相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2015年11月26日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0166120號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用并入本文。

本文中公開的本公開實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，特別地，涉及非易失性存儲(chǔ)器和包括非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)：

存儲(chǔ)裝置是指在主機(jī)裝置的控制下儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的裝置，比如計(jì)算機(jī)、智能電話或智能平板電腦。存儲(chǔ)裝置包括在比如硬盤驅(qū)動(dòng)器(hdd)的磁盤上儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的裝置，或在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，特別是非易失性存儲(chǔ)器，比如固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(ssd)或存儲(chǔ)卡，上儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的裝置。

非易失性存儲(chǔ)器包括只讀存儲(chǔ)器(rom)、可編程rom(prom)、電可編程rom(eprom)、電可擦除可編程rom(eeprom)、閃存裝置、相變r(jià)am(pram)、磁性ram(mram)、電阻式ram(rram)或鐵電ram(fram)。

與比如計(jì)算機(jī)、智能電話或智能平板電腦的存儲(chǔ)裝置通信的主機(jī)裝置的運(yùn)行速度隨半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展而提高。此外，在主機(jī)裝置和存儲(chǔ)裝置中使用的內(nèi)容的大小與日俱增。為此，正不斷地需要具有提高的運(yùn)行速度的存儲(chǔ)裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的實(shí)施方式提供了具有提高的運(yùn)行速度的非易失性存儲(chǔ)器和包括該非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)裝置。

本公開實(shí)施方式的一個(gè)方面旨在提供一種存儲(chǔ)裝置。該存儲(chǔ)裝置包括非易失性存儲(chǔ)器和控制器，控制器被配置為向非易失性存儲(chǔ)器提供第一數(shù)據(jù)、地址和編程開始命令并在向非易失性存儲(chǔ)器提供編程開始命令后向非易失性存儲(chǔ)器提供第二數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器被配置為響應(yīng)于編程開始命令啟動(dòng)基于第一數(shù)據(jù)的編程操作，并在第二數(shù)據(jù)提供至非易失性存儲(chǔ)器時(shí)基于第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)繼續(xù)執(zhí)行編程操作。編程操作包括多個(gè)編程循環(huán)，每個(gè)編程循環(huán)都包括使用不同驗(yàn)證電壓重復(fù)的驗(yàn)證讀取和應(yīng)用驗(yàn)證讀取的結(jié)果至每個(gè)存儲(chǔ)單元的編程數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)儲(chǔ)。非易失性存儲(chǔ)器被配置為基于第一數(shù)據(jù)執(zhí)行第一編程循環(huán)的編程和驗(yàn)證讀取，第一編程循環(huán)的驗(yàn)證讀取使用一個(gè)驗(yàn)證電壓執(zhí)行。

本公開實(shí)施方式的另一方面旨在提供一種非易失性存儲(chǔ)器。該非易失性存儲(chǔ)器包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列、通過位線與多個(gè)存儲(chǔ)單元連接并被配置為儲(chǔ)存從外部裝置接收的第一數(shù)據(jù)的頁緩沖器電路以及通過字線與多個(gè)存儲(chǔ)單元連接并被配置為當(dāng)在頁緩沖器電路上加載第一數(shù)據(jù)時(shí)基于第一數(shù)據(jù)啟動(dòng)關(guān)于選自多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元連同頁緩沖器電路的編程操作的頁緩沖器電路。頁緩沖器電路被配置為還在編程操作開始后儲(chǔ)存從外部裝置接收的第二數(shù)據(jù)。當(dāng)在頁緩沖器電路上加載第二數(shù)據(jù)時(shí)，頁緩沖器電路和行解碼器電路被配置為基于第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)繼續(xù)執(zhí)行編程操作。編程操作包括多個(gè)編程循環(huán)，其每個(gè)編程循環(huán)都包括使用不同驗(yàn)證電壓重復(fù)的驗(yàn)證讀取和應(yīng)用驗(yàn)證讀取的結(jié)果至每個(gè)存儲(chǔ)單元的編程數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)儲(chǔ)。非易失性存儲(chǔ)器被配置為基于第一數(shù)據(jù)執(zhí)行第一編程循環(huán)的編程和驗(yàn)證讀取，第一編程循環(huán)的驗(yàn)證讀取使用一個(gè)驗(yàn)證電壓執(zhí)行。

本公開實(shí)施方式的另一方面旨在提供一種存儲(chǔ)裝置，其具有非易失性存儲(chǔ)器和控制非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器訪問操作的存儲(chǔ)器控制器。存儲(chǔ)器控制器向非易失性存儲(chǔ)器提供地址、對(duì)應(yīng)于地址的第一數(shù)據(jù)和編程開始命令。非易失性存儲(chǔ)器響應(yīng)于接收第一數(shù)據(jù)、地址和編程開始命令執(zhí)行第一編程操作，其中對(duì)應(yīng)于第一數(shù)據(jù)的編程電壓施加至通過地址識(shí)別的非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元。存儲(chǔ)器控制器在執(zhí)行第一編程操作時(shí)向非易失性存儲(chǔ)器提供對(duì)應(yīng)于地址的第二數(shù)據(jù)。

附圖說明

通過參照下圖的下文描述，上述及其他目標(biāo)和特征將變得顯而易見，其中相同的參考數(shù)字指的是貫穿多個(gè)附圖的相同部分，除非另有說明，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的存儲(chǔ)裝置的框圖；

圖2是示出通過非易失性存儲(chǔ)器的編程控制單元和控制器的編程控制單元執(zhí)行的編程操作的流程圖；

圖3是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的非易失性存儲(chǔ)器的框圖；

圖4是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的頁緩沖器電路的框圖；

圖5和圖6是示出當(dāng)從輸入/輸出線和就緒/忙碌信號(hào)的角度來看時(shí)根據(jù)本公開實(shí)施方式的編程操作的時(shí)序圖；

圖7示出了根據(jù)在存儲(chǔ)單元處編程的數(shù)據(jù)分布存儲(chǔ)單元的閾值電壓的示例；

圖8是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式用于執(zhí)行編程方法的流程的流程圖；

圖9是示出經(jīng)過驗(yàn)證執(zhí)行驗(yàn)證讀取的方法的流程圖；

圖10示出了擦除狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布；

圖11示出了在圖10的存儲(chǔ)單元處執(zhí)行第一編程循環(huán)的過程；

圖12示出了改自圖10的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的示例；

圖13示出了遵循圖11執(zhí)行第二編程循環(huán)的過程；

圖14示出了改自圖12的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的示例；

圖15示出了當(dāng)傳輸?shù)诙?shù)據(jù)并隨后執(zhí)行第一編程循環(huán)的編程時(shí)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓；

圖16是示出執(zhí)行圖26的編程操作的編程循環(huán)的示例的示意圖；

圖17示出了當(dāng)物理頁包括三個(gè)邏輯頁時(shí)執(zhí)行根據(jù)本公開實(shí)施方式的編程操作的過程；

圖18是示出當(dāng)在每個(gè)存儲(chǔ)單元處編程三個(gè)位時(shí)存儲(chǔ)單元的閾值電壓的示意圖；

圖19示出了當(dāng)在每個(gè)存儲(chǔ)單元處編程三個(gè)位時(shí)執(zhí)行第一編程循環(huán)的過程；

圖20是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的非易失性存儲(chǔ)器的操作方法的流程圖；

圖21示出了執(zhí)行圖20中所示的編程操作的第一編程循環(huán)的過程；

圖22示出了在第一編程循環(huán)中使用第一驗(yàn)證電壓至第三驗(yàn)證電壓執(zhí)行驗(yàn)證讀取的示例；

圖23是示出執(zhí)行圖20的編程操作的編程循環(huán)的過程的時(shí)序圖；

圖24示出了當(dāng)用于數(shù)據(jù)輸入序列的時(shí)間增加時(shí)延遲第一轉(zhuǎn)儲(chǔ)的示例；

圖25示出了由于數(shù)據(jù)加載時(shí)間的增加而產(chǎn)生持續(xù)間隔的示例；

圖26是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的非易失性存儲(chǔ)器的操作方法的應(yīng)用的流程圖；

圖27是示出執(zhí)行圖26的編程操作的編程循環(huán)的示例的示意圖；

圖28是示出執(zhí)行圖26的編程操作的編程循環(huán)的過程的時(shí)序圖；

圖29是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的頁緩沖器電路的應(yīng)用的框圖；

圖30和圖31示出了根據(jù)圖26的編程操作改變頁緩沖器電路的數(shù)據(jù)的示例；

圖32示出了非易失性存儲(chǔ)器通過讀取在強(qiáng)制鎖存器中儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)的信息的示例；

圖33和圖34示出了使用強(qiáng)制讀取結(jié)果還原第一數(shù)據(jù)鎖存器的位的示例；

圖35是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的非易失性存儲(chǔ)器的操作方法的另一應(yīng)用的流程圖；

圖36示出了當(dāng)在每個(gè)存儲(chǔ)單元處編程三個(gè)位時(shí)將位分配至擦除狀態(tài)和第一編程狀態(tài)至第七編程狀態(tài)的示例；

圖37是示出加載數(shù)據(jù)和執(zhí)行編程循環(huán)的示例的示意圖；

圖38至圖44示出了在重復(fù)編程循環(huán)時(shí)改變存儲(chǔ)單元的閾值電壓和鎖存器中儲(chǔ)存的位的示例；

圖45示出了通過兩個(gè)或多個(gè)編程操作編程存儲(chǔ)單元的示例；

圖46示出了通過兩個(gè)或多個(gè)編程操作編程存儲(chǔ)單元的另一示例；

圖47是示出當(dāng)在每個(gè)存儲(chǔ)單元處編程四個(gè)位時(shí)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的示意圖；

圖48是示出由非易失性存儲(chǔ)器的程序控制單元和控制器的程序控制單元執(zhí)行的編程操作示例的流程圖；

圖49和圖50是示出當(dāng)從輸入線/輸出線和就緒/忙碌信號(hào)看時(shí)根據(jù)本公開實(shí)施方式的編程操作的時(shí)序圖；

圖51示出用于電壓和用于過程的數(shù)據(jù)的時(shí)間線，其中基于圖48的方法在存儲(chǔ)單元執(zhí)行第一編程循環(huán)；

圖52和圖53是示出當(dāng)執(zhí)行圖51的編程操作的編程循環(huán)時(shí)存儲(chǔ)單元的閾值電壓改變的示例的示意圖；

圖54是用于電壓和用于另一過程的數(shù)據(jù)的時(shí)間線，其中基于圖48的方法在存儲(chǔ)單元執(zhí)行編程循環(huán)；

圖55是示出當(dāng)執(zhí)行圖54的編程操作的編程循環(huán)時(shí)存儲(chǔ)單元的閾值電壓改變的示例的示意圖；

圖56是用于電壓和用于另一過程的數(shù)據(jù)的時(shí)間線，其中基于圖48的方法在存儲(chǔ)單元執(zhí)行編程循環(huán)；

圖57是用于電壓和用于另一過程的數(shù)據(jù)的時(shí)間線，其中基于圖48的方法在存儲(chǔ)單元執(zhí)行編程循環(huán)；

圖58是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的存儲(chǔ)塊的電路圖；

圖59是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的控制器的框圖；以及

圖60是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的計(jì)算裝置的框圖。

具體實(shí)施方式

下面將根據(jù)附圖詳細(xì)描述本公開的實(shí)施方式，由此，本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將容易地實(shí)現(xiàn)本公開的范圍和精神。

圖1是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的存儲(chǔ)裝置100的框圖。參照?qǐng)D1，存儲(chǔ)裝置100可包括非易失性存儲(chǔ)器110、控制器120和隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(ram)130。

非易失性存儲(chǔ)器110可包括多個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元并可被配置為在控制器120的控制下執(zhí)行關(guān)于非易失性存儲(chǔ)單元的編程操作、讀取操作和擦除操作。非易失性存儲(chǔ)器110可通過輸入/輸出信道從控制器120接收命令和地址并可與控制器120交換數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器110可向控制器120提供指示非易失性存儲(chǔ)器110是否能夠處理控制器120的請(qǐng)求的就緒/忙碌信號(hào)rnb。例如，當(dāng)處于非易失性存儲(chǔ)器100能夠處理控制器120的請(qǐng)求的就緒狀態(tài)時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可將就緒/忙碌信號(hào)rnb設(shè)置成高電平。例如，當(dāng)處于非易失性存儲(chǔ)器100正在執(zhí)行內(nèi)部操作的忙碌狀態(tài)時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可將就緒/忙碌信號(hào)rnb設(shè)置成低電平。

非易失性存儲(chǔ)器110可包括被配置為響應(yīng)于控制器120的請(qǐng)求控制編程操作的編程控制單元pcu1。編程控制單元pcu1可響應(yīng)于控制器120的請(qǐng)求執(zhí)行編程操作。由編程控制單元pcu1控制的編程操作將參照?qǐng)D2進(jìn)行描述。

控制器120可響應(yīng)于外部主機(jī)裝置(未示出)的控制來控制非易失性存儲(chǔ)器110。例如，控制器120可控制非易失性存儲(chǔ)器110的編程操作、讀取操作和擦除操作?？刂破?20可通過輸入/輸出線dq向非易失性存儲(chǔ)器110提供命令和地址，并可通過輸入/輸出線dq與非易失性存儲(chǔ)器110交換數(shù)據(jù)?？刂破?20可基于由非易失性存儲(chǔ)器110提供的就緒/忙碌信號(hào)控制非易失性存儲(chǔ)器110。

控制器120可包括編程控制單元pcu2。編程控制單元pcu2可從非易失性存儲(chǔ)器110請(qǐng)求編程操作并可控制編程操作。由編程控制單元pcu2控制的編程操作將參照?qǐng)D2進(jìn)行描述。

控制器120可將ram130用作工作存儲(chǔ)器、緩沖存儲(chǔ)器或高速緩存。例如，控制器120可在ram130中儲(chǔ)存從外部主機(jī)裝置接收的數(shù)據(jù)，可向非易失性存儲(chǔ)器110提供儲(chǔ)存在ram130中的數(shù)據(jù)，并可從非易失性存儲(chǔ)器110請(qǐng)求編程操作?？刂破?20可從非易失性存儲(chǔ)器110請(qǐng)求讀取操作，可在ram130中儲(chǔ)存從非易失性存儲(chǔ)器110接收的數(shù)據(jù)，并可輸出儲(chǔ)存在ram130中的數(shù)據(jù)至外部主機(jī)裝置。

圖2是示出由非易失性存儲(chǔ)器110的編程控制單元pcu1和控制器120的編程控制單元pcu2執(zhí)行的編程操作的流程圖。參照?qǐng)D1和圖2，在步驟s110中，控制器120可向非易失性存儲(chǔ)器110提供第一數(shù)據(jù)。例如，第一數(shù)據(jù)可為待通過編程操作在存儲(chǔ)單元處編程的數(shù)據(jù)的一部分。例如，第一數(shù)據(jù)可包括與在屬于一個(gè)物理頁的邏輯頁當(dāng)中的至少一個(gè)邏輯頁相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。

在控制器120向非易失性存儲(chǔ)器110提供第一數(shù)據(jù)后，在步驟120中，控制器120的編程控制單元pcu2可確認(rèn)編程執(zhí)行。在傳輸待通過編程操作編程的所有數(shù)據(jù)前，編程控制單元pcu2可請(qǐng)求非易失性存儲(chǔ)器110啟動(dòng)編程操作。

當(dāng)確認(rèn)編程執(zhí)行時(shí)，在步驟130中，非易失性存儲(chǔ)器110的編程控制單元pcu1可基于第一數(shù)據(jù)啟動(dòng)編程操作。在編程操作開始后，非易失性存儲(chǔ)器110的編程控制單元pcu1可將就緒/忙碌信號(hào)的狀態(tài)從忙碌狀態(tài)轉(zhuǎn)換至就緒狀態(tài)以通知控制器120可接收另外的數(shù)據(jù)。

在步驟140中，在非易失性存儲(chǔ)器110上執(zhí)行編程操作時(shí)，控制器120的編程控制單元pcu2可向非易失性存儲(chǔ)器110提供第二數(shù)據(jù)。例如，第二數(shù)據(jù)可為待通過編程操作在存儲(chǔ)單元處編程的其余數(shù)據(jù)。例如，第二數(shù)據(jù)可包括與在屬于一個(gè)物理頁的邏輯頁當(dāng)中的至少一個(gè)邏輯頁相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。

在接收第二數(shù)據(jù)時(shí)，在步驟s150中，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)繼續(xù)執(zhí)行編程操作。例如，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)繼續(xù)執(zhí)行在步驟s130中啟動(dòng)的編程操作。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式，編程操作可在待通過編程操作編程的數(shù)據(jù)的一部分，即第一數(shù)據(jù)，被發(fā)送至非易失性存儲(chǔ)器110之后開始。待編程的其余數(shù)據(jù)，即第二數(shù)據(jù)，可在編程操作被執(zhí)行時(shí)被提供至非易失性存儲(chǔ)器110。因此，當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)被提供至非易失性存儲(chǔ)器110時(shí)的時(shí)間可被遮蔽(shadow)，從而減少執(zhí)行存儲(chǔ)裝置100的編程操作所用的時(shí)間。

在一個(gè)實(shí)施方式中，步驟s110和步驟s150可連續(xù)執(zhí)行。恰好在編程操作開始時(shí)(s120和s130)，控制器120可提供第一數(shù)據(jù)(步驟s110)并可提供第二數(shù)據(jù)(s140)。即使非易失性存儲(chǔ)器110在向其提供第一數(shù)據(jù)以及編程操作開始后將就緒/忙碌信號(hào)rnb設(shè)置至就緒狀態(tài)，控制器120可不允許除提供第二數(shù)據(jù)外的其他訪問操作。例如，可以存在非易失性存儲(chǔ)器110對(duì)于控制器120請(qǐng)求的禁止訪問操作，比如在提供第一數(shù)據(jù)(步驟s110)和提供第二數(shù)據(jù)(步驟s140)之間的另一編程操作、讀取操作或擦除操作。例如，可以存在允許的控制操作，比如控制器120重置非易失性存儲(chǔ)器110的操作，控制器120請(qǐng)求非易失性存儲(chǔ)器110停止操作的操作，以及控制器120請(qǐng)求用于驗(yàn)證非易失性存儲(chǔ)器110的狀態(tài)的狀態(tài)讀取的操作。

圖3是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的非易失性存儲(chǔ)器110的框圖。參照?qǐng)D1，非易失性存儲(chǔ)器110可包括存儲(chǔ)單元陣列111、行解碼器電路113、頁緩沖器電路115、通過-失敗校驗(yàn)電路pfc、數(shù)據(jù)輸入/輸出電路117以及控制邏輯電路119。

存儲(chǔ)單元陣列111可包括多個(gè)存儲(chǔ)塊blk1至blkz。存儲(chǔ)塊blk1至blkz的每一個(gè)都可包括多個(gè)存儲(chǔ)單元。存儲(chǔ)塊blk1至blkz的每一個(gè)都可通過至少一個(gè)串選擇線ssl、多個(gè)字線wl和至少一個(gè)地選擇線gsl連接至行解碼器電路113。存儲(chǔ)塊blk1至blkz的每一個(gè)都可通過多個(gè)位線bl連接至頁緩沖器電路115。存儲(chǔ)塊blk1至blkz可共同連接至多個(gè)位線bl。存儲(chǔ)塊blk1至blkz中的存儲(chǔ)單元可具有相同的結(jié)構(gòu)。

