(fraction)。在實(shí)施每一次寫入射擊的后，一般會(huì)進(jìn)行一次寫入驗(yàn)證操作，以確認(rèn)是否達(dá)到目標(biāo)臨界電壓水平，以及確認(rèn)數(shù)據(jù)是否被正確地寫入存儲(chǔ)單元。假如未達(dá)到目標(biāo)臨界電壓水平，會(huì)在寫入驗(yàn)證操作之后，再實(shí)施另一次寫入射擊，以使存儲(chǔ)單元的電壓水平朝達(dá)到目標(biāo)臨界電壓水平的方向調(diào)整。這樣的程序會(huì)重復(fù)進(jìn)行，直到達(dá)到存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平為止。圖1是根據(jù)一實(shí)施例示出的一種具有中間寫入驗(yàn)證操作的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)100。其中，中間寫入驗(yàn)證操作跟隨在每一次的寫入射擊之后。存儲(chǔ)器寫入循環(huán)100包括實(shí)施多次(n次)的寫入射擊(其中n是大于1的整數(shù))，例如寫入射擊102a、102b、102c至102n，來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器陣列，例如閃存芯片，中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫入。存儲(chǔ)器寫入循環(huán)100也包括實(shí)施多次的寫入驗(yàn)證操作，例如寫入驗(yàn)證操作104a、104b、104c至104n。在存儲(chǔ)器寫入循環(huán)100中，實(shí)施每一次寫入射擊之后，會(huì)進(jìn)行一次寫入驗(yàn)證操作，以確認(rèn)存儲(chǔ)器陣列中的目標(biāo)存儲(chǔ)單元的電壓水平。例如寫入射擊102a之后，會(huì)進(jìn)行寫入驗(yàn)證操作104a；寫入射擊102b之后，會(huì)進(jìn)行寫入驗(yàn)證操作104b；寫入射擊102c之后，會(huì)進(jìn)行寫入驗(yàn)證操作104c；以及寫入射擊102n之后，會(huì)進(jìn)行寫入驗(yàn)證操作104n。在一些實(shí)施例之中，存儲(chǔ)器陣列中的存儲(chǔ)單元為多層存儲(chǔ)單元。在這種情況下，不同存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平會(huì)有差異，例如不同存儲(chǔ)單元會(huì)對(duì)應(yīng)不同數(shù)值的存儲(chǔ)位(memorybits)。舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器陣列中存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平可能是三種電壓水平中的一種，即a電壓水平、b電壓水平或c電壓水平。在此情形下，每一次的寫入驗(yàn)證操作要量測(cè)不同電壓水平，例如a電壓水平(以av表示)、b電壓水平(以bv表示)或c電壓水平(以cv表示)，的存儲(chǔ)單元的電壓水平。由于必須進(jìn)行多重水平的驗(yàn)證程序，會(huì)使每一次的寫入驗(yàn)證操作的時(shí)間增加，進(jìn)而增加整體多重寫入驗(yàn)證操作的時(shí)間。圖1中的流程序列110即是示出存儲(chǔ)器寫入循環(huán)100所耗費(fèi)的時(shí)間。每一次的寫入射擊(以pgm表示)僅使用有限量的時(shí)間。例如第一次寫入射擊102a耗用了第一時(shí)間112a；第二次寫入射擊102b耗用了第二時(shí)間112b；第三次寫入射擊102c耗用了第三時(shí)間112c；以及第n次寫入射擊102n耗用了第n時(shí)間112n。在本說(shuō)明書中，時(shí)間是采用適當(dāng)?shù)挠?jì)量單位，例如秒(seconds)、毫秒(milliseconds)、微秒(microseconds)或納秒(nanoseconds)，來(lái)進(jìn)行量測(cè)。每一次寫入射擊所耗用的時(shí)間之后緊跟著的是對(duì)應(yīng)于該寫入射擊的寫入驗(yàn)證操作所耗用的時(shí)間。如圖1所示，第一時(shí)間112a之后緊跟著的是對(duì)應(yīng)于第一次寫入射擊102a的寫入驗(yàn)證操作104a所耗用的時(shí)間114a。相同的，第二時(shí)間112b之后緊跟著的是對(duì)應(yīng)于第二次寫入射擊102b的寫入驗(yàn)證操作104b所耗用的時(shí)間114b；第三時(shí)間112c之后緊跟著的是對(duì)應(yīng)于第三次寫入射擊102c的寫入驗(yàn)證操作104c所耗用的時(shí)間114c；以及第n時(shí)間112n之后緊跟著的是對(duì)應(yīng)于第n寫入射擊102n的寫入驗(yàn)證操作104n所耗用的時(shí)間114n。用來(lái)驗(yàn)證每一個(gè)目標(biāo)臨界電壓水平的寫入驗(yàn)證操作需耗用t_pv的時(shí)間。因此使用三種電壓水平，即a電壓水平、b電壓水平和c電壓水平，的具有多層存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器陣列，每一次的寫入驗(yàn)證操作需耗用3×t_pv(以3*t_pv表示)的時(shí)間(如圖所示，每一次驗(yàn)證a電壓水平、b電壓水平和c電壓水平，av、bv和cv，都需耗用t_pv的時(shí)間)。若進(jìn)行n次的寫入射擊，寫入驗(yàn)證操作的總耗用時(shí)間n×3×t_pv占去了存儲(chǔ)器寫入循環(huán)100總耗用時(shí)間的很大一部分。在一些應(yīng)用中，有需要降低寫入驗(yàn)證時(shí)間占存儲(chǔ)器寫入循環(huán)100總耗用時(shí)間的比例。例如固態(tài)硬盤(solid-state-drives，ssds)、智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)(tabletcomputers)和數(shù)據(jù)儲(chǔ)存服務(wù)器(datastorageservers)...等，都需要具有高輸出效率的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(例如，高密度閃存)，以達(dá)到想要的系統(tǒng)效能。非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的高輸出效率可通過(guò)增加存儲(chǔ)器陣列的寫入速度，例如降低寫入驗(yàn)證操作的總耗用時(shí)間，來(lái)實(shí)現(xiàn)。以下所公開的存儲(chǔ)器陣列、相關(guān)元件、系統(tǒng)和技術(shù)，是通過(guò)限制存儲(chǔ)器寫入循環(huán)中寫入驗(yàn)證操作的次數(shù)，以減少每一個(gè)存儲(chǔ)器寫入循環(huán)的寫入驗(yàn)證操作的總耗用時(shí)間，進(jìn)而提高存儲(chǔ)陣列的寫入速度。在一些實(shí)施例中，以下所公開的存儲(chǔ)器陣列、相關(guān)元件、系統(tǒng)和技術(shù)應(yīng)用于非揮發(fā)性存儲(chǔ)器陣列，例如閃存芯片。