相關(guān)申請的交叉引用

要求于2016年1月12日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請?zhí)?0-2016-0003636的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用的方式并入本文。

本公開涉及一種半導(dǎo)體存儲器件，并且特別地，涉及一種能夠以非線性濾波方案確定非易失性存儲器件的讀電平的存儲器系統(tǒng)及其讀取方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體存儲器件大致分為易失性半導(dǎo)體存儲器件或者非易失性半導(dǎo)體存儲器件。易失性半導(dǎo)體存儲器件的特征在于讀/寫速度快，并且存儲于其中的數(shù)據(jù)在斷電時消失。相反，非易失性半導(dǎo)體存儲器件即使在處于斷電也保留存儲于其中的數(shù)據(jù)。因此，非易失性半導(dǎo)體存儲器件可以存儲要保存的內(nèi)容，而不管是否供應(yīng)電源。

非易失性存儲器件的代表性實(shí)例是閃存裝置。閃存裝置被用作信息裝置的語音和圖像數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，諸如計(jì)算機(jī)、蜂窩電話，智能電話、個人數(shù)字助理(pda)、數(shù)字照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音機(jī)、mp3播放器、手持pc、游戲機(jī)、傳真裝置、掃描儀和打印機(jī)。正在開發(fā)用于高容量、高速和低功率非易失性存儲器件的技術(shù)，以將非易失性存儲器件安裝在諸如智能電話的移動裝置中。

由于需要大容量非易失性存儲器件，因此每單元字節(jié)存儲多電平單元(mlc)或者多字節(jié)的存儲裝置變得更加普遍。然而，在包括多電平單元的存儲器系統(tǒng)中，存儲器單元的閾值電壓包括于四個或更多個狀態(tài)中，其在受限電壓窗口內(nèi)是可區(qū)分的。這樣的狀態(tài)可能由于各種原因而變換。在這種情況下，可以調(diào)節(jié)讀電壓以針對偏移的位置進(jìn)行優(yōu)化。

需要根據(jù)集成度的增加、規(guī)?？s小和三維單元陣列的使用，用于調(diào)節(jié)讀電壓的可靠的采樣讀操作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的實(shí)施例最小化在采樣讀操作期間發(fā)生的噪聲的影響。

本公開的實(shí)施例的一個方面旨在提供一種用于控制非易失性存儲器件的方法。所述方法包括：從所述非易失性存儲器件中請求多個第一采樣值，該第一采樣值中的每個采樣值表示具有在第一采樣讀電壓和第二采樣讀電壓之間的測量閾值電壓的存儲器單元的數(shù)量?？梢酝ㄟ^非線性濾波操作處理該第一采樣值來估計(jì)具有在該第一采樣讀電壓和該第二采樣讀電壓之間的閾值電壓的存儲器單元的數(shù)量。

本公開的實(shí)施例的另一方面旨在提供一種用于確定包括三維堆疊的存儲器單元的非易失性存儲器件中的讀電壓的方法。本方法可以包括：請求所述非易失性存儲器件獲取對于多個電壓帶中的每個電壓帶的多個采樣值。對于電壓帶中的每個電壓帶，可以相對于相應(yīng)的采樣值執(zhí)行非線性濾波操作，以估計(jì)具有在所述電壓帶內(nèi)的閾值電壓的存儲器單元的數(shù)量?？梢允褂脤τ陔妷簬е械拿總€電壓帶所估計(jì)的存儲器單元的數(shù)量來確定非易失性存儲器件的讀電壓。

本公開的實(shí)施例的又一方面旨在提供一種存儲器系統(tǒng)。該存儲器可以包括非易失性存儲器件，所述非易失性存儲器件配置成響應(yīng)于采樣讀命令輸出表示在選擇的存儲器單元當(dāng)中具有在第一采樣讀電壓和第二采樣讀電壓之間的測量閾值電壓的存儲器單元的數(shù)量的采樣值?？刂破鳎慌渲脼閷⒃摬蓸幼x命令迭代地傳送到該非易失性存儲器件。該控制器可以處理非易失性存儲器件響應(yīng)于迭代地傳送采樣讀命令而輸出的多個采樣值來估計(jì)具有在第一采樣讀電壓和第二采樣讀電壓之間的閾值電壓的存儲器單元的數(shù)量。

本公開的實(shí)施例的又一方面旨在提供一種由存儲器控制器執(zhí)行用于確定非易失性存儲器件的讀電壓的方法。該方法包括：請求非易失性存儲器件以獲取多個電壓帶中的每一個電壓帶的多個采樣值，每個采樣值表示非易失性存儲器件內(nèi)具有在電壓帶內(nèi)測量的閾值的存儲器單元的數(shù)量。從非易失性存儲器件中接收對于每個電壓帶的采樣值，并且用于每個電壓帶，通過對接收的對應(yīng)于電壓帶的采樣值施加非線性濾波操作來估計(jì)具有在電壓帶內(nèi)的閾值電壓的存儲器單元的數(shù)量。從每個電壓帶內(nèi)的所估計(jì)的存儲器單元的數(shù)量而獲取非易失性存儲器件的讀電壓。

附圖說明

通過參考以下附圖的以下描述，上述和其它目的及特征將變得顯而易見，其中除非另有說明，相同的附圖標(biāo)記在各個附圖中表示相同的部件，并且其中：

圖1是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)的框圖；

圖2是圖示圖1的非易失性存儲器件的框圖；

圖3是圖示包括在圖2中存儲器單元陣列的多個存儲器塊中的一個塊的電路圖；

圖4是根據(jù)本公開的實(shí)施例用于描述采樣讀取方法的示意圖；

圖5是根據(jù)本公開實(shí)施例的迭代采樣讀取方法的流程圖；

圖6a和圖6b是圖示迭代采樣讀取方法的流程圖；

圖7是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的非線性濾波方式的示意圖；

圖8a是圖示根據(jù)本公開另一實(shí)施例的非線性濾波方式的示意圖；

圖8b是圖示根據(jù)本公開另一實(shí)施例的非線性濾波方式的示意圖；

圖9是圖示根據(jù)本公開另一實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)的框圖；

圖10是示例出根據(jù)本公開另一實(shí)施例的用于處理迭代采樣讀操作的結(jié)果的方法的流程圖；

圖11是參照圖10圖示連續(xù)執(zhí)行說明非線性濾波和線性濾波的方法的示意圖；

圖12是圖示根據(jù)本公開的又一實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)的框圖；

圖13是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的用于確定谷值移位方向的操作的示意圖；

圖14是圖示根據(jù)本公開另一實(shí)施例的用于處理迭代采樣讀操作的結(jié)果以檢測谷值移位方向的方法的流程圖；

圖15是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的用戶系統(tǒng)的框圖；

圖16是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的包括非易失性存儲器系統(tǒng)的存儲卡系統(tǒng)的框圖；

圖17是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的包括非易失性存儲器系統(tǒng)的固態(tài)驅(qū)動器的框圖；

圖18是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的包括非易失性存儲器系統(tǒng)的用戶系統(tǒng)的框圖。

具體實(shí)施方式

可以理解，前面的一般描述和下面的詳細(xì)描述被提供作為示例，用于說明而不是限制本公開的范圍?，F(xiàn)在將詳細(xì)參考本公開的當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中示出。附圖和說明書中使用的參考標(biāo)號盡可能指向相同或類似的部件。

下面，為了描述本公開的特征和功能，nand型閃存裝置將作為非易失性存儲器件而示例出。然而，根據(jù)本文公開的信息，可以容易地理解其他特征和操作。例如，本公開可以應(yīng)用于相變隨機(jī)存取存儲器(pram)、磁阻ram(mram)、電阻ram(ram或reram)、鐵電體ram(fram)，nor閃存等等。

本公開可以通過其他實(shí)施例來實(shí)施或應(yīng)用。另外，在不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求、范圍和精神以及任何其它目的的情況下，可以根據(jù)觀點(diǎn)和應(yīng)用來改變或修改該具體描述。

圖1是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)的框圖。參考圖1，存儲器系統(tǒng)100可以包括存儲器控制器110和非易失性存儲器件120。為了確定諸如讀取故障的情況的精確讀電壓，存儲器控制器110可以向非易失性存儲器件120提供迭代采樣讀命令(isrcmd)。響應(yīng)于迭代采樣讀命令isrcmd，非易失性存儲器件120可以輸出單元計(jì)數(shù)(單元計(jì)數(shù))。相對于單元計(jì)量，存儲器控制器110可以確定最佳讀電壓。這將在下文更詳細(xì)地描述。

響應(yīng)于主機(jī)的請求，存儲器控制器110可以被配置成控制非易失性存儲器件120。響應(yīng)于來自主機(jī)的寫請求，存儲器控制器110可以向非易失性存儲器件120提供寫命令或?qū)憯?shù)據(jù)。當(dāng)從主機(jī)接收讀取請求時，存儲器控制器110可以控制非易失性存儲器件120，以便感測和輸出相應(yīng)地址的數(shù)據(jù)。

具體地，存儲器控制器110可以向非易失性存儲器件120提供迭代采樣讀命令isrcmd。迭代采樣讀命令isrcmd可以是用于請求非易失性存儲器件120以輸出與特定電壓范圍的單元計(jì)數(shù)相對應(yīng)的多個采樣值的命令。響應(yīng)于迭代采樣讀命令isrcmd，非易失性存儲器件120可輸出與具有在第一讀電壓電平rd1與第二讀電壓電平rd2之間的閾值電壓的存儲器單元的數(shù)量相應(yīng)的多個采樣值。

在另一實(shí)施例中，迭代采樣讀命令isrcmd可以是用于從非易失性存儲器件120多次請求第一讀電壓電平rd1和第二讀電壓電平rd2之間的讀計(jì)數(shù)的采樣值的命令。