在一個(gè)實(shí)施方式中，存儲(chǔ)塊blk1至blkz的每一個(gè)都可為擦除操作的單元。存儲(chǔ)單元陣列111中的存儲(chǔ)單元的擦除操作可通過存儲(chǔ)塊執(zhí)行。屬于存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)單元可同時(shí)擦除。在另一實(shí)施方式中，每個(gè)存儲(chǔ)塊可分為多個(gè)子塊。每個(gè)子塊都可為擦除單元。

在一個(gè)實(shí)施方式中，存儲(chǔ)塊blk1至blkz的每一個(gè)都可包括由塊地址劃分的物理存儲(chǔ)空間。字線wl的每一個(gè)都可對(duì)應(yīng)于由行地址劃分的物理存儲(chǔ)空間。位線bl的每一個(gè)都可對(duì)應(yīng)于由列地址劃分的物理存儲(chǔ)空間。

在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)存儲(chǔ)塊可包括多個(gè)物理頁，其每一個(gè)都包括多個(gè)存儲(chǔ)單元。物理頁可指編程單元。物理頁的存儲(chǔ)單元可同時(shí)編程。物理頁可包括兩個(gè)或更多邏輯頁。待在物理頁的存儲(chǔ)單元處編程的位可構(gòu)成邏輯頁。待在物理頁的存儲(chǔ)單元處編程的第一位可構(gòu)成第一邏輯頁。待在物理頁的存儲(chǔ)單元處編程的第k位(k為正整數(shù))可構(gòu)成第k邏輯頁。

行解碼器電路113可通過多個(gè)地選擇線gsl、多個(gè)字線wl和多個(gè)串選擇線ssl連接至存儲(chǔ)單元陣列111。行解碼器電路113可根據(jù)控制邏輯電路119的控制來操作。行解碼器電路113可解碼通過輸入/輸出信道從控制器120接收的地址并可基于解碼的地址允許電壓施加至串選擇線ssl、字線wl和地選擇線gsl。

例如，在編程操作期間，行解碼器電路113可施加編程電壓(例如vpgm)至通過地址選擇的存儲(chǔ)塊中所選的字線并施加通過電壓(例如vpass)至所選的存儲(chǔ)塊中未選的字線。在讀取操作期間，行解碼器電路113可施加選擇讀取電壓(例如vrd)至所選的字線并施加非選擇讀取電壓(例如vread)至所選的存儲(chǔ)塊中未選的字線。在擦除操作期間，行解碼器電路113可施加擦除電壓(例如地電壓或其電平類似地電壓電平的低電壓)至由地址所選擇的存儲(chǔ)塊中的字線。

頁緩沖器電路115可通過位線bl連接至存儲(chǔ)單元陣列111。頁緩沖器電路115可通過多個(gè)數(shù)據(jù)線dl連接至數(shù)據(jù)輸入輸出電路117。頁緩沖器電路115可在控制邏輯電路119的控制下運(yùn)行。

在編程操作期間，頁緩沖器電路115可在存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存待編程的數(shù)據(jù)。頁緩沖器電路115可基于儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)施加電壓至位線bl。例如，頁緩沖器電路115可起寫入驅(qū)動(dòng)器的作用。在讀取操作或驗(yàn)證讀取期間，頁緩沖器電路115可感測(cè)位線bl上的電壓并可在其中儲(chǔ)存感測(cè)的結(jié)果。例如，頁緩沖器電路115可起感測(cè)放大器的作用。

在驗(yàn)證期間，通過-失敗校驗(yàn)電路pfc可從頁緩沖器電路115接收感測(cè)結(jié)果。通過-失敗校驗(yàn)電路pfc可基于接收的感測(cè)結(jié)果確定通過或失敗。例如，在編程驗(yàn)證期間，頁緩沖器電路115可對(duì)已導(dǎo)通的導(dǎo)通單元的數(shù)量計(jì)數(shù)。當(dāng)導(dǎo)通單元的數(shù)量大于或等于閾值時(shí)，pfc可確定驗(yàn)證失敗。當(dāng)導(dǎo)通單元的數(shù)量小于閾值時(shí)，pfc可確定驗(yàn)證通過。例如，在擦除驗(yàn)證期間，頁緩沖器電路115可對(duì)截止單元的數(shù)量計(jì)數(shù)。當(dāng)截止單元的數(shù)量大于或等于閾值時(shí)，pfc可確定驗(yàn)證失敗。當(dāng)截止單元的數(shù)量小于閾值時(shí)，pfc可確定驗(yàn)證通過。通過或失敗確定結(jié)果可提供至控制邏輯電路119。

數(shù)據(jù)輸入/輸出電路117可通過數(shù)據(jù)線dl連接至頁緩沖器電路115。數(shù)據(jù)輸入/輸出電路117可通過輸入/輸出信道輸出由頁緩沖器電路115讀取的數(shù)據(jù)至控制器120并提供通過輸入/輸出信道從控制器120接收的數(shù)據(jù)至頁緩沖器電路115。

控制邏輯電路119可通過輸入/輸出信道從控制器120接收命令并可通過控制信道從其接收控制信號(hào)。輸入/輸出信道可包括輸入/輸出線dq，而且控制信道可包括通過其傳輸就緒/忙碌信號(hào)rnb的線?？刂七壿嬰娐?19可響應(yīng)控制信號(hào)接收通過輸入/輸出信道提供的命令，可路由通過輸入/輸出信道提供的地址至行解碼器電路113，并可路由通過輸入/輸出信道提供的數(shù)據(jù)至數(shù)據(jù)輸入/輸出電路117?？刂七壿嬰娐?19可解碼接收的命令并可基于解碼的命令控制非易失性存儲(chǔ)器110。

在控制邏輯電路119的控制下，編程操作、擦除操作和讀取操作可關(guān)于每個(gè)存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)單元執(zhí)行。編程操作可包括多個(gè)編程循環(huán)。編程循環(huán)可重復(fù)直到編程操作被確定為通過。

每個(gè)編程循環(huán)可包括編程和驗(yàn)證。在編程中，頁緩沖器電路115可基于待編程的數(shù)據(jù)施加電壓至位線bl。例如，地電壓或其電平類似地電壓的電平的低電壓可施加至對(duì)應(yīng)其閾值電壓要增高的存儲(chǔ)單元的位線，供電電壓可施加至其閾值電壓不需要增高的存儲(chǔ)單元(例如要禁止編程的存儲(chǔ)單元)。行解碼器電路113可施加編程電壓至與所選存儲(chǔ)單元連接的字線并可施加通過電壓至其余的字線。在驗(yàn)證中可驗(yàn)證在編程中執(zhí)行的編程操作的結(jié)果。驗(yàn)證可包括驗(yàn)證讀取和通過-失敗確定。在驗(yàn)證讀取期間，頁緩沖器電路115可施加供電電壓或其電平類似供電電壓的電平的正電壓至位線bl或?qū)?yīng)于待驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元的位線。行解碼器電路113分別地可施加驗(yàn)證電壓至與要驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元連接的字線并可施加讀取通過電壓至其余的字線。驗(yàn)證讀取的結(jié)果可由頁緩沖器電路115感測(cè)，感測(cè)結(jié)果可提供至pfc。在通過-失敗確定期間，通過-失敗校驗(yàn)電路pfc可基于驗(yàn)證讀取的結(jié)果確定是否通過或失敗。

在一個(gè)實(shí)施方式中，在非易失性存儲(chǔ)器110的編程操作期間，非易失性存儲(chǔ)器110可連續(xù)接收要在存儲(chǔ)單元陣列111的所選物理頁的存儲(chǔ)單元處編程的所有位并可基于連續(xù)接收的位通過編程操作完成所選物理頁的編程。完成編程可意味著將要在對(duì)應(yīng)的物理頁編程的所有位被編程為具有可讀狀態(tài)并且對(duì)應(yīng)的物理頁的額外編程被禁止。

讀取操作可類似驗(yàn)證讀取。在讀取操作期間，頁緩沖器電路115可施加供電電壓或其電平類似供電電壓的電平的正電壓至位線bl或?qū)?yīng)于待驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元的位線。行解碼器電路113可施加讀取電壓至與要讀取的存儲(chǔ)單元連接的字線并可施加讀取通過電壓至其余的字線。讀取操作的結(jié)果可由頁緩沖器電路115感測(cè)并可通過數(shù)據(jù)輸入/輸出電路117輸出。

擦除操作可包括多個(gè)擦除循環(huán)。擦除循環(huán)可重復(fù)直到擦除操作通過。每個(gè)擦除循環(huán)可包括擦除和驗(yàn)證。在擦除期間，行解碼器電路113可施加地電壓或其電平類似地電壓的電平的低電壓至與所選存儲(chǔ)單元連接的字線。擦除電壓可通過襯底施加至所選存儲(chǔ)單元的信道。在驗(yàn)證期間可驗(yàn)證在擦除結(jié)果中執(zhí)行的擦除操作的結(jié)果。驗(yàn)證可包括驗(yàn)證讀取和通過-失敗確定。在驗(yàn)證讀取期間，頁緩沖器電路115可施加供電電壓或其電平類似供電電壓的電平的正電壓至位線bl或?qū)?yīng)于待驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元的位線。行解碼器電路113可施加擦除驗(yàn)證電壓至與要驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元連接的字線。驗(yàn)證讀取的結(jié)果可由頁緩沖器電路115感測(cè)，感測(cè)結(jié)果可提供至pfc。在通過-失敗確定期間，通過-失敗校驗(yàn)電路pfc可基于驗(yàn)證讀取的結(jié)果確定是否通過或失敗。

編程控制單元pcu1可控制行解碼器電路113、頁緩沖器電路115和數(shù)據(jù)輸入/輸出電路117，以便根據(jù)參照?qǐng)D2描述的方法執(zhí)行編程操作。

圖4是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的頁緩沖器電路115的框圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，圖4中示出了對(duì)應(yīng)位線bl的元件。參照?qǐng)D3和圖4，頁緩沖器電路115可包括控制電路cc、高速緩存鎖存器cl、數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2以及感測(cè)鎖存器sl。

控制電路cc可連接至數(shù)據(jù)線dl和位線bl。控制電路cc可在高速緩存鎖存器cl上加載通過數(shù)據(jù)線dl傳輸?shù)臄?shù)據(jù)。控制電路cc可響應(yīng)控制邏輯電路119的控制將高速緩存鎖存器cl上加載的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲(chǔ)至數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2之一。控制電路cc可基于數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2上加載的數(shù)據(jù)或數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2及高速緩存鎖存器cl上加載的數(shù)據(jù)設(shè)置感測(cè)鎖存器sl。位線bl可根據(jù)設(shè)置至感測(cè)鎖存器sl的值設(shè)置。

感測(cè)鎖存器sl可根據(jù)位線bl的電壓設(shè)置。控制電路cc可基于設(shè)置至感測(cè)鎖存器sl的值設(shè)置數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2或鎖存器dl1、dl2及高速緩存鎖存器cl?？刂齐娐穋c可輸出設(shè)置至數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2或設(shè)置至數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2及高速緩存鎖存器cl的數(shù)據(jù)至數(shù)據(jù)線dl或通過-失敗校驗(yàn)電路pfc。

在一個(gè)實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2的數(shù)量或鎖存器dl1、dl2及高速緩存鎖存器cl的數(shù)量可根據(jù)要在每個(gè)存儲(chǔ)塊的每個(gè)存儲(chǔ)單元處編程的位的數(shù)量，即根據(jù)屬于一個(gè)物理頁的邏輯頁的數(shù)量確定。

圖5和圖6是示出當(dāng)從輸入/輸出線dq和就緒/忙碌信號(hào)rnb的角度看時(shí)根據(jù)本公開實(shí)施方式的編程操作的時(shí)序圖。參照?qǐng)D1、3、4和5，在t1處，控制器120可通過輸入/輸出線dq傳輸?shù)谝恍蛄衧_p1in。例如，控制器120可傳輸數(shù)據(jù)輸入命令c_din、地址addr_p、第一數(shù)據(jù)d_p1、轉(zhuǎn)儲(chǔ)命令c_dm和結(jié)束命令c_e1。數(shù)據(jù)輸入命令c_din可為指示接收了待編程的數(shù)據(jù)的“80h”。地址addr_p可指示數(shù)據(jù)要在該處編程的存儲(chǔ)單元，例如物理頁的地址。第一數(shù)據(jù)d_p1可為屬于對(duì)應(yīng)地址addr_p的物理頁的邏輯頁中之一的數(shù)據(jù)。轉(zhuǎn)儲(chǔ)命令c_dm可為用于請(qǐng)求數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲(chǔ)的命令并可為“c0h”。結(jié)束命令c_e1可為指示完全傳輸?shù)谝贿壿嬳摰臄?shù)據(jù)的“11h”。

在第一輸入序列s_p1in進(jìn)行時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可保持就緒/忙碌信號(hào)rnb處于高電平的就緒狀態(tài)。內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb可指示編程是否在非易失性存儲(chǔ)器中執(zhí)行，獨(dú)立于非易失性存儲(chǔ)器110輸出至控制器120的就緒/忙碌信號(hào)rnb。在第一輸入序列s_p1in進(jìn)行時(shí)，內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb可保持在高電平的就緒狀態(tài)。

在第一輸入序列s_p1in中，通過輸入/輸出線dq從控制器120提供至非易失性存儲(chǔ)器110的第一數(shù)據(jù)d_p1可儲(chǔ)存在高速緩存鎖存器cl中。當(dāng)通過輸入/輸出線dq接收轉(zhuǎn)儲(chǔ)命令c_dm和結(jié)束命令c_e1時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可轉(zhuǎn)儲(chǔ)高速緩存鎖存器cl上加載的第一數(shù)據(jù)d_p1至第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1或第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2。在非易失性存儲(chǔ)器110轉(zhuǎn)儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)d_p1時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110的內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb的狀態(tài)可在t2處從高電平的就緒狀態(tài)改變至低電平的忙碌狀態(tài)。就緒/忙碌信號(hào)rnb的狀態(tài)可從高電平的就緒狀態(tài)改變至低電平的忙碌狀態(tài)。當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)d_p1完全轉(zhuǎn)儲(chǔ)時(shí)，在t3處，內(nèi)部就緒忙/碌信號(hào)irnb和就緒/忙碌信號(hào)rnb可從低電平的忙碌狀態(tài)改變至高電平的就緒狀態(tài)。

就緒忙碌信號(hào)rnb在t3處轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)時(shí)，控制器120可執(zhí)行確認(rèn)序列s_cfm。例如，控制器120可通過輸入/輸出線dq順序提供第一確認(rèn)命令c_pc1、地址addr_p和第二確認(rèn)命令c_pc2。第一確認(rèn)命令c_pc1可指示確認(rèn)序列s_cfm的開始并可為“88h”。地址addr_p可指示要在該處執(zhí)行編程操作的存儲(chǔ)單元，例如物理頁的地址。第二確認(rèn)命令c_pc2可指示確認(rèn)序列s_cfm的結(jié)束并可為“15h”。

在通過輸入輸出線dq接收確認(rèn)序列s_cfm時(shí)，在t4處，非易失性存儲(chǔ)器110可啟動(dòng)第一編程循環(huán)的編程。非易失性存儲(chǔ)器110的內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb可轉(zhuǎn)變至低電平的忙碌狀態(tài)。當(dāng)?shù)谝痪幊萄h(huán)的編程開始時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可使就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至低電平的忙碌狀態(tài)。當(dāng)控制電路cc和高速緩存鎖存器cl在第一編程循環(huán)的編程期間準(zhǔn)備接收數(shù)據(jù)時(shí)，在t5處，非易失性存儲(chǔ)器110可使就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)。

控制器120可在t5處就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)時(shí)執(zhí)行第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in。例如，控制器120可順序提供數(shù)據(jù)輸入命令c_din、地址addr_p、第二數(shù)據(jù)d_p2和結(jié)束命令c_e2至非易失性存儲(chǔ)器110。如在第一數(shù)據(jù)輸入序列s_p1in中那樣，控制器120可在第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in中提供第二數(shù)據(jù)d_p2至非易失性存儲(chǔ)器110。第二數(shù)據(jù)d_p2可為要在對(duì)應(yīng)地址addr_p的存儲(chǔ)單元處編程的第二邏輯頁的數(shù)據(jù)。此外，控制器120可提供結(jié)束命令c_e2至非易失性存儲(chǔ)器110而不提供轉(zhuǎn)儲(chǔ)命令c_dm至非易失性存儲(chǔ)器110。結(jié)束命令c_e2可為指示完全傳輸?shù)牡诙壿嬳摰臄?shù)據(jù)的“12h”。

參照?qǐng)D1和3至6，當(dāng)通過輸入/輸出線dq接收結(jié)束命令c_e2時(shí)，在t6處，要在對(duì)應(yīng)地址addr_p的存儲(chǔ)單元處編程的所有數(shù)據(jù)可加載在頁緩沖器電路115上。因此，非易失性存儲(chǔ)器110可通過使就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至低電平的忙碌狀態(tài)連續(xù)執(zhí)行編程操作。例如，非易失性存儲(chǔ)器110可執(zhí)行第一編程循環(huán)的驗(yàn)證。例如，在接收待編程的所有數(shù)據(jù)后，非易失性存儲(chǔ)器110可執(zhí)行驗(yàn)證讀取和通過-失敗校驗(yàn)。

在連續(xù)執(zhí)行編程操作時(shí)，在t7和t8之間，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)d_p1和第二數(shù)據(jù)d_p2執(zhí)行第二編程循環(huán)。在tk處，編程操作可在非易失性存儲(chǔ)器110執(zhí)行第n編程循環(huán)時(shí)結(jié)束。當(dāng)編程操作結(jié)束時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110的內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb和就緒/忙碌信號(hào)rnb的每一個(gè)都可轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)。

在一個(gè)實(shí)施方式中，在第一編程循環(huán)的驗(yàn)證的執(zhí)行中可能會(huì)需要第二數(shù)據(jù)d_p2。根據(jù)本公開實(shí)施方式，第一編程循環(huán)的編程操作可以與傳輸?shù)诙?shù)據(jù)d_p2的操作并行地執(zhí)行，而且第一編程循環(huán)的驗(yàn)證操作可以在向非易失性存儲(chǔ)器110提供第二數(shù)據(jù)d_p2后執(zhí)行。這將參照?qǐng)D8至9進(jìn)行更充分的描述。

圖7示出了根據(jù)在存儲(chǔ)單元處被編程的數(shù)據(jù)來分布存儲(chǔ)單元的閾值電壓的示例。在圖7中，橫坐標(biāo)代表閾值電壓，縱坐標(biāo)代表存儲(chǔ)單元的數(shù)量。就是說，在圖7中示出了編程的存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布。

