本發(fā)明涉及內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器，尤其涉及利用多條虛假參考匹配線(dummyreferencematchlines)來減少延遲。

背景技術(shù)：

內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器(content-addressablememory；cam)將輸入搜索數(shù)據(jù)與儲(chǔ)存數(shù)據(jù)表比較并返回匹配數(shù)據(jù)的地址。cam具有單時(shí)鐘周期吞吐量，從而使其快于其它基于硬件及基于軟件的搜索系統(tǒng)。對該系統(tǒng)的輸入是搜索字，其通過搜索線被廣播至該儲(chǔ)存數(shù)據(jù)表。每個(gè)儲(chǔ)存字具有表示該搜索字與儲(chǔ)存字相同(匹配情況)還是不同(不匹配情況，或未中)的匹配線。另外，常常有在該cam中沒有匹配位置的情況下進(jìn)行標(biāo)示的命中信號。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本文中的示例集成電路裝置可為例如內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器裝置并可包括按行排列的內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器單元。該些行中的兩行是定時(shí)參考行且該些行的其余行是保持?jǐn)?shù)據(jù)字的數(shù)據(jù)行。該些數(shù)據(jù)行形成單獨(dú)匹配線，該些參考行中的第一參考行形成預(yù)充電參考匹配線，且該些參考行中的第二參考行形成評估參考匹配線。第一類型感應(yīng)放大器與該單獨(dú)匹配線及該評估參考匹配線直接或間接連接。不同于該第一類型感應(yīng)放大器的第二類型感應(yīng)放大器與該預(yù)充電參考匹配線直接或間接連接。針對該單獨(dú)匹配線的預(yù)充電定時(shí)(允許時(shí)間)是基于預(yù)充電該預(yù)充電參考匹配線所需的時(shí)間；以及針對該單獨(dú)匹配線的評估搜索字定時(shí)(允許時(shí)間)是基于該評估參考匹配線評估該搜索字所需的時(shí)間。

此類裝置還包括與該些數(shù)據(jù)行相交的搜索線，且該搜索線通過向該些數(shù)據(jù)行廣播搜索字來評估該搜索字。該些行中的每一行保持單一數(shù)據(jù)字。操作時(shí)，在該單獨(dú)匹配線的評估期間，響應(yīng)該搜索字與該數(shù)據(jù)字匹配而輸出該內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器單元內(nèi)的位置。該預(yù)充電參考匹配線經(jīng)硬連接以使所有位(bit)產(chǎn)生匹配，從而確定預(yù)充電該預(yù)充電參考匹配線所需的最大(最壞情況)時(shí)間。該評估參考匹配線與一位未中字(僅有一位未產(chǎn)生匹配)硬連接，以確定評估該評估參考匹配線所需的最大(最壞情況)時(shí)間。

另外，控制器與該單獨(dú)匹配線、該預(yù)充電參考匹配線及該評估參考匹配線直接或間接連接。該控制器基于在該預(yù)充電參考匹配線內(nèi)完成預(yù)充電操作(同樣，該預(yù)充電參考匹配線經(jīng)硬連接以在所有位匹配)來確定何時(shí)完成該單獨(dú)匹配線的預(yù)充電操作。該控制器基于在該評估參考匹配線內(nèi)完成評估操作(同樣，該評估參考匹配線與一位未中字硬連接)來確定何時(shí)完成該單獨(dú)匹配線的評估操作。

預(yù)充電該預(yù)充電參考匹配線的該時(shí)間以及評估該評估參考匹配線的該時(shí)間并非固定時(shí)間，而是基于包括電壓、溫度、該集成電路裝置的材料組成、該集成電路裝置的電阻及尺寸等的處理?xiàng)l件的可變時(shí)間。

本文中的各種方法在按行排列的內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器單元中保持?jǐn)?shù)據(jù)字，該些行中的兩行是定時(shí)參考行且該些行的其余行是保持該數(shù)據(jù)字的數(shù)據(jù)行。該些數(shù)據(jù)行形成單獨(dú)匹配線，該些參考行中的第一參考行形成預(yù)充電參考匹配線，且該些參考行中的第二參考行形成評估參考匹配線。