存儲器控制器110對于相同電壓范圍可以接收單元計(jì)數(shù)的多個采樣值，并且可以以非線性濾波方案處理所接收的采樣值。例如，可以在非線性采樣方案中通過處理特定電壓范圍的單元計(jì)數(shù)的多個采樣值來生成最精確的單元計(jì)數(shù)。存儲器控制器110可以包括用于非線性采樣方案的非線性濾波器112。

存儲器控制器110可以提供相對于多個電壓范圍中的每一個電壓范圍的迭代采樣讀命令isrcmd。存儲器控制器110可以處理相對于非線性濾波方案中的每個電壓范圍輸出的單元計(jì)數(shù)的采樣值。存儲器控制器110可以確定與相對于作為非線性濾波結(jié)果而生成的采樣值的谷值相應(yīng)的讀電壓。例如，存儲器控制器110可以通過相對于作為非線性濾波結(jié)果而生成的采樣值應(yīng)用線性回歸分析或選擇最小值來確定讀電壓。

非易失性存儲器件120可以包括一個或多個存儲裝置。響應(yīng)于迭代采樣讀命令isrcmd，非易失性存儲器件120可以用不同的采樣讀電壓感測所選擇的存儲器單元。相對于感測結(jié)果，非易失性存儲器件120可以確定單元計(jì)數(shù)，其對應(yīng)于具有在不同采樣讀電壓ri和ri+1之間的閾值電壓的存儲器單元的數(shù)量。例如，非易失性存儲器件120可以使用不同的采樣讀電壓ri和ri+1對所獲得的采樣值執(zhí)行異或運(yùn)算(xor)。非易失性存儲器件120可以向存儲器控制器110輸出與異或運(yùn)算的結(jié)果相對應(yīng)的單元計(jì)數(shù)。在異或or運(yùn)算中，1(1秒)的數(shù)量可以是與具有在讀電壓ri和ri+1之間的閾值電壓的存儲器單元的數(shù)量相對應(yīng)的單元計(jì)數(shù)的采樣值。響應(yīng)于迭代采樣讀命令isrcmd，相對于讀電壓ri和ri+1之間的區(qū)間，非易失性存儲器件120可以以特定頻率重復(fù)上述讀操作。

存儲器控制器110可以確定相對于在相同電壓范圍內(nèi)迭代地執(zhí)行的讀操作的結(jié)果的、相應(yīng)電壓范圍的采樣值。也就是說，通過在非線性濾波操作中處理多個讀操作的結(jié)果，存儲器控制器110可以最小化由噪聲引起的影響。

根據(jù)本公開的實(shí)施例，可以確定用于非易失性存儲器件120的存儲器單元的最佳讀電壓。本公開的存儲器控制器110可以處理對非線性采樣方案中的噪聲敏感的采樣讀取結(jié)果，從而使得可以排除由于噪聲而失真的采樣值。這可能意味著即使在嘈雜的環(huán)境中也產(chǎn)生具有高可靠性的讀電壓。

圖2是圖示圖1的非易失性存儲器件的框圖。參考圖2，非易失性存儲器件120可以包括單元陣列121、行解碼器122、頁緩沖器123、輸入/輸出緩沖器124、控制邏輯125、電壓發(fā)生器126和位計(jì)數(shù)器127。

單元陣列121可以通過字線wl0-wln-1和選擇線gsl、ssl連接到行解碼器122。單元陣列121可以通過bl0至blm-1的位線連接到頁緩沖器123。單元陣列121可以包括形成在nand型陣列中的多個單元字符串。單元字符串可以構(gòu)成存儲器塊blk。這里，每個單元字符串的溝道可以在垂直或水平方向上形成。

在實(shí)施例中，單元陣列121可以用三維(3d)存儲器陣列來實(shí)施。3d存儲器陣列單片地形成于存儲器單元陣列的一個或多個物理層級中，該存儲器單元陣列具有設(shè)置在硅襯底上方的有源區(qū)域以及與那些存儲器單元的操作相關(guān)聯(lián)的電路，無論這種相關(guān)聯(lián)的電路是在該襯底上方還是在該襯底內(nèi)。詞語“單片”意指陣列的每一層的層直接沉積在陣列的每個底層的層上。

在本公開的實(shí)施例中，3d存儲器陣列包括垂直取向的垂直nand字符串，使得至少一個存儲器單元位于另一存儲器單元上方。該至少一個存儲器單元可包括電荷捕獲層。每個垂直nand字符串可以包括位于存儲器單元上方的至少一個選擇晶體管，該至少一個選擇晶體管具有與存儲器單元相同的結(jié)構(gòu)，并與該存儲器單元一起單片地形成。

以下專利文獻(xiàn)描述了用于三維存儲器陣列的合適配置，其通過引用的方式并入本文，其中該三維存儲器陣列被配置為多個層級，其中字線和/或位線在級之間共享：美國專利號7,679,133；8,553,466；8,654,587；8,559,235；和美國專利出版號2011/0233648。

在編程操作期間，存儲器單元可通過大小等于頁的單元(例如，2kb)或大小小于頁的單元(例如，512b)來選擇。在讀操作期間，存儲器單元可通過大小等于頁的單元(例如，2kb)或大小小于頁的單元(例如，512b)來選擇。由于各種原因，在讀取時間點(diǎn)的存儲器單元的閾值電壓分布可以不同于在編程時間點(diǎn)的閾值電壓分布。因此，為了提高數(shù)據(jù)完整性，可以根據(jù)閾值電壓變化來調(diào)整讀電壓的電平。

行解碼器122可以響應(yīng)于地址add選擇單元陣列121的blk1至blki中的一個存儲塊。行解碼器122可以選擇所選擇的存儲塊中的字行之一。行解碼器122可以將來自電壓發(fā)生器126的讀電壓vrd傳送到所選擇的字行。在編程操作期間，行解碼器122可以分別將編程電壓和驗(yàn)證電壓傳送到選擇的字行，并且將傳送電壓傳送到未選擇的字行。在讀操作期間，行解碼器122可以分別將選擇讀電壓和非選擇讀電壓傳送到選擇的字行，并且將傳送電壓傳送到未選擇的字行。

頁緩沖器123可以在編程操作期間作為寫驅(qū)動器操作，并且在讀操作期間作為讀出放大器操作。在編程操作期間，對應(yīng)于到單元陣列121的位行的欲編程的數(shù)據(jù)，頁緩沖器123可以傳送位行電壓。在讀操作期間，頁緩沖器123可以通過位行感測存儲在選擇的存儲器單元中的數(shù)據(jù)。頁緩沖器123可以鎖存感測的數(shù)據(jù)，并且可以將鎖存的數(shù)據(jù)輸出到輸入/輸出緩沖器124。

輸入/輸出緩沖器124可以將在編程操作期間接收的寫數(shù)據(jù)傳送到頁緩沖器123。在讀操作期間，輸入/輸出緩沖器124可以將數(shù)據(jù)從頁緩沖器123輸出到外部。輸入/輸出緩沖器124可以將接收到的地址add或命令傳送到行解碼器122或控制邏輯125。

控制邏輯125可以響應(yīng)于從外部接收的命令來控制行解碼器122和頁緩沖器123?？刂七壿?25可以響應(yīng)于從存儲器控制器110接收的迭代采樣讀命令isrcmd來控制頁緩沖器123和電壓發(fā)生器126，以便感測所選擇的存儲器單元。例如，控制邏輯125可以控制頁緩沖器123和電壓發(fā)生器126，以便利用通過迭代采樣讀命令isrcmd所選擇的采樣讀電壓ri和ri+1迭代地感測所選擇的存儲器單元。通過多個采樣讀操作讀取的數(shù)據(jù)片可以存儲在頁緩沖器123中，并且可以通過位計(jì)數(shù)器127進(jìn)行計(jì)數(shù)。由位計(jì)數(shù)器127計(jì)算的單元計(jì)數(shù)可以通過輸入/輸出緩沖器124被傳送到存儲器控制器110。

電壓發(fā)生器126可以產(chǎn)生被提供給字行和電壓的各種字行電壓，該電壓提供給在該處形成存儲器單元的大塊(例如，阱區(qū)域)。要提供給字行的字行電壓可以包括編程電壓(例如，vpgm_i)、通過電壓(例如，vpass)、選擇讀電壓(例如，vrd)、非選擇讀電壓(例如，vread)等。電壓發(fā)生器126還可以在讀操作或編程操作期間被提供給選擇行ssl和gsl的選擇行電壓(例如，vssl和vgsl)。此外，在控制邏輯125的控制下，電壓發(fā)生器126可以生成特定讀電壓ri并且可以提供特定讀電壓ri。

位計(jì)數(shù)器127可以相對于通過迭代采樣讀命令isrcmd選擇的每個采樣讀電壓ri和ri+1的感測結(jié)果而對單元的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。對于每個采樣讀電壓ri和ri+1的感測結(jié)果可以被鎖存在頁緩沖器123中，并且可以被提供給位計(jì)數(shù)器127。位計(jì)數(shù)器127可以比較用于采樣讀電壓ri和ri+1的讀取結(jié)果數(shù)據(jù)，以對具有在采樣讀電壓ri和ri+1之間的閾值電壓的存儲器單元的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。例如，位計(jì)數(shù)器127可以使用采樣讀電壓ri和ri+1對獲得的讀取結(jié)果數(shù)據(jù)執(zhí)行異或運(yùn)算而對存儲器單元的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。

為此，位計(jì)數(shù)器127可以包括用于存儲至少兩頁數(shù)據(jù)的鎖存器(或寄存器)和用于異或運(yùn)算的邏輯門陣列。例如，位計(jì)數(shù)器127可以具有用于存儲使用不同的讀電壓讀取的兩頁數(shù)據(jù)的鎖存器。位計(jì)數(shù)器127可以包括對屬于同一列的位執(zhí)行異或運(yùn)算的邏輯門字符串。另外，位計(jì)數(shù)器127可以包括計(jì)數(shù)器電路(未示出)，該計(jì)數(shù)器電路對包括在從邏輯門字符串輸出的頁大小的數(shù)據(jù)中的1的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)器電路的輸出可以對應(yīng)于單元計(jì)數(shù)，該計(jì)數(shù)對應(yīng)于對應(yīng)的采樣讀電壓ri和ri+1。