參照?qǐng)D7，當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)d_p1的位為“1”且第二數(shù)據(jù)d_p2的位為“1”時(shí)，即使執(zhí)行了編程操作，存儲(chǔ)單元也可保持擦除狀態(tài)。當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)d_p1的位為“0”且第二數(shù)據(jù)d_p2的位為“1”時(shí)，在執(zhí)行編程操作后，存儲(chǔ)單元可具有第一編程狀態(tài)p1。第一編程狀態(tài)p1可使用第一驗(yàn)證電壓vfy1驗(yàn)證。當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)d_p1的位為“0”且第二數(shù)據(jù)的位為“0”時(shí)，在執(zhí)行編程操作后，存儲(chǔ)單元可具有第二編程狀態(tài)p2。第二編程狀態(tài)p2可使用第二驗(yàn)證電壓vfy2驗(yàn)證。當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)d_p1的位為“1”和第二數(shù)據(jù)d_p2的位為“0”時(shí)，在執(zhí)行編程操作后，存儲(chǔ)單元可具有第三編程狀態(tài)p3。第三編程狀態(tài)p3可使用第三驗(yàn)證電壓vfy3驗(yàn)證。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式，當(dāng)遮蔽第二數(shù)據(jù)d_p2的傳輸時(shí)間時(shí)，第一編程循環(huán)的編程操作可并行于傳輸?shù)诙?shù)據(jù)d_p2的操作執(zhí)行，第一編程循環(huán)的驗(yàn)證操作可在第二數(shù)據(jù)d_p2提供至非易失性存儲(chǔ)器110后執(zhí)行。參照?qǐng)D8和9將更充分地描述在傳輸?shù)诙?shù)據(jù)d_p2后執(zhí)行第一編程循環(huán)的驗(yàn)證操作。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式，為遮蔽第二數(shù)據(jù)d_p2的傳輸時(shí)間，控制器120可被配置為選取在對(duì)應(yīng)最低閾值電壓范圍的狀態(tài)(例如擦除狀態(tài)e)和對(duì)應(yīng)最低閾值電壓范圍之后的閾值電壓范圍的狀態(tài)(例如第一編程狀態(tài)p1)之間具有確定點(diǎn)dp1的數(shù)據(jù)作為要首次提供的第一數(shù)據(jù)d_p1。確定點(diǎn)dp1可指示最鄰近的位的值彼此不同的點(diǎn)。例如，在第一數(shù)據(jù)d_p1中，擦除狀態(tài)e可相當(dāng)于“1”，第一編程狀態(tài)p1可相當(dāng)于“0”。因此，第一數(shù)據(jù)d_p1可選為要首次提供的數(shù)據(jù)。參照?qǐng)D10至16將更充分地描述確定點(diǎn)dp1。

圖8是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式用于執(zhí)行編程方法的流程的流程圖。參照?qǐng)D1、3和8，在步驟s210中，非易失性存儲(chǔ)器110可接收第一數(shù)據(jù)d_p1和確認(rèn)命令c_pc。

在步驟s220中，非易失性存儲(chǔ)器110可通過施加編程電壓至與所選的存儲(chǔ)單元連接的字線執(zhí)行編程。在步驟s230中，非易失性存儲(chǔ)器110可停止編程操作并可等待直到接收第二數(shù)據(jù)d_p2。

如果接收了第二數(shù)據(jù)d_p2，在步驟s240中，非易失性存儲(chǔ)器110可執(zhí)行驗(yàn)證。如果如步驟s250中所確定的驗(yàn)證的結(jié)果為通過，編程操作可結(jié)束。如果如步驟250中所確定的驗(yàn)證的結(jié)果為失敗，流程繼續(xù)進(jìn)行至編程電壓增高的步驟s260。在步驟s270中，編程可通過施加編程電壓至所選的字線執(zhí)行。然后，流程繼續(xù)進(jìn)行至步驟s240以再次執(zhí)行驗(yàn)證。

圖9是示出經(jīng)過驗(yàn)證執(zhí)行驗(yàn)證讀取的方法的流程圖。參照?qǐng)D1、3、4和9，在步驟s310至s330中，驗(yàn)證讀取可關(guān)于第一編程狀態(tài)p1執(zhí)行。在步驟s310中，非易失性存儲(chǔ)器110可通過施加第一驗(yàn)證電壓至與所選的存儲(chǔ)單元連接的字線執(zhí)行驗(yàn)證讀取。驗(yàn)證讀取結(jié)果可儲(chǔ)存在感測(cè)鎖存器sl中。在步驟s320中，選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)可關(guān)于第一編程狀態(tài)p1執(zhí)行。例如，控制電路cc可初始化儲(chǔ)存在連接至對(duì)應(yīng)的位線的感測(cè)鎖存器sl中的驗(yàn)證讀取結(jié)果，其中儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2的數(shù)據(jù)或儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2及連接至對(duì)應(yīng)的位線的高速緩存鎖存器cl中的數(shù)據(jù)指示第二編程狀態(tài)p2和第三編程狀態(tài)p3。例如，控制電路cc可初始化感測(cè)鎖存器sl以便儲(chǔ)存在其中的驗(yàn)證讀取結(jié)果指示失敗。在步驟330中可執(zhí)行禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)。例如，控制電路cc可將指示通過的信息儲(chǔ)存至與感測(cè)鎖存器sl當(dāng)中的每個(gè)都儲(chǔ)存對(duì)應(yīng)通過的值的感測(cè)鎖存器有關(guān)的數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2中、或與之有關(guān)的數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2及高速緩存鎖存器cl。

在步驟s340至s360中，驗(yàn)證讀取可關(guān)于第二編程狀態(tài)p2執(zhí)行。在步驟s340中，非易失性存儲(chǔ)器110可通過施加第二驗(yàn)證電壓vfy2至與所選的存儲(chǔ)單元連接的字線執(zhí)行驗(yàn)證讀取。驗(yàn)證讀取結(jié)果可儲(chǔ)存在感測(cè)鎖存器sl中。在步驟s350中可執(zhí)行與第二編程狀態(tài)p2有關(guān)的選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)。例如，控制電路cc可初始化儲(chǔ)存在連接至對(duì)應(yīng)的位線的感測(cè)鎖存器sl中的驗(yàn)證讀取結(jié)果，其中儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2的數(shù)據(jù)或儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2及連接至對(duì)應(yīng)的位線的高速緩存鎖存器cl中的數(shù)據(jù)指示第三編程狀態(tài)p3。例如，控制電路cc可初始化感測(cè)鎖存器sl以便驗(yàn)證讀取結(jié)果指示失敗。在步驟360中可執(zhí)行禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)。例如，控制電路cc可將指示通過的信息儲(chǔ)存至與感測(cè)鎖存器sl當(dāng)中的每個(gè)都儲(chǔ)存對(duì)應(yīng)通過的值的感測(cè)鎖存器有關(guān)的數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2中、或與之有關(guān)的數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2及高速緩存鎖存器cl。

在步驟s370至s380中，驗(yàn)證讀取可關(guān)于第三編程狀態(tài)p3執(zhí)行。在步驟370中，非易失性存儲(chǔ)器110可通過施加第三驗(yàn)證電壓vfy3至與所選的存儲(chǔ)單元連接的字線執(zhí)行驗(yàn)證讀取。驗(yàn)證讀取結(jié)果可儲(chǔ)存在感測(cè)鎖存器sl中。在步驟s380中可執(zhí)行禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)。例如，控制電路cc可將指示通過的信息儲(chǔ)存至與感測(cè)鎖存器sl當(dāng)中的每個(gè)都儲(chǔ)存對(duì)應(yīng)通過的值的感測(cè)鎖存器有關(guān)的數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2中、或與之有關(guān)的數(shù)據(jù)鎖存器dl1和dl2及高速緩存鎖存器cl。

如上所述，指示第二編程狀態(tài)p2和第三編程狀態(tài)p3的信息是執(zhí)行選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)所需的，對(duì)應(yīng)的信息可由于第一數(shù)據(jù)d_p1和第二數(shù)據(jù)d_p2兩者存在而獲得。因此，根據(jù)本公開實(shí)施方式的非易失性存儲(chǔ)器110可執(zhí)行第一編程循環(huán)的程序并可保留第一編程循環(huán)的驗(yàn)證直到接收了第二數(shù)據(jù)d_p2。

在圖9舉例說明的本公開的實(shí)施方式中，關(guān)于第一狀態(tài)p1至第三狀態(tài)p3順序執(zhí)行驗(yàn)證讀取。然而，當(dāng)?shù)谝痪幊虪顟B(tài)p1至第三編程狀態(tài)p3的至少一者通過時(shí)，與至少一個(gè)這樣通過的編程狀態(tài)有關(guān)的驗(yàn)證讀取可跳過。

如圖9中所示，第一編程狀態(tài)p1的選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)(步驟s320)可在執(zhí)行使用第一驗(yàn)證電壓vfy1的驗(yàn)證讀取(步驟s310)后執(zhí)行。因此，本公開的范圍和精神可用于與第二數(shù)據(jù)d_p2的傳輸并行地執(zhí)行使用第一編程循環(huán)的驗(yàn)證的第一驗(yàn)證電壓vfy1的驗(yàn)證讀取的情況，還有與第二數(shù)據(jù)d_p2的傳輸并行地執(zhí)行第一編程循環(huán)的編程的情況。

圖10示出了擦除狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布。在圖10中，橫坐標(biāo)代表存儲(chǔ)單元mc的閾值電壓，縱坐標(biāo)代表存儲(chǔ)單元mc的數(shù)量。

參照?qǐng)D7和圖10，參考符號(hào)“e_e”可指示在編程操作期間每個(gè)保持擦除狀態(tài)e的存儲(chǔ)單元。參考符號(hào)“e_p1”可指示從擦除狀態(tài)e編程至第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元。參考符號(hào)“e_p2”可指示從擦除狀態(tài)e編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元。參考符號(hào)“e_p3”可指示從擦除狀態(tài)e編程至第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元。

參考符號(hào)“w_e”可指示分別對(duì)應(yīng)于擦除狀態(tài)e的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的范圍。參考符號(hào)“w_p1”可指示分別對(duì)應(yīng)于第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的范圍。參考符號(hào)“w_p2”可指示分別對(duì)應(yīng)于第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的范圍。參考符號(hào)“w_p3”可指示分別對(duì)應(yīng)于第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的范圍。

在執(zhí)行編程操作前，存儲(chǔ)單元e_e、e_p1、e_p2和e_p3可屬于擦除狀態(tài)e的閾值電壓范圍w_e。

圖11示出了在圖10的存儲(chǔ)單元處執(zhí)行第一編程循環(huán)的過程。在圖11中，橫坐標(biāo)代表時(shí)間t，縱坐標(biāo)代表通過輸入/輸出線dq傳輸?shù)臄?shù)據(jù)和施加至與所選的存儲(chǔ)單元連接的字線的電壓v。

參照?qǐng)D3、圖7、圖10和圖11，在t1處，第一數(shù)據(jù)d_p1可通過輸入/輸出線dq提供至頁緩沖器電路115。當(dāng)完全接收第一數(shù)據(jù)d_p1時(shí)，頁緩沖器電路115可基于第一數(shù)據(jù)d_p1設(shè)置位線bl。例如，對(duì)應(yīng)于待編程(或保持)至擦除狀態(tài)e的存儲(chǔ)單元e_e和待編程(或保持)至第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元e_p3的位線可設(shè)置為禁止編程的。對(duì)應(yīng)于待編程至第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1和待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2可設(shè)置為編程的。然后在t2處，行解碼器電路113可施加編程電壓vpgm至所選的字線。在編程電壓vpgm施加至所選的字線的編程操作期間，第二數(shù)據(jù)d_p2可通過輸入/輸出線dq提供至頁緩沖器電路115。

當(dāng)完全接收第二數(shù)據(jù)d_p2時(shí)，在t3處，頁緩沖器電路115可對(duì)位線bl預(yù)充電。例如，在使用第一驗(yàn)證電壓vfy1的驗(yàn)證讀取前，頁緩沖器電路115可分別用供電電壓或其電平類似于供電電壓的電平的正電壓將各自對(duì)應(yīng)于待編程至第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1的位線充電。頁緩沖器電路115可用地電壓或其電平類似于地電壓的電平的低電壓將其余的位線充電或可使其余的位線浮動(dòng)。然后，行解碼器電路113可施加第一驗(yàn)證電壓vfy1至所選的字線。

在頁緩沖器電路115將對(duì)應(yīng)于待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2充電后，行解碼器電路113可施加第二驗(yàn)證電壓vfy2至所選的字線。此外，在頁緩沖器電路115將對(duì)應(yīng)于待編程至第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元e_p3充電后，行解碼器電路113可施加第三驗(yàn)證電壓vfy3至所選的字線。

又例如，頁緩沖器電路115可被配置為用供電電壓或其電平類似于供電電壓的電平的正電壓將所有位線充電，而不考慮在驗(yàn)證電壓vft1至vfy3之一施加至所選的字線前的編程狀態(tài)p1至p3。

在圖11中所示的第一編程循環(huán)進(jìn)行時(shí)，圖10中所示的存儲(chǔ)單元的閾值電壓可變?yōu)閳D12中所示的那樣。參照?qǐng)D12，待編程至第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1和待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2的閾值電壓可增高。根據(jù)第一d_p1，待編程至第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元e_p3可在第一編程循環(huán)中為禁止編程的，從而使得存儲(chǔ)單元e_p3的閾值電壓可增高。

圖13示出了在圖11之后執(zhí)行第二編程循環(huán)的過程。參照?qǐng)D12和圖13，待編程至第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1中的一部分mc_p的閾值電壓可高于第一驗(yàn)證電壓vfy1，其余的存儲(chǔ)單元的閾值電壓可低于或等于第一驗(yàn)證電壓vfy1。因此，存儲(chǔ)單元e_p1中的存儲(chǔ)單元mc_p可設(shè)置成“編程禁止”，其他可設(shè)置成“編程”。待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2和待編程至第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元e_p3都可處于失敗狀態(tài)。因此，存儲(chǔ)單元e_p2和e_p3可設(shè)置成“編程”。然后，增高的編程電壓vpgm可在t4處施加至所選的字線。

在增高的編程電壓vpgm施加至所選的字線時(shí)，圖12中所示的存儲(chǔ)單元的閾值電壓可變?yōu)槿鐖D14中所示。參照?qǐng)D14，待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2和待編程至第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元e_p3的閾值電壓可增高。因?yàn)榇幊讨恋谝痪幊虪顟B(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1中的一部分mc_p的閾值電壓不增高，即使存儲(chǔ)單元e_p1的閾值電壓增高，分布寬度也可減小。

圖15示出了當(dāng)傳輸?shù)诙?shù)據(jù)d_p2并隨后執(zhí)行第一編程循環(huán)的編程時(shí)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓。如圖7中所示，在第二數(shù)據(jù)d_p2中，擦除狀態(tài)e和第一編程狀態(tài)p1中的每個(gè)都可對(duì)應(yīng)于“1”，第二編程狀態(tài)p2和第三編程狀態(tài)p3中的每個(gè)都可對(duì)應(yīng)于“0”。因此，當(dāng)基于第二數(shù)據(jù)d_p2執(zhí)行第一編程循環(huán)時(shí)，待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2和待編程至第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元e_p3可編程，待編程至第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1可禁止編程。因此，如圖15所示，存儲(chǔ)單元e_p3和e_p2的閾值電壓可增高，而存儲(chǔ)單元e_p1的閾值電壓可不增高。

在圖12的實(shí)施方式中，當(dāng)在第一編程狀態(tài)p1和第二編程狀態(tài)p2不能區(qū)分開且存儲(chǔ)單元mc_p不能禁止編程的情況下增高的編程電壓在第二編程循環(huán)中施加至所選的字線時(shí)，圖12中示出的存儲(chǔ)單元mc_p可用增高的編程電壓編程。在此情況下，存儲(chǔ)單元mc_p可為過度編程的。為防止存儲(chǔ)單元mc_p過度編程，如圖16中所示，第二編程循環(huán)的編程電壓vpgm可不增高。就是說，如果先于第一數(shù)據(jù)d_p1提供第二數(shù)據(jù)d_p2至非易失性存儲(chǔ)器110并執(zhí)行編程操作，編程循環(huán)可使用相同的編程電壓vpgm執(zhí)行兩次。因此，編程時(shí)間可不減反增。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式，控制器120可被配置為向非易失性存儲(chǔ)器110提供邏輯頁的數(shù)據(jù)，其中對(duì)應(yīng)于最低閾值電壓范圍的狀態(tài)的位值，例如擦除狀態(tài)e的位值，和對(duì)應(yīng)于遵循最低閾值電壓范圍的閾值電壓范圍的狀態(tài)的位值，例如第一編程狀態(tài)p1的位值，彼此不同。因此，待編程至最低編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1在第一編程循環(huán)中編程并驗(yàn)證，編程循環(huán)的執(zhí)行時(shí)間可由第二數(shù)據(jù)d_p2的傳輸時(shí)間遮蔽。

再例如，為改進(jìn)存儲(chǔ)單元的可靠性，如圖15中所示，可先于第一數(shù)據(jù)d_p1的編程加載第二數(shù)據(jù)d_p2，并且編程操作可開始。第二數(shù)據(jù)d_p2可加載在頁緩沖器電路115上而編程操作的第一編程循環(huán)可基于第一數(shù)據(jù)d_p1執(zhí)行。在此情況下，在待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2的閾值電壓和待編程至第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元e_p3的閾值電壓如圖15中所示的增高后，編程循環(huán)可再次使用相同的編程電壓vpgm執(zhí)行。例如，編程操作可在用于增高如圖15中所示的存儲(chǔ)單元e_p2和e_p3的閾值電壓的預(yù)定編程后執(zhí)行。

在此情況下，當(dāng)存儲(chǔ)單元e_p2和e_p3的閾值電壓如圖15中所示增高時(shí)，存儲(chǔ)單元e_p1經(jīng)歷的耦合或其他干擾可在存儲(chǔ)單元e_p1編程至第一編程狀態(tài)p1時(shí)取消。就是說，可加載第一數(shù)據(jù)d_p1，并在編程操作開始后，加載第二數(shù)據(jù)d_p2，從而減少在編程操作期間發(fā)生的耦合或其它干擾。這可意味著在存儲(chǔ)單元處編程的數(shù)據(jù)的完整性得以改善。

圖17示出了當(dāng)物理頁包括三個(gè)邏輯頁時(shí)執(zhí)行根據(jù)本公開實(shí)施方式的編程操作的過程。在圖17中，橫坐標(biāo)可指示時(shí)間。參照?qǐng)D1、圖3和圖17，在t1處，控制器120可通過輸入/輸出線dq提供第一數(shù)據(jù)輸入序列s_p1in至非易失性存儲(chǔ)器110。第一數(shù)據(jù)輸入序列s_p1in可包括第一邏輯頁的數(shù)據(jù)。第一邏輯頁可在擦除狀態(tài)e和最低編程狀態(tài)p1之間具有確定點(diǎn)dp1。

在t2處，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)輸入序列s_p1in執(zhí)行轉(zhuǎn)儲(chǔ)。在非易失性存儲(chǔ)器110的轉(zhuǎn)儲(chǔ)期間，內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb和就緒/忙碌信號(hào)rnb可轉(zhuǎn)變至低電平的忙碌狀態(tài)。當(dāng)轉(zhuǎn)儲(chǔ)完成時(shí)，在t3處，非易失性存儲(chǔ)器110可使就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)。內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb也可轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)。

在就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)時(shí)，控制器120可通過輸入/輸出線dq提供確認(rèn)序列s_cfm至非易失性存儲(chǔ)器110。在t4處，非易失性存儲(chǔ)器110可啟動(dòng)編程操作，內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb和就緒/忙碌信號(hào)rnb可轉(zhuǎn)變至低電平的忙碌狀態(tài)。內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb可保持在低電平直到完成編程操作，就緒/忙碌信號(hào)rnb可在非易失性存儲(chǔ)器110準(zhǔn)備接收數(shù)據(jù)時(shí)轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)。