在其他實(shí)施例中，以下所公開的存儲(chǔ)器陣列、相關(guān)元件、系統(tǒng)和技術(shù)可以應(yīng)用于其他形式的存儲(chǔ)器中。圖2是根據(jù)一實(shí)施例示出的一種具有預(yù)先驗(yàn)證操作和多個(gè)連續(xù)寫入射擊，且沒(méi)有中間寫入操作的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200。存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200可用來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器陣列，例如閃存芯片，中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫入。存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200可用來(lái)對(duì)單層存儲(chǔ)單元、雙層存儲(chǔ)單元或上述二者進(jìn)行寫入。包括預(yù)先驗(yàn)證操作206的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200采用與被寫入的存儲(chǔ)器陣列有關(guān)聯(lián)的系統(tǒng)中的適當(dāng)邏輯來(lái)實(shí)施。例如，下述實(shí)施例中公開的進(jìn)行存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200操作的一種存儲(chǔ)器控制器，用來(lái)對(duì)與存儲(chǔ)器控制器相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列進(jìn)行寫入。但在其他實(shí)施例中，存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200的操作，可以采用位于與存儲(chǔ)器陣列相關(guān)聯(lián)的系統(tǒng)中的硬件及/或軟件來(lái)進(jìn)行。存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200包括實(shí)施多次寫入射擊，例如寫入射擊202a、202b、202c至202n，來(lái)對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫入。存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200也包括一次寫入驗(yàn)證操作204以及一次預(yù)先寫入驗(yàn)證操作206。采用存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器陣列進(jìn)行寫入時(shí)，存儲(chǔ)器控制器示出加一個(gè)起始寫入射擊至存儲(chǔ)器陣列的多個(gè)存儲(chǔ)單元，并獲取每一個(gè)存儲(chǔ)單元的臨界電壓，再根據(jù)臨界電壓來(lái)決定用來(lái)使這些存儲(chǔ)單元達(dá)到各自目標(biāo)臨界電壓水平所需的寫入射擊的數(shù)目。例如，先對(duì)存儲(chǔ)器陣列的目標(biāo)存儲(chǔ)單元施加第一次寫入射擊202a。之后，進(jìn)行預(yù)先寫入驗(yàn)證操作206。通過(guò)一部分的預(yù)先寫入驗(yàn)證操作206，存儲(chǔ)器控制器可在施加第一次寫入射擊202a的后獲取每一個(gè)存儲(chǔ)單元的臨界電壓。例如在一實(shí)施例中，在施加第一次寫入射擊202a之后，可通過(guò)頁(yè)緩沖器(pagebuffer)從存儲(chǔ)單元中讀出臨界電壓并以高速緩存加以儲(chǔ)存。接著，將臨界電壓數(shù)據(jù)傳輸至存儲(chǔ)器控制器。根據(jù)每一個(gè)存儲(chǔ)單元的臨界電壓，存儲(chǔ)器控制器可以在預(yù)先寫入驗(yàn)證操作206中，決定出用來(lái)使這些存儲(chǔ)單元達(dá)到各自目標(biāo)臨界電壓水平所需的寫入射擊數(shù)目。在具有多層存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器陣列中，不同存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平可能會(huì)不一樣。其取決于不同存儲(chǔ)單元中用來(lái)代表數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)位的狀態(tài)。例如，如圖2所示，存儲(chǔ)器陣列中存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平可能是三種電壓水平，即a電壓水平、b電壓水平或c電壓水平。另一方面，在一個(gè)單層存儲(chǔ)單元陣列中，存儲(chǔ)器陣列中存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平可能是與所有存儲(chǔ)單元相同的均一數(shù)值。因此，存儲(chǔ)器控制器可以在預(yù)先寫入驗(yàn)證操作206中，決定出用于多層存儲(chǔ)單元、單層存儲(chǔ)單元或二者所需的寫入射擊數(shù)目。預(yù)先寫入驗(yàn)證操作206的操作方式，以下將以具有三種目標(biāo)臨界電壓水平(即a電壓水平、b電壓水平和c電壓水平)的多層存儲(chǔ)單元的寫入流程序列220來(lái)詳細(xì)說(shuō)明。在預(yù)先寫入驗(yàn)證操作206之中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)量測(cè)存儲(chǔ)單元的起始臨界電壓分布222。如本實(shí)施例所述，起始臨界電壓分布222是在施加第一次寫入射擊202a之后，所量測(cè)而得的多個(gè)存儲(chǔ)單元的臨界電壓水平。根據(jù)每一個(gè)存儲(chǔ)單元的起始臨界電壓水平，決定出用來(lái)使這些存儲(chǔ)單元達(dá)到各自目標(biāo)臨界電壓水平所需的寫入射擊數(shù)目。例如，假如某個(gè)存儲(chǔ)單元的起始臨界電壓水平落在起始臨界電壓分布222的起始水平224a，且此一存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平落在a電壓水平228a，則存儲(chǔ)器控制器可據(jù)此決定出用來(lái)使該存儲(chǔ)單元的臨界電壓水平從起始水平224a移動(dòng)至a電壓水平228a所需要的寫入射擊226a的數(shù)目x。以同樣方式，決定出將具有起始水平224b的存儲(chǔ)單元的臨界電壓水平移動(dòng)至b目標(biāo)臨界電壓水平228b所需要的寫入射擊226b的數(shù)目y；以及決定出將具有起始水平224c的存儲(chǔ)單元的臨界電壓水平移動(dòng)至c目標(biāo)臨界電壓水平228c所需要的寫入射擊226c的數(shù)目z。通過(guò)前述方式，可以在預(yù)先寫入驗(yàn)證操作206之中，決定出用來(lái)使每一個(gè)要被寫入的存儲(chǔ)單元達(dá)到各自目標(biāo)臨界電壓水平所需的寫入射擊的數(shù)目。