通過上述描述，當(dāng)從存儲器控制器110接收到迭代采樣讀命令isrcmd時，非易失性存儲器件120可以使用采樣讀電壓ri和ri+1迭代地執(zhí)行感測操作，并且可以在每個感測操作期間計(jì)算感測到的存儲器單元的數(shù)量。非易失性存儲器件120可以將每個計(jì)算結(jié)果提供給存儲器控制器110。

圖3是圖示包括在圖2中存儲器單元陣列的多個存儲器塊中的一個塊的電路圖。在實(shí)施例中，將參考圖3描述具有三維結(jié)構(gòu)的存儲器塊blk1。參考圖3，存儲器塊blk1可以包括多個單元字符串cs11、cs12、cs21和cs22。單元字符串cs11、cs12、cs21和cs22可以沿著行方向和列方向而被布置，并且可以形成行和列。

例如，單元字符串cs11和cs12可以被連接到串選擇行ssl1a和ssl1b以構(gòu)成第一行。單元字符串cs21和cs22可以被連接到字符串選擇行ssl2a和ssl2b以構(gòu)成第二行。例如，單元字符串cs11和cs21可以被連接到第一位行bl1以構(gòu)成第一列。單元字符串cs12和cs22可以被連接到第二位行bl2以構(gòu)成第二列。

單元字符串cs11、cs12、cs21以及cs22中每一個可以包括多個單元晶體管。單元串cs11、cs12、cs21以及cs22中的每一個可以包括字符串選擇晶體管ssta和sstb、從mc1至mc8的多個存儲器單元、接地選擇晶體管gsta和gstb以及虛存儲單元dmc1和dmc2。在實(shí)施例中，包括在單元字符串cs11、cs12、cs21以及cs22中的每個存儲器單元可以是電荷捕獲閃存(ctf)存儲器單元。

從mc1至mc8的存儲單元可以串聯(lián)連接，并且可以在作為垂直于由行方向和列方向限定的平面的方向的高度方向上堆疊。字符串選擇晶體管ssta和sstb可以串聯(lián)連接并且可以設(shè)置在mc1至mc8的存儲器單元和位行bl之間。接地選擇晶體管gsta和gstb可以串聯(lián)連接并且可以設(shè)置在從mc1至mc8的存儲器單元和共源極行csl之間。

在實(shí)施例中，第一偽存儲單元dmc1可以設(shè)置在從mc1至mc8的存儲器單元與接地選擇晶體管gsta和gstb之間。在實(shí)施例中，第二偽存儲單元dmc2可以設(shè)置在從mc1至mc8的存儲器單元與字符串選擇晶體管ssta和sstb之間。

單元字符串cs11、cs12、cs21和cs22的接地選擇晶體管gsta和gstb可以共同連接到地接選擇線gsl。在實(shí)施例中，同一行中的接地選擇晶體管可以連接到同一接地選擇線，并且不同行中的接地選擇晶體管可以連接到不同的接地選擇線。例如，在第一行中的單元字符串cs11和cs12中的第一接地選擇晶體管gsta可以連接到第一接地選擇線上，并且第二行中的單元字符串cs21和cs22的第一接地選擇晶體管gsta可以被連接到第二接地選擇線。

位于與襯底(或接地選擇晶體管gsta和gstb)相同高度的存儲器單元可以共同連接到相同的字線，并且位于不同高度的存儲單元可以連接到不同的字線。例如，單元字符串中的cs11、cs12、cs21以及cs22中從mc1至mc8的第一至第八存儲器單元8可以分別共同連接到從wl1至wl8的第一至第八字線。

從第一字符串選擇晶體管ssta中選擇的位于相同高度且屬于同一行的第一字符串選擇晶體管可以連接到相同的字符串選擇線，并且屬于不同行的字符串選擇晶體管可以連接到不同的字符串選擇線。例如，在第一行中的單元字符串cs11和cs12中的第一字符串選擇晶體管ssta可以共同連接到字符串選擇線ssl1a，并且第二行中的單元字符串cs21和cs22的第一接地選擇晶體管ssta可以共同連接到字符串選擇線ssl2a上。

從第二字符串選擇晶體管sstb中選擇的位于相同高度且屬于同一行的第二字符串選擇晶體管可以連接到相同的字符串選擇線，并且屬于不同行的字符串選擇晶體管可以連接到不同的字符串選擇線。例如，在第一行中的單元字符串cs11和cs12中的第二字符串選擇晶體管sstb可以共同連接到字符串選擇線ssl1b，并且第二行中的單元字符串cs21和cs22的第二接地選擇晶體管sstb可以共同連接到字符串選擇線ssl2b上。

在實(shí)施例中，處于相同高度的虛擬存儲器單元(dummymemorycell)可以與相同的虛擬字線連接，并且處于不同高度的虛擬存儲器單元可以與不同的虛擬字線連接。例如，第一偽存儲單元dmc1可以與第一偽字線dwl1連接，第二偽存儲單元dmc2可以與第二偽字線dwl2連接。

圖3所示的存儲塊blk1可以是一個示例。例如，單元字符串的數(shù)量可以增加或減少，并且單元字符串的行數(shù)和單元字符串的列數(shù)可以根據(jù)單元字符串的數(shù)量而增加或減少。在存儲塊blk1中，單元晶體管(gst、mc、dmc、sst等)的數(shù)量可以增加或減少，并且存儲塊blk1的高度可以根據(jù)單元晶體管的數(shù)量(gst、mc、dmc、sst等)增加或者減少。此外，與單元晶體管連接的線(gsl、wl、dwl、ssl等)的數(shù)量可以根據(jù)單元晶體管(gst、mc、dmc、sst等)的數(shù)量增加或減少。

由于存儲器單元被形成為具有上述形狀并且在多級單元(mlc)方案中被管理，所以即使在估計(jì)谷值的操作期間，存儲器單元也可能受到大量噪聲的影響，在這種諸如讀取失敗的情況下，并且基于估計(jì)的谷值來調(diào)節(jié)讀電壓。也就是說，任何一個電壓范圍的采樣讀電壓可能由于噪聲而增加或減少。在這種情況下，失真的單元計(jì)數(shù)值可能使得難以確定精確的讀電壓。然而，可以通過本公開的采樣讀操作適當(dāng)?shù)刈柚褂捎谠肼暿艿降挠绊憽?/p>

圖4是根據(jù)本公開的實(shí)施例用于確定谷值的描述采樣讀操作的示意圖。參考圖4，可以利用本公開的存儲器系統(tǒng)100執(zhí)行迭代采樣讀操作，以確定用于區(qū)分存儲器單元的兩個狀態(tài)s1和s2的最佳讀電壓。這里，迭代采樣讀操作可以指相對于讀電壓范圍ri和ri+1迭代地執(zhí)行傳感和單元計(jì)數(shù)以獲得單元計(jì)數(shù)cc0、cc1、cc2、cc3和cc4的操作。

首先，可以執(zhí)行迭代采樣讀操作以獲得單元計(jì)數(shù)cc0。存儲器控制器110可以向非易失性存儲器件120提供迭代采樣讀命令isrcmd。在這種情況下，提供給非易失性存儲器件120的迭代采樣讀命令isrcmd可以包括要被選擇的存儲器單元的地址，要施加到要被選擇的存儲器單元的采樣讀電壓(例如，r0和r1)選擇的存儲器單元，以及采樣讀取頻率。響應(yīng)于迭代采樣讀命令isrcmd，非易失性存儲器件120可以用采樣讀電壓r0和采樣讀電壓r1感測所選擇的存儲器單元。非易失性存儲器件120可以采用分別使用采樣讀電壓r0和r1感測的數(shù)據(jù)來計(jì)算單元計(jì)數(shù)cc0。計(jì)算出的單元計(jì)數(shù)cc0可以被傳送到存儲器控制器110。非易失性存儲器件120可以利用與預(yù)定義的采樣讀取頻率一樣多的采樣讀電壓r0和r1重復(fù)采樣讀操作。非易失性存儲器件120可以基于采樣讀取結(jié)果向存儲器控制器110提供與采樣讀電壓r0和r1相對應(yīng)的單元數(shù)的采樣值。

存儲器控制器110可以以與上述相同的方式向非易失性存儲器件120提供用于獲得與單元計(jì)數(shù)cc1相對應(yīng)的多個采樣值的迭代采樣讀命令isrcmd。也就是說，存儲器控制器110可以請求非易失性存儲器件120相對于采樣讀電壓r1和r2執(zhí)行與預(yù)定義采樣讀取頻率一樣多的感測，并且對應(yīng)于單元計(jì)數(shù)cc1，以提供多個采樣值。在這種情況下，非易失性存儲器件120可以使用與預(yù)定義頻率一樣多的采樣讀電壓r1和r2執(zhí)行感測操作。非易失性存儲器件120可以基于感測結(jié)果輸出與單元計(jì)數(shù)cc1相對應(yīng)的多個采樣值。利用上述方式，存儲器控制器110可以通過迭代采樣讀操作接收與單元計(jì)數(shù)cc0、cc1、cc2、cc3和cc4中的每一個相對應(yīng)的多個采樣值。

其次，相對于與單元計(jì)數(shù)cc0、cc1、cc2、cc3和cc4中的每一個相對應(yīng)的接收的采樣值，存儲器控制器110可以執(zhí)行非線性濾波操作。例如，可以執(zhí)行非線性采樣操作，使得存在從對應(yīng)于單元計(jì)數(shù)cc0的多個采樣值當(dāng)中移除的采樣值，該采樣值過度暴露于噪音?？梢允褂脼V波結(jié)果來生成最后單元計(jì)數(shù)cc0'。非線性濾波方法可以包括用于選擇多個采樣值的中值的方法，用于排除不包括在參考范圍中的采樣值的閾值方法等。這將參考以下流程圖詳細(xì)描述。

