本發(fā)明涉及一種非依電性存儲(chǔ)器，且特別涉及一種三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器的控制器裝置與操作方法。

背景技術(shù)：

與非式(nand)快閃存儲(chǔ)器(flashmemory)技術(shù)已進(jìn)展至三維架構(gòu)(3-dimensionalarchitecture)。圖1繪示了三維架構(gòu)快閃存儲(chǔ)器100的立體示意圖。如圖1所示，位線(bitline)110、上選擇器(upperselector)120、字線(wordline)130與下選擇器(lowerselector)140堆迭于基板(substrate)150上。在三維架構(gòu)快閃存儲(chǔ)器100中，多個(gè)字線130堆迭于上選擇器120與下選擇器140之間，其中字線130的層數(shù)是依照設(shè)計(jì)需求決定的。多個(gè)溝道(channel，又稱之為“通道”)160貫穿于上選擇器120、字線130與下選擇器140，如圖1所示。

圖2繪示了圖1所示三維架構(gòu)快閃存儲(chǔ)器100的俯視示意圖。圖3繪示了圖1與圖2所示溝道160的等效電路示意圖。圖3所示三維架構(gòu)快閃存儲(chǔ)器100具有5層字線130，分別標(biāo)示為130_1、130_2、130_3、130_4與130_5。圖3所示溝道160具有上開關(guān)161與下開關(guān)163。上開關(guān)161的第一端耦接至對應(yīng)的位線110。上開關(guān)161的控制端受控于上選擇器120的控制信號(hào)dsg。下開關(guān)163的第一端耦接至基板150的源線(sourceline)170。下開關(guān)163的控制端受控于下選擇器140的控制信號(hào)ssg。圖3所示溝道160還具有5個(gè)浮柵晶體管162_1、162_2、162_3、162_4與162_5，其柵極分別受控于字線130_1、130_2、130_3、130_4與130_5。浮柵晶體管162_1、162_2、162_3、162_4與162_5串接于上開關(guān)161的第二端與下開關(guān)163的第二端之間，如圖3所示。

三維架構(gòu)快閃存儲(chǔ)器解決了已知二維架構(gòu)的快閃存儲(chǔ)器的一些問題，卻也產(chǎn)生了另一些問題。一些共同的問題包括數(shù)據(jù)保持特性(dataretention)、讀取干擾(readdisturb)或編程干擾(programdisturb)等，其將導(dǎo)致記憶胞(cell)電壓分布的變化，進(jìn)而導(dǎo)致可靠性降低。二維架構(gòu)的快閃存儲(chǔ)器與三維架構(gòu)的快閃存儲(chǔ)器具有不同的特性，這對nand快閃存儲(chǔ)器的耐用性有不同的影響。主要的區(qū)別是三維架構(gòu)的nand快閃存儲(chǔ)器具有較大的“字線對字線的變異”(wordline-to-wordlinevariation)。不同層的字線之間的錯(cuò)誤位的分布是不均勻的。

圖4是說明圖1至圖3所示三維架構(gòu)快閃存儲(chǔ)器100的數(shù)據(jù)電壓的分布示意圖。在此假設(shè)浮柵晶體管162_1、162_2、162_3、162_4與162_5的結(jié)構(gòu)為多層記憶胞(multi-levelcell，mlc)。圖4所示橫軸表示電壓，縱軸表示分布量。多層記憶胞快閃存儲(chǔ)器的讀取電壓(或稱閾值電壓)包含上頁讀取電壓vtu1、上頁讀取電壓vtu2與下頁讀取電壓vtl。以字線130_1為例(其余字線130_2、130_3、130_4與130_5可以參照字線130_1的說明而類推)，圖4繪示了四條常態(tài)分布(normaldistribution)曲線401、402、403與404。常態(tài)分布曲線401表示，在與字線130_1相連接的記憶胞(浮柵晶體管)中，具有上頁數(shù)據(jù)為“1”且下頁數(shù)據(jù)為“1”的記憶胞的數(shù)據(jù)電壓分布。常態(tài)分布曲線402表示，在與字線130_1相連接的記憶胞(浮柵晶體管)中，具有上頁數(shù)據(jù)為“0”且下頁數(shù)據(jù)為“1”的記憶胞的數(shù)據(jù)電壓分布。常態(tài)分布曲線403表示，在與字線130_1相連接的記憶胞(浮柵晶體管)中，具有上頁數(shù)據(jù)為“0”且下頁數(shù)據(jù)為“0”的記憶胞的數(shù)據(jù)電壓分布。常態(tài)分布曲線404表示，在與字線130_1相連接的記憶胞(浮柵晶體管)中，具有上頁數(shù)據(jù)為“1”且下頁數(shù)據(jù)為“0”的記憶胞的數(shù)據(jù)電壓分布。

