本專利申請要求于2016年2月26日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局(kipo)的第10-2016-0022906號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的公開通過引用全部合并于此。

本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例涉及半導(dǎo)體集成電路，更具體地講，涉及一種用于基于存儲器裝置的監(jiān)視信息對存儲器裝置進行診斷的存儲器診斷系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

存儲器裝置由于它們隨時間的劣化而具有有限的壽命。非易失性存儲器裝置在接近他們壽命的終點時可能丟失數(shù)據(jù)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，一種存儲器診斷系統(tǒng)包括存儲器裝置和服務(wù)器。存儲器裝置包括：存儲器模塊，被配置為響應(yīng)于參數(shù)控制信號調(diào)整操作參數(shù)；存儲器控制器，被配置為響應(yīng)于反饋信號生成參數(shù)控制信號；存儲器狀態(tài)監(jiān)視器，被配置為監(jiān)視存儲器模塊，以生成包括關(guān)于存儲器模塊的狀態(tài)的信息的信息信號。服務(wù)器響應(yīng)于信息信號生成反饋信號。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，一種存儲器診斷系統(tǒng)包括存儲器裝置和服務(wù)器。存儲器裝置包括：存儲器模塊；存儲器狀態(tài)監(jiān)視器，被配置為監(jiān)視存儲器模塊，以生成包括關(guān)于存儲器模塊的狀態(tài)的信息的信息信號，并被配置為響應(yīng)于反饋信號生成存儲器模塊的故障警報。服務(wù)器接收信息信號，并通過使用關(guān)于存儲器模塊的狀態(tài)的信息生成反饋信號，其中，反饋信號指示存儲器模塊的故障。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，一種對包括在存儲器裝置中的存儲器模塊進行診斷的方法，包括：從由存儲器裝置發(fā)送的信息信號確定誤碼率；確定誤碼率是否高于第一參考值；當誤碼率高于第一參考值時，激活用于警告存儲器模塊的故障危險的反饋信號；將反饋信號發(fā)送到存儲器裝置。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，將更清楚地理解本發(fā)明構(gòu)思的上述和其他特征，其中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的存儲器診斷系統(tǒng)的框圖。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的圖1的存儲器診斷系統(tǒng)中的存儲器模塊和存儲器控制器的示圖。

圖3a是示出如使用三維結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的包括在圖2的存儲器模塊中的存儲器單元陣列的示例性實施例的立體圖。

圖3b是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的圖3a的存儲器單元陣列的等效電路的電路圖。

圖4a和圖4b是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的基于編程電壓的存儲器模塊中的存儲器單元的閾值電壓分布的示圖。

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的當讀取操作失敗時在圖1的存儲器診斷系統(tǒng)中的存儲器裝置中執(zhí)行防御代碼的方法的示圖。

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的存儲器診斷系統(tǒng)的框圖。

圖7是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的圖6的存儲器診斷系統(tǒng)的特征的概率分布的示圖。

圖8是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的移動系統(tǒng)的框圖。

圖9是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的計算系統(tǒng)的框圖。

具體實施方式

以下將參照附圖更全面地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例。在附圖中，相同的參考標號始終表示相同的元件。重復(fù)描述可能被省略。

本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例可提供一種基于存儲器裝置的監(jiān)視信息確定存儲器裝置的使用模式并基于使用模式對存儲器裝置進行優(yōu)化的存儲器診斷系統(tǒng)。

本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例可提供一種基于存儲器裝置的監(jiān)視信息確定存儲器裝置的故障概率并基于故障概率向用戶警告存儲器裝置的故障危險的存儲器診斷系統(tǒng)。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的存儲器診斷系統(tǒng)的框圖。

參照圖1，存儲器診斷系統(tǒng)100可包括存儲器裝置110、中央服務(wù)器120和通信通道130。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，存儲器診斷系統(tǒng)100還可包括額外的存儲器裝置111和112。額外的存儲器裝置111和112可具有與存儲器裝置110的配置相同或相似的配置。如此，中央服務(wù)器120可以以相似的方式與存儲器裝置110以及額外的存儲器裝置111和112通信和交互。

