本發(fā)明涉及高精度升壓電路，具體涉及一種提升EEPROM存儲器編程精度的升壓電路及其方法。

背景技術(shù)：

EEPROM（Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory），或?qū)懽鱁2PROM，全稱電子抹除式可復(fù)寫只讀存儲器，是一種可以通過電子方式多次復(fù)寫的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。相比EPROM，EEPROM不需要用紫外線照射，也不需取下，就可以用特定的電壓，來抹除芯片上的信息，以便寫入新的數(shù)據(jù)。

EEPROM的擦除不需要借助于其它設(shè)備，它是以電子信號來修改其內(nèi)容的，而且是以Byte為最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了EPROM Eraser和編程器的束縛。EEPROM在寫入數(shù)據(jù)時，仍要利用一定的編程電壓，此時，只需用廠商提供的專用刷新程序就可以輕而易舉地改寫內(nèi)容，所以，它屬于雙電壓芯片。

MOS管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

現(xiàn)有的用于EEPROM存儲器編程使用的高精度升壓電路，使用熔絲陣列來調(diào)節(jié)基準(zhǔn)源的電壓，如圖1所示，這種的電路結(jié)構(gòu)缺點是：

1，熔絲陣列及其探針壓點所占芯片面積比較大，芯片成本高。

2，熔絲修正精度低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決背景技術(shù)所存在的問題，本發(fā)明的目的是提供一種EEPROM存儲器編程使用的高精度升壓電路，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種提升EEPROM存儲器編程精度的升壓電路，包括：

基準(zhǔn)源、電荷泵、EEPROM存儲器，其特征在于，還包括：寄存器以及MOS管開關(guān)陣列；

所述寄存器中存儲用于控制MOS管開關(guān)陣列的矩陣數(shù)據(jù)；

所述MOS管開關(guān)陣列通過控制開關(guān)控制基準(zhǔn)源的電壓；

所述基準(zhǔn)源通過改變電阻大小控制輸出電壓；

所述電荷泵輸出用于存儲器編程的輸出電壓；

所述存儲器中存入能正常寫入存儲器時的電壓所對應(yīng)的MOS管開關(guān)陣列數(shù)據(jù)，存入的地方為存儲器內(nèi)存儲區(qū)域劃出的一部分作為修正專用區(qū)域；

在讀取模式時，讀取存儲器中存入的數(shù)據(jù)，直接輸出適于寫入的電荷泵電壓。

一種提升EEPROM存儲器編程精度的升壓方法，包括：

基準(zhǔn)源、電荷泵、寄存器以及MOS管開關(guān)陣列；

包括如下步驟：

S101，在EEPROM存儲器的存儲區(qū)域劃出一部分作為修正專用區(qū)域；

S102，判斷EEPROM存儲器是否處于測試模式，是，則執(zhí)行S103，否則執(zhí)行S108;

S103，向寄存器中輸入MOS管開關(guān)陣列的矩陣數(shù)據(jù)，并控制MOS管開關(guān)陣列的開關(guān)；

S104，通過MOS管開關(guān)陣列調(diào)整基準(zhǔn)源的基準(zhǔn)電壓；

S105，輸出電荷泵的輸出電壓；

S106，判斷EEPROM存儲器是否可以正常編程，是，則執(zhí)行S107，否則執(zhí)行S103；

S107，將寄存器中的MOS管開關(guān)陣列數(shù)據(jù)存儲到修正專用區(qū)域中；

S108，根據(jù)EEPROM存儲器中修正專用區(qū)域的MOS管開關(guān)陣列數(shù)據(jù)控制MOS管開關(guān)陣列；

S109，MOS管開關(guān)陣列通過電阻變化控制電荷泵輸出用于EEPROM存儲器正常編程的電壓。

進一步地，所述S104通過MOS管開關(guān)陣列調(diào)整基準(zhǔn)源的基準(zhǔn)電壓為：通過控制MOS管開關(guān)陣列來控制MOS管電阻，然后通過控制MOS管的電阻值變化開控制基準(zhǔn)源的基準(zhǔn)電壓值變化。