請參照圖4，當(dāng)某一記憶胞的數(shù)據(jù)電壓小于讀取電壓vtl時(shí)，此記憶胞的下頁數(shù)據(jù)可以被判定為“1”。當(dāng)此記憶胞的數(shù)據(jù)電壓大于讀取電壓vtl時(shí)，此記憶胞的下頁數(shù)據(jù)可以被判定為“0”。當(dāng)此記憶胞的數(shù)據(jù)電壓小于讀取電壓vtu1與vtu2時(shí)，或是當(dāng)此記憶胞的數(shù)據(jù)電壓大于讀取電壓vtu1與vtu2時(shí)，此記憶胞的上頁數(shù)據(jù)可以被判定為“1”。當(dāng)此記憶胞的數(shù)據(jù)電壓在讀取電壓vtu1與vtu2之間時(shí)，此記憶胞的上頁數(shù)據(jù)可以被判定為“0”。因此，依照這些讀取電壓vtu1、vtu2與vtl，記憶胞的數(shù)據(jù)電壓可以被轉(zhuǎn)換為對應(yīng)數(shù)據(jù)。

由于數(shù)據(jù)保持特性、讀取干擾或編程干擾等因素，記憶胞電壓分布的變化，進(jìn)而導(dǎo)致可靠性降低。對于不同層的字線，其電壓分布的變化亦有不同。記憶胞所輸出的數(shù)據(jù)電壓若偏移至較低(或較高)的電壓，亦即造成常態(tài)分布曲線的偏移。例如，圖4所示字線130_2的常態(tài)分布曲線往右偏移的程度大于字線130_1的常態(tài)分布曲線往右偏移的程度，字線130_3的常態(tài)分布曲線往右偏移的程度大于字線130_2的常態(tài)分布曲線往右偏移的程度。數(shù)據(jù)電壓的偏移可能在經(jīng)讀取/轉(zhuǎn)換后的對應(yīng)數(shù)據(jù)中造成更多的錯(cuò)誤位。

已知nand快閃存儲(chǔ)器控制器采用的錯(cuò)誤檢查和糾正(errorcheckingandcorrecting，以下稱ecc)方案，如bch(bose-chaudhuri-hocquengh)碼算法或是低密度同位檢查(lowdensityparitycheck，ldpc)碼算法。已知控制器是使用具有固定的校驗(yàn)位(parity-bit)長度來糾正帶有錯(cuò)誤位的數(shù)據(jù)。對于二維架構(gòu)的快閃存儲(chǔ)器而言因?yàn)槠潆妷悍植季鶆?，已知的ecc方案運(yùn)作良好。然而，已知的ecc方案不能有效地運(yùn)行于三維架構(gòu)的nand快閃存儲(chǔ)器，因?yàn)樵诓煌志€之間錯(cuò)誤位不是均勻地分布。如果在三維架構(gòu)的nand快閃存儲(chǔ)器中使用相同的ecc方案(相同的校驗(yàn)位長度)來對待每一個(gè)字線，那么對于數(shù)據(jù)電壓的偏移幅度較小的字線而言，所配置的校驗(yàn)位長度將形成過度配置，從而降低了存儲(chǔ)設(shè)備的效能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器的控制器裝置與操作方法，其可以改善校驗(yàn)位長度過度配置的情形。