在就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至高電平時(shí)，在t5處，控制器120可通過輸入/輸出線dq提供第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in至非易失性存儲(chǔ)器110。第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in可包括第二邏輯頁的數(shù)據(jù)。在第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in進(jìn)行時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可執(zhí)行第一編程循環(huán)的編程。

當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)輸入序列s_p2in完成時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可轉(zhuǎn)儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)d_p2。在非易失性存儲(chǔ)器110轉(zhuǎn)儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)d_p2時(shí)，就緒/忙碌信號(hào)rnb可在時(shí)間t6處轉(zhuǎn)變至低電平。當(dāng)轉(zhuǎn)儲(chǔ)完成時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可使就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至高電平。

在就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至高電平時(shí)，在t7處，控制器120可通過輸入/輸出線dq提供第三數(shù)據(jù)輸入序列s_p3in至非易失性存儲(chǔ)器110。第三數(shù)據(jù)輸入序列s_p3in可包括第三邏輯頁的數(shù)據(jù)。

在一個(gè)實(shí)施方式中，非易失性存儲(chǔ)器110可具有保持編程操作的持續(xù)間隔，直到第一編程循環(huán)的編程執(zhí)行并接收所有邏輯頁的數(shù)據(jù)。

當(dāng)?shù)谌龜?shù)據(jù)輸入序列s_p3in完成時(shí)，在t8處，非易失性存儲(chǔ)器110可執(zhí)行第一編程循環(huán)的的驗(yàn)證。然后，非易失性存儲(chǔ)器110可在t9和t10之間執(zhí)行第二編程循環(huán)。在tk處，非易失性存儲(chǔ)器110可執(zhí)行第n編程循環(huán)并可結(jié)束編程操作。

在一個(gè)實(shí)施方式中，持續(xù)間隔可發(fā)生在存儲(chǔ)單元處編程兩個(gè)位的情況下和即使在完成第一編程循環(huán)的編程后也沒完成第二數(shù)據(jù)的加載的情況下。例如，直到在完成第一編程循環(huán)的編程后完成第二數(shù)據(jù)的加載，非易失性存儲(chǔ)器110可具有不執(zhí)行另一操作而等待第二數(shù)據(jù)的加載的持續(xù)間隔。

本公開的范圍和精神可不限于一個(gè)物理頁包括兩個(gè)或三個(gè)邏輯頁的情況。例如，本公開的范圍和精神可擴(kuò)展到包括一個(gè)物理頁中包括m個(gè)邏輯頁(m為正整數(shù))的情況。例如，本公開的范圍和精神可擴(kuò)展到包括在一個(gè)物理頁處編程m個(gè)位的情況。編程操作可在提供至少一個(gè)頁的數(shù)據(jù)至非易失性存儲(chǔ)器110后開始。例如，第一編程循環(huán)的編程可在非易失性存儲(chǔ)器110處執(zhí)行?？稍谔峁┢溆嗟倪壿嬳摰臄?shù)據(jù)至非易失性存儲(chǔ)器110后繼續(xù)編程操作。例如，可執(zhí)行第一編程循環(huán)的驗(yàn)證和在第一編程循環(huán)之后的其余編程循環(huán)。

在上述實(shí)施方式中，本公開的實(shí)施方式以在每個(gè)存儲(chǔ)單元處編程兩個(gè)位的示例進(jìn)行說明。然而，本公開的范圍和精神可不限于此。

圖18是示出了當(dāng)在每個(gè)存儲(chǔ)單元處編程三個(gè)位時(shí)的存儲(chǔ)單元mc的閾值電壓的示意圖。圖19示出了當(dāng)在每個(gè)存儲(chǔ)單元處編程三個(gè)位時(shí)執(zhí)行第一編程循環(huán)的過程。在圖18中，橫坐標(biāo)代表閾值電壓，縱坐標(biāo)代表存儲(chǔ)單元的數(shù)量。在圖19中，橫坐標(biāo)代表時(shí)間t，縱坐標(biāo)代表通過輸入/輸出線dq傳輸?shù)臄?shù)據(jù)和施加至與所選的存儲(chǔ)單元連接的字線的電壓。

參照?qǐng)D3、圖18和圖19，每個(gè)存儲(chǔ)單元可具有擦除狀態(tài)e和第一狀態(tài)p1至第七狀態(tài)p7的其中之一。為編程存儲(chǔ)單元，對(duì)應(yīng)于三個(gè)頁的數(shù)據(jù)d_p1、d_p2和d_p3可加載在頁緩沖器電路115上。三個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器dl(參照?qǐng)D4)可連接至一個(gè)位線bl。分別對(duì)應(yīng)于三個(gè)頁的三個(gè)位可分別加載在三個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器dl上。

在一個(gè)實(shí)施方式中，如根據(jù)圖7、圖12、圖13和圖14所述，頁的數(shù)據(jù)(其中對(duì)應(yīng)于擦除狀態(tài)e的位和對(duì)應(yīng)于第一編程狀態(tài)p1的位彼此不同)可首先加載在頁緩沖器電路115上作為第一數(shù)據(jù)d_p1。其余兩個(gè)頁的數(shù)據(jù)d_p2和d_p3可在執(zhí)行編程操作的第一編程循環(huán)的編程時(shí)加載在頁緩沖器電路115上。

在一個(gè)實(shí)施方式中，如根據(jù)圖7、圖15和圖16所述，頁的數(shù)據(jù)(其中對(duì)應(yīng)于擦除狀態(tài)e的位和對(duì)應(yīng)于第一編程狀態(tài)p1的位彼此相同)可在時(shí)間t1首先加載在頁緩沖器電路115上作為第一數(shù)據(jù)d_p1。例如，其中第七編程狀態(tài)p7(例如最高編程狀態(tài))或第六編程狀態(tài)(例如正好毗鄰最高編程狀態(tài)的較低編程狀態(tài))的位不是指示編程禁止而是指示編程的頁的數(shù)據(jù)可首先加載在頁緩沖器電路115上作為第一數(shù)據(jù)d_p1。其余兩個(gè)頁的數(shù)據(jù)d_p2和d_p3可在執(zhí)行編程操作的第一編程循環(huán)的編程時(shí)分別在時(shí)間t2和t3加載在頁緩沖器電路115上。驗(yàn)證操作vfy1至vfy7可在時(shí)間t4執(zhí)行，隨后的編程操作在時(shí)間t5執(zhí)行。

在一個(gè)實(shí)施方式中，存儲(chǔ)單元的編程可通過來自擦除狀態(tài)的一個(gè)編程操作完成。完成編程可意味著寫入了要在存儲(chǔ)單元處寫入的所有位并禁止了與存儲(chǔ)單元有關(guān)的其他編程。本公開的范圍和精神可用于存儲(chǔ)單元通過一個(gè)編程操作編程的情況或當(dāng)編程操作重復(fù)兩次或更多時(shí)編程完成的情況。

圖20是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的非易失性存儲(chǔ)器110的操作方法的流程圖。參照?qǐng)D1、圖3、圖7和圖20，在步驟410中，非易失性存儲(chǔ)器110可從控制器120接收第一數(shù)據(jù)。例如，頁的數(shù)據(jù)可通過數(shù)據(jù)輸入/輸出電路117加載在頁緩沖器電路115上。第一數(shù)據(jù)可在擦除狀態(tài)e和最低編程狀態(tài)p1之間具有確定點(diǎn)dp1。

在步驟s420中，非易失性存儲(chǔ)器110可執(zhí)行編程操作的第一編程循環(huán)的編程。在步驟s430中，非易失性存儲(chǔ)器110可執(zhí)行第一編程循環(huán)的驗(yàn)證讀取。

在步驟s440中，可確定是否接收了第二數(shù)據(jù)。例如，可確定第二頁的數(shù)據(jù)或其余頁的數(shù)據(jù)是否加載在頁緩沖器電路115上。當(dāng)?shù)綀?zhí)行第一編程循環(huán)的編程和驗(yàn)證讀取為止第二數(shù)據(jù)也沒有被加載在頁緩沖器電路115上時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可停止編程操作并可等待直到接收第二數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)施方式中，因?yàn)榈谝粩?shù)據(jù)在擦除狀態(tài)e和最低編程狀態(tài)p1之間具有確定點(diǎn)，對(duì)應(yīng)于最低編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元的閾值電壓可增高。因此，使用對(duì)應(yīng)于最低編程狀態(tài)p1的第一驗(yàn)證電壓vfy1執(zhí)行的驗(yàn)證讀取可為有效的。

在步驟s450中，非易失性存儲(chǔ)器110可執(zhí)行第一編程循環(huán)的選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)和禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)。如根據(jù)圖9所述，第二數(shù)據(jù)可為執(zhí)行選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)和禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)所需要的。因此，非易失性存儲(chǔ)器110可在第二數(shù)據(jù)加載在頁緩沖器電路115上后執(zhí)行第一編程循環(huán)的選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)和禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)。

在步驟s460中，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)繼續(xù)執(zhí)行編程操作。

相比于圖8的編程操作，非易失性存儲(chǔ)器110的編程操作還可包括基于第一數(shù)據(jù)執(zhí)行的驗(yàn)證讀取。當(dāng)接收第二數(shù)據(jù)時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可使用第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)執(zhí)行與驗(yàn)證讀取結(jié)果有關(guān)的選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)和禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)。因此，在頁緩沖器電路115上加載第二數(shù)據(jù)所用的時(shí)間可由執(zhí)行驗(yàn)證讀取所用的時(shí)間遮蔽。

圖21示出了執(zhí)行圖20中所示的編程操作的第一編程循環(huán)的過程。在圖21中，橫坐標(biāo)代表時(shí)間t，縱坐標(biāo)代表通過輸入/輸出線dq傳輸?shù)臄?shù)據(jù)和施加至與所選的存儲(chǔ)單元連接字線的電壓v。

參照?qǐng)D3和圖21，在t1處，第一數(shù)據(jù)d_p1可通過輸入/輸出線dq提供至頁緩沖器電路115。當(dāng)完全接收第一數(shù)據(jù)d_p1時(shí)，頁緩沖器電路115可基于第一數(shù)據(jù)d_p1設(shè)置位線bl。在t2處，行解碼器電路113可施加編程電壓vpgm至所選的字線。在t3處，頁緩沖器電路115可對(duì)位線bl預(yù)充電，行解碼器電路113可施加第一驗(yàn)證電壓vfy1至所選的字線。在編程電壓vpgm施加至所選的字線且第一驗(yàn)證電壓vfy1施加至此時(shí)，第二數(shù)據(jù)d_p2可通過輸入/輸出線dq提供至頁緩沖器電路115。

第一轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp1可在第二數(shù)據(jù)d_p2加載在頁緩沖器電路115上且使用第一驗(yàn)證電壓vfy1的驗(yàn)證讀取完成時(shí)執(zhí)行。第一轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp1可包括選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)，選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)用于選取對(duì)應(yīng)于待編程至與第一驗(yàn)證電壓vfy1有關(guān)的編程狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的驗(yàn)證讀取結(jié)果。第一轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp1還可包括執(zhí)行禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)，禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)執(zhí)行為應(yīng)用由選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)所選的驗(yàn)證讀取結(jié)果至頁緩沖器電路115的數(shù)據(jù)鎖存器dl(參照?qǐng)D4)。

然后，在t4處，第二編程循環(huán)可基于第一數(shù)據(jù)d_p1和d_p2執(zhí)行。在第二編程循環(huán)中，在時(shí)間t4施加編程電壓vpgm的編程，施加第一驗(yàn)證電壓vfy1至第三驗(yàn)證電壓vfy3的驗(yàn)證讀取可在時(shí)間t5執(zhí)行。在施加第一驗(yàn)證電壓vfy1后和施加第二驗(yàn)證電壓vfy2前，可執(zhí)行包括選取與第一驗(yàn)證電壓vfy1有關(guān)的驗(yàn)證讀取結(jié)果的選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)和應(yīng)用所選的驗(yàn)證讀取結(jié)果的禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)的第一轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp1。在施加第二驗(yàn)證電壓vfy2后和施加第三驗(yàn)證電壓vfy3前，可執(zhí)行包括選取與第二驗(yàn)證電壓vfy2有關(guān)的驗(yàn)證讀取結(jié)果的選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)和應(yīng)用所選的驗(yàn)證讀取結(jié)果的禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)的第二轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp2。在施加第三驗(yàn)證電壓vfy3后，可執(zhí)行包括應(yīng)用驗(yàn)證讀取結(jié)果的禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)的第三轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp3。

在一個(gè)實(shí)施方式中，由于在第一編程循環(huán)中處于與第二驗(yàn)證電壓vfy2有關(guān)的編程狀態(tài)和與第三驗(yàn)證電壓vfy3有關(guān)的編程狀態(tài)發(fā)生禁止編程的可能性很低，可在第一編程循環(huán)中跳過使用第二驗(yàn)證電壓vfy2和第三驗(yàn)證電壓vfy3的驗(yàn)證讀取。然而，本公開的范圍和精神可不限于此。例如，如圖22中所示，使用第一驗(yàn)證電壓vfy1至第三驗(yàn)證電壓vfy3的驗(yàn)證讀取和第一轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp1至第三轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp3可在第一編程循環(huán)中執(zhí)行。

圖23是示出執(zhí)行圖20的編程操作的編程循環(huán)的過程的時(shí)序圖。在圖23中，橫坐標(biāo)可指示時(shí)間。參照?qǐng)D1、圖3、圖7、圖20和圖23，在t1處，控制器120可通過輸入/輸出線dq提供第一數(shù)據(jù)輸入序列s_p1in至非易失性存儲(chǔ)器110。第一數(shù)據(jù)輸入序列s_p1in可包括第一邏輯頁的數(shù)據(jù)。第一邏輯頁可在擦除狀態(tài)e和最低編程狀態(tài)p1之間具有確定點(diǎn)dp1。

在t2處，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)輸入序列s_p1in執(zhí)行轉(zhuǎn)儲(chǔ)。在非易失性存儲(chǔ)器110的轉(zhuǎn)儲(chǔ)期間，內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb和就緒/忙碌信號(hào)rnb可轉(zhuǎn)變至低電平的忙碌狀態(tài)。當(dāng)轉(zhuǎn)儲(chǔ)完成時(shí)，在t3處，非易失性存儲(chǔ)器110可使就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)。內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb也可轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)。

在就緒/忙碌信號(hào)rnb在時(shí)間t3轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)時(shí)，控制器120可通過輸入/輸出線dq提供確認(rèn)序列s_cfm至非易失性存儲(chǔ)器110。在t4處，非易失性存儲(chǔ)器110可啟動(dòng)編程操作，內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb和就緒/忙碌信號(hào)rnb可轉(zhuǎn)變至低電平的忙碌狀態(tài)。內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb可保持在低電平直到完成編程操作，就緒/忙碌信號(hào)rnb可在非易失性存儲(chǔ)器110準(zhǔn)備接收數(shù)據(jù)時(shí)轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)。

在就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至高電平時(shí)，控制器120通過輸入/輸出線dq提供第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in至非易失性存儲(chǔ)器110。第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in可包括第二邏輯頁的數(shù)據(jù)。在第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in進(jìn)行時(shí)，在第一編程循環(huán)中，非易失性存儲(chǔ)器110可分別在t4和t5處執(zhí)行編程pgm_l1和使用第一驗(yàn)證電壓vfy1的驗(yàn)證讀取vr_l1。

在第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in在t6處結(jié)束時(shí)，就緒/忙碌信號(hào)rnb可從低狀態(tài)轉(zhuǎn)變至高狀態(tài)。當(dāng)?shù)谝痪幊萄h(huán)的驗(yàn)證讀取vr_l1在t7處結(jié)束時(shí)，可執(zhí)行第一編程循環(huán)的其余驗(yàn)證v_l1。例如，如圖21中所示，其余驗(yàn)證v_l1可包括第一轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp1和通過-驗(yàn)證校驗(yàn)。例如，如圖22中所示，其余驗(yàn)證v_l1可包括第一轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp1、使用第二驗(yàn)證電壓vfy2的驗(yàn)證讀取、第二轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp2、使用第三驗(yàn)證電壓vfy3的驗(yàn)證讀取、第三轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp3和通過-失敗校驗(yàn)。

然后，第二編程循環(huán)l2可在t8處執(zhí)行，編程操作可繼續(xù)。

圖24示出了當(dāng)用于數(shù)據(jù)輸入序列的時(shí)間增加時(shí)延遲第一轉(zhuǎn)儲(chǔ)的示例。在圖24中，橫坐標(biāo)代表時(shí)間t，縱坐標(biāo)代表通過輸入/輸出線dq傳輸?shù)臄?shù)據(jù)和施加至與所選的存儲(chǔ)單元連接的字線的電壓v。

在圖24中示出的當(dāng)加載第一數(shù)據(jù)d_p1時(shí)的時(shí)間和加載第二數(shù)據(jù)d_p2時(shí)的時(shí)間長(zhǎng)于圖21中的那些時(shí)間。例如，即使在完成使用第一驗(yàn)證電壓vfy1的驗(yàn)證讀取后，第二數(shù)據(jù)d_p2仍可繼續(xù)。第一轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp1可延遲至完全加載第二數(shù)據(jù)d_p2。例如，第一轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp1可延遲至完成使用第一驗(yàn)證電壓vfy1的驗(yàn)證讀取。

圖25示出了由于數(shù)據(jù)加載時(shí)間的增加而產(chǎn)生持續(xù)間隔的示例。在圖25中，橫坐標(biāo)可指示時(shí)間。在圖25中示出的用于第一數(shù)據(jù)輸入序列s_p1in的時(shí)間和用于第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in的時(shí)間長(zhǎng)于圖23中的那些時(shí)間。例如，即使關(guān)于第一編程循環(huán)在完成編程pgm_l1和使用第一驗(yàn)證電壓vfy1的驗(yàn)證讀取vr_l1之后，第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in仍可繼續(xù)。例如，第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in可繼續(xù)直到t7。在t6和t7之間，非易失性存儲(chǔ)器110可具有除第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in外不執(zhí)行任何其他操作的持續(xù)間隔hi。

當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)輸入序列s_p2in完成時(shí)，可在t7處執(zhí)行第一編程循環(huán)的其余驗(yàn)證v_l1，可在t8處執(zhí)行第二編程循環(huán)l2。

在一個(gè)實(shí)施方式中，如根據(jù)圖17所述，即使用于數(shù)據(jù)輸入序列的時(shí)間不增加，當(dāng)數(shù)據(jù)輸入序列的數(shù)量增加時(shí)仍可產(chǎn)生持續(xù)間隔。

圖26是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的非易失性存儲(chǔ)器的操作方法應(yīng)用的流程圖。參照?qǐng)D1、圖3、圖7和圖26，在步驟s510中，非易失性存儲(chǔ)器110可從控制器120接收第一數(shù)據(jù)。例如，頁的數(shù)據(jù)可通過數(shù)據(jù)輸入/輸出電路117加載在頁緩沖器電路115上。第一數(shù)據(jù)可在擦除狀態(tài)e和最低編程狀態(tài)p1之間具有確定點(diǎn)dp1。