在一些實(shí)施例之中，起始臨界電壓分布222可以被劃分或分成多個(gè)族群。一個(gè)特定存儲(chǔ)單元可以根據(jù)該存儲(chǔ)單元的起始臨界電壓分布所區(qū)分的對(duì)應(yīng)族群，來(lái)決定出該存儲(chǔ)單元所需的寫入射擊的數(shù)目。圖3是根據(jù)一實(shí)施例示出的在預(yù)先驗(yàn)證操作206中，將起始臨界電壓分布222區(qū)分成多個(gè)族群。如圖所示，起始臨界電壓分布222被區(qū)分成n個(gè)族群，例如族群302a、302b、302c、...302n-1以及302n(其中n為合適的整數(shù))。這n個(gè)族群涵蓋了要被寫入的存儲(chǔ)單元的起始電壓分布的可能數(shù)值范圍。在一些實(shí)施例之中，族群的數(shù)目n系根據(jù)這些存儲(chǔ)單元從起始臨界電壓水平寫入至目標(biāo)臨界電壓水平的速度來(lái)加以區(qū)分。當(dāng)相對(duì)應(yīng)的族群以及目標(biāo)臨界電壓水平為已知時(shí)，族群的數(shù)目，即整數(shù)n的數(shù)值，是電壓分布曲線222上每一個(gè)起始臨界電壓水平所需的寫入射擊數(shù)目的精細(xì)程度(granularityofprecision)與決定每一個(gè)存儲(chǔ)單元所需的寫入射擊數(shù)目的時(shí)間二者的折衷方案。假如n的數(shù)值太小(例如2或3)，族群數(shù)量較少。在這種情況下，兩個(gè)具有相當(dāng)程度差異的起始臨界電壓水平(有可能會(huì)被分配在不同族群302a和302b)的存儲(chǔ)單元，會(huì)被分配到同一個(gè)族群，進(jìn)而使二者所需的寫入射擊數(shù)目相同(假設(shè)二者有相同的目標(biāo)臨界電壓水平)。這有可能造成存儲(chǔ)單元不正確的寫入。例如，假如過(guò)多寫入射擊被施加至存儲(chǔ)單元，將使存儲(chǔ)單元的臨界電壓水平移動(dòng)至與目標(biāo)臨界電壓不同的水平。另一方面，假如n的數(shù)值太大(例如大于45)，將不同存儲(chǔ)單元分配到n個(gè)族群其中之一，并且決定每一個(gè)存儲(chǔ)單元所需的寫入射擊數(shù)目將會(huì)耗掉很多時(shí)間。在這種情況下，預(yù)先驗(yàn)證操作206的整體耗費(fèi)時(shí)間可能與預(yù)先驗(yàn)證操作206所欲取代的中間寫入驗(yàn)證操作所耗費(fèi)的時(shí)間相當(dāng)。在一些實(shí)施例中，更可能會(huì)比中間寫入驗(yàn)證操作更耗時(shí)。如此，將喪失采用預(yù)先驗(yàn)證操作206來(lái)取代中間寫入驗(yàn)證操作的好處。因此，n個(gè)族群的數(shù)目(n的數(shù)值)，是通過(guò)衡量在預(yù)先驗(yàn)證操作206中決定每一個(gè)存儲(chǔ)單元所需的寫入射擊數(shù)目的時(shí)間，以及臨界電壓分布222曲線上每一個(gè)起始臨界電壓水平所需的寫入射擊數(shù)目的精細(xì)程度，來(lái)分配了一些適合的數(shù)值。例如在一些實(shí)施例之中，起始臨界電壓分布被區(qū)分成15個(gè)族群(n＝15)。n其他數(shù)值也有可能。例如，n可以是介于4到45之間，或其他合適范圍，的整數(shù)。在一實(shí)施例中，n個(gè)族群的總數(shù)是通過(guò)將起始臨界電壓分布的范圍分割成數(shù)個(gè)較小部分來(lái)決定，并分配一個(gè)部分給一個(gè)族群。例如，起始臨界電壓分布的范圍可以是4.5v，而被區(qū)分為以0.3v遞增的部分。計(jì)算以上數(shù)值，可求得n個(gè)族群的總數(shù)n為4.5/0.3＝15。在一實(shí)施例中，每一個(gè)部分的電壓范圍(例如，0.3v)都會(huì)對(duì)應(yīng)到一個(gè)寫入射擊的數(shù)目。存儲(chǔ)器控制器決定用來(lái)使每一個(gè)存儲(chǔ)單元達(dá)到各自目標(biāo)臨界電壓水平所需的寫入射擊的數(shù)目。例如附圖中，假如某一存儲(chǔ)單元的起始臨界電壓是在族群302a中，則施加3次的寫入射擊，以使該存儲(chǔ)單元達(dá)到a目標(biāo)臨界電壓水平228a；假如某一存儲(chǔ)單元的起始臨界電壓是在族群302b中，則施加4次的寫入射擊，以使該存儲(chǔ)單元達(dá)到a目標(biāo)臨界電壓水平228a；假如某一存儲(chǔ)單元的起始臨界電壓是在族群302n-1中，則施加n-1次的寫入射擊，以使該存儲(chǔ)單元達(dá)到a目標(biāo)臨界電壓水平228a；假如某一存儲(chǔ)單元的起始臨界電壓是在族群302n中，則施加n次的寫入射擊，以使該存儲(chǔ)單元達(dá)到a目標(biāo)臨界電壓水平228a。依此類推。在一些實(shí)施例的中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)預(yù)先計(jì)算與存儲(chǔ)器控制器相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列中的存儲(chǔ)單元的族群數(shù)目n，并決定要使每一個(gè)族群達(dá)到各自目標(biāo)臨界電壓水平所需的寫入射擊的數(shù)目。在一個(gè)具有多層存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器陣列之中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)計(jì)算每一個(gè)族群中和每一種臨界電壓水平，用來(lái)達(dá)到特定目標(biāo)臨界電壓水平所需的寫入射擊的數(shù)目。因此，若有存儲(chǔ)器陣列具有三種臨界電壓水平的存儲(chǔ)單元，則每一個(gè)族群就有三種用來(lái)使不同臨界電壓水平達(dá)到各自目標(biāo)臨界電壓水平所需的寫入射擊的數(shù)目。在一實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)預(yù)先計(jì)算存儲(chǔ)單元的族群數(shù)目n及與其相對(duì)應(yīng)的寫入射擊的數(shù)目，并將其儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器中。后續(xù)，在存儲(chǔ)器寫入循環(huán)的預(yù)先驗(yàn)證操作中，例如在存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200預(yù)先驗(yàn)證操作206中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)讀取每一個(gè)要被寫入的存儲(chǔ)單元的起始臨界電壓，并依照存儲(chǔ)單元的起始臨界電壓將每一個(gè)存儲(chǔ)單元分配給n個(gè)族群中的一群。在一個(gè)具有多層存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器陣列之中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)根據(jù)每一個(gè)存儲(chǔ)單元被分配到的族群以及該存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平來(lái)決定要施加于該存儲(chǔ)單元的寫入射擊的數(shù)目。