最后單元計(jì)數(shù)cc0'、cc1'、cc2'、cc3'和cc4'可以通過非線性濾波方案生成。存儲器控制器110可以通過選擇最后單元計(jì)數(shù)cc0'、cc1'、cc2'、cc3'和cc4’之中的最小值min_value來確定對應(yīng)于谷值vy0的讀電平。

示例了使用本公開的采樣讀操作來確定谷值或讀電平的方法。然而，本公開的范圍和精神可以不限于此。例如，存儲器控制器110可以提供用于迭代采樣讀操作的電壓范圍(例如，r0至r5)和用于計(jì)算單元計(jì)數(shù)的電壓差作為迭代采樣讀命令isrcmd。在這種情況下，非易失性存儲器件120可以自動將整個電壓范圍劃分為單位電壓范圍，并且可以相對于每個單位電壓范圍執(zhí)行迭代采樣讀操作。非易失性存儲器件120可以提供存儲器控制器110用于單元計(jì)數(shù)cc0、cc1、cc2、cc3和cc4中的每一個的多個采樣值，作為迭代采樣讀操作的結(jié)果。另外，可以理解，非易失性存儲器件120向存儲器控制器110提供讀取數(shù)據(jù)，而不是作為多個采樣值的單元計(jì)數(shù)cc0、cc1、cc2、cc3和cc4。

圖5是根據(jù)本公開實(shí)施例的迭代采樣讀取方法的流程圖。將參考圖5描述根據(jù)本公開的實(shí)施例存儲系統(tǒng)100執(zhí)行迭代采樣讀操作并使用采樣讀操作的結(jié)果來執(zhí)行非線性濾波操作的方法。在發(fā)生諸如讀取失敗的錯誤的情況下，根據(jù)本公開的實(shí)施例，迭代采樣讀操作和非線性濾波操作可以開始確定最優(yōu)化的讀電壓。

在步驟s110中，存儲器系統(tǒng)100可以請求來自非易失性存儲器件120的迭代采樣讀操作，并且可以獲得作為迭代采樣讀操作的結(jié)果的相同電壓范圍的多個采樣值。具體地，存儲器控制器110可以向非易失性存儲器件120提供迭代采樣讀命令isrcmd。在這種情況下，非易失性存儲器件120可以將用于所選電壓范圍(vr)的多個采樣值(例如，單元計(jì)數(shù))傳送到存儲器控制器110。

在步驟s120中，存儲器控制器110可以使用非線性濾波操作來處理對應(yīng)于來自非易失性存儲器件120的電壓范圍vr的單元計(jì)數(shù)的多個采樣值。存儲器控制器110可以選擇例如對應(yīng)于相同電壓范圍的單元計(jì)數(shù)的多個采樣值之中的中值。可替換地，存儲器控制器110可以執(zhí)行用于從對應(yīng)于相同電壓范圍的單元計(jì)數(shù)的多個采樣值中排除在閾值范圍之外的采樣值的濾波操作。存儲器控制器110可以通過選擇包括在閾值范圍中的采樣值之間的中值或計(jì)算平均值來計(jì)算所選擇的電壓范圍的最后單元計(jì)數(shù)cci'。

非線性濾波操作可以不限于使用選擇中值或使用閾值范圍的方案來排除特定采樣值的方法。根據(jù)本公開的實(shí)施例，可以用作非線性濾波操作，用于將被確定為由于噪聲而失真的值的采樣值排除的各種非線性濾波操作。另外，應(yīng)當(dāng)理解，在非線性濾波操作之后還使用線性濾波操作以提高精度。

在步驟s130中，存儲器控制器110可以確定對應(yīng)于在步驟s110和s120中執(zhí)行的迭代采樣讀操作的電壓范圍是否是最后的電壓范圍。如果對應(yīng)于迭代采樣讀操作的電壓范圍不是最后的電壓范圍(否)，則該過程可以進(jìn)行到步驟s140，其中執(zhí)行用于下一個電壓范圍的迭代采樣讀操作。相反，如果對應(yīng)于迭代采樣讀操作的電壓范圍是最后電壓范圍(是)，則過程可以進(jìn)行到步驟s150。

在步驟s140中，對應(yīng)于在步驟s110和s120中執(zhí)行的迭代采樣讀操作，存儲器控制器110可以選擇電壓范圍的下一個電壓范圍。也就是說，該過程可以返回到步驟s110以選擇下一個電壓范圍vri+1，并且將重復(fù)采樣讀命令isrcmd提供給非易失性存儲器件120。

在步驟s150中，存儲器控制器110可以使用用于多個采樣讀取范圍中每個采樣讀取范圍的最后采樣值cci'來確定谷值。存儲器控制器110可以使用對應(yīng)于所確定的谷值的電壓電平來確定用于區(qū)分兩個分布的調(diào)節(jié)的讀電壓。

上面描述了用于區(qū)分兩個分布s1和s2的迭代采樣讀操作。上述過程可以迭代地用于搜索在多個分布之間的谷值。示例了本公開的實(shí)施例，其中存儲器控制器110提供一次采樣讀命令以執(zhí)行一個電壓范圍vr的迭代采樣讀操作。然而，本公開的范圍和精神可以不限于此。例如，對于相同電壓范圍vr的迭代采樣讀操作，存儲器控制器110可以向非易失性存儲器件120提供對應(yīng)于要輸出的單元計(jì)數(shù)的數(shù)量的采樣讀命令的數(shù)量。可替換地，對于用于區(qū)分兩個分布的采樣讀操作，可以一次向非易失性存儲器件120提供采樣讀命令。

圖6a及圖6b是圖示迭代采樣讀取方法的流程圖。圖6a通過相對于單位電壓范圍vr迭代地執(zhí)行采樣示出了獲取單元計(jì)數(shù)cc1_j的方式。相反，圖6b示出了相對于r0至r5且施加采樣讀操作的整個電壓范圍的每個單位電壓范圍vr，順序地執(zhí)行采樣讀操作的方式，這樣的采樣讀操作被反復(fù)地執(zhí)行幾次。

參考圖6a，可以以相對于單位電壓范圍vr移動預(yù)定義頻率(即，次數(shù))迭代地執(zhí)行采樣的方式執(zhí)行迭代采樣讀操作。

在步驟s210中，存儲器控制器110可以初始化從r0至rn的采樣讀電壓和對于執(zhí)行采樣讀操作的電壓范圍的迭代采樣頻率。也就是說，存儲器控制器110可以初始化單元計(jì)數(shù)指數(shù)“i”和采樣計(jì)數(shù)“j”，單元計(jì)數(shù)指數(shù)“i”表示從r0至rn的整個電壓范圍的單位電壓范圍，采樣計(jì)數(shù)“j”表示用于單位電壓范圍的迭代采樣頻率。采樣計(jì)數(shù)“j”可以對應(yīng)于在相同電壓范圍內(nèi)執(zhí)行采樣的頻率(即，次數(shù))。

在步驟s220中，存儲器控制器110可以將用于采樣值cci的采樣命令傳送到非易失性存儲器件120。例如，存儲器控制器110可以請求非易失性存儲器件120采樣從r0至r1的電壓范圍的單元計(jì)數(shù)。在這種情況下，非易失性存儲器件120可以用采樣讀電壓r0感測所選擇的存儲器單元，并且可以鎖存感測的數(shù)據(jù)。此外，非易失性存儲器件120可以用采樣讀電壓r1感測所選擇的存儲器單元，并且可以鎖存感測的數(shù)據(jù)。非易失性存儲器件120可以通過對使用r0和r1的讀電壓感測的數(shù)據(jù)執(zhí)行異或or運(yùn)算而對數(shù)量1秒進(jìn)行計(jì)數(shù)。非易失性存儲器件120可以將計(jì)數(shù)值傳送到存儲器控制器110作為對應(yīng)于采樣計(jì)數(shù)j為0的采樣值。

在步驟s230中，存儲器控制器110可以從非易失性存儲器件120接收采樣值cc0_0。采樣值cc0_0可以是對于從r0至r1的單位電壓范圍的第一采樣值。采樣值cc0_0可以存儲在存儲器控制器110中(或其特定區(qū)域)。

在步驟s240中，存儲器控制器110可以確定在步驟s220和s230中采樣和存儲的采樣值cc0_0是否是用于從r0至r1的單位電壓范圍的最后采樣值。也就是說，存儲器控制器110可以確定采樣計(jì)數(shù)j是否對應(yīng)于預(yù)定義的采樣頻率(即，預(yù)定義的采樣計(jì)數(shù))。如果采樣計(jì)數(shù)j不是從r0至r1的單元電壓范圍的預(yù)定義采樣頻率，則過程可以進(jìn)行到步驟s250。如果采樣計(jì)數(shù)j是從r0至r1的單元電壓范圍的預(yù)定義采樣頻率，則過程可以進(jìn)行到步驟s260。

在步驟s250中，存儲器控制器110可以增加從r0至r1的單位電壓范圍的采樣計(jì)數(shù)j。也就是說，如果當(dāng)前采樣計(jì)數(shù)j是初始值0，那么存儲器控制器110可以將采樣計(jì)數(shù)j增加1，以便具有新的值1。之后，過程可以進(jìn)行到步驟s220，在步驟s220中，執(zhí)行用于從r0至r1的單位電壓范圍的第二采樣。

在步驟s260中，存儲器控制器110可以確定對于單位電壓范圍r0至r1的迭代采樣讀操作是否對應(yīng)于整個電壓范圍的最后單位電壓范圍。也就是說，存儲器控制器110可以確定，根據(jù)在步驟s240中完成的重復(fù)采樣讀操作輸出的采樣值是否對應(yīng)于最后單位電壓范圍(例如，r4至r5)。也就是說，存儲器控制器110可以確定采樣值是否對應(yīng)于單元計(jì)數(shù)cc4的最后一個采樣值。例如，可以基于單元計(jì)數(shù)指數(shù)i是否是最后一個值來確定采樣值是否對應(yīng)于單元計(jì)數(shù)cc4的最后值。如果單元計(jì)數(shù)指數(shù)i對應(yīng)于最后一個值，則整個迭代采樣讀操作可以結(jié)束。相反，如果單元計(jì)數(shù)指數(shù)i不對應(yīng)于最后一個值，則過程可以進(jìn)行到步驟s270，以對下一個單位電壓范圍執(zhí)行迭代采樣讀操作。