存儲器裝置110可包括存儲器模塊(mm)140、存儲器狀態(tài)監(jiān)視器(msm)150和存儲器控制器(mc)160。存儲器模塊140可響應(yīng)于參數(shù)控制信號par調(diào)整操作參數(shù)。存儲器控制器160可基于反饋信號fs生成參數(shù)控制信號par。存儲器狀態(tài)監(jiān)視器150可監(jiān)視存儲器模塊140以生成包括關(guān)于存儲器模塊140的狀態(tài)的信息的信息信號is。存儲器模塊140可包括非易失性存儲器(例如，閃存)和易失性存儲器(例如，動態(tài)隨機存取存儲器(dram))。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，關(guān)于存儲器模塊140的狀態(tài)的信息可包括存儲器模塊140中的溫度、存儲器模塊140中的濕度、應(yīng)用于存儲器模塊140的編程、擦除和讀取命令的模式和頻率等。

中央服務(wù)器120可通過信息信號is收集信息，并基于收集的信息生成用于調(diào)整操作參數(shù)的反饋信號fs。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，反饋信號fs可代表存儲器模塊140的使用模式。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，中央服務(wù)器120可包括信息收集器(iss)121和中央處理器(cpu)122。信息收集器121可基于信息信號is收集并存儲關(guān)于存儲器模塊140的狀態(tài)的信息。中央處理器122可基于收集的信息生成用于調(diào)整存儲器模塊140的操作參數(shù)的反饋信號fs。

存儲器狀態(tài)監(jiān)視器150可通過通信通道130將信息信號is傳輸?shù)街醒敕?wù)器120，中央服務(wù)器120可通過通信通道130將反饋信號fs傳輸?shù)酱鎯ζ餮b置110。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，信息收集器121中的收集的信息可被用作用于設(shè)計另一存儲器模塊和/或用于對之前的設(shè)計進行補充的測試信息。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，信息可(例如，在存儲器裝置110作為制成品被售出后)在存儲器裝置110被終端用戶使用時被收集。通信通道130可以是互聯(lián)網(wǎng)或云網(wǎng)絡(luò)。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的圖1的存儲器診斷系統(tǒng)中的存儲器模塊和存儲器控制器的示圖。

參照圖2，存儲器模塊140可包括存儲器單元陣列141、電壓生成單元142、地址解碼器143和數(shù)據(jù)i/o電路144。

存儲器控制器160可基于命令信號cmd和地址信號addr生成行地址信號raddr和列地址信號caddr，以操作存儲器單元陣列141。存儲器控制器160可基于反饋信號fs生成并改變參數(shù)控制信號par。參數(shù)控制信號par可包括用于控制存儲器模塊140的dc特征(例如，信號和電壓的dc電平)的dc特征控制信號，以及用于控制存儲器模塊140的ac特征(例如，信號的時序和時間周期)的ac特征控制信號。

電壓生成單元142可基于參數(shù)控制信號par生成操作電壓，例如，讀取電壓vrd、編程電壓vpg或擦除電壓ver。

地址解碼器143可基于行地址信號raddr和命令信號cmd將相應(yīng)的電壓施加于串選擇線ssl、字線wl1至wln、地選擇線gsl和共源極線csl。

存儲器單元陣列141可包括存儲一個數(shù)據(jù)位的單級單元slc和/或存儲兩個或多個數(shù)據(jù)位的多級單元mlc。

數(shù)據(jù)i/o電路144可響應(yīng)于列地址信號caddr通過位線bl1至blm從存儲器單元陣列141的存儲器單元接收讀取數(shù)據(jù)并將寫入數(shù)據(jù)施加到存儲器單元陣列141的存儲器單元。

存儲器單元陣列141可以以二維結(jié)構(gòu)或三維結(jié)構(gòu)被實現(xiàn)。參照圖3a和圖3b描述三維結(jié)構(gòu)的示例性實施例。

圖3a是示出如使用三維結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的包括在圖2的存儲器模塊中的存儲器單元陣列的示例性實施例的立體圖。

參照圖3a，存儲器單元陣列141a可以沿垂直于基底sub的方向形成。n+摻雜區(qū)域可形成在基底sub中。柵極層和絕緣層可交替沉積在基底sub上。此外，電荷存儲層可形成在柵極層與絕緣層之間。

當柵極層和絕緣層被垂直地圖案化時，v形的柱可被形成。柱可穿過柵極層和絕緣層連接到基底sub。柱的外部部分o可用溝道半導(dǎo)體構(gòu)造，柱的內(nèi)部部分i可用絕緣材料(例如，二氧化硅)構(gòu)造。