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器的控制器裝置。所述控制器裝置包括錯(cuò)誤檢查和糾正電路以及控制器?？刂破黢罱又寥S架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器與錯(cuò)誤檢查和糾正電路?？刂破骺梢砸勒瘴锢淼刂反嫒∪S架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器的目標(biāo)字線?？刂破鲗⑷S架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器的多個(gè)字線分群為多個(gè)字線群，其中不同字線群具有不同的碼字結(jié)構(gòu)?？刂破饕罁?jù)目標(biāo)字線所屬字線群的碼字結(jié)構(gòu)來控制錯(cuò)誤檢查和糾正電路，而錯(cuò)誤檢查和糾正電路依據(jù)控制器的控制而產(chǎn)生碼字用以存放于目標(biāo)字線，或依據(jù)控制器的控制而檢查來自目標(biāo)字線的碼字。

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器的操作方法。此操作方法包括：由控制器將三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器的多個(gè)字線分群為多個(gè)字線群，其中不同字線群具有不同的碼字結(jié)構(gòu)；由控制器依照物理地址存取三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器的目標(biāo)字線，其中該控制器依據(jù)目標(biāo)字線所屬字線群的碼字結(jié)構(gòu)來控制錯(cuò)誤檢查和糾正電路，該錯(cuò)誤檢查和糾正電路依據(jù)控制器的控制而產(chǎn)生碼字用以存放于該目標(biāo)字線，或依據(jù)控制器的控制而檢查來自目標(biāo)字線的碼字。

基于上述，本發(fā)明諸實(shí)施例所述三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器的控制器裝置與操作方法，其可以分別將具有不同的校驗(yàn)位長度的碼字結(jié)構(gòu)適應(yīng)性地配置給三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器的不同字線群，而控制器裝置可以依據(jù)目標(biāo)字線所屬字線群的碼字結(jié)構(gòu)來存取目標(biāo)字線。因此，所述三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器的控制器裝置可以改善校驗(yàn)位長度過度配置的情形。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1繪示了三維架構(gòu)快閃存儲(chǔ)器的立體示意圖。

圖2繪示了圖1所示三維架構(gòu)快閃存儲(chǔ)器的俯視示意圖。

圖3繪示了圖1與圖2所示溝道的等效電路示意圖。

圖4是說明圖1至圖3所示三維架構(gòu)快閃存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)電壓的分布示意圖。

圖5是依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示一種非依電性存儲(chǔ)器裝置的電路方塊示意圖。

圖6是依照本發(fā)明一實(shí)施例說明三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的操作方法的流程示意圖。

圖7是依照本發(fā)明一實(shí)施例說明碼字結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖8是依照本發(fā)明另一實(shí)施例說明碼字結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖9是依照本發(fā)明又一實(shí)施例說明碼字結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖10是依照本發(fā)明更一實(shí)施例說明碼字結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖11是依照本發(fā)明一實(shí)施例說明多個(gè)字線靜態(tài)分群為多個(gè)字線群的示意圖。

圖12是依照本發(fā)明另一實(shí)施例說明多個(gè)字線靜態(tài)分群為多個(gè)字線群的示意圖。

圖13是依照本發(fā)明再一實(shí)施例說明多個(gè)字線動(dòng)態(tài)分群為多個(gè)字線群的示意圖。

【符號(hào)說明】

10：主機(jī)

100：三維架構(gòu)快閃存儲(chǔ)器

110：位線

120：上選擇器

130、130_1、130_2、130_3、130_4、130_5、wl_1、wl_2、wl_3、wl_4、wl_5、wl_a、wl_b、wl_c、wl_d、wl_n-1、wl_n：字線

140：下選擇器

150：基板

160：溝道

161：上開關(guān)

162_1、162_2、162_3、162_4、162_5：浮柵晶體管

163：下開關(guān)