在步驟s270中，存儲器控制器110可以改變單位電壓范圍，并且可以增加單元計(jì)數(shù)指數(shù)i以執(zhí)行迭代采樣讀操作。也就是說，如果當(dāng)前單元計(jì)數(shù)指數(shù)i是初始值0，那么存儲器控制器110可以將單元計(jì)數(shù)索引i增加1，以便具有新的值1。之后，過程可以進(jìn)行到步驟s220，在步驟s220中，執(zhí)行用于單位電壓范圍r1至r2的第二采樣。

示例了迭代采樣讀取方法，其中，相對于相同的單位電壓范圍迭代地執(zhí)行采樣讀操作。

圖6b是圖示根據(jù)本公開的另一實(shí)施例的迭代采樣讀操作的流程圖。將參考圖6b描述以這樣的方式實(shí)施迭代采樣讀操作的方法：在該方法中，存在迭代地執(zhí)行的過程，在該過程中存儲器控制器110相對于單位電壓范圍順序地執(zhí)行采樣操作。

在步驟s310中，存儲器控制器110可以初始化單元計(jì)數(shù)指數(shù)i和采樣計(jì)數(shù)j。此外，存儲器控制器110可以能夠設(shè)置將執(zhí)行迭代采樣讀操作的存儲器單元的地址、采樣讀電壓的整個范圍等。

在步驟s320中，存儲器控制器110可以將用于單元計(jì)數(shù)cci的采樣命令傳送到非易失性存儲器件120。例如，存儲器控制器110可以請求非易失性存儲器件120采樣從r0至r1的電壓范圍的單元計(jì)數(shù)。在這種情況下，非易失性存儲器件120可以用采樣讀電壓r0感測所選擇的存儲器單元，并且可以鎖存感測的數(shù)據(jù)。此外，非易失性存儲器件120可以用采樣讀電壓r1感測所選擇的存儲器單元，并且可以鎖存感測的數(shù)據(jù)。非易失性存儲器件120可以采用使用讀電壓r0和r1感測的數(shù)據(jù)來計(jì)算采樣值cc0_0，并且可以將計(jì)算的采樣值cc0_0傳送到存儲器控制器110。

在步驟s330中，存儲器控制器110可以從非易失性存儲器件120接收采樣值cc0_0。采樣值cc0_0可以是用于從r0至r1的單位電壓范圍的單元計(jì)數(shù)cc0的第一采樣值。采樣值cc0_0可以存儲在存儲器控制器110中(或其特定區(qū)域)。

在步驟s340中，存儲器控制器110可以確定在步驟s320和s330中采樣和存儲的采樣值cc0_0是否是整個采樣讀電壓范圍的最后單位電壓范圍。也就是說，存儲器控制器110可以確定單元計(jì)數(shù)指數(shù)i是否對應(yīng)于預(yù)定義的最后值。如果單元計(jì)數(shù)指數(shù)i不是預(yù)定義的最后值，則過程可以進(jìn)行到步驟s350。相反，如果單元計(jì)數(shù)指數(shù)i是預(yù)定義的最后值，則過程可以進(jìn)行到步驟s360。

在步驟s350中，存儲器控制器110可以增加單元計(jì)數(shù)索引i。之后，該過程可以進(jìn)行到步驟s320。在步驟s320中，可以執(zhí)行用于下一從r1至r2的單位電壓范圍的采樣讀操作。

在步驟s360中，存儲器控制器110可以確定當(dāng)前采樣計(jì)數(shù)j是否對應(yīng)于預(yù)定義的最后值。如果當(dāng)前采樣計(jì)數(shù)j不是最后值，那么過程可以進(jìn)行到步驟s370以增加采樣計(jì)數(shù)j。如果當(dāng)前采樣計(jì)數(shù)j對應(yīng)于最后值，則整個迭代采樣讀操作可以結(jié)束。

在步驟s370中，存儲器控制器110可以增加采樣計(jì)數(shù)j并將單元計(jì)數(shù)索引i重新初始化為零(‘0’)。之后，該過程可以進(jìn)行到步驟s320。

示例了各種迭代采樣讀取方法，其中，相對于相同的單位電壓范圍迭代地執(zhí)行采樣讀操作。用于對對應(yīng)于單位電壓范圍的采樣值采樣若干次的方法可以不限于上述方法?？梢砸愿鞣N方式對與單位電壓范圍相對應(yīng)的采樣值進(jìn)行多次采樣。

圖7是根據(jù)本公開實(shí)施例的非線性濾波方式的示意圖。參考圖7，可以選擇在相同電壓范圍內(nèi)采樣的多個采樣值之間的中值。這將在下文更詳細(xì)地描述。

存儲器控制器110可以從非易失性存儲器件120接收每個單元計(jì)數(shù)cci的采樣值?？梢约僭O(shè)，存儲器控制器110接收通過第一采樣讀操作sr1從對應(yīng)于單元計(jì)數(shù)cc0的多個采樣值之中獲得的采樣值1750，通過第二采樣讀操作sr2從采樣值之中獲得的采樣值1680，通過第三采樣讀操作sr3從采樣值之中獲得的采樣值1480，通過第四采樣讀操作sr4從采樣值之中獲得的采樣值1760，以及通過第五采樣讀操作sr5從采樣值之中獲得的采樣值1755。同樣地，可以假設(shè)，存儲器控制器110接收通過迭代采樣讀操作獲得的單元計(jì)數(shù)cc1的采樣值1595、1610、1590、1600和1615。此外，可以以上述方式假設(shè)，存儲器控制器110從非易失性存儲器件120接收單元計(jì)數(shù)cc2的采樣值1490、1500、1505、1300和1495，單元計(jì)數(shù)cc3的采樣值1402、1413、1395、1425和1409，以及單元計(jì)數(shù)cc4的1502、1498、1489、1505和1520的采樣值。

基于上述迭代采樣讀取結(jié)果，存儲器控制器110可以執(zhí)行非線性濾波操作以在每個單元計(jì)數(shù)的采樣值之中選擇中值作為代表值。例如，存儲器控制器110可以在單元計(jì)數(shù)cc0的采樣值1750、1680、1480、1760和1755之中選擇中值作為最后單元計(jì)數(shù)cc0'。也就是說，存儲器控制器110可以從單元計(jì)數(shù)cc0的采樣值之中選擇對應(yīng)于中間電平的采樣值1750作為最后單元計(jì)數(shù)cc0'。在選擇中值的情況下，由于噪聲而造成的相對較小的采樣值1480的影響可以減小。

同樣，在選擇中值的情況下，可以選擇在單元計(jì)數(shù)cc1的采樣值之中的“1600”、單元計(jì)數(shù)cc2的采樣值之中的“1495”、單元計(jì)數(shù)cc3的采樣值之中的“1409”以及單元計(jì)數(shù)cc4的采樣值之中的“1502”。存儲器控制器110可以從中值之中選擇對應(yīng)于最小值的“1409”作為對應(yīng)于谷值的單元計(jì)數(shù)。

圖8a是圖示根據(jù)本公開另一個實(shí)施例的非線性濾波方式的示意圖。參考圖8a，可以從在相同單位電壓范圍內(nèi)采樣的多個采樣值中排除分布在閾值范圍之外的采樣值?？梢酝ㄟ^對所選擇的采樣值執(zhí)行非線性處理來確定每個單位電壓范圍的采樣值。

在圖8a中，可以假設(shè)曲線130表示存儲器單元的實(shí)際閾值電壓分布。在這種情況下，閾值范圍可以由單元計(jì)數(shù)的下曲線140和上曲線145限定。下曲線140和上曲線145可以基于根據(jù)存儲器單元的降解、保留和干擾的實(shí)驗(yàn)值或經(jīng)驗(yàn)值來提供。

存儲器控制器110可以從單元計(jì)數(shù)cc0的采樣值之中排除采樣值151，該采樣值151不包括在閾值范圍內(nèi)。最后單元計(jì)數(shù)cc0'可以通過處理分布在閾值范圍內(nèi)的采樣值153來確定。例如，可以將采樣值153之中的中值確定為最后單元計(jì)數(shù)cc0'。

存儲器控制器110可以從單元計(jì)數(shù)cc1的采樣值161和163之中排除采樣值161，該采樣值161不包括在閾值范圍內(nèi)。存儲器控制器110可以從單元計(jì)數(shù)cc3的采樣值171和173之中排除采樣值171，該采樣值171不包括在閾值范圍內(nèi)。通過上述方式，根據(jù)本公開的實(shí)施例，可以從通過迭代采樣讀操作而獲得的多個采樣值之中排除采樣值，該采樣值被確定為由于噪聲而受影響。

圖8b是圖示根據(jù)本公開另一實(shí)施例的非線性濾波方式的示意圖。參考圖8b，在相同電壓范圍內(nèi)采樣的多個采樣值可以根據(jù)幅度等級排序?？梢酝ㄟ^選擇對應(yīng)于特定等級的采樣值以及對于所選擇的采樣值執(zhí)行非線性處理，來確定每個單位電壓范圍的采樣值。

存儲器控制器110可以從單元計(jì)數(shù)cc0的采樣值181之中排除對應(yīng)于特定等級rnk1和rnk5的采樣值1750和1480。本公開的實(shí)施例被示例為從采樣值181之中排除對應(yīng)于最高級rnk1和最低級rnk5的采樣值。該選擇方式可以僅是示例。最后單元計(jì)數(shù)cc0'可以通過處理對應(yīng)于等級rnk2、rnk3和rnk4的采樣值191來確定。