通過此類方法，該預(yù)充電參考匹配線經(jīng)硬連接以使所有位(bit)產(chǎn)生匹配，從而(例如基于預(yù)充電該預(yù)充電參考匹配線所需的時(shí)間)確定針對該單獨(dú)匹配線的預(yù)充電的最大(最壞情況)定時(shí)。因此，確定針對該單獨(dú)匹配線的預(yù)充電定時(shí)的該過程是通過使用與該單獨(dú)匹配線、該預(yù)充電參考匹配線及該評估參考匹配線連接的控制器，基于在該預(yù)充電參考匹配線內(nèi)完成預(yù)充電操作來確定何時(shí)完成該單獨(dú)匹配線的預(yù)充電操作而執(zhí)行的。

另外，通過此類方法，該評估參考匹配線與一位未中字(僅有一位未產(chǎn)生匹配)硬連接，以(例如基于該評估參考匹配線評估該一位未中字所需的時(shí)間)確定針對該單獨(dú)匹配線的評估搜索字的最大(最壞情況)定時(shí)。評估該搜索字的該過程包括通過使用與該些數(shù)據(jù)行相交的搜索線向該些數(shù)據(jù)行廣播該搜索字(其中，每條搜索線與每條匹配線的相同位相交)。因此，確定針對該單獨(dú)匹配線的評估搜索字定時(shí)的過程是通過使用該控制器，基于在該評估參考匹配線內(nèi)完成評估操作來確定何時(shí)完成該單獨(dú)匹配線的評估操作而執(zhí)行的。

預(yù)充電該預(yù)充電參考匹配線的該時(shí)間以及評估該評估參考匹配線的該時(shí)間并非固定時(shí)間，而是基于包括電壓、溫度、該內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器單元的材料組成，以及該內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器單元的電阻及尺寸等的處理?xiàng)l件的可變時(shí)間。

附圖說明

通過參照附圖從下面的詳細(xì)說明將更好地理解本文中的實(shí)施例，附圖并不一定按比例繪制，且附圖中：

圖1顯示依據(jù)本文中的實(shí)施例的內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器的示意圖；

圖2顯示依據(jù)本文中的實(shí)施例的感應(yīng)放大器及匹配線的示意圖；

圖3顯示依據(jù)本文中的實(shí)施例的感應(yīng)放大器及匹配線的示意圖；以及

圖4顯示本文中的各種方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

感應(yīng)內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器(cam)集成電路裝置中的匹配線(matchline；ml)的狀態(tài)的基本過程是首先將該匹配線預(yù)充電至高電平，接著通過在未中的情況下使單元下拉該匹配線或者在匹配的情況下使該匹配線保持高電平來評估。因此，信號定時(shí)可分為三個(gè)階段：搜索線(searchline；sl)預(yù)充電、ml預(yù)充電，以及ml評估。操作開始于將搜索線預(yù)充電至低電平，接著將匹配線預(yù)充電至高電平。匹配線一旦為高，即通過將搜索字放置于搜索線上開始該ml評估階段。如果在匹配線上有至少一個(gè)單位(single-bit)未中，則一接地路徑(或多條接地路徑)將對該匹配線放電，表示整個(gè)字未中，其被輸出于匹配線感應(yīng)放大器(matchlinesenseamplifier；mlsa)感應(yīng)輸出節(jié)點(diǎn)上。如果該匹配線上的所有位都匹配，則該匹配線將保持高電平，表示整個(gè)字匹配。

