數(shù)據(jù)存儲裝置(例如硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDDs))通常被安裝在外殼(enclosure)內(nèi)。這些外殼可以是可攜帶的且可以經(jīng)受來自如外殼被掉落等的事件的外部沖擊。硬盤驅(qū)動(dòng)器包括旋轉(zhuǎn)盤(rotating disk)和一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器臂，該致動(dòng)器臂具有位于末端的讀取頭(pick up head)，該讀取頭在自旋盤上方行進(jìn)以讀取和寫入數(shù)據(jù)。對該組件的物理沖擊可能導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器不再以期望方式發(fā)揮功能或可能導(dǎo)致失去數(shù)據(jù)或性能變差。

附圖說明

參照以下附圖，現(xiàn)將描述體現(xiàn)本發(fā)明的各種特征的系統(tǒng)和方法，其中：

圖1A-圖1D是展示沖擊對硬盤驅(qū)動(dòng)器上的影響的現(xiàn)有硬盤驅(qū)動(dòng)器的示意橫截面圖。

圖2A-圖2D是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器組件的示意橫截面圖，其示出可以減小沖擊對硬盤驅(qū)動(dòng)器組件的影響的一種示例方式。

圖3是并入至少一個(gè)沖擊支撐件的硬盤驅(qū)動(dòng)器組件的分解透視圖。

圖4是圖3的硬盤驅(qū)動(dòng)器組件的橫截面。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖，其中同樣的數(shù)字在全文指同樣的零件。如在圖1A和圖1B中所示，數(shù)據(jù)存儲裝置(例如硬盤驅(qū)動(dòng)器組件100或固態(tài)混合硬盤(SSHD))通常包含安裝在主軸104上的多個(gè)盤102，該主軸104被連接到馬達(dá)，該馬達(dá)引起主軸和盤102旋轉(zhuǎn)。通常地，盤102、主軸104和馬達(dá)被安裝在硬盤驅(qū)動(dòng)器殼體106內(nèi)或被安裝在例如基座(base plate)的表面上。數(shù)據(jù)存儲裝置也可以包括非易失的半導(dǎo)體存儲器(例如NAND快閃存儲器)。

隨著對盤存儲的需求的增加，定位在主軸104上的盤102的數(shù)目已經(jīng)被增加。但是，在許多實(shí)施方式中，可期望維持與現(xiàn)有硬盤驅(qū)動(dòng)器相同的形狀因數(shù)，使得較大容量的硬盤驅(qū)動(dòng)器可以與現(xiàn)有裝置和殼體一起使用。

在一些示例中，形狀因數(shù)可以通過使得一個(gè)或多個(gè)壁108的厚度變得更薄來維持(如由圖1A與圖1B比較所示)。但是，如在圖1C和圖1D中所示，減小一個(gè)或多個(gè)壁108的厚度以容納更多盤102可能導(dǎo)致在當(dāng)硬盤驅(qū)動(dòng)器組件100接收外部沖擊時(shí)壁108發(fā)生較大的變形。當(dāng)硬盤驅(qū)動(dòng)器被掉落或被另一物體碰撞時(shí)，這種沖擊可以發(fā)生。這進(jìn)而可能導(dǎo)致盤102的較大變形或錯(cuò)位，盤102的較大變形或錯(cuò)位可能導(dǎo)致盤102或組件100變得損壞。

圖2A-2D示出數(shù)據(jù)存儲裝置(例如硬盤驅(qū)動(dòng)器組件100)的一個(gè)實(shí)施例，在該數(shù)據(jù)存儲裝置中，一個(gè)或多個(gè)壁108(例如基座108a)的厚度被減小以容納額外的盤102。為了解決由于壁108減小的厚度而導(dǎo)致壁108的較大撓度(deflection)問題，硬盤驅(qū)動(dòng)器組件100可以包括支架系統(tǒng)110，該支架系統(tǒng)110在硬盤驅(qū)動(dòng)器殼體106與外殼112之間延伸，外殼112接收硬盤驅(qū)動(dòng)器殼體106。支架系統(tǒng)110可以包括多種支架系統(tǒng)中的任何一種，并且在本實(shí)施例中包括這樣的系統(tǒng)，該系統(tǒng)使得殼體106的側(cè)壁114與外殼112的側(cè)壁116互相連接以抑制在其之間的移動(dòng)。

雖然該實(shí)施例向硬盤驅(qū)動(dòng)器組件100提供一些附加保護(hù)，但是一些壁(例如基座108a)響應(yīng)于外部沖擊仍然可傾向于以圖2B所示的方式移動(dòng)和撓曲。該撓度對基座108a來說足夠充分地變形，從而要么損壞要么削弱硬盤驅(qū)動(dòng)器組件100的操作。

但是，如在圖2C中所示，硬盤驅(qū)動(dòng)器組件100的本實(shí)施例計(jì)劃將沖擊支撐件120定位在基座108a與外殼112的內(nèi)壁122之間。在一個(gè)實(shí)施方式中，沖擊支撐件120被定位以便與主軸104的軸線相交且被定位為鄰近于硬盤驅(qū)動(dòng)器組件100的馬達(dá)。在一個(gè)實(shí)施方式中，沖擊支撐件120被定位以便在基座108a的大約中心處，該基座108a的大約中心是基座108a的一部分，基座108a的該部分由于外部沖擊有可能變形最厲害。