存儲器控制器110可以從單元計(jì)數(shù)cc1的采樣值183之中排除其對應(yīng)于特定等級rnk1和rnk5的采樣值1615和1590。最后單元計(jì)數(shù)cc1'可以通過處理對應(yīng)于等級rnk2、rnk3和rnk4的采樣值193來確定?？梢詮膯卧?jì)數(shù)cc2的采樣值185之中排除與特定等級rnk1和rnk5對應(yīng)的采樣值1505和1300。最后單元計(jì)數(shù)cc2'可以通過處理對應(yīng)于等級rnk2、rnk3和rnk4的采樣值195來確定?？梢詮膯卧?jì)數(shù)cc3的采樣值187中排除與特定等級rnk1和rnk5對應(yīng)的采樣值1425和1395。最后單元計(jì)數(shù)cc3'可以通過處理對應(yīng)于等級rnk2、rnk3和rnk4的采樣值197來確定?？梢詮膯卧?jì)數(shù)cc4的采樣值189之中排除與特定等級rnk1和rnk5對應(yīng)的采樣值1520和1489。最后單元計(jì)數(shù)cc4'可以通過處理對應(yīng)于等級rnk2、rnk3和rnk4的采樣值199來確定。利用上述方式，根據(jù)本公開的實(shí)施例，可以從通過迭代采樣讀操作獲得的多個采樣值之中排除被確定為受噪聲影響的采樣值。

圖9是圖示根據(jù)本公開另一實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)的框圖。參考圖9，存儲器系統(tǒng)200可以包括存儲器控制器210和非易失性存儲器件220。通過存儲器控制器210和非易失性存儲器件220的迭代采樣讀操作可以與圖1的操作基本上相同，并且因此省略了迭代采樣讀操作和非易失性存儲器件220的詳細(xì)描述。

存儲器控制器210可以向非易失性存儲器件220提供迭代采樣讀命令isrcmd。非易失性存儲器件220可以響應(yīng)于迭代采樣讀命令isrcmd而輸出具有多個采樣值的相同電壓范圍的單元計(jì)數(shù)cellcount。存儲器控制器210可對多個采樣值執(zhí)行非線性濾波和以下線性濾波。這里，參考圖6和圖7描述的中值選擇方式或閾值范圍應(yīng)用方式可以應(yīng)用于非線性濾波。線性濾波可以使用典型的線性算術(shù)運(yùn)算來實(shí)現(xiàn)，例如加權(quán)平均運(yùn)算或無權(quán)平均運(yùn)算。存儲器控制器210可以包括用于非線性濾波的非線性濾波器212和用于線性濾波的線性濾波器214。非線性濾波器212和線性濾波器214可以利用在存儲器控制器210上驅(qū)動的算法或軟件模塊來實(shí)施。

圖10是圖示根據(jù)本公開另一實(shí)施例的用于處理迭代采樣讀操作的結(jié)果的方法的流程圖。根據(jù)本公開的實(shí)施例的存儲系統(tǒng)200執(zhí)行迭代采樣讀操作并使用采樣讀操作的結(jié)果來執(zhí)行非線性濾波操作的方法將參考圖10進(jìn)行描述。存儲器控制器210可以對非線性濾波操作的結(jié)果執(zhí)行線性濾波操作。

在步驟s410中，存儲器系統(tǒng)200可以請求來自非易失性存儲器件220的迭代采樣讀操作，并且可以獲得相同電壓范圍的多個采樣值作為迭代采樣讀操作的結(jié)果。存儲器控制器210可以向非易失性存儲器件220提供迭代采樣讀命令isrcmd。在這種情況下，非易失性存儲器件220可以將用于單位電壓范圍vr的多個采樣值(例如，采樣值)傳送到存儲器控制器210。

在步驟s420中，存儲器控制器210可以使用非線性濾波操作處理對應(yīng)于單位電壓范圍vr并且從非易失性存儲器件220接收的多個采樣值。存儲器控制器210可以選擇例如對應(yīng)于單位電壓范圍的多個采樣值之中的中值?？商鎿Q地，存儲器控制器210可以從相同電壓范圍的多個采樣值之中執(zhí)行過濾操作以排除不包括在閾值范圍或特定等級范圍中的采樣值?？梢詫⒔y(tǒng)計(jì)處理方式或算術(shù)運(yùn)算方式應(yīng)用于非線性濾波操作。

在步驟s430中，存儲器控制器210可以附加地將線性濾波操作應(yīng)用到通過非線性濾波操作處理的數(shù)據(jù)。例如，可以執(zhí)行線性濾波操作，諸如對包括在閾值范圍中的采樣值應(yīng)用權(quán)重的平均操作。

在步驟s440中，存儲器控制器210可以確定對應(yīng)于在步驟s410至s430中執(zhí)行的迭代采樣讀操作的電壓范圍是否是最后的電壓范圍內(nèi)。如果對應(yīng)于迭代采樣讀操作的電壓范圍不是最后的電壓范圍(否)，該過程可以進(jìn)行到步驟s450，其中執(zhí)行用于下一個電壓范圍的迭代采樣讀操作。相反，如果對應(yīng)于迭代采樣讀操作的電壓范圍是最后電壓范圍(是)，則過程可以進(jìn)行到步驟s460。

在步驟s450中，存儲器控制器210可選擇下一電壓范圍以改變迭代采樣讀操作的目標(biāo)電壓范圍。之后，程序可以返回到步驟s410以選擇下一個電壓范圍vr，并且將重復(fù)采樣讀命令isrcmd提供給非易失性存儲器件220。

在步驟s460中，存儲器控制器210可以使用用于多個采樣讀取范圍中每個采樣讀取范圍的最后采樣值cci'來確定谷值。存儲器控制器210可以使用對應(yīng)于所確定的谷值的電壓電平來確定用于區(qū)分兩個分布的讀電壓。

上面描述了另一個實(shí)施例，其中處理了迭代采樣讀操作的結(jié)果以確定谷值。

圖11是圖示出連續(xù)執(zhí)行參照圖10描述的非線性濾波和線性濾波的方法的示意圖。參考圖11，可以通過非線性濾波操作去除通過迭代采樣讀操作獲得的單元計(jì)數(shù)的噪聲?？梢酝ㄟ^以下線性濾波操作來處理單元計(jì)數(shù)，以具有更精確地估計(jì)谷值的值。

單元計(jì)數(shù)cc0、cc1、cc2、cc3和cc4中的每一個可以通過迭代采樣讀操作包括五個采樣值。參考單元計(jì)數(shù)cc0的采樣值231，采樣值1860可以被確定為由于噪聲而受影響的值。因此，可以通過非線性濾波操作排除采樣值1860。結(jié)果，可以通過非線性濾波操作來選擇與單元計(jì)數(shù)cc0相對應(yīng)的采樣值241。類似地，通過非線性濾波操作，在對應(yīng)于單元計(jì)數(shù)cc2的采樣值235當(dāng)中的采樣值1212可以被確定為受到噪聲影響的采樣的示例。因此，可以通過非線性濾波操作排除采樣值1212。結(jié)果，可以通過非線性濾波操作來選擇與單元計(jì)數(shù)cc2相對應(yīng)的采樣值245。通過非線性濾波操作，在對應(yīng)于單元計(jì)數(shù)cc3的采樣值237當(dāng)中的采樣值1282可以被確定為受到噪聲影響的采樣的示例。因此，可以通過非線性濾波操作排除采樣值1282?？梢酝ㄟ^非線性濾波操作來選擇與單元計(jì)數(shù)cc3相對應(yīng)的采樣值247。在該示例中，在采樣值233和采樣值239之間不排除數(shù)值。

當(dāng)非線性濾波操作完成時，可以相對于所選擇的采樣值241、243、245、247和249中的每一個值執(zhí)行線性濾波。例如，可以執(zhí)行平均操作，其中不同的權(quán)重被應(yīng)用于所選擇的采樣值。通過迭代采樣讀操作獲得的單元計(jì)數(shù)cc0、cc1、cc2、cc3和cc4可以通過平均操作251、253、255、257、259輸出作為單元計(jì)數(shù)cc0'、cc1'、cc2'、cc3'和cc4'。

圖12是圖示根據(jù)本公開的又一實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)的框圖。參考圖12，存儲器系統(tǒng)300可以包括存儲器控制器310和非易失性存儲器件320。通過存儲器控制器310和非易失性存儲器件320的迭代采樣讀操作可以與圖1的操作基本上相同。因此省略了迭代采樣讀操作和非易失性存儲器件320的詳細(xì)描述。

存儲器控制器310可以向非易失性存儲器件320提供用于估計(jì)谷值的迭代采樣讀命令isrcmd。首先，存儲器控制器310可以向非易失性存儲器件320提供迭代采樣讀命令isrcmd，以便相對于讀電壓rd的周圍電壓范圍執(zhí)行采樣讀操作。這里，讀電壓rd可以是調(diào)整之前的讀電壓。響應(yīng)于迭代采樣讀命令isrcmd，非易失性存儲器件320可以使用多個采樣值來提供以讀電壓rd作為中心限定的電壓范圍的采樣值(單元計(jì)數(shù))。

存儲器控制器310可以按照非線性濾波方案處理多個采樣值。存儲器控制器310可以用讀電壓rd作為中心確定放置在右邊和左邊的采樣值。存儲器控制器310可相對于所確定的采樣值來估計(jì)谷值移位方向。存儲器控制器310可以附加地對沿著谷值移位方向的多個單位電壓范圍的采樣值進(jìn)行采樣。為此，存儲器控制器310可以包括非線性濾波器312和谷值搜索功能部分314。