170：源線

401、402、403、404：常態(tài)分布曲線

500：非依電性存儲(chǔ)器裝置

510：控制器裝置

511：查找表

512：控制器

513：錯(cuò)誤檢查和糾正電路

520：三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器

b1、b2、b3、bk：實(shí)體塊

dsg、ssg：控制信號(hào)

lcw1、lcw2：碼字長度

ldb1、ldb2：數(shù)據(jù)位長度

lpb1、lpb2：校驗(yàn)位長度

s610、s620：步驟

vtl：下頁讀取電壓

vtu1：上頁讀取電壓

vtu2：上頁讀取電壓

zone1、zone2、zone3、zone4、zonea、zoneb、zonec：字線群

具體實(shí)施方式

在本申請說明書全文(包括權(quán)利要求書)中所使用的“耦接(或連接)”一詞可指任何直接或間接的連接手段。舉例而言，若文中描述第一裝置耦接(或連接)于第二裝置，則應(yīng)該被解釋成該第一裝置可以直接連接于該第二裝置，或者該第一裝置可以通過其他裝置或某種連接手段而間接地連接至該第二裝置。另外，凡可能之處，在圖式及實(shí)施方式中使用相同標(biāo)號(hào)的元件/構(gòu)件/步驟代表相同或類似部分。不同實(shí)施例中使用相同標(biāo)號(hào)或使用相同用語的元件/構(gòu)件/步驟可以相互參照相關(guān)說明。

圖5是依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示一種非依電性存儲(chǔ)器裝置500的電路方塊示意圖。依照設(shè)計(jì)需求，非依電性存儲(chǔ)器裝置500可以是隨身碟、固態(tài)硬盤(solidstatedisc，ssd)或是其他存儲(chǔ)裝置。非依電性存儲(chǔ)器裝置500可以耦接至主機(jī)(host)10。此主機(jī)10可以是計(jì)算機(jī)、手持式電話、多媒體播放器、相機(jī)或是其他電子裝置。當(dāng)主機(jī)10發(fā)出一個(gè)讀取命令(readcommand)給非依電性存儲(chǔ)器裝置500時(shí)，非依電性存儲(chǔ)器裝置500可以依據(jù)此讀取命令的定址來回傳對應(yīng)數(shù)據(jù)給主機(jī)10。

在圖5所示實(shí)施例中，非依電性存儲(chǔ)器裝置500包括控制器裝置510與三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520。依照設(shè)計(jì)需求，三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520可以是與非快閃存儲(chǔ)器(nandflashmemory)或是其他非易失性存儲(chǔ)電路/元件。在一些實(shí)施例中，三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520可以是圖1至圖3所述三維架構(gòu)快閃存儲(chǔ)器100?？刂破餮b置510耦接至三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520。當(dāng)主機(jī)10發(fā)出一個(gè)讀取命令時(shí)，控制器裝置510依據(jù)該讀取命令來定址三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520，以便從三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520中讀取一筆對應(yīng)數(shù)據(jù)，然后將此對應(yīng)數(shù)據(jù)回傳給主機(jī)10。

在圖5所示實(shí)施例中，控制器裝置510包括查找表511、控制器512與錯(cuò)誤檢查和糾正(ecc)電路513。查找表511耦接至控制器512。查找表511可以記錄三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的多個(gè)字線、多個(gè)字線群與多個(gè)碼字結(jié)構(gòu)的對應(yīng)關(guān)系。查找表511的實(shí)現(xiàn)方式可以依照設(shè)計(jì)需求來決定。舉例來說，在一些實(shí)施例中，查找表511可被存儲(chǔ)于三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520中。在另一些實(shí)施例中，查找表511可被存儲(chǔ)至獨(dú)立的另一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器(未繪示)中。在又一實(shí)施例中，芯片制造商可將查找表511以固件形式預(yù)先建置/存放于控制器512中。在更一實(shí)施例中，查找表511可被存儲(chǔ)至一個(gè)易失性存儲(chǔ)器(未繪示)中?？刂破?12耦接至三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520與錯(cuò)誤檢查和糾正電路513?？刂破?12可以將主機(jī)10的存取命令的邏輯地址轉(zhuǎn)換為物理地址?？刂破?12可以依照物理地址存取三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的目標(biāo)字線。