自參考感應(yīng)裝置不會(huì)將所有感應(yīng)放大器預(yù)充電至相同的電壓電平。相反，為減少定時(shí)不確定性，自參考系統(tǒng)允許各單獨(dú)感應(yīng)放大器將相應(yīng)的匹配線預(yù)充電至與該感應(yīng)放大器的獨(dú)特跳變點(diǎn)(trippoint)相關(guān)的獨(dú)特電壓電平。這消除由局部裝置變動(dòng)所引起的定時(shí)及不確定性。這可靠地降低該感應(yīng)放大器的預(yù)充電電壓與感應(yīng)電壓之間的電壓差，以減少信號發(fā)展時(shí)間，而且這消除由局部裝置變動(dòng)所引起的定時(shí)及不確定性。另外，評估匹配線的時(shí)間依賴于匹配線電容以及匹配線下拉電阻。最壞情況的匹配線下拉電阻發(fā)生于僅單位未中時(shí)，從而僅激活單條下拉路徑。

可向內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器添加額外的參考(例如虛假)匹配線，以提供需要多長時(shí)間來執(zhí)行該預(yù)充電及評估操作的例子。此類參考匹配線不包含可匹配的數(shù)據(jù)字(不儲(chǔ)存對其搜索可導(dǎo)致匹配的字)，因此，此類參考匹配線有時(shí)被稱為“多余的”或“虛假的”匹配線。

結(jié)構(gòu)可使用固定邏輯延遲，其具有與匹配線相同的長度、加載以及金屬不敏感性。當(dāng)“數(shù)據(jù)感應(yīng)放大器”與單條參考匹配線一起用于預(yù)充電及評估時(shí)，預(yù)充電跟蹤太快。這之所以發(fā)生是因?yàn)樵陬A(yù)充電期間，在完成該匹配線的預(yù)充電之前，感應(yīng)放大器預(yù)充電路徑的高阻抗使感應(yīng)放大器輸出翻轉(zhuǎn)。可通過增加一些感應(yīng)放大器裝置的尺寸來改進(jìn)此跟蹤，但代價(jià)是犧牲面積性能。較好的解決方案是使用獨(dú)立的“定制”預(yù)充電參考匹配線及評估參考匹配線進(jìn)行預(yù)充電及評估跟蹤。

針對內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器的預(yù)充電及評估提供固定時(shí)間的邏輯的一個(gè)缺點(diǎn)是需要針對最壞情況的機(jī)器及環(huán)境條件(例如電壓、溫度、該集成電路裝置的材料組成、該匹配線的尺寸(長度)及電阻等)設(shè)置該固定時(shí)間；但實(shí)際上，許多內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器可以較短的預(yù)充電及評估時(shí)間很有效地操作。

針對內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器的預(yù)充電及評估的這些過于悲觀的固定時(shí)間不必要地減慢此類裝置，因?yàn)樵S多環(huán)境(以及許多設(shè)計(jì))可使此類裝置以較短的延遲正常地操作(允許此類裝置更快地操作)。例如，短匹配線通常由于固定邏輯延遲而遇到大的性能損失，且它們也引起與越界(over-bounded)的匹配線預(yù)充電脈沖關(guān)聯(lián)的功率/噪聲損失。因此，如果使用對匹配線長度或金屬電阻/電容(resistance/capacitance；rc)參數(shù)不敏感的固定邏輯延遲塊來設(shè)置預(yù)充電時(shí)間，則后果是過度估計(jì)預(yù)充電時(shí)間，從而導(dǎo)致比短匹配線及低rc金屬的必要周期時(shí)間長。

針對此，如圖1所示，本文中的裝置(及方法)添加模擬完全匹配的預(yù)充電參考匹配線102，以及對該預(yù)充電參考匹配線的電壓采樣，從而給出該匹配線預(yù)充電電平的更現(xiàn)實(shí)(最壞情況)估計(jì)的相應(yīng)感應(yīng)放大器112。獨(dú)立的評估參考匹配線104被初始為一位未中(onebitmiss)，以產(chǎn)生僅用于評估的最壞情況定時(shí)。這與無法靈活地使裝置在變化的過程條件及架構(gòu)下更快地操作的現(xiàn)有技術(shù)的預(yù)充電時(shí)間的固定邏輯延遲相比，針對變化的過程條件及架構(gòu)來改進(jìn)周期時(shí)間。