在步驟s520中，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)執(zhí)行編程循環(huán)并可備份第一數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)施方式中，編程循環(huán)可包括使用對(duì)應(yīng)于確定點(diǎn)dp1的第一驗(yàn)證電壓vfy1的驗(yàn)證讀取、和基于第一數(shù)據(jù)將驗(yàn)證讀取結(jié)果的一部分應(yīng)用于數(shù)據(jù)鎖存器dl(參見圖4)的部分轉(zhuǎn)儲(chǔ)。部分轉(zhuǎn)儲(chǔ)可包括將驗(yàn)證讀取結(jié)果應(yīng)用于數(shù)據(jù)鎖存器dl的禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)。在一個(gè)實(shí)施方式中，因?yàn)榫幊毯万?yàn)證讀取基于第一數(shù)據(jù)執(zhí)行，而第二數(shù)據(jù)未加載，部分轉(zhuǎn)儲(chǔ)可不包括選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)。

在步驟s530中，非易失性存儲(chǔ)器110可重復(fù)步驟s520的編程循環(huán)直至加載第二數(shù)據(jù)。

當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)完全加載時(shí)，在步驟s540中，非易失性存儲(chǔ)器110可基于備份的第一數(shù)據(jù)還原第一數(shù)據(jù)。例如，非易失性存儲(chǔ)器110可還原存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)鎖存器dl的數(shù)據(jù)，這些存儲(chǔ)單元并不是要從通過第一驗(yàn)證電壓vfy1禁止編程的存儲(chǔ)單元中使用第一驗(yàn)證電壓vfy1驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元。

在步驟s550中，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)繼續(xù)執(zhí)行編程操作。

圖27是示出執(zhí)行圖26的編程操作的編程循環(huán)的示例的示意圖。在圖27中，橫坐標(biāo)代表時(shí)間t，縱坐標(biāo)代表通過輸入/輸出線dq傳輸?shù)臄?shù)據(jù)和施加于連接至所選存儲(chǔ)單元的字線的電壓v。

參照?qǐng)D3、圖26和圖27，在t1處，第一數(shù)據(jù)d_p1可通過輸入/輸出線dq提供至頁緩沖器電路115。當(dāng)完全接收第一數(shù)據(jù)d_p1時(shí)可執(zhí)行第一編程循環(huán)。例如，頁緩沖器電路115可基于第一數(shù)據(jù)d_p1設(shè)置位線bl。在t2處，行解碼器電路113可施加編程電壓vpgm至所選的字線。在t3處，頁緩沖器電路115可對(duì)位線bl預(yù)充電，行解碼器電路113可施加第一驗(yàn)證電壓vfy1至所選的字線。然后可執(zhí)行第一部分轉(zhuǎn)儲(chǔ)pdmp1。

第二數(shù)據(jù)d_p2可不完全加載直至完成第一編程循環(huán)。此時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可啟動(dòng)第二編程循環(huán)而不等待加載第二數(shù)據(jù)d_p2。例如，編程電壓vpgm可在t6處施加至所選的字線。

在一個(gè)實(shí)施方式中，在執(zhí)行第二編程循環(huán)的編程時(shí)可完全加載第二數(shù)據(jù)d_p2。非易失性存儲(chǔ)器110可使用第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)的備份數(shù)據(jù)還原數(shù)據(jù)鎖存器dl(參見圖4)的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器110可在時(shí)間t7基于第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)使用第一驗(yàn)證電壓vfy1至第三驗(yàn)證電壓vfy3和第一轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp1至第三轉(zhuǎn)儲(chǔ)dmp3執(zhí)行驗(yàn)證讀取。

在一個(gè)實(shí)施方式中，在圖27中，本公開的實(shí)施方式示例為，在編程循環(huán)的執(zhí)行期間完全加載第二數(shù)據(jù)d_p2時(shí)，立即應(yīng)用第二數(shù)據(jù)d_p2至編程操作而無延遲。然而，第二數(shù)據(jù)d_p2可應(yīng)用至來自在執(zhí)行編程循環(huán)完成后的下一編程循環(huán)的編程操作。例如，非易失性存儲(chǔ)器110可使用第一驗(yàn)證電壓vfy1和第一部分轉(zhuǎn)儲(chǔ)pdmp1執(zhí)行驗(yàn)證讀取并可結(jié)束第二編程循環(huán)。然后，非易失性存儲(chǔ)器110可使用第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)執(zhí)行來自第三編程循環(huán)的編程和驗(yàn)證。

圖28是示出執(zhí)行圖26的編程操作的編程循環(huán)的過程的時(shí)序圖。在圖28中，橫坐標(biāo)可指示時(shí)間。參照?qǐng)D1、圖3、圖7、圖26和圖28，在t1處，控制器120可通過輸入/輸出線dq向非易失性存儲(chǔ)器110提供第一數(shù)據(jù)輸入序列s_p1in。第一數(shù)據(jù)輸入序列s_p1in可包括第一邏輯頁的數(shù)據(jù)。第一邏輯頁可在擦除狀態(tài)e和最低編程狀態(tài)p1之間具有確定點(diǎn)dp1。

在t2處，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)輸入序列s_p1in執(zhí)行轉(zhuǎn)儲(chǔ)。在非易失性存儲(chǔ)器110轉(zhuǎn)儲(chǔ)期間，內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb和就緒/忙碌信號(hào)rnb可轉(zhuǎn)變至低電平的忙碌狀態(tài)。當(dāng)轉(zhuǎn)儲(chǔ)完成時(shí)，在t3處，非易失性存儲(chǔ)器110可使就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)。內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb也可轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)。

當(dāng)就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)時(shí)，控制器120可通過輸入/輸出線dq向非易失性存儲(chǔ)器110提供確認(rèn)序列s_cfm。在t4處，非易失性存儲(chǔ)器110可啟動(dòng)編程操作，內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb和就緒/忙碌信號(hào)rnb可轉(zhuǎn)變至低電平的忙碌狀態(tài)。內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb可保持在低電平直到完成編程操作，而當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器110在時(shí)間t5處準(zhǔn)備接收數(shù)據(jù)時(shí)，就緒/忙碌信號(hào)rnb可轉(zhuǎn)變至高電平的就緒狀態(tài)。

當(dāng)就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變至高電平時(shí)，在t5處，控制器120可通過輸入/輸出線dq向非易失性存儲(chǔ)器110提供第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in。第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in可包括第二邏輯頁的數(shù)據(jù)。在第二數(shù)據(jù)輸入序列進(jìn)行時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可分別地在t4處執(zhí)行第一編程循環(huán)l1和在t6處執(zhí)行第二編程循環(huán)l2。

當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)輸入序列s_p2in在t7處結(jié)束時(shí)，就緒/忙碌信號(hào)rnb可從低態(tài)轉(zhuǎn)變至高態(tài)。此外，非易失性存儲(chǔ)器110可在時(shí)間t7處基于第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)執(zhí)行第三編程循環(huán)l3。

圖29是示出根據(jù)本公開的實(shí)施方式的頁緩沖器電路115的應(yīng)用115’的框圖。相比于圖4的頁緩沖器電路115，圖29的頁緩沖器電路115’還可包括連接至位線的強(qiáng)制鎖存器fl和不同于圖4的控制電路cc的控制電路cc’，控制電路cc’另外控制強(qiáng)制鎖存器fl。非易失性存儲(chǔ)器110可被配置為在強(qiáng)制鎖存器fl中備份第一數(shù)據(jù)。

圖30和圖31示出了根據(jù)圖26的編程操作改變頁緩沖器電路115’的數(shù)據(jù)的示例。在一個(gè)實(shí)施方式中，在圖30和圖31中示出了分別對(duì)應(yīng)于第一位線bl1至第四位線bl4的電路115’_1至115’_4的鎖存器的值。

參照?qǐng)D30的第一狀態(tài)s1，可假設(shè)“1”和“1”分別加載在與第一位線bl1有關(guān)的第一鎖存器dl1和第二鎖存器dl2上?？杉僭O(shè)“0”和“1”分別加載在與第二位線bl2有關(guān)的第一鎖存器dl1和第二鎖存器dl2上?？杉僭O(shè)“0”和“0”分別加載在與第三位線bl3有關(guān)的第一鎖存器dl1和第二鎖存器dl2上?？杉僭O(shè)“1”和“0”分別加載在與第四位線bl4有關(guān)的第一鎖存器dl1和第二鎖存器dl2上。

第一狀態(tài)s1可為僅加載第一數(shù)據(jù)的狀態(tài)。例如，“1001”的第一數(shù)據(jù)可加載在電路115’_1至115’_4的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1上。第二數(shù)據(jù)可尚未加載在第二鎖存器dl2上。因此，第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2的位被示出為用點(diǎn)填充并被示出以便參考。

電路115’_1至115’_4的強(qiáng)制鎖存器fl可被配置為備份第一數(shù)據(jù)。因此，在第一狀態(tài)s1中，強(qiáng)制鎖存器fl的位可為“1001”，其與第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1中的位相同。

在第一狀態(tài)s1中，編程循環(huán)可基于第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位重復(fù)。當(dāng)重復(fù)編程循環(huán)時(shí)，分別對(duì)應(yīng)于每個(gè)儲(chǔ)存“0”的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的存儲(chǔ)單元的閾值電壓可增高。例如，分別對(duì)應(yīng)于第二位線bl2和第三位線bl3的存儲(chǔ)單元的閾值電壓可增高。當(dāng)存儲(chǔ)單元的閾值電壓高于第一驗(yàn)證電壓vfy1時(shí)，存儲(chǔ)單元可為禁止編程的。例如，相應(yīng)的存儲(chǔ)單元的驗(yàn)證讀取結(jié)果可為“1”。對(duì)應(yīng)于“1”的驗(yàn)證讀取結(jié)果可通過部分轉(zhuǎn)儲(chǔ)應(yīng)用至第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1。就是說，在分別對(duì)應(yīng)于待被編程至第一編程狀態(tài)p1和第二編程狀態(tài)p2(即分別為兩個(gè)或多個(gè)編程狀態(tài))的存儲(chǔ)單元的第二位線bl2和第三位線bl3中，根據(jù)第一驗(yàn)證電壓(即根據(jù)一個(gè)驗(yàn)證電壓)的驗(yàn)證讀取結(jié)果可通過部分轉(zhuǎn)儲(chǔ)來施加。

第二狀態(tài)s2可示出分別對(duì)應(yīng)于第二位線和第三位線的驗(yàn)證讀取結(jié)果為禁止編程的示例。例如，當(dāng)分別對(duì)應(yīng)于第二位線bl2和第三位線bl3的存儲(chǔ)單元的閾值電壓高于第一驗(yàn)證電壓vfy1時(shí)，驗(yàn)證讀取結(jié)果可指示禁止編程。驗(yàn)證讀取結(jié)果可通過部分轉(zhuǎn)儲(chǔ)應(yīng)用至第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1。在一個(gè)實(shí)施方式中，可用指示禁止編程的“1”更新與第二位線bl2和第三位線bl3有關(guān)的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1。

參照?qǐng)D31的第三狀態(tài)s3，第二數(shù)據(jù)可加載在第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2上。在第三狀態(tài)s3中，移除了第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2的值的點(diǎn)。

然后，在第四狀態(tài)s4中，可基于在第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2上加載的位和在強(qiáng)制鎖存器中備份的位還原第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的數(shù)據(jù)。

在一個(gè)實(shí)施方式中，在基于第一數(shù)據(jù)的編程循環(huán)中，對(duì)應(yīng)于第一編程狀態(tài)p1和第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元的閾值電壓可增高?？墒褂玫谝或?yàn)證電壓vfy1驗(yàn)證對(duì)應(yīng)于第一編程狀態(tài)p1和第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元。就是說，對(duì)應(yīng)于第一編程狀態(tài)p1和第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元可在基于第一數(shù)據(jù)的編程循環(huán)中驗(yàn)證并可為禁止編程的。例如，第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位可用“1”更新。

當(dāng)通過第一驗(yàn)證電壓vfy1更新待編程至第二編程狀態(tài)p2的每個(gè)存儲(chǔ)單元的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位時(shí)，待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元通?？刹痪幊?。例如，當(dāng)待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元具有編程至第一編程狀態(tài)p1的狀態(tài)時(shí)，待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元可為編程通過的。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式，在第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2上加載位之后，第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位可根據(jù)第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2的位和強(qiáng)制鎖存器fl的位還原或更新。例如，“1”位、“0”位和“0”位可分別儲(chǔ)存在與待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元中通過第一驗(yàn)證電壓vfy1禁止編程的存儲(chǔ)單元有關(guān)的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1、第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2和強(qiáng)制鎖存器fl中。當(dāng)“1”位、“0”位和“0”位分別儲(chǔ)存在第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1、第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2和強(qiáng)制鎖存器fl中時(shí)，頁緩沖器電路115’可被配置為將第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位還原、更新或反轉(zhuǎn)為“0”。

與基于第一數(shù)據(jù)編程的存儲(chǔ)單元有關(guān)的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位通過使用第一驗(yàn)證電壓vfy1執(zhí)行的驗(yàn)證禁止編程，并且不與第一驗(yàn)證電壓vfy1對(duì)應(yīng)，即，第三位線bl3的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位可還原至原始位或可反轉(zhuǎn)。當(dāng)反轉(zhuǎn)第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位時(shí)，在接下來的編程循環(huán)中，對(duì)應(yīng)第三位線bl3的存儲(chǔ)單元可通過第二驗(yàn)證電壓vfy2驗(yàn)證，而不是通過第一驗(yàn)證電壓vfy1。

如上所述，當(dāng)基于第一數(shù)據(jù)重復(fù)編程循環(huán)時(shí)，用第一數(shù)據(jù)編程的存儲(chǔ)單元的閾值電壓可增高至第一編程狀態(tài)p1。當(dāng)加載第二數(shù)據(jù)時(shí)，可更新數(shù)據(jù)鎖存器以便將在待編程至高于第一編程狀態(tài)p1的編程狀態(tài)的存儲(chǔ)單元中在第一編程狀態(tài)p1下禁止編程的存儲(chǔ)單元進(jìn)一步編程。此外，當(dāng)加載第二數(shù)據(jù)時(shí)，在基于第一數(shù)據(jù)禁止編程的存儲(chǔ)單元中待編程至編程狀態(tài)的存儲(chǔ)單元可設(shè)置以進(jìn)行編程。因此，即使編程循環(huán)基于第一數(shù)據(jù)重復(fù)，當(dāng)加載第二數(shù)據(jù)并執(zhí)行編程循環(huán)時(shí)，存儲(chǔ)單元通?？删幊讨疗淠繕?biāo)狀態(tài)。此外，因?yàn)榧虞d第二數(shù)據(jù)時(shí)的時(shí)間由一個(gè)或多個(gè)編程循環(huán)遮蔽，可提高存儲(chǔ)裝置100和非易失性存儲(chǔ)器110的運(yùn)行速度。

圖32示出了非易失性存儲(chǔ)器通過讀取在強(qiáng)制鎖存器fl中儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)的信息的示例。在一個(gè)實(shí)施方式中，非易失性存儲(chǔ)器110可通過在驗(yàn)證讀取期間執(zhí)行附加讀取(以下稱為“強(qiáng)制讀取”)而不在強(qiáng)制鎖存器fl中備份第一數(shù)據(jù)來在強(qiáng)制鎖存器fl中儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)的信息。

參照?qǐng)D3、圖26、圖29和圖32，在步驟610中，非易失性存儲(chǔ)器110可使用第一驗(yàn)證電壓vfy1執(zhí)行驗(yàn)證讀取。在步驟s620中，非易失性存儲(chǔ)器110可通過禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)應(yīng)用驗(yàn)證讀取結(jié)果至第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1。在一個(gè)實(shí)施方式中，可基于加載在第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1上的位執(zhí)行編程，并且可不執(zhí)行選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)，因?yàn)樵诘诙?shù)據(jù)鎖存器dl2上不加載位。

在步驟s630中，非易失性存儲(chǔ)器110可使用強(qiáng)制電壓vf執(zhí)行強(qiáng)制讀取。例如，強(qiáng)制電壓vf可在電平方面類似于第一驗(yàn)證電壓vfy1。例如，強(qiáng)制電壓vf可在電平方面低于第一驗(yàn)證電壓vfy1。

在步驟s640中，非易失性存儲(chǔ)器110可通過強(qiáng)制轉(zhuǎn)儲(chǔ)將強(qiáng)制讀取結(jié)果轉(zhuǎn)儲(chǔ)至強(qiáng)制鎖存器fl。轉(zhuǎn)儲(chǔ)至強(qiáng)制鎖存器fl的強(qiáng)制讀取結(jié)果可如根據(jù)圖30和圖31所述用于還原第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位。

圖33和圖34示出了使用強(qiáng)制讀取結(jié)果還原第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位的示例。在圖33中，橫坐標(biāo)代表閾值電壓，縱坐標(biāo)代表存儲(chǔ)單元的數(shù)量。

參照?qǐng)D3、圖26、圖29和圖32，強(qiáng)制電壓vf的電平可低于第一驗(yàn)證電壓vfy1的電平。當(dāng)基于第一數(shù)據(jù)執(zhí)行編程循環(huán)時(shí)，分別對(duì)應(yīng)于每個(gè)儲(chǔ)存“0”的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的存儲(chǔ)單元的閾值電壓可增高。參照?qǐng)D12，待編程至第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1和待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2的閾值電壓可增高。

分別與待編程至第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1和待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2當(dāng)中的、其閾值電壓低于強(qiáng)制電壓vf的存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位可保持為“0”，并且“0”可分別轉(zhuǎn)儲(chǔ)至強(qiáng)制鎖存器fl。

分別與待編程至第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1和待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2當(dāng)中的、其閾值電壓高于強(qiáng)制電壓vf和低于第一驗(yàn)證電壓vfy1的存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位可保持為“0”，并且“1”可分別轉(zhuǎn)儲(chǔ)至強(qiáng)制鎖存器fl。

分別與待編程至第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1和待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2當(dāng)中的、其閾值電壓高于第一驗(yàn)證電壓vfy1的存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位可更新為“1”，并且“1”可分別轉(zhuǎn)儲(chǔ)至強(qiáng)制鎖存器fl。

就是說，轉(zhuǎn)儲(chǔ)至強(qiáng)制鎖存器fl的信息可包括通過第一驗(yàn)證電壓vfy1禁止編程的存儲(chǔ)單元的信息。當(dāng)分別對(duì)應(yīng)于其中分別儲(chǔ)存“1”的位的強(qiáng)制鎖存器fl和分別對(duì)應(yīng)于其上分別加載“0”的第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2的存儲(chǔ)單元的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位更新為“0”或還原至“0”時(shí)，待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2通過可還原的第一驗(yàn)證電壓vfy1禁止編程。此外，當(dāng)保持分別對(duì)應(yīng)于其中分別儲(chǔ)存“1”的位的強(qiáng)制鎖存器fl和分別對(duì)應(yīng)于其上分別加載“1”的第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2的存儲(chǔ)單元的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1的位時(shí)，在待編程至第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1中通過第一驗(yàn)證電壓vfy1禁止編程的存儲(chǔ)單元可保持編程禁止。因此，即使基于第一數(shù)據(jù)重復(fù)編程循環(huán)，通?？蓤?zhí)行存儲(chǔ)單元的編程操作。

圖35是示出了根據(jù)本公開的實(shí)施方式的非易失性存儲(chǔ)器的操作方法的另一應(yīng)用的流程圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，圖35中示出了圖26的編程操作應(yīng)用于非易失性存儲(chǔ)器的示例，其中在每個(gè)存儲(chǔ)單元處對(duì)三個(gè)或更多個(gè)位進(jìn)行編程。