在一個(gè)具有單層存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器陣列之中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)根據(jù)每一個(gè)存儲(chǔ)單元被分配到的族群來(lái)決定要施加于該存儲(chǔ)單元的寫入射擊的數(shù)目。以這種方式，通過(guò)存儲(chǔ)單元的起始臨界電壓將存儲(chǔ)單元區(qū)分成有限數(shù)量的族群，以得到有限數(shù)量的寫入射擊的可能數(shù)目。兩個(gè)具有不同起始臨界電壓的存儲(chǔ)單元，假如他們的起始臨界電壓落在族群302a的范圍內(nèi)，則他們可能被分配在同一個(gè)族群，例如族群302a。因此，假如這兩個(gè)存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平相同，即使二者具有不同起始臨界電壓的存儲(chǔ)單元，仍會(huì)被施予同樣數(shù)目的寫入射擊。在預(yù)先驗(yàn)證操作206中，確定要被施加于每一個(gè)存儲(chǔ)單元的寫入射擊的數(shù)目后，存儲(chǔ)器控制器會(huì)對(duì)每一個(gè)存儲(chǔ)單元分別施加已確定數(shù)目的寫入射擊，使每一個(gè)存儲(chǔ)單元分別達(dá)到各自的目標(biāo)臨界電壓水平。這些寫入射擊是連續(xù)不斷地施加于存儲(chǔ)單元上，其間并沒(méi)有進(jìn)行中間寫入驗(yàn)證操作。例如，如圖2所示出的，寫入射擊202b、202c至202n以連續(xù)操作的方式施加于存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)單元上，寫入射擊的間并沒(méi)有進(jìn)行中間寫入驗(yàn)證操作。所施加的寫入射擊的數(shù)目，是根據(jù)上述預(yù)先驗(yàn)證操作206所決定的個(gè)別存儲(chǔ)單元的寫入射擊數(shù)目。在存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200中，施加最后一次寫入射擊202n之后，存儲(chǔ)器控制器會(huì)進(jìn)行一次寫入驗(yàn)證操作。例如，在施加最后一次寫入射擊202n之后，存儲(chǔ)器控制器會(huì)進(jìn)行寫入驗(yàn)證操作204。寫入驗(yàn)證操作204是在驗(yàn)證存儲(chǔ)器陣列中的存儲(chǔ)單元是否已被寫入至他們各自的目標(biāo)臨界電壓水平。流程序列210示出了存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200所耗費(fèi)的時(shí)間。每一個(gè)寫入射擊僅耗用有限的時(shí)間。例如，如前所述，存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200施加了n個(gè)(n為大于1的整數(shù)，n＞1)寫入射擊，從而達(dá)到存儲(chǔ)單元各自的目標(biāo)臨界電壓水平。第一次寫入射擊202a耗用了第一時(shí)間212a；第二次寫入射擊202b耗用了第二時(shí)間212b；第三次寫入射擊202c耗用了第三時(shí)間212c；以及第n次寫入射擊202n耗用了第n時(shí)間212n，依此類推。第一次寫入射擊202a所耗用的第一時(shí)間212a在預(yù)先驗(yàn)證操作206所耗用的時(shí)間216之前。其余第二次寫入射擊202b、第三次寫入射擊202c以及第n次寫入射擊202n所耗用的時(shí)間212b、212c至212n分別連續(xù)不斷地跟隨在后。內(nèi)存寫入循環(huán)200的寫入驗(yàn)證操作204所耗用的時(shí)間214，則跟隨在第n次或最后一次寫入射擊202n所耗用的第n時(shí)間212n之后。每次預(yù)先驗(yàn)證操作206耗用了時(shí)間t_read。如圖3所示，起始臨界電壓分布被區(qū)隔成n個(gè)族群，因此t_read＝n×t_pv。由于具有多層存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列使用了三個(gè)目標(biāo)臨界電壓水平(即a水平、b水平和c水平)，因此寫入驗(yàn)證操作204所耗用的時(shí)間為3×t_pv，如圖所示(每一次驗(yàn)證a電壓水平、b電壓水平和c電壓水平，av、bv和cv，分別耗用t_pv的時(shí)間)。這兩個(gè)操作的總耗用時(shí)間為t_read+3×t_pv＝n×t_pv+3×t_pv，實(shí)質(zhì)上小于存儲(chǔ)器寫入循環(huán)100中的整體寫入驗(yàn)證時(shí)間。n×3×t_pv。在節(jié)省時(shí)間的實(shí)施例中，可以通過(guò)采用預(yù)先驗(yàn)證操作206，并免除中間寫入驗(yàn)證操作的方式來(lái)加以實(shí)現(xiàn)。若僅考慮具有多層存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列中三種目標(biāo)臨界電壓水平(即a電壓水平、b電壓水平或c電壓水平)中的一種，則可以采用16次的寫入射擊，將存儲(chǔ)單元寫入至最高的目標(biāo)臨界電壓水平(例如，c電壓水平(cv))。在此一實(shí)施例中，存儲(chǔ)器寫入循環(huán)100中所耗用的整體驗(yàn)證時(shí)間如下式(其中n＝16)：16次×3種狀態(tài)(目標(biāo)臨界電壓水平)×t_pv＝48t_pv(1)相對(duì)的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200中所耗用的整體驗(yàn)證時(shí)間如下式(假設(shè)在預(yù)先驗(yàn)證操作206中，起始電壓分布被區(qū)隔成16個(gè)族群，n＝16)：16族群×t_pv+1次×3種狀態(tài)×t_pv＝19t_pv(2)19t_pv是48t_pv的40％。因此，在這個(gè)實(shí)施例之中，與采用中間寫入驗(yàn)證操作104a、104b和104c的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)100相比，采用包含預(yù)先驗(yàn)證操作206的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200可使驗(yàn)證時(shí)間縮短60％。與存儲(chǔ)器寫入循環(huán)100的整體寫入時(shí)間相比，通過(guò)這種方式可縮短存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200的整體寫入時(shí)間。如前所述，時(shí)間的節(jié)省系通過(guò)采用一個(gè)初始預(yù)先驗(yàn)證操作(例如預(yù)先驗(yàn)證操作206)，且在預(yù)先驗(yàn)證操作206之后進(jìn)行連續(xù)且沒(méi)有中間寫入驗(yàn)證操作的寫入射擊(例如寫入射擊202b、202c)，來(lái)取代多個(gè)中間寫入驗(yàn)證操作(如圖1所示的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)100中的中間寫入驗(yàn)證操作104a、104b和104c)所達(dá)成。