圖6是依照本發(fā)明一實(shí)施例說明三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的操作方法的流程示意圖。請參照圖5與圖6，在步驟s610中，控制器512可以依照上述查找表511將三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的多個(gè)字線分群為多個(gè)字線群，其中不同字線群的碼字(codeword)結(jié)構(gòu)具有不同的校驗(yàn)位(parity-bit)長度。在步驟s620中，控制器512依照物理地址存取三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的目標(biāo)字線。其中，控制器512依據(jù)查找表找出該目標(biāo)字線所屬字線群的碼字結(jié)構(gòu)來控制錯(cuò)誤檢查和糾正電路513，而錯(cuò)誤檢查和糾正電路513依據(jù)控制器512的控制而產(chǎn)生碼字用以存放于該目標(biāo)字線，或依據(jù)控制器512的控制而檢查來自該目標(biāo)字線的碼字。也就是說，控制器512可以依據(jù)查找表分別配置具有不同的校驗(yàn)位長度的碼字結(jié)構(gòu)給三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的不同字線群，而控制器裝置510可以依據(jù)目標(biāo)字線所屬字線群的碼字結(jié)構(gòu)來存取目標(biāo)字線。因?yàn)閿?shù)據(jù)電壓的偏移幅度較小的字線可以適應(yīng)性地配置具有較小校驗(yàn)位長度的碼字結(jié)構(gòu)，而數(shù)據(jù)電壓的偏移幅度較大的字線可以適應(yīng)性地配置具有較大校驗(yàn)位長度的碼字結(jié)構(gòu)，因此所述三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的控制器裝置510可以改善校驗(yàn)位長度過度配置的情形。一般來說，靠近溝道160供電源(未繪示)的字線其數(shù)據(jù)電壓的偏移較小，遠(yuǎn)離溝道160供電源(未繪示)的字線其數(shù)據(jù)電壓的偏移較大。因此在另一實(shí)施例中，控制器512對靠近溝道160供電源(未繪示)的字線配置較小校驗(yàn)位長度的碼字結(jié)構(gòu)，而對遠(yuǎn)離溝道160供電源(未繪示)的字線配置較大校驗(yàn)位長度的碼字結(jié)構(gòu)。

圖7是依照本發(fā)明一實(shí)施例說明碼字結(jié)構(gòu)的示意圖。在圖7所示實(shí)施例中，三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的字線wl_a、…、wl_b被分群為字線群zone1，而三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的字線wl_c、…、wl_d被分群為字線群zone2，其中a、b、c與d為整數(shù)。a、b、c與d可以依照設(shè)計(jì)需求來決定。不同字線群的碼字結(jié)構(gòu)具有相同的碼字長度，且不同字線群的碼字結(jié)構(gòu)具有不同的校驗(yàn)位長度。在圖7所示實(shí)施例中，字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)的碼字長度lcw1相同于字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)的碼字長度lcw2，且字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)的校驗(yàn)位長度lpb1不同于字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)的校驗(yàn)位長度lpb2。

圖8是依照本發(fā)明另一實(shí)施例說明碼字結(jié)構(gòu)的示意圖。在圖8所示實(shí)施例中，三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的字線wl_a、…、wl_b被分群為字線群zone1，而三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的字線wl_c、…、wl_d被分群為字線群zone2。不同字線群的碼字結(jié)構(gòu)具有相同的數(shù)據(jù)位長度，且不同字線群的碼字結(jié)構(gòu)具有不同的校驗(yàn)位長度。在圖8所示實(shí)施例中，字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)位長度ldb1相同于字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)位長度ldb2，且字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)的校驗(yàn)位長度lpb1不同于字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)的校驗(yàn)位長度lpb2。

圖9是依照本發(fā)明又一實(shí)施例說明碼字結(jié)構(gòu)的示意圖。在圖9所示實(shí)施例中，三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的字線wl_a、…、wl_b被分群為字線群zone1，而三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的字線wl_c、…、wl_d被分群為字線群zone2。不同字線群的碼字結(jié)構(gòu)具有不同的碼字長度，不同字線群的碼字結(jié)構(gòu)具有不同的數(shù)據(jù)位長度，且不同字線群的碼字結(jié)構(gòu)具有不同的校驗(yàn)位長度。在圖9所示實(shí)施例中，字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)的碼字長度lcw1不同于字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)的碼字長度lcw2，字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)位長度ldb1不同于字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)位長度ldb2，且字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)的校驗(yàn)位長度lpb1不同于字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)的校驗(yàn)位長度lpb2。詳而言之，在圖9所示實(shí)施例中，字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)可以使用較小數(shù)據(jù)位長度ldb1以及較大的校驗(yàn)位長度lpb1，因此字線群zone1所包含的字線可以是讀取情況較差的字線(錯(cuò)誤位很多的字線)。字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)可以使用較大數(shù)據(jù)位長度ldb2(ldb2大于ldb1)以及較小的校驗(yàn)位長度lpb2(lpb2小于lpb1)，因此字線群zone2所包含的字線可以是讀取情況良好的字線(錯(cuò)誤位很少的字線)。