因此，為針對變化的匹配線長度及過程敏感性改進(jìn)預(yù)充電時(shí)間，本文中的裝置包括具有兩條獨(dú)立參考匹配線(一條用于預(yù)充電，一條用于評估)的感應(yīng)架構(gòu)。該預(yù)充電參考匹配線被初始為完全匹配并對該匹配線的電壓采樣，從而給出該匹配線預(yù)充電電平的更現(xiàn)實(shí)估計(jì)。對該預(yù)充電參考匹配線過預(yù)充電，以確保周期針對所有過程條件完成。獨(dú)立的評估參考匹配線被初始為一位未中，以產(chǎn)生僅用于評估的最壞情況定時(shí)。因此，與現(xiàn)有技術(shù)的預(yù)充電的固定延遲相比，該結(jié)果及值是針對變化的過程條件及架構(gòu)的周期時(shí)間改進(jìn)。

請?jiān)賲⒄請D1，本文中的示例集成電路裝置可為例如內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器裝置100并可包括按行(102,104,106)排列的內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器單元。該些行中的兩行(102及104)是定時(shí)參考行且該些行的其余行是保持?jǐn)?shù)據(jù)字的數(shù)據(jù)行106。該些數(shù)據(jù)行形成(或者是)單獨(dú)匹配線106，該些參考行中的第一參考行形成(或者是)預(yù)充電參考匹配線102，且該些參考行中的第二參考行形成(或者是)評估參考匹配線104。

第一類型感應(yīng)放大器110與單獨(dú)匹配線106及評估參考匹配線104直接或間接連接。不同于該第一類型感應(yīng)放大器的第二類型感應(yīng)放大器112與預(yù)充電參考匹配線102直接或間接連接。這些放大器詳細(xì)顯示于圖2及3中，并向編碼器116提供輸出。

針對單獨(dú)匹配線106的預(yù)充電定時(shí)(允許時(shí)間)是基于預(yù)充電該預(yù)充電參考匹配線102的時(shí)間；以及針對單獨(dú)匹配線106的評估搜索字定時(shí)(允許時(shí)間)是基于評估參考匹配線104評估該搜索字所需的時(shí)間。此類裝置還包括與該些數(shù)據(jù)行相交的搜索線108(以及相應(yīng)的搜索數(shù)據(jù)寄存器118)且搜索線108通過向數(shù)據(jù)行102、104、106廣播搜索字來評估該搜索字。該些行102、104、106中的每一行保持單一多位數(shù)據(jù)字，且每條搜索線108與匹配線102、104、106中的每個(gè)字的相同數(shù)據(jù)位相交。

操作時(shí)，在單獨(dú)匹配線106的評估期間，響應(yīng)該搜索字與該數(shù)據(jù)字匹配而輸出內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)單元106內(nèi)的位置。預(yù)充電參考匹配線102經(jīng)硬連接以使所有位產(chǎn)生匹配，從而確定預(yù)充電該預(yù)充電參考匹配線102的最大(最壞情況)時(shí)間。評估參考匹配線104與僅有一位未產(chǎn)生匹配的一位未中字預(yù)連接，以確定評估該評估參考匹配線104的最大(最壞情況)時(shí)間。

另外，控制器114與單獨(dú)匹配線106、預(yù)充電參考匹配線102以及評估參考匹配線104直接或間接連接?？刂破?14基于在預(yù)充電參考匹配線102內(nèi)完成預(yù)充電操作來確定何時(shí)完成單獨(dú)匹配線106的預(yù)充電操作(同樣，預(yù)充電參考匹配線102經(jīng)硬連接以使所有位產(chǎn)生匹配)?？刂破?14基于在評估參考匹配線104內(nèi)完成評估操作來確定何時(shí)完成單獨(dú)匹配線106的評估操作。