參照?qǐng)D1、圖3、圖7和圖35，在步驟s710中，非易失性存儲(chǔ)器110可從控制器120接收第一數(shù)據(jù)。例如，頁的數(shù)據(jù)可通過數(shù)據(jù)輸入/輸出電路117加載在頁緩沖器電路115上。第一數(shù)據(jù)可在擦除狀態(tài)e和最低編程狀態(tài)p1之間具有確定點(diǎn)dp1。

在步驟720中，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)啟動(dòng)編程操作。例如，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)重復(fù)編程循環(huán)，直到接收下一數(shù)據(jù)。

在步驟730中，可接收第k數(shù)據(jù)(k為2或更大的正整數(shù))，并且接收的數(shù)據(jù)可加載在頁緩沖器電路115上。在步驟s740中，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一至第k數(shù)據(jù)繼續(xù)執(zhí)行編程操作。例如，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一至第k數(shù)據(jù)重復(fù)編程循環(huán)。

當(dāng)接收所有數(shù)據(jù)時(shí)，在步驟750中，非易失性存儲(chǔ)器110可基于接收的數(shù)據(jù)重復(fù)編程循環(huán)并可在步驟s780中完成編程操作。如果未接收所有數(shù)據(jù)，在步驟s770和s730中，非易失性存儲(chǔ)器110可接收下一數(shù)據(jù)并可繼續(xù)執(zhí)行編程操作。

如上所述，當(dāng)接收第一數(shù)據(jù)時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可啟動(dòng)編程操作。當(dāng)接收附加數(shù)據(jù)時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可還原與禁止編程的存儲(chǔ)單元有關(guān)的第一數(shù)據(jù)的一部分并可繼續(xù)執(zhí)行編程操作。因此，在非易失性存儲(chǔ)器110上加載數(shù)據(jù)時(shí)的時(shí)間可由編程操作遮蔽，由此提高非易失性存儲(chǔ)器110和存儲(chǔ)裝置100的運(yùn)行速度。

圖36示出了當(dāng)在每個(gè)存儲(chǔ)單元處對(duì)三個(gè)位進(jìn)行編程時(shí)將位分配至擦除狀態(tài)和第一編程狀態(tài)p1至第七編程狀態(tài)p7的示例。在圖36中，橫坐標(biāo)代表閾值電壓，縱坐標(biāo)代表存儲(chǔ)單元的數(shù)量。

參照?qǐng)D3和圖36，首先加載在頁緩沖器電路115上的第一數(shù)據(jù)d_p1可在擦除狀態(tài)和作為最低編程狀態(tài)的第一編程狀態(tài)p1之間具有確定點(diǎn)dp1。因此，第一數(shù)據(jù)d_p1提供通過第一驗(yàn)證電壓vfy1控制存儲(chǔ)單元的編程的功能，例如驗(yàn)證和編程禁止。

其次加載在頁緩沖器電路115上的第二數(shù)據(jù)d_p2可在第一編程狀態(tài)p1和第二編程狀態(tài)p2之間具有第二確定點(diǎn)dp2。因此，根據(jù)使用第一驗(yàn)證電壓vfy1執(zhí)行驗(yàn)證讀取的結(jié)果，第二數(shù)據(jù)d_p2可支持在待通過第一驗(yàn)證電壓vfy1驗(yàn)證與待禁止編程的存儲(chǔ)單元與在待通過電平方面高于第一驗(yàn)證電壓vfy1編程的存儲(chǔ)單元之間的選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)。此外，第二數(shù)據(jù)d_p2可提供通過第二驗(yàn)證電壓vfy2控制存儲(chǔ)單元的編程的功能，例如驗(yàn)證和編程禁止。

如上所述，加載在頁緩沖器電路115上的第k數(shù)據(jù)(k為2或更大的正整數(shù))可設(shè)置為在第(k-1)編程狀態(tài)和第k編程狀態(tài)之間具有確定點(diǎn)。因此，如根據(jù)圖12至圖14所述，編程電壓可隨重復(fù)編程循環(huán)而增高，從而可提高非易失性存儲(chǔ)器110和存儲(chǔ)裝置100的運(yùn)行速度。

在一個(gè)實(shí)施方式中，在第一數(shù)據(jù)d_p1至第三數(shù)據(jù)d_p3中，“111”可分配至擦除狀態(tài)e。在第一數(shù)據(jù)d_p1至第三數(shù)據(jù)d_p3中，“011”可分配至第一編程狀態(tài)p1。在第一數(shù)據(jù)d_p1至第三數(shù)據(jù)d_p3中，“001”可分配至第二編程狀態(tài)p2。在第一數(shù)據(jù)d_p1至第三數(shù)據(jù)d_p3中，“000”可分配至第三編程狀態(tài)p3。在第一數(shù)據(jù)d_p1至第三數(shù)據(jù)d_p3中，“010”可分配至第四編程狀態(tài)p4。在第一數(shù)據(jù)d_p1至第三數(shù)據(jù)d_p3中，“110”可分配至第五編程狀態(tài)p5。在第一數(shù)據(jù)d_p1至第三數(shù)據(jù)d_p3中，“100”可分配至第六編程狀態(tài)p6。在第一數(shù)據(jù)d_p1至第三數(shù)據(jù)d_p3中，“101”可分配至第七編程狀態(tài)p7。

圖37是示出加載數(shù)據(jù)并執(zhí)行編程循環(huán)的示例的示意圖。在圖37中，橫坐標(biāo)代表時(shí)間t，縱坐標(biāo)代表施加于連接至所選存儲(chǔ)單元的字線的電壓v。

參照?qǐng)D3、圖36和圖37，編程操作可在加載第一數(shù)據(jù)d_p1后開始。第一編程循環(huán)l1和第二編程循環(huán)l2可基于第一數(shù)據(jù)d_p1執(zhí)行。驗(yàn)證讀取可在第一編程循環(huán)l1和第二編程循環(huán)l2的驗(yàn)證期間使用第一驗(yàn)證電壓vfy1執(zhí)行。在執(zhí)行第一編程循環(huán)l1和第二編程循環(huán)l2時(shí)，第二數(shù)據(jù)d_p2可加載在頁緩沖器電路115上。

第三編程循環(huán)l3和第四編程循環(huán)l4可基于第一數(shù)據(jù)d_p1和第二數(shù)據(jù)d_p2執(zhí)行。驗(yàn)證讀取可在第三編程循環(huán)l3和第四編程循環(huán)l4的驗(yàn)證期間使用第一驗(yàn)證電壓vfy1和第二驗(yàn)證電壓vfy2執(zhí)行。在執(zhí)行第三編程循環(huán)l3和第四編程循環(huán)l4時(shí)，第三數(shù)據(jù)d_p3可加載在頁緩沖器電路115上。

第五編程循環(huán)l5和第六編程循環(huán)l6可基于第一數(shù)據(jù)d_p1、第二數(shù)據(jù)d_p2和第三數(shù)據(jù)d_p3執(zhí)行。因?yàn)榈谝粩?shù)據(jù)d_p1至第三數(shù)據(jù)d_p3全部被加載，驗(yàn)證讀取可在第五編程循環(huán)l5和第六編程循環(huán)l6的驗(yàn)證期間使用第一驗(yàn)證電壓vfy1至第七驗(yàn)證電壓vfy7執(zhí)行。

圖38至圖44示出了在重復(fù)編程循環(huán)時(shí)改變存儲(chǔ)單元的閾值電壓和儲(chǔ)存在鎖存器中的位的示例。在圖38、圖41和圖43中，橫坐標(biāo)代表閾值電壓，縱坐標(biāo)代表存儲(chǔ)單元的數(shù)量。

參照?qǐng)D3、圖36和圖38，在執(zhí)行編程操作之前，將保持擦除狀態(tài)的存儲(chǔ)單元e_e和將編程至第一編程狀態(tài)p1至第七編程狀態(tài)p7的存儲(chǔ)單元e_p1至e_p7可具有擦除狀態(tài)。

參照?qǐng)D3、圖36、圖39和圖40，第一數(shù)據(jù)d_p1可加載在頁緩沖器電路115上。例如，分別對(duì)應(yīng)于八個(gè)狀態(tài)即擦除狀態(tài)e和第一編程狀態(tài)p1至第七編程狀態(tài)p7的“10000111”可加載在頁緩沖器電路115的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1上。

分別與每個(gè)儲(chǔ)存“0”的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元可被編程，而分別與每個(gè)儲(chǔ)存“1”的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元可被禁止編程。因此，對(duì)應(yīng)于擦除狀態(tài)e和第五編程狀態(tài)p5至第七編程狀態(tài)p7的存儲(chǔ)單元e_e和e_p5至e_p7可從一開始就禁止編程。對(duì)應(yīng)于第一編程狀態(tài)p1至第四編程狀態(tài)p4的存儲(chǔ)單元e_p1至e_p4可編程。被編程的存儲(chǔ)單元可通過第一驗(yàn)證電壓vfy1驗(yàn)證并可禁止編程。當(dāng)待編程至第一編程狀態(tài)p1至第四編程狀態(tài)p4的閾值電壓被驗(yàn)證為高于第一驗(yàn)證電壓vfy1時(shí)，與每個(gè)被驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)鎖存器的位可從“0”更新至“1”。

參照?qǐng)D3、圖36和圖41，第二數(shù)據(jù)d_p2可加載在頁緩沖器電路115上。例如，分別對(duì)應(yīng)于八個(gè)狀態(tài)即擦除狀態(tài)e和第一編程狀態(tài)p1至第七編程狀態(tài)p7的“11001100”可加載在頁緩沖器電路115的第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2上。在第二數(shù)據(jù)d_p2加載在第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2上時(shí)可執(zhí)行還原。例如，可使用強(qiáng)制鎖存器fl(參照?qǐng)D29)檢測(cè)通過使用第一驗(yàn)證電壓vfy1執(zhí)行的驗(yàn)證禁止編程的存儲(chǔ)單元。在圖41中，用點(diǎn)填充的格指示檢測(cè)的存儲(chǔ)單元。

可確定待編程至包括第二編程狀態(tài)p2和高于第二編程狀態(tài)p2的編程狀態(tài)的狀態(tài)的存儲(chǔ)單元。在一個(gè)實(shí)施方式中，可確定分別對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存“0”的每個(gè)第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2的存儲(chǔ)單元。確定的存儲(chǔ)單元的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1可更新為“0”或還原至“0”。

在一個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)d_p1和第二數(shù)據(jù)d_p2加載在頁緩沖器電路115上時(shí)，對(duì)應(yīng)于第一編程狀態(tài)p1的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1和第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2的位以及對(duì)應(yīng)于第四編程狀態(tài)p4的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1和第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2的位可用相同的值設(shè)置，例如“01”。因此，待編程至第四編程狀態(tài)p4以及第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1可不還原。

參照?qǐng)D3、圖36、圖42和圖43，編程循環(huán)可在還原第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1之后繼續(xù)。對(duì)應(yīng)于其中儲(chǔ)存了“11”的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1和第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2并待編程至第五編程狀態(tài)p5和要保持在擦除狀態(tài)e的存儲(chǔ)單元e_e和存儲(chǔ)單元e_p5可從一開始就禁止編程。對(duì)應(yīng)于其中儲(chǔ)存“01”的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1和第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2并待編程至第一編程狀態(tài)p1和第四編程狀態(tài)p4的存儲(chǔ)單元e_p1和e_p4可在第一編程狀態(tài)p1禁止編程。對(duì)應(yīng)于其中儲(chǔ)存“00”的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1和第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2并待編程至第二編程狀態(tài)p2和第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元e_p2和e_p3可在第二編程狀態(tài)p2禁止編程。對(duì)應(yīng)于其中儲(chǔ)存“10”的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1和第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2并待編程至第六編程狀態(tài)p6和第七編程狀態(tài)p7的存儲(chǔ)單元e_p6和e_p7可在加載第二數(shù)據(jù)d_p2時(shí)不驗(yàn)證并可不禁止編程。對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元可編程以具有在電平方面高于第二驗(yàn)證電壓vfy2的閾值電壓。

參照?qǐng)D3、圖36和圖44，第三數(shù)據(jù)d_p3可加載在頁緩沖器電路上。例如，分別對(duì)應(yīng)于八個(gè)狀態(tài)即擦除狀態(tài)e和第一編程狀態(tài)p1至第七編程狀態(tài)p7的“11100001”可加載在頁緩沖器電路115的第三數(shù)據(jù)鎖存器dl3上。在第三數(shù)據(jù)d_p3加載在第三數(shù)據(jù)鎖存器dl3上時(shí)可執(zhí)行還原。例如，可使用強(qiáng)制鎖存器fl(參照?qǐng)D29)檢測(cè)通過使用第一驗(yàn)證電壓vfy1和第二驗(yàn)證電壓vfy2執(zhí)行的驗(yàn)證禁止編程的存儲(chǔ)單元。在圖41中，用點(diǎn)填充的格指示檢測(cè)的存儲(chǔ)單元。

可確定待編程至包括第二編程狀態(tài)p2和高于第二編程狀態(tài)p2的編程狀態(tài)的狀態(tài)的存儲(chǔ)單元。在一個(gè)實(shí)施方式中，可確定分別對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存“0”的每個(gè)第三數(shù)據(jù)鎖存器dl3的存儲(chǔ)單元。在確定的存儲(chǔ)單元中待編程至第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1和第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2可更新為“00”或還原至“00”。此外，待編程至第四編程狀態(tài)p4的存儲(chǔ)單元的第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1和第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2的值可還原至“01”。在一個(gè)實(shí)施方式中，待編程至第三編程狀態(tài)p3和第四編程狀態(tài)p4的存儲(chǔ)單元可通過在強(qiáng)制鎖存器fl中備份第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2的位或通過使用其電平低于第二驗(yàn)證電壓vfy2的電平的強(qiáng)制電壓執(zhí)行強(qiáng)制讀取來確定。

參照?qǐng)D43和圖44，直到加載第三數(shù)據(jù)d_p3并進(jìn)行還原時(shí)，待編程至第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1可使用第一驗(yàn)證電壓vfy1驗(yàn)證，并且之后還可使用第一驗(yàn)證電壓vfy1驗(yàn)證。因此，待編程至第一編程狀態(tài)p1的存儲(chǔ)單元e_p1通?？删幊獭?/p>

直到加載第二數(shù)據(jù)d_p2并進(jìn)行還原時(shí)，待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2可使用第一驗(yàn)證電壓vfy1驗(yàn)證。直到加載第三數(shù)據(jù)d_p3并進(jìn)行還原時(shí)，待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2可使用第二驗(yàn)證電壓vfy2驗(yàn)證，并且之后也可使用第二驗(yàn)證電壓vfy2驗(yàn)證。因此，待編程至第二編程狀態(tài)p2的存儲(chǔ)單元e_p2通常可編程。

直到加載第二數(shù)據(jù)d_p2并進(jìn)行還原時(shí)，待編程至第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元e_p3可使用第一驗(yàn)證電壓vfy1驗(yàn)證。直到加載第三數(shù)據(jù)d_p3并進(jìn)行還原時(shí)，待編程至第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元e_p3可使用第二驗(yàn)證電壓vfy2驗(yàn)證，并且之后也可使用第三驗(yàn)證電壓vfy3驗(yàn)證。因此，待編程至第三編程狀態(tài)p3的存儲(chǔ)單元e_p3通常可編程。

直到加載第三數(shù)據(jù)d_p3并進(jìn)行還原時(shí)，待編程至第四編程狀態(tài)p4的存儲(chǔ)單元e_p4可使用第一驗(yàn)證電壓vfy1驗(yàn)證，并且之后也可使用第四驗(yàn)證電壓vfy4驗(yàn)證。因此，待編程至第四編程狀態(tài)p4的存儲(chǔ)單元e_p4通?？删幊獭?/p>

直到加載第三數(shù)據(jù)d_p3并進(jìn)行還原時(shí)，待編程至第五編程狀態(tài)p5的存儲(chǔ)單元e_p5可保持在擦除狀態(tài)e，并且之后也可使用第五驗(yàn)證電壓vfy5驗(yàn)證。因此，待編程至第五編程狀態(tài)p5的存儲(chǔ)單元e_p5通?？删幊獭?/p>

直到加載第二數(shù)據(jù)d_p2并進(jìn)行還原時(shí)，待編程至第六編程狀態(tài)p6的存儲(chǔ)單元e_p6可保持在擦除狀態(tài)e。直到加載第三數(shù)據(jù)d_p3并進(jìn)行還原時(shí)，待編程至第六編程狀態(tài)p6的存儲(chǔ)單元e_p6可不驗(yàn)證，并且之后也可使用第六驗(yàn)證電壓vfy6驗(yàn)證。加載第三數(shù)據(jù)d_p3所用的時(shí)間可短于存儲(chǔ)單元e_p6的閾值電壓達(dá)到第六驗(yàn)證電壓vfy6所用的時(shí)間。因此，待編程至第六編程狀態(tài)p6的存儲(chǔ)單元e_p6通常可編程。

直到加載第二數(shù)據(jù)d_p2并進(jìn)行還原時(shí)，待編程至第七編程狀態(tài)p7的存儲(chǔ)單元e_p7可保持在擦除狀態(tài)e。直到加載第三數(shù)據(jù)d_p3并進(jìn)行還原時(shí)，待編程至第七編程狀態(tài)p7的存儲(chǔ)單元e_p7可不驗(yàn)證，并且之后也可使用第七驗(yàn)證電壓vfy7驗(yàn)證。加載第三數(shù)據(jù)d_p3所用的時(shí)間可短于存儲(chǔ)單元e_p7的閾值電壓達(dá)到第七驗(yàn)證電壓vfy7所用的時(shí)間。因此，待編程至第七編程狀態(tài)p7的存儲(chǔ)單元e_p7通?？删幊獭?/p>

圖45示出了存儲(chǔ)單元通過兩個(gè)或更多編程操作編程的示例。在圖45中，橫坐標(biāo)代表閾值電壓，縱坐標(biāo)代表存儲(chǔ)單元的數(shù)量。

參照?qǐng)D3和圖45，存儲(chǔ)單元可通過三個(gè)編程操作po1至po3完全編程。在圖45中，可假設(shè)在每個(gè)存儲(chǔ)單元處編程三個(gè)位。

在第一編程操作po1期間，存儲(chǔ)單元可從擦除狀態(tài)e編程至擦除狀態(tài)e和第一中間編程狀態(tài)i1至第四中間編程狀態(tài)i4。執(zhí)行第一編程操作po1可需要至少兩個(gè)頁的數(shù)據(jù)。如根據(jù)圖1至圖19所述，編程操作可在頁緩沖器電路115上加載了至少兩個(gè)頁的頁之一的數(shù)據(jù)后開始。剩余頁的數(shù)據(jù)可在執(zhí)行編程操作的第一編程循環(huán)的編程時(shí)加載在頁緩沖器電路115上。

在一個(gè)實(shí)施方式中，在編程操作開始后，第二頁的數(shù)據(jù)可加載在頁緩沖器電路115上。然后可執(zhí)行第一編程循環(huán)的驗(yàn)證。在一個(gè)實(shí)施方式中，第三頁的數(shù)據(jù)可在第一編程循環(huán)的驗(yàn)證后編程操作繼續(xù)時(shí)加載在頁緩沖器電路115上。因?yàn)椴挥糜诘谝痪幊滩僮鱬o1，第三頁的數(shù)據(jù)可并行于編程操作加載在頁緩沖器電路115上。