柵極層可連接到地選擇線gsl、多個字線wl1至wl8以及串選擇線ssl。柱可連接到多個位線bl1至bl3。

在圖3a中示出存儲器單元陣列141a具有地選擇線gsl、串選擇線ssl、八個字線wl1至wl8以及三個位線bl1至bl3作為示例。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。

圖3b是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的圖3a的存儲器單元陣列的等效電路的電路圖。

參照圖3b，在存儲器單元陣列141b中，nand串ns11至ns33可連接在位線bl1至bl3與共源極線csl之間。每個nand串(例如，ns11)可包括串選擇晶體管sst、多個存儲器單元mc1至mc8以及地選擇晶體管gst。

串選擇晶體管sst可連接到串選擇線ssl1至ssl3之一。多個存儲器單元mc1至mc8可分別連接到相應(yīng)的字線wl1至wl8。地選擇晶體管gst可連接到地選擇線gsl1至gsl3之一。此外，串選擇晶體管sst可連接到位線bl1至bl3之一，地選擇晶體管gst可連接到共源極線gsl。

具有相同高度的字線(例如，wl1)可被共同地連接，而地選擇線gsl1至gsl3以及串選擇線ssl1至ssl3可被分離。例如，物理頁可包括連接到第一字線wl1并且包括在nand串ns11、ns12和ns13中的存儲器單元。當該物理頁被編程時，第一字線wl1、第一串選擇線ssl1和第一地選擇線gsl1可被選擇。

圖4a和圖4b是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的基于編程電壓的存儲器模塊中的存儲器單元的閾值電壓分布的示圖。

圖4a示出在當信息信號is指示編程命令被以低于低閾值頻率的頻率應(yīng)用于存儲器模塊140時的情況下，通過擦除電壓ver擦除的擦除狀態(tài)e1的閾值電壓分布，以及通過第一編程電壓vpg1編程的編程狀態(tài)p1的閾值電壓分布。低閾值頻率可被設(shè)置為預(yù)定值。

當編程命令被偶爾或很少地應(yīng)用于存儲器模塊140時，數(shù)據(jù)保持時間相對較長?；谛畔⑿盘杋s，中央服務(wù)器120可確定存儲器模塊140的使用模式是低頻率編程模式并可生成用于與低頻率編程模式對應(yīng)的反饋信號fs。響應(yīng)于代表低頻率編程模式的反饋信號fs，存儲器控制器160可增大用于對存儲器模塊140中的數(shù)據(jù)進行編程的第一編程電壓vpg1，以增加數(shù)據(jù)保持時間。通過增加數(shù)據(jù)保持時間可減少讀取操作中的誤差。然而，存儲器單元的劣化可被增大，導(dǎo)致總編程和擦除循環(huán)次數(shù)減少。

圖4b示出在當信息信號is指示編程命令被以高于高閾值頻率的頻率應(yīng)用于存儲器模塊140時的情況下，通過擦除電壓ver擦除的擦除狀態(tài)e2的閾值電壓分布，以及通過第二編程電壓vpg2編程的編程狀態(tài)p2的閾值電壓分布。高閾值頻率可被設(shè)置為預(yù)定值。

當編程命令被頻繁地應(yīng)用于存儲器模塊140時，數(shù)據(jù)保持時間可相對較短?；谛畔⑿盘杋s，中央服務(wù)器120可確定存儲器模塊140的使用模式是高頻率編程模式并可生成用于與高頻率編程模式對應(yīng)的反饋信號fs。響應(yīng)于代表高頻率編程模式的反饋信號fs，存儲器控制器160可減小用于對存儲器模塊140中的數(shù)據(jù)進行編程的第二編程電壓vpg2，以減少數(shù)據(jù)保持時間。

第二編程電壓vpg2低于第一編程電壓vpg1。換言之，第二編程電壓vpg2與擦除電壓ver之差db小于第一編程電壓vpg1與擦除電壓ver之差da。與上述的圖4a相比，在圖4b中，隨著編程電壓(例如，第二編程電壓vpg2)減小，讀取操作中的誤差可通過減少數(shù)據(jù)保持時間而增加。另一方面，存儲器單元的劣化可被減小，因此，總編程和擦除循環(huán)次數(shù)可增大。

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的當讀取操作失敗時在圖1的存儲器診斷系統(tǒng)中的存儲器裝置中執(zhí)行防御代碼的方法的示圖。

