【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器控制領(lǐng)域,尤其涉及一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)、存儲(chǔ)器模塊以及存儲(chǔ)器模塊的控制方法。
背景技術(shù):
傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(dynamicrandomaccessmemory,dram)模塊通常包括終端電阻(on-dietermination),所述終端電阻用于信號(hào)線的阻抗匹配,并降低信號(hào)失真。傳統(tǒng)的終端電阻通常耦接至參考電壓,例如接地電壓。但是,這樣的設(shè)計(jì)不能使信號(hào)質(zhì)量最優(yōu)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明提供存儲(chǔ)器系統(tǒng)、存儲(chǔ)器模塊以及存儲(chǔ)器模塊的控制方法??商岣咝盘?hào)的完整性。
本發(fā)明提供的一種存儲(chǔ)器系統(tǒng),可包括:存儲(chǔ)器控制器,用于至少產(chǎn)生第一時(shí)鐘信號(hào)和反向第一時(shí)鐘信號(hào);以及存儲(chǔ)器模塊,耦接于所述存儲(chǔ)器控制器,用于從所述存儲(chǔ)器控制至少接收所述第一時(shí)鐘信號(hào)和所述反向第一時(shí)鐘信號(hào);其中,所述存儲(chǔ)器模塊包括第一終端模塊,所述第一時(shí)鐘信號(hào)通過(guò)所述第一終端模塊與所述反向第一時(shí)鐘信號(hào)耦接。
本發(fā)明提供的一種存儲(chǔ)器模塊,可包括:存儲(chǔ)器接口電路,用于從存儲(chǔ)器控制器至少接收第一時(shí)鐘信號(hào)和反向第一時(shí)鐘信號(hào);以及第一終端模塊,耦接于所述存儲(chǔ)器接口電路;其中,所述第一時(shí)鐘信號(hào)通過(guò)所述第一終端模塊耦接于所述反向第一時(shí)鐘信號(hào)。
本發(fā)明提供的一種存儲(chǔ)器模塊的控制方法,可應(yīng)用與本發(fā)明的存儲(chǔ)器模塊及存儲(chǔ)器系統(tǒng)中,所述控制方法可包括:從存儲(chǔ)器控制器接收時(shí)鐘信號(hào)和反向時(shí)鐘信號(hào);以及在所述存儲(chǔ)器模塊內(nèi),通過(guò)所述終端模塊耦接所述時(shí)鐘信號(hào)和所述反向時(shí)鐘信號(hào)。
由上可知,在本發(fā)明的技術(shù)方案中,通過(guò)終端模塊使時(shí)鐘信號(hào)和反向時(shí)鐘信號(hào)可在芯片上建立耦接。因此,阻抗匹配可更準(zhǔn)確,信號(hào)的反射被降低,由此提高了信號(hào)的完整性。
【附圖說(shuō)明】
圖1根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例示出存儲(chǔ)器系統(tǒng)100。
圖2根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例示出存儲(chǔ)器系統(tǒng)100的終端電阻的設(shè)計(jì)方案。
圖3根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例示出存儲(chǔ)器系統(tǒng)100的終端電阻的設(shè)計(jì)方案。
【具體實(shí)施方式】
在說(shuō)明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來(lái)指稱特定的組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解,硬件制造商可能會(huì)用不同的名詞來(lái)稱呼同一個(gè)組件。本說(shuō)明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來(lái)作為區(qū)分組件的方式,而是以組件在功能上的差異來(lái)作為區(qū)分的準(zhǔn)則。在通篇說(shuō)明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”及“包括”為一開放式的用語(yǔ),故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”?!按篌w上”是指在可接受的誤差范圍內(nèi),本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在一定誤差范圍內(nèi)解決所述技術(shù)問(wèn)題,基本達(dá)到所述技術(shù)效果。此外,“耦接”一詞在此包含任何直接及間接的電性耦接手段。因此,若文中描述一第一裝置耦接于一第二裝置,則代表該第一裝置可直接電性耦接于該第二裝置,或通過(guò)其它裝置或耦接手段間接地電性耦接至該第二裝置。以下所述為實(shí)施本發(fā)明的較佳方式,目的在于說(shuō)明本發(fā)明的精神而非用以限定本發(fā)明的保護(hù)范圍,本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