第一編程操作po1可粗略執(zhí)行。例如，因?yàn)閳?zhí)行第一編程操作po1的存儲(chǔ)單元不是要讀取的存儲(chǔ)單元，第一編程操作po1可粗略地執(zhí)行而不用考慮讀取錯(cuò)誤。

加載在頁緩沖器電路115上的至少兩個(gè)頁的數(shù)據(jù)可分別在備份區(qū)域編程。例如，位可在備份區(qū)域的每個(gè)存儲(chǔ)單元處編程。

在第二編程操作po2期間，存儲(chǔ)單元可編程至擦除狀態(tài)e和第一編程狀態(tài)p1至第七編程狀態(tài)p7。在一個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)谌摰臄?shù)據(jù)不在第一編程操作po1期間加載時(shí)，第三頁的數(shù)據(jù)可在第二編程操作po2開始時(shí)加載。第二編程操作po2可基于在備份區(qū)域編程的數(shù)據(jù)、或者在備份區(qū)域編程的數(shù)據(jù)以及從控制器120(參照?qǐng)D1)加載在頁緩沖器電路115上的第三頁的數(shù)據(jù)二者來執(zhí)行。

第二編程操作po2可粗略地執(zhí)行。例如，因?yàn)閳?zhí)行第二編程操作po2的存儲(chǔ)單元不是要讀取的存儲(chǔ)單元，第二編程操作po2可粗略地執(zhí)行而不用考慮讀取錯(cuò)誤。

在第三編程操作po3期間，存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布可精細(xì)地編程。第三編程操作po3可基于在備份區(qū)域編程的數(shù)據(jù)執(zhí)行。存儲(chǔ)單元可在執(zhí)行第三編程操作po3時(shí)完全編程。

圖46示出了存儲(chǔ)單元通過兩個(gè)或更多編程操作編程的另一示例。在圖46中，橫坐標(biāo)代表閾值電壓，縱坐標(biāo)代表存儲(chǔ)單元的數(shù)量。

參照?qǐng)D3和圖46，存儲(chǔ)單元可通過執(zhí)行兩個(gè)編程操作po1和po2完全編程。在圖46中，可假設(shè)三個(gè)位在每個(gè)存儲(chǔ)單元處編程。

在第一編程操作po1期間，存儲(chǔ)單元可從擦除狀態(tài)e編程至擦除狀態(tài)e和第一編程狀態(tài)p1至第七編程狀態(tài)p7。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一編程操作po1可相當(dāng)于圖45的第二編程操作po2。

編程操作可在頁緩沖器電路115上加載第一頁的數(shù)據(jù)后開始。剩余頁的數(shù)據(jù)可在執(zhí)行第一編程循環(huán)的編程時(shí)加載在頁緩沖器電路115上。

第二編程操作po2可在執(zhí)行第一編程操作po1后執(zhí)行。第二編程操作po2可相當(dāng)于圖45的第三編程操作po3。存儲(chǔ)單元可在執(zhí)行第二編程操作po2時(shí)完全編程。

圖47是示出了當(dāng)四個(gè)位在每個(gè)存儲(chǔ)單元處編程時(shí)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的示意圖。在圖47中，橫坐標(biāo)代表閾值電壓，縱坐標(biāo)代表存儲(chǔ)單元的數(shù)量。

參照?qǐng)D3和圖47，每個(gè)存儲(chǔ)單元可具有擦除狀態(tài)e和第一編程狀態(tài)p1至第十五編程狀態(tài)p15的其中之一。為了編程存儲(chǔ)單元，對(duì)應(yīng)四個(gè)頁的數(shù)據(jù)可加載在頁緩沖器電路115上。四個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器dl(參照?qǐng)D4)可連接至一個(gè)位線bl。分別對(duì)應(yīng)四個(gè)頁的四個(gè)位可分別加載在四個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器dl上。

編程操作可在頁緩沖器電路115上加載第一頁的數(shù)據(jù)后執(zhí)行。剩余頁的數(shù)據(jù)或剩余頁的一部分的數(shù)據(jù)可在執(zhí)行第一編程循環(huán)的編程時(shí)加載在頁緩沖器電路115上。

圖48是示出由非易失性存儲(chǔ)器110的程序控制單元pcu1和控制器120的程序控制單元pcu2執(zhí)行的編程操作示例的流程圖。參照?qǐng)D1和圖48，在步驟s810中，控制器120的程序控制單元pcu2可提供第一數(shù)據(jù)至非易失性存儲(chǔ)器110。例如，第一數(shù)據(jù)可包括與屬于一個(gè)物理頁的邏輯頁中至少一個(gè)邏輯頁相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。

在第一數(shù)據(jù)發(fā)送至非易失性存儲(chǔ)器110之后，在步驟s820中，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)開始編程操作。在編程操作開始后，非易失性存儲(chǔ)器110的編程控制單元pcu1可將就緒/忙碌信號(hào)切換至就緒信號(hào)以通知控制器120其能夠額外地接收數(shù)據(jù)。

在步驟s830中，當(dāng)在非易失性存儲(chǔ)器110上執(zhí)行編程操作時(shí)，控制器120的程序控制單元pcu2可提供第二數(shù)據(jù)至非易失性存儲(chǔ)器110。例如，第二數(shù)據(jù)可包括與屬于一個(gè)物理頁的邏輯頁中至少一個(gè)邏輯頁相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。

當(dāng)接收第二數(shù)據(jù)時(shí)，在步驟s840中，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)繼續(xù)執(zhí)行編程操作。例如，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)繼續(xù)執(zhí)行在步驟s820中開始的編程操作。又例如，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第二數(shù)據(jù)繼續(xù)執(zhí)行在步驟s820中開始的編程操作。在編程操作開始后，非易失性存儲(chǔ)器110的編程控制單元pcu1可將就緒/忙碌信號(hào)切換至就緒信號(hào)以通知控制器120其能夠額外地接收數(shù)據(jù)。

在步驟s850中，當(dāng)在非易失性存儲(chǔ)器110上執(zhí)行編程操作時(shí)，控制器120的程序控制單元pcu2可提供第三數(shù)據(jù)至非易失性存儲(chǔ)器110。例如，第三數(shù)據(jù)可包括與屬于一個(gè)物理頁的邏輯頁中至少一個(gè)邏輯頁相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。

當(dāng)接收第三數(shù)據(jù)時(shí)，在步驟s860中，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)、第二數(shù)據(jù)和第三數(shù)據(jù)繼續(xù)執(zhí)行編程操作。例如，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)、第二數(shù)據(jù)和第三數(shù)據(jù)繼續(xù)執(zhí)行在步驟s820中開始的編程操作。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式，可在待通過編程操作編程的數(shù)據(jù)(例如第一數(shù)據(jù))的一部分發(fā)送至非易失性存儲(chǔ)器110之后開始編程操作。當(dāng)執(zhí)行編程操作時(shí)，待編程的其余數(shù)據(jù)(例如第二數(shù)據(jù)和第三數(shù)據(jù))可提供至非易失性存儲(chǔ)器110。當(dāng)接收到第二數(shù)據(jù)或第三數(shù)據(jù)時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第二數(shù)據(jù)或第三數(shù)據(jù)繼續(xù)執(zhí)行編程操作。因此，第二數(shù)據(jù)提供至非易失性存儲(chǔ)器110的時(shí)間可由執(zhí)行編程操作的時(shí)間屏蔽，從而降低執(zhí)行存儲(chǔ)裝置100的編程操作所需要的時(shí)間。

在一個(gè)實(shí)施方式中，可繼續(xù)執(zhí)行步驟s810和步驟s860。例如，為了請(qǐng)求讀取操作，當(dāng)執(zhí)行步驟s810至s840的編程操作時(shí)，可不允許來自非易失性存儲(chǔ)器110的擦除操作或另一編程操作。

在一個(gè)實(shí)施方式中，步驟s810至步驟s860可以是全部編程操作或編程操作的一部分。例如，非易失性存儲(chǔ)器110的存儲(chǔ)單元可根據(jù)高速編程(hsp)方案編程。在hsp方案中，存儲(chǔ)單元可通過執(zhí)行編程操作一次而完成編程?？山瓜鄬?duì)于完成編程的存儲(chǔ)單元額外執(zhí)行的編程操作。又例如，可根據(jù)重編程方案編程非易失性存儲(chǔ)器100的存儲(chǔ)單元。在重編程方案中，存儲(chǔ)單元可通過兩個(gè)或多個(gè)編程操作完成編程。例如，在完成編程操作之前可禁止讀取存儲(chǔ)單元的操作。可禁止相對(duì)于通過兩個(gè)或更多編程操作完成編程的存儲(chǔ)單元額外執(zhí)行的編程操作。

圖49和圖50是示出根據(jù)本公開實(shí)施方式的當(dāng)從輸入線/輸出線dq和就緒/忙碌信號(hào)rnb看時(shí)編程操作的時(shí)序圖。參照?qǐng)D1、圖3、圖49和圖25，在t1處，控制器120可通過輸入線/輸出線dq輸出第一序列s_p1。例如，控制器120可輸出數(shù)據(jù)輸入命令c_din、地址addr_p、第一數(shù)據(jù)d_p1、轉(zhuǎn)儲(chǔ)命令c_dm和結(jié)束命令c_e1。數(shù)據(jù)輸入命令c_din可為“80h”，其指示提供了待編程的數(shù)據(jù)。地址addr_p可指示數(shù)據(jù)在其中編程的存儲(chǔ)單元，例如物理頁的地址。第一數(shù)據(jù)d_p1可以是屬于與地址addr_p相對(duì)應(yīng)的物理頁的邏輯頁之一的數(shù)據(jù)。轉(zhuǎn)儲(chǔ)命令c_dm可以是用于請(qǐng)求數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲(chǔ)的命令，并且可為“c0h”。結(jié)束命令c_e1可為“11h”，其指示第一邏輯頁的數(shù)據(jù)完全傳輸。

當(dāng)?shù)谝惠斎胄蛄衧_p1in進(jìn)行時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可將就緒/忙碌信號(hào)rnb維持在高電平的就緒狀態(tài)。獨(dú)立于非易失性存儲(chǔ)器110輸出至控制器120的就緒/忙碌信號(hào)rnb，內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb可指示操作是否在非易失性存儲(chǔ)器中執(zhí)行。當(dāng)?shù)谝惠斎胄蛄衧_p1in進(jìn)行時(shí)，內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb可維持在高電平的就緒狀態(tài)。

在第一輸入序列s_p1in中，通過輸入線/輸出線dq從控制器120提供至非易失性存儲(chǔ)器110的第一數(shù)據(jù)d_p1可儲(chǔ)存在高速緩存鎖存器cl中。當(dāng)通過輸入線/輸出線dq接收轉(zhuǎn)儲(chǔ)命令c_dm和結(jié)束命令c_e1時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可轉(zhuǎn)儲(chǔ)負(fù)載于高速緩存鎖存器cl上的第一數(shù)據(jù)d_p1至第一數(shù)據(jù)鎖存器dl1或第二數(shù)據(jù)鎖存器dl2。當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器110轉(zhuǎn)儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)d_p1時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110的內(nèi)部就緒/忙碌信號(hào)irnb可在t2處從高電平的就緒狀態(tài)切換至低電平的忙碌狀態(tài)。就緒/忙碌信號(hào)rnb的狀態(tài)可從高電平的就緒狀態(tài)切換至低電平的忙碌狀態(tài)。當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)d_p1完成轉(zhuǎn)儲(chǔ)時(shí)，在t3處，就緒/忙碌信號(hào)rnb的狀態(tài)可改變?yōu)楦唠娖降木途w狀態(tài)。

在t3處，非易失性存儲(chǔ)器110可開始第一編程循環(huán)pl1的編程。當(dāng)在第一編程循環(huán)pl1的編程過程中控制電路cc和高速緩存鎖存器cl準(zhǔn)備好接收數(shù)據(jù)時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可使得就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降木途w狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施方式中，可在進(jìn)行第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in之間執(zhí)行編程或編程和驗(yàn)證讀取。

當(dāng)就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降木途w狀態(tài)時(shí)，控制器120可執(zhí)行第二數(shù)據(jù)輸入序列s_p2in。例如，控制器120可將數(shù)據(jù)輸入命令c_din、地址addr_p、第二數(shù)據(jù)d_p2、轉(zhuǎn)儲(chǔ)命令c_dm和結(jié)束命令c_e2順序提供至非易失性存儲(chǔ)器110。如第一輸入序列s_p1in，控制器120可在第二輸入序列s_p2in中將第二數(shù)據(jù)d_p2提供至非易失性存儲(chǔ)器110。第二數(shù)據(jù)d_p2可以是對(duì)應(yīng)于地址addr_p的存儲(chǔ)單元中待編程的第二邏輯頁的數(shù)據(jù)。結(jié)束命令c_e2可指示第二邏輯頁的數(shù)據(jù)完全傳輸。

當(dāng)通過輸入線/輸出線dq接收轉(zhuǎn)儲(chǔ)命令c_dm和結(jié)束命令c_e2時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可轉(zhuǎn)儲(chǔ)負(fù)載于高速緩存鎖存器cl上的第二數(shù)據(jù)d_p2至第一數(shù)據(jù)鎖存器dl2或第二數(shù)據(jù)鎖存器dl1。當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器110轉(zhuǎn)儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)d_p2時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110的就緒/忙碌信號(hào)rnb可在t4處從高電平的就緒狀態(tài)切換至低電平的忙碌狀態(tài)。當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)d_p2完成轉(zhuǎn)儲(chǔ)時(shí)，在t5處，就緒/忙碌信號(hào)rnb的狀態(tài)可改變?yōu)楦唠娖降木途w狀態(tài)。

在t5處，非易失性存儲(chǔ)器110可執(zhí)行第一編程循環(huán)pl1的剩余過程。例如，可執(zhí)行第一編程循環(huán)pl1的選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)、禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)以及通過-失敗校驗(yàn)或第一編程循環(huán)pl1的選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)、禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)、通過-失敗校驗(yàn)和驗(yàn)證讀取。

此外，當(dāng)就緒/忙碌信號(hào)rnb轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降木途w狀態(tài)時(shí)，控制器120可執(zhí)行第三數(shù)據(jù)輸入序列s_p3in。例如，控制器120可將數(shù)據(jù)輸入命令c_din、地址addr_p、第三數(shù)據(jù)d_p3和結(jié)束命令c_e3順序提供至非易失性存儲(chǔ)器110。第三數(shù)據(jù)d_p3可以是對(duì)應(yīng)于地址addr_p的存儲(chǔ)單元中待編程的第三邏輯頁的數(shù)據(jù)。結(jié)束命令c_e3可指示第三邏輯頁的數(shù)據(jù)完全傳輸。

在第一編程循環(huán)pl1在t6處完成同時(shí)執(zhí)行第三數(shù)據(jù)輸入序列s_p3in的情況下，非易失性存儲(chǔ)器110可執(zhí)行第二編程循環(huán)pl2的編程。例如，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)d_p1或第一數(shù)據(jù)d_p1和第二數(shù)據(jù)d_p2執(zhí)行第二編程循環(huán)pl2。例如，非易失性存儲(chǔ)器110可執(zhí)行第二編程循環(huán)pl2的編程或第二編程循環(huán)pl2的編程和驗(yàn)證讀取。

當(dāng)在t7處完成第三數(shù)據(jù)輸入序列s_p3in時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)d_p1、第二數(shù)據(jù)d_p2和第三數(shù)據(jù)d_p3繼續(xù)執(zhí)行編程操作。

在一個(gè)實(shí)施方式中，在完成編程操作之后或當(dāng)其能夠接收下一命令時(shí)，就緒/忙碌信號(hào)rnb可返回至高電平的就緒狀態(tài)。

如參照?qǐng)D48至圖50所述，將數(shù)據(jù)發(fā)送至非易失性存儲(chǔ)器三次是有必要的，在非易失性存儲(chǔ)器中每個(gè)存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存3-位數(shù)據(jù)，以執(zhí)行編程操作。然而，在進(jìn)行編程循環(huán)同時(shí)在執(zhí)行第一數(shù)據(jù)傳輸操作之后執(zhí)行第二數(shù)據(jù)傳輸操作的情況下，數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間可由完全或部分同時(shí)的編程時(shí)間遮蔽。此外，在額外進(jìn)行一個(gè)編程循環(huán)同時(shí)執(zhí)行第三數(shù)據(jù)傳輸操作的情況下，數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間可由完全或部分同時(shí)的編程時(shí)間遮蔽。因此，可提高存儲(chǔ)裝置100的操作速度。

圖51示出用于電壓和用于過程的數(shù)據(jù)的時(shí)間線，其中基于圖48的方法在存儲(chǔ)單元執(zhí)行第一編程循環(huán)。在圖51中，橫坐標(biāo)表示時(shí)間t?？v坐標(biāo)表示通過輸入線/輸出線dq傳輸?shù)臄?shù)據(jù)和施加至與選取的存儲(chǔ)單元連接的字線的電壓。

參照?qǐng)D3、圖49和圖51，在t1處，第一數(shù)據(jù)d_p1可通過輸入線/輸出線dq提供至頁緩沖器電路115。當(dāng)在t3處開始第一編程循環(huán)pl1的編程時(shí)，頁緩沖器電路115可基于第一數(shù)據(jù)d_p1設(shè)置位線bl。例如，頁緩沖器電路115可將位線分類為待禁止編程的位線和待編程的位線。行解碼器電路113可施加編程電壓vpgm至選取的字線。當(dāng)編程電壓vpgm施加至選取的字線時(shí)，第二數(shù)據(jù)d_p2可通過輸入線/輸出線dq提供至頁緩沖器電路115。

在一個(gè)實(shí)施方式中，可關(guān)于與最低閾值電壓(或最低閾值電壓分布范圍)對(duì)應(yīng)的擦除狀態(tài)e和編程狀態(tài)p1執(zhí)行第一編程循環(huán)pl1的驗(yàn)證讀取。例如，可通過使用第一驗(yàn)證電壓vfy1執(zhí)行第一編程循環(huán)pl1的驗(yàn)證讀取?？稍诮邮盏诙?shù)據(jù)d_p2時(shí)使用第一數(shù)據(jù)d_p1或在接收第二數(shù)據(jù)d_p2之后使用第一數(shù)據(jù)d_p1和第二數(shù)據(jù)d_p2執(zhí)行第一編程循環(huán)pl1的驗(yàn)證讀取?？稍诮邮盏诙?shù)據(jù)d_p2之后使用第一數(shù)據(jù)d_p1和第二數(shù)據(jù)d_p2執(zhí)行第一編程循環(huán)pl1的選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)、禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)和通過-失敗校驗(yàn)。

當(dāng)在t6處開始第二編程循環(huán)pl2的編程時(shí)，頁緩沖器電路115可基于第一數(shù)據(jù)d_p1、第二數(shù)據(jù)d_p2或第一數(shù)據(jù)d_p1和第二數(shù)據(jù)d_p2設(shè)置位線bl。例如，頁緩沖器電路115可將位線分類為待禁止編程的位線和待編程的位線。行解碼器電路113可施加編程電壓vpgm至選取的字線。當(dāng)編程電壓vpgm施加至選取的字線時(shí)，第三數(shù)據(jù)d_p3可通過輸入線/輸出線dq提供至頁緩沖器電路115。