參照圖5，在正常情況case1下，當由于讀取操作中的誤差率超過參考值而導(dǎo)致讀取操作失敗時(讀取失敗，s10)，存儲器裝置110嘗試第一防御代碼，以基于查找表中的值來改變讀取電壓(s20)。例如，存儲器裝置110可根據(jù)圖5中所示的讀取電平偏移，在第一讀取失敗之后通過將讀取電壓vrd減小大約100mv(毫伏)來再次嘗試讀取操作，在第二讀取失敗之后通過將讀取電壓vrd增大大約100mv(毫伏)來再次嘗試讀取操作，在第三讀取失敗之后通過將讀取電壓vrd減小大約50mv(毫伏)來再次嘗試讀取操作。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，查找表中的值可以與圖5的值不同地被設(shè)置。如果在第一防御代碼之后讀取操作仍然失敗，則存儲器裝置110可執(zhí)行用于尋找用于最小化讀取操作中的誤差的最優(yōu)讀取電壓的第二防御代碼(s30)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，在情況case2下，當信息信號is指示讀取操作中的誤碼率超過參考值并且讀取操作失敗時(s10)，由于第一防御代碼不能有效減少讀取操作中的誤差，因此存儲器裝置110可忽略第一防御代碼(s20)，并可直接執(zhí)行第二防御代碼(s30)。

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的存儲器診斷系統(tǒng)的框圖。

參照圖6，存儲器診斷系統(tǒng)200可包括存儲器裝置210、中央服務(wù)器220和通信通道230。存儲器裝置210可包括存儲器模塊mm240和存儲器狀態(tài)監(jiān)視器msm250。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，存儲器診斷系統(tǒng)200還可包括額外的存儲器裝置211和212。額外的存儲器裝置211和212可具有與存儲器裝置210的配置相同或相似的配置，因而省略重復(fù)描述。

存儲器狀態(tài)監(jiān)視器250可監(jiān)視存儲器模塊240，以生成包括關(guān)于存儲器模塊240的狀態(tài)的信息的信息信號is。基于反饋信息fs可警告用戶存儲器模塊240的故障危險。存儲器模塊240可包括非易失性存儲器(例如，閃存)和易失性存儲器(例如，動態(tài)隨機存取存儲器(dram))。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，關(guān)于存儲器模塊240的狀態(tài)的信息可包括當前編程和擦除循環(huán)次數(shù)、讀取操作中的誤碼率、編程時間和/或用于減少讀取操作中的誤差的防御代碼的執(zhí)行次數(shù)。

中央服務(wù)器220可通過信息信號is收集信息，并可基于收集的信息生成指示存儲器模塊240的故障概率的反饋信號fs。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，中央服務(wù)器220可包括信息收集器iss221和中央處理器cpu222。信息收集器221可基于信息信號is收集并存儲關(guān)于存儲器模塊240的狀態(tài)的信息。中央處理器222可基于收集的信息生成指示存儲器模塊240的故障概率的反饋信號fs。

存儲器狀態(tài)監(jiān)視器250可通過通信通道230將信息信號is傳輸?shù)街醒敕?wù)器220，中央服務(wù)器220可通過通信通道230將反饋信號fs傳輸?shù)酱鎯ζ餮b置210。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，信息采集器221中的采集的信息可被用作用于設(shè)計另一存儲器模塊和/或用于對之前的設(shè)計進行補充的測試信息。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，信息可(例如，在存儲器裝置210作為制成品被售出后)在存儲器裝置210被終端用戶使用時被收集。通信通道230可以是互聯(lián)網(wǎng)或云網(wǎng)絡(luò)。

圖7是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的圖6的存儲器診斷系統(tǒng)的特征的概率分布的示圖。

參照圖7，全部大批量生產(chǎn)的存儲器裝置的完整測試將消耗過多的時間，因而可針對所述存儲器裝置的樣本獲得樣本分布sd，以預(yù)測針對整批存儲器裝置的實際分布rd。

當測試特征是誤碼率ber時，具有低于參考值rv的誤碼率ber的存儲器裝置可被認為是正常產(chǎn)品qd，具有高于參考值rv的誤碼率ber的存儲器裝置可被認為是不良產(chǎn)品nq。在圖7中，在樣本分布中的所有存儲器裝置可被確定為正常產(chǎn)品qd，但是在實際分布rd中的一些存儲器裝置可被確定為不良產(chǎn)品nq。