在一個(gè)實(shí)施方式中，沖擊支撐件120由剛性材料(例如鋁)形成而在另一實(shí)施方式中沖擊支撐件120由例如彈性材料(例如EPDM橡膠)的可壓縮的材料形成。在一個(gè)實(shí)施方式中，沖擊支撐件120被形成以便與基座108a與外殼112的內(nèi)壁122都物理接觸，使得將由硬盤驅(qū)動(dòng)器殼體106受到的至少一部分力以圖2C所示的方式被直接傳遞通過沖擊支撐件120。

在可壓縮沖擊支撐件120的實(shí)施方式中，當(dāng)組件100沒有正在接收任何沖擊時(shí)，沖擊支撐件120可以被部分壓縮。以此方式，由于沖擊所產(chǎn)生的一部分力由沖擊支撐件120從硬盤驅(qū)動(dòng)器殼體106傳輸?shù)酵鈿?12，并且由于沖擊所產(chǎn)生的一部分力可以由可壓縮沖擊支撐件120的進(jìn)一步壓縮來吸收。

如在圖2D中所示，沖擊支撐件120可以被定位在多個(gè)表面上(例如在硬盤驅(qū)動(dòng)器殼體106的覆蓋物(cover)108b與外殼112的上內(nèi)表面122b之間)。以此方式，外部沖擊可以在兩個(gè)分離的方向上被傳遞，進(jìn)一步抑制對硬盤驅(qū)動(dòng)器組件100的撓曲或損壞。

圖3是硬盤驅(qū)動(dòng)器組件100的分解透視圖。如所示，硬盤驅(qū)動(dòng)器101包括基座108a。硬盤驅(qū)動(dòng)器101位于硬盤驅(qū)動(dòng)器外殼112內(nèi)，在本實(shí)施例中，硬盤驅(qū)動(dòng)器外殼112由彼此互相連接的第一部分130和第二部分132組成。第一部分130限定以上述方式接收沖擊支撐件120的第一表面122a。進(jìn)一步地，如在圖3中所示，支撐件120(以虛線所示)也可以被定位在第二部分132上。第一部分和第二部分可以包括硬盤驅(qū)動(dòng)器外殼112的基底(base)或底部部分和覆蓋物且支撐件可以被定位在所述部分的任一個(gè)上或者兩個(gè)上。在本實(shí)施例中，側(cè)支架結(jié)構(gòu)110包括伸出構(gòu)件134，該伸出構(gòu)件134從外殼112的側(cè)壁116向外延伸且與在硬盤驅(qū)動(dòng)器101中的開口136接合以抑制側(cè)壁114和側(cè)壁116的相對移動(dòng)。在本示例中，存在有位于硬盤驅(qū)動(dòng)器裝置101的大約拐角處的四個(gè)側(cè)支架結(jié)構(gòu)110，但是該數(shù)目可以改變而不脫離本教導(dǎo)的范圍。

如在圖4中所示，支撐件120被定位在硬盤驅(qū)動(dòng)器101的馬達(dá)組件140的下面以便被置入硬盤驅(qū)動(dòng)器外殼112的內(nèi)表面122a與硬盤驅(qū)動(dòng)器101的基座108a之間。硬盤驅(qū)動(dòng)器101也包括安裝在磁頭臂152上的典型部件(例如讀寫頭150)，所述磁頭臂152由磁頭致動(dòng)器組件154以已知方式移動(dòng)。

在本實(shí)施方式中，沖擊支撐件120被按尺寸設(shè)計(jì)以便成為可驅(qū)動(dòng)主軸104的馬達(dá)160的近似尺寸。盤驅(qū)動(dòng)器的質(zhì)量的很大一部分位于馬達(dá)160處，該馬達(dá)160也位于基座108a的中心附近，在基座108a的中心處基座108a最有可能撓曲。通過將沖擊支撐件120定位在該位置，基座108a的撓曲和變形可被減小。

在各種實(shí)施例中，盤驅(qū)動(dòng)器可以包括磁盤驅(qū)動(dòng)器，光盤驅(qū)動(dòng)器等等。此外，雖然以上示例涉及盤驅(qū)動(dòng)器，但是各種示例不限于盤驅(qū)動(dòng)器且可以被應(yīng)用到其他數(shù)據(jù)存儲裝置和系統(tǒng)(例如磁帶驅(qū)動(dòng)器、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器、混合驅(qū)動(dòng)器等)。此外，一些實(shí)施例可以包括電子裝置(例如計(jì)算裝置、數(shù)據(jù)服務(wù)器裝置、介質(zhì)內(nèi)容存儲裝置等)，該電子裝置包括如上述的存儲介質(zhì)和/或控制電路。

雖然上述討論已經(jīng)示出本發(fā)明的示出的和描述的實(shí)施例和其用途，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白的是，對公開實(shí)施例和其用途的各種變化、替換和修改沒有脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此，本發(fā)明的范圍不應(yīng)限于上述討論而應(yīng)由附加的權(quán)利要求來限定。