另外，在最后一次的寫入射擊(例如，寫入射擊202n)之后，可以進(jìn)行一次的寫入驗(yàn)證操作(例如，寫入驗(yàn)證操作204)。在上述實(shí)施例之中，預(yù)先驗(yàn)證操作206系在第一次寫入射擊202a之后進(jìn)行。其他實(shí)施例也可能采用不同的步驟順序。例如，在第一次寫入射擊202a之后，可以先進(jìn)行一次寫入驗(yàn)證操作，再進(jìn)行預(yù)先驗(yàn)證操作206。在這類實(shí)施例中，預(yù)先驗(yàn)證操作206緊接在第一次寫入射擊202a之后所進(jìn)行的寫入驗(yàn)證操作之后實(shí)施。或者預(yù)先驗(yàn)證操作206也可以在第二次寫入射擊之后進(jìn)行。在另一個(gè)實(shí)施例中，則可以在第三次寫入射擊之后進(jìn)行。圖4a和圖4b是根據(jù)另一實(shí)施例示出的一種具有一次預(yù)先驗(yàn)證操作且沒(méi)有中間寫入驗(yàn)證操作跟隨在寫入射擊之后的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)。在一實(shí)施例中，存儲(chǔ)器寫入循環(huán)包括一次預(yù)先驗(yàn)證操作以及在存儲(chǔ)器寫入循環(huán)結(jié)束時(shí)所進(jìn)行的多次寫入驗(yàn)證操作，如圖4a和圖4b所示。存儲(chǔ)器寫入循環(huán)(以流程序列400a表示)，包括多次的寫入射擊(以標(biāo)號(hào)412a、412b、412c至412n-1和412n表示)、一次預(yù)先驗(yàn)證操作(以標(biāo)號(hào)416表示)以及多次寫入驗(yàn)證操作(以標(biāo)號(hào)414a和414b表示)。用來(lái)實(shí)施存儲(chǔ)器寫入循環(huán)400a的存儲(chǔ)器控制器，在施加第一次寫入射擊(以標(biāo)號(hào)412a表示)之后進(jìn)行預(yù)先驗(yàn)證操作416。步驟流程與前述的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200類似。之后，存儲(chǔ)器控制器施加連續(xù)的寫入射擊(以標(biāo)號(hào)412b、412c至412n-1和412n表示)，沒(méi)有進(jìn)行任何中間寫入驗(yàn)證操作。但存儲(chǔ)器控制器在存儲(chǔ)器寫入循環(huán)結(jié)束時(shí)進(jìn)行了兩次寫入驗(yàn)證操作。例如，在倒數(shù)第二次寫入射擊(以標(biāo)號(hào)412n-1表示)之后，存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行了第一寫入驗(yàn)證操作414a。第一寫入驗(yàn)證操作(以標(biāo)號(hào)414a表示)，是用來(lái)確認(rèn)是否有需要進(jìn)行額外的寫入射擊，以達(dá)到目標(biāo)臨界電壓水平。然后，實(shí)施最后一次寫入射擊(以標(biāo)號(hào)412n表示)，接著進(jìn)行第二寫入驗(yàn)證操作(以標(biāo)號(hào)414b表示)，以驗(yàn)證存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平是否被達(dá)成。在另一實(shí)施例中，第一寫入驗(yàn)證操作414a在倒數(shù)第二次寫入射擊412n-1之前進(jìn)行。例如，第一寫入驗(yàn)證操作414a可以在最后一次寫入射擊412n之前的第m次寫入射擊之后實(shí)施施，其中m為大于2的整數(shù)(m＞2)。在這類實(shí)施例中，可以實(shí)施二個(gè)以上的寫入驗(yàn)證操作。例如，從第m次寫入射擊開始的每一次寫入射擊之后，包含在最后一次寫入射擊412n之后，都實(shí)施一次寫入驗(yàn)證操作。在一實(shí)施例中，存儲(chǔ)器寫入循環(huán)包括一次或多次的預(yù)先驗(yàn)證操作，如圖4b所示的流程序列400b所示。存儲(chǔ)器寫入循環(huán)(以標(biāo)號(hào)400b表示)多次的寫入射擊(以標(biāo)號(hào)412a、412b、412c至412n-1和412n表示)、多次預(yù)先驗(yàn)證操作(以標(biāo)號(hào)416a和416b表示)以及一次的寫入驗(yàn)證操作(以標(biāo)號(hào)414表示)。用來(lái)實(shí)施存儲(chǔ)器寫入循環(huán)400b的存儲(chǔ)器控制器，施加第一次寫入射擊(以標(biāo)號(hào)412a表示)之后進(jìn)行第一預(yù)先驗(yàn)證操作416a。步驟流程與前述的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200類似。之后，存儲(chǔ)器控制器施加連續(xù)的寫入射擊(以標(biāo)號(hào)412b、412c至412n-1和412n表示)，沒(méi)有進(jìn)行任何中間寫入驗(yàn)證操作。但存儲(chǔ)器控制器在存儲(chǔ)器寫入循環(huán)結(jié)束時(shí)進(jìn)行了兩次寫入驗(yàn)證操作。例如，在倒數(shù)第二次寫入射擊(以標(biāo)號(hào)412n-1表示)之后，存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行了第二預(yù)先驗(yàn)證操作416b。第二預(yù)先驗(yàn)證操作416b(以標(biāo)號(hào)416b表示)，是用來(lái)決定達(dá)到目標(biāo)臨界電壓水平(如果需要的話)所需要的額外寫入射擊的數(shù)目。然后，實(shí)施最后一次寫入射擊(以標(biāo)號(hào)412n表示)，接著進(jìn)行寫入驗(yàn)證操作(以標(biāo)號(hào)414表示)，以驗(yàn)證存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平是否被達(dá)成。在另一實(shí)施例中，第二預(yù)先驗(yàn)證操作416b在倒數(shù)第二次寫入射擊412n-1之前進(jìn)行。例如，第二預(yù)先驗(yàn)證操作416b可以在最后一次寫入射擊412n之前的第m次寫入射擊之后實(shí)施施，其中m為大于2的整數(shù)(m＞2)。在這類實(shí)施例中，第二預(yù)先驗(yàn)證操作416b之后所進(jìn)行的寫入射擊(例如第m+1次至最后一次寫入射擊412n)可以是以連續(xù)的方式實(shí)施，沒(méi)有進(jìn)行任何中間寫入驗(yàn)證操作。另外在一些實(shí)施例中，可以在第二預(yù)先驗(yàn)證操作416b之后實(shí)施兩次或更多次的寫入驗(yàn)證操作。例如，從第m+1次寫入射擊開始的每一次寫入射擊之后，包含在最后一次寫入射擊412n之后，都實(shí)施一次寫入驗(yàn)證操作。