糾錯(cuò)(errorcorrection)涉及校驗(yàn)位長度與數(shù)據(jù)位長度的比例。較高比例表示更好的糾錯(cuò)能力。因此，對于讀取情況良好的字線群，其碼字結(jié)構(gòu)可以只需要較低的糾錯(cuò)能力，即校驗(yàn)位長度與數(shù)據(jù)位長度的比例較低。比例較低，這也意味著用更少的校驗(yàn)位來保護(hù)更多的數(shù)據(jù)位。對于壞的字線群(錯(cuò)誤位很多的字線)，其碼字結(jié)構(gòu)需要較高比例以實(shí)現(xiàn)更好的糾錯(cuò)。比例較高，這也意味著用更多的校驗(yàn)位來保護(hù)較少的數(shù)據(jù)位。

圖10是依照本發(fā)明更一實(shí)施例說明碼字結(jié)構(gòu)的示意圖。在圖10所示實(shí)施例中，三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的字線wl_a、…、wl_b被分群為字線群zone1，而三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的字線wl_c、…、wl_d被分群為字線群zone2。不同字線群的碼字結(jié)構(gòu)具有不同的碼字長度，且不同字線群的碼字結(jié)構(gòu)具有不同的數(shù)據(jù)位長度。不同字線群的碼字結(jié)構(gòu)具有相同的校驗(yàn)位長度。在圖10所示實(shí)施例中，字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)的碼字長度lcw1不同于字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)的碼字長度lcw2，且字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)位長度ldb1不同于字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)位長度ldb2。字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)的校驗(yàn)位長度lpb1相同于字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)的校驗(yàn)位長度lpb2。詳而言之，在圖10所示實(shí)施例中，在校驗(yàn)位長度相同的前提下，字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)可以使用較小數(shù)據(jù)位長度ldb1，以便獲得較佳的糾錯(cuò)能力。所以，字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)不會(huì)浪費(fèi)/增加校驗(yàn)空間(parityspace)。因此，字線群zone1所包含的字線可以是讀取情況較差的字線(錯(cuò)誤位很多的字線)。字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)可以使用較大數(shù)據(jù)位長度ldb2(ldb2大于ldb1)。因此，在字線群zone1、zone2的校驗(yàn)位長度相同的前提下，字線群zone2所包含的字線可以是讀取情況良好的字線(錯(cuò)誤位很少的字線)。字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)可以用相同的校驗(yàn)位長度卻具有更多的數(shù)據(jù)位。與字線群zone1的碼字結(jié)構(gòu)相比，字線群zone2的碼字結(jié)構(gòu)具有較小的糾錯(cuò)能力。

在一些實(shí)施例中，圖6所述步驟s610可以包括下述操作。在查找表511中可以依照所述多個(gè)字線在三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520中的層數(shù)來將所述多個(gè)字線靜態(tài)分群為所述多個(gè)字線群，其中，所述多個(gè)字線群各自具有不相同的校驗(yàn)位長度。在一實(shí)施例中，在三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520中較低層的字線群的校驗(yàn)位長度大于在三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520中較高層的字線群的校驗(yàn)位長度。在另一實(shí)施例中，在三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520中較低層的字線群的校驗(yàn)位長度小于在三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520中較高層的字線群的校驗(yàn)位長度。

