本發(fā)明涉及控制電路領(lǐng)域，尤其涉及一種用于EEPROM存儲器的擦除和寫入電路及其方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的用于EEPROM擦除和寫入電路，EEPROM存儲器擦除數(shù)據(jù)和編程寫數(shù)據(jù)的方式為整頁擦除和整頁寫的模式。被整頁編程到EEPROM存儲器所對應(yīng)頁的數(shù)據(jù)必須是一整頁數(shù)據(jù)，而不能是1個字節(jié)到一頁所含的字節(jié)之間任意個字節(jié)。一般頁緩存數(shù)據(jù)只能寫“1”或者只能寫“0”，這種電路結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)是：

1、對EEPROM寫數(shù)據(jù)不靈活，對有些應(yīng)用場合不能使用。

2、EEPROM寫數(shù)據(jù)必須是整頁寫，EEPROM存儲空間利用率低。

3、對只需要更新很少數(shù)據(jù)的應(yīng)用場合，寫數(shù)據(jù)的速度慢。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提出了種用于EEPROM存儲器的擦除和寫入電路及其方法，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明技術(shù)方案如下：

一種用于EEPROM存儲器的擦除和寫入電路，包括：時序控制模塊、存儲模塊、輸入輸出模塊、頁緩存器、頁地址譯碼器；其特征在于，還包括：頁內(nèi)地址譯碼器。

進(jìn)一步地，所述頁緩存器中的頁內(nèi)地址與EEPROM存儲器中的頁內(nèi)地址相同并一一對應(yīng)。

進(jìn)一步地，所述頁緩存器中的數(shù)據(jù)可以寫“0”也可以寫“1”。

進(jìn)一步地，所述寫入頁緩存器中的數(shù)據(jù)可以是整頁，也可以是一個字節(jié)到一頁所含的字節(jié)之間任意個字節(jié)。

一種用于EEPROM存儲器的擦除和寫入方法，其特征在于，擦除和寫入步驟如下：

S101，時序控制模塊接收寫信號W并產(chǎn)生信號PE；

S102，頁地址譯碼器將需要擦除的頁地址進(jìn)行譯碼選中；

S103，把即將被擦除的頁數(shù)據(jù)保存在頁緩存器中；

S104，時序控制模塊產(chǎn)生E信號，將選中的頁地址內(nèi)頁數(shù)據(jù)擦除；

S105，頁內(nèi)字節(jié)地址譯碼器將頁緩存器中需要編寫數(shù)據(jù)的字節(jié)地址進(jìn)行譯碼選中；

S106，將需要更新的數(shù)據(jù)寫入選中的頁緩存器內(nèi)的字節(jié)地址中；

S107，時序控制模塊產(chǎn)生W信號，將頁緩存器中的數(shù)據(jù)一一對應(yīng)的寫入經(jīng)頁地址譯碼器譯碼以后所對應(yīng)的存儲模塊頁中。

鑒于以上EEPROM存儲器電路結(jié)構(gòu)，本發(fā)明有以下特點(diǎn)：

1、對EEPROM寫數(shù)據(jù)靈活，適用性廣。

2、可以只更新一頁中少部分?jǐn)?shù)據(jù)，EEPROM存儲空間利用率高。

3、對只需更新很少的數(shù)據(jù)應(yīng)用場合，寫數(shù)據(jù)速度快。

附圖說明

圖1為背景技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明的步驟流程圖。

具體實(shí)施方式

結(jié)合下面附圖對具體實(shí)施例中進(jìn)行說明：

實(shí)施例一

一種用于EEPROM存儲器的擦除和寫入電路，包括：時序控制模塊、存儲模塊、輸入輸出模塊、頁緩存模塊、頁地址譯碼器；其特征在于，還包括：頁內(nèi)地址譯碼器，存儲步驟如下：

S101，時序控制電路得到寫信號W后產(chǎn)生信號PE;

