本發(fā)明涉及存儲器領域，具體涉及嵌入式閃存的晶圓測試領域；更具體地說，本發(fā)明涉及一種嵌入式閃存提升良率的篩選辦法。

背景技術：

閃存以其便捷，存儲密度高，可靠性好等優(yōu)點成為非揮發(fā)性存儲器中研究的熱點。從二十世紀八十年代第一個閃存產品問世以來，隨著技術的發(fā)展和各類電子產品對存儲的需求，閃存被廣泛用于手機，筆記本，掌上電腦和U盤等移動和通訊設備中。

閃存為一種非易變性存儲器，其運作原理是通過改變晶體管或存儲單元的臨界電壓來控制門極通道的開關以達到存儲數據的目的，使存儲在存儲器中的數據不會因電源中斷而消失，而閃存為電可擦除且可編程的只讀存儲器的一種特殊結構。如今閃存已經占據了非揮發(fā)性半導體存儲器的大部分市場份額，成為發(fā)展最快的非揮發(fā)性半導體存儲器。

一般而言，閃存為分柵結構或堆疊柵結構或兩種結構的組合。分柵式閃存由于其特殊的結構，相比堆疊柵閃存在編程和擦除的時候都體現出其獨特的性能優(yōu)勢，因此分柵式結構由于具有高的編程效率，字線的結構可以避免“過擦除”等優(yōu)點，應用尤為廣泛。

嵌入式閃存(embedded flash，e-flash)是片上系統(tǒng)(System on Chip，SOC)的一種，其中在一片集成電路內同時集成邏輯電路模塊和閃存電路模塊；嵌入式閃存在智能卡、微控制器等產品中有廣泛的用途。

現在的很多嵌入式閃存產品對于存儲的容量需求越來越大，這樣對于工藝存儲單元的面積控制，芯片設計的邏輯電路設計帶來了全新挑戰(zhàn)。同時，對于產品的品質保證來說也各有所需，對于老化性測試來說，一般需要通過弱電短時擦除方法篩選擦除能力弱的存儲單元，而這個對于工藝良率的控制有很大的挑戰(zhàn)，所以希望能夠找出了一種更簡單、簡潔的方法來應對嵌入式閃存的工藝控制難題。

技術實現要素：

本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種更簡單、簡潔的方法來應對嵌入式閃存的工藝控制難題。

為了實現上述技術目的，根據本發(fā)明，提供了一種嵌入式閃存提升良率的篩選辦法，其中，針對嵌入式閃存的數據區(qū)采用第一弱電短時擦除檢查篩序方案，針對嵌入式閃存的代碼區(qū)采用第二弱電短時擦除檢查篩序方案，其中第一弱電短時擦除檢查篩序方案不同于第二弱電短時擦除檢查篩序方案。

優(yōu)選地，所述的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法包括：

第一步驟：針對嵌入式閃存的數據區(qū)，采用第一弱電短時擦除檢查篩序方案，并且設置第一輸入條件和第一輸出條件；

第二步驟：針對嵌入式閃存的代碼區(qū)采用第二弱電短時擦除檢查篩序方案，并且設置第二輸入條件和第二輸出條件；

其中第一弱電短時擦除檢查篩序方案不同于第二弱電短時擦除檢查篩序方案；而且，第一弱電短時擦除檢查篩序方案相對于第二弱電短時擦除檢查篩序方案更苛刻，其中，在滿足第一弱電短時擦除檢查篩序方案的情況下，第二弱電短時擦除檢查篩序方案被滿足，而在滿足第二弱電短時擦除檢查篩序方案的情況下，第一弱電短時擦除檢查篩序方案不一定被滿足。

優(yōu)選地，在所述的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法中，第一輸入條件相對于第二輸入條件更苛刻；其中，在滿足第一輸入條件的情況下，第二輸入條件被滿足；而在滿足第二輸入條件的情況下，第一輸入條件不一定被滿足。

優(yōu)選地，在所述的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法中，第一輸出條件相對于第二輸出條件更苛刻；其中，在滿足第一輸出條件的情況下，第二輸出條件被滿足；而在滿足第二輸出條件的情況下，第一輸出條件不一定被滿足。

優(yōu)選地，在所述的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法中，第一輸入條件和第二輸入條件包括改變電壓或者擦除時間。

優(yōu)選地，在所述的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法中，第一輸出條件和第二輸出條件包括改變讀的判斷條件。

優(yōu)選地，在所述的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法中，先執(zhí)行第一步驟再執(zhí)行第二步驟。

優(yōu)選地，在所述的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法中，先執(zhí)行第二步驟再執(zhí)行第一步驟。

優(yōu)選地，在所述的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法中，第一步驟和第二步驟同步執(zhí)行。

優(yōu)選地，在所述的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法中，所述嵌入式閃存提升良率的篩選辦法用于嵌入式閃存的晶圓測試。

在現有技術中，對于輸入的電壓、時間一致，對于輸出的讀判斷條件也一致。而在本發(fā)明的方法中，數據區(qū)的篩序辦法比較嚴，而代碼區(qū)的篩選辦法比較松。

由此，本發(fā)明可以剔除增加補丁扇區(qū)的設計概念，有效控制了芯片的尺寸大??；而且，本發(fā)明可以盡可能大的提升良率，物盡其用、滿足不同市場的需求。根據本發(fā)明的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法可有利地用于嵌入式閃存的晶圓測試，可以為終端客戶降低成品，增產增效。