當包括在信息信號is中的誤碼率ber高于參考值rv時，中央服務(wù)器220中的中央處理器222可確定故障概率為高。在這種情況下，中央服務(wù)器220可激活反饋信號fs，存儲器裝置210可警告用戶存儲器模塊240的故障危險。相反，當誤碼率ber低于參考值rv時，中央服務(wù)器220中的中央處理器222可確定故障概率為低。在這種情況下，中央服務(wù)器220可去激活反饋信號fs，存儲器裝置210可通知用戶存儲器模塊240處于正常狀態(tài)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，中央服務(wù)器220可基于當前編程和擦除循環(huán)次數(shù)、編程時間和/或用于減少讀取操作中的誤差的防御代碼的執(zhí)行次數(shù)，以與上述基于誤碼率ber生成反饋信號fs大體相同的方式產(chǎn)生指示存儲器模塊240的故障概率的反饋信號fs。

參照圖4a、圖4b、圖5和圖7，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，可設(shè)置多個參考值，以確定是否調(diào)整存儲器模塊的操作參數(shù)和/或警告存儲器模塊的故障。如上所述，信息信號is可包括誤碼率ber、編程命令被應(yīng)用于存儲器模塊的頻率、當前編程和擦除循環(huán)次數(shù)、編程時間、防御代碼的執(zhí)行次數(shù)等。

如以上參照圖7所述，可將誤碼率ber與第一參考值(例如，圖7的參考值rv)進行比較，來確定是否激活用于警告存儲器模塊的故障危險的反饋信號。此外，可將誤碼率ber與第二參考值和第三參考值進行比較。第二參考值可小于第三參考值，第三參考值可小于第一參考值。第二參考值和第三參考值可指示讀取操作失敗但是并非即將發(fā)生故障并且可再次嘗試讀取操作。換言之，如果誤碼率ber在第二參考值與第三參考值之間，則可如參照圖5所述執(zhí)行第一防御代碼并且如果需要可執(zhí)行第二防御代碼。如果誤碼率ber高于第三參考值，則可如參照圖5所述忽略第一防御代碼并可執(zhí)行第二防御代碼。

此外，可將應(yīng)用于存儲器模塊的(包括在信息信號is中的)編程命令的頻率與第一閾值頻率(例如，低閾值頻率)和第二閾值頻率(例如，高閾值頻率)進行比較。如參照圖4a和圖4b所述，可基于比較結(jié)果相應(yīng)地調(diào)整編程電壓。

圖8是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的移動系統(tǒng)的框圖。

參照圖8，移動系統(tǒng)310包括應(yīng)用處理器(ap)311、連接單元312、用戶接口313、非易失性存儲器裝置(nvm)314、易失性存儲器裝置(vm)315和電源316。裝置可經(jīng)由總線進行通信。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，移動系統(tǒng)310可以是移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數(shù)碼相機、音樂播放器、便攜式游戲機、導(dǎo)航系統(tǒng)等。

應(yīng)用處理器311可運行應(yīng)用，例如，網(wǎng)絡(luò)瀏覽器、游戲應(yīng)用、視頻播放器等。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，應(yīng)用處理器311可包括單個核或多個核。例如，應(yīng)用處理器311可以是多核處理器，例如，雙核處理器、四核處理器、六核處理器等。應(yīng)用處理器311可包括內(nèi)部高速緩沖存儲器或外部高速緩沖存儲器。

連接單元312可與外部裝置執(zhí)行有線通信或無線通信。例如，連接單元312可執(zhí)行以太網(wǎng)通信、近場通信(nfc)、射頻識別(rfid)通信、移動通信、存儲卡通信、通用串行總線(usb)通信等。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，連接單元312可包括支持通信(例如，全球移動通信系統(tǒng)(gsm)、通用分組無線業(yè)務(wù)(gprs)、寬帶碼分多址(wcdma)、高速下行/上行分組接入(hsxpa)等)的基帶芯片組。連接單元312可通過網(wǎng)絡(luò)通道320與服務(wù)器330通信。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，非易失性存儲器裝置314或易失性存儲器裝置315可對應(yīng)于圖1中的存儲器裝置110，網(wǎng)絡(luò)通道320可對應(yīng)于圖1中的通信通道130，服務(wù)器330可對應(yīng)于圖1中的中央服務(wù)器120。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，非易失性存儲器裝置314或易失性存儲器裝置315可對應(yīng)于圖6中的存儲器裝置210，網(wǎng)絡(luò)通道320可對應(yīng)于圖6中的通信通道230，服務(wù)器330可對應(yīng)于圖6中的中央處理器220。