如上所述，評估參考匹配線104與一位未中字硬連接。舉例而言，這顯示于圖2中，其中，評估參考匹配線104上的遠(yuǎn)單元152使其搜索線及sram單元連接與較高電壓相系，而其余單元154接地，以形成每個(gè)搜索周期一位未中，而不論該搜索線的狀態(tài)。所有其它搜索線的變更狀態(tài)影響評估參考匹配線電容負(fù)載。因此，評估定時(shí)最好是跟蹤數(shù)據(jù)匹配線負(fù)載。

圖2中示意顯示與評估參考匹配線104及數(shù)據(jù)匹配線106一起使用的感應(yīng)放大器110。更具體地說，圖2顯示第一晶體管120(p1)與預(yù)充電電壓(prechargevoltage；pre)及第二晶體管122(n1)連接，第二晶體管122(n1)接著與接地晶體管124(n2)連接。保持電路(keepercircuit)128及反相器130與第二晶體管122及接地晶體管124連接。搜索周期開始于bpre進(jìn)入較低電壓電平(例如地)。線sn上的電壓上升且匹配線開始通過晶體管122(n1)預(yù)充電。當(dāng)mloutd_pre134上的電壓下降時(shí)預(yù)充電結(jié)束，表示預(yù)充電參考匹配線102被預(yù)充電(圖3)。通過圖1中所示的cntl塊114的操作，bpre上的電壓上升，從而結(jié)束該預(yù)充電過程。評估參考匹配線104的電壓(一位未中)下降，使s1(130)將cs從較低電壓切換為較高電壓(見圖2)，且sn跟隨該放電匹配線，使反相器i2(126)切換且mloutd_eval132進(jìn)入較高電壓電平，表示在評估參考匹配線104上已發(fā)生未中。通過圖1中所示的cntl塊114的操作，mloutd_eval132上的電壓使rst(124(n2))上升，從而將該匹配線拉至地并結(jié)束該搜索周期。

該評估參考匹配線被初始為一位未中，并對n1裝置122之后(在sn)的電壓采樣，以給出評估的更現(xiàn)實(shí)估計(jì)。因此，由于與評估參考匹配線104一起使用的感應(yīng)放大器110被初始為一位未中，因此它執(zhí)行最慢的可能下拉至地操作，且這代表可能由內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器100執(zhí)行的評估過程的最長時(shí)間參數(shù)(最大評估定時(shí))。

如上所述，預(yù)充電參考匹配線102經(jīng)硬連接以使所有位產(chǎn)生匹配。這在圖3中顯示，其中，所有預(yù)充電參考匹配線單元經(jīng)連接以產(chǎn)生匹配。具體地說，所有底部匹配線裝置150都與該sram單元斷開并接地。這針對所有搜索周期產(chǎn)生匹配，而不論該搜索線的狀態(tài)。不過，該搜索線的變更狀態(tài)影響預(yù)充電參考匹配線電容負(fù)載。因此，該預(yù)充電定時(shí)最好是跟蹤數(shù)據(jù)匹配線負(fù)載。

預(yù)充電參考匹配線102使用圖3中所示的不同感應(yīng)放大器112。圖3中所示的感應(yīng)放大器112的不同配置顯示反相器126不產(chǎn)生任何輸出，而且第二晶體管122與預(yù)充電電壓連接，且反相器130提供輸出134，輸出134僅表示感應(yīng)放大器112已被預(yù)充電。因此，感應(yīng)放大器112僅關(guān)系到預(yù)充電，而不能夠表示數(shù)據(jù)匹配或未中是否存在(因?yàn)榉聪嗥?26沒有輸出)。預(yù)充電參考匹配線102被初始為完全匹配(沒有未中)，并對n1裝置122之前的電壓采樣，從而給出該匹配線預(yù)充電電平的更現(xiàn)實(shí)估計(jì)(注意晶體管122的cs節(jié)點(diǎn)與高電壓連接，以最大化匹配線擺幅并過預(yù)充電感應(yīng)放大器112)。因此，通過提供輸出134(其表示針對完全匹配(沒有未中)數(shù)據(jù)字，何時(shí)完全預(yù)充電該感應(yīng)放大器112)，這會(huì)測量出可能由內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器100執(zhí)行的最大、最壞情況的預(yù)充電時(shí)間量(最長的可能預(yù)充電操作)；且控制器114用此作為該整個(gè)內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器的預(yù)充電時(shí)間，以確保所有匹配線及感應(yīng)放大器都被完全預(yù)充電。