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據本發(fā)明優(yōu)選實施例的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法的流程圖。

圖2示意性地示出了根據本發(fā)明優(yōu)選實施例的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法的示意圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內容進行詳細描述。

在現有技術中，采用的解決方案是使得芯片通過更多的補丁來修復，這樣比較占面積；而且在現有技術中，對于與客戶定義不同的數據區(qū)和代碼區(qū)，不同的區(qū)域提供同一種弱電短時擦除檢查篩序方案。

在現有技術中，如果有單個存儲單元失效過多情況且芯片修復扇區(qū)不夠會導致直接廢棄；但是這樣會造成很大的浪費。本發(fā)明提出從物盡其用的角度出發(fā)，把芯片的存儲壞扇區(qū)進行品質上的區(qū)別，從而盡可能去變廢本寶。

在本發(fā)明中，針對嵌入式閃存的數據區(qū)采用第一弱電短時擦除檢查篩序方案，針對嵌入式閃存的代碼區(qū)采用第二弱電短時擦除檢查篩序方案，其中第一弱電短時擦除檢查篩序方案不同于第二弱電短時擦除檢查篩序方案。

圖1示意性地示出了根據本發(fā)明優(yōu)選實施例的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法的流程圖，圖2示意性地示出了根據本發(fā)明優(yōu)選實施例的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法的示意圖。

如圖1和圖2所示，根據本發(fā)明優(yōu)選實施例的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法包括：

第一步驟S1：針對嵌入式閃存的數據區(qū)，采用第一弱電短時擦除檢查篩序方案，并且設置第一輸入條件和第一輸出條件；

第二步驟S2：針對嵌入式閃存的代碼區(qū)采用第二弱電短時擦除檢查篩序方案，并且設置第二輸入條件和第二輸出條件；

其中第一弱電短時擦除檢查篩序方案不同于第二弱電短時擦除檢查篩序方案。優(yōu)選地，第一弱電短時擦除檢查篩序方案相對于第二弱電短時擦除檢查篩序方案更苛刻；即，在滿足第一弱電短時擦除檢查篩序方案的情況下，第二弱電短時擦除檢查篩序方案被滿足；而在滿足第二弱電短時擦除檢查篩序方案的情況下，第一弱電短時擦除檢查篩序方案不一定被滿足。

而且其中，優(yōu)選地，第一輸入條件相對于第二輸入條件更苛刻；即，在滿足第一輸入條件的情況下，第二輸入條件被滿足；而在滿足第二輸入條件的情況下，第一輸入條件不一定被滿足。

而且優(yōu)選地，第一輸出條件相對于第二輸出條件更苛刻；即，在滿足第一輸出條件的情況下，第二輸出條件被滿足；而在滿足第二輸出條件的情況下，第一輸出條件不一定被滿足。

在具體示例中，第一輸入條件和第二輸入條件可以包括改變電壓或者擦除時間。在具體示例中，第一輸出條件和第二輸出條件可以包括改變讀的判斷條件。

而且其中，第一步驟S1和第二步驟S2可以依次執(zhí)行(即先執(zhí)行第一步驟S1再執(zhí)行第二步驟S2)，或者先執(zhí)行第二步驟S2再執(zhí)行第一步驟S1，或者第一步驟S1和第二步驟S2可以同步執(zhí)行。

可以看出，在現有技術中，對于輸入的電壓、時間一致，對于輸出的讀判斷條件也一致。而在本發(fā)明的方法中，數據區(qū)的篩序辦法比較嚴，而代碼區(qū)的篩選辦法比較松。

由此，本發(fā)明可以剔除增加補丁扇區(qū)的設計概念，有效控制了芯片的尺寸大?。欢?，本發(fā)明可以盡可能大的提升良率，物盡其用、滿足不同市場的需求。根據本發(fā)明的嵌入式閃存提升良率的篩選辦法可有利地用于嵌入式閃存的晶圓測試，可以為終端客戶降低成品，增產增效。

此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關系或者順序關系等。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領域的技術人員而言，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術內容對本發(fā)明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案保護的范圍內。

而且還應該理解的是，本發(fā)明并不限于此處描述的特定的方法、化合物、材料、制造技術、用法和應用，它們可以變化。還應該理解的是，此處描述的術語僅僅用來描述特定實施例，而不是用來限制本發(fā)明的范圍。必須注意的是，此處的以及所附權利要求中使用的單數形式“一個”、“一種”以及“該”包括復數基準，除非上下文明確表示相反意思。因此，例如，對“一個元素”的引述意味著對一個或多個元素的引述，并且包括本領域技術人員已知的它的等價物。類似地，作為另一示例，對“一個步驟”或“一個裝置”的引述意味著對一個或多個步驟或裝置的引述，并且可能包括次級步驟以及次級裝置。應該以最廣義的含義來理解使用的所有連詞。因此，詞語“或”應該被理解為具有邏輯“或”的定義，而不是邏輯“異或”的定義，除非上下文明確表示相反意思。此處描述的結構將被理解為還引述該結構的功能等效物?？杀唤忉尀榻频恼Z言應該被那樣理解，除非上下文明確表示相反意思。