本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

非易失閃存介質(zhì)(nor Flash/nand Flash)是一種很常見的存儲(chǔ)器，兼有隨機(jī)存儲(chǔ)器(Random Access Memory，RAM)和只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory，ROM)的優(yōu)點(diǎn)，數(shù)據(jù)掉電不會(huì)丟失，是一種可在系統(tǒng)進(jìn)行電擦寫的存儲(chǔ)器，同時(shí)它的高集成度和低成本使它成為市場主流。

為了驗(yàn)證存儲(chǔ)器產(chǎn)品的正確性，在產(chǎn)品出廠之前會(huì)進(jìn)行一連串的測試流程。在進(jìn)行測試的過程中，通常會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程、擦除或者讀出等測試操作，以校驗(yàn)這些存儲(chǔ)單元是否能通過測試。一般情況下，需要先設(shè)定各種參考單元,然后進(jìn)行測試。在進(jìn)行各項(xiàng)測試操作時(shí)，會(huì)通過選定參考單元與操作的存儲(chǔ)單元進(jìn)行比較來判斷操作的存儲(chǔ)單元是否通過測試。常用的校驗(yàn)測試方法為：通過選定一個(gè)存儲(chǔ)單元作為參考單元，并給參考單元施加預(yù)設(shè)參考電壓，以使參考單元產(chǎn)生參考電流，然后將待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的電流與參考單元的參考電流進(jìn)行比較，通過比較結(jié)果確定是否正確。因?yàn)榇鎯?chǔ)單元的電流與存儲(chǔ)單元的閾值電壓以及參考電壓有關(guān)，通常情況下，需要對(duì)參考單元的閾值電壓進(jìn)行調(diào)整，調(diào)整到標(biāo)準(zhǔn)值，從而產(chǎn)生符合條件的參考電流。其中，參考單元的閾值電壓為預(yù)定的，但是在編程、擦除和讀出的操作中，每一操作之后選用的參考單元的閾值電壓互不相同。這種通過選定一個(gè)存儲(chǔ)單元作為參考單元的方法，需要根據(jù)不同的測試操作通過編程給存儲(chǔ)單元寫入不同的值，以使存儲(chǔ)單元產(chǎn)生期望的參考電流，由于測試時(shí)間的限制，通過編程給存儲(chǔ)單元寫入的值都不會(huì)很精確，因此產(chǎn)生的參考電流精確度也不高，而且經(jīng)過多次對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀寫操作，很容易出現(xiàn)參考電流漂移的問題，影響存儲(chǔ)器產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。

因此，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)方法，以降低測試時(shí)間和成本，并提高存儲(chǔ)器產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)方法及系統(tǒng)，以降低測試時(shí)間和成本，并提高存儲(chǔ)器產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)方法，該方法包括：

接收目標(biāo)操作開始指令；

讀取與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息；

根據(jù)所述設(shè)置信息和基準(zhǔn)電流控制電流產(chǎn)生單元產(chǎn)生參考電流。

進(jìn)一步地，所述目標(biāo)操作包括讀操作、擦除操作和編程操作中的一種或幾種。

進(jìn)一步地，與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息包括：

參考電流與基準(zhǔn)電流的倍數(shù)關(guān)系。

進(jìn)一步地，所述基準(zhǔn)電流由存儲(chǔ)器中的基準(zhǔn)電路產(chǎn)生。

進(jìn)一步地，在讀取與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息之前，所述方法還包括：

將與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息保存到存儲(chǔ)器的設(shè)定存儲(chǔ)單元中。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：

接收模塊，用于接收目標(biāo)操作開始指令；

讀取模塊，用于讀取與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息；

控制模塊，用于根據(jù)所述設(shè)置信息和基準(zhǔn)電流控制電流產(chǎn)生單元產(chǎn)生參考電流。

進(jìn)一步地，所述目標(biāo)操作包括讀操作、擦除操作和編程操作中的一種或幾種。

進(jìn)一步地，與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息包括：

參考電流與基準(zhǔn)電流的倍數(shù)關(guān)系。

進(jìn)一步地，所述基準(zhǔn)電流由存儲(chǔ)器中的基準(zhǔn)電路產(chǎn)生。

進(jìn)一步地，所述系統(tǒng)還包括：

保存模塊，用于在讀取與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息之前，將與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息保存到存儲(chǔ)器的設(shè)定存儲(chǔ)單元中。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)方法，在接收到目標(biāo)操作開始指令時(shí)，通過讀取與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息，并根據(jù)所述設(shè)置信息和基準(zhǔn)電流控制電流產(chǎn)生單元產(chǎn)生參考電流，實(shí)現(xiàn)參考單元的同時(shí)，降低了測試時(shí)間和成本，并提高了存儲(chǔ)器產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一中的一種存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)方法流程示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例一中的參考電流實(shí)現(xiàn)的流程示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例二中的一種存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例一