S102，頁地址譯碼器將需擦除的頁地址進(jìn)行譯碼選中；

S103，把即將被擦除的頁數(shù)據(jù)保存在頁緩存中；

S104，時序控制模塊產(chǎn)生E信號，將選中頁地址的頁數(shù)據(jù)擦除；

S105，頁內(nèi)字節(jié)地址譯碼器將頁緩存器中需要編寫數(shù)據(jù)的字節(jié)地址進(jìn)行譯碼選中；

S106，將需要更新的數(shù)據(jù)寫入選中的頁緩存器的字節(jié)地址中；

S107，時序控制模塊產(chǎn)生W信號，將頁緩存器中的數(shù)據(jù)一一對應(yīng)的寫入經(jīng)頁地址譯碼器譯碼以后所對應(yīng)的存儲模塊頁中。

進(jìn)一步地，所述頁緩存器中的頁內(nèi)地址與EEPROM存儲器中的頁內(nèi)地址相同并一一對應(yīng)。

進(jìn)一步地，所述頁緩存器中的數(shù)據(jù)可以寫“0”也可以寫“1”。

進(jìn)一步地，所述寫入頁緩存器中的數(shù)據(jù)可以是整頁，也可以是一個字節(jié)到一頁所含的字節(jié)之間任意個字節(jié)。

實(shí)施例二

本發(fā)明所涉及用于EEPROM擦除和寫入電路及其方法，其特點(diǎn)在于：EEPROM存儲器擦除數(shù)據(jù)和編程寫數(shù)據(jù)的方式為整頁擦除和整頁寫的模式，在擦除數(shù)據(jù)之前，EEPROM存儲器被擦除的頁數(shù)據(jù)也被讀入頁緩存中，頁緩存數(shù)據(jù)，頁緩存數(shù)據(jù)可以寫“0”也可以寫“1”，需要編程的數(shù)據(jù)可以是整頁，也可以是1個字節(jié)到一頁所含的字節(jié)之間任意個字節(jié)，需要編程的數(shù)據(jù)讀入頁緩存中，然后頁緩存中的數(shù)據(jù)被整頁編程到EEPROM存儲器所對應(yīng)的頁。

當(dāng)時序控制電路得到寫信號W時，產(chǎn)生一個信號PE，把即將被擦除的頁數(shù)據(jù)保存在頁緩存中。即把EEPROM存儲器中即將被擦除的頁數(shù)據(jù)的頁地址經(jīng)頁地址譯碼器譯碼，也就是通過頁地址譯碼器選擇EEPROM存儲器中的存儲單元的頁地址，然后把所對應(yīng)頁地址頁的數(shù)據(jù)讀入頁緩存器中。

頁地址譯碼器選擇EEPROM存儲器里面的存儲單元地址時，只能定位到頁地址，不能定位到頁內(nèi)字節(jié)地址。

當(dāng)把即將被擦除的頁數(shù)據(jù)保存在頁緩存中以后，時序控制電路產(chǎn)生E信號，對頁地址經(jīng)頁地址譯碼器進(jìn)行譯碼以后對應(yīng)的頁的數(shù)據(jù)進(jìn)行擦除，與此同時，頁內(nèi)地址經(jīng)頁內(nèi)字節(jié)地址譯碼器進(jìn)行譯碼，并把所要編寫的數(shù)據(jù)寫入頁內(nèi)字節(jié)地址譯碼器譯碼出的頁內(nèi)地址頁緩存中。

當(dāng)把所需更新的頁內(nèi)數(shù)據(jù)寫入與EEPROM存儲器頁內(nèi)地址相同并一一對應(yīng)的頁緩存中以后，時序控制電路產(chǎn)生W信號，頁緩存數(shù)據(jù)一一對應(yīng)的寫入EEPROM存儲器經(jīng)頁地址譯碼器譯碼以后所對應(yīng)的頁中。