請(qǐng)參考圖1,其根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例示出存儲(chǔ)器系統(tǒng)100。如圖1所示,存儲(chǔ)器系統(tǒng)100包括存儲(chǔ)器控制器110和由電源電壓vdd供電的存儲(chǔ)器模塊120,其中,存儲(chǔ)器模塊120包括存儲(chǔ)器接口電路122、控制電路124以及存儲(chǔ)器陣列126。在本實(shí)施例中,存儲(chǔ)器控制器110和存儲(chǔ)器模塊120通過(guò)多個(gè)耦接線互連,所述多個(gè)耦接線用于傳輸多個(gè)雙向(bi-directional)數(shù)據(jù)信號(hào)dq、寫時(shí)鐘信號(hào)wck、反向?qū)憰r(shí)鐘信號(hào)wckb、多個(gè)命令信號(hào)cmd、時(shí)鐘信號(hào)clk以及反向時(shí)鐘信號(hào)ckb。在一個(gè)實(shí)施例中,存儲(chǔ)器系統(tǒng)100為易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng),例如,dram系統(tǒng),存儲(chǔ)器控制器110為dram存儲(chǔ)器控制器,而存儲(chǔ)器模塊120為dram存儲(chǔ)器模塊。
當(dāng)存儲(chǔ)器系統(tǒng)100為dram系統(tǒng),所述多個(gè)命令信號(hào)至少包括行地址選通(rowaddressstrobe)、列地址選通(columnaddressstrobe)以及寫使能信號(hào)。此外,寫時(shí)鐘信號(hào)wck和反向?qū)憰r(shí)鐘信號(hào)wckb用于將數(shù)據(jù)信號(hào)dq鎖存至存儲(chǔ)器模塊120,時(shí)鐘信號(hào)clk和反向時(shí)鐘信號(hào)clkb用于將命令信號(hào)cmd鎖存至存儲(chǔ)器模塊120,且寫時(shí)鐘信號(hào)wck的頻率大于或等于時(shí)鐘信號(hào)clk的頻率。例如,存儲(chǔ)器120可使用寫時(shí)鐘信號(hào)wck和反向?qū)憰r(shí)鐘信號(hào)wckb對(duì)所述數(shù)據(jù)信號(hào)dq進(jìn)行采樣和存儲(chǔ),以供后續(xù)的信號(hào)處理。存儲(chǔ)器模塊120可使用時(shí)鐘信號(hào)clk和反向時(shí)鐘信號(hào)clkb對(duì)所述命令信號(hào)cmd進(jìn)行采樣和存儲(chǔ),以供后續(xù)的信號(hào)處理。
在存儲(chǔ)器系統(tǒng)100的操作中,存儲(chǔ)器控制器110用于從主機(jī)或處理器接收請(qǐng)求,并將數(shù)據(jù)信號(hào)dq、寫時(shí)鐘信號(hào)wck、反向?qū)憰r(shí)鐘信號(hào)wckb、多個(gè)命令信號(hào)cmd、時(shí)鐘信號(hào)clk以及反向時(shí)鐘信號(hào)ckb中的一部分傳輸至存儲(chǔ)器模塊120用于訪問(wèn)存儲(chǔ)器模塊120。此外,存儲(chǔ)器控制110可包括相關(guān)的電路,例如,地址解碼器、處理電路、讀/寫緩沖器、控制邏輯和仲裁器等,用于執(zhí)行相應(yīng)的操作。存儲(chǔ)器接口電路122包括多個(gè)針腳(或襯墊)以及相關(guān)的接收電路。存儲(chǔ)器接口電路122用于從存儲(chǔ)器控制器110接收數(shù)據(jù)信號(hào)dq、寫時(shí)鐘信號(hào)wck、反向?qū)憰r(shí)鐘信號(hào)wckb、多個(gè)命令信號(hào)cmd、時(shí)鐘信號(hào)clk以及反向時(shí)鐘信號(hào)ckb,并選擇性地輸出所述接收的信號(hào)給控制電路124??刂齐娐?24可包括讀/寫控制器、行解碼器和列解碼器??刂齐娐?24用于從存儲(chǔ)器接口電路122接收信號(hào)以訪問(wèn)存儲(chǔ)器陣列126。
由于本發(fā)明實(shí)施例主要關(guān)注終端電阻的耦接,因此,本發(fā)明將省略其他組件的詳細(xì)的描述。