非易失性存儲器裝置314可存儲用于啟動移動系統(tǒng)310的啟動圖像。非易失性存儲器裝置314可包括(例如，如參照圖3所述)以三維結(jié)構(gòu)形成在基底上的存儲器單元陣列。包括在存儲器單元陣列中的存儲器單元可沿垂直于基底的方向形成。包括在存儲器單元陣列中的存儲器單元可連接到沿垂直于基底方向堆疊的多個字線、沿平行于基底方向形成的多個位線。

易失性存儲器裝置315可存儲由應(yīng)用處理器311處理的數(shù)據(jù)，或者易失性存儲器裝置315可作為工作存儲器進行操作。用戶接口313可包括至少一個輸入裝置(例如，鍵盤、觸摸屏等)以及至少一個輸出裝置(例如，揚聲器、顯示裝置等)。電源316可向移動系統(tǒng)310提供電源電壓。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，移動系統(tǒng)310還可包括圖像處理器和/或存儲裝置，例如，存儲卡、固態(tài)驅(qū)動(ssd)、硬盤驅(qū)動(hdd)、cd-rom等。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，移動系統(tǒng)310和/或移動系統(tǒng)310的組件可以以各種形式被封裝，例如，堆疊裝配(pop)、球柵陣列(bga)、芯片級封裝(csp)、帶引線的塑料芯片載體(plcc)、塑料雙列直插式封裝(pdip)、華夫裸片封裝(dieinwafflepack)、晶片形式的裸片(dieinwaferform)、板上芯片(cob)、陶瓷雙列直插式封裝(cerdip)、塑料公制四方扁平封裝(mqfp)、薄四方扁平封裝(tqfp)、小外形集成電路(soic)、收縮型小外形封裝(ssop)、薄型小外形封裝(tsop)、系統(tǒng)級封裝(sip)、多芯片封裝(mcp)、晶圓級制造封裝(wfp)或晶圓級處理堆疊封裝(wsp)。

圖9是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的計算系統(tǒng)的框圖。

參照圖9，計算系統(tǒng)410包括處理器411、輸入/輸出集線器(ioh)412、輸入/輸出控制器集線器(ich)413、至少一個存儲器模塊414、網(wǎng)絡(luò)裝置416和顯卡415。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，計算系統(tǒng)410可以是個人計算機(pc)、服務(wù)器計算機、工作站、膝上型計算機、移動電話、智能電話、pda、pmp、數(shù)碼相機、數(shù)字電視、機頂盒、音樂播放器、便攜式游戲機、導(dǎo)航系統(tǒng)等。

處理器411可執(zhí)行各種計算功能，例如，運行用于執(zhí)行特定計算或任務(wù)的特定軟件。例如，處理器310可以是微處理器、中央處理器(cpu)、數(shù)字信號處理器等。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，處理器411可包括單個核或多個核。例如，處理器411可以是多核處理器，例如，雙核處理器、四核處理器、六核處理器等。雖然圖9示出包括一個處理器411的計算系統(tǒng)410，但是計算系統(tǒng)410可包括多個處理器。

處理器411可包括用于控制存儲器模塊414的操作的存儲器控制器。包括在處理器411中的存儲器控制器可被稱為集成存儲器控制器(imc)。存儲器控制器與存儲器模塊414之間的存儲器接口可使用包括多個信號線的單個通道實現(xiàn)，或者可使用多通道實現(xiàn)。至少一個存儲器模塊414可連接到單個通道。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，存儲器控制器可位于輸入/輸出集線器412內(nèi)部。包括內(nèi)部存儲器控制器的輸入/輸出集線器412可被稱為存儲器控制器集線器(mch)。