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)方法的流程示意圖，本實(shí)施例可適用于在存儲(chǔ)器產(chǎn)品出廠之前進(jìn)行一系列測試操作的過程中，需要建立參考單元的情況。具體參見圖1，本實(shí)施例提供的存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)方法具體包括如下步驟：

110、接收目標(biāo)操作開始指令。

示例性地，所述目標(biāo)操作包括讀操作、擦除操作和編程操作中的一種或幾種。

非易失性存儲(chǔ)器由存儲(chǔ)單元cell組成，cell包括電容和晶體管，cell中的數(shù)據(jù)取決于存儲(chǔ)在電容中的電荷，晶體管的開關(guān)控制數(shù)據(jù)的存取。一般而言，一個(gè)cell可以包括S極(source，源極)，D極(drain，漏極)，CG極(controlling gate，控制柵極)，以及FG極(floating gate，浮動(dòng)?xùn)艠O)，控制柵極CG可用于接電壓VG。若VG為正電壓，浮動(dòng)?xùn)艠OFG與漏極D之間產(chǎn)生隧道效應(yīng)，使電子注入浮動(dòng)?xùn)艠OFG，即編程寫入；擦除操作則可以在源極S加電壓(正電壓或負(fù)電壓)，利用浮動(dòng)?xùn)艠OFG與源極S之間的隧道效應(yīng)，把注入至浮動(dòng)?xùn)艠OFG的電荷(負(fù)電荷或正電荷)吸引到源極S。cell數(shù)據(jù)是0或1取決于浮動(dòng)?xùn)艠OFG中是否有電子。若浮動(dòng)?xùn)艠OFG有電子，需要較高的控制柵極CG電壓才能使源極S和漏極D之間感應(yīng)出導(dǎo)電溝道，使晶體管導(dǎo)通，表示存入0。若浮動(dòng)?xùn)艠OFG中無電子，則較低的控制柵極電壓就能使源極S和漏極D之間感應(yīng)出導(dǎo)電溝道，控制晶體管導(dǎo)通，即表示存入1。

為了驗(yàn)證存儲(chǔ)器產(chǎn)品能否被正確地編程寫入、擦除或者讀出，在出廠之前會(huì)地存儲(chǔ)器的各項(xiàng)性能進(jìn)行測試，例如讀操作、擦除操作或者編程操作。測試的原理是通過首先設(shè)定參考單元，目的是使參考單元產(chǎn)生期望的參考電流，然后將經(jīng)過測試的存儲(chǔ)單元的電流與參考電流進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果確定被測試的存儲(chǔ)單元是否通過測試操作。

120、讀取與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息。

優(yōu)選的，與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息可以包括：

參考電流與基準(zhǔn)電流的倍數(shù)關(guān)系。

例如，當(dāng)目標(biāo)操作為讀操作時(shí)，匹配的設(shè)置信息可以為6，表示讀參考電流是基準(zhǔn)電流的6倍；當(dāng)目標(biāo)操作為擦除操作時(shí)，匹配的設(shè)置信息可以為10，表示擦除參考電流是基準(zhǔn)電流的10倍；當(dāng)目標(biāo)操作為編程操作時(shí)，匹配的設(shè)置信息可以為2，表示編程參考電流是基準(zhǔn)電流的2倍。進(jìn)一步地，在讀取與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息之前，還可以包括：

將與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息保存到存儲(chǔ)器的設(shè)定存儲(chǔ)單元中。

需要說明的是，與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息一般都是在非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品出廠前的測試中寫入，進(jìn)而保證存儲(chǔ)器產(chǎn)品出廠后能夠正確地進(jìn)行讀寫操作。由于所述設(shè)置信息主要是參考電流與基準(zhǔn)電流的倍數(shù)關(guān)系信息，因此對(duì)被寫入所述設(shè)置信息的存儲(chǔ)單元的精度要求較低，進(jìn)而有利于減少測試時(shí)間。所述設(shè)置信息可以保存在存儲(chǔ)器的一些特殊存儲(chǔ)單元中，所述特殊存儲(chǔ)單元可以是指一些精度要求不高的存儲(chǔ)單元。

130、根據(jù)所述設(shè)置信息和基準(zhǔn)電流控制電流產(chǎn)生單元產(chǎn)生參考電流。

示例性地，所述基準(zhǔn)電流由存儲(chǔ)器中的基準(zhǔn)電路產(chǎn)生。其中，所述基準(zhǔn)電路是存在于每一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品中的，用于產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓和基準(zhǔn)電流，作為存儲(chǔ)器內(nèi)部所需電壓或電流的參考。