在一個(gè)實(shí)施方式中，可關(guān)于與最低閾值電壓(或最低閾值電壓分布范圍)和第二低閾值電壓(或第二低閾值電壓分布范圍)對(duì)應(yīng)的編程狀態(tài)p1以及關(guān)于與最低閾值電壓對(duì)應(yīng)的擦除狀態(tài)e和編程狀態(tài)p1執(zhí)行第二編程循環(huán)pl2的驗(yàn)證讀取。例如，可通過使用第一驗(yàn)證電壓vfy1和第二驗(yàn)證電壓vfy2執(zhí)行第二編程循環(huán)pl2的驗(yàn)證讀取?？稍诮邮盏谌龜?shù)據(jù)d_p3時(shí)使用第一數(shù)據(jù)d_p1和第二數(shù)據(jù)d_p2或在接收第三數(shù)據(jù)d_p3之后使用第一數(shù)據(jù)d_p1、第二數(shù)據(jù)d_p2和第三數(shù)據(jù)d_p3執(zhí)行第二編程循環(huán)pl2的驗(yàn)證讀取。可在接收第三數(shù)據(jù)d_p3之后使用第一數(shù)據(jù)d_p1、第二數(shù)據(jù)d_p2和第三數(shù)據(jù)d_p3執(zhí)行第二編程循環(huán)pl2的選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)、禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)和通過-失敗校驗(yàn)。

在一個(gè)實(shí)施方式中，在第二編程循環(huán)pl2中，可在接收第三數(shù)據(jù)d_p3時(shí)執(zhí)行使用第一驗(yàn)證電壓vfy1的驗(yàn)證讀取。在第二編程循環(huán)pl2中，可在接收第三數(shù)據(jù)d_p3之后通過使用第一數(shù)據(jù)d_p1、第二數(shù)據(jù)d_p2和第三數(shù)據(jù)d_p3執(zhí)行使用第二驗(yàn)證電壓vfy2的驗(yàn)證。

當(dāng)完全接收第三數(shù)據(jù)d_p3時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)d_p1、第二數(shù)據(jù)d_p2和第三數(shù)據(jù)d_p3執(zhí)行正常編程操作。例如，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)d_p1、第二數(shù)據(jù)d_p2和第三數(shù)據(jù)d_p3將位線分類為待禁止編程的位線和待編程的位線。在編程電壓vpgm施加至所選的字線之后，非易失性存儲(chǔ)器110可通過使用對(duì)應(yīng)于編程狀態(tài)的第一驗(yàn)證電壓vfy1至第七驗(yàn)證電壓vfy7執(zhí)行驗(yàn)證讀取。關(guān)于使用各個(gè)驗(yàn)證電壓的各個(gè)驗(yàn)證讀取，非易失性存儲(chǔ)器110可基于第一數(shù)據(jù)d_p1、第二數(shù)據(jù)d_p2和第三數(shù)據(jù)d_p3執(zhí)行選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)、禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)以及通過-失敗校驗(yàn)。

圖52和圖53是示出當(dāng)執(zhí)行圖51的編程操作的編程循環(huán)時(shí)存儲(chǔ)單元的閾值電壓改變的示例的示意圖。在圖52中，橫坐標(biāo)表示存儲(chǔ)單元的閾值電壓vth?？v坐標(biāo)表示存儲(chǔ)單元mc的數(shù)量。

參照?qǐng)D48至圖52，參考標(biāo)記“e_e”可指示在編程操作過程中維持各個(gè)擦除狀態(tài)的存儲(chǔ)單元。禁止存儲(chǔ)單元e_e指示由于編程操作過程中禁止編程而維持擦除狀態(tài)的存儲(chǔ)單元。編程存儲(chǔ)單元e_p1至e_p7指示待編程至第一編程狀態(tài)p1至第七編程狀態(tài)p7的存儲(chǔ)單元。

在一個(gè)實(shí)施方式中，第一數(shù)據(jù)d_p1可指示存儲(chǔ)單元是否屬于第一編程存儲(chǔ)單元e_p1至第四編程存儲(chǔ)單元e_p4。第二數(shù)據(jù)d_p2可指示存儲(chǔ)單元是否屬于第二編程存儲(chǔ)單元e_p2、第三編程存儲(chǔ)單元e_p3、第六編程存儲(chǔ)單元e_p6和第七編程存儲(chǔ)單元e_p7。

可通過使用第一數(shù)據(jù)d_p1執(zhí)行第一編程循環(huán)pl1的編程。由此，第一編程存儲(chǔ)單元e_p1至第四編程存儲(chǔ)單元e_p4的閾值電壓可一同增加。在第一編程循環(huán)pl1的驗(yàn)證讀取過程中，可確定第一編程存儲(chǔ)單元e_p1至第四編程存儲(chǔ)單元e_p4的閾值電壓是否大于第一驗(yàn)證電壓vfy1。確定為在驗(yàn)證讀取過程中具有大于第一驗(yàn)證電壓vfy1的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可為禁止編程的。當(dāng)接收第二數(shù)據(jù)d_p2時(shí)，可執(zhí)行選擇轉(zhuǎn)儲(chǔ)和禁止轉(zhuǎn)儲(chǔ)。編程為高于與第一驗(yàn)證電壓vfy1相對(duì)應(yīng)的第一編程狀態(tài)p1的編程狀態(tài)的存儲(chǔ)單元可基于第一數(shù)據(jù)d_p1和第二數(shù)據(jù)d_p2從禁止編程狀態(tài)釋放。例如，第二編程存儲(chǔ)單元e_p2、第三編程存儲(chǔ)單元e_p3、第六編程存儲(chǔ)單元e_p6和第七編程存儲(chǔ)單元e_p7可從禁止編程狀態(tài)釋放。

參照?qǐng)D48至圖53，可基于第一數(shù)據(jù)d_p1和第二數(shù)據(jù)d_p2執(zhí)行第二編程循環(huán)pl2。由此，不是禁止編程的存儲(chǔ)單元中第一編程存儲(chǔ)單元e_p1、第四編程存儲(chǔ)單元e_p4、第六編程存儲(chǔ)單元e_p6和第七編程存儲(chǔ)單元e_p7的閾值電壓可增加。

圖54是用于電壓和用于另一過程的數(shù)據(jù)的時(shí)間線，其中基于圖53的方法在存儲(chǔ)單元執(zhí)行編程循環(huán)。在圖54中，橫坐標(biāo)表示時(shí)間t?？v坐標(biāo)表示通過輸入線/輸出線dq傳輸?shù)臄?shù)據(jù)和施加至與選取的存儲(chǔ)單元連接的字線的電壓v。

與圖51的第二編程循環(huán)pl2相比，在第二編程循環(huán)pl2中，可使用第二驗(yàn)證電壓vfy2，而可不使用第一驗(yàn)證電壓vfy1。例如，第二編程循環(huán)pl2的編程和驗(yàn)證讀取可通過使用第二數(shù)據(jù)d_p2而執(zhí)行。

圖55是示出當(dāng)執(zhí)行圖54的編程操作的編程循環(huán)時(shí)存儲(chǔ)單元的閾值電壓改變的示例的示意圖。在圖55中，橫坐標(biāo)表示存儲(chǔ)單元的閾值電壓vth。縱坐標(biāo)表示存儲(chǔ)單元的數(shù)量。在圖55中，示出了這樣的示例，其中圖52所示的存儲(chǔ)單元通過圖54的第二編程循環(huán)pl2編程。

與圖52的第二編程循環(huán)pl2相比，由第二數(shù)據(jù)d_p2區(qū)分的第二編程存儲(chǔ)單元e_p2、第三編程存儲(chǔ)單元e_p3、第六編程存儲(chǔ)單元e_p6和第七編程存儲(chǔ)單元e_p7可在第二編程循環(huán)pl2中編程。在第二編程循環(huán)pl2的驗(yàn)證讀取過程中，可確定第二編程存儲(chǔ)單元e_p2、第三編程存儲(chǔ)單元e_p3、第六編程存儲(chǔ)單元e_p6和第七編程存儲(chǔ)單元e_p7的閾值電壓是否高于第二驗(yàn)證電壓vfy2。確定為在驗(yàn)證讀取過程中具有大于第二驗(yàn)證電壓vfy2的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可為禁止編程的。

圖56是用于電壓和用于另一過程的數(shù)據(jù)的時(shí)間線，其中基于圖48的方法在存儲(chǔ)單元執(zhí)行編程循環(huán)。在圖56中，橫坐標(biāo)表示時(shí)間t。縱坐標(biāo)表示通過輸入線/輸出線dq傳輸?shù)臄?shù)據(jù)和施加至與選取的存儲(chǔ)單元連接的字線的電壓v。

與圖51的第一編程循環(huán)pl1和第二編程循環(huán)pl2相比，在第一編程循環(huán)pl1和第二編程循環(huán)pl2中可不使用驗(yàn)證電壓。也就是說，可不執(zhí)行驗(yàn)證。在一個(gè)實(shí)施方式中，可基于第一數(shù)據(jù)d_p1區(qū)分相對(duì)較高的編程狀態(tài)例如第四編程狀態(tài)p4、第五編程狀態(tài)p5、第六編程狀態(tài)p6或第七編程狀態(tài)p7。在第一編程循環(huán)pl1和第二編程循環(huán)pl2中，對(duì)應(yīng)于相對(duì)較高的編程狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓可預(yù)先增加。因此，由于存儲(chǔ)單元的閾值電壓波動(dòng)在隨后的編程循環(huán)中降低，施加至存儲(chǔ)單元的應(yīng)力可減少。這可意味著存儲(chǔ)單元的可靠性得到了提高。由于對(duì)應(yīng)于相對(duì)較高的編程狀態(tài)的存儲(chǔ)單元在第一編程循環(huán)pl1和第二編程循環(huán)pl2中為編程的，可防止存儲(chǔ)單元過度編程。

圖57是用于電壓和用于另一過程的數(shù)據(jù)的時(shí)間線，其中基于圖48的方法在存儲(chǔ)單元執(zhí)行編程循環(huán)。在圖57中，橫坐標(biāo)表示時(shí)間t。縱坐標(biāo)表示通過輸入線/輸出線dq傳輸?shù)臄?shù)據(jù)和施加至與選取的存儲(chǔ)單元連接的字線的電壓v。

與圖51的第一編程循環(huán)pl1相比，在第一編程循環(huán)pl1可不執(zhí)行驗(yàn)證?？苫诘谝粩?shù)據(jù)d_p1區(qū)分相對(duì)較高的編程狀態(tài)例如第四編程狀態(tài)p4、第五編程狀態(tài)p5、第六編程狀態(tài)p6或第七編程狀態(tài)p7。在第一編程循環(huán)pl1中，對(duì)應(yīng)于相對(duì)較高的編程狀態(tài)的存儲(chǔ)單元可預(yù)先編程?？稍诘诙幊萄h(huán)pl2中使用第一驗(yàn)證電壓vfy1。在一個(gè)實(shí)施方式中，可使用第二數(shù)據(jù)d_p2區(qū)分擦除狀態(tài)e和最低第一編程狀態(tài)p1。因此，第二數(shù)據(jù)d_p2可用于使用第一驗(yàn)證電壓vfy1執(zhí)行驗(yàn)證。

圖58是示出了根據(jù)本公開實(shí)施方式的存儲(chǔ)塊blka的電路圖。參照?qǐng)D58，存儲(chǔ)塊blka可包括多個(gè)單元串cs11至cs21和cs12至cs22。多個(gè)單元串cs11至cs21和cs12至cs22可沿行方向和列方向布置以構(gòu)成行和列。

例如，沿行方向布置的單元串cs11和cs12可構(gòu)成第一行，沿行方向布置的單元串cs21和cs22可構(gòu)成第二行。沿列方向布置的單元串cs11和cs12可構(gòu)成第一列，沿列方向布置的單元串cs12和cs22可構(gòu)成第二列。

每個(gè)單元串可包含多個(gè)單元晶體管。單元晶體管可包括地選晶體管gst、存儲(chǔ)單元mc1至mc6以及串選晶體管ssta和sstb。每個(gè)單元串中的地選晶體管gst、存儲(chǔ)單元mc1至mc6以及串選晶體管ssta和sstb可在垂直于單元串cs11至cs21和cs12至cs22沿行和列布置其上的平面(例如存儲(chǔ)塊的襯底上的平面)的高度方向上堆疊。

多個(gè)單元晶體管可為電荷捕獲型單元晶體管，其閾值電壓根據(jù)在其絕緣層中捕獲的電荷數(shù)量變化。

最底部的地選晶體管gst的源可共同連接至共源線csl。

第一行中的單元串cs11和cs12的地選晶體管gst的控制柵可共同連接至地選擇線gsl1，第二行中的單元串cs21和cs22的地選晶體管gst的控制柵可共同連接至地選擇線gsl2。就是說，不同行中的單元串可連接至不同的地選擇線。

置于從襯底(或地選晶體管gst)起相同高度(或順序)處的存儲(chǔ)單元的控制柵共同連接至字線。置于不同高度(或順序)處的存儲(chǔ)單元的控制柵連接至不同字線wl1至wl6。例如，存儲(chǔ)單元mc1可共同連接至字線wl1。存儲(chǔ)單元mc2可共同連接至wl2。存儲(chǔ)單元mc3可共同連接至wl3。存儲(chǔ)單元mc4可共同連接至wl4。存儲(chǔ)單元mc5可共同連接至wl5。存儲(chǔ)單元mc6可共同連接至wl6。

不同行中的單元串可連接至不同的串選擇線ssl1a和ssl2a或ssl1b和ssl2b。相同行中具有相同高度(或順序)的串選晶體管ssta或sstb可連接至相同的串選擇線。相同行中具有不同高度(或順序)的串選晶體管ssta和sstb連接至不同的串選擇線。

單元串cs11至cs21和cs12至cs22的列可連接至不同位線bl1和bl2。例如，第一列中的單元串cs11至cs21的串選晶體管sstb可共同連接至位線bl1。單元串cs12和cs22的串選晶體管sstb可共同連接至位線bl2。

在一個(gè)實(shí)施方式中，物理頁中的存儲(chǔ)單元mc可相當(dāng)于至少三個(gè)邏輯頁。例如，k個(gè)位(k為2或更大的整數(shù))可在存儲(chǔ)單元mc中編程。物理頁的存儲(chǔ)單元mc可儲(chǔ)存k個(gè)邏輯頁，其每個(gè)都由分別在存儲(chǔ)單元mc處編程的n個(gè)位組成。

如上所述，可在三維的存儲(chǔ)器陣列處提供存儲(chǔ)塊blka。3d存儲(chǔ)器陣列在存儲(chǔ)單元mc的陣列的一個(gè)或多個(gè)物理層級(jí)中單片地形成，該存儲(chǔ)單元mc具有置于與其操作有關(guān)的硅襯底和電路之上的活動(dòng)區(qū)域。與存儲(chǔ)單元mc的操作有關(guān)的電路可位于這樣的襯底之上或之中。術(shù)語“單片”意指陣列的每個(gè)層級(jí)的層都直接置于3d存儲(chǔ)器陣列的每個(gè)下層的層上面。

在本公開的實(shí)施方式中，3d存儲(chǔ)器陣列包括垂直的nand串(或單元串)，該串垂直定向以便至少一個(gè)存儲(chǔ)單元位于另一存儲(chǔ)單元之上。至少一個(gè)存儲(chǔ)單元mc可包含電荷捕獲層。每個(gè)垂直nand串還包括置于存儲(chǔ)單元mc之上的至少一個(gè)選擇晶體管。至少一個(gè)選擇晶體管可具有和存儲(chǔ)單元mc相同的結(jié)構(gòu)并可由存儲(chǔ)單元mc一致地形成。

以下通過引用而包含的專利文件描述了用于三維存儲(chǔ)器陣列的適當(dāng)配置，其中三維存儲(chǔ)器陣列被配置為多個(gè)層級(jí)，具有在層級(jí)間共享的字線和/或位線：7,679,133號(hào)、8,553,466號(hào)、8,654,587號(hào)、8,559,235號(hào)美國(guó)專利以及2011/0233648號(hào)美國(guó)專利公開。

圖59是示出了根據(jù)本公開實(shí)施方式的控制器120的框圖。參照?qǐng)D59，控制器120可包括總線121、處理器122、ram123、ecc塊124、主機(jī)接口125、緩沖器控制電路126和存儲(chǔ)器接口127。

總線121可被配置為提供控制器120的組件之中的信道。

處理器122可控制控制器120的整體操作并可執(zhí)行邏輯操作。處理器122可通過主機(jī)接口125與外部主機(jī)裝置通信，可通過存儲(chǔ)器接口127與非易失性存儲(chǔ)器110通信，并可通過緩沖器控制電路126與ram123通信。處理器122可使用ram123作為工作存儲(chǔ)器、高速緩存或緩沖存儲(chǔ)器來控制存儲(chǔ)裝置100。

ram123可用作處理器122的工作存儲(chǔ)器、高速緩存或緩沖存儲(chǔ)器。

糾錯(cuò)塊124可執(zhí)行錯(cuò)誤修正操作。ecc塊124可基于要通過存儲(chǔ)器接口127在非易失性存儲(chǔ)器110寫入的數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯(cuò)編碼。ecc塊124可在通過存儲(chǔ)器接口127從非易失性存儲(chǔ)器110接收的數(shù)據(jù)上執(zhí)行糾錯(cuò)解碼。

主機(jī)接口125可在處理器122的控制下與外部主機(jī)裝置通信。緩沖器控制電路126可在處理器122的控制下控制ram123。存儲(chǔ)器接口127可響應(yīng)處理器122的控制與非易失性存儲(chǔ)器110通信。存儲(chǔ)器接口127可包括根據(jù)本公開實(shí)施方式的編程控制單元pcu2。編程控制單元pcu2可當(dāng)編程操作期間向非易失性存儲(chǔ)器110提供命令、地址或數(shù)據(jù)時(shí)控制時(shí)序。例如，編程控制單元pcu2可被配置為向非易失性存儲(chǔ)器110提供如根據(jù)圖5和6或圖17所述的序列。

圖60是示出了根據(jù)本公開實(shí)施方式的計(jì)算裝置1000的框圖。參照?qǐng)D60，計(jì)算裝置1000可包括處理器1100、ram1200、存儲(chǔ)裝置1300、調(diào)制解調(diào)器1400和用戶接口1500。

處理器1100可控制計(jì)算裝置1000的整體操作并可執(zhí)行邏輯操作。處理器1100可為基于硬件的數(shù)據(jù)處理裝置，其包括的電路在物理上被配置為執(zhí)行以代碼或編程中包括的命令所表達(dá)的操作。

ram1200可與處理器1100通信。ram1200可為處理器1100或計(jì)算裝置1000的主存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)裝置1300可與處理器1100通信。存儲(chǔ)裝置1300可用于長(zhǎng)期儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。

調(diào)制解調(diào)器1400可在處理器1100的控制下與外部裝置通信。例如，調(diào)制解調(diào)器1400可以有線或無線方式與外部裝置溝通。用戶接口1500可在處理器1100的控制下與用戶通信。

存儲(chǔ)裝置1300可包括根據(jù)本公開實(shí)施方式的存儲(chǔ)裝置100、200和300的其中之一。處理器1100、ram1200、調(diào)制解調(diào)器1400和用戶接口1500可構(gòu)成與存儲(chǔ)裝置通信的主機(jī)裝置。

雖然已參照示例性實(shí)施方式描述了本公開，但對(duì)于本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員顯而易見的是，可進(jìn)行各種變化和修改而不背離本公開的精神和范圍。因此，應(yīng)理解的是以上實(shí)施方式并非限制性的而是說明性的。