另外，參考匹配線102、104都“看到”與數(shù)據(jù)匹配線106相同的負(fù)載，因?yàn)樗鼈兣c相同的選擇線(sl)108連接。在三態(tài)cam(ternarycam；tcam)單元中，一nfet與該匹配線連接并由該選擇線柵控。另一晶體管裝置串聯(lián)接地，其柵極與6裝置靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(staticrandomaccessmemory；sram)單元的一側(cè)連接，從而完成該8裝置tcam單元。該預(yù)充電參考匹配線上的所有單元都使底部nfet柵極通過設(shè)計(jì)接地。該評估參考匹配線具有其中從匹配線至地串接的兩個(gè)裝置都通過設(shè)計(jì)而處于“硬連接開通”的單個(gè)單元。以此方式，該預(yù)充電及評估參考匹配線跟蹤通過改變選擇線狀態(tài)而調(diào)節(jié)的該數(shù)據(jù)匹配線的負(fù)載，但對于該預(yù)充電參考匹配線總是匹配，而對于該評估參考匹配線為單個(gè)未中。

預(yù)充電該預(yù)充電參考匹配線102的時(shí)間以及評估該評估參考匹配線104的時(shí)間并非固定時(shí)間，而是基于包括電壓、溫度、該集成電路裝置的材料組成、尺寸(長度)、電阻等的處理?xiàng)l件的可變時(shí)間。

如上所述，結(jié)構(gòu)可使用具有與匹配線相同的長度、加載及金屬不敏感性的固定邏輯延遲。當(dāng)“數(shù)據(jù)感應(yīng)放大器”與單條參考匹配線一起用于預(yù)充電及評估時(shí)，預(yù)充電跟蹤太快。這之所以發(fā)生是因?yàn)樵陬A(yù)充電期間，在完成該匹配線的預(yù)充電之前，n1122的高阻抗使sn上升并翻轉(zhuǎn)i2(126)?？赏ㄟ^增加n1122的尺寸來改進(jìn)此跟蹤，但代價(jià)是犧牲面積及性能。較好的解決方案是如上所示使用獨(dú)立的“定制”預(yù)充電參考匹配線102及評估參考匹配線104進(jìn)行預(yù)充電及評估跟蹤。

圖4是顯示本文中的各種方法的流程圖，其中一些開始于條目200，其中，此類方法在按行排列的內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器單元中保持?jǐn)?shù)據(jù)字。該些行中的兩行是定時(shí)參考行，且該些行的其余行是保持該數(shù)據(jù)字的數(shù)據(jù)行。該些數(shù)據(jù)行形成單獨(dú)匹配線。該些參考行中的第一參考行形成預(yù)充電參考匹配線，且該些參考行中的第二參考行形成評估參考匹配線。

在條目202中，這些方法基于預(yù)充電該預(yù)充電參考匹配線所需的時(shí)間(同樣，預(yù)充電參考匹配線102經(jīng)硬連接以使所有位產(chǎn)生匹配)確定針對該單獨(dú)匹配線的最大(最壞情況)預(yù)充電定時(shí)。因此，在條目202中確定針對該單獨(dú)匹配線的預(yù)充電定時(shí)的該過程是通過使用與該單獨(dú)匹配線、該預(yù)充電參考匹配線及該評估參考匹配線連接的控制器，基于在該預(yù)充電參考匹配線內(nèi)完成預(yù)充電操作來確定何時(shí)完成該單獨(dú)匹配線的預(yù)充電操作而執(zhí)行的。