輸入/輸出集線器412可管理處理器411與其他裝置(例如，顯卡415)之間的數(shù)據(jù)傳輸。輸入/輸出集線器412可經(jīng)由各種接口連接到處理器411。例如，處理器411與輸入/輸出集線器412之間的接口可以是前端總線(fsb)、系統(tǒng)總線、超級傳輸、閃電數(shù)據(jù)傳輸(ldt)、快速通道互聯(lián)(qpi)、公共系統(tǒng)接口(csi)等。輸入/輸出集線器412可提供用于與裝置連接的各種接口。例如，輸入/輸出集線器412可提供加速圖形端口(agp)接口、外圍組件接口表示(pcie)接口、通信數(shù)據(jù)流架構(gòu)(csa)接口等。作為示例，輸入/輸出集線器412可經(jīng)由pcie連接到網(wǎng)絡(luò)裝置416。雖然圖9示出包括一個輸入/輸出集線器412的計算系統(tǒng)410，但是計算系統(tǒng)410可包括多個輸入/輸出集線器。

顯卡415可經(jīng)由agp或pcie連接到輸入/輸出集線器412。顯卡415可控制用于顯示圖像的顯示裝置。顯卡415可包括用于處理圖像數(shù)據(jù)的內(nèi)部處理器和內(nèi)部存儲器裝置。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，輸入/輸出集線器412可包括內(nèi)部圖形裝置以及顯卡415，或者輸入/輸出集線器412可包括內(nèi)部圖形裝置而不包括顯卡415。包括在輸入/輸出集線器412中的內(nèi)部圖形裝置可被稱為集成圖形裝置。此外，包括內(nèi)部存儲器控制器和內(nèi)部圖形裝置的輸入/輸出集線器412可被稱為圖形和存儲器控制器集線器(gmch)。

輸入/輸出控制器集線器413可執(zhí)行數(shù)據(jù)緩沖和接口仲裁，以有效操作各種系統(tǒng)接口。輸入/輸出控制器集線器413可經(jīng)由內(nèi)部總線(例如，直接媒體接口(dmi)、集線器接口、企業(yè)南橋接口(esi)、pcie等)連接到輸入/輸出集線器412。

輸入/輸出控制器集線器413可提供用于與外圍裝置連接的各種接口。例如，輸入/輸出控制器集線器413可提供通用串行總線(usb)端口、串行高級技術(shù)附件(sata)端口、通用輸入/輸出(gpio)端口、低引腳數(shù)(lpc)總線、串行外圍接口(spi)、外圍組件接口(pci)總線、pcie等。

網(wǎng)絡(luò)裝置416可經(jīng)由輸入/輸出集線器412的pcie或者輸入/輸出控制器集線器413的usb端口、sata端口、gpio端口、lpc總線、spi、pci總線和pcie總線之一從處理器411和顯卡415接收數(shù)據(jù)。網(wǎng)絡(luò)裝置416可將數(shù)據(jù)發(fā)送到另一計算系統(tǒng)。網(wǎng)絡(luò)裝置416可從其他計算系統(tǒng)接收其它數(shù)據(jù)。例如，網(wǎng)絡(luò)裝置416可通過網(wǎng)絡(luò)通道420與服務(wù)器430通信。網(wǎng)絡(luò)通道420和服務(wù)器430可對應(yīng)于圖8的網(wǎng)絡(luò)通道320和服務(wù)器330。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，處理器411、輸入/輸出集線器412、輸入/輸出控制器集線器413可被實現(xiàn)為單獨的芯片組或單獨的集成電路。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，處理器411、輸入/輸出集線器412和輸入/輸出控制器集線器413中的至少兩個可被實現(xiàn)為單個芯片組。

本發(fā)明構(gòu)思可被應(yīng)用于包括存儲器裝置的任何裝置和系統(tǒng)。例如，如上所述，本發(fā)明構(gòu)思可被應(yīng)用于諸如移動電話、智能電話、pda、pmp、數(shù)碼相機、攝像機、pc、服務(wù)器計算機、工作站、膝上型計算機、數(shù)字tv、機頂盒、便攜式游戲機、導(dǎo)航系統(tǒng)等。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，存儲器診斷系統(tǒng)可監(jiān)視存儲器裝置的信息，以通過通信通道向中央處理器提供所述信息。存儲器裝置的狀態(tài)可通過中央服務(wù)器基于所述信息被診斷。存儲器診斷系統(tǒng)還可警告用戶存儲器裝置的故障危險，從而用戶可例如通過更換存儲器裝置來相應(yīng)地響應(yīng)。存儲器裝置的操作條件可基于它的使用模式被優(yōu)化，收集的信息可被用作用于設(shè)計其他存儲器裝置的測試數(shù)據(jù)。

盡管已示出并參照本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例描述了本發(fā)明構(gòu)思，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，可在形式和細節(jié)上進行各種修改。