進一步地，所述測試模式下先用粗略掃描數(shù)據(jù)的方式控制MOS管開關(guān)陣列，判斷數(shù)據(jù)的大體范圍。

進一步地，所述測試模式下在前期測試基礎(chǔ)上，在小范圍內(nèi)用精確掃描數(shù)據(jù)的方式控制MOS管開關(guān)陣列，得到精確的數(shù)據(jù)值。

進一步地，所述在EEPROM存儲器中劃分出來修正專用區(qū)域的面積大小可以忽略不計。

鑒于以上電路和EEPROM存儲器進入深亞微米工藝時，邏輯電路和存儲單元面積很小的特點，本發(fā)明有以下特點：

1、電路所占芯片面積小，成本低。

2、寄存器可以反復(fù)掃描，且可以修正位數(shù)比較高，所以修正精度高。

附圖說明

圖1為本發(fā)明電路的步驟流程圖。

圖2為背景技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面結(jié)合附圖及具體實施方式對本發(fā)明做進一步描述。

下面結(jié)合附圖3對本發(fā)明的實施例進行說明：

目前EEPROM存儲器進入深亞微米時代，EEPROM集成和工藝復(fù)雜性度越來越高，特別是一些高性能新型EEPROM存儲器，對編程電壓的要求也越來越高。

本發(fā)明充分利用EEPROM存儲器數(shù)據(jù)在芯片掉電時可以保存足夠長時間的特點，在EEPROM存儲區(qū)專門劃出一小部分作為修正專用區(qū)，劃出部分的面積可以小到忽略不計。如圖2所示，芯片測試模式時，先用普通寄存器來控制MOS管開關(guān)陣列，再由MOS管開關(guān)陣列調(diào)整基準(zhǔn)源的基準(zhǔn)電壓。當(dāng)基準(zhǔn)源的基準(zhǔn)電壓調(diào)整時，電荷泵輸出的用于EEPROM存儲器編程使用的輸出電壓跟著調(diào)整，當(dāng)?shù)玫诫姾杀梅弦蟮妮敵龅碾妷褐禃r，EEPROM可以正常編程，把這時的寄存器數(shù)據(jù)存儲在EEPROM修正專用區(qū)域。當(dāng)電路不在測試模式，而在正常模式時，MOS管開管陣列由EEPROM修正專用區(qū)域的數(shù)據(jù)控制，進而在正常模式時，得到電荷泵輸出符合EEPROM存儲器編程的使用要求的精準(zhǔn)電壓值。

下面結(jié)合附圖2對本發(fā)明的實施例進行說明：

芯片測試模式下，先用粗略掃描數(shù)據(jù)的方式，用普通寄存器來控制MOS管開關(guān)陣列。寄存器通過向MOS管輸入不同的陣列值，如（1，1,0,1）、（0，0，0，0，1）等陣列值數(shù)據(jù)，來控制不同的MOS管工作，通過不同的數(shù)據(jù)來找到合適的陣列值。MOS管通過控制電阻陣列來控制電阻值，通過電阻值來控制電壓值。以此來調(diào)節(jié)基準(zhǔn)源的基準(zhǔn)電壓。基準(zhǔn)源的基準(zhǔn)電壓控制著電荷泵的輸出電壓。與此同時，觀察電荷泵輸出的輸出電壓，判斷適于EEPROM存儲器編程的電壓數(shù)據(jù)的大體范圍。

芯片測試模式下，在前期測試得到的適于EEPROM存儲器編程的電壓數(shù)據(jù)的大體范圍的基礎(chǔ)上，在小范圍內(nèi)，用精確掃描數(shù)據(jù)的方式，繼續(xù)用普通寄存器來控制MOS管開關(guān)陣列，MOS管開關(guān)陣列同時記下電荷泵輸出的符合EEPROM存儲器編程使用要求的精準(zhǔn)電壓值時，普通寄存器的數(shù)據(jù)值。

把電荷泵輸出的符合EEPROM存儲器編程使用要求的精準(zhǔn)電壓值對應(yīng)的普通寄存器的數(shù)據(jù)值，寫入EEPROM修正專用區(qū)。