請(qǐng)參考圖2,其根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例示出存儲(chǔ)器系統(tǒng)100的終端電阻的設(shè)計(jì)方案。如圖2所示,存儲(chǔ)器模塊120包括兩個(gè)終端電阻odt1和odt2,且終端電阻odt1和odt2彼此相連以允許寫時(shí)鐘信號(hào)wck和反向?qū)憰r(shí)鐘信號(hào)wckb在芯片上互連。終端電阻odt1和odt2可由金屬氧化物半導(dǎo)體、金屬線、多晶硅中的任意一種實(shí)現(xiàn),或者,odt1和odt2為任意的阻抗可調(diào)的電阻器。終端電阻odt1和odt2不與任意的偏置電壓耦接,例如,接地電壓或電源電壓。具體而言,當(dāng)寫時(shí)鐘信號(hào)wck為高電壓電平,反向?qū)憰r(shí)鐘信號(hào)wckb為低電壓電平,電流流經(jīng)驅(qū)動(dòng)器201、通道210_1、襯墊n1、終端電阻odt1和odt2、襯墊n2以及通道210_2后到達(dá)驅(qū)動(dòng)器202;而當(dāng)寫時(shí)鐘信號(hào)wck為低電壓電平,反向?qū)憰r(shí)鐘信號(hào)wckb為高電壓電平,電流流經(jīng)驅(qū)動(dòng)器202、通道210_2、襯墊n2、終端電阻odt1和odt2、襯墊n1以及通道210_1后到達(dá)驅(qū)動(dòng)器201。在本實(shí)施例中,通道210_1和210_2可為封裝或印刷電路板上的傳輸線。
圖2中示出的終端電阻的數(shù)量?jī)H用于描述的目地,并不是對(duì)本發(fā)明的限定。只需要存儲(chǔ)器120包括終端模塊(該終端模塊包括至少一個(gè)終端電阻)用于使寫時(shí)鐘信號(hào)wck與反向?qū)憰r(shí)鐘信號(hào)wckb建立耦接即可。實(shí)踐中,存儲(chǔ)器模塊120中的終端電阻的數(shù)量可由設(shè)計(jì)需要確定。
如圖2所示,通過(guò)使用終端電阻,阻抗匹配可更準(zhǔn)確,信號(hào)的反射被降低,由此提高了信號(hào)的完整性。
圖2示出存儲(chǔ)器模塊120包括兩個(gè)終端電阻odt1和odt2用于耦接寫時(shí)鐘信號(hào)wck和反向?qū)憰r(shí)鐘信號(hào)wckb。在另一個(gè)實(shí)施例中,存儲(chǔ)器芯片120可進(jìn)一步包括其他終端電阻用于耦接時(shí)鐘信號(hào)clk和反向時(shí)鐘信號(hào)clkb。請(qǐng)參考圖3,存儲(chǔ)器模塊120進(jìn)一步包括終端電阻odt3和odt4,終端電阻odt3和odt4彼此相連以允許時(shí)鐘信號(hào)clk和反向?qū)憰r(shí)鐘信號(hào)clkb互連。在本實(shí)施例中,終端電阻可由金屬氧化物半導(dǎo)體、金屬線、多晶硅中的任意一種實(shí)現(xiàn),或者,odt3和odt3為任意的阻抗可調(diào)的電阻器。且終端電阻odt3和odt4不與任意的偏置電壓耦接,例如,接地電壓或電源電壓。具體而言,當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)clk為高電壓電平,反向時(shí)鐘信號(hào)clkb為低電壓電平,電流流經(jīng)驅(qū)動(dòng)器203、通道210_3、襯墊n3、終端電阻odt3和odt4、襯墊n4以及通道210_4后到達(dá)驅(qū)動(dòng)器204;而當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)clk為低電壓電平,反向時(shí)鐘信號(hào)clkb為高電壓電平,電流流經(jīng)驅(qū)動(dòng)器204、通道210_4、襯墊n4、終端電阻odt3和odt4、襯墊n3以及通道210_3后到達(dá)驅(qū)動(dòng)器203。在本實(shí)施例中,通道210_3和210_4可為封裝或印刷電路板上的傳輸線。
此外,圖3中示出的終端電阻的數(shù)量?jī)H用于描述的目地,并不是對(duì)本發(fā)明的限定。只需要存儲(chǔ)器120包括終端模塊(該終端模塊包括至少一個(gè)終端電阻)用于使時(shí)鐘信號(hào)clk與反向時(shí)鐘信號(hào)clkb建立耦接即可。實(shí)踐中,存儲(chǔ)器模塊120中的終端電阻的數(shù)量可由設(shè)計(jì)需要確定。
簡(jiǎn)言之,在本發(fā)明的終端電阻結(jié)構(gòu)中,允許時(shí)鐘信號(hào)和反向時(shí)鐘信號(hào)在芯片上建立耦接。因此,阻抗匹配可更準(zhǔn)確,信號(hào)的反射被降低,由此提高了信號(hào)的完整性。
權(quán)利要求書中用以修飾元件的“第一”、“第二”等序數(shù)詞的使用本身未暗示任何優(yōu)先權(quán)、優(yōu)先次序、各元件之間的先后次序、或所執(zhí)行方法的時(shí)間次序,而僅用作標(biāo)識(shí)來(lái)區(qū)分具有相同名稱(具有不同序數(shù)詞)的不同元件。
本發(fā)明雖以較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明的范圍,任何本領(lǐng)域技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可做些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。