示例了本公開的實(shí)施例，其中迭代采樣讀操作被應(yīng)用于確定谷值移位方向的操作。可以應(yīng)用迭代采樣和采樣值的非線性濾波來確定谷值移位方向，從而提高可靠性。在由于噪聲而錯誤地確定谷值移位方向的情況下，可能發(fā)生致命操作錯誤和性能下降。因此，當(dāng)應(yīng)用迭代采樣和非線性濾波來確定谷值移位方向時，可以改善與確定谷值移位方向相關(guān)聯(lián)的可靠性和與調(diào)節(jié)讀電壓相關(guān)聯(lián)的特性。

圖13是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的用于確定谷值移位方向的操作的示意圖。參考圖13，根據(jù)本公開的實(shí)施例的迭代采樣讀操作可以應(yīng)用于檢測谷值移位方向的操作。

虛線曲線330可以表示在谷值移位發(fā)生之前存儲器單元的閾值電壓分布，例如，當(dāng)?shù)谝淮螆?zhí)行編程操作時。實(shí)線曲線340可以表示在谷值移位發(fā)生之后的閾值電壓分布。在這種情況下，當(dāng)使用典型的讀電壓rd感測所選擇的存儲器單元時，可能發(fā)生許多錯誤位。這可能意味著發(fā)生讀取失敗。因此，需要檢測谷值并且基于所檢測到的谷值來調(diào)節(jié)讀電壓的電平。

為了確定谷值的位置，首先，可以確定讀取谷值的方向。存儲器控制器310可以使用采樣讀電壓sr1以及以讀電壓rd為中心的采樣讀電壓sr2來執(zhí)行迭代采樣讀操作。也就是說，存儲器控制器310可以通過迭代采樣讀操作來檢測包括在從sr1至rd的單位電壓范圍中的存儲器單元的數(shù)量。同樣，存儲器控制器310可以通過迭代采樣讀操作來檢測包括從rd至sr2的單位電壓范圍中的存儲器單元的數(shù)量。存儲器控制器310可以通過執(zhí)行非線性濾波操作對獲得的迭代采樣讀操作的值采樣來計(jì)算單元計(jì)數(shù)cc1和cc2。可以從單元計(jì)數(shù)cc1和cc2中具有相對小的數(shù)值的單元計(jì)數(shù)確定為谷(vp)值移位方向。

然后，存儲器控制器310可以基于谷值移位方向執(zhí)行采樣讀操作以便檢測精確的谷值位置。

圖14是圖示根據(jù)本公開另一實(shí)施例的用于處理迭代采樣讀操作的結(jié)果以檢測谷值移位方向的方法的流程圖。參考圖14，存儲器系統(tǒng)300可以使用采樣讀操作的結(jié)果通過執(zhí)行迭代采樣讀操作和非線性濾波操作來確定谷值移位方向。

在步驟s510中，存儲器系統(tǒng)300可以初始化采樣讀操作的設(shè)置用于確定谷值移位方向。例如，可以設(shè)置第一采樣讀電壓sr1和第二采樣讀電壓sr2，其中第一采樣讀電壓sr1的幅度小于讀電壓rd的幅度，第二采樣讀電壓sr2的幅度大于讀電壓rd的幅度?？梢源_定要在每個電壓范圍中執(zhí)行的采樣操作的數(shù)量。在圖14中，“i”可以是指：表示在第一采樣讀電壓sr1和典型的讀電壓rd之間的電壓范圍內(nèi)執(zhí)行的采樣操作的數(shù)量的數(shù)值。“j”可以是指：表示在讀電壓rd和第二采樣讀電壓sr2之間的電壓范圍內(nèi)執(zhí)行的采樣操作的數(shù)量的數(shù)值。

在步驟s520中，存儲器系統(tǒng)300可以在第一采樣讀電壓sr1和讀電壓rd之間的電壓范圍內(nèi)執(zhí)行迭代采樣讀操作。該操作可以由構(gòu)成操作循環(huán)的步驟s522、s524、s526和s528組成。在步驟s522中，存儲器控制器310可以提供非易失性存儲器件320用于第一采樣讀電壓sr1和讀電壓rd之間的電壓范圍的采樣讀命令isrcmd。在步驟s524中，非易失性存儲器件320可以將采樣的第一單元計(jì)數(shù)cc1_0傳送到存儲器控制器310。存儲器控制器310可以存儲第一－第一單元計(jì)數(shù)cc1_0。在步驟s526中，存儲器控制器310可以確定當(dāng)前值i是否對應(yīng)于預(yù)定義的最后值。如果當(dāng)前值i對應(yīng)于預(yù)定義的最后值(是)，則過程可以進(jìn)行到步驟s530。相反，如果當(dāng)前值i不是預(yù)定義的最后值(否)，則過程可以進(jìn)行到步驟s528?？梢灾貜?fù)用于對第二－第一單元計(jì)數(shù)cc1_1進(jìn)行采樣的操作循環(huán)。

在步驟s530中，存儲系統(tǒng)300可以在讀電壓rd與第二采樣讀電壓sr2之間的電壓范圍內(nèi)執(zhí)行迭代采樣讀操作。該操作可以由構(gòu)成操作循環(huán)的步驟s532、s534、s536和s538組成。在步驟s532中，存儲器控制器310可以提供非易失性存儲器件320用于在在讀電壓rd與第二采樣讀電壓sr2之間的電壓范圍的采樣讀命令isrcmd。在步驟s534中，非易失性存儲器件320可以將采樣的第二單元計(jì)數(shù)cc2_0傳送到存儲器控制器310。存儲器控制器310可以存儲第一－第二單元計(jì)數(shù)cc2_0。在步驟s536中，存儲器控制器310可以確定當(dāng)前值j是否對應(yīng)于預(yù)定義的最后值。如果當(dāng)前值j對應(yīng)于預(yù)定義的最后值(是)，則過程可以進(jìn)行到步驟s540。相反，如果當(dāng)前值j不是預(yù)定義的最后值(否)，則過程可以進(jìn)行到步驟s538?？梢灾貜?fù)用于對第二－第二單元計(jì)數(shù)cc2_1進(jìn)行采樣的操作循環(huán)。

在步驟s540中，存儲器控制器310可以以非線性濾波方式處理在步驟s520中獲得的第一單元計(jì)數(shù)cc1_i，以確定第一單元計(jì)數(shù)cc1的幅度。存儲器控制器310可以以非線性濾波方式處理在步驟s530中獲得的第二單元計(jì)數(shù)cc2_i，以確定第二單元計(jì)數(shù)cc2的幅度。

在步驟s550中，存儲器控制器310可以將第一單元計(jì)數(shù)cc1的幅度和第二單元計(jì)數(shù)cc2的幅度進(jìn)行比較。如果第一單元計(jì)數(shù)cc1的幅度小于第二單元計(jì)數(shù)cc2的幅度(是)，則過程可以進(jìn)行到步驟s560。如果第一單元計(jì)數(shù)cc1的幅度不小于第二單元計(jì)數(shù)cc2的幅度(否)，則過程可以進(jìn)行到步驟s570。

在步驟s560中，存儲器控制器310可以將谷值移位方向確定為相對于讀電壓rd在反方向上移位。因此，用于確定谷值點(diǎn)的采樣讀取方向可以從相對于讀電壓rd的反方向前進(jìn)。

在步驟s570中，存儲器控制器310可以將谷值移位方向確定為相對于讀電壓rd在正方向上移位。因此，用于確定谷值點(diǎn)的采樣讀取方向可以相對于讀電壓rd從正方向前進(jìn)。

以上描述了以非線性濾波方式處理迭代采樣讀操作的結(jié)果以確定谷值的實(shí)施例。上述方案可以通過迭代采樣結(jié)果的非線性濾波操作來確定具有高可靠性的采樣值，并且可以精確地估計(jì)谷值移位方向。

圖15是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的用戶系統(tǒng)的框圖。參考圖15，用戶系統(tǒng)400可以包括主機(jī)410和存儲裝置420。主機(jī)410可以包括內(nèi)核412、工作存儲器414和存儲器接口416。存儲裝置420可以包括微控制器422和非易失性存儲器件424。這里，存儲裝置420可以利用完美頁面新(ppn)裝置來實(shí)施。

主機(jī)410的內(nèi)核412可以執(zhí)行加載在工作存儲器414上的各種應(yīng)用程序，或者可以處理加載在工作存儲器414上的數(shù)據(jù)。諸如操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序的軟件可以加載在工作存儲器414上。特別地，諸如用于處理本公開的迭代采樣讀操作的結(jié)果的非線性濾波器415的算法或軟件模塊可以被加載在操作系統(tǒng)上，該操作系統(tǒng)加載在工作存儲器414上。

存儲器接口416可以將通過內(nèi)核412訪問請求的存儲器地址轉(zhuǎn)換到物理地址中。存儲器接口416可以執(zhí)行例如閃存轉(zhuǎn)換層(ftl)的功能。

存儲裝置420可以包括微控制器422和非易失性存儲器件424。微控制器422可以向非易失性存儲器件424提供迭代采樣讀命令isrcmd、地址addr、控制信號ctrl以及來自主機(jī)410的數(shù)據(jù)。響應(yīng)于迭代采樣讀命令isrcmd，存儲裝置420可以向主機(jī)410提供針對所請求的電壓范圍的單元計(jì)數(shù)cci。

圖16是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的包括非易失性存儲器系統(tǒng)的存儲卡系統(tǒng)的框圖。參考圖16，存儲卡系統(tǒng)1000可以包括存儲器控制器1100，非易失性存儲器件1200和連接器1300。

存儲器控制器1100可以連接到非易失性存儲器件1200。存儲器控制器1100可以被配置為訪問非易失性存儲器件1200。例如，存儲器控制器1200可以被配置為控制非易失性存儲器件1200的整體操作，包括但不限于讀操作、寫操作、擦除操作和后臺操作。后臺操作可以包括以下操作：磨損平衡管理、垃圾收集等。

存儲器控制器1100可以提供非易失性存儲器件1200和主機(jī)之間的接口。存儲器控制器11000可以被配置為驅(qū)動用于控制非易失性存儲器件1200的固件。在實(shí)施例中，存儲器控制器1100可以包括諸如但不限于ram、處理單元、主機(jī)接口、存儲器接口和糾錯單元的組件。