一般來說，靠近溝道160的供電源(未繪示)的字線，其數(shù)據(jù)電壓的偏移較小；遠(yuǎn)離溝道160的供電源(未繪示)的字線，其數(shù)據(jù)電壓的偏移較大。因此在又一實(shí)施例中，控制器512可以依照這些字線130距離“供電源”(未繪示)的遠(yuǎn)近來將這些字線130靜態(tài)分群為所述多個(gè)字線群。在三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520中靠近溝道160供電源(未繪示)的字線群的校驗(yàn)位長度小于在三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520中遠(yuǎn)離溝道160供電源(未繪示)的字線群的校驗(yàn)位長度。也就是說，控制器512可以對靠近溝道160供電源(未繪示)的字線群配置較小校驗(yàn)位長度的碼字結(jié)構(gòu)，而對這些字線群中遠(yuǎn)離溝道160供電源(未繪示)的字線群配置較大校驗(yàn)位長度的碼字結(jié)構(gòu)。

例如，圖9是依照本發(fā)明一實(shí)施例說明多個(gè)字線靜態(tài)分群為多個(gè)字線群的示意圖。圖9繪示了三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520具有實(shí)體塊(physicalblock)b1、b2、b3、…、bk以及字線wl_1、wl_2、wl_3、wl_4、wl_5、…、wl_n-1、wl_n，其中n為整數(shù)。n可以依照設(shè)計(jì)需求來決定。相同字線跨越多個(gè)實(shí)體塊，如圖9所示。在圖9所示實(shí)施例中，控制器512根據(jù)查找表511可以依照字線wl_1～wl_n在三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520中的層數(shù)來將所述字線wl_1～wl_n靜態(tài)分群為多個(gè)字線群。例如，三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的字線wl_1、wl_2、wl_3被分群為字線群zone1，而三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的字線wl_4、wl_5被分群為字線群zone2。其中，在三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520中較低層的字線群zone1的校驗(yàn)位長度大于在三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520中較高層的字線群zone2的校驗(yàn)位長度。圖9所示其他字線群可以參照字線群zone1與字線群zone2的相關(guān)說明而類推，故不再贅述。在靜態(tài)分群的一實(shí)施例中，每一字線群中的字線數(shù)量可為相同，也可不同。在靜態(tài)分群的一實(shí)施例中，每一字線群中的字線皆為彼此相鄰的字線。

圖10是依照本發(fā)明另一實(shí)施例說明多個(gè)字線靜態(tài)分群為多個(gè)字線群的示意圖。圖10所示實(shí)施例可以參照圖9的相關(guān)說明而類推，故不再贅述。不同于圖9所示實(shí)施例之處在于，圖10所示實(shí)施例除了依照字線wl_1～wl_n在三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520中的層數(shù)來分群之外，還依照實(shí)體塊分群。例如，三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的字線wl_1、wl_2、wl_3在實(shí)體塊b1內(nèi)的部分字線被分群為字線群zone3，而三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的字線wl_1、wl_2、wl_3在實(shí)體塊b2內(nèi)的部分字線被分群為字線群zone4。圖10所示其他字線群可以參照字線群zone3與字線群zone4的相關(guān)說明而類推，故不再贅述。