其中，所述電流產(chǎn)生單元優(yōu)選可以是電流鏡電路，所述設(shè)置信息和基準(zhǔn)電流作為電流鏡電路的兩個(gè)輸入，控制電流鏡電路產(chǎn)生與基準(zhǔn)電流成倍數(shù)關(guān)系的參考電流。具體可以參見圖2所示的參考電流實(shí)現(xiàn)的流程示意圖，其中，信息存儲(chǔ)單元用于存儲(chǔ)與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息，當(dāng)某一目標(biāo)操作開始后，例如當(dāng)編程操作開始信號(hào)PV置1，控制單元通過讀取信息存儲(chǔ)單元中的與編程操作匹配的設(shè)置信息，基于基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電流Ibg控制電流產(chǎn)生單元產(chǎn)生期望的參考電流Iref。當(dāng)讀操作開始信號(hào)RD置1，控制單元通過讀取信息存儲(chǔ)單元中的與讀操作匹配的設(shè)置信息，基于基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電流Ibg控制電流產(chǎn)生單元產(chǎn)生期望的參考電流Iref。當(dāng)擦除操作開始信號(hào)EV置1，控制單元通過讀取信息存儲(chǔ)單元中的與擦除操作匹配的設(shè)置信息，基于基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電流Ibg控制電流產(chǎn)生單元產(chǎn)生期望的參考電流Iref。

需要說明的是，現(xiàn)有技術(shù)中參考單元的實(shí)現(xiàn)方法是通過選定某一存儲(chǔ)單元作為參考單元，然后根據(jù)不同的測試操作通過編程給存儲(chǔ)單元寫入不同的值，以使存儲(chǔ)單元產(chǎn)生期望的參考電流，由于測試時(shí)間的限制，通過編程給存儲(chǔ)單元寫入的值都不會(huì)很精確，因此產(chǎn)生的參考電流精確度也不高，而且經(jīng)過多次對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀寫操作，很容易出現(xiàn)參考電流漂移的問題，影響存儲(chǔ)器產(chǎn)品的可靠性和使用壽命；然而本實(shí)施例的技術(shù)方案是通過利用存儲(chǔ)器中已經(jīng)存在的基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電流，增設(shè)電流產(chǎn)生單元，通過邏輯控制產(chǎn)生期望的參考電流，不再通過選定某一存儲(chǔ)單元實(shí)現(xiàn)，也就不再對(duì)存儲(chǔ)單元產(chǎn)生破壞性的影響，降低了測試時(shí)間和成本，并提高了存儲(chǔ)器產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)方法，在接收到目標(biāo)操作開始指令時(shí)，通過讀取與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息，并根據(jù)所述設(shè)置信息和基準(zhǔn)電流控制電流產(chǎn)生單元產(chǎn)生參考電流，實(shí)現(xiàn)參考單元的同時(shí)，降低了測試時(shí)間和成本，并提高了存儲(chǔ)器產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。

實(shí)施例二

圖3是本發(fā)明實(shí)施例二中的一種存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，參見圖3，本實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)具體包括：

接收模塊310、讀取模塊320和控制模塊330，

其中，接收模塊310用于接收目標(biāo)操作開始指令；讀取模塊320用于讀取與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息；控制模塊330用于根據(jù)所述設(shè)置信息和基準(zhǔn)電流控制電流產(chǎn)生單元產(chǎn)生參考電流。

進(jìn)一步地，所述目標(biāo)操作可以包括讀操作、擦除操作和編程操作中的一種或幾種。

進(jìn)一步地，與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息可以包括：

參考電流與基準(zhǔn)電流的倍數(shù)關(guān)系。

進(jìn)一步地，所述基準(zhǔn)電流由存儲(chǔ)器中的基準(zhǔn)電路產(chǎn)生。

進(jìn)一步地，所述系統(tǒng)還可以包括：

保存模塊，用于在讀取與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息之前，將與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息保存到存儲(chǔ)器的設(shè)定存儲(chǔ)單元中。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)器參考單元的實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)，在接收到目標(biāo)操作開始指令時(shí)，通過讀取與目標(biāo)操作匹配的設(shè)置信息，并根據(jù)所述設(shè)置信息和基準(zhǔn)電流控制電流產(chǎn)生單元產(chǎn)生參考電流，實(shí)現(xiàn)參考單元的同時(shí)，降低了測試時(shí)間和成本，并提高了存儲(chǔ)器產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。