兩次或更多次的寫入驗(yàn)證操作414a和414b或兩次或更多次的預(yù)先驗(yàn)證操作416a和416b，在臨界電壓水平浮動(dòng)時(shí)以及/或在施加寫入射擊412b、412c至412n-1和412n時(shí)有寫入噪聲干擾的狀況下，可以有效發(fā)揮作用。在這些狀況下，由于當(dāng)緊跟在第一次寫入射擊后的預(yù)先驗(yàn)證操作決定了電壓水平以后，存儲(chǔ)單元的臨界電壓水平仍有可能改變。第一寫入驗(yàn)證操作414a或額外的預(yù)先驗(yàn)證操作416b，可以用來(lái)確認(rèn)存儲(chǔ)單元的臨界電壓水平會(huì)有較窄的分布范圍。圖5是根據(jù)一實(shí)施例示出的一種采用具有預(yù)先驗(yàn)證操作和多個(gè)連續(xù)寫入射擊，且沒(méi)有中間寫入操作的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)的系統(tǒng)500。系統(tǒng)500包括存儲(chǔ)器控制器502、存儲(chǔ)器陣列504、臨時(shí)儲(chǔ)存裝置(temporarystorage)510。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器502使用存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200對(duì)存儲(chǔ)器陣列504進(jìn)行寫入。存儲(chǔ)器控制器502包括用來(lái)執(zhí)行各種操作的硬件及軟件邏輯。這些操作包括，對(duì)存儲(chǔ)器陣列504進(jìn)行寫入，例如將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器陣列504、將數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)器陣列504中抹除或?qū)?shù)據(jù)從存儲(chǔ)器陣列504中讀取...等。存儲(chǔ)器控制器502可以包括，用來(lái)執(zhí)行程序化存儲(chǔ)器陣列504的指令的微處理器。上述指令被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器控制器502可存取的合適的儲(chǔ)存裝置中。例如，上述指令可被儲(chǔ)存在閃存模塊、硬盤..等等中。上述指令可被儲(chǔ)存在臨時(shí)儲(chǔ)存裝置510或存儲(chǔ)器陣列504中(例如，位于存儲(chǔ)器陣列504的特定區(qū)域中，與要被進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入的存儲(chǔ)單元區(qū)隔)。存儲(chǔ)器陣列504包括多個(gè)存儲(chǔ)單元。這些存儲(chǔ)單元可以是多層存儲(chǔ)單元或單層存儲(chǔ)單元。在一實(shí)施例中，存儲(chǔ)器陣列504可以是非揮發(fā)性存儲(chǔ)器陣列，例如閃存芯片。但在其他實(shí)施例中，存儲(chǔ)器陣列504可以是其他形式的存儲(chǔ)器。臨時(shí)儲(chǔ)存裝置510是建構(gòu)來(lái)儲(chǔ)存有關(guān)存儲(chǔ)單元的臨界電壓和要被施加至存儲(chǔ)單元以達(dá)到各自的目標(biāo)臨界電壓水平所需的寫入射擊數(shù)目的信息。在本實(shí)施例中，臨時(shí)儲(chǔ)存裝置510是一種高速緩存，包含高速緩存512a、512b、512c、512d和512e。一部分的高速緩存512c至512e用來(lái)儲(chǔ)存存儲(chǔ)單元的臨界電壓和要被施加至存儲(chǔ)單元的寫入射擊的數(shù)目。其他的高速緩存512a和512b用來(lái)儲(chǔ)存其他數(shù)據(jù)。不過(guò)，如果需要的話，高速緩存512a和512b也可用來(lái)儲(chǔ)存存儲(chǔ)單元的臨界電壓和寫入射擊的數(shù)目。相對(duì)的高速緩存512c至512e也可用來(lái)儲(chǔ)存其他數(shù)據(jù)。雖然附圖僅示出五個(gè)高速緩存，臨時(shí)儲(chǔ)存裝置510可以具有不同數(shù)量的高速緩存。例如，在一實(shí)施例的中，臨時(shí)儲(chǔ)存裝置510可以具有大量的高速緩存。其中，高速緩存的數(shù)量對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器陣列504中要被寫入的存儲(chǔ)單元的數(shù)量。臨時(shí)儲(chǔ)存裝置510也可以是其他形態(tài)的儲(chǔ)存裝置。例如，臨時(shí)儲(chǔ)存裝置510可以包括靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(staticrandomaccessmemory，sram)、nand閃存或是一組緩存器(registers)。臨時(shí)儲(chǔ)存裝置510可以額外或替代地以一部分與要被寫入的存儲(chǔ)單元區(qū)隔的存儲(chǔ)器陣列504來(lái)實(shí)現(xiàn)。另外，其它合適的配置也是可能的。在存儲(chǔ)器寫入循環(huán)的預(yù)先驗(yàn)證操作中，例如在預(yù)先驗(yàn)證操作206中，存儲(chǔ)器陣列504中的存儲(chǔ)單元臨界電壓會(huì)被讀取并儲(chǔ)存至臨時(shí)儲(chǔ)存裝置510中的一或多個(gè)高速緩存，例如高速緩存512c至512e。在一實(shí)施例之中，一個(gè)高速緩存對(duì)應(yīng)一個(gè)要被寫入的存儲(chǔ)單元，并且配置來(lái)儲(chǔ)存相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)，以及/或儲(chǔ)存施加在該存儲(chǔ)單元上用以達(dá)到其目標(biāo)臨界電壓水平的寫入射擊數(shù)目的資料。存儲(chǔ)器控制器502會(huì)由高速緩存中讀取存儲(chǔ)單元的臨界電壓數(shù)據(jù)，并且決定施加在該存儲(chǔ)單元上用以達(dá)到其目標(biāo)臨界電壓水平的寫入射擊的數(shù)目。例如，如前所述的預(yù)先驗(yàn)證操作206。存儲(chǔ)器控制器502會(huì)再將所決定的射擊數(shù)目回寫入高速緩存中。存儲(chǔ)器控制器502通過(guò)對(duì)該存儲(chǔ)單元施加所決定數(shù)目的寫入射擊，來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫入。對(duì)一個(gè)存儲(chǔ)單元來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器控制器502是從所對(duì)應(yīng)的高速緩存中讀取要施加于該存儲(chǔ)單元的寫入射擊數(shù)目。由此，可采用系統(tǒng)500來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器陣列進(jìn)行寫入，而不需要在多個(gè)寫入射擊的間進(jìn)行寫入驗(yàn)證操作。其中，系統(tǒng)500是使用預(yù)先驗(yàn)證操作(例如，預(yù)先驗(yàn)證操作206)的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)，例如存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200。