在另一些實(shí)施例中，所述步驟s610可以包括下述操作?？刂破?12可以依照所述多個(gè)字線的錯(cuò)誤位計(jì)數(shù)量(errorbitcount)來將所述多個(gè)字線動(dòng)態(tài)分群為所述多個(gè)字線群。其中，具有較多錯(cuò)誤位計(jì)數(shù)量的字線群的校驗(yàn)位長度大于具有較少錯(cuò)誤位計(jì)數(shù)量的字線群的校驗(yàn)位長度。例如，圖11是依照本發(fā)明再一實(shí)施例說明多個(gè)字線動(dòng)態(tài)分群為多個(gè)字線群的示意圖。圖11繪示了三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520具有實(shí)體塊(physicalblock)b1、b2、…、bk以及字線wl_1、wl_2、wl_3、wl_4、wl_5、…、wl_n-1、wl_n，其中n為整數(shù)。n可以依照設(shè)計(jì)需求來決定。相同字線跨越多個(gè)實(shí)體塊，如圖11所示。在圖11所示實(shí)施例中，控制器512可以依照字線wl_1～wl_n的錯(cuò)誤位計(jì)數(shù)量來將這些字線wl_1～wl_n動(dòng)態(tài)分群為多個(gè)字線群。例如，假設(shè)字線wl_1、wl_2、wl_3、wl_4與其他部分字線的錯(cuò)誤位計(jì)數(shù)量落于第一范圍，則控制器512可以將錯(cuò)誤位計(jì)數(shù)量落于第一范圍的字線(例如wl_1、wl_2、wl_3、wl_4)動(dòng)態(tài)分群為字線群zonea。假設(shè)字線wl_5與其他部分字線的錯(cuò)誤位計(jì)數(shù)量落于第二范圍，則控制器512可以將錯(cuò)誤位計(jì)數(shù)量落于第二范圍的字線(例如wl_5)動(dòng)態(tài)分群為字線群zoneb。以此類推，控制器512可以將錯(cuò)誤位計(jì)數(shù)量落于第三范圍的字線(例如wl_n-1、wl_n)動(dòng)態(tài)分群為字線群zonec。其中，具有較多錯(cuò)誤位計(jì)數(shù)量的字線群zoneb的校驗(yàn)位長度大于具有較少錯(cuò)誤位計(jì)數(shù)量的字線群zonea的校驗(yàn)位長度，而具有較多錯(cuò)誤位計(jì)數(shù)量的字線群zonec的校驗(yàn)位長度大于具有較少錯(cuò)誤位計(jì)數(shù)量的字線群zoneb的校驗(yàn)位長度，然而以上僅為一示例?？刂破?12可以在非依電性存儲(chǔ)器裝置500的背景運(yùn)作中進(jìn)行所述多個(gè)字線的動(dòng)態(tài)分群并更新查找表511，使得錯(cuò)誤檢查和糾正電路513得以根據(jù)每一字線群以對應(yīng)的字線校驗(yàn)位來校驗(yàn)字線數(shù)據(jù)位。在動(dòng)態(tài)分群的一實(shí)施例中，每一字線群中的字線數(shù)量可為相同，也可不同。在動(dòng)態(tài)分群的一實(shí)施例中，每一字線群中的字線為分離(separate)的字線。

值得注意的是，在不同的應(yīng)用情境中，控制器裝置510、查找表511、控制器512和/或錯(cuò)誤檢查和糾正電路513的相關(guān)功能可以利用一般的編程語言(programminglanguages，例如c或c++)、硬件描述語言(hardwaredescriptionlanguages，例如veriloghdl或vhdl)或其他合適的編程語言來實(shí)現(xiàn)為軟件、固件或硬件?？蓤?zhí)行所述相關(guān)功能的軟件(或固件)可以被布置為任何已知的計(jì)算機(jī)可存取介質(zhì)(computer-accessiblemedias)，例如磁帶(magnetictapes)、半導(dǎo)體(semiconductors)存儲(chǔ)器、磁盤(magneticdisks)或光盤(compactdisks，例如cd-rom或dvd-rom)，或者可通過互聯(lián)網(wǎng)(internet)、有線通信(wiredcommunication)、無線通信(wirelesscommunication)或其它通信介質(zhì)傳送所述軟件(或固件)。所述軟件(或固件)可以被存放在計(jì)算機(jī)的可存取介質(zhì)中，以便于由計(jì)算機(jī)的處理器來存取/執(zhí)行所述軟件(或固件)的編程碼(programmingcodes)。另外，本發(fā)明的裝置和方法可以通過硬件和軟件的組合來實(shí)現(xiàn)。

綜上所述，本發(fā)明諸實(shí)施例所述控制器裝置510可以分別將具有不同的校驗(yàn)位長度的碼字結(jié)構(gòu)適應(yīng)性地配置給三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的不同字線群?？刂破餮b置510可以依據(jù)目標(biāo)字線所屬字線群的碼字結(jié)構(gòu)來存取目標(biāo)字線。因此，所述三維架構(gòu)非依電性存儲(chǔ)器520的控制器裝置510可以改善校驗(yàn)位長度過度配置的情形。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求書界定范圍為準(zhǔn)。