在條目204中，這些方法基于該評估參考匹配線評估搜索字所需的時(shí)間(同樣，評估參考匹配線104與一位未中字硬連接)確定針對該單獨(dú)匹配線的評估該搜索字的最大(最壞情況)定時(shí)。評估該搜索字的該過程包括通過使用與該些數(shù)據(jù)行相交的搜索線向該些數(shù)據(jù)行廣播該搜索字。因此，在條目204中確定針對該單獨(dú)匹配線的評估搜索字定時(shí)的過程是通過使用該控制器，基于在該評估參考匹配線內(nèi)完成評估操作來確定何時(shí)完成該單獨(dú)匹配線的評估操作而執(zhí)行的。

預(yù)充電該預(yù)充電參考匹配線的該時(shí)間以及評估該評估參考匹配線的該時(shí)間并非固定時(shí)間，而是基于包括電壓、溫度、該內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器單元的材料組成、以及該內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器單元的尺寸(長度)的處理?xiàng)l件的可變時(shí)間。

此類內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器可被包括于集成電路芯片中。制造者可以原始晶圓形式(也就是，作為具有多個(gè)未封裝芯片的單個(gè)晶圓)、作為裸芯片、或者以封裝形式分配所得的集成電路芯片。在后一種情況中，該芯片設(shè)于單芯片封裝件中(例如塑料承載件，其具有附著至母板或其它更高層次承載件的引腳)或者多芯片封裝件中(例如陶瓷承載件，其具有單面或雙面互連或嵌埋互連)。在任何情況下，接著將該芯片與其它芯片、分立電路元件和/或其它信號處理裝置集成，作為(a)中間產(chǎn)品(例如母板的部分)，或者作為(b)最終產(chǎn)品這兩者其中一者的部分。該最終產(chǎn)品可為包括集成電路芯片的任意產(chǎn)品，涉及范圍從玩具及其它低端應(yīng)用直至具有顯示器、鍵盤或其它輸入裝置以及中央處理器的先進(jìn)電腦產(chǎn)品。

盡管附圖中僅顯示一個(gè)或有限數(shù)目的晶體管，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解，通過本文中的實(shí)施例可同時(shí)形成許多不同類型的晶體管，且附圖意圖顯示多個(gè)不同類型晶體管的同時(shí)形成；不過，為清楚起見并使讀者能夠容易地識別所示的不同特征，附圖已經(jīng)簡化為僅顯示有限數(shù)目的晶體管。這并非意圖限制本發(fā)明，因?yàn)槿绫绢I(lǐng)域的普通技術(shù)人員所理解的那樣，本發(fā)明適用于包括附圖中所示的許多各種類型晶體管的結(jié)構(gòu)。

另外，本文中所使用的術(shù)語例如“右”、“左”、“垂直”、“水平”、“頂部”、“底部”、“下方”、“之下”、“下方的”、“之上”、“上方的”、“平行”、“垂直”等被理解為是當(dāng)它們在附圖中取向并顯示時(shí)的相對位置(除非另外指出)。術(shù)語如“接觸”、“在...上”、“直接接觸”、“毗鄰”、“緊鄰”等是指至少一個(gè)元件物理接觸另一個(gè)元件(沒有其它元件隔開所述元件)。

本文中所使用的術(shù)語是僅出于說明特定實(shí)施例的目的，并非意圖限制本發(fā)明。除非上下文中另外明確指出，否則本文中所使用的單數(shù)形式“一個(gè)”以及“該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。

在本文的附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似項(xiàng)目。對本發(fā)明的各種實(shí)施例所作的說明是出于說明目的，而非意圖詳盡無遺或限于所披露的實(shí)施例。許多修改及變更對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將顯而易見，而不背離所述實(shí)施例的范圍及精神。本文中所使用的術(shù)語經(jīng)選擇以最佳解釋實(shí)施例的原理、實(shí)際應(yīng)用或在市場已知技術(shù)上的技術(shù)改進(jìn)，或者使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解本文中所披露的實(shí)施例。