技術總結
本發(fā)明涉及一種一次性可編程器件及編程實現方法，包括開關MOS管，磁性隧道結和固定電位，本發(fā)明通過對傳統OTP結構的優(yōu)化，將開關管源極直接接地，在正常工作電壓的情況下，達到增加磁性隧道結兩端電壓，從而達到一次打穿勢壘層、一次編程的效果。該方法降低了傳統電路結構所需的擊穿電壓，相比傳統OTP結構，結構簡單，占用面積小，便于設計、生產和操作，不僅可以降低一次編程的功耗也能節(jié)省制造成本。

技術研發(fā)人員：陸羽;毛欣
受保護的技術使用者：中電?？导瘓F有限公司
文檔號碼：201610428911
技術研發(fā)日：2016.06.16
技術公布日：2016.11.16