在諸如讀取失敗的情況下，存儲器控制器1100可以向非易失性存儲器件1200提供本公開的迭代采樣讀命令isrcmd。存儲器控制器1100可以以非線性濾波方式處理響應(yīng)于迭代采樣讀命令isrcmd而提供的多個采樣值，從而最小化由噪聲造成的影響。

存儲器控制器1100可以通過連接器1300與外部裝置通信。存儲器控制器1100可以基于特定通信協(xié)議與外部裝置通信。例如，存儲器控制器1100可以通過例如但不限于以下各種通信協(xié)議中的至少一個通信協(xié)議與外部裝置進(jìn)行通信，通用串行總線(usb)、多媒體卡(mmc)、emmc(嵌入式mmc)、外圍組件互連(pci)、pci-express(pci-e)，高級技術(shù)附件(ata)、串行ata、并行-ata、小型計(jì)算機(jī)小型接口(scsi)、增強(qiáng)型小型磁盤接口(esdi)、集成驅(qū)動器電子學(xué)(ide)、火線、通用閃存存儲器(ufs)和非易失性存儲器快速存儲器(nvme)。在實(shí)施例中，由上述標(biāo)準(zhǔn)定義的寫命令可以包括寫數(shù)據(jù)的大小信息。

非易失性存儲器1200可以用各種非易失性存儲器件來實(shí)現(xiàn)，諸如但不限于電可擦除和可編程rom(eeprom)、nand閃存、nor閃存、相變ram(pram)、電阻ram(reram)、鐵電ram(fram)、自旋扭矩磁ram(stt-mram)等。

在實(shí)施例中，存儲器控制器1100和非易失性存儲器1200可以集成在單個半導(dǎo)體器件中。存儲器控制器1100和非易失性存儲器1200可以集成在單個半導(dǎo)體器件中以形成固態(tài)驅(qū)動器(ssd)。存儲器控制器1100和非易失性存儲器1200可以集成在單個半導(dǎo)體器件中以構(gòu)成存儲卡。例如，存儲器控制器1100和非易失性存儲器1200可以集成在單個半導(dǎo)體器件中，以構(gòu)成存儲卡，例如但不限于pc卡(個人計(jì)算機(jī)存儲卡國際協(xié)會(pcmcia)卡)、緊湊閃存卡(cf)、智能媒體卡(sm，smc)、記憶棒、多媒體卡(mmc，rs-mmc，mmcmicro)、sd卡(sd，minisd，microsd，sdhc)、通用閃存存儲(ufs)。

圖17是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的包括非易失性存儲器系統(tǒng)的固態(tài)驅(qū)動器(ssd)的框圖。參考圖17，固態(tài)驅(qū)動器(ssd)系統(tǒng)2000可以包括主機(jī)2100和ssd2200。ssd2200可以通過信號連接器2001與主機(jī)2100交換信號，并且可以通過電源連接器2002提供電源。ssd2200可以包括ssd控制器2210，多個閃存2221至222n、輔助電源2230和緩沖存儲器2240。

ssd控制器2210可以響應(yīng)于來自主機(jī)2100的信號來控制從2210至222n的閃存。在諸如讀取失敗的情況下，ssd控制器2210可以向從2221至222n的閃存中的至少一個閃存提供迭代采樣讀命令isrcmd。存儲器控制器1100可以以非線性濾波方式處理響應(yīng)于迭代采樣讀命令isrcmd而提供的多個采樣值，從而最小化由噪聲造成的影響?？梢愿鶕?jù)上述過程確定最后調(diào)整的讀電壓。

輔助電源2230可以經(jīng)由電源連接器2002連接到主機(jī)2100。輔助電源2230可以由來自主機(jī)2100的電源充電。當(dāng)從主機(jī)2100不能順利地供應(yīng)電源時，輔助電源2230可以向ssd系統(tǒng)2000供電。輔助電源2230可以放置在ssd2200的內(nèi)部或外部。例如，輔助電源2230可以放置在主板上，以向ssd2200提供輔助電源。

緩沖存儲器2240可以用作ssd2200的緩沖存儲器。例如，緩沖存儲器2240可以臨時存儲從主機(jī)2100或從2221至222n的閃速存儲器接收數(shù)據(jù)，或者可以臨時存儲從2221至322n的閃速存儲器元數(shù)據(jù)(例如，映射表)。緩沖存儲器2240可以包括諸如dram、sdram、ddrsdram、lpddrsdram和sram的易失性存儲器或諸如fram、reram、stt-mram和pram的非易失性存儲器。

圖18是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的包括非易失性存儲器系統(tǒng)的用戶系統(tǒng)的框圖。參考圖19，用戶系統(tǒng)3000可以包括應(yīng)用處理器3100、存儲器模塊3200、網(wǎng)絡(luò)模塊3300、存儲模塊3400和用戶接口3500。

應(yīng)用處理器3100可以驅(qū)動用戶系統(tǒng)3000的組件、操作系統(tǒng)等。例如，應(yīng)用處理器3100可以包括用于控制用戶系統(tǒng)3000的組件、圖形引擎、各種接口等的控制器。例如，應(yīng)用處理器3100可以是芯片上系統(tǒng)(soc)。

存儲器模塊3200可以用作用戶系統(tǒng)3000的主存儲器、工作存儲器、緩沖存儲器或高速緩沖存儲器。存儲器模塊3200可以用易失性隨機(jī)存取存儲器來實(shí)施，諸如dram、sdram、雙倍數(shù)據(jù)速率dram(ddrsdram)、ddr2sdram、ddr3sdram、lpddrdram、lpddr2dram或lpddr3dram或非易失性隨機(jī)存取存儲器，諸如pram、mram、rram或fram。

網(wǎng)絡(luò)模塊3300可以與外部裝置通信。例如，網(wǎng)絡(luò)模塊3300可以支持無線通信，諸如碼分多址(cdma)、全球移動通信系統(tǒng)(gsm)、寬帶cdma(wcdma)、cdma-2000、時分多址(tdma)、長期演進(jìn)(lte)、wimax、wlan、uwb、藍(lán)牙、wi-di等。在實(shí)施例中，網(wǎng)絡(luò)模塊3300可以包括在應(yīng)用處理器3100中。

存儲模塊3400可以存儲數(shù)據(jù)。例如，存儲模塊3400可以存儲從應(yīng)用處理器3100接收的數(shù)據(jù)。可替換地，存儲模塊3400可以向應(yīng)用處理器3100提供存儲在其中的數(shù)據(jù)。在諸如讀失敗的情況下，存儲模塊3400可以將重復(fù)采樣讀命令isrcmd提供給存儲介質(zhì)。存儲模塊3400可以以非線性濾波方式處理響應(yīng)于迭代采樣讀命令isrcmd而提供的多個采樣值，從而最小化由噪聲造成的影響。例如，存儲模塊3400可以用諸如pram、mram、rram、nand閃存存儲器、nor閃存存儲器或三維nand閃存存儲器的半導(dǎo)體存儲器件來實(shí)現(xiàn)。

用戶接口3500可以包括在應(yīng)用處理器3100中輸入數(shù)據(jù)或命令或者將數(shù)據(jù)輸出到外部設(shè)備的接口。例如，用戶接口3500可以包括用戶輸入接口，諸如鍵盤、小鍵盤、按鈕、觸摸面板、觸摸屏、觸摸板、觸摸球、相機(jī)、麥克風(fēng)、陀螺儀傳感器、振動傳感器等。用戶接口3500還可以包括用戶輸出接口，諸如液晶顯示器(lcd)、有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示裝置、有源矩陣oled(amoled)顯示裝置、發(fā)光二極管(led)、揚(yáng)聲器和電動機(jī)。

如上所述，在附圖和說明書中公開了示例性實(shí)施例。這里，本文使用的術(shù)語僅是為了描述特定實(shí)施例的目的，并不意圖限制本公開。因此，應(yīng)當(dāng)理解，基于本公開，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行各種修改和其他等效實(shí)施例。本公開的技術(shù)范圍將由所附權(quán)利要求的技術(shù)精神所限定。

根據(jù)本公開的實(shí)施例，可以在采樣讀操作時有效地對包括在采樣值中的噪聲進(jìn)行濾波。即使包括噪聲相對大的采樣值，也可以準(zhǔn)確地提取采樣值。這可以意味著，確定具有高可靠性的讀電壓。因此，可以顯著提高非易失性存儲器件的數(shù)據(jù)完整性。此外，可以提高非易失性存儲器件的讀取性能。

如在本領(lǐng)域中常規(guī)的，可以根據(jù)執(zhí)行所描述的一個或多個功能的塊來描述和示例實(shí)施例。這里可以稱為單元或模塊及其類似物的這些塊通過諸如邏輯門、集成電路、微處理器、微控制器、存儲器電路、無源電子部件、有源電子部件等的模擬和/或數(shù)字電路物理地實(shí)現(xiàn)，并且可以可選地由固件和/或軟件驅(qū)動。電路可以例如被體現(xiàn)在一個或多個半導(dǎo)體芯片中，或者在諸如印刷電路板等的襯底支撐件上。構(gòu)成塊的電路可以由專用硬件或由處理器(例如，一個或多個編程的微處理器和相關(guān)聯(lián)的電路)或者通過用于執(zhí)行塊的一些功能的專用硬件和用于執(zhí)行塊的其它功能的處理器的組合來實(shí)施。在不脫離本公開的范圍的情況下，實(shí)施例的每個塊可以物理上分離成兩個或多個相互作用和離散的塊。同樣，在不脫離本公開的范圍的情況下，實(shí)施例的框可以物理地組合成更復(fù)雜的塊。

盡管本公開已經(jīng)參考實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，在不脫離本公開的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種改變和修改是顯而易見的。因此，應(yīng)該理解，上述實(shí)施例不是限制性的，而是說明性的。