系統(tǒng)500也可以用來(lái)對(duì)使了用包含有一個(gè)預(yù)先驗(yàn)證操作的其他存儲(chǔ)器寫入循環(huán)，例如對(duì)應(yīng)于流程序列400a或400b的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)，的存儲(chǔ)器陣列進(jìn)行寫入。圖6是根據(jù)一實(shí)施例示出的一種采用具有預(yù)先驗(yàn)證操作和多個(gè)連續(xù)寫入射擊，且沒(méi)有中間寫入操作的存儲(chǔ)器寫入循環(huán)的流程600。在一實(shí)施例的中，流程600是采用系統(tǒng)500來(lái)對(duì)使用存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200的存儲(chǔ)器陣列504進(jìn)行寫入。因此以下段落所述的流程600，將是使用系統(tǒng)500及存儲(chǔ)器寫入循環(huán)200來(lái)實(shí)施。但其他實(shí)施例中，流程600也可采用其他系統(tǒng)，或者采用使用了其他存儲(chǔ)器寫入循環(huán)的系統(tǒng)500來(lái)實(shí)施。存儲(chǔ)器控制器502執(zhí)行儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器中的指令以實(shí)施流程600。其中，該存儲(chǔ)器耦接至存儲(chǔ)器控制器。如前所述，這些指令對(duì)應(yīng)至存儲(chǔ)器控制器所提供的功能。在步驟602中，施加第一寫入射擊至存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)單元中。例如，存儲(chǔ)器控制器502施加寫入射擊202a至存儲(chǔ)器陣列504的存儲(chǔ)單元。在步驟604中，獲取存儲(chǔ)單元在第一寫入射擊的后的臨界電壓。例如，存儲(chǔ)器控制器502在寫入射擊202a之后進(jìn)行預(yù)先驗(yàn)證操作206。在預(yù)先驗(yàn)證操作206之中，內(nèi)存控制器502讀取了存儲(chǔ)單元的臨界電壓。在步驟606中，將這些臨界電壓儲(chǔ)存于暫存存儲(chǔ)器(temporarymemory)中。例如，存儲(chǔ)器控制器502將步驟604所讀取的臨界電壓水平儲(chǔ)存于臨時(shí)儲(chǔ)存裝置510的中高速緩存，例如高速緩存512c至512e中。如前所述，每一個(gè)存儲(chǔ)單元的臨界電壓水平分別被儲(chǔ)存于對(duì)應(yīng)該存儲(chǔ)單元的一個(gè)高速緩存之中。相對(duì)的，多個(gè)存儲(chǔ)單元的臨界電壓水平被儲(chǔ)存于同一個(gè)高速緩存之中。后者的情況可能是，例如，這些存儲(chǔ)單元的臨界電壓水平相等。在這種情況下，存儲(chǔ)器控制器502可以包含額外的邏輯，由此映射(map)到儲(chǔ)存于這些存儲(chǔ)單元所對(duì)應(yīng)的單一高速緩存的中的臨界電壓水平。在步驟608中，決定要達(dá)到每一個(gè)存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平所需的寫入射擊數(shù)目。例如，存儲(chǔ)器控制器502決定要達(dá)到存儲(chǔ)器陣列504中要被寫入的每一個(gè)存儲(chǔ)單元的目標(biāo)臨界電壓水平所需的寫入射擊數(shù)目。存儲(chǔ)器控制器502從臨時(shí)儲(chǔ)存裝置510的高速緩存中讀取存儲(chǔ)單元目前的臨界電壓水平。如前所述，在一實(shí)施例之中，存儲(chǔ)器控制器502先產(chǎn)生起始臨界電壓分布222，并將起始臨界電壓分布222被區(qū)分成n個(gè)族群，例如族群302a、302b、302c、...302n-1以及302n。存儲(chǔ)器控制器502，再根據(jù)一個(gè)存儲(chǔ)單元所對(duì)應(yīng)的族群以及其個(gè)別的目標(biāo)臨界電壓水平(假設(shè)有多重目標(biāo)臨界電壓水平)，決定該存儲(chǔ)單元所需的寫入射擊數(shù)目。在步驟610中，將每一個(gè)存儲(chǔ)單元所需的寫入射擊數(shù)目?jī)?chǔ)存至?xí)捍娲鎯?chǔ)器中。例如，存儲(chǔ)器控制器502將存儲(chǔ)單元所需的寫入射擊數(shù)目?jī)?chǔ)存于臨時(shí)儲(chǔ)存裝置510中的高速緩存中，例如儲(chǔ)存于高速緩存512c至512e中。如前所述，每一個(gè)存儲(chǔ)單元所需的寫入射擊數(shù)目分別被儲(chǔ)存于對(duì)應(yīng)該存儲(chǔ)單元的一個(gè)高速緩存之中。相對(duì)的，多個(gè)存儲(chǔ)單元所需的寫入射擊數(shù)目被儲(chǔ)存于同一個(gè)高速緩存之中。后者的情況可能是，例如，這些存儲(chǔ)單元所需的寫入射擊數(shù)目相等。在這種情況下，存儲(chǔ)器控制器502可以包含額外的邏輯，以映射到儲(chǔ)存在與這些存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的單一高速緩存中的寫入射擊數(shù)目。在步驟612中，通過(guò)對(duì)每一個(gè)存儲(chǔ)單元施加被指派數(shù)目的寫入射擊來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器陣列中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫入。例如，存儲(chǔ)器控制器502通過(guò)對(duì)每一個(gè)存儲(chǔ)單元施加其所需數(shù)目的寫入射擊來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器陣列504中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫入。存儲(chǔ)器控制器502先從臨時(shí)儲(chǔ)存裝置510的高速緩存(例如，高速緩存512c、512d或512e)中讀取各別存儲(chǔ)單元所需要的寫入射擊的數(shù)目。存儲(chǔ)器控制器502再以連續(xù)的方式實(shí)施寫入射擊，例如寫入射擊202b、202至202n，且在這些寫入射擊之間不進(jìn)行任何中間寫入驗(yàn)證操作。在步驟614中，在使用被指派的寫入射擊數(shù)目進(jìn)行寫入之后，進(jìn)行寫入驗(yàn)證操作。例如，在施加最后一次寫入射擊202n之后，存儲(chǔ)器控制器502會(huì)進(jìn)行寫入驗(yàn)證操作204，以驗(yàn)證存儲(chǔ)器陣列504中的存儲(chǔ)單元是否已被寫入至他們各自的目標(biāo)臨界電壓水平。先前所述以及其他的實(shí)施例可通過(guò)一或多種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品來(lái)加以實(shí)現(xiàn)。此計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可以是，例如一或多種編碼在計(jì)算機(jī)可讀取介質(zhì)上，用以執(zhí)行或控制此操作的計(jì)算機(jī)程序模塊或數(shù)據(jù)處理裝置。這些實(shí)現(xiàn)內(nèi)容包括算法的單一或分布式處理(singleordistributedprocessingofalgorithms)。計(jì)算機(jī)可讀取介質(zhì)可以是機(jī)器可讀儲(chǔ)存組件(machine-readablestoragedevice)、機(jī)器可讀儲(chǔ)存基材(machine-readablestoragesubstrate)或上述的任意組合。數(shù)據(jù)處理裝置(dataprocessingapparatus)一詞，包括所有的數(shù)據(jù)處理裝置、組件和機(jī)器。包括可程序處理器(programmableprocessor)、計(jì)算器(computer)或多任務(wù)處理器(multipleprocessorsorcomputers)或多臺(tái)計(jì)算機(jī)。此一裝置可以包括額外的硬件、用來(lái)創(chuàng)造此一操作的計(jì)算機(jī)執(zhí)行環(huán)境的程序代碼(code)，例如構(gòu)成處理固件(processorfirmware)、通信堆棧協(xié)議(protocolstack)、數(shù)據(jù)庫(kù)管理系統(tǒng)(databasemanagementsystem)、操作系統(tǒng)或上述的任意組合的程序代碼。系統(tǒng)可以包括數(shù)據(jù)處理裝置、組件和機(jī)器。包括可程序處理器、計(jì)算器或多任務(wù)處理器或多臺(tái)計(jì)算機(jī)。系統(tǒng)可以包括額外的硬件、用來(lái)創(chuàng)造此一操作的計(jì)算機(jī)執(zhí)行環(huán)境的程序代碼，例如構(gòu)成處理固件、通信堆棧協(xié)議、數(shù)據(jù)庫(kù)管理系統(tǒng)、操作系統(tǒng)或上述的任意組合的程序代碼?？梢酝ㄟ^(guò)任何程序語(yǔ)言，例如編譯或直譯語(yǔ)言(compiledorinterpretedlanguages)來(lái)進(jìn)行計(jì)算機(jī)程序(也被稱為程序，軟件，軟件應(yīng)用，腳本(script)或程序代碼)的寫入。且計(jì)算機(jī)程序可以采用任何的形式，例如單獨(dú)程序、模塊、組件、子程序或任何適于在計(jì)算器環(huán)境中使用的其它單元，來(lái)進(jìn)行部署。計(jì)算機(jī)程序不一定對(duì)應(yīng)于文件系統(tǒng)中的檔案。計(jì)算機(jī)程序可以被儲(chǔ)存在用來(lái)儲(chǔ)存其他程序或數(shù)據(jù)(例如，儲(chǔ)存在標(biāo)記語(yǔ)言(markuplanguagedocument)之中的一或多個(gè)腳本)的部份檔案、專門用來(lái)儲(chǔ)存該計(jì)算機(jī)程序的單一檔案或多重協(xié)檔案(multiplecoordinatedfiles)(儲(chǔ)存于一或多個(gè)模塊、子程序或部分程序代碼中的檔案)之中。計(jì)算機(jī)程序可以在一臺(tái)計(jì)算機(jī)或位于一個(gè)地點(diǎn)或分布在多個(gè)地點(diǎn)并通過(guò)網(wǎng)絡(luò)互連的多臺(tái)計(jì)算機(jī)中執(zhí)行。本文所述的程序和邏輯流程(logicflows)可通過(guò)在一或多個(gè)可程序處理器中執(zhí)行一或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序以提供前述的功能的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。程序和邏輯流程以及裝置也可通過(guò)特殊用途邏輯電路(specialpurposelogiccircuitry)，例如場(chǎng)式可程序門陣列(fieldprogrammablegatearray，fpga)或特定應(yīng)用集成電路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)來(lái)實(shí)現(xiàn)。適于用來(lái)執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序的流程可以包括特殊用途或通用微處理器，以及任何形式的數(shù)字計(jì)算器處理器。一般來(lái)說(shuō)，處理器可以接收來(lái)自只讀存儲(chǔ)器、隨態(tài)存取內(nèi)存或二者的指令和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)的基本組件可以包括用于執(zhí)行指令的處理器和用于存儲(chǔ)指令和數(shù)據(jù)的一或多個(gè)內(nèi)存組件。一般而言，計(jì)算機(jī)也可以包括用于存儲(chǔ)資料的一或多個(gè)大容量存儲(chǔ)組件，例如，磁盤，磁光盤(magnetoopticaldisks)以及光盤，或者被可操作地耦合，以接收數(shù)據(jù)或傳輸數(shù)據(jù)。但計(jì)算機(jī)不必然需具被上述組件。適于用來(lái)儲(chǔ)存計(jì)算機(jī)程序及數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)可讀取介質(zhì)，可以包括所有形式的非揮發(fā)內(nèi)存、介質(zhì)和內(nèi)存組件，例如包括半導(dǎo)體內(nèi)存組件(例如抹除式可復(fù)寫只讀存儲(chǔ)器(electricallyerasableprogrammablereadonlymemory，eprom)、電子抹除式可復(fù)寫只讀存儲(chǔ)器(electricallyerasableprogrammablereadonlymemory，eeprom)和閃存組件)、磁盤(例如，內(nèi)置硬盤(internalharddisks)或可移硬盤(removabledisk))、磁光盤和只讀型光盤(例如，cdrom及dvd-rom)。處理器和內(nèi)存可以補(bǔ)充特殊用途邏輯電路，或被整合在特殊用途邏輯電路之中。雖然本文可能以較特定的描述方式公開如上，然其只是用以描述特定實(shí)施例的詳細(xì)特征，并非用以限定本發(fā)明或可能主張的申請(qǐng)專利范圍。本文在不同實(shí)施例中所公開的特征，可以在單一實(shí)施例中合并實(shí)施。相反的在單一實(shí)施例中所公開的特征，也可在多個(gè)實(shí)施例，或在任何合適的次組合(sub-combination)中分別實(shí)施。另外，雖然上述特征一開始可能被描述成一個(gè)特定組合，一或多個(gè)特征可從此一組合中移除。且所主張的特征組合可以是前述特征的次組合或該次組合的變化形式。相同的，雖然在附圖中所繪示的各個(gè)操作有特定的次序，但其僅是例示達(dá)成發(fā)明目的的特定操作方式，并不能解釋或要求該些操作僅能依照此一特定順序加以實(shí)施。本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視前附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁(yè)12當(dāng)前第1頁(yè)12